JP3999587B2 - 半導体ウェーハを同時に両面で材料除去加工するための方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、上側の加工定盤および下側の加工定盤に対して相対的な半導体円板、つまり半導体ウェーハ（ｗａｆｅｒ）の最適化された軌道曲線を使用して、半導体ウェーハを同時に両面で材料除去加工するための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウェーハを製造するための典型的な一連のプロセス（「プロセス鎖」と呼ぶ）は、次に挙げるような複数のプロセスステップを包含している；ソーを用いたスライシング−エッジラウンディングもしくはベベル−ラッピングまたは研削−湿式化学的なエッチング−ポリシングならびに上に挙げたプロセスステップのうちの少なくとも幾つかのプロセスステップの前後に行われるクリーニングステップ。特に、たとえば０．１３μｍまたは０．１０μｍの線幅を有する次世代の構成素子を製作するための出発製品として使用したい半導体ウェーハでは、平行平面性および平坦度に対して高い要求が課せられる。このことは、上に挙げた事例では、平坦性の尺度である、たとえば２５ｍｍ×２５ｍｍの構成素子面に関する０．１３μｍまたは０．１０μｍに等しいか、またはそれよりも小さい平坦度ＳＦＱＲ_ｍａｘ（ＳＦＱＲ＝ｓｉｔｅ ｆｒｏｎｔ−ｓｕｒｆａｃｅ ｒｅｆｅｒｅｎｃｅｄ ｌｅａｓｔ ｓｑｕｕａｒｅｓ）により表すことができる。このような要求には、プロセス鎖において少なくとも１つの製作ステップを、半導体ウェーハの表面および裏面を同時に加工するステップとして実施することにより応えることができる。このようなプロセスの例は、両面ラッピング、両面研削および両面ポリシングであり、これらのプロセスは、シングルウェーハプロセス（枚葉式プロセス）として実施されるか、または約５〜３０枚の半導体ウェーハを同時加工しながら実施され得る。
【０００３】
同時に複数の半導体ウェーハを両面ラッピングする技術は、かなり以前より知られており、たとえば欧州特許出願公開第５４７８９４号明細書に記載されている。複数の製造業者の種々のサイズの適当な設備が市場で入手可能である。この場合、半導体ウェーハは、砥粒（Ａｂｒａｓｉｖｓｔｏｆｆ）を含有した懸濁液の供給下に、当業者により「ラップ定盤」と呼ばれる、たいていは鋼から成っていて、かつ懸濁液を良好に分配するための複数の通路を備えている上下の作業定盤の間で、ある程度の圧力で加圧されながら運動させられ、これにより半導体材料が除去される。この場合、半導体ウェーハは、駆動リングによって回転させられた、半導体ウェーハを収容するための複数の切欠きを備えた「キャリヤ」と呼ばれる回転ディスクによって、所定の幾何学的軌道に沿って保持される。
【０００４】
ラッピングの役目は、半導体結晶のスライシング工程でのソーイング時に形成された、表面近傍の加工変質層（「ダメージ」）を除去し、かつ半導体ウェーハの規定の厚さおよび平行平面性を形成することである。典型的な除去量は半導体材料２０μｍ〜１２０μｍであり、この除去量は半導体ウェーハの両面に均一に分配されていることが有利である。
【０００５】
半導体ウェーハを両面研削するための方法もやはり知られており、最近ではコスト利点に基づき、ラッピングに代わる手段としてますます多く使用されつつある。これに関連して、たとえばドイツ連邦共和国特許出願公開第１９６２６３９６号明細書には、複数の半導体ウェーハを同時に加工する方法が記載されている。この方法は、両面ラッピングの場合の運動と類似した半導体ウェーハの運動を用いて行われる。両面研削には、この場合、ラッピングと同じ役目が課せられる。すなわち、典型的な除去量も比較可能となる。
【０００６】
半導体ウェーハを両面ポリシングするための方法は、ラッピングを進化させたものである。この場合、作業定盤である上下のラップ定盤の代わりに、研磨布もしくはポリシングパッドを貼り付けられた平らな研磨定盤が使用され、そしてたいていはアルカリ性に安定化されたコロイドを含有した研磨懸濁液（研磨スラリ）が供給される。米国特許第５８５５７３５号明細書の記載によれば、６重量％（ｗｔ％）の固体濃度が超えられると、化学的機械的な両面研磨から、ラッピングモードの両面粗研磨への移行が行われる。
【０００７】
この場合にも、半導体ウェーハは、回転させられたキャリヤによって、一般に互いに逆向きに回転する上下の研磨定盤において、規定された軌道に沿って運動させられる。これに関連したポリシング機は、たとえばドイツ連邦共和国特許出願公開第１０００７３９０号明細書に記載されている。高い平坦度を得るために半導体ウェーハを両面研磨するための方法は、ドイツ連邦共和国特許第１９９０５７３７号明細書に基づき公知であり、この場合、研磨し終えた半導体ウェーハの厚さは、特殊鋼から成るキャリヤよりも２〜２０μｍだけしか大きくない。この方法を用いると、２５ｍｍ×２５ｍｍの構成素子面を有する格子パターンに関するＳＦＱＲ_ｍａｘとして表されるローカルサイトな平坦度値が０．１３μｍに等しいか、またはそれよりも小さくなるような半導体ウェーハを得ることができる。このような半導体ウェーハは、０．１３μｍに等しいか、またはそれよりも小さい線幅を有する半導体構成素子プロセスのために必要となる。両面ポリシングによる後加工のための方法がドイツ連邦共和国特許第１９９５６２５０号明細書に記載されている。半導体ウェーハの縁部を保護するために、キャリヤは、欧州特許第２０８３１５号明細書に記載の構成により、半導体ウェーハを収容するためのプラスチックでライニングされた切欠きを有していると好都合である。キャリヤの切欠きをこのようなプラスチックでライニングすることは、ラッピングにおいてもたびたび使用されている方法である。
【０００８】
両面ポリシングの役目は、半導体ウェーハの最終的な平行平面性および平坦度を調節し、かつ前プロセス、たとえばラッピングまたは研削およびこれに続くエッチングからの加工変質された結晶層ならびに表面ラフネス（粗さ）を取り除くことである。両面研磨された半導体ウェーハの高い平坦度が得られると同時に、これと相まって、パーティクル付着傾向の減じられた、研磨された裏側の面も得られることに基づき、このような材料除去ポリシング法は特に２００ｍｍ以上の直径の半導体ウェーハの製造時においては、表側の面の片面ポリシングよりも著しく重要となっている。典型的な除去量はこの場合、半導体材料１０μｍ〜５０μｍである。
【０００９】
両面ポリシングの場合には、たいてい半導体ウェーハの表側の面と裏側の面とから等量の材料が除去される。それに対して、国際公開第００／３６６３７号パンフレットには、両面ポリシングにおいて、上側の研磨定盤の高められた回転数により実現することのできる、高められた表側での材料除去量により、ウェーハ裏面に意図的に変質された結晶層を残す方法が記載されている。ドイツ連邦共和国特許出願公開第１９７０４５４６号明細書に記載によれば、多段式の方法、つまり両面ポリシング―たとえば酸化物による裏面の被覆―再度の両面ポリシングのステップから成る方法によっても、このような非対称的な材料除去を行うことができる。
【００１０】
半導体ウェーハの製造者として競争力を維持してゆくためには、要求された品質の製作をできるだけ低いコストで可能にするプロセスおよび方法を提供することが迫られている。手掛かりとなる重要なポイントは、機械当たりの半導体ウェーハの生産率をできるだけ高い程度にまで向上させることである。このことは両面ポリシングの場合では、たとえばポリシングパッドの高い可使時間と関連した高い除去率もしくは除去速度（Ａｂｔｒａｇｓｒａｔｅ）を実現することを意味する。両面加工のために働くラッピング法および研削法についても、同様のことが云える。ただし、作業定盤の場合では、ポリシングパッドの寿命の代わりにラップ定盤もしくは砥石定盤の寿命が問題となる。
【００１１】
