JP3984209B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3984209B2 JP3984209B2 JP2003328742A JP2003328742A JP3984209B2 JP 3984209 B2 JP3984209 B2 JP 3984209B2 JP 2003328742 A JP2003328742 A JP 2003328742A JP 2003328742 A JP2003328742 A JP 2003328742A JP 3984209 B2 JP3984209 B2 JP 3984209B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- data selection
- cell array
- memory cell
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/32—Timing circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/50—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
- G11C29/50004—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing of threshold voltage
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/52—Protection of memory contents; Detection of errors in memory contents
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
- G11C29/84—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved access time or stability
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/30—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/30—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region
- H10B41/35—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region with a cell select transistor, e.g. NAND
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1076—Parity data used in redundant arrays of independent storages, e.g. in RAID systems
- G06F11/108—Parity data distribution in semiconductor storages, e.g. in SSD
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0483—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells having several storage transistors connected in series
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
- G11C16/3454—Arrangements for verifying correct programming or for detecting overprogrammed cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C2029/0409—Online test
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/76—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using address translation or modifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
- G11C29/80—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout
- G11C29/816—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout for an application-specific layout
- G11C29/82—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout for an application-specific layout for EEPROMs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Description
また、この発明の一態様による半導体記憶装置は、互いに平行に配置された複数のデータ選択線、これらのデータ選択線と交差するように互いに平行に配置された複数のデータ転送線、及びこれらのデータ選択線とデータ転送線の交差部に配置された電気的書き換え可能なメモリセルを有するメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイのデータ選択線を駆動するデータ選択線ドライバと、前記メモリセルアレイのデータ転送線に接続されて、前記データ選択線の一つにより選択されたメモリセルのデータ読み出しを行うセンスアンプ回路と、前記メモリセルアレイのデータ読み出しのタイミング制御に用いられる、前記メモリセルアレイの選択されたデータ領域に応じて異なる少なくとも二種のタイミング信号を出力する制御回路とを有し、前記メモリセルアレイは、前記データ選択線の方向に前記データ選択線の一つにより同時に選択される少なくとも一つの第一領域と少なくとも一つの第二領域とに分けられ、前記制御回路は、同時に選択される前記第一領域と第二領域のデータ読み出しを第1のサイクルタイムで行うに必要なタイミング信号を出力する第1のタイミング回路と、前記第二領域に選択的なデータ読み出しを前記第1のサイクルタイムより短い第2のサイクルタイムで行うに必要なタイミング信号を出力する第2のタイミング回路とを有し、前記第2のサイクルタイムにおけるデータ選択線の充電または放電に必要な期間を、前記第1のサイクルタイムにおけるデータ選択線の充電または放電に必要な期間よりも短くし、前記メモリセルアレイは、前記データ転送線の方向にそれぞれ複数のデータ選択線を含む複数のセルブロックに分けられており、前記メモリセルアレイは、前記データ選択線の方向に前記データ選択線の一つにより同時に選択される少なくとも二つの第一領域とこれら第一領域の間に挟まれた少なくとも一つの第二領域とに分けられ、前記データ選択線ドライバは、前記データ選択線の両端部に前記セルブロック毎に振り分けて配置されている。
また、この発明の一態様による半導体記憶装置は、互いに平行に配置された複数のデータ選択線、これらのデータ選択線と交差するように互いに平行に配置された複数のデータ転送線、及びこれらのデータ選択線とデータ転送線の交差部に配置された電気的書き換え可能なメモリセルを有するメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイのデータ選択線を駆動するデータ選択線ドライバと、前記メモリセルアレイのデータ転送線に接続されて、前記データ選択線の一つにより選択されたメモリセルのデータ読み出しを行うセンスアンプ回路と、入力される論理アドレスにより順に選択されるべき物理アドレスの少なくとも一部の順序を入れ替えるための、そのアドレス出力が前記センスアンプ回路に入力される論理/物理アドレス変換回路と、前記メモリセルアレイのデータ読み出しのタイミング制御に用いられる、前記メモリセルアレイの選択されたデータ領域に応じて異なる少なくとも二種のタイミング信号を出力する制御回路とを有し、前記メモリセルアレイは、前記データ転送線の方向にそれぞれ複数のデータ選択線を含む複数のセルブロックに分けられており、前記メモリセルアレイは、前記データ選択線の方向に前記データ選択線の一つにより同時に選択される少なくとも一つの第一領域と第一領域の両側に配置された少なくとも二つの第二領域とに分けられ、前記データ選択線ドライバは、前記データ選択線の両端部に前記セルブロック毎に振り分けられて配置され、前記制御回路は、同時に選択される前記第一領域と第二領域のデータ読み出しを第1のサイクルタイムで行うに必要なタイミング信号を出力する第1のタイミング回路と、前記第二領域に選択的なデータ読み出しを前記第1のサイクルタイムより短い第2のサイクルタイムで行うに必要なタイミング信号を出力する第2のタイミング回路とを有し、前記第2のサイクルタイムにおけるデータ選択線の充電または放電に必要な期間を、前記第1のサイクルタイムにおけるデータ選択線の充電または放電に必要な期間よりも短くし、前記論理/物理アドレス変換回路は、前記第2のサイクルタイムで行うデータ読み出し時に、前記第一領域の両側に配置された少なくとも二つの第二領域のうちの前記データ選択線ドライバに近い側に位置する第二領域が選択されるようにアドレス変換を行う。
以下の実施の形態において、トランジスタ(MISFET)の“オン”とは、トランジスタのしきい値電圧よりも高いゲート電圧印加により、ソースとドレイン間が導通状態になることをいい、トランジスタの“オフ”とは、トランジスタのしきい値電圧よりも低いゲート電圧印加により、ソースとドレイン間が遮断状態になることをいう。トランジスタの“しきい値電圧”は、ソース・ドレイン間に流れる電流が、40nA×(チャネル幅)/(ゲート長さ)となるゲート電圧である。
図1は、一実施の形態によるEEPROMの機能ブロック構成を示している。
