JP4021503B2

JP4021503B2 - 方向性電磁鋼板の１次再結晶粒径制御方法

Info

Publication number: JP4021503B2
Application number: JP16851495A
Authority: JP
Inventors: 峰男村木; 明男藤田; 芳宏尾崎; 健一定広
Original assignee: JFE Steel Corp
Current assignee: JFE Steel Corp
Priority date: 1995-07-04
Filing date: 1995-07-04
Publication date: 2007-12-12
Anticipated expiration: 2015-07-04
Also published as: JPH0920924A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、方向性電磁鋼板の製造に際し、優れた電磁特性を安定して得るために好適な１次再結晶粒の粒径制御方法に関するものである。
【０００２】
方向性けい素鋼板の製品特性には、２次再結晶した結晶粒の方位が密接に影響するため、この生産に携さわるものにとっては、いかにこの２次再結晶粒を安定して、良好な方位に揃えるかに多大の努力を払っている。
【０００３】
しかし、この２次再結晶に影響を与える工程要因は、成分組成、熱延条件、焼鈍条件、冷延条件、さらには２次再結晶時の雰囲気まで多岐にわたるため、時として、原因不明の２次再結晶不良が多発することがある。そして、その不良原因の究明の間にも、多くの工程材は、既に問題の工程を終了していることがしばしばあり、多量の不良コイル発生につながる場合がある。さらに、この２次再結晶不良は同一コイル内でも熱間圧延位置等の要因でコイル長手方向に発生し、局部的な特性不良を引き起こしてもいた。
【０００４】
【従来の技術】
これまで、これらの２次再結晶不良の発生を防止する手段として１次再結晶粒径を制御する技術があり、たとえば特開平２−267223号公報（方向性電磁鋼板の１次再結晶焼鈍方法）には、１次再結晶粒径をオンライン計測し、１次再結晶粒径が適正範囲となるように、焼鈍条件を制御する技術が、さらに特開平５−320776号公報（方向性電磁鋼板の１次再結晶粒径制御方法）には、１次再結晶粒径を目標粒径の±0.5 μm 以内に的中させる技術がそれぞれ提案開示されている。また特開平７−62434 号公報にもスラブ加熱温度、Al量およびＮ量から脱炭焼鈍温度を調整する方法が開示されているが、これも目標となる最適一次再結晶粒径をめざすものである。しかしながら、これらの技術はいずれも特定の鋼種、プロセスにおいては一定の目標粒径への適中を狙うものであり、これらの技術においても時には２次再結晶不良が予期せず生じる場合があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
この発明は、前記した従来技術の問題点を有利に解決し、製品の電磁特性を劣化させる２次再結晶不良の発生を安定して防止できる、方向性電磁鋼板の製造工程での１次再結晶粒径制御方法を提案することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
発明者らは、前記従来技術に鋭意検討を加えたところ、同一の製造プロセスにおいてもインヒビター成分のうちの特定の成分に関しては、その含有量の変動に応じて、最適となる１次再結晶粒径が変化することを知見し、この発明を完成した。
【０００７】
すなわち、従来の知見ではたとえば特開平６−145803号公報（磁気特性の優れた一方向性電磁鋼板の安定製造方法）にも示されるように「１次再結晶粒径は、製品の磁束密度と極めて強い相関がある」ため、従来技術においては脱炭焼鈍板の１次再結晶粒径を全体の製造プロセス毎に定まる粒径に一致させることを狙っていたのであるが、発明者らはAlN をインヒビターとして利用する方向性けい素鋼板において、含有成分量の変動のうちAl成分については２次再結晶挙動に大きく影響を与えるものの粒径には影響をほとんど与えないため、粒径のみをフィードバックする方法によってはその変動に対処できないこと、ならびにAl含有量の変動を検出して目標とする粒径に積極的に変化させることにより、２次再結晶不良を極限まで減らし、良好な磁気特性が安定して得られることなどを知見し、この発明を完成したものである。
