JP4008004B2

JP4008004B2 - 導波管接続部

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Publication number: JP4008004B2
Application number: JP2005349854A
Authority: JP
Inventors: 努田牧
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2000-10-06
Filing date: 2005-12-02
Publication date: 2007-11-14
Anticipated expiration: 2021-07-19
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Description

本発明は、マイクロ波、ミリ波帯等の高周波帯で使用する、誘電体基板に設けた導波管端子の接続部に関するものである。

図２１は、従来の導波管接続部にて、誘電体基板に設けた導波管端子を接続する際の構成を分解斜視図に示したものである。また、図２２は、従来の導波管接続部にて導波管端子を接続した場合の側面図である。図において、１ａ及び１ｂは誘電体基板、２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ及び２ｅは導波管端子、３ａ及び３ｂはキャリア、４は導波管アダプタ、５は導波管アダプタに設けたネジ穴、６はネジである。

次に、従来の導波管接続部について説明する。図２１及び図２２において、導波管端子２ａ及び２ｅを設けた誘電体基板１ａ及び１ｂは、それぞれ導波管端子２ｂ及び２ｄを設けたキャリア３ａ及び３ｂに接着、ハンダ付け或いはロー付け等により、接合される。接合された２つの誘電体基板及びキャリヤは、導波管端子２ｃを設けた導波管アダプタ４に、導波管端子２ｂ、２ｃ及び２ｄの位置が合致するように位置合わせされて、ネジ穴５、ネジ６にてネジ止めされる。このように、従来、導波管端子を設けた誘電体基板同士を接続する際は、キャリア及び導波管アダプタ等を介して、ネジ止めで行なっていた。

例えば、誘電体基板１ａ，１ｂ上には、導波管を伝達される高周波の電波と導体を伝達される電気信号とを相互に変換する送受信回路が設けられる。送信回路は、誘電体基板に外部から入力される信号に応じて高周波信号を発生し、導波管端子２ａ，２ｅからキャリア３ａ，３ｂ側へ送出する。一方、受信回路は、キャリア３ａ，３ｂ側から導波管端子２ａ，２ｂに入力された高周波信号を電気信号に変換し、例えば、外部へ出力する。

上記のように、従来の導波管接続部は、高価なキャリア及び導波管アダプタを使用し、手作業にてネジ止めするため、接続部の低価格化及び工作性の劣化などの課題があった。また、誘電体基板、キャリア及び導波管アダプタ相互間で熱による線膨張係数は一般に異なり、誘電体基板をキャリアや導波管アダプタに接着固定した場合、接着面の剥離や部材の破断が生じるおそれがあった。また誘電体基板上の回路への電気信号の入出力を行うための配線は、誘電体基板の上面にボンディング等で線材を接続することにより行うので、この点でも工作上の作業が面倒であるという問題があった。

この発明はかかる課題を解決するためになされたものであり、高周波回路が形成された誘電体基板の導波管端子の接続作業等が簡易化され、また、低価格化が図られる導波管接続部を提供することを目的とする。

本発明に係る導波管接続部は、樹脂基板とセラミック基板を間隙を有して互いに対向配置して、前記各基板にそれぞれ構成した導波管端子を相互に接続する導波管接続部であって、前記各基板は、各々の前記導波管端子を取り囲む配置かつ前記両導波管端子の接続状態にて互いに対向する位置に、前記導波管端子の接地導体と電気的に導通するコンタクト領域をそれぞれ有し、前記両基板は、互いに対向する前記コンタクト領域間に前記導波管端子を取り囲んで矩形状に配列される、複数の導電性接合部材により互いに接合され、前記セラミック基板の導波管端子は、前記矩形状に配列された導電性接合部材の配列の内側で前記樹脂基板の導波管端子に対向して、矩形状に配列されたスルーホールで構成されるとともに、当該セラミック基板に設けられた高周波回路に接続され、前記樹脂基板は、前記セラミック基板との対向面と反対側の面で、矩形状の穴を設けた導波管端子を有する金属材に密着して接合され、前記樹脂基板の導波管端子は、前記導電性接合部材に取り囲まれた矩形状の穴を設けて構成されるとともに、前記金属材の導波管端子に接続されたものである。

また、前記複数の導電性接合部材は、球状、樽状或いは円筒状の形状を有するハンダであって、前記２つの誘電体基板は、ハンダ付けにより互いに接合されるものである。

また、前記複数の導電性接合部材は、球状、樽状或いは円筒状の形状を有する金属物又は金属含有物であって、前記２つの誘電体基板は、前記金属物又は金属含有物の熱圧着によって接合されるものである。

また、前記樹脂基板は、ガラスエポキシ基板で構成されるものである。

また、前記樹脂基板は、前記金属材に接着もしくはねじ止めによって接合されるものである。このように構成することで、樹脂基板を金属平板に確実に接着することができる。

また、本発明に係る導波管接続部は、樹脂基板とセラミック基板を互いに対向配置して、前記各基板にそれぞれ構成した導波管端子を相互に接続する導波管接続部であって、前記各基板は、各々の前記導波管端子を取り囲む配置かつ前記両導波管端子の接続状態にて互いに対向する位置に、前記導波管端子の接地導体と電気的に導通するコンタクト領域をそれぞれ有し、前記両基板は、互いに対向する前記コンタクト領域間に前記導波管端子を取り囲んで矩形状に配列される、複数の導電性接合部材により互いに接合され、前記セラミック基板の導波管端子は、前記矩形状に配列された導電性接合部材の配列の内側で前記樹脂基板の導波管端子に対向して、矩形状に配列されたスルーホールで構成されるとともに、当該セラミック基板に設けられた高周波回路に接続され、前記樹脂基板は、前記セラミック基板との対向面と反対側の面で、矩形状の穴を設けた導波管端子を有する金属材に接合され、前記樹脂基板の導波管端子は、前記導電性接合部材に取り囲まれた矩形状の穴を設けて構成されるとともに、前記金属材の導波管端子に接続され、前記複数の導電性接合部材は、前記セラミック基板の導波管端子の周囲に環状に複列配置されたものである。このように、導電性接合部材を複列設けることによって、導電性接合部材とセラミック基板との接合についての信頼性を向上させることができる。

