JP3962560B2

JP3962560B2 - 基板処理装置

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Publication number: JP3962560B2
Application number: JP2001201965A
Authority: JP
Inventors: 武虎篠木
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2001-07-03
Filing date: 2001-07-03
Publication date: 2007-08-22
Anticipated expiration: 2021-07-03
Also published as: JP2003017392A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶デバイスの製造工程において、液晶表示装置（ＬＣＤ）に使用されるガラス基板上にレジストパターンを現像処理する基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＣＤの製造工程において、ＬＣＤ用のガラス基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジストをガラス基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。
【０００３】
現像処理工程においては、パドル現像、スプレー現像等により行われており、例えばパドル現像は、現像液の表面張力を利用して基板上に現像液を盛り、この状態で基板を静止させたまま３０秒〜６０秒程度放置するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、パドル現像では、基板上に現像液を盛ってそのままの状態で放置する方法であるので、表面張力によりガラス基板の周縁部における現像液の液膜厚が周縁部以外の領域における液膜厚よりも大きくなる。これによりレジストのレジン濃度が基板上で不均一となり、線幅が不均一となるおそれがある。
【０００５】
また、バドル現像やスプレー現像において、現像液供給用のノズルから現像液を供給する際の基板に対するインパクトにより、パターン折れ、線幅の不均一性等の問題が生じている。更に当該インパクト対策のため、プリウェット（現像の前段階に、水又は希薄な現像液を基板上に数秒滴下し、レジストの表面状態を現像液になじむようにすること）は必須である。従って、このプリウェットのための装置等が必要となる。また、プリウェットにより、基板に供給された現像液は薄められるため、現像液の回収効率が悪いという問題がある。
【０００６】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、現像液供給の際の基板に対するインパクトを軽減し線幅の均一性を向上させることができる基板処理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、基板を所定の方向に搬送させる搬送手段と、前記搬送手段による基板の搬送方向に移動するとともに、前記搬送される基板の下面に対向して配置された多孔質部材を介して前記基板の下面全面に処理液を供給する供給手段とを具備する。
【０００８】
本発明のこのような構成によれば、供給手段により処理液を吐出する場合には、多孔質部材を介して処理液がしみ出るように基板の下面全面に一様に供給することができる。しかも、処理中に供給手段を基板の搬送に合わせて移動させることにより、常に基板の下面に多孔質部材の吐出面が対向しているので、例えば、処理液が現像液の場合、現像液の表面張力により基板の周縁部で液膜厚が盛り上がることはなく、均一な液膜厚で現像処理を行うことができる。これにより、線幅均一性を向上させることができる。
【０００９】
また、多孔質部材により処理液をしみ出すように基板に供給することができるので、基板に対する処理液供給のインパクトを軽減させることができ、パターン折れ等を防止することができる。
【００１０】
更に、インパクトが軽減できることによりプリウェットの必要がないためプリウェットのための装置を必要とせず、また、処理液を再利用するにあたり、従来のようにプリウェットによる処理液は薄められることはないので、処理液の回収効率を向上させることができ、省エネルギー化に寄与する。
【００１１】
本発明の一の形態によれば、前記多孔質部材の前記搬送される基板に対向する面は、基板の大きさとほぼ等しい。これにより、基板の下面全面に一様に処理液を供給することができる。
【００１２】