メモリセルアレイ1は、外部入力端子I/Oから与えられたデータを記憶するための“ノーマルデータ領域”(第一領域)であるセルアレイ(以下、ノーマルセルアレイ)100と、“冗長領域”(第二領域)としてのセルアレイ(以下、冗長セルアレイ)101とを有する。冗長セルアレイ101は、ノーマルセルアレイ100のロウ方向の一端側即ち、メモリセルアレイ1のデータ選択線を駆動するデータ選択線ドライバ2に近い側に配置されている。
データ入出力バッファ35と外部I/O端子の間には、誤りビット訂正回路5が設けられている。
セルアレイは、シリコン基板121の、ボロン濃度が1014cm−3から1019cm−3の間のp型ウェル123に形成されている。具体的に、p型ウェル123に3〜15nmの厚さのシリコン酸化膜(またはオキシナイトライド膜)125からなるトンネルゲート絶縁膜を介して、電荷蓄積層となる浮遊ゲート126(選択トランジスタのゲート126SSL,126GSLを含む)が形成されている。浮遊ゲート126は、リンまたは砒素を1018cm−3〜1021cm−3添加した、厚さ10nm〜500nmのポリシリコンである。
まず、内部データ線DI/O2に与えられる書き込みデータは、カラム選択信号CSLを“H”にしてNMOSトランジスタMN13をオンにすることにより、データラッチ461に転送される。書き込みデータ“0”は、ノードN2に“L”データとして転送され、書き込みデータ“1”(即ち消去状態を維持する書き込み禁止)は、ノードN2に“H”データとして転送される。
冗長セルアレイ101は、ノーマルセルアレイ100よりもデータ選択線ドライバ2に近い側に配置されている。従って、冗長セルアレイ101の書き込み及び読み出しについて、データ選択線の遅延の影響が小さい。そしてこの実施の形態では、通常必要とされるタイミング回路401に加えて、通常より短い読み出しサイクルを実現するタイミング信号を発生するためのタイミング回路402を備えている。これにより、冗長セルアレイ101について高速のデータ書き込み及び読み出しが可能になる。
図13は、実施の形態2によるEEPROMの機能ブロック構成を示す。実施の形態1と同一の部分や同一の電圧関係には、同一符号をつけて詳しい説明は省略する。この実施の形態では、不良カラム置換を行うためのカラムアドレス変換回路36内に、論理カラムアドレスにより順に選択されるべき物理カラムアドレスの少なくとも一部の順序を入れ替えるための論理/物理カラムアドレス機能が付加されている。このカラムアドレス変換回路36の機能により、メモリセルアレイ内の複数カラムのデータを連続的に出力する場合に、連続するカラムの途中にある特定領域のデータを最後に出力するということが可能になる。これらの機能は後に詳細に説明する。
但し、左右に配置されるノーマルセルアレイ100a,100bのカラム数が同じでない場合にも、この実施の形態は有効である。
フューズ素子については、多結晶シリコンやシリサイド、配線金属等で形成された機械的フューズ素子の他、図8て説明した代替回路を用いうることは、実施の形態1と同様である。
以上の読み出し、書き込みタイミングについての説明は、メモリセルアレイのの左右対称性より、データ選択線ドライバ2a,2bのいずれについても同様に成立する。
図22は、実施の形態3のEEPROMの機能ブロック構成を示し、図23A及び図23Bはメモリセルアレイ1、センスアンプ回路46及びベリファイ判定回路38の具体構成を示している。実施の形態1,2と対応する部分には、同一符号をつけて詳しい説明は省略する。この実施の形態では、カラムデコーダ回路48内に、論理/物理カラムアドレス変換回路が付加されている。ここでの論理/物理カラムアドレス変換機能は、メモリセルアレイ1とデータ選択線ドライバ2a,2bのレイアウトとの関係で、ある条件下ではデータ選択線ドライバ2a,2bに近い冗長セルアレイが最後に選択されるようにするためのものである。即ちカラムデコーダ回路48に付加された論理/物理カラムアドレス変換機能により、冗長セルアレイ101の高速読み出しと、冗長セルアレイ101の入出力をノーマルセルアレイ100のデータ入出力後に行うことを可能としている。
但し、左右に配置される冗長セルアレイ101b,101aのカラム数が同じでない場合にも、この実施の形態は有効である。
フューズ素子については、多結晶シリコンやシリサイド、配線金属等で形成された機械的フューズ素子の他、図8て説明した代替回路を用いうることは、実施の形態1と同様である。
なお、ここではすべてのカラムアドレスが逆順に変換される例を示したが、ノーマルセルアレイ100の部分は必ずしも反転する必要はなく、その部分の論理/物理カラムアドレス変換回路はなくてもよい。
以上の読み出し、書き込みタイミングについての説明は、メモリセルアレイのの左右対称性より、データ選択線ドライバ2a,2bのいずれについても同様に成立する。
ここまでの実施の形態では、電荷蓄積層として浮遊ゲートを持つNAND型セルアレイを用いたが、浮遊ゲート型メモリセルに代わって、MONOS型メモリセルを用いることができる。その様な実施の形態でのNANDセルユニットの図36及び図37に対応する断面をそれぞれ、図38及び図39に示す。平面図は図35と同じである。また図38及び図39では、図36及び図37と対応する部分に同一符号を付して詳細な説明は省く。
(b)電荷蓄積層126の厚さは20nm以下に小さくでき、ゲート形成時のアスペクト比を低減できる。この結果、ゲート電極の加工性や層間絶縁膜168の埋め込み性の向上により、より耐圧を向上させることができる。
(c)浮遊ゲート電極を形成するためのプロセスやスリット作成プロセスが不要であり、プロセスがより簡単になる。
(d)電荷蓄積層126は絶縁体であって、電荷トラップに電荷を捕獲するので、電荷保持特性が優れている。具体的には、放射線に対して電荷が抜けにくいという強い放射線耐性が得られる。また、側壁絶縁膜143を薄膜化しても、電荷蓄積層126に捕獲された電荷がすべて抜けてしまうことなく、良好な電荷保持特性を維持できる。
(e)電荷畜積層126を、半導体領域123と合わせずれなく形成することができ、電荷蓄積層126と半導体領域123との間の均一な容量を実現できる。これにより、メモリセルの容量ばらつきやメモリセル間の容量ばらつきを低減することができる。
図29は、ここまでの実施の形態で説明したEEPROMの応用例であるファイルシステム212を示している。ファイルシステム212は、具体的には例えばICカードやメモリカードであり、入出力ポート201を通じて、例えばコンピュータ等の外部電子装置(入出力システムデバイス)211と電気的に接続され、データの書き込み,読み出しおよび消去の電気的信号の授受が行われる。このファイルシステム212は、入出力ポート201の他、一時記憶装置となるRAM(Random Access Memory)201、情報演算を行うCPU(Central Processing Unit)202、およびROM204を含む。これらはデータバスおよびシステム内制御線よって、データの授受が行えるようになっている。
図40は、実施の形態1−4で説明したEEPROMのもう一つの応用例のフラッシュメモリシステムを示している。このフラッシュメモリシステムは、ホストプラットホーム601と、ユニバーサル・シリアル・バス(USB)フラッシュ装置602より構成される。ホストプラットホーム601は、USBケーブル605を介して、USBフラッシュ装置602に接続されている。ホストプラットホーム601は、USBホストコネクタ604を介してUSBケーブル605に接続され、USBフラッシュ装置602はUSBフラッシュ装置コネクタ606を介してUSBケーブル605に接続される。
以上のようにこの実施の形態によれば、EEPROM応用としてのUSBフラッシュ装置のさまざまな機能を実施可能である。なお、USBケーブル605を省略して、コネクタ間を直接接続することも可能である。
素子分離絶縁膜や層間絶縁膜の形成法は、シリコンをシリコン酸化膜やシリコン窒化膜に変換する方法の他、例えば酸素イオンを堆積したシリコンに注入する方法や、堆積したシリコンを酸化する方法を用いることができる。
電荷蓄積層126は、MONOS型メモリセルの場合、TiO2,Al2O3,タンタル酸化膜,チタン酸ストロンチウム,チタン酸バリウム,チタン酸ジルコニウム鉛や、それら積層膜を用いてよい。更に電荷蓄積層126はソース,ドレイン間で分離されていたり、ドット状に形成されていてもよい。
上記実施の形態では、半導体基板121としてp型Si基板を用いたが、n型Si基板やSOI基板の他、SiGe混晶,SiGeC混晶など、シリコンを含む他の単結晶半導体基板を用いることができる。
上記実施の形態では、浮遊ゲート型メモリセル及びMONOS型メモリセル共に、nチャネルの例を説明したが、n型ウェル上のpチャネル型メモリセルを用いることもできる。その場合、ソース,ドレインはp型となり、ドーピング不純物種は、As,P,Sbに代わって、In,Bのいずれかを用いればよい。
ゲート126および127には、多結晶Siの他、SiGe混晶やSiGeC混晶或いはこれらの積層構造、更にアモルファスSi,アモルファスSiGe混晶,アモルファスSiGeC混晶やこれらの積層構造を用いることができる。ただし、ゲートは半導体であること、特に、Siを含んだ半導体であることが、良好な側壁絶縁膜を酸化または酸窒化によって形成することができるので望ましい。更にゲート電極表面に、Ti,Co,Ni,Mo,Pd,Pt等の金属との反応によるシリサイド膜を形成してもよい。
上記各実施の形態では、冗長セルアレイ領域101を高速読み出しおよび書き込みする例を説明したが、ノーマルセルアレイ100内に設定されるFAT(File Allocation Table)領域等、高速読み出しおよび書き込みを必要とする領域についても、同様の高速読み出し及び書き込みを適用することが可能である。
メモリセルは、二値記憶に限らず、3値以上の多値ディジタル値を複数のしきい値として記憶する場合もこの発明は有効である。多値記憶の場合、二値記憶に比べて複数のデータしきい値間の間隔が狭くなり、しきい値を測定する読み出し電圧の安定が問題となるので、この発明の効果は大きい。但し、一つのメモリセルが記憶するしきい値が一般には2n値となることが、情報データのデコードが簡略化されるため望ましい。
Claims (23)