本発明によれば、第１の誘電体基板に設けた第１の導波管端子の周囲で、かつその第１の導波管端子の接地導体と電気的に導通のある箇所に導電性接合部材を配置し、第１の導波管端子の接続相手である第２の導波管端子の周囲で、かつ第２の導波管端子の接地導体と電気的に導通のある箇所にその導電性接合部材が配置されるように第２の誘電体基板を配置し、両誘電体基板を接合することにより、従来、手作業にてネジ止めしていた、導波管端子の接続作業を簡易化できる。また、導波管アダプタ及びキャリア等の高価な部品を使用する必要がないため、低価格化も可能となる。

本発明によれば、両誘電体基板は、それぞれの導波管端子の接地導体間に球状、樽状或いは円筒状の導電性接合部材を挟んで接続し、導波管端子の周囲に複数配置されることにより、導波管接続部での高周波の通過特性を損なうことなく、誘電体基板の熱膨張率の違い等を吸収し、一方の熱膨張等による変形によって他方に応力が発生しにくくなり、他方側の誘電体基板のひび割れ等が防止される。

また、本発明によれば、導波管端子の短辺と平行し導波管端子を挟んで配置した２つの第１の導電性接合部材列の間の距離Ｌ１、導波管端子の長辺と平行し導波管端子を挟んで配置した２つの第２の導電性接合部材列における導波管端子端から第２の導電性接合部材列端までの距離Ｌ２、導波管端子を通過する信号の波長λの関係が、λ×（０.７〜１.３）＝２／(１／Ｌ１²＋１／Ｌ２²)^1/2となるようにＬ１及びＬ２を設定することにより、導波管接続部における損失を最小とすることができる。

また、導波管端子の短辺に平行な矩形周の向かい合う２辺上に配列される第１の導電性接合部材列と導波管端子端との距離と、導波管端子の長辺と平行な矩形周の向かい合う２辺上にそれぞれ配列される第２の導電性接合部材列と導波管端子端との距離をそれぞれ０．５ｍｍ以下とすることによっても、導波管接続部における損失を最小とすることができる。

また、本発明によれば、接地導体面のうち導電性接合部材を配置する複数のコンタクト領域は露出するように、誘電体基板の接地導体面上に接合部材レジスト膜を設けることにより、導電性接合部材の配置位置の精度を向上することができ、特に隣接する導電性接合部材の間隔の精度が確保され、導波管接続部における損失が低減される。

また、本発明によれば、誘電体基板はその表面において導波管端子の接地導体に導通する接地導電面から分離した位置に、導電性接合部材を配置する複数のパッドを配置され、このパッドが多層構成の誘電体基板の内層及びスルーホールによって導波管端子の接地導体に電気的に導通されることにより、導電性接合部材の配置精度が向上し、またそれに伴い導波管接続部における損失が低減する。

また、本発明によれば、誘電体基板はその表面において導波管端子の接地導体に導通する接地導電面から分離した位置に、導電性接合部材を配置する複数のパッドを配置され、さらにこのパッドと接地導電面とを接続する接続線路を備えることにより、導電性接合部材の配置精度が向上し、またそれに伴い導波管接続部における損失が低減する。

また、１つのコンタクト領域に複数の導電性接合部材を配置させる誘電体基板を使用した本発明の構成によっても、同様の効果が得られる。

また、本発明によれば、矩形状の導波管端子の周囲で、この導波管端子の各辺に平行に複数列、導電性接合部材を配置する誘電体基板を使用したことにより、隣接する導波管端子との結合度を小さく抑えることができる。

また、本発明によれば、導電性接合部材を矩形状の導波管端子の周囲で、この導波管端子の各辺に平行に複数列配置する際、その平行する導電性接合部材列の隙間が、導波管端子を通過する高周波信号の１／４波長±３０％の範囲となるように配置することにより、隣接する導波管端子との結合度をさらに小さく抑えることができる。

また、本発明によれば、誘電体基板内に複数の導波管端子を設け、それぞれの導波管端子の周囲に配置される導電性接合部材を導波管端子同士の間においては共通化したことにより、小スペースに複数の導波管端子２を配置することができる。

実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１を示す導波管接続部の分解斜視図である。図において、１ａ及び１ｂは誘電体基板、２ａ及び２ｂは誘電体基板内に設けた導波管端子、７は導電性接合部材であるハンダ、８ａ及び８ｂは導波管端子の接地導体に導通され基板表面に配置されたＧＮＤ面（接地導電面）である。

次に、導波管端子の接続部について説明する。図において、誘電体基板１ａ及び１ｂは、それぞれ内部に導波管端子２ａ及び２ｂを有し、また、基板表面に、導波管端子２ａ及び２ｂの接地導体に電気的に導通されたＧＮＤ面８ａ及び８ｂを配置している。この２つの誘電体基板１ａ及び１ｂは、ＧＮＤ面８ａ及び８ｂを対向させるように配置される。そして、そのＧＮＤ面８ａ及び８ｂで挟み、ＧＮＤ面８ａ及び８ｂと接する位置で、かつ導波管端子２ａ及び２ｂの周囲を囲むように、ハンダ７を配置し、２つの誘電体基板１ａ及び１ｂがハンダ付けされ、導波管端子が接続される。

また、図１に示す誘電体基板１ａ及び１ｂを多層誘電体基板で構成した場合でも、同様に構成することができる。

このように誘電体基板に設けた導波管端子をハンダ付けによって接続することにより、従来、手作業にてネジ止めしていた、導波管端子の接続作業を簡易化できる。また、導波管アダプタ及びキャリア等の高価な部品を使用する必要がないため、低価格化も可能となる。

実施の形態２．
図２は、この発明の実施の形態２を示す導波管接続部の分解斜視図である。また、図３は、矩形状の穴を設けた誘電体基板を使用した場合の縦断面図及び誘電体基板の上視図である。また、図４は、スルーホールを矩形状に配置して導波管端子を構成した誘電体基板を使用した場合の縦断面図及び誘電体基板の上視図である。図において、１ａ、１ｂ、２ａ、２ｂ、８ａ及び８ｂは実施の形態１と同様であり、７は球状、樽状或いは円筒状のハンダ、９ａ及び９ｂはスルーホールである。