すなわち、この発明の要旨とするところは以下の通りである。
【０００８】
１．Si：1.5〜4.5 wt％、Al：0.005〜0.06 wt％およびＮ：0.001〜0.015 wt％を含有するけい素鋼スラブを素材として、方向性電磁鋼板を製造するにあたり、その製造工程にて１次再結晶粒径制御を行う際、
Al含有量の変動に対応する１次再結晶粒の最適粒径の変動についての関係を求め、１次再結晶粒径制御の目標粒径を、上記けい素鋼スラブのAl含有量に応じて上記関係から定まる最適粒径とすることを特徴とする方向性電磁鋼板の１次再結晶粒径制御方法（第１発明）。
【０００９】
２．最適粒径ｄ（μm)を、Al含有量を（％Al) として表わす下記式(1) の関係で定めることを特徴とする第１発明の方向性電磁鋼板の１次再結晶粒径制御方法（第２発明）。
〔記〕
１／ｄ＝ａ〔log(％Al) 〕＋ｂ ---(1)
ａ，ｂ：定数
【００１１】
３．オンラインでの１次再結晶板の鉄損測定により結晶粒径を検出し、その検出結果を１次再結晶焼鈍条件にフィードバックして１次再結晶粒径を目標粒径に制御することを特徴とする第１または第２発明の方向性電磁鋼板の１次再結晶粒径制御方法（第３発明）。
【００１２】
４．鉄損測定を、磁束密度：0.3 〜1.2T、周波数：10〜60Hzの範囲で行うことを特徴とする第３発明の方向性電磁鋼板の１次再結晶粒径制御方法（第４発明）。
【００１３】
【発明の実施の形態】
この発明の作用効果について記す。
まず、この発明に到った経緯を従来技術と対比しながら、以下に述べる。
【００１４】
この発明は、前記したように、方向性電磁鋼板における２次再結晶方位を良好な方位（ゴス方位）に揃えるために最適な１次再結晶粒径が、インヒビター成分のうちのAlの含有量の変動によって変化するという新規知見にもとづいたものであり、方向性電磁鋼板の製造工程での１次再結晶粒径制御の目標粒径を、Al含有量の変動に応じて定まる最適粒径にすることを最大の特徴とするものである。
【００１５】
この発明に対し、前掲特開平５−320776号公報に示される技術では、１次再結晶粒径がAlおよびＮ成分が影響することは記されているが、最適粒径が変化すること並びに、最適粒径にAlのみが影響することは示されていない。
すなわち、その明細書にも記されているように「もしインヒビター構成元素が変動すると、インヒビター強度が変動し、これが１次再結晶粒径にも影響し、２次再結晶挙動を適正条件から逸脱させ、磁束密度の低下を招く」というのが従来の知見であった。
【００１６】
ところが今回発明者らの調査によればインヒビター構成成分のうちAlは１次再結晶粒径にはほとんど変化を与えないにもかかわらず、２次再結晶には大きな影響を与えるため、目標とする１次再結晶粒径をフィードバックにより一定粒径に調整しても、２次再結晶に影響するAl含有量の変動には対応できず、したがって、良好な２次再結晶を得るためには、Al含有量の変動によって変化する最適粒径に目標粒径を変化させなければならないことがわかった。
【００１７】
またAl及びＮの効果については、たとえば、特公昭62−53576 号公報（磁気特性の優れた高磁束密度一方向性電磁鋼板の製造方法）に記載されているが、１次再結晶粒径に及ぼす影響についての記載はなく、ましてや上記したような、１次および２次再結晶に及ぼすAlとＮの異なる影響については今回はじめて知見したものである。
【００１８】
以上をまとめると以下のように整理される。
従来の知見では、１次再結晶粒径はある目標の粒径に制御することが重要であるとしていた。この目標粒径は製品板厚や、仕上げ焼鈍条件などの異なるプロセスに対しては当然異なるものの、同一プロセスでの特に成分の変動があるにもかかわらず変化させることなく、これを一定に制御することに主眼が置かれていた。
すなわち、一定粒径に制御することにより、熱間圧延や途中焼鈍条件のばらつきに加え、Alを含めた成分変動にも対応して、その影響を吸収できると考えられていた。
【００１９】
しかし、今回発明者らの調査によれば、Ｎ含有量や他のインヒビター成分の変動には上記方法で対応できるのに対し、Al含有量の変動に対しては積極的に目標粒径を変化させなければならないことがわかったのである。
【００２０】