本発明の一の形態によれば、前記供給手段よりも搬送下流側に設けられ、前記搬送される基板の下面及び表面にリンス液を供給して前記処理液を洗い流し及び洗浄する手段と、前記処理液が洗い流され及び洗浄された基板の下面及び表面にエアを吹きつけて乾燥させる手段とを具備する。これにより、例えば、処理液が現像液である場合、現像処理と、現像処理後に不可欠な処理であるリンス処理と、乾燥処理とを、基板を搬送させながら連続して行うことができる。
【００１３】
本発明の一の形態によれば、前記搬送される基板の下面に供給するリンス液の量よりも表面に供給するリンス液の量を多くする手段と、前記搬送される基板の下面に吹き付けるエアの量よりも表面に供給するエアの量を多くする手段とを具備する。これにより、基板の下面に対してリンス処理及び乾燥処理を施す場合であっても、基板を安定に搬送させることができる。
【００１４】
本発明の一の形態によれば、前記搬送手段に隣接して配置され、外部から供給される基板の表裏を反転させる機構を更に具備する。これにより、例えば、現像処理の前に基板を反転させて基板の下面側に対して現像処理を行い、次にそのままの状態でリンス処理及び乾燥処理を行うことによって、基板の下面側に付着した塵や埃等が落ちやすくなる。
【００１９】
本発明の他の観点に係る基板処理装置は、基板を搬送させる搬送手段と、搬送される基板の下面に対向して配置され、該基板と対向する面が該基板の大きさとほぼ同じ大きさで、かつ、基板の搬送方向に移動自在な基板の下面全面に処理液を供給する供給手段と、前記供給手段の待機位置付近に配置され、前記基板の搬送位置を確認するためのセンサとを具備し、前記供給手段は、前記センサにより前記基板の搬送位置を確認し、前記処理液の吐出を開始するとともに、前記基板の搬送速度に合せて移動するように動作する。
本発明の一の形態によれば、前記供給手段は、前記基板の搬送速度に合せて移動している間、前記基板の下面全面に前記処理液を供給し続ける。
本発明に係る基板処理方法は、基板の表裏を反転させることにより前記基板の表面を下面側にする工程と、前記反転された基板を所定の方向に搬送しながら、基板の下面側に位置する該基板の表面全面に対して、該基板の表面とほぼ同じ大きさの処理液を供給する領域を、該基板の搬送速度に合わせて該基板の搬送方向に移動させつつ、該基板に処理液を供給する工程とを具備する。
【００２０】
本発明の更なる特徴と利点は、添付した図面及び発明の実施の形態の説明を参酌することにより一層明らかになる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００２２】
図１は本発明が適用されるＬＣＤ基板の塗布現像処理システムを示す平面図であり、図２はその正面図、また図３はその背面図である。
【００２３】
この塗布現像処理システム１は、複数のガラス基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション２と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部３と、露光装置３２との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェース部４とを備えており、処理部３の両端にそれぞれカセットステーション２及びインターフェース部４が配置されている。
【００２４】
カセットステーション２は、カセットＣと処理部３との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機構１０を備えている。そして、カセットステーション２においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１２上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１によりカセットＣと処理部３との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００２５】
処理部３には、カセットステーション２におけるカセットＣの配列方向（Ｙ方向）に垂直方向（Ｘ方向）に延設された主搬送部３ａと、この主搬送部３ａに沿って、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）を含む各処理ユニットが並設された上流部３ｂ及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）１８を含む各処理ユニットが並設された下流部３ｃとが設けられている。
【００２６】
