JP4000879B2 - 磁気センサ装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁界の強さを検出する磁気センサ装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、磁気センサエレメントとして、磁界強度を検出するホール素子がある。ホール素子は、磁界が作用したとき、その磁界の強度に応じた電圧をアナログ値として出力するものである。このホール素子の特性は、製造時にばらつくため、センサ信号処理回路によって、感度、オフセット、温度特性などを調整する必要がある。すなわち、このセンサ信号処理回路では、ホール素子からのアナログ電圧出力をアナログ回路またはデジタル回路によって調整して、オフセットや温度特性等が補正されたセンサ出力を作成する。
【0003】
ここで、デジタル回路によってホール素子のアナログ電圧出力を調整するためには、事前にアナログ電圧出力をA/D変換器によってデジタル信号に変換することが必要である。また、ホール素子のアナログ電圧出力の調整をすべてアナログ回路によって行なう場合でも、最終的にそのセンサ信号を取り込んで所定の演算処理を行なう電子制御装置は、ほぼデジタル化されており、やはりA/D変換器によってデジタル信号に変換する必要がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、近年のデジタル技術の進展によって、デジタル回路によるセンサ出力の調整や、センサ出力のデジタル化が進められた結果、センサ信号処理回路にはA/D変換器を内蔵する必要があるため、センサ信号処理回路のコストアップを招くとの問題があった。
【0005】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、磁気センサエレメントの構成を工夫することにより、A/D変換器を用いずに、磁気センサエレメントから直接デジタル値による出力を得ることが可能な磁気センサ装置を提供することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項1に記載の磁気センサ装置は、ソース領域とドレイン領域との内、少なくともドレイン領域が分離して設けられるとともに、ソース領域とドレイン領域との間に形成されるチャネル領域を制御するゲート電極を備え、チャネル領域を流れるキャリアに被検出磁界が作用したときに、その被検出磁界の大きさに応じて分離されたドレイン領域を流れるキャリアの量が変化する半導体磁気センサを複数個リング状に接続したリング回路を備え、複数個の半導体磁気センサは、分離されたドレイン領域が電源に、かつソース領域がアースに接続され、リング回路においては、前段の半導体磁気センサの分離されたドレイン領域の一方が後段の半導体磁気センサのゲート電極に接続されることによって、各半導体磁気センサが反転回路を構成するものであり、さらに、所定期間におけるリング回路内のパルス信号の伝播状態を検出して、その検出結果に基づいて、前記被検出磁界に応じたデジタルデータを出力する出力回路を備えることを特徴とする。
【0007】
上記磁気センサ装置における各半導体磁気センサは、ホール効果を利用してチャネル領域を流れるキャリアを偏向させるものであるため、分離されたドレイン領域を流れるキャリアの量、すなわち電流値は被検出磁界の強度に対応して変化する。
【0008】
本発明では、このような特性を有する複数個の半導体磁気センサをリング状に接続することによりリング回路を構成している。リング回路を構成するための半導体磁気センサの接続に関しては、電源に接続された、前段の半導体磁気センサの分離されたドレイン領域の一方が後段の半導体磁気センサのゲート電極に接続されている。このため、前段の半導体磁気センサがオン状態となったとき、すなわち前段の半導体磁気センサのゲート電極に電圧が印加されたとき、ドレイン領域とソース領域との間に電流が流れ始める。従って、分離されたドレイン領域の電位は、電源電位からアース電位に近づくため、後段の半導体磁気センサのゲート電極には、駆動電圧が印加されず、後段の半導体磁気センサはオフ状態となる。
【0009】
このように、リング回路を構成する各半導体磁気センサは、入力された電圧のレベルがHiレベルであれば、Loレベルの電圧を出力し、逆にLoレベルの電圧が入力された場合には、Hiレベルの電圧を出力することとなり、各半導体磁気センサは反転回路(インバーター)として機能する。
【0010】
ここで、ある半導体磁気センサのゲート電極に駆動電圧が印加された時、その半導体磁気センサのチャネル領域にキャリアが流れることにより、この半導体磁気センサのソース−ドレイン間には電流が流れる。このとき、分離されたドレイン領域の電流値は、上述のように被検出磁界の強度に応じて変化する。一方、後段の半導体磁気センサにおいては、前段の半導体磁気センサのゲート電極に駆動電圧が印加される直前まで、ゲート電極に電源電圧が印加されている。この状態で、前段の半導体磁気センサに電流が流れ始めると、分離されたドレイン電極とゲート電極を接続する配線やゲート電極の浮遊容量によって、そのゲート電極の電位が低下するまでに遅れ時間が発生する。この遅れ時間は、前段の半導体磁気センサがオンすることによりアースに接続されるドレイン領域を流れる電流の大きさによって変化する。すなわち、前段の半導体磁気センサにおける、分離されたドレイン領域の一方を流れる電流値が高ければ、浮遊容量に蓄積された電荷を素早く放電できるので、後段の半導体磁気センサがオフするまでの遅れ時間は短くなる。一方、その分離されたドレイン領域の一方を流れる電流値が低ければ、遅れ時間は長くなる。
【0011】
従って、被検出磁界の強度に応じて分離されたドレイン領域を流れる電流値が変化し、かつ、その電流値に応じて、前段の半導体磁気センサがオンしてから後段の半導体磁気センサがオフするまでの遅れ時間が変化するのであるから、この遅れ時間に基づいて、被検出磁界の強度を検出することができるのである。
【0012】