この理由は必ずしも明らかでないが以下のように考えられる。すなわちＮ含有量の変動が２次再結晶に及ぼす影響はAlN を主とする析出物の総量の変化にあらわれて１次再結晶粒径を介して間接的に影響するのに対し、Al含有量の変動はむしろ２次再結晶焼鈍過程でのAlN の分解に大きく影響するため１次再結晶粒径の変化としては検出できない。そこでこれを補償するために目標とする１次再結晶粒径を変化させることによって調整しなければならないものと思われる。
【００２１】
つぎにこの発明に到った一連の実験例について説明する。
なお、ここで述べる1 次再結晶粒径は、１次再結晶焼鈍板の圧延方向に垂直な断面の組織観察を行って、一粒当たりの平均断面積から円相当直径を求めたものである。また成分は特に断りのない限り熱延板での分析値を用いている。
【００２２】
実験１
Ｃ：0.055 wt％、Si：3.0 wt％、Mn：0.06wt％、Se：0.02wt％、Al：0.022 wt％、Ｎ：0.008 wt％、Sb：0.05wt％を含むけい素鋼を基本成分として溶製し、実験室規模で、2.3mm の熱延板とし、熱延板焼鈍後１回の中間焼鈍をはさむ２回の冷間圧延で0.23mmの冷延板となし、脱炭焼鈍を兼ねた 830〜910 ℃の１次再結晶焼鈍を行いMgO を焼鈍分離剤として1200℃×５時間の２次再結晶焼鈍を行い製品とした。
【００２３】
その際
a)基本成分に対してＮ含有量を0.003 〜0.013 wt％まで変化させ、１次再結晶温度を860 ℃に固定してＮ含有量と１次再結晶粒径とを調査した。
また、上記各成分組成にて、１次再結晶温度を変化させて結晶粒径を変え、製品の磁束密度とＮ含有量ならびに１次再結晶粒径との関係を調査した。
【００２４】
これらの調査結果を図１および図２に示す。
図１はＮ含有量と１次再結晶粒径との関係を示すグラフであり、図２は製品の磁束密度とＮ含有量ならびに１次再結晶粒径との関係を示すグラフである。
なお、図２において磁束密度（Ｂ₈）は1.93T 以上を○印、それ未満を×印として示した。
【００２５】
これらの図より、磁気特性の良好な範囲は１次再結晶粒径11μm 近辺の極めて限られた領域にあり、この最適値はＮ含有量によって影響されないこと、またこの場合には適切な１次再結晶焼鈍条件の選択により１次再結晶粒径を一定に制御することでよいことがわかる。
【００２６】
b)次に基本成分に対してAl含有量を0.014 〜0.030 wt％まで変化させ、１次再結晶温度を860 ℃に固定してAl含有量と１次再結晶粒径とを調査した。
さらにこれらの成分組成にて１次再結晶温度を変化させて結晶粒径を変え、製品の磁束密度とAl含有量ならびに１次再結晶粒径との関係を調査した。
【００２７】
これらの調査結果を図３および図４に示す。図３はAl含有量と１次再結晶粒径との関係を示すグラフであり、図４は製品の磁束密度とAl含有量ならびに１次再結晶粒径との関係を示すグラフである。
なお、図４において磁束密度（Ｂ₈）は1.93T 以上を○印、それ未満を×印として示した。
【００２８】
これらの図から、Al含有量の変動のみに対しては１次再結晶粒径はほとんど変化しない。しかし磁束密度はAl含有量に大きく依存していることが示される。そして、良好な製品の磁気特性を得るためにはAl含有量の変動に応じて焼鈍温度の変更などで１次再結晶粒径を変化させる、すなわちAl含有量の増加に対しては１次再結晶粒径を減少するように積極的に変化させなければならないことがわかる。
【００２９】
実験２
Ｃ：0.05wt％、Si：2.9 wt％、Mn：0.05wt％、Se：0.013 〜0.034 wt％、Ｎ：0.0006wt％を含みAl含有量を変化させたけい素鋼を素材として熱間圧延し、熱延板焼鈍と１回の冷間圧延を施しそれぞれ板厚：0.35mmの冷延板とした。その後脱炭焼鈍、最終仕上焼鈍を行い実験１と同様に、脱炭焼鈍温度を変化させてそれぞれ製品とし、１次再結晶粒径と製品の磁束密度とを求めた。
【００３０】
これらの調査結果を図５に示す。
図５は製品の磁束密度とAl含有量の対数ならびに１次再結晶粒の逆数との関係を示すグラフである。
なお、図５において磁束密度（Ｂ₈）は1.92T 以上を○印、それ未満を×印として示した。
【００３１】
この図５に示すように、磁束密度が1.92T 以上を示す１次再結晶の最適粒径は、１次再結晶粒径の逆数と、Al含有量の対数との間にもっとも良い直線関係が得られた。この結果より最適な１次再結晶粒径ｄ (μm)は、１／ｄ＝ａ〔log(％Al) 〕＋ｂ式であらわすことができる（ａ，ｂは定数）。