主搬送部３ａには、Ｘ方向に延設された搬送路３１と、この搬送路３１に沿って移動可能に構成されガラス基板ＧをＸ方向に搬送する搬送シャトル２３とが設けられている。この搬送シャトル２３は、例えば支持ピンにより基板Ｇを保持して搬送するようになっている。また、主搬送部３ａのインターフェース部４側端部には、処理部３とインターフェース部４との間で基板Ｇの受け渡しを行う垂直搬送ユニット７が設けられている。
【００２７】
上流部３ｂにおいて、カセットステーション２側端部には、基板Ｇに洗浄処理を施すスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０が設けられ、このスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０の上段に基板Ｇ上の有機物を除去するためのエキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９が配設されている。
【００２８】
スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０には、ローラ型の搬送装置５０が設けられており、この搬送装置５０により基板Ｇは水平に搬送されながら洗浄処理されるようになっている。また、このスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０の両端には、外部と間で基板の受け渡しを行うための上下昇降機構を有する受け渡しピン４６が設けられている。
【００２９】
スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０の隣には、ガラス基板Ｇに対して熱的処理を行うユニットが多段に積み上げられた熱処理系ブロック２４及び２５が配置されている。これら熱処理系ブロック２４と２５との間には、垂直搬送ユニット５が配置され、搬送アーム５ａがＺ方向及び水平方向に移動可能とされ、かつθ方向に回動可能とされているので、両ブロック２４及び２５における各熱処理系ユニットにアクセスして基板Ｇの搬送が行われるようになっている。なお、上記処理部３における垂直搬送ユニット７についてもこの垂直搬送ユニット５と同一の構成を有している。
【００３０】
図２に示すように、熱処理系ブロック２４には、基板Ｇにレジスト塗布前の加熱処理を施すベーキングユニット（ＢＥＫＥ）が２段、ＨＭＤＳガスにより疎水化処理を施すアドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック２５には、基板Ｇに冷却処理を施すクーリングユニット（ＣＯＬ）が２段、アドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から順に積層されている。
【００３１】
熱処理系ブロック２５に隣接してレジスト処理ブロック１５がＸ方向に延設されている。このレジスト処理ブロック１５は、基板Ｇにレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）と、減圧により前記塗布されたレジストを乾燥させる減圧乾燥ユニット（ＶＤ）と、基板Ｇの周縁部のレジストを除去するエッジリムーバ（ＥＲ）とが一体的に設けられて構成されている。このレジスト処理ブロック１５には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）からエッジリムーバ（ＥＲ）にかけて移動する図示しないサブアームが設けられており、このサブアームによりレジスト処理ブロック１５内で基板Ｇが搬送されるようになっている。
【００３２】
レジスト処理ブロック１５に隣接して多段構成の熱処理系ブロック２６が配設されており、この熱処理系ブロック２６には、基板Ｇにレジスト塗布後の加熱処理を行うプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）が３段積層されている。
【００３３】
下流部３ｃにおいては、図３に示すように、インターフェース部４側端部には、熱処理系ブロック２９が設けられており、これには、クーリングユニット（ＣＯＬ）、露光後現像処理前の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。
【００３４】
熱処理系ブロック２９に隣接して、本発明に係る現像処理ユニット（ＤＥＶ）１８がＸ方向に延設されている。この現像処理ユニット（ＤＥＶ）については後述する。この現像処理ユニット（ＤＥＶ）１８の隣には熱処理系ブロック２８及び２７が配置され、これら熱処理系ブロック２８と２７との間には、上記垂直搬送ユニット５と同一の構成を有し、両ブロック２８及び２７における各熱処理系ユニットにアクセス可能な垂直搬送ユニット６が設けられている。また、現像処理ユニット（ＤＥＶ）１８端部の上には、ｉ線処理ユニット（ｉ―ＵＶ）３３が設けられている。