次に、導波管端子の接続部について説明する。図において、誘電体基板１ａ及び１ｂ、導波管端子２ａ及び２ｂ、ＧＮＤ面８ａ及び８ｂは実施の形態１と同様に配置され、同様の機能を有する。なお、ＧＮＤ面８ａは、誘電体基板１ａにおける誘電体基板１ｂ側の面に配置されており、図２では省略している。そして、ＧＮＤ面８ａ及び８ｂで挟み、ＧＮＤ面８ａ及び８ｂと接する位置で、かつ導波管端子２ａ及び２ｂの周囲を囲むように、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を複数配置している。なお、この球状、樽状或いは円筒状のハンダ７は、隣接するハンダ７との隙間が、導波管端子２ａ及び２ｂを通過する高周波信号の１／４波長以下となるように、列状に配置している。このように２つの誘電体基板１ａ及び１ｂと球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を配置し、ハンダ付けされることにより、誘電体基板１ａ及び１ｂに設けた導波管端子２ａ及び２ｂが接続される。

図３は、図２にて説明した導波管接続部における縦断面図及び誘電体基板１ａ及び１ｂの上視図である。図３において、誘電体基板１ａ及び１ｂは、その内部に導波管端子２ａ及び２ｂを設けており、その導波管端子２ａ及び２ｂの接地導体に導通されたＧＮＤ面８ａ及び８ｂを、基板表面に配置している。この誘電体基板１ａ及び１ｂのＧＮＤ面８ａ及び８ｂ上で、かつ導波管端子２ａ及び２ｂの周囲に、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を複数、列状に配置する。このとき、隣接する球状、樽状或いは円筒状のハンダ７の隙間は、上記の通り、導波管端子２ａ及び２ｂを通過する高周波信号の１／４波長以下である。

また、図４に示す誘電体基板１ａ及び１ｂのように、スルーホール９ａ及び９ｂを矩形状に配置して導波管端子２ａ及び２ｂを構成し、そのスルーホール９ａ及び９ｂと導通されたＧＮＤ面８ａ及び８ｂを配置した場合でも、図２と同様に構成することが可能である。

また、図３及び図４に示す誘電体基板１ａ及び１ｂを多層誘電体基板とした場合でも、図２と同様に構成することができる。

図５は、本発明に係る導波管接続部を用いた高周波装置の縦断面を示す模式図である。図に示す装置は、誘電体基板１ａ，１ｂを含む上記実施形態の導波管接続部を有した構造物が筐体２０内側に取り付けられたものであり、誘電体基板１ａ上面にミリ波帯域で動作する高周波回路が搭載される。誘電体基板１ａの導波管端子２ａのＧＮＤ面８ａと誘電体基板１ｂの導波管端子２ｂのＧＮＤ面８ｂとがハンダ７ａで接続される。ハンダ７ａは、上述のように導波管端子２ａ，２ｂを取り囲んで配置される。筐体２０は金属で構成され、筐体２０には導波管端子２ｂに対向配置される導波管端子２ｃが設けられる。誘電体基板１ｂと筐体２０とは接着又はネジ止めにより固定される。このように積層された誘電体基板１ａ，１ｂ及び筐体２０それぞれの導波管端子２ａ，２ｂ，２ｃを介して、誘電体基板１ａ上の高周波回路と筐体２０外部との間での高周波の入出力が行われる。

また、誘電体基板１ａ上の高周波回路と外部回路との間では、導体を介した電気信号が伝達され得る。この電気信号の伝達は、誘電体基板１ａに設けられたスルーホールを介して誘電体基板１ａの裏面に取り出された電極２２ａ、誘電体基板１ｂ表面に配置された電極２２ｂ、及びこれら電極２２ａ，２２ｂを接続するハンダ７ｂを介して行うことができる。すなわち、誘電体基板１ａ上面へボンディングなどにより線材を接続する作業が不要となり、誘電体基板１ａと誘電体基板１ｂとを重ねて導波管接続を構成する工程において、同時に誘電体基板１ａ上の高周波回路へつながる電気端子を誘電体基板１ｂ上に取り出すことができる。

さて、誘電体基板１ａに搭載される高周波回路は特性劣化防止のため気密封止される。ここで、一般的に使われるガラスエポキシ基板は水分吸着を生じるため気密封止に適さない。そこで、誘電体基板１ａはそのような問題を生じず気密封止に適したセラミック系基板を用いて構成される。一方、筐体２０は上述のように金属であり、一般に誘電体基板１ａと筐体２０との熱膨張率は異なる。誘電体基板１ａを構成するセラミック系材料は一般に割れやすく、筐体２０と誘電体基板１ａとの熱膨張率の差が大きいと、誘電体基板１ａのひび割れなどの破壊が生じるおそれがあり好ましくない。

そこで、本装置では、筐体２０を構成する金属材に、誘電体基板１ａを構成するセラミック材料との熱膨張係数の差異が小さいものを選択する配慮をすると同時に、それらの間に位置する誘電体基板１ｂの熱膨張係数が、誘電体基板１ａ及び筐体２０それぞれの熱膨張係数の中間の値となるように、誘電体基板１ｂの材料を選択する。すなわち、誘電体基板１ａ、誘電体基板１ｂ、筐体２０の順に熱膨張係数の大きさが変化するように各材料が選択される。例えば、通常は、金属で構成された筐体２０の方が誘電体基板１ｂより熱膨張が大きい。この場合に、筐体２０の一方面に誘電体基板１ｂを取り付けると、その面側において筐体２０の熱膨張は低減され、誘電体基板１ａに対する筐体２０の熱膨張の影響が緩和される。さらに、誘電体基板１ａと誘電体基板１ｂとがハンダ７ａ，７ｂで点接触で接続され、またハンダ７ａ，７ｂ自身、及びそれらハンダと各誘電体基板とのハンダ付け接続は比較的に弾性を有するので、この部分において、誘電体基板１ａ及び誘電体基板１ｂの熱膨張による変形の差異が吸収され、誘電体基板１ａ内部の応力が緩和される。