複数個の半導体磁気センサはリング回路を構成しているので、遅れ時間は、リング回路における、各半導体磁気センサによってHiレベルからLoレベルあるいはLoレベルからHiレベルに反転されるパルス信号の所定期間における伝播状態から求められる。従って、本発明では、所定期間における、リング回路のパルス信号の伝播状態を検出する。この伝播状態としては、リング回路におけるパルス信号の周回数や、所定期間において反転動作を行なった半導体磁気センサの数等からデジタルデータとして表すことができる。従って、本発明では、A/D変換器を用いることなく、複数個の半導体磁気センサをリング状に接続することで、被検出磁界の強度に応じたデジタルデータを得ることができるのである。
【0013】
請求項2に記載したように、リング回路を構成する複数個の半導体磁気センサは、共通の半導体基板の同一面に形成されることによって、被検出磁界により各チャネル領域を流れるキャリアが同じ向きに偏向されることが好ましい。これにより、被検出磁界が作用したときのキャリアの偏向量を、各半導体磁気センサで揃えることができる。従って、半導体磁気センサの分離されたドレイン領域において、電流値の増減傾向を同じにすることができる。
【0014】
さらに、請求項3に記載したように、リング回路において、前段の半導体磁気センサの分離されたドレイン領域の一方を後段の半導体磁気センサのゲート電極に接続する際に、すべての半導体磁気センサについて、被検出磁界に対して同様の電流の増減傾向を示す分離されたドレイン領域の一方を後段の半導体磁気センサのゲート電極に接続することが好ましい。これにより、請求項2の構成と相俟って、各半導体磁気センサがオフする際の遅れ時間に関して、伸長あるいは短縮の傾向を同じくすることができる。これにより、パルス信号がリング回路内を伝播するごとに、被検出磁界の作用によって変化した遅れ時間が積算されることになるので、デジタルデータによる被検出磁界の相違量が明確になる。
【0015】
また、請求項4に記載したように、複数個の半導体磁気センサが、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域に関して同じ大きさに形成されると、後段の半導体磁気センサのゲート電極に接続される前段の半導体磁気センサの分離されたドレイン領域の一方を流れる電流値が、各半導体磁気センサにおいて、等しくなる。このため、各半導体磁気センサがオフする際の遅れ時間を実質的に等しくすることができる。これにより、パルス信号が伝播を重ねるごとに、その遅れ時間が積算されるので、パルス信号の伝播状態に基づき、被検出磁界の強度に対応したデジタルデータを容易に作成することができる。
【0016】
請求項5に記載の磁気センサ装置は、複数個の半導体磁気センサの中の1個の半導体磁気センサとアースとの間に電界効果トランジスタを直列接続し、この電界効果トランジスタのゲート電極に、リング回路内にパルス信号を伝播させるための起動信号を入力することにより、1個の半導体磁気センサを起動用磁気センサとして用いることを特徴とする。
【0017】
上述したように、1個の半導体磁気センサについて、アースとの間に直列に電界効果トランジスタを接続した場合、この電界効果トランジスタがオンされない限り、起動用磁気センサは、常にHiレベルの電圧信号を出力する。従って、リング回路では、各半導体磁気センサの動作状態が変化せず、パルス信号も伝播されることはない。このような状態で、電界効果トランジスタのゲート電極に起動信号が入力されると、起動用磁気センサは、Hi及びLoレベルの信号を出力することが可能となるので、リング回路内をパルス信号が伝播する。このように、1個の半導体磁気センサに直列に電界効果トランジスタを接続することにより、リング回路の動作状態を制御することができる。
【0018】
請求項6に記載したように、出力回路は、被検出磁界がゼロの時の所定期間におけるリング回路内のパルス信号の伝播状態を基準値として、検出した伝播状態とその基準値との相違量から被検出磁界に応じたデジタルデータを出力することが好ましい。これにより、被検出磁界の強度に正しく対応したデジタルデータを得ることができる。なお、被検出磁界がゼロの時のパルス信号の伝播状態の基準値としては、被検出磁界をゼロとした状態で所定期間におけるパルス信号のリング回路における周回位置を検出し、その検出値を基準値として記憶しても良いし、リング回路を構成する半導体磁気センサと同様の電流容量を有する例えばMOSFETによって配線長や接続個数を等しくした第2のリング回路を形成し、半導体磁気センサによるリング回路及び第2のリング回路にパルス信号を同時に伝播させ、そのときの第2のリング回路における周回位置を基準値としても良い。
【0019】
請求項7に記載したように、リング回路は、奇数個の半導体磁気センサをリング状に接続することによって構成されることが好ましい。この場合、パルス信号がリング回路を1周するごとに、各半導体磁気センサには、異なるレベルの電圧パルス信号が入力されるので、パルス信号がリング回路内の周回を重ねても、パルス信号の伝播を継続させることができる。
【0020】
だだし、複数個の半導体磁気センサによってリング回路を構成することも可能である。具体的には、請求項8に記載したように、リング回路において、パルス信号の伝播方向に沿って起動用磁気センサとの間に偶数個の半導体磁気センサが接続される位置にある半導体磁気センサを第1のリセット用半導体磁気センサとし、この第1のリセット用半導体磁気センサとアースとの間に第2のリセット用半導体磁気センサを直列接続し、この第2のリセット用半導体磁気センサのゲート電極に、前記起動用磁気センサと前記第1のリセット用半導体磁気センサとの間に接続された半導体磁気センサであって、前記起動用磁気センサから数えて偶数番目の偶数番半導体磁気センサの分離されたドレイン領域の一方を接続すれば良い。
【0021】
この場合、起動用磁気センサがLoレベルの電圧信号を出力することによってメインのパルス信号の伝播を開始すると、そのメインパルス信号が偶数番半導体磁気センサに達した時、偶数番半導体磁気センサはHiレベルの電圧信号を出力する。
【0022】
一方、第1のリセット用半導体磁気センサの前段の半導体磁気センサには、偶数番半導体磁気センサがHiレベルの電圧信号を出力したとき、まだメインパルス信号が達していない。そして、起動用磁気センサと第1のリセット用半導体磁気センサとの間には偶数個の半導体磁気センサがあるため、その時点で、第1のリセット用半導体磁気センサには、前段の半導体磁気センサからHiレベルの電圧信号が入力されている。従って、偶数番半導体磁気センサから第2のリセット用半導体磁気センサのゲート電極にHiレベルの電圧信号が入力されると、第1及び第2のリセット用半導体磁気センサがともにオン状態となり、第1のリセット用半導体磁気センサからLoレベルの電圧信号が後段の半導体磁気センサのゲート電極に与えられる。すなわち、この時点で、第1のリセット用半導体磁気センサからリセットパルス信号が発生され、メインパルス信号とともにリング回路内を伝播することになる。