【００３５】
熱処理系ブロック２８には、クーリングユニット（ＣＯＬ）、基板Ｇに現像後の加熱処理を行うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック２７も同様に、クーリングユニット（ＣＯＬ）、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。
【００３６】
インターフェース部４には、正面側にタイトラー及び周辺露光ユニット（Ｔｉｔｌｅｒ／ＥＥ）２２が設けられ、垂直搬送ユニット７に隣接してエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５が、また背面側にはバッファカセット３４が配置されており、これらタイトラー及び周辺露光ユニット（Ｔｉｔｌｅｒ／ＥＥ）２２とエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５とバッファカセット３４と隣接した露光装置３２との間で基板Ｇの受け渡しを行う垂直搬送ユニット８が配置されている。この垂直搬送ユニット８も上記垂直搬送ユニット５と同一の構成を有している。
【００３７】
図４は、本発明の第１の実施形態に係る現像処理ユニット（ＤＥＶ）の側面図である。この現像処理ユニット（ＤＥＶ）には、基板ＧをＸ方向に搬送する手段として、図示しないモータにより回転駆動される複数の搬送ローラ４１が設けられている。この搬送ローラ４１による搬送上流側（図中左）には、基板Ｇの下面側に配置され現像液を供給する現像液ノズル４３が設けられている。この現像液ノズル４３の下流側においては、基板Ｇに対しそれぞれリンス液を供給して、現像液を洗い流し及び洗浄する第１リンスノズル７７及び第２リンスノズル７６が基板Ｇの下面及び上面に配置されている。この第１リンスノズル７７及び第２リンスノズル７６の下流側においては、基板Ｇにエアを吹き付けて乾燥させる第１エア供給装置７９及び第２エア供給装置７８が基板Ｇの下面及び上面に配置されている。
【００３８】
上記第２リンスノズル７６のリンス液の供給量を第１リンスノズル７７のリンス液の供給量よりも多くなるようにされている。また、第２エア供給装置７８のエアの供給量を第１エア供給装置７９のエアの供給量よりも多くなるようにされている。これにより、基板Ｇの下面に対してリンス処理及び乾燥処理を施す場合であっても、基板Ｇを安定に搬送させることができる。
【００３９】
図５及び図６は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）における上記現像液ノズル４３が配置された部位の正面図及び平面図である。例えば、上記搬送ローラ４１にはフランジ部４１ａが形成されており、基板Ｇはこのフランジ部４１ａに載置され搬送されるようになっている。現像液ノズル４３は、例えば垂直の支持体４４により、搬送される基板Ｇに対してわずかな隙間を空けて支持されている。また、現像液ノズル４３の基板Ｇに対向する面は基板Ｇの大きさとほぼ同じ大きさとされている。支持体４４は台部４５に固定されており、この台部４５には、例えば基板Ｇの搬送方向に延設されたレール４９に沿って走行する車輪４７が設けられ、駆動モータ４２により基板Ｇの搬送方向に移動可能とされている。
【００４０】
図７は、現像液ノズル４３の断面図である。この現像液ノズル４３は、現像液を貯留するためのバッファ室５９を有するマニホールド４８に、複数の孔５２ａが形成された多孔質部材５２が接続されている。マニホールド４８には、例えば図示しない供給源からの現像液を供給するための供給口４８ａが複数形成されている。上述したように、この現像液ノズル４３は、搬送される基板Ｇの下面側に隙間を空けて配置されている。
【００４１】
図８は、一実施形態に係る反転機構を示す斜視図である。この反転機構は、例えば、基板Ｇを真空吸着するための吸着部５６を複数有するコ字形状部材７５が、支持部材５８の軸５４に回動可能に軸支されている。この反転機構は、例えば現像処理ユニット（ＤＥＶ）における搬送上流端及び搬送下流端に配置されている。
【００４２】
図９に示すように、この反転機構は、垂直搬送ユニット７の搬送アームから基板Ｇが受け渡された後反転し、図１０に示す状態となる。そしてこの状態から現像処理ユニット（ＤＥＶ）の受け渡しピン４６が上昇して、基板Ｇが受け渡しピン４６に受け渡されるようになっている。
【００４３】