一例として、誘電体基板１ａをセラミック系材料、筐体２０をアルミニウム（Ａｌ）とした場合には、誘電体基板１ｂはガラスエポキシ基板で構成することができる。

なお、本装置のように導波管端子での気密封止を行うためには、図３に示すように導波管端子２ａが大きな開口を有する構造よりも、図４に示すように導波管端子２ａが矩形状に配列されたスルーホール９ａで構成される構造の方が好適である。図４に示す構造では、スルーホール９ａで囲まれた内側は誘電体基板が存在し、またスルーホール９ａは金属で充填して塞ぐことが容易である。このように導波管端子２ａを塞ぐことにより、導波管端子２ａは物質の流通を阻害しつつ、高周波を透過することができる。

実施の形態３．
図６は、この発明の実施の形態３を示す導波管接続部における誘電体基板の上視図であり、図において、１〜９は実施の形態２と同様であり、７１は球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を導波管端子２の短辺と平行にかつ列状に配置した第１のハンダ列、７２は球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を導波管端子２の長辺と平行にかつ列状に配置した第２のハンダ列である。

また、図７は、導波管接続部の損失を示すグラフであり、導波管端子２を挟んで配置した２つの第１のハンダ列７１間の距離をＬ１、導波管端子２を挟んで配置した２つの第２のハンダ列７２における導波管端子２端から第２のハンダ列７２端までの距離をＬ２としたときに、Ｌ１を固定し、Ｌ２を変化させた場合の伝達効率の特性を示している。

図６(ａ)において、誘電体基板１は、その内部に導波管端子２を設けており、その導波管端子２の接地導体に導通されたＧＮＤ面８を、基板表面に配置している。この誘電体基板１のＧＮＤ面８上で、かつ導波管端子２の周囲に、複数の球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を列状に配置する。このとき、隣接する球状、樽状或いは円筒状のハンダ７の隙間は、導波管端子２を通過する高周波信号の１／４波長以下である。また、導波管端子２を挟んで配置した２つの第１のハンダ列７１間の距離をＬ１、導波管端子２を挟んで配置した２つの第２のハンダ列７２における導波管端子２端から第２のハンダ列７２端までの距離をＬ２としたときに、導波管端子２を通過する高周波信号の波長λとＬ１及びＬ２の関係が、λ×（０.７〜１.３）＝２／(１／Ｌ１²＋１／Ｌ２²)^1/2となるようにＬ１及びＬ２を設定している。

次に、導波管接続部における通過特性を説明する。図７のように、距離Ｌ１を固定した状態で距離Ｌ２を変化させた場合、導波管接続部における損失が大きく変化し、図における最適Ｌ２の場合に、損失が最も小さくなる。この図における最適Ｌ２は、上記のλ×（０.７〜１.３）＝２／(１／Ｌ１²＋１／Ｌ２²)^1/2で導出することができる。

このようにＬ１及びＬ２を設定することにより、導波管接続部における損失を最小（通過量を最大）としつつ、実施の形態１と同様に、導波管端子の接続作業を簡易化、低価格化を実現できる。

これは、図６(ｂ)のように、誘電体基板１に、スルーホール９を矩形状に配置して導波管端子２を構成し、そのスルーホール９と導通されたＧＮＤ面８を配置した場合でも、同様の効果を得ることができる。

また、図６に示す誘電体基板１を多層誘電体基板で構成した場合でも、同様の効果を得ることができる。

また、上記説明では、ハンダ７の形状を球状、樽状或いは円筒状としたが、板状等、他の形状でも同様の効果が得られる。

さて、図７から理解されるように、導波管接続部における損失は、上述の最適なＬ２において極小となると共に、Ｌ２＝０においても極小となる。すなわち、このＬ２＝０の場合に対応して、第１のハンダ列７１及び第２のハンダ列７２を導波管端子２の縁に近接配置（例えばＬ２＝０．２〜０．５ｍｍ）することにより、導波管接続部での損失の最小化を図ることができる。このように、ハンダ列を導波管端子２の縁に近づけて配置することにより、ハンダ列で囲まれた導波管接続部が誘電体基板１ａ，１ｂを占有する面積が小さくなる。これにより、誘電体基板１ａ，１ｂのサイズを小さくすることが可能となり、コスト低減が図られる。特に、セラミック系材料は比較的高価であり、このセラミック系材料を用いて誘電体基板１ａ又は１ｂを構成する場合にはこのコスト低減の効果が大きい。また、誘電体基板１ａ，１ｂからなる導波管接続部を実際の装置に用いた場合、誘電体基板にはそれが取り付けられる筐体等との熱膨張の差異により応力が発生しうる。ここで、誘電体基板の厚さを一定とすれば、誘電体基板の強度は面積が小さい方が大きい。よって、上述のハンダ列の配置によって誘電体基板の面積を小さくすることにより、熱膨張などに抗してセラミック基板に亀裂が発生することを防止することが可能になり、装置の信頼性が向上する。

実施の形態４．
図８は、この発明の実施の形態４を示す導波管接続部における誘電体基板の上視図及び縦断面図であり、図において、１〜９は実施の形態３と同様であり、１０は接合部材レジスト膜であるソルダレジスト、１１はＧＮＤ面８の一部を成し、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を配置するパッド、１２は多層誘電体基板の内層に配置されるＧＮＤパターンである。

図８において、(ａ)は誘電体基板１の上視図、(ｂ)は誘電体基板１を単層で構成した場合の縦断面図、(ｃ)は誘電体基板１を多層で構成した場合の縦断面図を示す。図８(ａ)及び(ｂ)において、誘電体基板１は、その内部に導波管端子２を設けており、その導波管端子２の接地導体に導通されたＧＮＤ面８を、基板表面に配置している。そして、このＧＮＤ面８上において球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を配置するためのパッド１１部分を除いた部分にソルダレジスト１０を設け、ＧＮＤ面８の一部に、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を配置するパッド１１を形成している。

また、図８(ｃ)は、図８(ａ)における誘電体基板１を多層にしており、誘電体基板１の内層に配置されたＧＮＤパターン１２と、スルーホール９とを介して、導波管端子２の接地導体にＧＮＤ面８が接続されている。ソルダレジスト１０の配置、及び球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を配置するパッド１１の形成については、図８(ａ)と同様である。