【００３２】
つぎに、この発明のけい素鋼素材の成分組成の限定理由ならびに方向性電磁鋼板の製造工程について述べる。
【００３３】
Si：1.5 〜4.5 wt％
Si量は、含有量が4.5 wt％を超すと、冷間圧延時の脆性が極度に増し好ましくない。また1.5 wt％未満ではα−γ変態が生じ、高度の方位集積が困難となり好ましくない。したがって、その含有量は1.5wt ％以上、4.5wt ％以下とする。
【００３４】
Al：0.005 〜0.06wt％
Alは、含有量が0.06wt％を超すと、工業的に有利な温度、時間範囲内で２次再結晶を生じさせることが困難となり好ましくない。また0.005 wt％未満では２次再結晶が不安定となり好ましくない。したがって、その含有量は0.005 wt％以上、0.06wt％以下とする。
【００３５】
Ｎ：0.001 〜0.015 wt％
Ｎは、含有量が0.015 wt％を超えるとふくれの発生が増し、製品外観に悪影響を与え好ましくない。また0.001 wt％未満では２次再結晶の発現が不安定になり好ましくない。したがって、その含有量は0.001wt ％以上、0.015wt ％以下とする。
【００３６】
また、その他の成分組成としては、従来公知のＣ：0.005 〜0.15wt％およびMn：0.002 〜0.15wt％を含み、インヒビターとしては公知の成分として、SeのほかＳ，Sb, Sn, Bi, Teなどを適宜添加することもよい。
【００３７】
このような成分組成になるけい素鋼スラブを素材として用いる方向性電磁鋼板の製造は、従来より公知のたとえば転炉、電気炉などで溶製した溶鋼を、連続鋳造または造塊−分塊法によってスラブとなし、通常は均一化焼鈍処理を施してから熱間圧延し、場合によっては熱延板焼鈍を施したのち、１回または中間焼鈍を挟む２回以上の冷間圧延を行って最終製品板厚とする。ここで上記均一化焼鈍および中間焼鈍条件は、圧延後の結晶組織を均質化する再結晶処理を主目的として、通常は800 〜1200℃の温度範囲で30秒〜10分間の範囲の保持時間で行うことがよい。
【００３８】
その後、湿水素中で700 〜900 ℃の温度域で１〜15分間の範囲の１次再結晶焼鈍を施して脱炭とSiO₂を主体とするサブスケールの形成とを兼ねるとともに、その後の仕上焼鈍時に良好な磁気特性が得られるゴス方位の２次再結晶粒を発達させるために有利な１次再結晶組織を形成させる。
【００３９】
しかるのち、鋼板表面に焼鈍分離剤を塗布してから、800 〜1000℃の温度範囲で１〜50時間の２次再結晶焼鈍についで1100〜1250℃の温度範囲で５〜25時間程度の純化焼鈍を行ういわゆる仕上焼鈍を施し、方向性電磁鋼板とする。
【００４０】
このような一連の工程において、この発明においては前にも述べたように、２次再結晶方位をゴス方位に揃えるために、１次再結晶粒径をAl含有量によって定まる最適粒径に制御することを必須とする。
【００４１】
なお、１次再結晶の最適粒径を定めるAl含有量の検出方法は特に定めないが、熱延板から脱炭焼鈍直前までの板を抜き取り採取して分析を行うことが分析精度上好ましいが、１次再結晶焼鈍中にオンライン計測することの方がより好ましい。
【００４２】
そして、１次再結晶粒径の検出方法としては、直接鋼板の組織から求めても良いが、フィードバック、フィードフォワードの迅速性から鉄損測定、Ｘ線測定などのオンライン計測を行うことが好ましく、オンライン計測は磁束密度0.3 〜1.2T、周波数10〜60Hzの交流鉄損測定によることが望ましい。磁束密度が0.3T未満では外乱を受け、また、1.2T超えでは集合組織変化の影響を受けて粒径の検出精度が低下するので好ましくない。また、周波数10Hz未満では外乱の影響を受け、60Hz超えでは渦電流損失の変化の影響を受けて粒径の検出精度が低下するので好ましくない。
【００４３】
この最適粒径は前記実験例で述べたように、Al含有量に応じて変動しSe：0.010〜0.035 wt％の場合では、0.4155×〔log(％Al) 〕＋ 0.32 ＜１／ｄ＜0.4155×〔log(％Al) 〕＋0.34 関係で制御することで、より大きなAl含有量の変動に対しても安定的に良好な２次再結晶を得ることができる
【００４４】
また、この発明は工程途中で窒素を加えるプロセスに対しても有効であり、１次再結晶粒径の制御方法は、１次再結晶焼鈍条件として温度や時間調整のほか、熱延板焼鈍温度、中間焼鈍温度および鋼板の窒素量のコントロールなど任意の公知の手段が用いられる。