- 互いに平行に配置された複数のデータ選択線、これらのデータ選択線と交差するように互いに平行に配置された複数のデータ転送線、及びこれらのデータ選択線とデータ転送線の交差部に配置された電気的書き換え可能なメモリセルを有するメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイのデータ選択線を駆動するデータ選択線ドライバと、
前記メモリセルアレイのデータ転送線に接続されて、前記データ選択線の一つにより選択されたメモリセルのデータ読み出しを行うセンスアンプ回路と、
前記メモリセルアレイのデータ読み出しのタイミング制御に用いられる、前記メモリセルアレイの選択されたデータ領域に応じて異なる少なくとも二種のタイミング信号を出力する制御回路とを有し、
前記メモリセルアレイは、前記データ選択線の方向に前記データ選択線の一つにより同時に選択される少なくとも一つの第一領域と少なくとも一つの第二領域とに分けられ、
前記制御回路は、同時に選択される前記第一領域と第二領域のデータ読み出しを第1のサイクルタイムで行うに必要なタイミング信号を出力する第1のタイミング回路と、前記第二領域に選択的なデータ読み出しを前記第1のサイクルタイムより短い第2のサイクルタイムで行うに必要なタイミング信号を出力する第2のタイミング回路とを有し、
前記第2のサイクルタイムにおけるデータ選択線の充電または放電に必要な期間を、前記第1のサイクルタイムにおけるデータ選択線の充電または放電に必要な期間よりも短くし、
前記メモリセルアレイは、前記データ転送線の方向にそれぞれ複数のデータ選択線を含む複数のセルブロックに分けられており、
前記メモリセルアレイは、前記データ選択線の方向に前記データ選択線の一つにより同時に選択される一つの第一領域と一つの第二領域とに分けられ、
前記データ選択線ドライバは、前記データ選択線の前記第二領域側の端部に配置されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 互いに平行に配置された複数のデータ選択線、これらのデータ選択線と交差するように互いに平行に配置された複数のデータ転送線、及びこれらのデータ選択線とデータ転送線の交差部に配置された電気的書き換え可能なメモリセルを有するメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイのデータ選択線を駆動するデータ選択線ドライバと、
前記メモリセルアレイのデータ転送線に接続されて、前記データ選択線の一つにより選択されたメモリセルのデータ読み出しを行うセンスアンプ回路と、
前記メモリセルアレイのデータ読み出しのタイミング制御に用いられる、前記メモリセルアレイの選択されたデータ領域に応じて異なる少なくとも二種のタイミング信号を出力する制御回路とを有し、
前記メモリセルアレイは、前記データ選択線の方向に前記データ選択線の一つにより同時に選択される少なくとも一つの第一領域と少なくとも一つの第二領域とに分けられ、
前記制御回路は、同時に選択される前記第一領域と第二領域のデータ読み出しを第1のサイクルタイムで行うに必要なタイミング信号を出力する第1のタイミング回路と、前記第二領域に選択的なデータ読み出しを前記第1のサイクルタイムより短い第2のサイクルタイムで行うに必要なタイミング信号を出力する第2のタイミング回路とを有し、
前記第2のサイクルタイムにおけるデータ選択線の充電または放電に必要な期間を、前記第1のサイクルタイムにおけるデータ選択線の充電または放電に必要な期間よりも短くし、
前記メモリセルアレイは、前記データ転送線の方向にそれぞれ複数のデータ選択線を含む複数のセルブロックに分けられており、
前記メモリセルアレイは、前記データ選択線の方向に前記データ選択線の一つにより同時に選択される少なくとも二つの第一領域とこれら第一領域の間に挟まれた少なくとも一つの第二領域とに分けられ、
前記データ選択線ドライバは、前記データ選択線の両端部に前記セルブロック毎に振り分けて配置されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記各セルブロックは、それぞれ異なるデータ選択線により駆動される、直列接続された複数のメモリセルと、その少なくとも一端を対応するデータ転送線に接続する選択ゲートトランジスタと備えたNAND型セルユニットを配列して構成されている
ことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の半導体記憶装置。 - 前記各セルブロックは、それぞれ異なるデータ選択線により駆動される、並列接続された複数のメモリセルと、その少なくとも一端を対応するデータ転送線に接続する選択ゲートトランジスタと備えたAND型又はバーチャルグラウンド型セルユニットを配列して構成されている
ことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の半導体記憶装置。 - 前記メモリセルアレイの複数カラムのデータを連続的に読み出すための、読み出し可能な最小サイクルタイムが異なる少なくとも二つのデータ読み出しモードを有する
ことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の半導体記憶装置。 - 前記メモリセルアレイの選択メモリセルにデータを書き込むための、書き込み状態を確認するためのベリファイ読み出し動作を含むデータ書き込みモードを有する
ことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の半導体記憶装置。 - 前記センスアンプ回路に読み出されたデータの少なくとも1ビットの誤り訂正を行うための誤りビット訂正回路を有する
ことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の半導体記憶装置。 - 前記第二領域は、前記第一領域のメモリセルを置き換えるためのメモリセル領域、前記第一領域に書き込まれるデータの誤り訂正コードを記録するECC記録領域及び、第一領域の全消去や書き込み状態を記憶するフラグ領域の少なくとも一つとなる
ことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の半導体記憶装置。 - データ書き込みサイクルのベリファイ読み出し時に前記センスアンプ回路に読み出されたデータに基づいて全書き込みデータの書き込み完了を判定するためのベリファイ判定回路と、
前記ベリファイ判定回路の前記第一領域対応の複数の第1の判定出力端子と前記第二領域対応の第2の判定出力端子を共通接続する判定出力線の前記第1の判定出力端子と第2の判定出力端子の間に挿入されたスイッチ素子とを有する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - カラムアドレスを記憶する初期設定記憶回路と、
入力されたカラムアドレスと前記初期設定記憶回路が記憶するカラムアドレスの一致検出を行うカラムアドレス一致検出回路と、
前記カラムアドレス一致検出回路の出力に基づいて前記第一領域の不良カラムを前記第二領域のカラムで置換するためのアドレス変換を行うカラムアドレス変換回路とを有し、
前記カラムアドレス変換回路は、前記メモリセルアレイの複数カラムのデータを連続的に読み出すモードにおいて、前記第二領域のデータが最後に出力されるように論理カラムアドレスと物理カラムアドレスの変換を行う論理/物理アドレス変換回路を有する
ことを特徴とする請求項2記載の半導体記憶装置。 - 前記論理/物理アドレス変換回路は、論理カラムアドレスの最上位ビットを反転するインバータを有する
ことを特徴とする請求項10記載の半導体記憶装置。 - 互いに平行に配置された複数のデータ選択線、これらのデータ選択線と交差するように互いに平行に配置された複数のデータ転送線、及びこれらのデータ選択線とデータ転送線の交差部に配置された電気的書き換え可能なメモリセルを有するメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイのデータ選択線を駆動するデータ選択線ドライバと、
前記メモリセルアレイのデータ転送線に接続されて、前記データ選択線の一つにより選択されたメモリセルのデータ読み出しを行うセンスアンプ回路と、
入力される論理アドレスにより順に選択されるべき物理アドレスの少なくとも一部の順序を入れ替えるための、そのアドレス出力が前記センスアンプ回路に入力される論理/物理アドレス変換回路と、
前記メモリセルアレイのデータ読み出しのタイミング制御に用いられる、前記メモリセルアレイの選択されたデータ領域に応じて異なる少なくとも二種のタイミング信号を出力する制御回路とを有し、
前記メモリセルアレイは、前記データ転送線の方向にそれぞれ複数のデータ選択線を含む複数のセルブロックに分けられており、
前記メモリセルアレイは、前記データ選択線の方向に前記データ選択線の一つにより同時に選択される少なくとも一つの第一領域と第一領域の両側に配置された少なくとも二つの第二領域とに分けられ、
前記データ選択線ドライバは、前記データ選択線の両端部に前記セルブロック毎に振り分けられて配置され、
前記制御回路は、同時に選択される前記第一領域と第二領域のデータ読み出しを第1のサイクルタイムで行うに必要なタイミング信号を出力する第1のタイミング回路と、前記第二領域に選択的なデータ読み出しを前記第1のサイクルタイムより短い第2のサイクルタイムで行うに必要なタイミング信号を出力する第2のタイミング回路とを有し、
前記第2のサイクルタイムにおけるデータ選択線の充電または放電に必要な期間を、前記第1のサイクルタイムにおけるデータ選択線の充電または放電に必要な期間よりも短くし、
前記論理/物理アドレス変換回路は、前記第2のサイクルタイムで行うデータ読み出し時に、前記第一領域の両側に配置された少なくとも二つの第二領域のうちの前記データ選択線ドライバに近い側に位置する第二領域が選択されるようにアドレス変換を行うことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記メモリセルアレイは、前記データ転送線の方向にそれぞれ複数のデータ選択線を含む複数のセルブロックに分けられている