このように、ソルダレジスト１０によって球状、樽状或いは円筒状のハンダ７のパッド１１を設けることにより、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７の配置箇所を精度良く設定しつつ、実施の形態２と同様に、導波管端子の接続作業を簡易化、低価格化を実現できる。また、実施の形態３のように、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７の配置する位置（Ｌ１及びＬ２。図中では省略している。）を導出し設定することにより、導波管接続部の損失を最小とすることが可能である。

これは、誘電体基板１に、スルーホールを矩形状に配置して導波管端子を構成し、そのスルーホールと導通されたＧＮＤ面８を配置した場合でも、同様の効果を得ることができる。

さて、ここで、ハンダ７間の基板表面にソルダレジスト１０が塗布されていなければ、ハンダ７の間隔が小さいと誘電体基板１ａ，１ｂをハンダ７で接続する際の加熱により、隣接するハンダ７が融けて基板表面に広がって互いにつながり合い、さらに一体化することが起こり得る。一体化は基本的に隣接する２つのハンダ７間で起こり、一体化した部分でのハンダ７の間隔は基本的に０となり、反対にその一体化したハンダ対とそれに隣接するハンダ７との間隔は設計値より広がることとなり、ハンダ７の間隔が不均一となる。

これに対して、本実施形態のようにハンダ７の配置位置間にソルダレジスト１０を塗布すれば、隣接するハンダ７の間隔が小さくても、ハンダ７相互が確実に分離され、ハンダ７の間隔を一定値に保つことが容易となる。つまり、より高い周波数に対応した導波管接続部において、ハンダ７の間隔を１／４波長等の設計値とすることが容易となり、高周波信号の損失が低減される。

なお、この場合にも、矩形周上に配置されるハンダ列と導波管端子との位置関係を上記第３の実施形態と同様に定めることにより、導波管接続部での損失を抑制することができる。ちなみに、ハンダ列と導波管端子の縁とを近接配置する場合には、導波管端子の縁とパッド１１との間にソルダレジスト１０が塗布された領域が配置される。その場合には、ハンダ列と導波管端子との距離は０とはできないが、現在のソルダレジストに対するパターニング技術によれば０．５ｍｍ以下とすることができ、これにより好適な通過特性を得ることができる。

実施の形態５．
図９は、この発明の実施の形態５を示す導波管接続部における誘電体基板の上視図及び縦断面図であり、図において、１〜１２は実施の形態４と同様である。

図９において、(ａ)は誘電体基板１の上視図、(ｂ)は誘電体基板１の縦断面図を示す。図において、誘電体基板１は、その内部に導波管端子２を設けており、その導波管端子２の接地導体に導通されたＧＮＤ面８を、基板表面に配置している。そして、誘電体基板１の内層に、導波管端子２の接地導体に接続されたＧＮＤパターン１２が配置され、スルーホール９を介して、誘電体基板１の表面に配置された球状、樽状或いは円筒状のハンダ７のパッド１１に接続される。

このように、多層基板の内層を通して、導波管端子２の接地導体に接続されたパッド１１を得ることにより、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７の配置箇所を精度良く設定しつつ、実施の形態２と同様に、導波管端子の接続作業を簡易化、低価格化を実現できる。また、実施の形態３のように、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７の配置する位置（Ｌ１及びＬ２。図中では省略している。）を導出し設定することにより、導波管接続部の損失を最小とすることが可能である。

これは、誘電体基板１に、スルーホールを矩形状に配置して導波管端子を構成し、そのスルーホールと電気的に導通された内層のＧＮＤパターン１２、スルーホール９、パッド１１を配置した場合でも、同様の効果を得ることができる。

実施の形態６．
図１０は、この発明の実施の形態６を示す導波管接続部における誘電体基板の上視図及び縦断面図であり、図において、１〜１２は実施の形態５と同様であり、１３はＧＮＤ面８とパッド１１を接続する接続線路である。

図１０において、(ａ)は誘電体基板１の上視図、(ｂ)は誘電体基板１を単層で構成した場合の縦断面図、(ｃ)は誘電体基板１を多層で構成した場合の縦断面図を示す。図１０(ａ)及び(ｂ)において、誘電体基板１は、その内部に導波管端子２を設けており、その導波管端子２の接地導体に導通されたＧＮＤ面８を、基板表面に配置している。そして、このＧＮＤ面８と、誘電体基板１の表面に配置された球状、樽状或いは円筒状のハンダ７のパッド１１間を、接続線路１３を介して接続している。また、複数のパッド１１間もこの接続線路１３によって接続している。このとき、この接続線路１３の幅が細いほど、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７をハンダ付けした際に、ＧＮＤ面８への流れ込みを防ぐことができる。

また、図１０(ｃ)は、図１０(ａ)における誘電体基板１を多層にしており、誘電体基板１の内層に配置されたＧＮＤパターン１２と、スルーホール９とを介して、導波管端子２の接地導体にＧＮＤ面８が接続されている。接続線路１３及びパッド１１の配置及び機能については、図１０(ａ)と同様である。

このように、接続線路１３を介して、導波管端子２の接地導体に接続されたパッド１１を得ることにより、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７の配置箇所を精度良く設定しつつ、実施の形態２と同様に、導波管端子の接続作業を簡易化、低価格化を実現できる。また、実施の形態３のように、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７の配置する位置（Ｌ１及びＬ２。図中では省略している。）を導出し設定することにより、導波管接続部の損失を最小とすることが可能である。

これは、誘電体基板１に、スルーホールを矩形状に配置して導波管端子を構成し、そのスルーホールと電気的に導通されたＧＮＤ面８、接続線路１３、パッド１１を配置した場合でも、同様の効果を得ることができる。