【0023】
リセットパルス信号は、メインパルス信号とは反転したレベルの電圧を各半導体磁気センサに与えるものである。従って、このリセットパルス信号が起動用磁気センサに達した後は、各半導体磁気センサは、メインパルス信号によって設定された動作状態とは逆の動作状態に切り換えられるので、リング回路が安定状態となってパルス信号の伝播が終了してしまうことはない。
【0024】
なお、偶数番半導体磁気センサからリング回路の正規のルートを通ってメインパルス信号が第1のリセット用半導体磁気センサに伝えられると、第1のリセット用半導体磁気センサはオン状態からオフ状態に切り換えられ、Hiレベルの信号を出力する。このようにメインパルス信号は、その伝播状態を維持していく。
【0025】
その後、メインパルス信号がリング回路を周回して再び偶数番半導体磁気センサに達すると、その時点で、第1のリセット用半導体磁気センサからリセットパルス信号が発生する。
【0026】
このように、請求項8に記載の磁気センサ装置によれば、偶数個の半導体磁気センサによってリング回路を構成しながらも、パルス信号の伝播を継続させることができるのである。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図に基づいて説明する。
【0028】
(第1実施形態)
まず、本実施形態における磁気センサ装置のリング回路10を構成するための半導体磁気センサ(MAGFET)6について説明する。
【0029】
図1(a)に示すように、MAGFET6においては、p型半導体基板5の主面にn+ソース領域1a、1b及びn+ドレイン領域2a、2bが形成され、かつそのn+ソース領域1a、1bとn+ドレイン領域2a、2bとの間には、シリコン酸化膜等の絶縁膜4を介してチャネル領域9を誘起させるためのゲート電極3が形成されている。すなわち、MAGFET6は、nMOS型FET構造を有している。
【0030】
上述のように、n+ソース領域1a、1bは2つの領域に分離され、かつn+ドレイン領域2a、2bも2つの領域に分離されている。この分離された2個のn+ソース領域1a,1bは、隣接して互いに等しい形状に形成されている。また、分離された2個のn+ドレイン領域2a、2bも、互いに等しく、かつn+ソース領域1a、1bと同様の形状に形成され、隣接して配置されている。
【0031】
そして、この2つの領域に分離されたn+ソース領域1a、1bにそれぞれ接触する2個のソースコンタクト(図示せず)を介して、各n+ソース領域1a、1bを流れる電流の合計値が一定となるように、定電流回路が接続される。2つのn+ドレイン領域2a、2bについては、それぞれに接触する2個のドレインコンタクト(図示せず)を介して、共通の電源に接続されており、n+ドレイン領域2a、2bには同じ電圧が印加される。
【0032】
上記の構成を有するMAGFET6に磁界が印加されていない場合には、n+ソース領域1a,1bから対となるn+ドレイン領域2a,2bへのみキャリアが流れる。ここで、2個のn+ソース領域1a,1bと2個のn+ドレイン領域2a,2bとは、すべて同じ形状に形成され、チャネル領域9に臨む各領域1a,1b,2a,2bの幅も等しくなっているので、各領域1a,1b,2a,2bの電流容量は等価である。従って、n+ソース領域1aからn+ドレイン領域2aへ流れるキャリアと、n+ソース領域1bからn+ドレイン領域2bへ流れるキャリアとはほぼ同一となる。
【0033】
しかし、p型半導体基板5の主面に垂直に磁界が印加されたときには、ゲート電極3によって誘起されたチャネル領域9を流れるキャリアがローレンツ力を受けて偏向され、その一部のキャリアは、磁界の向きに応じてn+ソース領域1bからn+ドレイン領域2a、もしくはn+ソース領域1aからn+ドレイン領域2bに流れ込む。なお、図1(b)には、n+ソース領域1bからn+ドレイン領域2aにキャリアが流れ込む例を示している。すなわち、MAGFET6においては、ホール効果によって、被検出磁界の強度に対応した電流値の差が、それぞれ対となるn+ソース領域1aとn+ドレイン領域2b及びn+ソース領域1bとn+ドレイン領域2bの間に発生する。
【0034】
このとき、n+ソース領域1aとn+ドレイン領域2aとに注目すると、図1(b)に示す例では、磁界が印加されたことによってドレイン領域2aを流れるキャリアの量が増加している。この結果、MAGFET6に磁界が印加されていない場合に比較して、n+ドレイン領域2aからn+ソース領域1aへと流れる電流値は増加することになる。
【0035】
本実施形態による磁気センサ装置は、上述した構成及び作用を有するMAGFET6を奇数個接続することによってリング回路10を構成する。図2は、リング回路10の構成を示す回路図である。
【0036】
図2に示すように、各MAGFET6は、それぞれのドレイン領域2a、2bが、負荷抵抗11を介して、共通の電源VDDに接続され、ソース領域1a、1bは、定電流回路12を介して、グランドGNDに接地されている。
【0037】
これらのMAGFET6は、共通の半導体基板に形成されている。このため、その半導体基板のMAGFET6の形成面に垂直に磁界が作用したときには、各MAGFET6のチャネル領域を流れるキャリアが同じ方向に偏向される。
【0038】
各MAGFET6の相互の接続に関しては、前段のMAGFET6の一方のドレイン領域2aが、後段のMAGFET6のゲート電極3に配線15によって接続されている。なお、すべてのMAGFET6について、分離されたドレイン領域2a,2bのうち後段のMAGFET6に近い側のドレイン領域2aが、後段のMAGFET6のゲート電極3に接続されている。また、リング回路10を構成する各MAGFET6の、ソース領域1a,1b、ドレイン領域2a,2b及びゲート電極3については、ほぼ同様の形状に形成されている。このため、各MAGFET6に磁界が作用したときには、後段のゲート電極3に接続された各MAGFET6のドレイン領域2aでは、電流値の増加量もしくは減少量がほぼ等しくなる。