ことを特徴とする請求項12記載の半導体記憶装置。 - 前記各セルブロックは、それぞれ異なるデータ選択線により駆動される、直列接続された複数のメモリセルと、その少なくとも一端を対応するデータ転送線に接続する選択ゲートトランジスタと備えたNAND型セルユニットを配列して構成されている
ことを特徴とする請求項13記載の半導体記憶装置。 - 前記各セルブロックは、それぞれ異なるデータ選択線により駆動される、並列接続された複数のメモリセルと、その少なくとも一端を対応するデータ転送線に接続する選択ゲートトランジスタと備えたAND型又はバーチャルグラウンド型セルユニットを配列して構成されている
ことを特徴とする請求項13記載の半導体記憶装置。 - 前記センスアンプ回路に読み出されたデータの少なくとも1ビットの誤り訂正を行うための誤りビット訂正回路を有する
ことを特徴とする請求項13記載の半導体記憶装置。 - 前記論理/物理アドレス変換回路は、前記メモリセルアレイの複数カラムのデータを連続的に読み出すモードにおいて、データの誤り訂正コードを記録するECC記録領域の論理アドレスと物理アドレスの少なくとも一部の順序を入れ替える
ことを特徴とする請求項16記載の半導体記憶装置。 - 前記メモリセルアレイは、前記データ選択線の方向に前記データ選択線の一つにより同時に選択される少なくとも二つの第一領域とこれらの第一領域に挟まれて、第一領域のカラムを置き換えるためのメモリセル領域及び第一領域に書き込まれるデータの誤り訂正コードを記録するECC記録領域となる一つの第二領域とに分けられ、
前記データ選択線ドライバは、前記データ選択線の両端部に前記セルブロック毎に振り分けて配置され、
前記データ選択線の一つにより同時に選択される前記第一領域と第二領域のデータ読み出しを第1のサイクルタイムで行うに必要なタイミング信号を出力する第1のタイミング回路と、前記第二領域の選択的なデータ読み出しを前記第1のサイクルタイムより短い第2のサイクルタイムで行うに必要なタイミング信号を出力する第2のタイミング回路とを有する制御回路を備えた
ことを特徴とする請求項13記載の半導体記憶装置。 - カラムアドレスを記憶する初期設定記憶回路と、
入力されたカラムアドレスと前記初期設定記憶回路が記憶するカラムアドレスの一致検出を行うカラムアドレス一致検出回路と、
前記カラムアドレス一致検出回路の出力に基づいて前記第一領域の不良カラムを前記第二領域のカラムで置換するためのアドレス変換を行うカラムアドレス変換回路とを有し、
前記論理/物理アドレス変換回路は、前記メモリセルアレイの複数カラムのデータを連続的に読み出すモードにおいて、前記第二領域のデータが最後に出力されるように論理カラムアドレスと物理カラムアドレスの変換を行う
ことを特徴とする請求項18記載の半導体記憶装置。 - 前記論理/物理アドレス変換回路は、論理カラムアドレスの最上位ビットを反転するインバータを有する
ことを特徴とする請求項19記載の半導体記憶装置。 - 入出力ポートを介して読み出し或いは書き込みされるデータのビット数nが、mを自然数として、(2m−1−m)<n≦(2m−m−1)で表される場合に、前記メモリセルアレイの一つのデータ選択線に沿って少なくとも(n+m)個のメモリセルが配置されることを特徴とする請求項7又は請求項16記載の半導体記憶装置。
- 請求項1、請求項2、請求項12のいずれか1項記載の半導体記憶装置が搭載され、前記メモリセルアレイのある領域へのデータ書き込み後、他の領域へのデータ書き込みと同時に前記ある領域に関する書き込み完了フラグが書き込まれることを特徴とするファイルシステム。
- 請求項1、請求項2、請求項12のいずれか1項記載の半導体記憶装置が搭載され、データ書き込みが電源遮断により中断された後の再書き込みが、データ消去状態からのデータ書き込みに比べて短時間で行われることを特徴とするファイルシステム。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003328742A JP3984209B2 (ja) | 2003-07-31 | 2003-09-19 | 半導体記憶装置 |
US10/696,028 US6882592B2 (en) | 2003-07-31 | 2003-10-30 | Semiconductor memory device |
KR1020040060576A KR100616391B1 (ko) | 2003-07-31 | 2004-07-30 | 반도체 기억 장치 |
US11/074,801 US7184356B2 (en) | 2003-07-31 | 2005-03-09 | Semiconductor memory device |
US11/678,632 US7359274B2 (en) | 2003-07-31 | 2007-02-26 | Semiconductor memory device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003204508 | 2003-07-31 | ||
JP2003328742A JP3984209B2 (ja) | 2003-07-31 | 2003-09-19 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005063626A JP2005063626A (ja) | 2005-03-10 |
JP3984209B2 true JP3984209B2 (ja) | 2007-10-03 |
Family
ID=34106871
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003328742A Expired - Fee Related JP3984209B2 (ja) | 2003-07-31 | 2003-09-19 | 半導体記憶装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6882592B2 (ja) |
JP (1) | JP3984209B2 (ja) |
KR (1) | KR100616391B1 (ja) |
Families Citing this family (116)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7505321B2 (en) * | 2002-12-31 | 2009-03-17 | Sandisk 3D Llc | Programmable memory array structure incorporating series-connected transistor strings and methods for fabrication and operation of same |
JP3984209B2 (ja) * | 2003-07-31 | 2007-10-03 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
DE10335708B4 (de) * | 2003-08-05 | 2009-02-26 | Qimonda Ag | Hub-Baustein zum Anschließen von einem oder mehreren Speicherbausteinen |
JP3881641B2 (ja) * | 2003-08-08 | 2007-02-14 | 株式会社東芝 | フューズ回路 |
US7299314B2 (en) * | 2003-12-31 | 2007-11-20 | Sandisk Corporation | Flash storage system with write/erase abort detection mechanism |
WO2005117027A1 (en) * | 2004-05-20 | 2005-12-08 | Analog Devices, Inc. | Repair of memory cells |
JP2006048783A (ja) * | 2004-08-02 | 2006-02-16 | Renesas Technology Corp | 不揮発性メモリおよびメモリカード |
US7064981B2 (en) * | 2004-08-04 | 2006-06-20 | Micron Technology, Inc. | NAND string wordline delay reduction |
JP2006209900A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メモリ回路 |
US20060218467A1 (en) * | 2005-03-24 | 2006-09-28 | Sibigtroth James M | Memory having a portion that can be switched between use as data and use as error correction code (ECC) |
US7274607B2 (en) * | 2005-06-15 | 2007-09-25 | Micron Technology, Inc. | Bitline exclusion in verification operation |
KR100618902B1 (ko) * | 2005-06-17 | 2006-09-01 | 삼성전자주식회사 | 프로그램 검증 판독 중 열 스캔을 통해 프로그램 시간을단축시킬 수 있는 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법 |
US8291295B2 (en) * | 2005-09-26 | 2012-10-16 | Sandisk Il Ltd. | NAND flash memory controller exporting a NAND interface |
US7512864B2 (en) * | 2005-09-30 | 2009-03-31 | Josef Zeevi | System and method of accessing non-volatile computer memory |
JP4626490B2 (ja) * | 2005-11-07 | 2011-02-09 | ソニー株式会社 | 回路装置 |