なお、他の成分の変動に関しても、目標粒径の変動の必要性が考えられるが発明者らの調査した限り、Al以外でこのような効果を及ぼす成分は見られなかった。例えばSi, Mnの増加に伴い１次再結晶粒径がわずかに増大するが、通常の成分変動範囲ではAlのように甚大な影響は及ぼさない。
【００４５】
【実施例】
Ｃ：0.055 wt％、Si：3.0 wt％、Mn：0.06wt％、Se：0.02wt％、Al：0.022 wt％、Ｎ：0.008 wt％、Sb：0.05％を目標成分とする方向性けい素鋼を、転炉で溶製し、成分調製後220mm 厚スラブに連続鋳造し、粗圧延及び熱間仕上げ圧延により2.3mm の熱延板とした。その後、熱延板焼鈍と中間焼鈍をはさむ２回の冷間圧延にて0.23mmまで圧延し、脱炭焼鈍を兼ねる１次再結晶連続焼鈍を行い、その焼鈍条件により、この発明に適合する１次再結晶粒径に制御したもの（適合例）とこの発明に不適合の１次再結晶粒径のもの（比較例）とについて、それぞれ鋼板表面に焼鈍分離剤を塗布してから950 ℃の温度で２時間の２次再結晶焼鈍につづいて1180℃の温度で６時間の純化焼鈍を行い方向性電磁鋼板を製造した。
【００４６】
上記において、適合例の１次再結晶粒径制御は、１次再結晶粒径をＷ_10/50の連続鉄損計（磁束密度：1.0T，周波数：50Hz）により間接的に検出し、一方、Al含有量は１次再結晶焼鈍前に湿式分析法により各コイル毎に測定し、さらに図６の良好な磁気特性を示すAl含有量と１次再結晶粒径との関係のグラフ（１／ｄ＝0.1455×〔log ( ％Al) ＋0.3303の関係）からAl含有量に応じて１次再結晶連続焼鈍炉（炉温：880 ℃）での通板速度を調整して前記(1) 式を満たす粒径とした。
かくして得られた各方向性電磁鋼板について磁束密度（Ｂ₈)を測定した。
【００４７】
Al含有量、１次再結晶粒径および磁束密度を表１にまとめて示す。
【表１】

表１から明らかなように、この発明にしたがって１次再結晶粒径制御を行った適合例は安定して良好な磁性が得られている。
【００４８】
【発明の効果】
この発明は、けい素鋼スラブを素材として、方向性電磁鋼板を製造するにあたり、１次再結晶粒径制御を行う際、１次再結晶粒径制御の目標粒径を、Ａｌ含有量の変動に応じて定まる最適粒径とするものであり、
この発明によれば、安定して良好な磁気特性を有する方向性電磁鋼板が製造でき、その製品歩留りを著しく向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ｎ含有量と１次再結晶粒径との関係を示すグラフである。
【図２】製品の磁束密度とＮ含有量ならびに１次再結晶粒径との関係を示すグラフである。
【図３】 Al含有量と１次再結晶粒径との関係を示すグラフである。
【図４】製品の磁束密度とAl含有量ならびに１次再結晶粒径との関係を示すグラフである。
【図５】製品の磁束密度とAl含有量の対数ならびに１次再結晶粒径の逆数との関係を示すグラフである。
【図６】良好な磁気特性を示すAl含有量と１次再結晶粒径との関係のグラフである。

Claims

Si：1.5〜4.5 wt％、Al：0.005〜0.06 wt％およびＮ：0.001〜0.015 wt％を含有するけい素鋼スラブを素材として、方向性電磁鋼板を製造するにあたり、その製造工程にて１次再結晶粒径制御を行う際、
Al含有量の変動に対応する１次再結晶粒の最適粒径の変動についての関係を求め、１次再結晶粒径制御の目標粒径を、上記けい素鋼スラブのAl含有量に応じて上記関係から定まる最適粒径とすることを特徴とする方向性電磁鋼板の１次再結晶粒径制御方法。
最適粒径ｄ（μm)を、Al含有量を（％Al) として表わす下記式(1) の関係で定めることを特徴とする請求項１に記載の方向性電磁鋼板の１次再結晶粒径制御方法。
〔記〕
１／ｄ＝ａ〔log(％Al) 〕＋ｂ ---(1)
ａ，ｂ：定数
オンラインでの１次再結晶板の鉄損測定により結晶粒径を検出し、その検出結果を１次再結晶焼鈍条件にフィードバックして１次再結晶粒径を目標粒径に制御することを特徴とする請求項１または２に記載の方向性電磁鋼板の１次再結晶粒径制御方法。
鉄損測定を、磁束密度：0.3〜1.2Ｔ、周波数：10〜60Hzの範囲で行うことを特徴とする請求項３に記載の方向性電磁鋼板の１次再結晶粒径制御方法。