【0039】
ここで、リング回路10を構成する奇数個のMAGFET6の内の1つが、そのゲート電極3に駆動電圧が印加されてオン状態であると仮定する。この場合には、そのMAGFET6では、駆動電圧の印加によってチャネル領域が誘起されるため、ドレイン領域2a,2bとソース領域1a,1bとの間に電流が流れる。従って、ドレイン領域2a,2bの電位は、ほぼグランド電位となるので、1つ後段のMAGFET6のゲート電極3には、駆動電圧が印加されない。このため、オン状態であるMAGFET6の後段のMAGFET6はオフ状態となる。
【0040】
一方、前段のMAGFET6がオフ状態である時には、そのMAGFET6のソース−ドレイン間にはチャネル領域が誘起されずキャリアが流れないため、分離されたドレイン領域2aの電位は、ほぼ電源VDDの電位に等しくなる。このため、後段のMAGFET6のゲート電極3には、この電源電位が印加されることになるため、後段のMAGFET6はオン状態となる。
【0041】
このように、リング回路10を構成する各MAGFET6は、ゲート電極3に入力された電圧のレベルがHiレベル(電源電位)であれば、Loレベルの電圧(グランド電位)を配線15を介して後段のMAGFET6に出力し、逆にLoレベルの電圧がゲート電極3に入力された場合には、Hiレベルの電圧を後段のMAGFET6に出力する。すなわち、上述のように接続されてリング回路10を構成する各MAGFET6は、それぞれ反転回路(インバーター)として機能するのである。
【0042】
なお、リング回路10では、各MAGFET6のドレイン領域2aに接続された配線15は、後段のMAGFET6のゲート電極3に接続されるのみではなく、リング回路10の出力D1〜Dnとして、後述するパルスセレクター21及びカウンタ23に接続されている。
【0043】
リング回路10を構成する各MAGFET6は、上述したように反転回路として機能する。しかしながら、MAGFET6のゲート電極3にHiレベルもしくはLoレベルの電圧が入力されてから、そのMAGFET6の一方のドレイン領域2aに接続された配線15から、その入力された電圧レベルと反対のレベルの電圧が出力されるまでには遅れ時間がある。従って、MAGFET6によって反転された信号(パルス信号)は、リング回路10内の各MAGFET6に時系列的に伝達されていく。そして、リング回路10は、奇数個のMAGFET6によって構成されているので、パルス信号がリング回路10を一周すると、前回とは異なるレベルの電圧が、各MAGFET6のゲート電極に入力される。このため、パルス信号が入力される毎に、各MAGFET6は、その動作状態をオン状態からオフ状態もしくはオフ状態からオン状態に切り換える。このようにして、パルス信号は、リング回路10内において伝播状態が維持される。
【0044】
また、本実施形態においては、リング回路10を構成する奇数個のMAGFET6の1つのMAGFET(起動用MAGFET)6Aに対して、そのグランドGNDとの間に、トランジスタ13,14を接続している。すなわち、これらのトランジスタ13,14は、起動用MAGFET6の分離されたソース領域1a,1bにそれぞれ接続されている。これらのトランジスタ13,14は一般的なMOSFETにより構成され、少なくとも起動用MAGFET6Aのソース領域1a,1bの電流容量以上の電流容量を有する。これらのMOSFET13,14のゲートには、後述する制御回路20からスタート信号STARTが入力される。
【0045】
上述したように、MAGFET6Aのソース領域1a,1bにそれぞれMOSFET13,14を接続したので、これらMOSFET13,14がオン状態とならない限り、MAGFET6Aは、そのオン・オフ状態に係わらず、常に後段のMAGFET6のゲート電極3にHiレベルの電圧を出力する。すなわち、MAGFET6AとMOSFET13,14とは、それぞれのゲートにHiレベルの電圧信号が入力されたとき、後段のMAGFET6にLoレベルの電圧信号を出力するもので、NAND素子として機能する。従って、スタート信号がLoレベルである間は、リング回路10において各MAGFET6の動作状態が変化せず、パルス信号も伝播されることはない。
【0046】
次に、上記のように構成されたリング回路10における作用を説明する。
【0047】
後述する制御回路20によってHiレベルのスタート信号が、MOSFET13,14のゲートに入力されることにより、起動用MAGFET6AよりLoレベルの電圧信号が、後段のMAGFET6に与えられることによって、パルス信号の伝播が開始される。
【0048】
ここで、リング回路10を構成するそれぞれのMAGFET6及び起動用MAGFET6Aにおいては、ゲート電極3にHiレベルの電圧信号が入力された時にオン状態となり、そのMAGFET6もしくは起動用MAGFET6Aのチャネル領域にキャリアが流れ、その結果、ソース−ドレイン間に電流が流れる。このとき、分離されたドレイン領域2aを流れる電流の値は、上述したように、印加された磁界の強度に応じて変化する。
【0049】
一方、そのオン状態となったMAGFET6の後段のMAGFET6においては、前段のMAGFET6がオン状態となる直前まで、ゲート電極3に電源電圧が印加されている。この状態で、前段のMAGFET6のソース−ドレイン間に電流が流れ始めると、後段のMAGFET6のゲート電極3の電位が低下するが、分離されたドレイン電極2aとゲート電極3を接続する配線15やゲート電極3の浮遊容量によって、そのゲート電位が所定の勾配に従って低下する。このため、前段のMAGFET6からLoレベルの電圧信号が入力されてから、後段のMAGFET6がオフ状態となるレベルまでゲート電極3の電位が低下するまでに遅れ時間が発生する。
【0050】
この遅れ時間は、前段のMAGFET6の分離されたドレイン領域2aを流れる電流の大きさによって変化する。後段のMAGFET6のゲート電極3に接続された、前段のMAGFET6の分離されたドレイン領域2aを流れる電流の値が高ければ、浮遊容量に蓄積された電荷を素早く放電できるので、後段のMAGFET6がオフ状態となるまでの遅れ時間は短くなる。一方、その分離されたドレイン領域2aを流れる電流の値が低ければ、遅れ時間は長くなる。
【0051】
図3は、MAGFET6のソース−ドレイン間に流れる電流の値と、MAGFET6がインバータとして、入力信号とはレベルが反転した反転信号を出力するまでの遅延時間との関係を調べたグラフである。上述したように、電流値が低いときには、遅延時間が長くなり、電流値が増加するにつれて遅延時間が短くなることが分かる。なお、基本的な電流値の大きさは、定電流回路12によって設定され、その基本的な電流値の大きさが、磁界の大きさによって変化するのであり、電流値の大きさ自体は定電流回路12によって任意に設定することが可能である。
【0052】
このように、インバータとして機能するMAGFET6の遅延時間は、ドレイン領域2aを流れる電流値によって変化し、かつ、磁界の強度に応じてそのドレイン領域2aを流れる電流値が変化するのであるから、その遅延時間に基づいて各MAGFET6に作用している磁界の強度を検出することができるのである。
【0053】
次に、MAGFET6の遅延時間から、磁界の強度をデジタルデータとして出力する出力回路について説明する。
【0054】
MAGFET6はリング状に連結されてリング回路10を構成しているので、各MAGFET6の遅延時間は、リング回路10における、パルス信号の所定期間の伝播状態から求められる。図4にリング回路10の等価回路を示す。図4に示すように、リング回路10は、1個の否定論理積素子NANDと偶数個のインバータINVとがリング状に連結されることによって構成される。
【0055】
次に、図5に、所定期間におけるパルス信号の伝播状態をデジタルデータとして出力する出力回路の回路図を示す。図5に示すように、出力回路は、スタート信号START及びスタート信号STARTから所定時間後に出力されるパルス信号PBを発生する制御回路20と、リング回路10の出力信号D1〜Dnからパルス信号の伝播状態を示すデジタルデータを生成するデジタルデータ生成回路30とから構成されている。
【0056】
デジタルデータ生成回路30は、リング回路10内のNANDの前段に設けられたインバータINVnの出力信号Dnのレベル反転回数からリング回路10内でのパルス信号の周回回数をカウントして二進数のデジタルデータを発生するカウンタ33と、カウンタ33から出力されるデジタルデータをラッチするラッチ回路14を備えている。また、デジタルデータ生成回路30は、リング回路10を構成する各反転回路(即ち、NAND及びINV)の出力信号D1〜Dn−1を取り込み、その出力レベルからリング回路10内を周回中のパルス信号を抽出して、その位置を表す信号を発生するパルスセレクタ31と、パルスセレクタ31からの出力信号に対応したデジタルデータを発生するエンコーダ32とを備えている。なお、リング回路10内のパルス信号の周回位置は、出力信号D1〜Dn−1の内、連続して同じレベルの電圧を出力している出力信号から検出することができる。
【0057】
さらに、ラッチ回路34からのデジタルデータを上位ビット,エンコーダ32からのデジタルデータを下位ビットとして入力し、下位ビットのデータと上位ビットのデータとを加算することによりスタート信号からパルス信号PBまでの期間における、リング回路10内のパルス信号の周回位置を表す二進数のデジタルデータDO1を生成する信号処理回路35を備えている。
【0058】
なおラッチ回路34及びパルスセレクタ31は、制御回路20から出力されるパルス信号PBを受けて動作する。このように構成された出力回路は、本願出願人が特開平5−259907号等にて先に提案したA/D変換回路におけるパルス位相差符号化回路とほぼ等価であるため、以下、その動作を簡単に説明する。
【0059】
リング回路10は、制御回路20から出力されるスタート信号STARTがHiレベルになると、パルス信号の周回動作を開始し、スタート信号がHiレベルである間パルス信号を周回させる。その周回回数は、カウンタ23によりカウントされ、制御回路20から出力されるパルス信号PBがHiレベルとなった時点で、そのカウント結果がラッチ回路34にラッチされる。
【0060】
制御回路4から出力されるパルス信号PBがHiレベルになると、パルスセレクタ31が、リング回路10内でのパルス信号の周回位置を検出し、エンコーダ32がその周回位置に対応したデジタルデータを発生する。すると信号処理回路35が、エンコーダ32からのデジタルデータとラッチ回路34からのデジタルデータとから、スタート信号の立上がりからパルス信号PBの立上がりまでの所定期間における、パルス信号の周回位置に対応した二進数のデジタルデータDO1を生成する。
【0061】
従って、本実施形態においては、スタート信号STARTとパルス信号PBとによって規定される所定期間における、リング回路10のパルス信号の周回位置を示すデジタルデータDO1を生成することができる。すなわち、本実施形態では、A/D変換器を用いることなく、奇数個のMAGFET6をリング状に連結する構成を採用することにより、各MAGFET6に作用する磁界の強度に応じたデジタルデータを得ることができるのである。なお、スタート信号STARTとパルス信号PBとによって所定期間を規定する以外に、例えばスタート信号STARTをHiレベルに維持している間に、2個のパルス信号PBを出力することによって、その2個のパルス信号PBによって所定期間を規定することもできる。
【0062】
ここで、上述の出力回路は、単に所定期間におけるリング回路10内の周回位置を示すデジタルデータDO1を生成するものであるため、そのデジタルデータDO1は、直接的に磁界強度を表すものではない。このため、例えば、図6に示す補正回路を用いて、磁界の強度を直接的に表すデジタルデータDO2を生成しても良い。以下、その補正回路について説明する。
【0063】
図6に示すように、補正回路40は、出力回路30から出力されるデジタルデータDO1を記憶するメモリ42及びレジスタ43と、制御回路20からの切換信号により切り換えられて、出力回路30から出力されるデジタルデータDO1の保存先をメモリ42とレジスタ43とに切り換える切換スイッチ41と、メモリ42及びレジスタ43に記憶されたデジタルデータDO1を夫々受け、両データの差分を求めて、その減算結果をデジタルデータDO2として出力する減算器44とから構成されている。
【0064】
このように構成された補正回路40においては、リング回路10を構成するMAGFET6に磁界が作用しない環境において、制御回路20からスタート信号START及びパルス信号PBが出力されるとともに、出力回路30から出力されるデジタルデータDO1の保存先がメモリ42となるように、切換スイッチ41に切換信号が出力される。これにより、リング回路10を構成するMAGFET6に作用する磁界がゼロのときの、所定期間におけるパルス信号の周回位置を示すデジタルデータ(これをDORと称する)がメモリ42に記憶される。
【0065】
その後、制御回路20は出力回路30からのデジタルデータDO1の保存先がレジスタ43となるように切換スイッチ41を切り換える。これにより、リング回路10を構成するMAGFET6が、被検出磁界が作用する環境に置かれたときに計測されるパルス信号の周回位置を示すデジタルデータDO1は、一時的にレジスタ43に保存されることになる。
【0066】
そして、減算器44は、メモリ42に記憶された、磁界がゼロの時のパルス信号の周回位置を示すデジタルデータDORと、レジスタ43に一時的に保存された被検出磁界の強度に応じた遅延時間の影響を受けたパルス信号の周回位置を示すデジタルデータDO1との差分を求め、デジタルデータDO2として出力する。
【0067】
このように、補正回路40は、被検出磁界がゼロの時の所定期間におけるリング回路10内のパルス信号の周回位置を基準値として、被検出磁界が作用しているときのパルス信号の周回位置との差を示すデジタルデータDO2を生成する。これにより、リング回路10における各MAGFET6の遅延時間、すなわち被検出磁界の強度を直接的に示すデジタルデータDO2を得ることができる。
【0068】
さらに、リング回路10を形成する場合、各MAGFET6や負荷抵抗11の製造ばらつきにより、磁界ゼロのときのパルス信号の周回位置は、個々の製品で若干相違する。しかしながら、上記のように補正回路40を設けることにより、各製品ごとに、磁界ゼロの時のパルス信号の周回位置を示すデジタルデータDORを得ることができるので、MAGFET6の遅延時間を直接的に示すデジタルデータDO2の精度を向上することができる。
【0069】
なお、被検出磁界がゼロの時のパルス信号の周回位置に対応したデジタルデータを得るためには、上述した補正回路40以外に、例えば,リング回路10を構成するMAGFET6と同様の電流容量を有するMOSFETによって、配線長や接続個数を等しくした別個のリング回路を形成し、MAGFET6によるリング回路及びMOSFETによるリング回路に同時期に同じ期間だけパルス信号を周回させても良い。MOSFETとMAGFETとは類似した構成を有するため、上述のようにMOSFETによってリング回路を構成すると、そのリング回路は磁界がゼロの環境において、パルス信号の周回動作を行なうものとみなすことができる。そのため、MOSFETによるリング回路におけるパルス信号の周回位置に対応したデジタルデータを基準値として、MAGFET6によるリング回路10におけるパルス信号の周回位置を示すデジタルデータとの差分を求めることにより、被検出磁界の強度を直接的に示すデジタルデータを求めることができる。
【0070】
さらに、この場合、MAGFETによるリング回路とMOSFETによるリング回路とは同じ環境の下で、パルス信号の周回動作を行なうため、環境温度の変化等による遅延時間の変化も相殺できるので、磁界強度に対応したデジタルデータをより高精度に求めることができる。
【0071】
(第2実施形態)
次に本発明の第2実施形態による磁気センサ装置について説明する。第2実施形態による磁気センサ装置は、リング回路の構成が第1実施形態の磁気センサと異なるため、以下、リング回路についてのみ説明し、その他の説明は省略する。
【0072】
図7に第2実施形態によるリング回路の構成を示す。なお、図7では、リング回路の構成が等価回路によって示されている。
【0073】
図7に示すように、第2実施例におけるリング回路50は、2個の否定論理積素子としてのナンドゲートNANDと14個のインバータINVとによって構成されている。
【0074】
図7において、ナンドゲートNAND1のインバータINV16に接続されない方の入力端子(以下、この入力端子を起動用端子という)には、図示しない制御回路からスタート信号STARTが入力される。さらに、ナンドゲートNAND12のインバータINV11に接続されない方の入力端子(以下、この入力端子をリセット用端子という)には、インバータINV6の出力信号が入力されている。
【0075】
ナンドゲートNAND1は、第1実施形態と同様に、スタート信号STARTの入力端子として、MAGFET6に直列にMOSFETを接続することによって構成されている。一方、ナンドゲートNAND2は、両入力端子とも、リング回路50内を伝播するパルス信号が入力されるので、2個のMAGFET6を直列に接続することによって構成されている。
【0076】
以下、このように構成されたリング回路10の動作について、説明する。
【0077】
まず、スタート信号STARTがLoレベルであるとき(初期状態)は、ナンドゲートNAND1の出力はHiレベルとなるため、ナンドゲートNAND1から数えて偶数段目のインバータINV2,4,…の出力はLoレベルとなり、奇数段目のインバータINV3,5,…の出力はHiレベルとなる。
【0078】
この初期状態において、ナンドゲートNAND12のリセット用端子に入力された、インバータINV6の出力信号はLoレベルであるため、ナンドゲートNAND12は、偶数段目に接続されているにも関わらずHiレベルを出力する。このため、ナンドゲートNAND12以降に接続されたインバータINV13〜16については、奇数段目のインバータINV13,15の出力がLoレベルとなり、偶数段目のインバータINV14,16の出力がHiレベルとなる。
【0079】
スタート信号STARTが入力されるナンドゲートNAND1の状態は、スタート信号STARTがLoレベルである間は変化せずHiレベルの信号を出力し続けるので、リング回路50は上述した状態で安定する。
【0080】
次に、スタート信号STARTがLoレベルからHiレベルに変化すると、ナンドゲートNAND1のもう一方の入力端子にも、インバータINV16からHiレベルの信号が入力されているので、ナンドゲートNAND1の出力は、HiレベルからLoレベルに反転する。これにより、リング回路50内におけるパルス信号の伝播が開始される。これにより、後続のインバータINV2,3,…の出力が順次反転して、奇数段目のインバータINV3,5,…の出力はHiレベルからLoレベルに変化し、偶数段目のインバータINV2,4,…の出力はLOレベルからHiレベルに変化していく。尚、以下、このようにスタート信号STARTの変化によって発生し、奇数段目のナンドゲートNAND1及びインバータINV3,5,…の立ち下がり出力として、及び偶数段目のナンドゲートNAND12及びインバータINV2,4、…の立ち上がり出力として順次周回するパルスをメインパルスという。
【0081】
そして、このメインパルスがインバータINV6に到達して、インバータINV6の出力がLoレベルからHiレベルに反転すると、インバータINV11の出力レベルは未だHiレベルであるために、ナンドゲートNAND12の2つの入力信号は、共にHiレベルとなって、ナンドゲートNAND12の出力はHiレベルからLoレベルに反転する。尚、以下、このようにメインパルスがリセット用端子からナンドゲートNAND12に入力され、このナンドゲートNAND12によって反転されて、奇数段目のナンドゲートNAND1及びインバータINV13,15,…の立ち上がり出力として、及び偶数段目のナンドゲートNAND12及びインバータINV14,16,…の立ち下がり出力として順次周回するパルスをリセットパルスという。このリセットパルスは、ナンドゲートNAND1により発生したメインパルスと共に、リング回路50内を周回する。
【0082】
また、その後のメインパルスは、インバータINV6の後続の各インバータINV7,8,…により順次反転されて伝達される。メインパルスによって、インバータINV11の出力がHiレベルからLoレベルに反転することにより、ナンドゲートNAND12のリセット用端子ではないもう一方の入力端子にはLoレベルの信号が入力される。このときのリセット用端子には、インバータINV6からHiレベルの信号が入力されているので、ナンドゲートNAND12の出力は、メインパルスによってLoレベルからHiレベルに反転し、ナンドゲートNAND12以降の各インバータINV13,14,…にメインパルスを伝達する。
【0083】
尚、このようにメインパルスが、インバータINV7〜11を経由して、ナンドゲートNAND12に到達したときに、インバータINV6の出力信号が未だHiレベルであるのは、インバータINV7からインバータINV11までのインバータの数が5個であるのに対して、ナンドゲートNAND12からインバータINV6までのナンドゲートを含むインバータの数が11個であり、メインパルスが経由するインバータの数のほうが少ないためである。これにより、リセットパルスが、ナンドゲートNAND12からインバータINV6まで伝達するよりも早く、メインパルスがナンドゲートNAND12に入力される。
【0084】
一方、ナンドゲートNAND12によって発生したリセットパルスは、ナンドゲートNAND1を含む各インバータINV13,14,…を経由して、再びインバータINV6に到達し、ナンドゲートNAND12のリセット用端子の信号レベルをHiレベルからLoレベルに反転させる。しかし、このときは、ナンドゲートNAND12のインバータINV11からの入力信号が、既にメインパルスによってLoレベルとなっているため、ナンドゲートNAND12の出力は変化しない。その後、リセットパルスは、インバータINV6からインバータINV11へと、リング回路50の正規のルートで順次ナンドゲートNAND12へ伝達される。
【0085】
そして、リセットパルスが、インバータINV11に到達すると、ナンドゲートNAND12に対するインバータINV11の出力信号が、LoレベルからHiレベルへと反転する。また、これとほぼ同時に、メインパルスがインバータINV6に到達して、ナンドゲートNAND12のリセット用端子の入力信号もLoレベルからHiレベルへと反転する。従って、ナンドゲートNAND12は、リセットパルスによってインバータINV11がHiレベルを出力し、メインパルスによってインバータINV6がHiレベルを出力した時点で、Loレベルのリセットパルスを出力する。
【0086】
そして以後は、上述した動作が繰り返され、リセットパルスが、メインパルスと共に、リング回路50を周回する。また、このような一連の動作を停止させたいときには、スタートパ信号STARTをHiレベルからLoレベルにすれば、上述の初期状態へ戻ることとなる。
【0087】
以上のように、通常、偶数個の反転回路(ナンドゲート及びインバータ)をリング状に連結すると、各反転回路の入・出力が異なるレベルとなって回路全体が安定してしまうのであるが、本実施例のリング回路50においては、同一周回上に発生タイミングの異なる2つのパルス信号を周回させるため、ナンドゲートNAND1は、自己が発生させたメインパルスが戻ってくる前にリセットパルスによって出力が反転され、ナンドゲートNAND12は、自己が発生させたリセットパルスが戻ってくる前にメインパルスによって出力が反転するというように、回路全体が安定状態になることなく、2つのパルス信号が周回することとなる。
【0088】
そして、第1実施形態において説明した出力回路及び補正回路を用いて、メインパルス及びリセットパルスの周回数と、例えばメインパルスの周回位置とから所定期間におけるパルス信号の伝播状態を求めることにより、磁界の強度に応じたデジタルデータDO1及び、磁界強度を直接的に示すデジタルデータDO2を得ることができる。
【0089】
なお、第2実施例に示したリング回路50は、偶数個の反転回路(ナンドゲート及びインバータ)からリング回路を構成する際の接続の一例を示すものであり、ナンドゲートとインバータとの接続方法は、それに限られるものではない。要するに、パルス信号の伝播方向に沿ってナンドゲートNAND1との間に偶数個のインバータが接続される位置にあるMAGFET(第1のリセット用MAGFET)にもう1つのMAGFET(第2のリセット用MAGFET)を直列接続してナンドゲートNAND2を構成し、その第2のリセット用MAGFETのゲート電極に、ナンドゲートNAND1とナンドゲートNAND2との間に接続されたインバータであって、ナンドゲートNAND1から数えて偶数番目のインバータの出力を接続すれば良い。これによって、上述したと同様の作用により、リング回路内にメインパルスとリセットパルスとを周回させることができ、リング回路が安定状態に陥ることを防止することができる。
【0090】
(変形例)
上述した実施形態では、MAGFET6に関して、n+ソース領域11a,11bとn+ドレイン領域12a,12bとも、2個に分離した例について示したが、n+ソース領域は分離しなくとも良い。この場合でも、分離されたn+ドレイン領域において、磁界の強度に応じた電流の増減を発生させることができる。
【0091】
さらに、上述した実施形態では、nMOS型FET構造による半導体磁気センサについて示したが、pMOS型FET構造を採用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は第1実施形態における半導体磁気センサ(MAGFET)の構成を示す斜視図であり、(b)そのMAGFETのチャネル領域を流れるキャリアの向きを説明する説明図である。
【図2】第1実施形態におけるリング回路の構成を示す回路図である。
【図3】MAGFETの電流値と、MAGFETが入力に対して反転した出力を発生するまでの遅延時間との関係を示すグラフである。
【図4】第1実施形態におけるリング回路の等価回路を示す回路図である。
【図5】リング回路の出力から、磁界強度に応じたデジタルデータDO1を生成するための出力回路の構成を示す回路図である。
【図6】出力回路から出力されるデジタルデータDO1に対して、磁界がゼロのときのデジタルデータDORを減算する補正回路の構成を示す回路図である。
【図7】第2実施形態によるリング回路の等価回路を示す回路図である。
【符号の説明】
1a、1b ソース領域
2a、2b ドレイン領域
3 ゲート電極
9 チャネル領域
6,6A 半導体磁気センサ(MAGFET)
10 リング回路
11 負荷抵抗
12 定電流回路
20 制御回路
30 デジタルデータ生成回路
40 補正回路
Claims (8)
- ソース領域とドレイン領域との内、少なくともドレイン領域が分離して設けられるとともに、前記ソース領域とドレイン領域との間に形成されるチャネル領域を制御するゲート電極を備え、前記チャネル領域を流れるキャリアに被検出磁界が作用したときに、その被検出磁界の大きさに応じて前記分離されたドレイン領域を流れるキャリアの量が変化する半導体磁気センサを複数個リング状に接続したリング回路を備え、
前記複数個の半導体磁気センサは、前記ドレイン領域が電源に、かつ前記ソース領域がアースに接続され、前記リング回路においては、前段の半導体磁気センサの分離されたドレイン領域の一方が後段の半導体磁気センサのゲート電極に接続されることによって、各磁気センサが反転回路を構成するものであり、
さらに、所定期間における前記リング回路内のパルス信号の伝播状態を検出して、その検出結果に基づいて、前記被検出磁界に応じたデジタルデータを出力する出力回路を備えることを特徴とする磁気センサ装置。 - 前記リング回路を構成する複数個の半導体磁気センサは、共通の半導体基板の同一面に形成されることによって、被検出磁界により各チャネル領域を流れるキャリアが同じ向きに偏向されることを特徴とする請求項1に記載の磁気センサ装置。
- 前記リング回路において、前段の半導体磁気センサの分離されたドレイン領域の一方を後段の半導体磁気センサのゲート電極に接続する際に、
すべての半導体磁気センサについて、被検出磁界に対して同様の電流の増減傾向を示す分離されたドレイン領域の一方を後段の半導体磁気センサのゲート電極に接続することを特徴とする請求項2に記載の磁気センサ。 - 前記複数個の半導体磁気センサは、前記ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域に関して同じ大きさに形成されることにより、後段の半導体磁気センサのゲート電極に接続される前段の半導体磁気センサの分離されたドレイン領域の一方を流れる電流値が、各半導体磁気センサにおいて等しくなるように設定されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の磁気センサ装置。
- 前記複数個の半導体磁気センサの中の1個の半導体磁気センサとアースとの間に電界効果トランジスタを直列接続し、この電界効果トランジスタのゲート電極に、前記リング回路内にパルス信号を伝播させるための起動信号を入力することにより、前記1個の半導体磁気センサを起動用磁気センサとして用いることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の磁気センサ装置。
- 前記出力回路は、前記被検出磁界がゼロの時の所定期間における前記リング回路内のパルス信号の伝播状態を基準値として、検出した伝播状態とその基準値との相違量から被検出磁界に応じたデジタルデータを出力することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の磁気センサ装置。
- 前記リング回路は、奇数個の半導体磁気センサをリング状に接続することによって構成されることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の磁気センサ装置。
- 前記リング回路は、偶数個の半導体磁気センサをリング状に接続することによって構成され、
前記リング回路において、パルス信号の伝播方向に沿って前記起動用磁気センサとの間に偶数個の半導体磁気センサが接続される位置にある半導体磁気センサを第1のリセット用半導体磁気センサとし、この第1のリセット用半導体磁気センサとアースとの間に第2のリセット用半導体磁気センサを直列接続し、この第2のリセット用半導体磁気センサのゲート電極に、前記起動用磁気センサと前記第1のリセット用半導体磁気センサとの間に接続された半導体磁気センサであって、前記起動用磁気センサから数えて偶数番目の半導体磁気センサの分離されたドレイン領域の一方を接続することにより、前記リング回路内に2種類のパルス信号を同時に伝播させることを特徴とする請求項5に記載の磁気センサ装置。
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