KR100795634B1 (ko) * | 2005-11-11 | 2008-01-17 | 가부시끼가이샤 도시바 | 불휘발성 반도체 기억 장치, 그 데이터 판독 방법 및메모리 카드 |
JP5224642B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2013-07-03 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 集積回路のレイアウト方法及びコンピュータプログラム |
US7482651B2 (en) * | 2005-12-09 | 2009-01-27 | Micron Technology, Inc. | Enhanced multi-bit non-volatile memory device with resonant tunnel barrier |
JP4664813B2 (ja) * | 2005-12-21 | 2011-04-06 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP4979060B2 (ja) * | 2006-03-03 | 2012-07-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 表示制御用半導体集積回路 |
KR100706816B1 (ko) * | 2006-03-10 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 프로그램 속도를 향상시킬 수 있는 불휘발성 메모리 장치및 그것의 프로그램 방법 |
JP2007257791A (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
US7508708B2 (en) * | 2006-03-30 | 2009-03-24 | Micron Technology, Inc. | NAND string with a redundant memory cell |
US7915916B2 (en) * | 2006-06-01 | 2011-03-29 | Micron Technology, Inc. | Antifuse programming circuit with snapback select transistor |
US7768835B2 (en) * | 2006-08-09 | 2010-08-03 | Micron Technology, Inc. | Non-volatile memory erase verify |
JP2008052808A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びそのデータの読出方法並びにメモリカード |
JP2008139908A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メモリ制御装置、コンピュータシステム及びデータ再生記録装置 |
KR100851856B1 (ko) * | 2006-12-11 | 2008-08-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 그 리페어 방법 |
US20080251833A1 (en) * | 2007-04-12 | 2008-10-16 | Michael Specht | Integrated circuits and methods of manufacture |
KR100826654B1 (ko) * | 2007-04-24 | 2008-05-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리소자의 동작방법 및 이를 위한 제어회로 |
US20080291760A1 (en) * | 2007-05-23 | 2008-11-27 | Micron Technology, Inc. | Sub-array architecture memory devices and related systems and methods |
KR100866970B1 (ko) * | 2007-06-08 | 2008-11-05 | 삼성전자주식회사 | Ecc 레이턴시와 데이터 레이턴시를 별도로 설정할 수있는 반도체 장치 |
US7757133B1 (en) * | 2007-07-05 | 2010-07-13 | Oracle America, Inc. | Built-in self-test hardware and method for generating memory tests with arbitrary address sequences |
US8051358B2 (en) | 2007-07-06 | 2011-11-01 | Micron Technology, Inc. | Error recovery storage along a nand-flash string |
US8065583B2 (en) | 2007-07-06 | 2011-11-22 | Micron Technology, Inc. | Data storage with an outer block code and a stream-based inner code |
KR101321472B1 (ko) * | 2007-07-23 | 2013-10-25 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
KR100909627B1 (ko) * | 2007-10-10 | 2009-07-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리소자 |
US8499229B2 (en) | 2007-11-21 | 2013-07-30 | Micro Technology, Inc. | Method and apparatus for reading data from flash memory |
US8046542B2 (en) * | 2007-11-21 | 2011-10-25 | Micron Technology, Inc. | Fault-tolerant non-volatile integrated circuit memory |
US8327245B2 (en) | 2007-11-21 | 2012-12-04 | Micron Technology, Inc. | Memory controller supporting rate-compatible punctured codes |
US20090161470A1 (en) * | 2007-12-20 | 2009-06-25 | Micron Technology, Inc. | Circuit for dynamic readout of fused data in image sensors |
TWI358735B (en) * | 2008-01-03 | 2012-02-21 | Nanya Technology Corp | Memory access control method |
US7663957B2 (en) * | 2008-05-27 | 2010-02-16 | Via Technologies, Inc. | Microprocessor with program-accessible re-writable non-volatile state embodied in blowable fuses of the microprocessor |
US7952928B2 (en) * | 2008-05-27 | 2011-05-31 | Sandisk Il Ltd. | Increasing read throughput in non-volatile memory |
KR101504342B1 (ko) * | 2008-05-28 | 2015-03-24 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 그것을 포함한 컴퓨팅 시스템 및그것의 워드 라인 구동 방법 |
US8120959B2 (en) * | 2008-05-30 | 2012-02-21 | Aplus Flash Technology, Inc. | NAND string based NAND/NOR flash memory cell, array, and memory device having parallel bit lines and source lines, having a programmable select gating transistor, and circuits and methods for operating same |
WO2009145923A1 (en) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | Aplus Flash Technology, Inc. | Nand string based flash memory device, array and circuit having parallel bit lines and source lines |
US8295087B2 (en) * | 2008-06-16 | 2012-10-23 | Aplus Flash Technology, Inc. | Row-decoder and select gate decoder structures suitable for flashed-based EEPROM operating below +/− 10v BVDS |
WO2009154738A1 (en) * | 2008-06-16 | 2009-12-23 | Aplus Flash Technology, Inc. | Row-decoder and select gate decoder structures suitable for flashed-based eeprom operating below +/-10v bvds |