実施の形態７．
図１１は、この発明の実施の形態７を示す導波管接続部における誘電体基板の上視図及び縦断面図であり、図において、１〜１２は実施の形態４と同様である。

図１１において、(ａ)は誘電体基板１の上視図、(ｂ)は誘電体基板１を単層で構成した場合の縦断面図、(ｃ)は誘電体基板１を多層で構成した場合の縦断面図を示す。図１１(ａ)及び(ｂ)において、誘電体基板１は、その内部に導波管端子２を設けており、その導波管端子２の接地導体に導通されたＧＮＤ面８を、基板表面に配置している。そして、このＧＮＤ面８上において球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を配置するためのパッド１１部分を除いた部分にソルダレジスト１０を設け、ＧＮＤ面８の一部に、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を配置するパッド１１を形成している。このパッド１１は、パッド１１一個に対し、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を複数個配置できるように、パッド１１の寸法を長方形にしている。

また、図１１(ｃ)は、図１１(ａ)における誘電体基板１を多層にしており、誘電体基板１の内層に配置されたＧＮＤパターン１２と、スルーホール９とを介して、導波管端子２の接地導体にＧＮＤ面８が接続されている。ソルダレジスト１０の配置、及び球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を配置するパッド１１の形成については、図１１(ａ)と同様である。

このように、ソルダレジスト１０によって球状、樽状或いは円筒状のハンダ７のパッド１１を設けることにより、樽状或いは円筒状のハンダ７の配置箇所を精度良く設定しつつ、実施の形態２と同様に、導波管端子の接続作業を簡易化、低価格化を実現できる。また、実施の形態３のように、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７の配置する位置（Ｌ１及びＬ２。図中では省略している。）を導出し設定することにより、導波管接続部の損失を最小とすることが可能である。

なお、図では、パッド１１の形状を長方形にしているが、パッド１１の形状を導波管端子２の周囲を取り囲むようにしても同様の効果が得られる。

また、ハンダ付けした結果、同一パッド１１内で隣接する複数の球状、樽状或いは円筒状のハンダ７が溶け合って１つにつながった場合でも、同様の効果が得られる。

また、誘電体基板１に、スルーホールを矩形状に配置して導波管端子を構成し、そのスルーホールと導通されたＧＮＤ面８を配置した場合でも、同様の効果を得ることができる。

実施の形態８．
図１２は、この発明の実施の形態８を示す導波管接続部における誘電体基板の上視図及び縦断面図であり、図において、１〜１１は実施の形態４と同様である。

図１３は、隣接する導波管端子（図１２では省略しているが、列状に配置している樽状或いは円筒状のハンダ７の外側に配置しているものとする。）への高周波信号の結合度を示すグラフである。

図１２において、(ａ)は誘電体基板１の上視図、(ｂ)は誘電体基板１の縦断面図を示す。図において、誘電体基板１は、その内部に導波管端子２を設けており、その導波管端子２の接地導体に導通されたＧＮＤ面８を、基板表面に配置している。そして、このＧＮＤ面８上において球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を配置するためのパッド１１部分を除いた部分にソルダレジスト１０を設け、ＧＮＤ面８の一部に、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を配置するパッド１１を形成している。このとき、パッド１１は矩形状の導波管端子２の周囲で、この導波管端子２の各辺に平行に２列配置しており、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を２列配置するようにしている。

図１３において、曲線ａは球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を導波管端子２の周囲方向に１列配置した場合の、隣接する導波管端子への高周波信号の結合度を示し、曲線ｂは２列配置した場合の結合度を示す。このように、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を複数列配置することにより、隣接する導波管端子との結合度を小さく抑えることができ、複数の導波管端子２を配置した場合などに有効である。

このように、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を複数列配置することにより、隣接する導波管端子との結合度を小さく抑えることができつつ、実施の形態４と同様に、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７の配置箇所を精度良く設定し、導波管端子の接続作業を簡易化、低価格化を実現できる。また、実施の形態３のように、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７の配置する位置（Ｌ１及びＬ２。図中では省略している。）を導出し設定することにより、導波管接続部の損失を最小とすることが可能である。

実施の形態９．
図１４は、この発明の実施の形態９を示す導波管接続部における誘電体基板の上視図及び縦断面図であり、図において、１〜１１は実施の形態８と同様である。

図１５は、隣接する導波管端子（図１４では省略しているが、列状に配置している球状、樽状或いは円筒状のハンダ７の外側に配置しているものとする。）への高周波信号の結合度を示すグラフである。

図１４において、(ａ)は誘電体基板１の上視図、(ｂ)は誘電体基板１の縦断面図を示す。図において、誘電体基板１、導波管端子２、ＧＮＤ面８、ソルダレジスト１０、パッド１１の構成は実施の形態８と同様である。パッド１１及び樽状或いは円筒状のハンダ７は、矩形状の導波管端子２の周囲で、この導波管端子２の各辺に平行に、２列配置しており、その隙間を、導波管端子２を通過する高周波信号（周波数をF0とする）の１／４波長±３０％の範囲で設定している。

１５において、曲線ｃは、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を導波管端子２の周囲方向に任意の隙間をもって２列配置した場合の隣接する導波管端子への高周波信号の結合度を示し、曲線ｄは、その隙間を、導波管端子２を通過する高周波信号（周波数をF0とする）の１／４波長±３０％の範囲で設定した場合の結合度を示す。このように、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を、導波管端子２を通過する高周波信号の１／４波長±３０％の範囲で隙間を設定した場合、隣接する導波管端子との結合度を、その高周波信号の周波数帯のみ、さらに小さく抑えることができ、複数の導波管端子２を配置した場合などに有効である。

このように、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を、導波管端子２を通過する高周波信号１／４波長±３０％の範囲の隙間をもって複数列、配置することにより、隣接する導波管端子との結合度を小さく抑えることができつつ、実施の形態４と同様に、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７の配置箇所を精度良く設定し、導波管端子の接続作業を簡易化、低価格化を実現できる。また、実施の形態３のように、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７の配置する位置（Ｌ１及びＬ２。図中では省略している。）を導出し設定することにより、導波管接続部の損失を最小とすることが可能である。

実施の形態１０．
図１６は、この発明の実施の形態１０を示す導波管接続部における誘電体基板の上視図及び縦断面図であり、図において、１〜１１は実施の形態４と同様である。