以上のように構成された塗布現像処理システム１の処理工程については、先ずカセットＣ内の基板Ｇが処理部３における上流部３ｂに搬送される。上流部３ｂでは、エキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９において表面改質・有機物除去処理が行われ、次にスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０において、搬送装置５０により基板Ｇが略水平に搬送されながら洗浄処理及び乾燥処理が行われる。続いて熱処理系ブロック２４の最下段部で垂直搬送ユニットにおける搬送アーム５ａにより基板Ｇが取り出され、同熱処理系ブロック２４のベーキングユニット（ＢＥＫＥ）にて加熱処理、アドヒージョンユニット（ＡＤ）にて疎水化処理が行われ、熱処理系ブロック２５のクーリングユニット（ＣＯＬ）による冷却処理が行われる。
【００４４】
次に、基板Ｇは搬送アーム５ａから搬送シャトル２３に受け渡される。そしてレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）に搬送され、レジストの塗布処理が行われた後、減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）にて減圧乾燥処理、エッジリムーバ（ＥＲ）にて基板周縁のレジスト除去処理が順次行われる。
【００４５】
次に、基板Ｇは搬送シャトル２３から垂直搬送ユニット７の搬送アームに受け渡され、熱処理系ブロック２６におけるプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）にて加熱処理が行われた後、熱処理系ブロック２９におけるクーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われる。続いて基板Ｇはエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５にて冷却処理されるとともに露光装置にて露光処理される。
【００４６】
次に、基板Ｇは垂直搬送ユニット８及び７の搬送アームを介して熱処理系ブロック２９のポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）に搬送され、ここで加熱処理が行われた後、クーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われる。そして基板Ｇは、熱処理系ブロック２９の最下段において垂直搬送ユニット７の搬送アームから反転機構に受け渡される。
【００４７】
そして反転機構により反転された基板Ｇは、図１１（ａ）に示すように、受け渡しピン４６に受け渡されて下降する。基板Ｇが搬送上流端の搬送ローラ４１に載置されると、同図（ｂ）に示すように搬送され、現像液ノズル４３上に搬送されてくる。ここで、例えば現像液ノズルの待機位置付近に配置された光学センサＳにより基板Ｇの搬送位置を確認してから、現像液ノズル４３は現像液の吐出を開始するとともに、同図（ｃ）に示すように、基板Ｇの搬送速度に合わせて移動を開始する。この現像液ノズル４３の移動中は、現像液を吐出し続けるようにし、現像処理を行う。この後、搬送下流側で基板Ｇはリンス処理が及び乾燥処理が行われる。
【００４８】
現像液ノズル４３により現像液を吐出する場合には、多孔質部材５２を介して現像液５５がしみ出るように基板Ｇの下面全面に一様に供給することができる。しかも、現像処理中に現像液ノズル４３を基板Ｇの搬送に合わせて移動させることにより、常に基板Ｇの下面に多孔質部材５２の吐出面が対向しているので、従来のような液盛り現像中において、現像液の表面張力により基板Ｇの周縁部で液膜厚が盛り上がることはなく、均一な液膜厚で現像処理を行うことができる。これにより、線幅均一性を向上させることができる。
【００４９】
また、多孔質部材５２により現像液をしみ出すように基板Ｇに供給しているので、基板Ｇに対する現像液のインパクトを軽減させることができ、パターン折れ等を防止することができる。
【００５０】
また、本実施形態では、インパクトが軽減できることによりプリウェットの必要がないため、プリウェットのための装置を必要とせず、また、現像液を再利用するにあたり、従来のようにプリウェットによる現像液は薄められることはないので、現像液の回収効率を向上させることができる。
【００５１】
更に、本実施形態によれば、現像処理の前に基板Ｇを反転させて基板の下面側に対して現像処理を行い、次にそのままの状態でリンス処理及び乾燥処理を行うこととしたので、このリンス処理及び乾燥処理によって基板の下面側に付着した塵や埃等が落ちやすいという作用効果を奏する。
【００５２】
現像処理ユニット（ＤＥＶ）による現像処理が終了すると、基板Ｇは熱処理系ブロック２８における最下段において反転機構により反転され、垂直搬送ユニット６の搬送アーム６ａにより受け渡される。そして熱処理系ブロック２８又は２７におけるポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）で加熱処理が行われ、クーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われる。そして基板Ｇは搬送機構１０に受け渡されカセットＣに収容される。