JP2010170609A (ja) * | 2009-01-22 | 2010-08-05 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US8120966B2 (en) * | 2009-02-05 | 2012-02-21 | Aplus Flash Technology, Inc. | Method and apparatus for management of over-erasure in NAND-based NOR-type flash memory |
US8832353B2 (en) * | 2009-04-07 | 2014-09-09 | Sandisk Technologies Inc. | Host stop-transmission handling |
KR101015712B1 (ko) * | 2009-05-29 | 2011-02-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치 및 이를 이용한 구동 방법 |
US8307241B2 (en) * | 2009-06-16 | 2012-11-06 | Sandisk Technologies Inc. | Data recovery in multi-level cell nonvolatile memory |
US8132045B2 (en) * | 2009-06-16 | 2012-03-06 | SanDisk Technologies, Inc. | Program failure handling in nonvolatile memory |
US20110041005A1 (en) * | 2009-08-11 | 2011-02-17 | Selinger Robert D | Controller and Method for Providing Read Status and Spare Block Management Information in a Flash Memory System |
US20110040924A1 (en) * | 2009-08-11 | 2011-02-17 | Selinger Robert D | Controller and Method for Detecting a Transmission Error Over a NAND Interface Using Error Detection Code |
US20110041039A1 (en) * | 2009-08-11 | 2011-02-17 | Eliyahou Harari | Controller and Method for Interfacing Between a Host Controller in a Host and a Flash Memory Device |
US20110096609A1 (en) * | 2009-10-23 | 2011-04-28 | Aplus Flash Technology, Inc. | Novel punch-through free program scheme for nt-string flash design |
KR101633048B1 (ko) | 2010-02-25 | 2016-06-24 | 삼성전자주식회사 | 메모리 시스템 및 그것의 데이터 처리 방법 |
JP2011216837A (ja) | 2010-03-17 | 2011-10-27 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US8386895B2 (en) | 2010-05-19 | 2013-02-26 | Micron Technology, Inc. | Enhanced multilevel memory |
KR101666941B1 (ko) * | 2010-07-06 | 2016-10-17 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치와 이를 포함하는 반도체 시스템 |
JP4901987B1 (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-21 | 株式会社東芝 | 記憶装置、電子機器及び誤りデータの訂正方法 |
US8812908B2 (en) * | 2010-09-22 | 2014-08-19 | Microsoft Corporation | Fast, non-write-cycle-limited persistent memory for secure containers |
KR101672387B1 (ko) * | 2010-10-12 | 2016-11-03 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 리던던시 회로 |
JP2013027145A (ja) * | 2011-07-21 | 2013-02-04 | Sanken Electric Co Ltd | スイッチング電源装置 |
JP5928867B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2016-06-01 | サンケン電気株式会社 | スイッチング電源装置 |
WO2013075067A1 (en) * | 2011-11-18 | 2013-05-23 | Aplus Flash Technology, Inc. | Low voltage page buffer for use in nonvolatile memory design |
JP2013157070A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
KR20130104287A (ko) * | 2012-03-13 | 2013-09-25 | 삼성전자주식회사 | 센싱 검증부를 포함하는 반도체 메모리 장치 |
US20130255702A1 (en) | 2012-03-28 | 2013-10-03 | R.J. Reynolds Tobacco Company | Smoking article incorporating a conductive substrate |
JP5867264B2 (ja) * | 2012-04-24 | 2016-02-24 | ソニー株式会社 | 記憶制御装置、メモリシステム、情報処理システム、および、記憶制御方法 |
US8898545B2 (en) * | 2012-05-18 | 2014-11-25 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor storage device and control method of nonvolatile memory |
US8996957B1 (en) | 2012-05-22 | 2015-03-31 | Pmc-Sierra, Inc. | Systems and methods for initializing regions of a flash drive having diverse error correction coding (ECC) schemes |
US9047214B1 (en) | 2012-05-22 | 2015-06-02 | Pmc-Sierra, Inc. | System and method for tolerating a failed page in a flash device |
US8972824B1 (en) | 2012-05-22 | 2015-03-03 | Pmc-Sierra, Inc. | Systems and methods for transparently varying error correction code strength in a flash drive |
US9021333B1 (en) | 2012-05-22 | 2015-04-28 | Pmc-Sierra, Inc. | Systems and methods for recovering data from failed portions of a flash drive |
US9021337B1 (en) | 2012-05-22 | 2015-04-28 | Pmc-Sierra, Inc. | Systems and methods for adaptively selecting among different error correction coding schemes in a flash drive |
US8788910B1 (en) | 2012-05-22 | 2014-07-22 | Pmc-Sierra, Inc. | Systems and methods for low latency, high reliability error correction in a flash drive |
US9176812B1 (en) | 2012-05-22 | 2015-11-03 | Pmc-Sierra, Inc. | Systems and methods for storing data in page stripes of a flash drive |
US9021336B1 (en) | 2012-05-22 | 2015-04-28 | Pmc-Sierra, Inc. | Systems and methods for redundantly storing error correction codes in a flash drive with secondary parity information spread out across each page of a group of pages |
US9183085B1 (en) | 2012-05-22 | 2015-11-10 | Pmc-Sierra, Inc. | Systems and methods for adaptively selecting from among a plurality of error correction coding schemes in a flash drive for robustness and low latency |