図１６において、(ａ)は誘電体基板１の上視図、(ｂ)は誘電体基板１の縦断面図を示す。図において、誘電体基板１は、その内部に２つの導波管端子２を設けており、２つの導波管端子２の接地導体に導通されたＧＮＤ面８を、基板表面に配置している。そして、このＧＮＤ面８上において球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を配置するためのパッド１１部分を除いた部分にソルダレジスト１０を設け、ＧＮＤ面８の一部に、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を配置するパッド１１を形成している。ここで、このパッド１１は、２つの導波管端子２の周囲及びその間にも配置している。

このように、複数の導波管端子２を隣接させて配置し、その周囲及び間に球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を配置することにより、小スペースに複数の導波管端子２を配置しつつ、実施の形態４と同様に、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７の配置箇所を精度良く設定し、導波管端子の接続作業を簡易化、低価格化を実現できる。また、実施の形態３のように、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７の配置する位置（Ｌ１及びＬ２。図中では省略している。）を導出し設定することにより、導波管接続部の損失を最小とすることが可能である。

実施の形態１１．
図１７は、この発明の実施の形態１１を示す導波管接続部における誘電体基板の上視図及び接続後の縦断面図であり、図において、１〜１３は実施の形態４及び実施の形態６と同様である。

誘電体基板１ａは、図１７(ｂ)の上側に配置される基板であり、その内部に導波管端子２ａを設けており、その導波管端子２ａの接地導体に導通されたＧＮＤ面８ａを、基板表面に配置している。そして、このＧＮＤ面８ａと、誘電体基板１ａの表面に配置される球状、樽状或いは円筒状のハンダ７のパッド１１ａ間を、接続線路１３を介して接続している。また、複数のパッド１１ａ間もこの接続線路１３によって接続している。さらに、誘電体基板１ａの内層に配置されたＧＮＤパターン１２とスルーホール９を介して、導波管端子２ａの接地導体にＧＮＤ面８ａが接続されている。

誘電体基板１ｂは、図１７(ｂ)において下側に配置される基板であり、その内部に導波管端子２ｂを設けており、その導波管端子２ｂの接地導体に導通されたＧＮＤ面８ｂを、基板表面に配置している。そして、このＧＮＤ面８ｂ上において球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を配置するためのパッド１１ｂ部分を除いた部分にソルダレジスト１０を設け、ＧＮＤ面８ｂの一部に、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を配置するパッド１１ｂを形成している。

これら２つの誘電体基板１ａ及び１ｂを、パッド１１ａ及び１１ｂが対向するように配置し、そのパッド１１ａ及び１１ｂの間に球状、樽状或いは円筒状のハンダ７を配置し、ハンダ付けし、導波管端子２ａ及び２ｂを接続する。

この結果、球状、樽状或いは円筒状のハンダ７の配置箇所を精度良く設定しつつ、実施の形態２と同様に、導波管端子の接続作業を簡易化、低価格化を実現できる。また、実施の形態３のように、樽状或いは円筒状のハンダ７の配置する位置（Ｌ１及びＬ２。図中では省略している。）を導出し設定することにより、導波管接続部の損失を最小とすることが可能である。

実施の形態１２．
図１８は、この発明の実施の形態１２を示す導波管接続部の分解斜視図及び縦断面図である。図において、１ａ、１ｂ、２ａ、２ｂ、８ａ及び８ｂは実施の形態１と同様であり、１４は導電性接着剤である。

次に、導波管端子の接続部について説明する。図において、誘電体基板１ａ及び１ｂは、それぞれ内部に導波管端子２ａ及び２ｂを有し、また、基板表面に、導波管端子２ａ及び２ｂの接地導体に電気的に導通されたＧＮＤ面８ａ及び８ｂを配置している。この２つの誘電体基板１ａ及び１ｂは、ＧＮＤ面８ａ及び８ｂを対向させるように配置される。そして、そのＧＮＤ面８ａ及び８ｂで挟み、ＧＮＤ面８ａ及び８ｂと接する位置で、かつ導波管端子２ａ及び２ｂの周囲を囲むように、導電性接着剤１４を配置し、２つの誘電体基板１ａ及び１ｂが接着され、導波管端子を接続されている。

また、図１８に示す誘電体基板１ａ及び１ｂを多層誘電体基板で構成した場合でも、同様に構成することができる。

このように誘電体基板に設けた導波管端子を導電性接着剤によって接着し接続することにより、実施の形態１と同様に、従来、手作業にてネジ止めしていた、導波管端子の接続作業を簡易化できる。また、導波管アダプタ及びキャリア等の高価な部品を使用する必要がないため、低価格化も可能となる。

実施の形態１３．
図１９は、この発明の実施の形態１３を示す導波管接続部の分解斜視図及び縦断面図である。図において、１ａ、１ｂ、２ａ、２ｂ、８ａ及び８ｂは実施の形態１と同様であり、１５は球状、樽状或いは円筒状の金属物である。

次に、導波管端子の接続部について説明する。図において、誘電体基板１ａ及び１ｂ、導波管端子２ａ及び２ｂ、ＧＮＤ面８ａ及び８ｂは実施の形態１と同様に配置され、同様の機能を有する。そして、ＧＮＤ面８ａ及び８ｂで挟み、ＧＮＤ面８ａ及び８ｂと接する位置で、かつ導波管端子２ａ及び２ｂの周囲を囲むように、例えば、金等の球状、樽状或いは円筒状の金属物１５を複数配置している。なお、この球状、樽状或いは円筒状の金属物１５は、隣接する金属物１５との隙間が、導波管端子２ａ及び２ｂを通過する高周波信号の１／４波長以下となるように、列状に配置している。そして、２つの誘電体基板１ａ及び１ｂを熱圧着することにより、誘電体基板１ａ及び１ｂに設けた導波管端子２ａ及び２ｂが接続される。

このように誘電体基板に設けた導波管端子を熱圧着によって接続することにより、実施の形態１と同様に、従来、手作業にてネジ止めしていた、導波管端子の接続作業を簡易化できる。また、導波管アダプタ及びキャリア等の高価な部品を使用する必要がないため、低価格化も可能となる。また、実施の形態３のように、球状、樽状或いは円筒状の金属物１５の配置する位置（Ｌ１及びＬ２。図中では省略している。）を導出し設定することにより、導波管接続部の損失を最小とすることが可能である。

また、誘電体基板１ａ及び１ｂを多層誘電体基板とした場合でも、同様の効果が得られる。

また、誘電体基板に、スルーホールを矩形状に配置して導波管端子を構成し、そのスルーホールと導通されたＧＮＤ面８を配置した場合でも、同様の効果を得ることができる。

図２０は本実施形態の変形例の縦断面図であり、図８に示すようなソルダレジスト１０によりパッド１１が形成される誘電体基板１ａ，１ｂを用いた場合の導波管接続部の構造を示している。この場合には、ハンダ７が、ソルダレジスト１０が塗布されていないパッド１１に融着される。

この発明による導波管接続部の実施の形態１の分解斜視図及び縦断面図である。この発明による導波管接続部の実施の形態２の分解斜視図である。この発明による導波管接続部の実施の形態２の縦断面図及び誘電体基板の上視図である。この発明による導波管接続部の実施の形態２の縦断面図及び誘電体基板の上視図である。本発明による導波管接続部を用いた高周波装置の縦断面を示す模式図である。この発明による導波管接続部の実施の形態３の誘電体基板の上視図である。この発明による導波管接続部の実施の形態３の導波管接続部の特性を示す図である。この発明による導波管接続部の実施の形態４の誘電体基板の上視図及び縦断面図である。この発明による導波管接続部の実施の形態５の誘電体基板の上視図及び縦断面図である。この発明による導波管接続部の実施の形態６の誘電体基板の上視図及び縦断面図である。この発明による導波管接続部の実施の形態７の誘電体基板の上視図及び縦断面図である。この発明による導波管接続部の実施の形態８の誘電体基板の上視図及び縦断面図である。この発明による導波管接続部の実施の形態８の導波管接続部の特性を示す図である。この発明による導波管接続部の実施の形態９の誘電体基板の上視図及び縦断面図である。この発明による導波管接続部の実施の形態９の導波管接続部の特性を示す図である。この発明による導波管接続部の実施の形態１０の誘電体基板の上視図及び縦断面図である。この発明による導波管接続部の実施の形態１１の誘電体基板の上視図及び縦断面図である。この発明による導波管接続部の実施の形態１２の分解斜視図及び縦断面図である。この発明による導波管接続部の実施の形態１３の分解斜視図及び縦断面図である。この発明による導波管接続部の実施の形態１３の変形例の縦断面図である。従来の導波管接続部の分解斜視図である。従来の導波管接続部の側面図である。

符号の説明

１，１ａ，１ｂ誘電体基板、２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ導波管端子、３ａ，３ｂキャリア、４導波管アダプタ、５ネジ穴、６ネジ、７ハンダ、７１，７２ハンダ列、８，８ａ，８ｂＧＮＤ面、９，９ａ，９ｂスルーホール、１０ソルダレジスト、１１，１１ａ，１１ｂパッド、１２内層のＧＮＤパターン、１３接続線路、１４導電性接着剤、１５球状、樽状或いは円筒状の金属物。

Claims

樹脂基板とセラミック基板を間隙を有して互いに対向配置して、前記各基板にそれぞれ構成した導波管端子を相互に接続する導波管接続部であって、
前記各基板は、各々の前記導波管端子を取り囲む配置かつ前記両導波管端子の接続状態にて互いに対向する位置に、前記導波管端子の接地導体と電気的に導通するコンタクト領域をそれぞれ有し、
前記両基板は、互いに対向する前記コンタクト領域間に前記導波管端子を取り囲んで矩形状に配列される、複数の導電性接合部材により互いに接合され、
前記セラミック基板の導波管端子は、前記矩形状に配列された導電性接合部材の配列の内側で前記樹脂基板の導波管端子に対向して、矩形状に配列されたスルーホールで構成されるとともに、当該セラミック基板に設けられた高周波回路に接続され、
前記樹脂基板は、前記セラミック基板との対向面と反対側の面で、矩形状の穴を設けた導波管端子を有する金属材に密着して接合され、
前記樹脂基板の導波管端子は、前記導電性接合部材に取り囲まれた矩形状の穴を設けて構成されるとともに、前記金属材の導波管端子に接続されたこと、を特徴とする導波管接続部。
前記複数の導電性接合部材は、球状、樽状或いは円筒状の形状を有するハンダであって、
前記２つの誘電体基板は、ハンダ付けにより互いに接合されること、を特徴とする請求項１に記載の導波管接続部。
前記複数の導電性接合部材は、球状、樽状或いは円筒状の形状を有する金属物又は金属含有物であって、
前記２つの誘電体基板は、前記金属物又は金属含有物の熱圧着によって接合されること、を特徴とする請求項１または２に記載の導波管接続部。
前記樹脂基板は、ガラスエポキシ基板で構成されること、を特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の導波管接続部。
前記樹脂基板は、前記金属材に接着もしくはねじ止めによって接合されること、を特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の導波管接続部。
樹脂基板とセラミック基板を互いに対向配置して、前記各基板にそれぞれ構成した導波管端子を相互に接続する導波管接続部であって、
前記各基板は、各々の前記導波管端子を取り囲む配置かつ前記両導波管端子の接続状態にて互いに対向する位置に、前記導波管端子の接地導体と電気的に導通するコンタクト領域をそれぞれ有し、
前記両基板は、互いに対向する前記コンタクト領域間に前記導波管端子を取り囲んで矩形状に配列される、複数の導電性接合部材により互いに接合され、
前記セラミック基板の導波管端子は、前記矩形状に配列された導電性接合部材の配列の内側で前記樹脂基板の導波管端子に対向して、矩形状に配列されたスルーホールで構成されるとともに、当該セラミック基板に設けられた高周波回路に接続され、
前記樹脂基板は、前記セラミック基板との対向面と反対側の面で、矩形状の穴を設けた導波管端子を有する金属材に接合され、
前記樹脂基板の導波管端子は、前記導電性接合部材に取り囲まれた矩形状の穴を設けて構成されるとともに、前記金属材の導波管端子に接続され、
前記複数の導電性接合部材は、前記セラミック基板の導波管端子の周囲に環状に複列配置されたこと、を特徴とする導波管接続部。