【００５３】
図１２及び図１３は、本発明の第２の実施形態に係る現像処理ユニット（ＤＥＶ）の一部を示す斜視図及び側面図である。
【００５４】
本実施形態では、基板Ｇの面と平行に回転する複数の搬送ローラ６１により基板Ｇが水平方向に搬送されるようになっている。この搬送ローラ６１は基板の両端を挟むような形状に形成されており、回転により基板Ｇを搬送する。搬送される基板Ｇの下面には、長尺状の現像液ノズル６５が基板Ｇの搬送方向に複数配列されている。この現像液ノズル６５は、上記第１の実施形態と同様の構成を有しており、供給管６４から供給される現像液を、バッファ室を有するマニホールド及び多孔質部材６３を介して基板の下面側にしみ出るように供給するようになっている。
【００５５】
本実施形態によっても、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。本実施形態では、搬送される基板Ｇに対応して基板Ｇに対向するノズルのみにより現像液を吐出させるようにし、基板Ｇに対向しない他のノズルは吐出を停止することが好ましいが、全てのノズルにより現像液を常に吐出さておくようにすることももちろん可能である。
【００５６】
以上、上記各実施形態において、ガラス基板をローラ搬送等により水平に搬送させながら現像処理を行う場合について説明したが、これらに限定されるものではない。例えば、図１４及び図１５に示すように、カップＣＰ内に配置された保持部６６により基板Ｇを吸着保持して現像を行う現像処理ユニットにも本発明は適用可能である。
【００５７】
本実施形態の現像液ノズルは、上記第１の実施形態と同一の現像液ノズル４３を使用しており、この現像液ノズル４３は、昇降支持部材７２により支持され、駆動部８０によって昇降可能に配置されている。この駆動部８０は現像液ノズル４３と基板Ｇとの距離を例えば数ｍｍ単位又はこれ以下の単位で制御するようになっている。
【００５８】
なお、この現像処理ユニット以外の外部とこの現像処理ユニットとの間で基板Ｇが搬送される際は、現像液ノズル４３は上昇している状態で待機している状態となっている。また、保持部６６は、基板Ｇの受け渡しのためにモータ部７４により昇降可能となっており、更に液切り乾燥処理のために回転可能とされている。なお、本実施形態では図示を省略したが、リンス液を供給するリンスノズルももちろん設けられている。
【００５９】
本実施形態の現像処理ユニットにおいて基板Ｇに現像液を供給する場合には、先ず現像液ノズル４３を基板Ｇに対して近づけ、この近づけた状態から現像液６８の吐出を開始し、徐々に現像液ノズル４３を基板Ｇから離していく。そして図１６に示すように、基板Ｇと現像液ノズル４３との距離が所定の距離に達したら現像液の吐出を停止し、ノズル４３を当該所定の距離を保った位置で現像処理が終了するまで保持しておく。
【００６０】
従って、従来の液盛り現像では、図１７に示すように現像液８５が基板Ｇの周縁部で盛り上がってしまい均一な液盛り状態での現像処理ができなかったが、本実施形態によれば、基板全面における液膜厚を所定の値で均一に保つことができる。また、本実施形態では現像液ノズル４３による張力が現像液６８に加わるため、現像液の量を従来より多い状態で現像処理を行うことができる。現像液の量が少ない場合、現像液にレジスト材料が溶け出して副生成物ができ、これにより反応速度が変化する傾向があるが、本実施形態では現像液の量が多いので処理能力が安定する。
【００６１】
更に本実施形態によれば、従来型の静止現像を行う現像処理ユニット及びこの現像処理ユニットを含むレジスト塗布現像処理システムにも応用できる。
【００６２】
なお、現像液ノズルの基板Ｇに対する距離を制御して液膜厚を制御する方法は、上記第１の実施形態及び第２の実施形態においても適用可能である。例えば、図５に示す支持体４４を伸縮自在に構成して、基板Ｇと現像液ノズル４３との距離を制御可能にしてもよい。また、図１２及び図１３に示す各現像液ノズル６５についても同様である。
【００６３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、現像液供給の際の基板に対するインパクトを軽減し線幅の均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用される塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図である。
【図２】図１に示す塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１に示す塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る現像処理ユニット（ＤＥＶ）の側面図である。
【図５】図４に示す現像処理ユニット（ＤＥＶ）における現像液ノズルの正面図である。
【図６】同現像液ノズルの平面図である。
【図７】同現像液ノズルの断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る反転機構を示す斜視図である。
【図９】図８に示す反転機構の側面図である。
【図１０】図８に示す反転機構の反転した状態を示す側面図である。
【図１１】受け渡しピンから現像液ノズルまで搬送される際の作用図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る現像処理ユニットの一部を示す斜視図である。
【図１３】図１２に示す現像処理ユニットにおける現像液ノズルの側面図である。
【図１４】本発明の他の実施形態に係る現像処理ユニットの一部を示す平面図である。
【図１５】図１４に示す現像処理ユニットの一部の断面図である。
【図１６】現像液ノズルによる液盛り状態を示す側面図である。
【図１７】従来の液盛り状態を示す側面図である。
【符号の説明】
Ｇ…ガラス基板
４１…搬送ローラ
４１ａ…フランジ部
４２…駆動モータ
４３、６５…現像液ノズル
４８…マニホールド
４８ａ…供給口
４９…レール
５２ａ…孔
５２、６３…多孔質部材
５４…軸
５５、６８…現像液
５６…吸着部
５８…支持部材
５９…バッファ室
６１…搬送ローラ
６６…保持部
７２…昇降支持部材
７４…モータ部
７５…コ字形状部材
７６、７７…リンスノズル
７８、７９…エア供給装置
８０…駆動部

Claims

基板を所定の方向に搬送させる搬送手段と、
前記搬送手段による基板の搬送方向に移動するとともに、前記搬送される基板の下面に対向して配置された多孔質部材を介して前記基板の下面全面に処理液を供給する供給手段と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記多孔質部材の前記搬送される基板に対向する面は、基板の大きさとほぼ等しいことを特徴とする基板処理装置。
請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置において、
前記供給手段よりも搬送下流側に設けられ、前記搬送される基板の下面及び表面にリンス液を供給して前記処理液を洗い流し及び洗浄する手段と、
前記処理液が洗い流され及び洗浄された基板の下面及び表面にエアを吹きつけて乾燥させる手段と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の基板処理装置において、
前記搬送される基板の下面に供給するリンス液の量よりも表面に供給するリンス液の量を多くする手段と、
前記搬送される基板の下面に吹き付けるエアの量よりも表面に供給するエアの量を多くする手段と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
請求項１から請求項４のうちいずれか１項に記載の基板処理装置において、
前記搬送手段に隣接して配置され、外部から供給される基板の表裏を反転させる機構を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
基板を搬送させる搬送手段と、
搬送される基板の下面に対向して配置され、該基板と対向する面が該基板の大きさとほぼ同じ大きさで、かつ、基板の搬送方向に移動自在な基板の下面全面に処理液を供給する供給手段と、
前記供給手段の待機位置付近に配置され、前記基板の搬送位置を確認するためのセンサと
を具備し、
前記供給手段は、前記センサにより前記基板の搬送位置を確認し、前記処理液の吐出を開始するとともに、前記基板の搬送速度に合せて移動するように動作することを特徴とする基板処理装置。
請求項６に記載の基板処理装置であって、
前記供給手段は、前記基板の搬送速度に合せて移動している間、前記基板の下面全面に前記処理液を供給し続けることを特徴とする基板処理装置。
基板の表裏を反転させることにより前記基板の表面を下面側にする工程と、
前記反転された基板を所定の方向に搬送しながら、基板の下面側に位置する該基板の表面全面に対して、該基板の表面とほぼ同じ大きさの処理液を供給する領域を、該基板の搬送速度に合わせて該基板の搬送方向に移動させつつ、該基板に処理液を供給する工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法。