US8793556B1 (en) | 2012-05-22 | 2014-07-29 | Pmc-Sierra, Inc. | Systems and methods for reclaiming flash blocks of a flash drive |
JP2013246849A (ja) * | 2012-05-25 | 2013-12-09 | Toshiba Corp | メモリシステム |
JP5910332B2 (ja) * | 2012-06-07 | 2016-04-27 | 富士通株式会社 | 情報処理装置、試験方法、およびプログラム |
KR102012298B1 (ko) * | 2012-07-24 | 2019-08-20 | 삼성전자 주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그 구동 방법 |
JP2014053478A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
US10117460B2 (en) | 2012-10-08 | 2018-11-06 | Rai Strategic Holdings, Inc. | Electronic smoking article and associated method |
US9577673B2 (en) | 2012-11-08 | 2017-02-21 | Micron Technology, Inc. | Error correction methods and apparatuses using first and second decoders |
US10031183B2 (en) * | 2013-03-07 | 2018-07-24 | Rai Strategic Holdings, Inc. | Spent cartridge detection method and system for an electronic smoking article |
US9081701B1 (en) | 2013-03-15 | 2015-07-14 | Pmc-Sierra, Inc. | Systems and methods for decoding data for solid-state memory |
US9026867B1 (en) | 2013-03-15 | 2015-05-05 | Pmc-Sierra, Inc. | Systems and methods for adapting to changing characteristics of multi-level cells in solid-state memory |
US9037902B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-05-19 | Sandisk Technologies Inc. | Flash memory techniques for recovering from write interrupt resulting from voltage fault |
US9053012B1 (en) | 2013-03-15 | 2015-06-09 | Pmc-Sierra, Inc. | Systems and methods for storing data for solid-state memory |
US9208018B1 (en) | 2013-03-15 | 2015-12-08 | Pmc-Sierra, Inc. | Systems and methods for reclaiming memory for solid-state memory |
US9009565B1 (en) | 2013-03-15 | 2015-04-14 | Pmc-Sierra, Inc. | Systems and methods for mapping for solid-state memory |
US10292424B2 (en) | 2013-10-31 | 2019-05-21 | Rai Strategic Holdings, Inc. | Aerosol delivery device including a pressure-based aerosol delivery mechanism |
US20180055090A1 (en) * | 2016-08-31 | 2018-03-01 | Altria Client Services Llc | Methods and systems for cartridge identification |
KR102647419B1 (ko) * | 2016-09-28 | 2024-03-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체장치 |
CA3108151C (en) | 2017-02-23 | 2024-02-20 | Cerebras Systems Inc. | Accelerated deep learning |
US11488004B2 (en) | 2017-04-17 | 2022-11-01 | Cerebras Systems Inc. | Neuron smearing for accelerated deep learning |
US10614357B2 (en) | 2017-04-17 | 2020-04-07 | Cerebras Systems Inc. | Dataflow triggered tasks for accelerated deep learning |
WO2018193377A1 (en) | 2017-04-17 | 2018-10-25 | Cerebras Systems Inc. | Control wavelet for accelerated deep learning |
JP2019220242A (ja) * | 2018-06-21 | 2019-12-26 | セイコーエプソン株式会社 | 不揮発性記憶装置、マイクロコンピューター及び電子機器 |
US10643677B2 (en) | 2018-06-26 | 2020-05-05 | Sandisk Technologies Llc | Negative kick on bit line control transistors for faster bit line settling during sensing |
WO2020044238A1 (en) * | 2018-08-29 | 2020-03-05 | Cerebras Systems Inc. | Processor element redundancy for accelerated deep learning |
KR102148569B1 (ko) * | 2018-10-12 | 2020-08-27 | 윈본드 일렉트로닉스 코포레이션 | 반도체 장치 |
JP7122936B2 (ja) * | 2018-10-29 | 2022-08-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US10643713B1 (en) | 2019-02-08 | 2020-05-05 | Sandisk Technologies Llc | Toggling power supply for faster bit line settling during sensing |
US10853542B1 (en) * | 2019-06-14 | 2020-12-01 | QUALCOMM Incorporated— | Fuse-based logic repair |
US11036581B2 (en) | 2019-08-08 | 2021-06-15 | Apple Inc. | Non-volatile memory control circuit with parallel error detection and correction |
CN110945586B (zh) * | 2019-11-01 | 2021-01-29 | 长江存储科技有限责任公司 | 用于闪存器件的感测放大器 |
US11557366B2 (en) * | 2019-11-21 | 2023-01-17 | SK Hynix Inc. | Memory, memory system, operation method of the memory, and operation of the memory system |
TWI763197B (zh) * | 2020-12-21 | 2022-05-01 | 珠海南北極科技有限公司 | 記憶體裝置以及應用在記憶體裝置的記憶單元 |
CN116052531B (zh) * | 2022-05-27 | 2023-10-20 | 荣耀终端有限公司 | 显示基板及显示装置 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0799629B2 (ja) | 1987-05-12 | 1995-10-25 | 株式会社日立製作所 | シリアルアクセスメモリ |
JP3184045B2 (ja) | 1994-06-17 | 2001-07-09 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ |
US5627786A (en) * | 1995-02-10 | 1997-05-06 | Micron Quantum Devices, Inc. | Parallel processing redundancy scheme for faster access times and lower die area |
KR100190089B1 (ko) * | 1996-08-30 | 1999-06-01 | 윤종용 | 플래쉬 메모리장치 및 그 구동방법 |
