JP3998684B2 - 光磁気記録媒体及び光磁気記録装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の一実施の形態におけるコンカレント光磁気記録媒体の断面図、図2は、そのROM信号及びRAM信号の関係図、図3は、その位相ピットの断面図である。
次に、本発明にかかわる光磁気記録装置(デイスクドライブ)を説明する。図24は、本発明の一実施の形態の光デイスクドライブの全体ブロック図、図25は、図24のドライブの光学系の構成図、図26は、図24のドライブの信号処理系のブロック図、図27は、図25及び図26のデイテクタの配置図、図28は、デイテクタの出力と生成信号の関係図、図29は、光デイスクドライブの各モードの説明図である。
FES=(A+B)−(C+D)/(A+B+C+D)
同時に,プッシュプル法によるTES生成回路24で,トラック検出デイテクタ22−2、22−3の出力E,Fから、図28の演算式で、トラックエラー検出(TES)を行う。
これらの計算により求められたフォーカスエラー信号(FES)及びトラックエラー信号(TES)は、フォーカス方向及びトラック方向の位置誤差信号として、メインコントローラ15(図6では、アクセス用サーボコントローラ15−2)に入力される。尚、図8では、アクセス用サーボコントローラ15−2とコントローラ15−1を一体のメインコントローラ15で示してある。
以上、本発明を実施の形態により説明したが、本発明の趣旨の範囲内において、本発明は、種々の変形が可能であり、これらを本発明の技術的範囲から排除するものではない。例えば、位相ピットのサイズは、前述の数値に限らず、他のものを適用できる。又、光磁気記録膜は、他の光磁気記録材料を適用できる。同様に、光磁気記録媒体は、円盤形状に限らず、カード形状等を採用しうる。
Claims (20)
- 基板上に形成された光学位相ピット上に記録可能な薄膜を設け、前記位相ピット信号と前記記録膜の信号の両方を光再生可能な光磁気記録媒体において、
少なくとも位相ピット基板と第1誘電体層と記録層と第2誘電体層と反射層からなる構成を有し、
且つ前記媒体のトラック方向に水平方向の偏光を有する再生光を照射した時のミラー面の反射レベルをIm、最も短いマーク長さの位相ピット信号強度レベルをIpとしたときに、
5<100×Ip/Im<22
であるように、前記位相ピットの形状を構成し、
前記位相ピットの端部が曲面形状を有し、その最大曲率半径が45nmから150nmの範囲であり、
前記位相ピット端部の最大傾斜角度が15度から45度の範囲である
ことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 前記位相ピットの端部形状が、7<100×Ip/Im<15であるように構成した
ことを特徴とする請求項1の光磁気記録媒体。 - 前記位相ピットの端部の最大曲率半径が、80nmから120nmの範囲である
ことを特徴とする請求項1の光磁気記録媒体。 - 前記位相ピット端部の最大傾斜角度が20度から35度の範囲である
ことを特徴とする請求項1の光磁気記録媒体。 - 前記記録層が、TbFeCoを主原料とする薄膜からなり、且つ前記記録層の膜厚が、20nmから50nmの範囲である
ことを特徴とする請求項1の光磁気記録媒体。 - 前記記録層の膜厚が、25nmから40nmの範囲である
ことを特徴とする請求項5の光磁気記録媒体。 - 前記記録層の組成が
Tbx(Fe100-yCoy) 20<x<25% 5<y<15%
であることを特徴とする請求項1又は5の光磁気記録媒体。 - 前記記録層が、TbFeCo層を主成分とした層とGdFeCo層を主成分とした層の少なくとも2層からなり、
前記GdFeCo層が室温で遷移金属優勢かつ垂直磁化膜であり、
前記GdFeCoを主成分とした層の膜厚が、TbFeCo層を主成分とした層に対して15〜40%の範囲である
ことを特徴とする請求項1又は5又は7の光磁気記録媒体。 - 位相ピットが形成された基板に光磁気記録膜が形成された光磁気記録媒体に対し、光を照射し、且つ前記光情報記録媒体よりの戻り光から、前記位相ピットにより変調された光強度をROM信号として検出するとともに、前記戻り光が前記光磁気記録膜により変調された偏光方向成分の差動振幅をRAM信号として検出する光学ヘッドと、
前記光磁気記録膜への記録のため、情報記録媒体に磁界を印加する磁界印加ユニットと、
少なくとも前記光学ヘッドを前記光情報記録媒体の所望位置にアクセスするためのトラックアクチュエータとを有し、
前記光磁気記録媒体は、
少なくとも位相ピット基板と第1誘電体層と記録層と第2誘電体層と反射層からなる構成を有し、
且つ前記媒体のトラック方向に水平方向の偏光を有する再生光を照射した時のミラー面の反射レベルをIm、最も短いマーク長さの位相ピット信号強度レベルをIpとしたときに、
5<100×Ip/Im<22
であるように、前記位相ピットの形状を構成し、
前記位相ピットの端部が曲面形状を有し、その最大曲率半径が45nmから150nmの範囲であり、
前記位相ピット端部の最大傾斜角度が15度から45度の範囲である
ことを特徴とする光磁気記録装置。 - 前記位相ピットの形状が、7<100×Ip/Im<15であるように構成した
ことを特徴とする請求項9の光磁気記録装置。 - 前記位相ピットの端部の最大曲率半径が、80nmから120nmの範囲である
ことを特徴とする請求項9の光磁気記録装置。 - 前記位相ピット端部の最大傾斜角度が20度から35度の範囲である
ことを特徴とする請求項9の光磁気記録装置。 - 前記記録層が、TbFeCoを主原料とする薄膜からなり、且つ前記記録層の膜厚が、20nmから50nmの範囲である
ことを特徴とする請求項9の光磁気記録装置。 - 前記記録層の膜厚が、25nmから40nmの範囲である
ことを特徴とする請求項13の光磁気記録装置。 - 前記記録層の組成が
Tbx(Fe100-yCoy) 20<x<25% 5<y<15%
であることを特徴とする請求項9又は13の光磁気記録装置。 - 前記記録層が、TbFeCo層を主成分とした層とGdFeCo層を主成分とした層の少なくとも2層からなり、
前記GdFeCo層が室温で遷移金属優勢かつ垂直磁化膜であり、
前記GdFeCoを主成分とした層の膜厚が、TbFeCo層を主成分とした層に対して15〜40%の範囲である
ことを特徴とする請求項9又は13又は15の光磁気記録装置。 - 基板上に形成された光学位相ピット上に記録可能な薄膜を設け、前記位相ピット信号と前記記録膜の信号の両方を光再生可能な光情報記録媒体の基板において、
前記媒体のトラック方向に水平方向の偏光を有する再生光を照射した時のミラー面の反射レベルをIm、最も短いマーク長さの位相ピット信号強度レベルをIpとしたときに、
5 < 100 ×Ip/Im< 22
であるように、前記位相ピットの形状を構成し、
前記位相ピットの端部が曲面形状を有し、その最大曲率半径が45nmから150nmの範囲であり、
前記位相ピット端部の最大傾斜角度が15度から45度の範囲である
ことを特徴とする光情報記録媒体の基板。 - 前記位相ピットの端部形状が、7< 100 ×Ip/Im<15であるように構成した
ことを特徴とする請求項17の光情報記録媒体の基板。 - 前記位相ピットの端部の最大曲率半径が、80nmから120nmの範囲である
ことを特徴とする請求項17の光情報記録媒体の基板。 - 前記位相ピット端部の最大傾斜角度が20度から35度の範囲である
ことを特徴とする請求項17の光情報記録媒体の基板。
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