公知先行技術によるこれらの方法の欠点は、両面ラッピング、両面研削および両面ポリシングにおいて、特定の製品特性、たとえば高い平坦度および／または表面スクラッチの不在を維持しながら、規定された材料除去量において、高められた機械処理量もしくは短縮されたサイクル時間を実現することが不可能であることである。加工圧を高めることにより半導体材料の除去速度を向上させるという試みは、平坦度の劣悪化および／または表面スクラッチの発生を招き、これにより、こうして製造されたウェーハは引き続き加工することができず、廃棄されるか、または高められたコスト手間をかけて後処理されなければならない。
【００１２】
米国特許第６１８０４２３号明細書には、キャリヤにより保持されかつその中心点を中心にして回転するように、同じく回転する研磨定盤を介して運動させられる唯一枚の半導体ウェーハの片面ポリシングの場合に、ポリシングパッドに対して相対的な半導体ウェーハの軌道曲線が、ポリシングパッドの回転速度ｍ対キャリヤの回転速度ｎの比に関連していることが記載されている。すなわち、このような渦巻状もしくは螺線状の軌道曲線によってポリシングパッドができるだけ均一にカバーされることが記載されている。このことは、ｍおよびｎのできるだけ高い最小公倍数により達成される。利点としては、永続的に高められた除去速度および改善されたポリシングパッド寿命が確認されている。この方法も、上で述べた公知先行技術における欠点を埋めることができない。なぜならば、両面側で働く材料除去加工法、つまりキャリヤの回転が、研磨定盤に対して相対的な、機械中心を中心とした並進運動によって重畳されていて、したがって２の自由度の代わりに４の自由度（上側の定盤および下側の定盤の回転数、キャリヤの内側の駆動装置および外側の駆動装置の回転数）が配慮されなければならないような材料除去加工法への適用が不可能であるからである。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、たとえばラッピング、研削またはポリシングにより半導体ウェーハを同時に両面で材料除去加工するための方法を改良して、加工機械当たりの、規定された品質の半導体ウェーハの一層高い生産率によりコスト利点をもたらすような方法を開発するという課題が課せられた。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の対象は、表面と裏面とを有する半導体ウェーハを同時に両面で材料除去加工するための方法であって、半導体ウェーハが、環状の外側の駆動リングと、環状の内側の駆動リングとにより回転させられたキャリヤ内に位置している状態で、該半導体ウェーハを、互いに逆向きに回転する２つの作業定盤の間で、それぞれ上側の作業定盤に対して相対的な所定の軌道曲線と、下側の作業定盤に対して相対的な所定の軌道曲線とにより描くことのできる運動様式で運動させる形式の方法において、両軌道曲線が、
（ａ）中心点を巡る６つのループの形成後に、まだ開いた外観を有しており、かつ
（ｂ）いかなる個所でも、内側の駆動リングの半径と少なくとも同じ大きさの曲率半径を有している
ことを特徴とする、半導体ウェーハを同時に両面で材料除去加工するための方法である。
【００１５】
【発明の効果】
言い換えれば、両軌道曲線は中心点を巡る６つまたはそれよりも少ないループの形成後に、それ自体閉じられていないか、またはそれ自体ほとんど閉じられておらず、しかも両軌道曲線はいかなる個所でも、内側の駆動リングの曲率半径よりも小さな曲率半径を有していないことになる。
【００１６】
本発明による軌道曲線はその形状に関して、キャリヤの駆動と作業定盤の駆動とによって複数の運動が重畳されていることにより、公知先行技術による片面ポリシングの、厳しい螺旋状の曲線とは異なっている。本発明の大きな特徴は、上側の作業定盤も下側の作業定盤も、作業定盤に対して相対的な半導体ウェーハ運動の軌道曲線で均一に覆い尽くされるだけでなく、急激な方向変化も行われないことである。たとえば両面ポリシングの場合では、第１の要求に基づき、上下のポリシングパッドの均一な摩耗および迅速な再生が保証されており、そして第２の要求に基づき、半導体ウェーハの滑らかでない走行様式が回避され、これによりキャリヤの振動および／または半導体ウェーハの傾動、ひいては平坦度の悪化や、最悪の場合にはキャリヤからの進出による半導体ウェーハの破壊をも招く危険が回避される。このような関連性が存在することは意想外であり、全く予見することができなかった。両面ラッピングおよび両面研削に関しても、両面ポリシングについて述べた考察結果と同様のことが云える。
【００１７】
当該方法の出発製品は、公知の形式で結晶から分離され、エッジラウンディングされ、かつ場合によっては別のプロセスステップに施された半導体ウェーハである。この半導体ウェーハは、方法および目的設定に応じて、ソーイングもしくはスライシングされたか、研削されたか、エッチングされたか、研磨されたか、またはエピタキシャル成長された表面を有していてよい。所望に応じて、半導体ウェーハの縁部が研磨されていてもよい。
【００１８】
当該方法の最終製品は、両面ラッピングされたか、両面研削されたか、または両面研磨されていて、高い平坦度および無スクラッチ性を有しており、さらに、公知先行技術により製造された同品質の半導体ウェーハより、製造コストの点で優っているような半導体ウェーハである。
【００１９】
本発明による方法は、たとえばラッピング、研削およびポリシングによって、これらの方法により加工可能となる材料から成る種々様々なディスク状の物体を両面加工するために使用することができる。このような材料は、たとえばガラス、たとえば二酸化ケイ素を主体としたガラス、および半導体、たとえばシリコン、シリコン／ゲルマニウムおよびガリウムヒ素である。引き続き電子構成素子、たとえばプロセッサおよびメモリ素子の製作で使用するための単結晶の形のシリコンが、本発明の枠内では特に有利である。
【００２０】
本発明による方法は、特に２００ｍｍに等しいか、またはそれよりも大きい直径と、５００μｍ〜１２００μｍの厚さとを有する半導体ウェーハを加工するために適している。このような半導体ウェーハは、直接に半導体構成素子を製造するための出発材料として使用され得るか、または別のプロセスステップ、たとえば湿式化学的なエッチングまたはプラズマエッチング、ポリシングの実施後に、かつ／または裏面封印層またはウェーハ表側の面のエピタキシャル被覆層のような層の被着後に、かつ／または熱処理によるコンディショニングの後に、対応する使用目的に供給され得る。均質材料から成るウェーハの製造の他に、本発明はもちろん、多層構造に形成された半導体基板、たとえばＳＯＩウェーハ（ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）を製造するためにも使用され得る。
【００２１】
引き続き、本発明による方法を、シリコンウェーハの両面ポリシングを例にとって説明する。最適化された軌道曲線を計算しかつ規定するためのデータは、当業者にとっては問題なく、同様の運動学的作用形式を有する方法、たとえば両面ラッピングまたは両面研削に転用可能である。この場合、たとえばポリシングパッドで覆われた研磨定盤の代わりに通路または研削砥石を備えた作業定盤が使用され、かつポリシングパッドの摩耗の代わりに、ラップ定盤または研削定盤の摩耗が考慮される。
【００２２】
原理的には、たとえば内周刃式ソーまたはワイヤソーを用いたスライシング法によりスライスされた多数のシリコンウェーハを直接に本発明による両面ポリシングステップに施すことが可能である。しかし、鋭利な輪郭に仕切られたウェーハエッジ、つまり機械的に極めて敏感なウェーハエッジを、適当にプロファイリングされた砥石車を用いて丸めることが有利である。さらに、ジオメトリ（幾何学的形状）の改善の目的および破壊された結晶層、つまり加工変質層の部分的除去の目的で、シリコンウェーハを、ラッピングおよび／または研削および／またはエッチングのような除去ステップに施すことが有利である。この場合、上に挙げた全てのステップは公知先行技術により実施される。
【００２３】
本発明によるポリシングステップを実施するためには、少なくとも３つのキャリヤを使用して少なくとも３枚のシリコンウェーハの同時ポリシングを可能にするような、適当なサイズの両面ポリシングのための市販の機械を使用することができる。等間隔を置いて所定の円形軌道に沿って配置されたそれぞれ少なくとも３枚のシリコンウェーハで占められている３〜５つのキャリヤを同時に使用することが特に有利である。しかし、各キャリヤがそれぞれ１枚のシリコンウェーハでしか占められていないことも可能である。しかしこの場合、このシリコンウェーハは、本発明を組み換えることができるようにするために、キャリヤの中心外に配置されていることが望ましい。
【００２４】
ポリシング機は主として、水平方向に自由に回転可能な下側の研磨定盤（プラテン）と、水平方向に自由に回転可能な上側の研磨定盤とを有していて、これらの研磨定盤にはそれぞれ研磨布もしくはポリシングパッドがカバーされていて、有利には貼り付けられている。このポリシング機は、適当な化学的組成の研磨剤の連続的な供給下に、両面の材料除去ポリシング加工を可能にする。有利にはステンレスクロム鋼から成っているキャリヤは、シリコンウェーハを収容するための、適当に寸法設定された、プラスチックでライニングされた複数の切欠きを有している。これらのキャリヤは、たとえばいわゆる「ピン歯車（Ｔｒｉｅｂｓｔｏｃｋ−Ｓｔｉｆｔｖｅｒｚａｈｕｎｇ）」と呼ばれるピン歯列またはインボリュート歯列を用いて、回転する内側の内側のピン付リングまたは歯付リングと、この内側のリングとは逆向きに回転する外側のピン付リングまたは歯付リングとを介してポリシング機と接触していて、これにより互いに逆向きに回転する両研磨定盤の間で回転運動にもたらされる。「ピン歯車」は、キャリヤの回転特性が一層安定しかつピンが容易に交換可能となることに基づき特に有利である。
【００２５】
本発明によるポリシング法に用いられるキャリヤは、５００〜１２００μｍの有利な厚さを有しており、この厚さは、研磨されたシリコンウェーハの最終厚さに左右され、この最終厚さ自体はシリコンウェーハの直径およびプランニングされた使用目的に関連している。極めて平らなシリコンウェーハの製造に関しては、研磨されたウェーハの最終厚さがキャリヤ厚さよりも２〜２０μｍだけ大きく形成されることが有利であり、この場合、３〜１０μｍの範囲が特に有利である。両面ポリシングによるシリコン除去量は、有利には２〜７０μｍ、特に有利には５〜５０μｍである。
【００２６】
本発明を説明するためには、本発明を明瞭にする幾つかの図面が用いられる。全てのデータは、キャリヤを駆動するための外側および内側の駆動リングに設けられたピン列（歯車の内歯および外歯に相当する）を装備した、ピータ・ウォルターズ社（Ｆａ．Ｐｅｔｅｒ Ｗｏｌｔｅｒｓ、ドイツ連邦共和国Ｒｅｎｄｂｕｒｇ在）のタイプＡＣ２０００の市販の両面ポリシング機での、直径３００ｍｍのシリコンウェーハのポリシングに関するものである。本発明の根底を成す関連性は、上記タイプのポリシング機よりも小型または大型のポリシング機ならびにラッピング機、研削機および比較可能な運動学特性で作業するその他の材料除去機、および上記サイズのウェーハよりも小さな半導体ウェーハまたは大きな半導体ウェーハの加工にも転用することができる。したがって、図示の実施例は本発明を制限するものではない。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を図面につき詳しく説明する。
【００２８】
図１には、両面ポリシングのための３枚の３００ｍｍ−シリコンウェーハを収容するための７２０ｍｍの直径を有する回転ディスク、つまりキャリヤ１が図示されている。
【００２９】
図２には、図１に示したキャリヤ１の複数個が、両面ポリシング機に配置された状態が示されており、この場合、外側の駆動ピン付リング６の直径は１９７０ｍｍであり、内側の駆動ピン付リング５の直径は５３０ｍｍである。
【００３０】
図３には、図２に示したポリシング機において、上下の研磨定盤と内外の駆動ピン付リングとが同時に回転している場合にポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの運動のために重要となるジオメトリ特性が示されている。
【００３１】
図４ａ〜図４ｆには、比較例１で調節された回転パラメータに関して、図２に示したポリシング機での両面ポリシングの際の、上側のポリシングパッド（ａ、ｃ、ｅ）および下側のポリシングパッド（ｂ、ｄ、ｆ）に対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線がそれぞれデカルト座標系で示されており、この場合、図４ａには、６秒の運転時間後の上側のポリシングパッドに対して相対的な軌道曲線が描かれており、図４ｂには、６秒の運転時間後の下側のポリシングパッドに対して相対的な軌道曲線が描かれており、図４ｃには、２０秒の運転時間後の上側のポリシングパッドに対して相対的な軌道曲線が描かれており、図４ｄには、２０秒の運転時間後の下側のポリシングパッドに対して相対的な軌道曲線が描かれており、図４ｅには、１２０秒の運転時間後の上側のポリシングパッドに対して相対的な軌道曲線が描かれており、図４ｆには、１２０秒の運転時間後の下側のポリシングパッドに対して相対的な軌道曲線が描かれている。
【００３２】
図５ａ〜図５ｆは、比較例２に関する図４ａ〜図４ｆに相当する図面である。
【００３３】
図６ａ〜図６ｆは、比較例３に関する図４ａ〜図４ｆに相当する図面である。
【００３４】
図７ａ〜図７ｆは、例１に関する図４ａ〜図４ｆに相当する図面である。
【００３５】
図８ａ〜図８ｆは、例２に関する図４ａ〜図４ｆに相当する図面である。
【００３６】
図９ａ〜図９ｆは、例３に関する図４ａ〜図４ｆに相当する図面である。
【００３７】
図１に示した、両面ポリシングのためのキャリヤ１は、外側の歯列２により特徴付けられている。この外側の歯列２は、ポリシング機に設けられた外側の駆動ピン付リング（インターナルギヤの内歯列の代わりにピン列を備えたリング）および内側の駆動ピン付リング（サンギヤの外歯列の代わりにピン列を備えたリング）のピン列と噛み合うことができる。キャリヤ１はさらに、研磨したいシリコンウェーハを収容するための、プラスチックでライニングされた複数の開口３と、両ポリシングパッドの間での研磨剤の良好な分配を保証する複数の付加的な開口４とを有している。
【００３８】
図２には、タイプＡＣ２０００のポリシング機が、直径３００ｍｍのそれぞれ３枚の半導体ウェーハＨ、この場合にはシリコンウェーハで占められたキャリヤ１で占められている典型的な最大バッチ状態が示されている。たとえば同じくピータ・ウォルターズ社（Ｆａ．Ｐｅｔｅｒ Ｗｏｌｔｅｒｓ）により製造された小型のタイプＡＣ１５００のポリシング機が２００ｍｍ−半導体ウェーハで占められる場合にも、同様のジオメトリ配置が生ぜしめられる。キャリヤ１は内側の駆動ピン付リング５と外側の駆動ピン付リング６とによって回転させられる。この場合、内側の駆動ピン付リング５の回転方向と外側の駆動ピン付リング６の回転方向とは互いに異なる正負符号を有していると有利である。半導体ウェーハＨはこの場合、回転する上側の研磨定盤のポリシングパッドと、有利には逆向きに回転する下側の研磨定盤７のポリシングパッドとに接触している。上下の研磨定盤は上から見て完全に合致して重なり合っている。
【００３９】
図３には、両面ポリシング時のジオメトリ特性を導き出すために重要となるデータが書き込まれている。この場合、両駆動ピン付リング５，６と、両研磨定盤７とは、ポリシング機の固定の中心軸線Ｍを中心にして回転し、それに対してキャリヤ１はそれぞれ固有の中心Ｍ′を中心にして回転する。この中心Ｍ′は位置固定である必要はない。これに関連して、以下に挙げる回転特性数（たとえばｒ．ｐ．ｍ．＝１分間当たりの回転数で表す）が重要となる：
ｎ_ｏ ＝Ｍを中心とした上側の研磨定盤７の回転数
ｎ_ｕ ＝Ｍを中心とした下側の研磨定盤７の回転数
ｎ_ａ ＝Ｍを中心とした外側の駆動ピン付リング６の回転数
ｎ_ｉ ＝Ｍを中心とした内側の駆動ピン付リング５の回転数
ｎ_{ＬＳｒｏｔ} ＝Ｍ′を中心としたキャリヤ１の回転数
ｎ_{ＬＳｔｒａｎｓ}＝Ｍを中心としたキャリヤ１の回転数
この場合、機械操作者により自由に設定可能となるのは、ｎ_ｏおよびｎ_ｕならびに４つの量ｎ_ａ，ｎ_ｉ，ｎ_{ＬＳｒｏｔ}およびｎ_{ＬＳｔｒａｎｓ}のうちの２つである。このことは以下のジオメトリ関係から得られる；
【００４０】
【数１】

【００４１】
および
【００４２】
【数２】

【００４３】
または（１）および（２）の変換後に
【００４４】
【数３】

【００４５】
および
【００４６】
【数４】

【００４７】
式中、ｒ_ＬＳ＝キャリヤ１の半径
ｒ_ａ ＝外側の駆動ピン付リング６の半径
ｒ_ｉ ＝内側の駆動ピン付リング５の半径。
【００４８】
タイプＡＣ２０００の機械については、
（３）がｎ_{ＬＳｒｏｔ}＝０．５８０１×（ｎ_ａ−ｎ_ｉ） （５）となり
（４）がｎ_{ＬＳｔｒａｎｓ}＝０．７８８０×ｎ_ａ＋０．２１２０×ｎ_ｉ （６）となる。
【００４９】
次に、キャリヤ１の中心Ｍ′から間隔ａを置いて位置する点Ｐの、上側のポリシングパッド７に対して相対的な軌道曲線について考察する。この点Ｐは、半導体ウェーハＨが全て中心Ｍ′を中心にして等間隔で配置されている場合には、半導体ウェーハＨの中心点であってよい。ポリシングパッドの負荷を考慮するために、点Ｐは、半導体材料で最も密に占められた、中心Ｍ′を中心として描かれた円に位置する点であると有利である。ポリシング機ＡＣ２０００におけるキャリヤ１の上記使用事例では、この円の半径ａが２００ｍｍであると仮定されている。
【００５０】
外側の駆動ピン付リング６に沿ったキャリヤ１の転動により、実際の点Ｐはまず仮想点Ｐ′へ移動する。この仮想点Ｐ′はＭに関してＰから角度ψを成して位置している。この運動は内サイクロイド軌道と解釈することができる。このような運動は、当業者により知られている式；
【００５１】
【数５】

【００５２】
および
【００５３】
【数６】

【００５４】
によりデカルト座標系に描くことができる（ｒ_ａ−ｒ_ＬＳ＝ｒ_ｉ＋ｒ_ＬＳであることに基づき、選択された事例では、外サイクロイド軌道のための方程式を用いても描写が可能となる。この場合、キャリヤは内側の駆動ピン付リングを中心にして転動される。）。
【００５５】
点Ｐが内サイクロイド軌道の区分ψを通って点Ｐ′へ移動させられる間、たとえば上側の研磨定盤は反対方向に角度−τ_ｏだけ回転し、このことは点Ｐ′を角度τ_ｏ分だけＭを中心にして回転させることになり（＝Ｍを中心とした円軌道に沿ったＭ′の「並進運動」）、ひいては点Ｐ′′を生ぜしめる。単位時間ｔ後の上側の研磨定盤に関する出発点Ｐに対して相対的な点Ｐ′′の位置を算出できるようにするためには、まず角度ψおよび角度τｏを展開するための時間が対比されなければならない。このためには、外側の駆動ピン付リング６を、仮想的に運動しない基準円であると仮定する：
【００５６】
【数７】

【００５７】
その場合、τ_ｏ＝−ｎ_ｏ′×ｔ （１３）であり（もしくはτ_ｕ＝−ｎ_ｕ′×ｔ；ｎ_ｏまたはｎ_ｕおよびτ_ｏまたはτ_ｕの互いに異なる回転方向に基づいた負の符号）、かつ
ψ＝ｎ_{ＬＳｔｒａｎｓ}′×ｔ （１４）である。
【００５８】
式（９）により、τ_ｏ＝（ｎ_ａ−ｎ_ｏ）×ｔ （１５）が成立し；
式（１１）および式（１４）を式（１）に挿入することにより、
ψ＝−（ｒ_ＬＳ／ｒ_ａ）×ｎ_{ＬＳｒｏｔ}×ｔ （１６）が得られる。
【００５９】
式（１５）および式（１６）をｔに関して同等にすることにより、
τ_ｏ＝（ｎ_ｏ−ｎ_ａ）×ψ×ｒ_ａ／（ｎ_{ＬＳｒｏｔ}×ｒ_ＬＳ） （１７）が得られる。
【００６０】
すなわち、点Ｐから内サイクロイド運動（式（７）および式（８））に基づき、Ｍを中心にして角度ψが進められる間、それと同時に上側の研削定盤に対して相対的な回転運動τ_ｏが行われる。この回転運動は式（１７）によりψの関数として表すことができる。両運動の重畳は、内サイクロイド運動を描いた座標系ｘ―ｙを、−τ_ｏを中心にして座標系ｘ′―ｙ′へ回転させることにより行うことができる：
【００６１】
【数８】

【００６２】
全運動Ｐ・Ｐ′′は、式（７）、式（８）および式（１７）を式（１８）および式（１９）に挿入することにより表すことができる：
【００６３】
【数９】

【００６４】
この場合、（ｘ′，ｙ′）は内サイクロイド軌道を通る角度ψの通過後の点Ｐ′′の座標に相当している。ψ＝０については、ｘ′＝ｒ_ａ−ｒ_ＬＳ＋ａおよびｙ′＝０が成立する。
【００６５】
上側の（もしくは下側の）研磨定盤に対して相対的な点Ｐの平均速度Ｖ_ｏ（Ｖ_ｕ）は、点（ｘ′，ｙ′）の移動距離ｓが式（２０）および式（２１）を使用して、たとえば１゜の間隔で、角度＞３６０゜の小さな角度インクレメンタル量（増加分）Δψに関する間隔（ｘ_ｊ，ｙ_ｊ）および（ｘ_ｉ，ｙ_ｉ）の総和から合計されると、点（ｘ′，ｙ′）の移動距離
【００６６】
【数１０】

【００６７】
および時間ｔに関して分解された式（１６）
【００６８】
【数１１】

【００６９】
から、ｖ＝ｓ／ｔ（もしくはｖ_ｏ＝ｓ_ｏ／ｔおよびｖ_ｕ＝ｓ_ｕ／ｔ）
【００７０】
【数１２】

【００７１】
に対して算出され得る。速度変化の算出も可能となる。
【００７２】
記載した計算式（２０）、（２１）および（２３）により、軌道曲線および速度の算出を市販のテーブル計算プログラム（Ｔａｂｅｌｌｅｎｋａｌｋｕｌａｔｉｏｎｓｐｒｏｇｒａｍｍ）を用いて、それぞれ十分に出力強力なデスクコンピュータ（「ＰＣ」）で行うことができる。
【００７３】
理論的には、回転数ｎ_ｏ、ｎ_ｕ、ｎ_ａ、ｎ_ｉおよびこれらの回転数から得られる平均的な相対速度ｖ_ｏおよびｖ_ｕならびに研磨圧Ｐに関しては、任意の組み合わせを選択することができる。ただし、実際には、これらの可能性には、とりわけ機械設計、材料負荷および安全性観点に基づいた制約が課されている。上側および下側の研削定盤ならびに外側および内側の駆動ピン付リングが、それぞれ互いに異なる回転方向を有していると有利である。このことは正負符号で表される。直径３００ｍｍの１５枚のシリコンウェーハを１台のポリシング機ＡＣ２０００で同時に研磨するためには、以下の特に有利なパラメータ範囲が好都合である。これらのパラメータ範囲は生産運転においてコントロール可能であり、しかも本発明をもたらした詳細な実験の対象であった：
【００７４】
【数１３】

【００７５】
これらの条件下に、０．４〜２．０μｍ／分のシリコン除去速度が得られた。本発明の枠内では、十分に高い機械スループット（処理量）を保証するために、０．６５〜１．８μｍ／分の除去速度が有利である。特に有利には、０．８〜１．５μｍ／分の除去速度である。
【００７６】
あらゆる別の材料除去法にも同様に適用可能であるとされている、ポリシングを理解する上での手掛かりとなる理論的解釈によれば、除去速度は研磨圧Ｐおよびシリコンウェーハ／ポリシングパッドの相対速度ｖに対して比例しているとされている（Ｐｒｅｓｔｏｎの式）。これによれば、除去速度を一定の回転特性において圧力の増大によって高めるか、または相対速度は同じまま、ただし回転パラメータの組み合わせを異ならせて同じポリシング結果をもたらすことが可能となる。
【００７７】
特に、両面側で作業する方法、たとえば両面ポリシングの場合、この式は制限された範囲でしか使用可能にならない。なぜならば、Ｐおよび／またはｖ_ｏ／ｖ_ｕの増大による除去速度の向上は、しばしば、たとえばＳＦＱＲ_ｍａｘとして表される平坦度の悪化または、たとえばポリシングパッド上での材料沈積によるスクラッチレートの増大を併発させてしまうからである。したがって、本発明の枠内では、軌道曲線と圧力との最適な組み合わせが模索された。
【００７８】
式（２０）、式（２１）および式（２３）の使用下に、パラメータｎ_ｏ、ｎ_ｕ、ｎ_ａ、ｎ_ｉの種々の組み合わせにより、上側もしくは下側のポリシングパッドに対して相対的な点Ｐの種々様々の軌道曲線ならびに種々の相対速度を形成することができることが判った。幾つかの例が図４ａ〜図９ｆに描かれている。原理的には、こうして挙げられた開いた軌道曲線（図４ａ〜図４ｆならびに図７ａ〜図９ｆ）と、僅か数個のループ形成後に閉じられた軌道曲線（図５ａ〜図５ｆおよび図６ａ〜図６ｆ）とを区別することができる。さらに、開いた軌道曲線については、比較的弱めに付与された湾曲を有する曲線（図７ａ〜図９ｆ）と、強めに付与された湾曲を有する曲線（図４ｂ、図４ｄ、図４ｆ）とに区別することができる。
【００７９】
閉じた軌道曲線は、記載した範囲内での回転数のバリエーションにおいて周期的に出現する。たとえばｎ_ａ＝５．４ｒ．ｐ．ｍ．およびｎ_ｉ＝−１６ｒ．ｐ．ｍ．に関して、以下の定盤回転数の範囲で、閉じた軌道曲線が認められる：

一重ループは、図５ａ〜図５ｆに描かれており、３重ループおよび４重ループは図６ａ〜図６ｆに描かれている。
【００８０】
閉じられた軌道曲線に沿った点Ｐ・Ｐ′′の運動により表される、上下のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの運動は、ポリシングパッドの不均一な負荷をもたらす結果となる。第１に、ポリシングパッドはこれらの軌道に沿ってポリシング過程中に圧縮の後に、このポリシングパッドが次のシリコンウェーハによって擦過される前に十分に弛緩せず、このことは得られるウェーハ平坦度を損なう。第２に、最大負荷の軌道に沿って、研磨除去されたシリコンまたはその反応生成物の優先的な沈積が行われ、このことは当業者により、除去速度の低下および部分的には、シリコンウェーハの引っ掻かれた表面に開口した、ポリシングパッドにおける茶色のストライプの形成につき認識される。これらの効果はとりわけ、より高い除去速度を得る目的で、たとえば０．１０〜０．１５バールから０．１８〜０．２５バールへの研磨圧の増大が実施された場合に出現する。
【００８１】
本発明を得るための実験の枠内で、図５ａ〜図６ｆに描かれているような、６に等しいかまたは６よりも小さなループ数を有する、閉じた軌道曲線またはほぼ閉じた軌道曲線が回避されると、ジオメトリや研磨スクラッチに対する著しい不都合な影響なしに研磨圧の増大が達成されることが判った。このことは、たとえば駆動ピン付リング回転数ｎ_ａ＝５．４ｒ．ｐ．ｍ．およびｎ_ｉ＝−１６ｒ．ｐ．ｍ．の事例に関して、上下の研磨定盤のための、さらに上で記載した回転数ｎ_ｏおよびｎ_ｕの範囲（つまり±０．１〜±０．２５ｒ．ｐ．ｍ．）を回避することにより行うことができる。駆動ピン付リング回転数ｎ_ａおよびｎ_ｉに関する改良された組み合わせのためには、これらの臨界的な値がシフトされ、この場合、一般に同じ軌道図面が予想され得る。臨界的な軌道曲線を回避するというこのような要求は、図７ａ〜図９ｆに描かれた軌道曲線において満たされている。
【００８２】
６よりも大きなループ数を有する閉じた軌道曲線またはほぼ閉じた軌道曲線は、事実上、ポリシングパッドを均一に覆い尽くすことを意味し、本発明の枠内では非臨界的となる。
【００８３】
本発明にとって重要となる第２の条件は、軌道曲線８の経過中に生じる曲率半径に関するものである。特に、たとえば０．１０〜０．１５バールから０．１８〜０．２５バールへの研磨圧の前記増大が実施される場合に、軌道曲線の突発的な方向変化は、この個所で行われる相対運動の制動と相まって、特にシリコンウェーハの十分に高い平坦度を得るためには不都合となることが判った。圧力範囲の上限における走行様式では、シリコンウェーハが傾倒によってキャリヤから引き出される事態が生じる恐れがある。このことは不可避に破壊を招き、この場合、一般にはシリコンウェーハおよびポリシングパッドだけでなく、キャリヤセットも破壊されてしまう。このような走行様式の一例が図４ｂにおいて点９につき示されている。軌道曲線８のこのように臨界的な曲率半径は、比較的低い研磨定盤回転数（＜１０．．．１２ｒ．ｐ．ｍ．）ならびに定盤回転数に比べて相対的に高いキャリヤ回転速度において出現し得る。
【００８４】
したがって、品質損失を甘受する必要なしに両面ポリシングにおける除去速度を高めるためには、閉じた軌道曲線の他に、内側の駆動ピン付リング５の曲率半径よりも低い軌道曲線の曲率半径も回避されなければならない。当然ながら、これら２つの条件は、上下の研磨定盤に対して相対的な軌道曲線について同時に有効にならなければならない。本発明の枠内では、式（２０）および式（２１）を使用することにより、どのような軌道曲線が、上に挙げた２つの条件を満たすのかを正確に予見することが可能となる。本発明の対象を成す、ｎ_ｏ、ｎ_ｕ、ｎ_ａ、ｎ_ｉからの可能となる多数の組み合わせの特定の選択だけが、上記理由から実際の使用において有利であると立証されることが判った。
【００８５】
本発明を特徴付けるこれらの条件を用いて、シリコンウェーハの両面ポリシングを±１．０〜±１．８ｍ／秒の軌道速度ｖ_ｏもしくはｖ_ｕおよび０．１８〜０．２５バールの圧力において、０．８および１．５μｍ／分の典型的な除去速度で行うことができる。同じ枠条件における公知先行技術による方法の場合、ドイツ連邦共和国特許第１９９０５７３７号明細書の記載によれば、たとえば０．１５バールの圧力で０．５５μｍ／分の除去速度が普通である。
【００８６】
本発明は、シリコンウェーハの表側の面と裏側の面とから等量の材料を除去することにより使用され得る。このことは、ｖ_ｏおよびｖ_ｕがほぼ等しく選択された場合に、ある程度の精度で行われる。しかし、ｖ_ｏおよびｖ_ｕの適当な選択により、片側の面、たとえば表側の面から、より多くの材料を除去することもできる。これにより、全体的にできるだけ低い全除去量において、表側の面に存在する変質された結晶層やその他の表面欠陥の除去が保証される。当然ながら、上下のポリシングパッドの均一な加工を保証するために望ましいとされる場合には、最適化された軌道曲線を、パッドクリーニングのためのブラシディスクの使用のためにも、またはパッドコンディショニングのための、砥石で占められたキャリヤの使用のためにも使用することができる。
【００８７】
回転特性および圧力特性に関して形成された構成の枠内では、両面ポリシングステップが、当業者に知られた形式で実施される。
【００８８】
ポリシングは、５０〜１００の硬度（ショアＡ）の市販のポリウレタンポリシングパッドを用いて行われると有利である。このポリシングパッドは、埋め込まれた強化ポリエステル繊維を有していてよい。シリコンウェーハのポリシングの場合には、水中の、有利には１〜５重量％のＳｉＯ_２から成る有利には９．５〜１２．５のｐＨ値を有する研磨剤を連続的に供給することが推奨される。
【００８９】
ポリシングステップを終了させるためには、化学的に極めて反応性の疎水性ウェーハ表面が不働態化されなければならない。本発明の枠内では、このことは、１種または数種の被膜形成物質を含有する１種の液体を供給するか、または順次に数種の液体を供給することにより行われると有利である。これにより、シリコンウェーハの研磨された表面、裏面および縁部が液体膜で完全に湿らされる。この場合、一般にはストップ剤中の被膜形成物質の０．０１〜１０容量％の濃度範囲が好都合となる。一価または多価のアルコール、ポリアルコールおよび界面活性剤を有する化合物のグループからの、後続のクリーニングで除去可能となる１種または数種の物質を使用することが特に有利である。同一の原理を実現する、同じく特に有利なストップ過程の構成は、化合物の前記グループからの１種または数種の物質を０．０１〜１０容量％の含量で含有する、ＳｉＯ_２を主体とした水性研磨剤を供給することである。
【００９０】
シリコンウェーハは、ストップ剤および場合によっては純水の供給の終了後にポリシング機から取り出されて、公知先行技術に基づきクリーニングされ、かつ乾燥させられる。引き続き、ポリシングステップにより影響を与えられた、ウェーハを引き続き加工する加工者により規定された品質特徴に関するシリコンウェーハの評価が、当業者に知られた方法により行われる。このような特徴は、たとえば、静電容量原理または光学原理により作動する市販の測定機器で検出することのできる局所的なジオメトリデータであってよい。評価される別の品質特徴は、ウェーハの表面、裏面および／または縁部に関する性質であってよい。この場合、スクラッチ、斑点およびその他の、理想的なシリコン表面から逸脱した欠陥の発生およびその規模を、強力に収束された光線下に目視判定することが特に重要となる。さらに、たとえば粗さ、トポロジおよび金属コンタミネーション（汚染）を市販の測定器具で検査することが好都合となるか、もしくは必要となり得る。
【００９１】
ウーハ特徴付けのために利用されるこれらのパラメータに関して、本発明により製造されたシリコンウェーハは、公知先行技術により製造されたシリコンウェーハに比べて全く劣らない。本発明により製造されたシリコンウェーハは、０．１３μｍに等しいか、またはそれよりも小さい線幅を有する半導体構成素子を製造するために適している。特に、たとえば０．１３μｍに等しいか、またはそれよりも小さいＳＦＱＲ_ｍａｘとして表される極めて高いローカルサイトな平坦度が、スクラッチなしの表面と相まって得られる。軌道曲線の最適化による設備の、本発明により可能となる生産効率向上、ひいては半導体ウェーハを同時に両面で材料除去加工するための除去速度の向上に基づき、公知先行技術による方法に比べて、１回の両面材料除去プロセスステップ当たり最大４０％だけ廉価に、もしくはプロセス鎖全体で見て最大１５％だけ廉価に半導体ウーハを製造することができ、このことは競争の点で決定的な利点を意味する。
【００９２】
別の用途に関連して、ウェーハの表側の面を、公知先行技術によるヘイズなしに研磨された表側の面を得るための表面ポリシング、たとえば０．１〜１μｍのシリコンの除去下にＳｉＯ_２を主体としたアルカリ性研磨剤を使用して軟質のポリシングパッドを用いて行われる表面ポリシングに施すことが必要になり得る。所望に応じて、プロセス鎖の任意の個所でシリコンウェーハの熱処理を導入することができる。これにより、たとえば熱ドナーが消去されるか、表面近傍の結晶層の変質が回復されるか、または意図されたドーピング物質減少が生ぜしめられる。規定の製品のために必要となる一連の別のプロセスステップ、たとえばポリシリコン、二酸化ケイ素または窒化ケイ素から成る裏面被覆層の被着またはシリコンまたは別の半導体材料から成るエピタキシ層の、シリコンウェーハ表側面への被着を、やはり当業者に知られた方法により、適当な個所でプロセス鎖に組み込むことができる。さらに、シリコンウェーハをプロセス鎖の種々の個所で、たとえばエッチングの前に、明瞭な識別特徴、たとえばレーザマーキングで負荷することもできる。
【００９３】
比較例および例
比較例および例は、生産スケールで３００ｍｍの直径を有するシリコンウェーハの両面ポリシングに関するものである。これらのシリコンウェーハは公知先行技術により、単結晶のワイヤソーイング、エッジラウンディング、両面のシーケンシャル表面研削、濃縮された硝酸／フッ化水素酸混合物中でのエッチングおよびエッジポリシングによって製造されていて、８０５μｍの厚さを有していた。これらのシリコンウェーハは、シリコンウェーハを収容するためにＰＶＤＦでライニングされたそれぞれ３つの切欠きを有する、厚さ７７０μｍのステンレスクロム鋼から成る５つのキャリヤを用いて、７７５μｍの最終厚さにまで研磨された。ポリシングパッドとしては、硬度７４（ショアＡ）の市販のポリエステル強化ポリウレタンパッドが使用された。水性研磨剤はＳｉＯ_２３重量％を含有していて、１１．５のｐＨ値を有していた。上下の研磨定盤はそれぞれ３８℃に調温された。
【００９４】
ポリシング終了後に、減じられた圧力下に、グリセリン１容量％、ブタノール１容量％および界面活性剤０．０７容量％を含有するストップ剤が供給された。クリーニングおよび乾燥の後に、ヘイズライト下での目視検査および静電容量原理に基づき作動するジオメトリ測定器具でのジオメトリ測定が行われた。こうして処理されたウェーハを引き渡すための判断基準は、表面スクラッチが不在であること、ならびに２５ｍｍ×２５ｍｍの面格子に関する０．１２μｍのローカルサイト平坦度ＳＦＱＲ_ｍａｘが達成されていることであった。これらの条件を満たしていないシリコンウェーハは、公知先行技術により５μｍの半導体材料の付加的な除去下に後処理された。ジオメトリ測定器具は、ポリシングの前およびポリシングの後にシリコンウェーハの厚さを測定するためにも使用された。このことから、ポリシング過程の除去速度を測定することができる。シリコンウェーハの表面および裏面における除去量の分布は、レーザマーキングを有するテストディスクにより測定された。この場合、レーザマーキングの深さがポリシング前とポリシング後とにそれぞれ顕微鏡により測定された。
【００９５】
以下の表は、比較例１〜３（＝Ｖ１〜Ｖ３；図４ａ〜図６ｆの軌道曲線に相当）および例１〜３（＝Ｂ１〜Ｂ３；図７ａ〜図９ｆの軌道曲線に相当）に関する重要なプロセスデータを表している。軌道曲線のための発明条件（ａ）は、６に等しいかまたは６よりも小さな個数のループを有する閉じた軌道曲線またはほぼ閉じた軌道曲線が存在していないことを意味する。条件（ｂ）は内側の駆動ピン付リング５の曲率半径に等しいか、またはそれよりも小さな曲率半径が存在しないことを意味する。両条件は、上下の研磨定盤に対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線に関してそれぞれ該当していなければならない。
【００９６】
【表１】

【００９７】
記載したプロセス条件を用いて、大量のシリコンウェーハが処理された。この場合、まず低い圧力でポリシングが行われ、引き続き高い圧力でポリシングが行われた。同じ出発条件を保証するために、各実験列についてそれぞれ新しいポリシングパッドが使用された。以下の表には、平均除去速度およびクリーニング後のウェーハ品質に関する結果が示されている。ＶＳ＝シリコンウェーハの表面、ＲＳ＝シリコンウェーハの裏面である。相対的なプロセスコストでは、規格に適していないウェーハの後研磨が考慮されている。
【００９８】
【表２】

【００９９】
上記表からは、シリコンウェーハを両面ポリシングするための本発明による方法が、０．１５バールに等しいか、またはそれよりも大きな研磨圧の使用時に、公知先行技術による方法に比べて著しいコスト利点を有していることが判る。
【図面の簡単な説明】
【図１】両面ポリシングのための３枚のシリコンウェーハを収容するためのキャリヤを示す概略図である。
【図２】図１に示したキャリヤの複数個が両面ポリシング機に配置された状態を示す概略図である。
【図３】図２に示したポリシング機で、ポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの運動のために重要となるジオメトリ特性を示す概略図である。
【図４ａ】比較例１における、６秒の運転時間後の上側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図４ｂ】比較例１における、６秒の運転時間後の下側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図４ｃ】比較例１における、２０秒の運転時間後の上側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図４ｄ】比較例１における、２０秒の運転時間後の下側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図４ｅ】比較例１における、１２０秒の運転時間後の上側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図４ｆ】比較例１における、１２０秒の運転時間後の下側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図５ａ】比較例２における、６秒の運転時間後の上側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図５ｂ】比較例２における、６秒の運転時間後の下側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図５ｃ】比較例２における、２０秒の運転時間後の上側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図５ｄ】比較例２における、２０秒の運転時間後の下側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図５ｅ】比較例２における、１２０秒の運転時間後の上側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図５ｆ】比較例２における、１２０秒の運転時間後の下側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図６ａ】比較例３における、６秒の運転時間後の上側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図６ｂ】比較例３における、６秒の運転時間後の下側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図６ｃ】比較例３における、２０秒の運転時間後の上側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図６ｄ】比較例３における、２０秒の運転時間後の下側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図６ｅ】比較例３における、１２０秒の運転時間後の上側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図６ｆ】比較例３における、１２０秒の運転時間後の下側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図７ａ】例１における、６秒の運転時間後の上側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図７ｂ】例１における、６秒の運転時間後の下側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図７ｃ】例１における、２０秒の運転時間後の上側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図７ｄ】例１における、２０秒の運転時間後の下側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図７ｅ】例１における、１２０秒の運転時間後の上側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図７ｆ】例１における、１２０秒の運転時間後の下側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図８ａ】例２における、６秒の運転時間後の上側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図８ｂ】例２における、６秒の運転時間後の下側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図８ｃ】例２における、２０秒の運転時間後の上側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図８ｄ】例２における、２０秒の運転時間後の下側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図８ｅ】例２における、１２０秒の運転時間後の上側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図８ｆ】例２における、１２０秒の運転時間後の下側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図９ａ】例３における、６秒の運転時間後の上側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図９ｂ】例３における、６秒の運転時間後の下側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図９ｃ】例３における、２０秒の運転時間後の上側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図９ｄ】例３における、２０秒の運転時間後の下側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図９ｅ】例３における、１２０秒の運転時間後の上側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【図９ｆ】例３における、１２０秒の運転時間後の下側のポリシングパッドに対して相対的なシリコンウェーハの軌道曲線を示す概略図である。
【符号の説明】
１ キャリヤ、 ２ 外側の歯列、 ３，４ 開口、 ５，６ 駆動ピン付リング、 ７ ポリシングパッド、 ８ 軌道曲線

Claims (14)

1. 表面と裏面とを有する半導体ウェーハを同時に両面で材料除去加工するための方法であって、半導体ウェーハが、環状の外側の駆動リングと、環状の内側の駆動リングとにより回転させられたキャリヤ内に位置している状態で、該半導体ウェーハを、互いに逆向きに回転する２つの作業定盤の間で、それぞれ上側の作業定盤に対して相対的な所定の軌道曲線と、下側の作業定盤に対して相対的な所定の軌道曲線とにより描くことのできる運動様式で運動させる形式の方法において、
   内側の駆動リングと外側の駆動リングと作業定盤とを一定の回転数で回転させ、この回転数の選択によって、両軌道曲線が、
   （ａ）中心点を巡る６つのループの形成後に、まだ開いた外観を有し、かつ
   （ｂ）いかなる個所でも、内側の駆動リングの半径と少なくとも同じ大きさの曲率半径を有する
   ことを達成することを特徴とする、半導体ウェーハを同時に両面で材料除去加工するための方法。
2. 同時に両面で行われる材料除去加工を、ポリシングパッドで覆われた２つの研磨定盤の間で行われる両面ポリシングとして実施し、ポリッシングにより少なくとも２μｍの半導体材料を半導体ウェーハから除去する、請求項１記載の方法。
3. 半導体ウェーハが、鋼から成る複数の平らなキャリヤにそれぞれ設けられた、キャリヤとほぼおなじ厚さのプラスチックでライニングされた複数の切欠き内に位置しており、キャリヤの平均厚さが、研磨し終えた半導体ウェーハの平均厚さよりも２〜２０μｍだけ小さく設定されている、請求項２記載の方法。
4. 半導体材料の除去速度が、少なくとも０．６５μｍ／分である、請求項２または３記載の方法。
5. キャリヤの平均厚さが、研磨し終えた半導体ウェーハの平均厚さよりも３〜１０μｍだけ小さく設定されており、半導体材料の除去量が５〜５０μｍである、請求項２から４までのいずれか１項記載の方法。
6. 少なくとも３枚の半導体ウェーハを同時に研磨し、少なくとも３つのキャリヤを同時に使用する、請求項２から５までのいずれか１項記載の方法。
7. ５０〜１００の硬度（ショアＡ）を有する、主としてポリウレタンから成る上下のポリシングパッドを使用し、１〜５重量％のＳｉＯ_２固体含量と、９．５〜１２．５のｐＨ値とを有する研磨剤を連続的に供給する、請求項２から６までのいずれか１項記載の方法。
8. 半導体ウェーハの表側の面と裏側の面とからほぼ等量の半導体材料を除去する、請求項２から７までのいずれか１項記載の方法。
9. 下側の研磨定盤に対して相対的な半導体ウェーハの平均軌道速度に比べて、上側の研磨定盤に対して相対的な半導体ウェーハの平均軌道速度を高めに設定することにより、半導体ウェーハの表側の面から、裏側の面よりも多くの材料を除去する、請求項２から７までのいずれか１項記載の方法。
10. 同時に両面で行われる材料除去加工を、２つのラップ定盤の間で行われる両面ラッピングステップとして実施し、該両面ラッピングステップにより少なくとも１０μｍの半導体材料を半導体ウェーハから除去する、請求項１記載の方法。
11. 半導体ウェーハが、鋼から成る複数の平らなキャリヤにそれぞれ設けられた、プラスチックでライニングされた複数の切欠き内に位置していて、砥粒を含有した懸濁液の供給下に、通路状の凹部を備えた鋼から成る２つのラップ定盤の間で運動する、請求項１０記載の方法。
12. 表側の面と裏側の面とから等量の材料を除去する、請求項１０または１１記載の方法。
13. 同時に両面で行われる材料除去加工を、研削砥石で覆われた２つの作業定盤の間で行われる両面研削ステップとして実施し、該両面研削ステップにより少なくとも１０μｍの半導体材料を半導体ウェーハから除去する、請求項１記載の方法。
14. 当該方法を、２５ｍｍ×２５ｍｍの構成素子面に関する、０．１３μｍに等しいか、またはそれよりも小さいローカルサイト平坦度ＳＦＱＲ_ｍａｘを有するシリコンから成る半導体ウェーハを製造するためのプロセス鎖内で使用する、請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法。

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