US6333871B1 (en) * | 1998-02-16 | 2001-12-25 | Hitachi, Ltd. | Nonvolatile semiconductor memory including a controller for providing an improved reprogram operation |
KR100332950B1 (ko) | 1998-04-10 | 2002-08-21 | 삼성전자 주식회사 | 단일비트동작모드와다중비트동작모드를갖는불휘발성반도체메모리장치및그것의기입/독출방법 |
JP2000021190A (ja) | 1998-07-06 | 2000-01-21 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP3522116B2 (ja) * | 1998-08-04 | 2004-04-26 | 富士通株式会社 | 複数ビットのデータプリフェッチ機能をもつメモリデバイス |
JP2000076880A (ja) | 1998-08-27 | 2000-03-14 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2000163965A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-06-16 | Mitsubishi Electric Corp | 同期型半導体記憶装置 |
JP3398686B2 (ja) | 1999-06-14 | 2003-04-21 | エヌイーシーマイクロシステム株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP3898390B2 (ja) | 1999-08-27 | 2007-03-28 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
KR100373670B1 (ko) * | 1999-09-27 | 2003-02-26 | 가부시끼가이샤 도시바 | 불휘발성 반도체 기억 장치 |
JP3920550B2 (ja) | 1999-09-27 | 2007-05-30 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2001176290A (ja) | 1999-12-10 | 2001-06-29 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP4011248B2 (ja) * | 1999-12-22 | 2007-11-21 | 沖電気工業株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP2001250385A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
JP2001344156A (ja) | 2000-06-02 | 2001-12-14 | Canon Inc | フラッシュメモリを有する装置およびデータの書き換え方法 |
JP2002150783A (ja) | 2000-11-10 | 2002-05-24 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置およびそのメモリセルトランジスタのしきい値の変化を判別する方法 |
US6496428B2 (en) * | 2001-01-19 | 2002-12-17 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory |
JP2002216470A (ja) | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Fujitsu Ltd | 半導体メモリ |
JP2002269994A (ja) | 2001-03-09 | 2002-09-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | アナログ半導体メモリの冗長メモリ回路 |
KR100418522B1 (ko) | 2001-06-11 | 2004-02-14 | 삼성전자주식회사 | 이동가능한 스페어 메모리 어레이 어드레스를 갖는 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 그에 따른 리드방법 |
JP3984209B2 (ja) * | 2003-07-31 | 2007-10-03 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
-
2003
- 2003-09-19 JP JP2003328742A patent/JP3984209B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-30 US US10/696,028 patent/US6882592B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-07-30 KR KR1020040060576A patent/KR100616391B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-03-09 US US11/074,801 patent/US7184356B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-02-26 US US11/678,632 patent/US7359274B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050157578A1 (en) | 2005-07-21 |
JP2005063626A (ja) | 2005-03-10 |
US6882592B2 (en) | 2005-04-19 |
US7359274B2 (en) | 2008-04-15 |
US7184356B2 (en) | 2007-02-27 |
KR20050014765A (ko) | 2005-02-07 |
US20070140036A1 (en) | 2007-06-21 |
KR100616391B1 (ko) | 2006-08-29 |
US20050024974A1 (en) | 2005-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3984209B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP3884448B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US11393545B2 (en) | Semiconductor memory device | |
TWI705558B (zh) | 半導體記憶裝置 | |
JP3875570B2 (ja) | 半導体記憶装置のデータ書き込み方法及び半導体記憶装置 | |
JP3557078B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP4005000B2 (ja) | 半導体記憶装置及びデータ書き込み方法。 | |
US7492643B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory | |
CN105938726B (zh) | 半导体存储装置 | |
CN109427802B (zh) | 包含存储器块之间的共享选择栅极连接件的3d存储器装置 | |
US10541030B2 (en) | Memory system for restraining threshold variation to improve data reading | |
KR20080111921A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
TWI707349B (zh) | 半導體記憶裝置及記憶體系統 | |
JP3615009B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP4398962B2 (ja) | 半導体記憶装置のデータ書き込み方法 | |
JP2009277348A (ja) | 半導体記憶装置のデータ書き込み方法 | |
TWI841928B (zh) | 半導體記憶裝置及於半導體記憶裝置中執行讀出動作之方法 | |
JP2003331588A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
KR20140020138A (ko) | 반도체 메모리 장치 및 이의 동작 방법 | |
JP2003141883A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2006134568A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060829 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060919 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070329 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070703 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070705 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100713 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100713 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110713 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |