JP3955065B2 - 光結合器 - Google Patents

光結合器 Download PDF

Info

Publication number
JP3955065B2
JP3955065B2 JP2005009991A JP2005009991A JP3955065B2 JP 3955065 B2 JP3955065 B2 JP 3955065B2 JP 2005009991 A JP2005009991 A JP 2005009991A JP 2005009991 A JP2005009991 A JP 2005009991A JP 3955065 B2 JP3955065 B2 JP 3955065B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
lens member
lead frame
resin
optical element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005009991A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006201226A (ja
Inventor
英明 藤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2005009991A priority Critical patent/JP3955065B2/ja
Priority to DE112006000228T priority patent/DE112006000228T5/de
Priority to PCT/JP2006/300350 priority patent/WO2006077775A1/ja
Priority to US11/795,332 priority patent/US20080123198A1/en
Priority to CNA200680002383XA priority patent/CN101103290A/zh
Publication of JP2006201226A publication Critical patent/JP2006201226A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3955065B2 publication Critical patent/JP3955065B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4206Optical features
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/4228Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
    • G02B6/423Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using guiding surfaces for the alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • H01L2924/01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

この発明は、光学素子を有する光結合器に関し、詳しくは、光ファイバを伝送媒体とした家庭内通信や自動車内通信やLAN(Local Area Network)等に使用可能な光結合器に関する。
従来より、発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)やフォトダイオード(PD:Photo Diode)等の光学素子と光ファイバとを光学的に結合させる光結合器が知られており、機器間や家庭内や自動車内等での光通信に利用されている。一般に、光結合器は、光学素子を透明モールド樹脂により封止(トランスファーモールド)したものと、金属性のケースの中に気密封止(ハーメチックシール)したものが知られている。
図9は、第1の従来技術としての光結合器1の縦断面を示す。この光結合器1は、リードフレーム2に光学素子3が搭載され、その光学素子3は透明モールド樹脂4によってトランスファーモールドされている。尚、透明モールド樹脂4における光学素子3の光学面(光が入出射する面)5と対向する位置には、レンズ部6が形成されている。また、光学素子3とリードフレーム2とは、ボンディングワイヤ8によって電気的に接続されている。
上記構成の光結合器1においては、上記光学素子3が発光素子である場合には、光学面5から出射された光は、透明モールド樹脂4内を透過し、レンズ部6によって集光されて光ファイバ7の端面7aに向かって出射される。そして、こうして出射されたレンズ部6からの光は光ファイバ7に入射する。
また、上記光学素子3が受光素子である場合には、光ファイバ7の端面7aから出射された光は、透明モールド樹脂4のレンズ部6によって集光されて透明モールド樹脂4内を透過し、光学面5に入射する。こうにして、光ファイバ7と光学素子3とが光伝達可能な状態に、所謂光学的に結合されるのである。
図10は、第2の従来技術としての光結合器11の縦断面を示す(特許文献1(特開昭60‐12782号公報(図3)))。この光結合器11は、リードフレーム13の光ファイバ14側とは反対側の面(以下、裏面という)13aにおける貫通穴15の位置に光学素子12が配置され、透明モールド樹脂16によってトランスファーモールドされている。
上記構成の光結合器11においては、上記光学素子12の光学面17に対して入出射する光は、貫通穴15を通過すると共に、透明モールド樹脂16を透過して、光ファイバ14の端面14aに対して入出射する。
このような光結合器11においては、上記光学素子12とリードフレーム13とを電気的に接続するボンディングワイヤ18を、リードフレーム13の裏面13a側に配置することができる。したがって、上記光結合器1の場合に比して、光学素子12と光ファイバ14との間隔を狭く(つまり、光ファイバ14側の透明モールド樹脂16の厚みを薄く)することができ、LEDのように放射角度の大きい発光素子を光学素子12として使用する場合には、光の利用効率を改善できる効果がある。
図11は、第3の従来技術としての光結合器21の縦断面図を示す(特許文献2(特開昭59‐180515号公報(図2)))。この光結合器21は、光学素子22が金属ステム23の凹部23aの底部に配置され、レンズ24が設けられたレンズキャップ25によってハーメチックシールされている。尚、光学素子22とリード端子26とは、ボンディングワイヤ27によって電気的に接続されている。
上記構成の光結合器21においては、上記光学素子22に対して入出射する光は、レンズキャップ25のレンズ24によって集光されて、光ファイバ28の端面28aに対して入出射する。
しかしながら、上記各従来の光結合器においては以下のような問題がある。すなわち、上記第1および第2の従来技術では、光学素子3,12をリードフレーム2,13に配置し透明モールド樹脂4,16によって封止する構成をとっている。この場合には、透明モールド樹脂4,16とリードフレーム2,13との線膨張係数差が大きいために、光結合器1,11を使用することが可能な環境温度が限定されるという問題がある。
すなわち、上記第1の従来技術においては、一般に、上記透明モールド樹脂4として使用されるエポキシ系の樹脂の線膨張係数は60ppm/K〜70ppm/Kである。それに対し、リードフレーム2に使用される銅等の線膨張係数は20ppm/K程度であり、線膨張係数の差が大きいことから、環境温度が変化した場合には透明モールド樹脂4とリードフレーム2との界面に大きな熱応力が発生する。そのために、透明モールド樹脂4が破損(ひび割れ)すること、透明モールド樹脂4がリードフレーム2から剥離すること、レンズ部6が変形して光学特性が変化する等の問題がある。
また、上記第2の従来技術においては、上記リードフレーム13の貫通穴15に入った透明モールド樹脂16が、熱応力によって光学素子12の表面から剥離し、光学素子12の特性が変化する(例えば、光学素子12がLEDの場合には、透明モールド樹脂16の剥離によって光学面17が光学素子12と接する面の屈折率が変化して光取り出し効率が変化する)という問題がある。一方において、モールド樹脂にフィラーを添加することによって線膨張係数を低減できることが知られているが、この場合は、透明モールド樹脂16が白濁してしまい、光学特性が劣化(透過率が低下)するため、光結合器11に利用することが困難である。以上のことから、光結合器11の使用環境温度は−20℃から80℃程度に限定されている。
また、上記第3の従来技術においては、上述したようにハーメチックシールを用いている。その場合には、上記第2の従来技術で述べたような熱応力の影響は小さいが、金属ステム23を使用するため光結合器21の価格が高くなると共に、小型化が困難であるという問題がある。また、光学素子22とレンズキャップ25との間に空気層ができるため、光の反射損失が大きいという問題もある。
特開昭60‐12782号公報(図3) 特開昭59‐180515号公報(図2)
そこで、この発明の課題は、使用可能な環境温度範囲が広く、安定した光学特性を得ることができ、小型で低コストな光結合器を提供することにある。
上記課題を解決するため、この発明の光結合器は、
光学素子と、
上記光学素子が搭載されると共に、上記光学素子と電気的に接続されたリードフレームと、
上記光学素子に対して入射あるいは出射する光を集光するレンズを含むレンズ部材と
を備え、
上記レンズ部材は、上記レンズが、上記光学素子における光が入射あるいは出射する面である光学面に対向するように配置されており、
上記レンズ部材と上記光学素子の光学面との間には透明樹脂が介在しており、
上記リードフレームには貫通穴が形成されており、
上記光学素子は、上記光学面を上記リードフレームに形成された上記貫通穴内に位置させると共に、上記貫通穴における一方の開口を塞ぐように配置されており、
上記レンズ部材は、上記レンズの光軸が上記リードフレームに形成された上記貫通穴内を貫通すると共に、上記貫通穴における他方の開口を塞ぐように配置されており、
上記貫通穴内には上記透明樹脂が充填されている
ことを特徴とする光結合器において、
上記レンズ部材における上記リードフレームに対向する面には突起部が一体に設けられており、上記レンズ部材が上記リードフレームの貫通穴における上記他方の開口を塞ぐように配置されて上記透明樹脂を介して当該リードフレームに接着された際に、当該リードフレームの貫通穴に上記突起部が挿入されるようになっている
ことを特徴としている。
上記構成によれば、上記第1の従来技術における光結合器1のごとく素子の封止を兼ねたトランスファーモールドで形成されたレンズに比して、小型のレンズを使用することができ、上記レンズ部材に掛かる熱応力を低減することができる。したがって、上記レンズ部材の変形や破損や上記リードフレームからの剥離を生じ難くできる。さらに、上記透明樹脂を、上記リードフレームと上記レンズ部材との線膨張係数差によって上記リードフレームと上記レンズ部材との間に生じる熱応力の緩衝部材として用いることができる。したがって、広い温度範囲で使用することが可能になる。さらに、上記レンズ部材と上記光学素子の光学面との間には透明樹脂が介在しているので、上記光学素子の光学面を保護することができる。
さらに、上記リードフレームを上記レンズの鏡筒として用いることができ、当該光結合器の小型化を図ると共に、部品点数を低減させてコストを低減することが可能になる。さらに、上記リードフレームの貫通穴には上記透明樹脂が充填されているので、上記貫通穴の直下に位置する上記光学素子の光学面を保護することができる。
さらに、上記レンズ部材が上記リードフレームの貫通穴における上記他方の開口を塞ぐように配置されて上記透明樹脂を介して当該リードフレームに接着された際に、上記レンズ部材に一体に設けられた突起部が上記貫通穴に挿入されるため、上記貫通穴に充填されている硬化前で液状の上記透明樹脂が、気泡と共に上記貫通穴の外に押し出される。したがって、上記貫通穴内における硬化後の上記透明樹脂に気泡が混入することを防止することができ、光学特性の製造ばらつきを少なくすることができる。
また、1実施の形態の光結合器では、
上記レンズ部材の突起部は、上記光軸に直交する方向への寸法が先端に向かうに連れて減少するテーパ形状になっている。
この実施の形態によれば、上記レンズ部材の突起部がテーパ形状に形成されているために、上記リードフレームの貫通穴内における液状の上記透明樹脂が上記テーパ形状の突起部によって連続して押し出されて流出する。したがって、上記貫通穴内における硬化後の上記透明樹脂に気泡が入ることをより確実に防止することができ、光学特性の製造ばらつきをより少なくすることができる
た、1実施の形態の光結合器では、
上記透明樹脂は、シリコン系化合物である。
この実施の形態によれば、上記透明樹脂としてシリコン系化合物を用いるので、上述した熱応力の緩衝効果と上記光学素子の封止効果との両方を得ることができる。
また、1実施の形態の光結合器では、
上記フィラー入り樹脂に、上記レンズ部材と上記光学素子の光学面との間に充填された上記透明樹脂が上記レンズ部材の領域を超えて広がることを防止する樹脂溜まり部を設けている。
この実施の形態によれば、上記レンズ部材と上記光学素子の光学面との間に充填された硬化前の液状の上記透明樹脂が、上記レンズ部材の領域を超えて外部に流出することを防止することができる。したがって、製造が容易となると共に、上記レンズ部材を上記樹脂溜まり部内に溜まった透明樹脂によって上記リードフレームから離した状態で上記リードフレームに接着することが可能になる。さらに、上記樹脂溜まり部を上記フィラー入り樹脂によって形成することによって部品点数の低減を行うことができる。
また、1実施の形態の光結合器では、
上記樹脂溜まり部は、上記レンズ部材の平面形状と略同一の平面形状を有すると共に、上記レンズ部材が収納される凹部でなり、
上記樹脂溜まり部における開口部の周囲には、上記光学素子に対して入出射する光を伝播する光ファイバの先端部が嵌合されると共に、上記嵌合された光ファイバの先端部と上記レンズ部材との位置合わせを行うコネクタ部が設けられている。
この実施の形態によれば、上記樹脂溜まり部と上記コネクタ部とを上記フィラー入り樹脂によって一体に形成するので小型化が可能になる。さらに、上記レンズ部材を収納する凹部でなる上記樹脂溜まり部における開口部の周囲に、光ファイバの先端部が嵌合される上記コネクタ部を設けている。したがって、上記コネクタ部に上記光ファイバの先端部を装着するだけで、上記レンズ部材と上記光ファイバの先端部との位置合わせが簡単に且つ高精度で行うことができる
た、1実施の形態の光結合器では、
上記レンズ部材における上記リードフレームに対向する面には、上記リードフレームの貫通穴と外部とに連通する溝部が設けられている。
この実施の形態によれば、上記レンズ部材には上記リードフレームの貫通穴と外部とに連通する溝部が形成されているために、上記レンズ部材が上記リードフレームの貫通穴における上記他方の開口を塞ぐように配置された際に、上記貫通穴に充填されている硬化前で液状の上記透明樹脂が、気泡と共に上記溝部を介して外部に流出する。したがって、上記貫通穴内における硬化後の上記透明樹脂に気泡が混入することを防止でき、光学特性の製造ばらつきを少なくすることができる。
また、1実施の形態の光結合器では、
上記リードフレームの貫通穴における内周面は、上記光学素子に対して入射あるいは出射する光を反射する反射面となっている。
この実施の形態によれば、上記リードフレームの貫通穴における内周面を反射面とすることによって、上記リードフレームの貫通穴を光路変更部材として利用することができ、簡易な構成によって光結合効率の改善等の光学機能の追加を行うことができる。
以上より明らかなように、この発明の光結合器は、レンズ部材を、レンズが光学素子における光学面に対向するように配置し、上記レンズ部材と上記光学素子の光学面との間には透明樹脂を介在させたので、素子を封止するトランスファーモールドで形成されたレンズに比して小型のレンズを使用することができ、上記レンズ部材に掛かる熱応力を低減することができる。したがって、上記レンズ部材の変形や破損や上記リードフレームからの剥離を生じ難くできる。
さらに、上記透明樹脂を、上記リードフレームと上記レンズ部材との線膨張係数差によって上記リードフレームと上記レンズ部材との間に生じる熱応力の緩衝部材として用いることができる。したがって、広い温度範囲で使用することが可能になる。また、上記レンズ部材と上記光学素子の光学面との間には透明樹脂が介在しているので、上記光学面を保護することができる。
さらに、上記リードフレームに貫通穴を形成し、レンズ部材を、レンズの光軸がリードフレームに形成された貫通穴内を貫通すると共に、上記貫通穴の開口を塞ぐように配置し、上記貫通穴内には透明樹脂を充填したので、上記リードフレームをレンズの鏡筒として用いることができ、当該光結合器の小型化を図り、部品点数を低減させてコストを低減することができる。さらに、上記リードフレームの貫通穴には上記透明樹脂が充填されるので、上記貫通穴の直下に位置する上記光学素子の光学面を保護することができる。
さらに、上記レンズ部材に、上記リードフレームの貫通穴に挿入される突起部を一体に設けたので、上記レンズ部材の突起部が上記貫通穴に挿入されて上記透明樹脂を介して当該リードフレームに接着される際に、上記貫通穴に充填されている硬化前で液状の上記透明樹脂を、気泡と共に上記貫通穴の外に押し出すことができる。したがって、上記貫通穴内における硬化後の上記透明樹脂に気泡が混入することを防止して、光学特性の製造ばらつきを少なくすることができる
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
・第1実施の形態
図1は、本実施の形態の光結合器における縦断面図である。光結合器30は、光通信を行うために、光学素子32を、光ファイバ33と光伝達可能な状態に接続(所謂、光学的に結合)するための装置である。光学素子32は、光学機能を有する半導体であって、例えば、発光ダイオードや面発光レーザ(VCSEL)等の発光素子、および、フォトダイオード等の受光素子である。
上記光ファイバ33は、可撓性を有して長尺状に形成されたケーブルであり、一端部から他端部に向けて光を伝達する光伝達媒体となる。すなわち、光ファイバ33の一端部から入射した光は、光ファイバ33内を通過し、光ファイバ33の他端部から出射するのである。光ファイバ33における上記一端部の外周部分は、光結合器30に結合するための結合部であるプラグ34によって覆われている。
上記光結合器30には、光ファイバ33のプラグ34が着脱自在に嵌合するコネクタ部35が設けられている。そして、プラグ34がコネクタ部35に嵌合した状態において、光ファイバ33の一端面33aが光学素子32に対向する位置に配置されるようになっている。すなわち、コネクタ部35にプラグ34が接続されると、光ファイバ33は、光学素子32に対して自動的に位置が合せられるのである。
図1に示すように、上記光結合器30は、光学素子32と、リードフレーム36と、封止体37と、レンズ部材55と、ドライブ回路39と、ボンディングワイヤ40と、透明接着樹脂41とを含んで構成される。さらに、リードフレーム36は、厚さ100μm〜500μm程度の導電性を有する板状の部材で成り、光学素子搭載部42と内部接続部43と外部接続部44とを含んで構成されている。
上記光学素子32は、上記リードフレーム36における光ファイバ33側の面(以下、「表面」と言う)に、光学面46が光ファイバ33の中央に位置するように配置される。以下、上記リードフレーム36における光ファイバ33が配置されない側の面を「裏面」と言う。光学素子搭載部42は、ボンディングワイヤ40bによって、内部接続部43のドライブ回路39に電気的に接続されている。また、光学素子32は、ボンディングワイヤ40aによって、外部接続部44に電気的に接続されている。実際には他にも多数のボンディングワイヤによって接続が行われているが、図1では省略して記載している。尚、ボンディングワイヤ40aは透明接着樹脂41が充填された部分におけるボンディングワイヤを、ボンディングワイヤ40bは封止体37によって封止された部分におけるボンディングワイヤを、代表して表している。
上記リードフレーム36の光学素子搭載部42における表面側には、光学素子32に対向するようにレンズ部材55が配置されている。このレンズ部材55は、光学素子32の光学面46に対して入出射する光を集光するレンズ部56と、リードフレーム36の表面に対向する接着部57とで構成されている。そして、レンズ部材55とリードフレーム36との間には、透明接着樹脂41が充填されている。こうして、透明接着樹脂41は、リードフレーム36の表面および光学素子32の光学面46と接しており、さらに、レンズ部材55の接着部57とも接している。すなわち、光学素子32の光学面46とレンズ部材55とは、透明接着樹脂41を介して接着されているのである。
上記リードフレーム36は、その表面における光学素子32の周囲を除き、封止体37によって周囲が封止(トランスファーモールド)されている。こうして、封止体37は、ドライブ回路39およびボンディングワイヤ40b等を封止して保護している。また、本実施の形態においては、封止体37によって、上述したコネクタ部35を形成しているのである。
さらに、上記封止体37におけるコネクタ部35の下部には、樹脂溜まり部58を形成しておく。この樹脂溜まり部58は、レンズ部材55の平面形状と略同一の平面形状を有して、レンズ部材55が収納される穴部で構成されている。さらに、樹脂溜まり部58の下部には、レンズ部材55の平面形状を縮小した平面形状を有する凹部で構成された上記接着樹脂充填部59が、段部を介して形成されている。そして、樹脂溜まり部58は、ディスペンサ等によって接着樹脂充填部59内に充填された液状の透明接着樹脂41が接着樹脂充填部59から溢れ、レンズ部材55の領域を超えて外部に流出しないようにする役割を有している。また、接着樹脂充填部59は、透明接着樹脂41が充填される他に、上記段部によってレンズ部材55をリードフレーム36の上記表面から離し、レンズ部材55を光学素子32およびボンディングワイヤ40aに邪魔されずに配置できるようにする役割を有している。
また、上記樹脂溜まり部58は、レンズ部材55と光学素子搭載部42との位置合わせに利用することができる。すなわち、樹脂溜まり部58を、レンズ部材55の平面形状と略同一の平面形状を有すると共に、樹脂溜まり部58の内径とレンズ部材55における接着部57の外径とを略同等にしておくことによって、位置合わせを行うことができるのである。また、本構成においては、樹脂溜まり部58における開口部の周囲には、光ファイバ33のプラグ34が嵌合される段部でなると共に、上記嵌合された光ファイバ33の一端面33aとレンズ部56との位置合わせを行うコネクタ部35を形成しているために、光ファイバ33の位置合わせとレンズ部材55の位置合わせとを同じ部材によって行うことができ、高精度で且つ簡易な組み立てを行うことができるのである。
本光結合器30は、外部装置である制御装置(図示せず)と電気的に接続されており、上記制御装置と互いに電気信号を送受信するようになっている。そして、光学素子32が発光素子である場合には、上記制御装置は、上記電気信号としての発光指令を、ドライブ回路39に供給する。そうすると、ドライブ回路39は、供給された発光指令(電気信号)に従って、発光素子(光学素子)32の光学面46を発光させる。そして、光学面46から放射された光は、レンズ部材55に入射され、レンズ部56で集光されて光ファイバ33の一端面33aに入射されるのである。
一方、上記光学素子32が受光素子である場合には、光ファイバ33の一端面33aから出射された光は、レンズ部材55に入射され、レンズ部56によって集光されて、受光素子(光学素子)32の光学面46に入射する。そして、受光素子32は、光学面46に入射した光(例えば、光量)に応じた電気信号(例えば、電圧信号)を生成し、この生成した電気信号をドライブ回路39または制御装置に出力するのである。
このようにして、本光結合器30は、光学素子32と光ファイバ33とを光伝達可能に結合して、上記制御装置から供給される電気信号を光信号に変換して光学素子32から放射することができる。あるいは、光学素子32に入射される光信号を電気信号に変換して上記制御装置に出力することができるのである。
次に、本実施の形態において、環境温度の変化による熱応力の影響を低減できる理由について、上記第1の従来技術(図9参照)および第2の従来技術(図10参照)と比較して説明する。本実施の形態における光結合器30と上記第1,第2の従来技術における光結合器1,11との相違は、主に以下の3点にある。(A)レンズ部材55をトランスファーモールドで封止体37と一体に形成していないため、小型のレンズ部材55を使用することができる。(B)レンズ部材55が透明接着樹脂41を介してリードフレーム36に接着されている。(C)光学素子32の光学面46の表面が透明接着樹脂41で封止されている。この相違点によって、以下のような効果を奏することができるのである。
すなわち、上記従来の光結合器1(図9参照)においては、レンズ部6が透明モールド樹脂4で形成されており、透明モールド樹脂4はリードフレーム2を含めた封止体となっている。このような構成の場合には、リードフレーム2と透明モールド樹脂4との線膨張係数差が大きく、両者の界面での熱応力が高くなる。したがって、透明モールド樹脂4の損傷(クラック)が生じたり、リードフレーム2から透明モールド樹脂4が剥離したり、レンズ部6が変形したりする。
これに対して、本光結合器30においては、上記レンズ部材55(光結合器1の透明モールド樹脂4とレンズ部6とに相当する部分)は必ずしもトランスファーモールドで形成する必要が無く、トランスファーモールドで形成する場合であっても小型にすることが容易になる。このことによって、封止体37とリードフレーム36との接触面積を小さくでき、更には、レンズ部材55は、透明接着樹脂41を介してリードフレーム36に接着されているため、透明接着樹脂41をリードフレーム36とレンズ部材55との線膨張係数差による熱応力の緩衝部材として利用することができる。したがって、レンズ部材55に働く熱応力を大幅に低減することができ、レンズ部材55に損傷や変形が生ずるのを防止することができる。特に、透明接着樹脂41として、シリコン系の樹脂等のヤング率が低い樹脂を使用することは、透明接着樹脂41の緩衝効果がより高くなるため、より好ましい。さらに、透明接着樹脂41により、光学素子32やボンディングワイヤ40aに働く応力の低減も可能になるのである。
また、副次的な効果として、本実施の形態においては、上記第1,第2の従来例の場合とは異なり、封止体37(光結合器1,11の透明モールド樹脂4,16に相当)に光学的特性は要求されないことから、例えばシリカ等のフィラーを添加した乳白色の樹脂や、IC(集積回路)の封止に使用される黒色の樹脂を使用することができる。したがって、これらの乳白色や黒色の樹脂は、フィラーの添加によってその線膨張係数をリードフレーム36と同等にすることができることから、熱応力の影響を低減することができる。つまり、光結合器30全体に掛る熱応力も低減することが可能となり、封止体37,ボンディングワイヤ40bおよびドライブ回路39に働く応力の低減も可能になるのである。
これに対して、上記従来の光結合器11(図10参照)においては、貫通穴15に充填された透明モールド樹脂16が、熱応力によって光学素子12の表面から剥離して、光学素子12の特性が変化するという問題がある。これも、透明モールド樹脂16とリードフレーム13との接触面積が大きく、貫通穴15において透明モールド樹脂16と光学面17との間の熱応力が高くなることが原因である。
本光結合器30では、透明接着樹脂41として、上述したようにヤング率の低い樹脂を使用することによって応力の緩和効果があること、透明接着樹脂41は接着相手によって任意の材料を選択することができること、一般にトランスファ成型で用いられる透明モールド樹脂16よりも、リードフレーム36や光学面46との接着力がより強い樹脂を選定することができることから、光学面46からの透明接着樹脂41やレンズ部材55の剥離を防止することができ、信頼性の高い光結合器30を得ることができるのである。
以下、上記各部の材料について詳細に説明する。
先ず、上記レンズ部材55は、その材料として、ポリメタクリル酸メチル(PMMA:Poly methyl Methacrylate),ポリカーボネートおよびシクロオレフィン等の樹脂や低融点ガラス等を用い、射出成型等によって任意の形状に加工したものを使用することが可能である。
上記透明接着樹脂41としては光透過性に優れた材料を使用し、反射損失を低減させるために、その屈折率がレンズ部材55に近いものを使用することが好ましい。また、上述したように、熱応力を緩和させるために、ヤング率が1GPa以下のものを用いることが好ましい。具体的には、例えば、エポキシ系の樹脂やシリコン系の樹脂等を用いることができる。特に、シリコン系の樹脂は、ヤング率が低く、上述したように熱応力の緩和効果が高く、さらに、光学素子32の封止効果も高いために、より好ましい。
上記封止体37は、一般には、半導体素子の封止に使用されているエポキシ系の樹脂等にフィラーを添加した材料が用いられ、ボンディングワイヤ(AuやAl)40bと線膨張係数が近く、熱伝導性の高い材料が使用される。例えば、ボンディングワイヤ40bが線膨張係数が14.2ppm/KであるAuの場合には、封止体37の線膨張係数は20ppm/K以下に設定することが好ましい(通常、フィラーを添加していないエポキシ系の樹脂の線膨張係数は60ppm/K程度)。また、封止体37の熱伝導率は0.6W/m・K以上に設定することが好ましい(通常、フィラーを添加していないエポキシ系の樹脂の熱伝導率は0.2W/m・K程度)。
上記光学素子32としては、LEDおよびPDの他に、CCD(Charge Coupled Device:電化結合素子)や上記VCSEL、および、これらの光学素子32と集積回路(IC:Integrated Circuit)とを集積化してなる光電子集積回路(OEIC:Opto‐Electronic Integrated Circuit)等を用いることができる。尚、光学素子32の光波長としては、本光結合器30に結合される光ファイバ33による伝送損失が少ない波長であることが好ましい。
また、上記光ファイバ33としては、例えばプラスチック光ファイバ(POF:Polymer Optical Fiber)や石英ガラス光ファイバ(GOF:Glass Optical Fiber)等のマルチモード光ファイバを用いることが好ましい。上記POFは、コアが上記PMMAやポリカーボネート等の光透過性に優れたプラスチックから成り、クラッドが上記コアよりも屈折率が低いプラスチックで構成されている。また、上記POFは、上記GOFに比してそのコアの径を200μm以上と大きくすることが容易である。したがって、上記POFを用いることによって、光結合器30との結合調整が容易となると共に、安価に製造することができるのである。
また、上記光ファイバ33として、コアが石英ガラスから成り、クラッドがポリマーで構成されたPCF(Polymer Clad Fiber)を用いても差し支えない。このPCFは、上記POFに比して価格は高いが伝送損失が小さく、伝送帯域が広いという特徴がある。したがって、上記PCFを伝送媒体とすることによって、長距離の通信およびより高速の通信が可能な光通信網を構成することが可能になる。
上記リードフレーム36の厚さは、100μmから500μm程度である。そして、リードフレーム36としては、導電性を有し且つ熱伝導性の高い金属から成る薄板状の金属板が用いられ、例えば、銅やその合金、鉄にニッケルが約42パーセント含まれた42アロイ等の鉄の合金が用いられる。また、リードフレーム36の表面は、耐腐食性を向上させるために、銀,金またはパラジウム等によってメッキ処理を施してもよい。
上記構成を有する光結合器30は、次のようにして作製される。先ず、ドライブ回路39をリードフレーム36に接着すると共に電気的に接続し、トランスファーモールドを行うことよって封止体37を形成する。この時、リードフレーム36の表面側を金型によって押さえて、リードフレーム36の光学素子搭載部42および外部接続部44における表面側の接着樹脂充填部59が形成される部分に、封止体37の樹脂が回り込むことを防止する。その後、光学素子32を光学素子搭載部42に接着し、ボンディングワイヤ40aによって電気的に接続し、透明接着樹脂41をディスペンサ等によって接着樹脂充填部59内に充填する。次に、レンズ部材55を樹脂溜まり部58内に挿入して、リードフレーム36の光学素子搭載部42に接着させる。その際に、レンズ部材55の平面形状と略同一の平面形状を有する樹脂溜まり部58によって、レンズ部材55と光学素子搭載部42との位置合わせが行われる。また、本構成においては、樹脂溜まり部58における開口部の周囲には、光ファイバ33のプラグ34が嵌合される段部でなると共に、上記嵌合された光ファイバ33の一端面33aとレンズ部56との位置合わせを行うコネクタ部35を形成しているために、光ファイバ33の位置合わせとレンズ部材55の位置合わせとを同じ部材によって行うことができ、高精度で且つ簡易な組み立てを行うことができるのである。そして、透明接着樹脂41を硬化させることによって、本光結合器30が完成する。尚、透明接着樹脂41の硬化は、使用する接着剤により異なるが、加熱や紫外線照射等によって行われるのである。
・第2実施の形態
本実施の形態における光結合器31は、リードフレームに貫通穴を設け、上記リードフレームの裏面における上記貫通穴の位置に光学素子を配置するものである。
図2は、本実施の形態の光結合器31における縦断面図である。但し、図1に示す光結合器30における構成と同じ構成を有する部材には、図1と同じ番号を付して、詳細な説明は省略する。
図2において、リードフレーム36の光学素子搭載部42には貫通穴45が形成されており、光学素子32は、リードフレーム36における裏面に、光学面46が貫通穴45の中央に位置するように配置されている。そして、光学素子32は、ボンディングワイヤ40によって、外部接続部44に電気的に接続されている。
上記リードフレーム36の光学素子搭載部42の表面側には、貫通穴45に対向するようにレンズ部材38が配置されている。このレンズ部材38は、光学素子32の光学面46に対して入出射する光を集光するレンズ部47と、貫通穴45に挿入される突起部48と、リードフレーム36の表面に対向する接着部49とで構成されている。そして、貫通穴45内におけるレンズ部材38の突起部48と光学素子32の光学面46との間には、透明接着樹脂41が充填されている。こうして、透明接着樹脂41は、リードフレーム36の表面および光学面46と接しており、さらに、レンズ部材38の接着部49および突起部48とも接している。すなわち、光学素子32の光学面46とレンズ部材38とは、透明接着樹脂41を介して接着されているのである。
上記リードフレーム36の貫通穴45は、レンズ部材38を固定する鏡筒の役割も有している。このように、リードフレーム36の貫通穴45を、レンズ部材38を固定する鏡筒として用いることによって、部品点数の低減および小型化が可能になる。また、ボンディングワイヤ40を介さずに、光学素子32とレンズ部材38とを配置できるために両者の距離を近接させて配置することができる。したがって、光学素子32として、LEDのように比較的放射角度が広い発光素子を使用した場合であっても、高い光利用効率を実現することができるのである。
上記光学素子32は、その光学面46を除き、封止体37によって周囲が封止(トランスファーモールド)されている。こうして、封止体37は、光学素子32,ドライブ回路39およびボンディングワイヤ40等を封止して保護している。また、本実施の形態においては、封止体37によって、上述したコネクタ部35を形成しているのである。
上記光学素子32が発光素子である場合には、発光素子(光学素子)32の光学面46から放射された光は、貫通穴45を通過してレンズ部材38に入射される。一方、光学素子32が受光素子である場合には、光ファイバ33の一端面33aから出射された光は、レンズ部材38に入射され、レンズ部47によって集光されて貫通穴45を通過し、受光素子(光学素子)32の光学面46に入射されるのである。
本実施の形態の場合にも、上記レンズ部材38は、透明接着樹脂41を介してリードフレーム36に接着されているため、透明接着樹脂41をリードフレーム36とレンズ部材38との線膨張係数差による熱応力の緩衝部材として利用することができる。
上記透明接着樹脂41は、貫通穴45に充填せずに、レンズ部材38の接着部49とリードフレーム36の表面側との間のみに充填しても熱応力の緩和効果が期待できる。しかしながら、透明接着樹脂41が光路の一部に漏れ出た場合には本光結合器31の光学特性が変化するために、光結合器31の製作が困難になってしまう。特に、レンズ部材38を小型にした場合に製作が困難になる。更に、光学面46を覆うことによる光学特性の改善効果(外部取出し効率の向上や反射率の低減)や、光学素子32の外気からの封止効果が得られ難くなる。これに対して、本実施の形態のごとく、貫通穴45内に透明接着樹脂41を充填した場合には、水分や不純物が光学面46に付着することを防止でき、光結合器31の耐湿性を向上させることができる。したがって、光学素子32の保護と光学特性の安定化という観点からも、透明接着樹脂41を貫通穴45に充填することが好ましいのである。
また、上記第3の従来技術における光結合器21(図11参照)と比較した場合には、本光結合器31においては、薄板状のリードフレーム36を鏡筒として利用できるため、低コストであり、部品点数の低減や、小型化が容易となる。さらに、リードフレーム36の貫通穴45の形成は、プレス加工やエッチング加工によるリードフレーム36の他のパターン形成と同時に行うことができ、低コスト化できるという利点がある。
次に、本光結合器31の作製方法を、図3に従って説明する。まず、図3(a)に示すように、光学素子32とドライブ回路39とをリードフレーム36に位置合わせを行って接着し、ワイヤーボンディングによって光学素子32の裏面電極(図示せず)やドライブ回路39とリードフレーム36とを、ボンディングワイヤ40によって電気的に接続する。
その場合、接着としてAgペーストや半田や金共晶接合等の導電性材料を使用し、光学素子32の光学面46側の面に形成されている電極とリードフレーム36とが電気的に接続されるように接着する。あるいは、電気的な接続を必要としない場合には、導電性を有しない透明な接着剤を使用してもよい。この透明な接着剤を使用した場合には、光学面46に接着剤が付着して光学特性が悪化することを防止でき、LEDやPDのように小型の光学素子32を使用する場合には特に好ましい。ここで、通常は透明な接着剤であったとしても、光学面46に接着剤が付着した場合には、光学面46表面の屈折率が変化するために光学特性が変化してしまう。しかしながら、本実施の形態においては、後に、貫通穴45内を透明接着樹脂41によって封止するために、透明接着樹脂41の屈折率と光学素子32接着用の接着剤の屈折率とを同等に設定しておけば、光学特性の変化は生じないという利点がある。
次に、図3(b)に示すように、トランスファーモールドを行うことよって封止体37を形成する。この時、リードフレーム36の表面側を金型によって押さえて、リードフレーム36の光学素子搭載部42における表面側のレンズ部材38を接着する部分に、封止体37の樹脂が回り込むことを防止する。
次に、図3(c)に示すように、上記透明接着樹脂41を、ディスペンサ等によって光学素子搭載部42の貫通穴45内に充填する。封止体37におけるコネクタ部35の下部には、樹脂溜まり部50を形成しておくことが好ましい。この樹脂溜まり部50は、レンズ部材38の平面形状と略同一の平面形状を有して、レンズ部材38が収納される凹部で構成されている。そして、樹脂溜まり部50は、リードフレーム36の貫通穴45に充填された液状の透明接着樹脂41が貫通穴45から溢れ、レンズ部材38の領域を超えて外部に流出しないようにすると共に、レンズ部材38を透明接着樹脂41によってリードフレーム36の上記表面から浮かし、レンズ部材38をリードフレーム36と接触させない役割を有している。尚、透明接着樹脂41の量を少なくして貫通穴45から溢れないように調整してもよいが、透明接着樹脂41が少ないと、レンズ部材38を設置した際に、毛細管現象によってレンズ部材38とリードフレーム36の隙間から透明接着樹脂41が抜け出て、貫通穴45内に透明接着樹脂41を完全に充填できない(気泡が入る)等の問題がある。
次に、図3(d)に示すように、上記レンズ部材38の突起部48を貫通穴45に挿入して、レンズ部材38をリードフレーム36の光学素子搭載部42に接着させる。レンズ部材38と光学素子搭載部42との位置合わせには、樹脂溜まり部50を利用することができる。すなわち、レンズ部材38の平面形状と略同一の平面形状を有すると共に、樹脂溜まり部50の内径とレンズ部材38における接着部49の外径とを略同等としておくことによって、位置合わせを行うことができるのである。
上記レンズ部材38の突起部48を貫通穴45に挿入することによって、貫通穴45内に充填された透明接着樹脂41の一部は、レンズ部材38の突起部48によって押し出されて貫通穴45から光学素子搭載部42の表面側に溢れ出し、封止体37の樹脂溜まり部50に溜まる。その結果、レンズ部材38を光学素子搭載部42の箇所に配置した状態において、図3(d)に示すように、レンズ部材38(接着部49)と光学素子搭載部42の表面との間に透明接着樹脂41が充填された状態となる。また、突起部48の周囲にも透明接着樹脂41が充填された状態となる。そして、透明接着樹脂41を硬化させることによって本光結合器31が完成する。尚、透明接着樹脂41の硬化は、使用する接着剤により異なるが、加熱や紫外線照射等によって行われる。
図2に示すように、上記レンズ部材38の突起部48は、レンズ部47の光軸に直交する方向への寸法(図2中左右方向の寸法)が先端に向かうに連れて減少する所謂テーパ形状を有している。こうすることによって、透明接着樹脂41を貫通穴45から連続して溢れ出させて、レンズ部材38を透明接着樹脂41で均一に接着することができる。また、貫通穴45に気泡が混入することを防止する効果もある。すなわち、レンズ部材38を設置する際に貫通穴45内に気泡を巻き込んだとしても、溢れ出る透明接着樹脂41と一緒に気泡を外部に排出することができるのである。この突起部48のテーパ形状は、溢れ出させる透明接着樹脂41の量に合せて任意の形状や大きさに最適化される。
更に、上記突起部48は、貫通穴45に充填される透明接着樹脂41の量(体積)を低減させる働きもある。透明接着樹脂41の体積が少なくなることによって、熱収縮による体積変動量が低減されるため、より熱応力の影響を受け難くすることができる。更にまた、突起部48の形成によってレンズ部材38と透明接着樹脂41との接着面積が大きくなるため、レンズ部材38のリードフレーム36への接着力が向上するという効果もある。
上述したように、本光結合器31のような透明接着樹脂41を貫通穴45に充填する構成の場合には、その作製時(レンズ部材38の接着時)に透明接着樹脂41に気泡が混入しないように、レンズ部材38の形状を工夫することが重要となる。ここで、レンズ部材38の望ましい形状について、図4に従って説明する。
図4は、上記レンズ部材38における形状の一例を示している。図4(a)はレンズ部材38をレンズ部47側から見た平面図であり、図4(b)は縦断面図であり、図4(c)は光学素子32側から見た底面図である。接着部49は、リードフレーム36に対向する面が平坦となっており、突起部48が貫通穴45に挿入された際のストッパー(光学素子搭載部42の表面との距離を一定に保つ)の働きを有している。また、レンズ部材38は、安価な方法である射出成型によって形成することが望ましく、接着部49は、射出成型時のゲート部やエジェクターピン押し当て部としての働きも有している。更に、接着部49におけるリードフレーム36に対向する面には、突起部48から半径方向に延在する樹脂流出部(溝部)51を形成することが好ましい。この樹脂流出部51は、突起部48を貫通穴45に挿入したときに流出する透明接着樹脂41を樹脂溜まり50に向って排出する役割を有しており、この樹脂流出部51を形成することによって、透明接着樹脂41がより均一に形成されると共に、気泡の混入をより確実に防止することができるのである。尚、樹脂流出部51は、突起部48と連続して形成することで、突起部48によって貫通穴45内から押し出された気泡を含む透明接着樹脂41を効率良く排出させることができるので、より好ましい。
また、上記レンズ部材38における接着部49の外周縁上部には、庇状の樹脂押さえ部52を形成することが好ましい。この樹脂押さえ部52は、液状の透明接着樹脂41がレンズ部材38の表面側(レンズ部47側)に回り込むことを防止する働きがあり、レンズ部47に透明接着樹脂41が付着して特性が変化することを防止するのである。
上記透明接着樹脂41の粘度は、貫通穴45への注入時に気泡が混入しないように、10Pa・s以下に設定することが好ましい。また、封止体37は、光学素子(SiやGaAs)32やボンディングワイヤ(AuやAl)40と線膨張係数が近く、熱伝導性の高い材料が使用される。例えば、光学素子32とボンディングワイヤ40とが、Siの線膨張係数が2.8ppm/Kであり、Auの線膨張係数が14.2ppm/Kである場合には、封止体37の線膨張係数は20ppm/K以下に設定することが好ましい(通常、フィラーを添加していないエポキシ系の樹脂の線膨張係数は60ppm/K程度)。
次に、本光結合器31を用いて温度サイクル試験を行った結果について説明する。比較のために、上記第1,第2の従来技術(図9および図10を参照)の光結合器1,11によっても比較試験を行った。
以下に示す4種類のサンプルを用意した。そして、温度サイクルの条件を、低温側−40℃、高温側115℃とし、各温度での放置時間を15分とした。サイクル数は3000サイクルとし、100サイクルごとに状態を確認した。
サンプルA:図2に示す本光結合器31:透明接着樹脂41としてシリコン系の樹脂を使用
サンプルB:図2に示す本光結合器31:透明接着樹脂41としてエポキシ系の樹脂を使用
サンプルC:図9に示す第1の従来技術の光結合器1
サンプルD:図10に示す第2の従来技術の光結合器11
共通の部材は、上記発光素子32,3,12として波長650nmのLED(発光部径φ150μm)を用い、リードフレーム36,2,13として厚み250μmの銅合金(線膨張係数17.ppm/K)を用い、ボンディングワイヤ40,8,18としてワイヤ径25μmの金を用いた。また、各サンプル固有の部材として、レンズ部材38はポリカーボネート製とし、封止体37はフィラー入りエポキシ系の樹脂(線膨張係数18ppm/K)を用い、透明モールド樹脂4,16はフィラー無添加のエポキシ系の樹脂(線膨張係数65ppm/K)を用いた。また、透明接着樹脂41として、サンプルAではシリコン系の樹脂(ヤング率1MPa)を用い、サンプルBではエポキシ系の樹脂(ヤング率3GPa)を用いた。
上記条件において、温度サイクル試験を行ったところ、上記サンプルCおよびサンプルDにおいては、300サイクル以内で不良が発生した。すなわち、上記サンプルCにおいては、透明モールド樹脂4にクラックが発生し、ボンディングワイヤ8が断線するという不良が発生した。また、上記サンプルDにおいては、同様の不良に加え、光ファイバ14への入射光量(送信光量)が約50%低下するサンプルも見られた。これは、熱応力によって光学面17から透明モールド樹脂16が剥離し、LED(光学素子)12の光取り出し効率が半減したことが原因と考えられる。
一方、上記サンプルAにおいては、3000サイクル終了後も、送信光量の変動は±10%以内であり、レンズ部材38の変形や破損も生じていなかった。また、上記サンプルBにおいては、送信光量が約20%低下するサンプルがあったが、その他の問題は生じなかった。尚、このサンプルBにおいては、透明接着樹脂41としてヤング率の高いエポキシ系の樹脂を使用したために、熱応力によって光学面46から透明接着樹脂41が一部剥離したことが原因と考えられる。
このように、上記第1,第2の従来技術の光結合器1,11においては、熱応力の影響によって温度サイクル試験で透明モールド樹脂4,16のクラック発生や送信光量の半減が発生したのに対し、本実施の形態の光結合器31においては、上述のような不良は発生しなかった。特に、透明接着樹脂41としてヤング率の低いシリコン系の樹脂を用いた場合に、その効果が顕著に現れることが実証された。
ここで、上記光学素子32(表面がSiO2)と透明接着樹脂41との接着面に働く剪断応力(−40℃の場合)を有限要素法によるシミュレーションで求めたところ、上記サンプルBで用いたエポキシ系の樹脂(ヤング率3GPa、線膨張係数70ppm/K)では66MPaであった。一方、光学素子32と透明接着樹脂41との接着強度(剪断接着強度)を測定したところ、上記サンプルBで用いたエポキシ系の樹脂で40MPaであり、接着強度よりも熱による剪断応力の方が大きくなっている。一方、よりヤング率の低いエポキシ系の樹脂(ヤング率1GPa、線膨張係数70ppm/K)で計算を行ったところ、剪断応力が22MPaで、接着強度の方が高くなった。この後者の樹脂を使用して、上述した温度サイクル試験を行ったところ、送信光量の変動がシリコン系の樹脂の場合と同等の±10%以内となった。以上のことより、透明接着樹脂41としては、応力の緩和効果が高いヤング率が1GPa以下の樹脂を用いることが好ましい。特に、シリコン系の樹脂は、ヤング率が低く、光学素子32の封止効果もあるため、より好ましい。
勿論、上記第1,第2の従来技術における光結合器1,11においても、温度範囲を狭く(例えば−20℃〜80℃程度)すれば、上述したような問題は発生しない。すなわち、本実施の形態における光結合器31を使用することによって、より広い温度範囲での使用が可能となるのである。
以下、上述した本実施の形態による光結合器の変形例を、図5から図8に基づいて説明する。但し、図2に示す光結合器31における構成と同じ構成を有する部材には、図2と同じ番号を付して、詳細な説明は省略する。尚、図5から図8は、図2に示す光結合器31の構成とは異なる構成の要点を説明するための概略図であり、光学素子32,レンズ部材38,リードフレーム36の光学素子搭載部42,透明接着樹脂41,封止体37およびそれらに相当する部材以外の部材は省略している。
図5に示す光結合器61は、リードフレーム36の光学素子搭載部42における貫通穴62を、光学素子32が配置される側が小径(直径は光学面46のサイズに略等しい)となるテーパ形状としたものである。上記構成において、貫通穴62の内周面63を反射ミラーとして利用するのである。ここで、光学素子32としてLED等の発光素子を用いる場合には、発光素子32から放射される光のうち、放射角の狭い光はそのまま貫通孔62を通過してレンズ部47に入射され、屈折されて光ファイバ33に入射される。一方、光学素子32から放射される光のうち、放射角の広い光は貫通穴62のテーパ部(内周面63)で反射された後に、レンズ部47に入射され、屈折されて上記光ファイバ33に入射される。したがって、上記光学素子32として放射角度の広いLED等を使用した場合であっても、光学素子32から出射される光を高効率で光ファイバ33に入射させることができるのである。
また、上記光学素子32としてPD等の受光素子を用いる場合にも、入射光を貫通穴62のテーパ部(内周面63)によって反射することにより、高い集光効果を得ることができる。尚、貫通孔62は、エッチングやプレス加工等によってリードフレーム36のパターニング加工の際に同時に形成することができるため、価格を増大させることなく低価格の光結合器61を得ることができる。
図6に示す光結合器71は、リードフレーム36の光学素子搭載部42における貫通穴72と光学素子32との間にサブマウント73を介在させたものである。上記構成において、サブマウント73には、厚さ方向に貫通した穴でなる光通過部74、あるいは、上記穴が光学的に透明な材料で埋められてなる光通過部74が、形成されている。また、光学素子32はサブマウント73に接着されている。そして、サブマウント73には光学素子32の電極(図示せず)と電気的に接続される電極(図示せず)を形成し、ボンディングワイヤ(図示せず)によってリードフレーム36やドライバ回路39と電気的に結合させることも可能である。尚、リードフレーム36の貫通穴72は、サブマウント73の光通過部74の大径部よりも大径に形成される。また、リードフレーム36とサブマウント73とは必ずしも電気的に結合させる必要はないため、任意の接着剤によって接着することができる。
上記サブマウント73としては、Si基板やガラス基板等を用いることができる。例えば、Si基板を用いる場合には、光通過部74としては、単結晶Si基板を異方性エッチングにより加工した貫通穴を使用することが好ましい。例えば、KOH(水酸化カリウム)で単結晶Siの(100)面をエッチングすることによって、54.74°の角度を有する(111)面が、正確な角度を有する平滑面として得ることができる。この場合には、図5に示す光結合器61の場合のように、リードフレーム36の貫通穴62をテーパ状に加工する場合に比べて、加工精度や面精度が良く、反射ミラーとして高い性能を得ることができる。更には、Siは熱伝導性が高く、光学素子32としてSiを用いる場合にはサブマウント(Si基板)73と光学素子32とに線膨張係数の差がなく、光学素子32への応力や熱抵抗を低減することが可能になる。
また、上記サブマウント73として、ガラス基板を用いても良い。ガラス基板は光学的に透明であるため、光通過部74としての貫通穴を形成する必要がない。更に、パイレックスガラス等はSi(光学素子32)と線膨張係数が近く、ガラスの種類を選別することによって、光学素子32への応力を低減することができる。更にまた、光通過部74に凸レンズやフレネルレンズを形成して、入出射する光を集光することも可能である。
図7に示す光結合器81は、図2に示す光結合器31のレンズ部材38に形成されている突起部48に相当する突起部が形成されないレンズ部材82を用いるものである。上記構成において、例えば、低粘度(0.1Pa・s以下)の透明接着樹脂41を使用する場合等には、透明接着樹脂41の流動性が高く、気泡が排出され易い。そのために、レンズ部材82に上記突起部を形成せずに、樹脂流出部(溝部)51を形成するだけで十分接着時の気泡の発生を抑制することができ、レンズ部材82の形成が容易になる。
図8に示す光結合器91は、樹脂溜まり部93を、封止体94にではなく、リードフレーム92に形成したものである。上記構成において、リードフレーム92における貫通穴95の外周部の表面に、レンズ部材38の平面形状と略同一の平面形状を有する凹部を形成することによって、樹脂溜まり部93とするのである。例えば、封止体94によりコネクタ部35(図2参照)を形成しない場合等には、リードフレーム92の表面側に封止体94を形成しないことによって、光結合器91の薄型化を図ることができる。そのような場合には、リードフレーム92に樹脂溜まり部93を形成することによって、光結合器31,61,71,81における樹脂溜まり部50と同様の機能を得ることができるのである。
以上のごとく、本実施の形態における光結合器30,31,61,71,81,91によれば、上記レンズ部材55,38,82に生じる熱応力を低減することができ、また、フィラーを添加した封止体37,94によって封止することができるため、例えば−40℃から115℃のように、広い温度範囲の環境下で使用することが可能になる。更には、リードフレーム36,92を、レンズ部材38,82を固定する鏡筒として利用することができ、部品点数を低減して、小型で安価な光結合器31,61,71,81,91を得ることができる。更にまた、レンズ部材38,82の形状を工夫することによって、気泡の混入がなく安定した性能が得られる31,61,71,81,91を得ることができる。
この発明の光結合器の第1実施の形態における縦断面図である。 第2実施の形態における縦断面図である。 図2に示す光結合器の作製手順を示す縦断面図である。 図2におけるレンズ部材の形状の説明図である。 図2に示す光結合器の変形例を示す図である。 図5とは異なる変形例を示す図である。 図5および図6とは異なる変形例を示す図である。 図5〜図7とは異なる変形例を示す図である。 従来の光結合器における縦断面図である。 図9とは異なる従来の光結合器における縦断面図である。 図9および図10とは異なる従来の光結合器における縦断面図である。
符号の説明
30,31,61,71,81,91…光結合器、
32…光学素子、
33…光ファイバ、
34…プラグ、
35…コネクタ部、
36,92…リードフレーム、
37,94…封止体、
38,55,82…レンズ部材、
39…ドライブ回路、
40,40a,40b…ボンディングワイヤ、
41…透明接着樹脂、
45,62,72,95…貫通穴、
46…光学面、
47,56…レンズ部、
48…突起部、
49,57…接着部、
50,58,93…樹脂溜まり部、
51…樹脂流出部(溝部)、
52…樹脂押さえ部、
59…接着樹脂充填部、
63…貫通穴の内周面、
73…サブマウント、
74…光通過部。

Claims (7)

  1. 光学素子と、
    上記光学素子が搭載されると共に、上記光学素子と電気的に接続されたリードフレームと、
    上記光学素子に対して入射あるいは出射する光を集光するレンズを含むレンズ部材と
    を備え、
    上記レンズ部材は、上記レンズが、上記光学素子における光が入射あるいは出射する面である光学面に対向するように配置されており、
    上記レンズ部材と上記光学素子の光学面との間には透明樹脂が介在しており、
    上記リードフレームには貫通穴が形成されており、
    上記光学素子は、上記光学面を上記リードフレームに形成された上記貫通穴内に位置させると共に、上記貫通穴における一方の開口を塞ぐように配置されており、
    上記レンズ部材は、上記レンズの光軸が上記リードフレームに形成された上記貫通穴内を貫通すると共に、上記貫通穴における他方の開口を塞ぐように配置されており、
    上記貫通穴内には上記透明樹脂が充填されている
    ことを特徴とする光結合器において、
    上記レンズ部材における上記リードフレームに対向する面には突起部が一体に設けられており、上記レンズ部材が上記リードフレームの貫通穴における上記他方の開口を塞ぐように配置されて上記透明樹脂を介して当該リードフレームに接着された際に、当該リードフレームの貫通穴に上記突起部が挿入されるようになっている
    ことを特徴とする光結合器。
  2. 請求項1に記載の光結合器において、
    上記レンズ部材の突起部は、上記光軸に直交する方向への寸法が先端に向かうに連れて減少するテーパ形状になっている
    ことを特徴とする光結合器。
  3. 請求項1に記載の光結合器において、
    上記透明樹脂は、シリコン系化合物である
    ことを特徴とする光結合器。
  4. 請求項1に記載の光結合器において、
    記フィラー入り樹脂に、上記レンズ部材と上記光学素子の光学面との間に充填された上記透明樹脂が上記レンズ部材の領域を超えて広がることを防止する樹脂溜まり部を設けた
    ことを特徴とする光結合器。
  5. 請求項4に記載の光結合器において、
    上記樹脂溜まり部は、上記レンズ部材の平面形状と略同一の平面形状を有すると共に、上記レンズ部材が収納される凹部でなり、
    上記樹脂溜まり部における開口部の周囲には、上記光学素子に対して入出射する光を伝播する光ファイバの先端部が嵌合されると共に、上記嵌合された光ファイバの先端部と上記レンズ部材との位置合わせを行うコネクタ部が設けられている
    ことを特徴とする光結合器。
  6. 請求項1に記載の光結合器において、
    上記レンズ部材における上記リードフレームに対向する面には、上記リードフレームの貫通穴と外部とに連通する溝部が設けられている
    ことを特徴とする光結合器。
  7. 求項6に記載の光結合器において、
    上記リードフレームの貫通穴における内周面は、上記光学素子に対して入射あるいは出射する光を反射する反射面となっている
    ことを特徴とする光結合器。
JP2005009991A 2005-01-18 2005-01-18 光結合器 Expired - Fee Related JP3955065B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005009991A JP3955065B2 (ja) 2005-01-18 2005-01-18 光結合器
DE112006000228T DE112006000228T5 (de) 2005-01-18 2006-01-13 Optokoppler
PCT/JP2006/300350 WO2006077775A1 (ja) 2005-01-18 2006-01-13 光結合器
US11/795,332 US20080123198A1 (en) 2005-01-18 2006-01-13 Optical Coupler
CNA200680002383XA CN101103290A (zh) 2005-01-18 2006-01-13 光耦合器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005009991A JP3955065B2 (ja) 2005-01-18 2005-01-18 光結合器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006201226A JP2006201226A (ja) 2006-08-03
JP3955065B2 true JP3955065B2 (ja) 2007-08-08

Family

ID=36692165

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005009991A Expired - Fee Related JP3955065B2 (ja) 2005-01-18 2005-01-18 光結合器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20080123198A1 (ja)
JP (1) JP3955065B2 (ja)
CN (1) CN101103290A (ja)
DE (1) DE112006000228T5 (ja)
WO (1) WO2006077775A1 (ja)

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006352047A (ja) * 2005-06-20 2006-12-28 Rohm Co Ltd 光半導体装置
JP5730229B2 (ja) * 2006-05-10 2015-06-03 日立化成株式会社 光半導体装置及びその製造方法
JP2008084990A (ja) * 2006-09-26 2008-04-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置及び照明器具
JP2008090099A (ja) * 2006-10-04 2008-04-17 Yazaki Corp 光通信用レンズ、及び光素子モジュールを構成する筒体
JP5058549B2 (ja) * 2006-10-04 2012-10-24 矢崎総業株式会社 光素子モジュール
KR101318972B1 (ko) 2007-03-30 2013-10-17 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
KR101335997B1 (ko) * 2007-05-02 2013-12-04 삼성전자주식회사 결상렌즈 어셈블리와, 이를 가지는 광주사유닛 및화상형성장치
JP5104039B2 (ja) * 2007-05-28 2012-12-19 凸版印刷株式会社 光基板の製造方法
JP4932606B2 (ja) * 2007-06-06 2012-05-16 株式会社フジクラ 光送受信装置
JP2009054660A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Yazaki Corp ハウジング一体型光半導体部品の製造方法
JP5109643B2 (ja) * 2007-12-19 2012-12-26 凸版印刷株式会社 光基板の製造方法
JP2009253166A (ja) * 2008-04-09 2009-10-29 Yazaki Corp 光通信モジュール
US7728399B2 (en) * 2008-07-22 2010-06-01 National Semiconductor Corporation Molded optical package with fiber coupling feature
TWI398684B (zh) * 2008-07-25 2013-06-11 Amtran Technology Co Ltd 光纖連接器與光纖連接器組
US7943862B2 (en) * 2008-08-20 2011-05-17 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for optically transparent via filling
TWI383129B (zh) * 2008-11-19 2013-01-21 Everlight Electronics Co Ltd 對立式光編碼器
JP2011003252A (ja) * 2009-06-22 2011-01-06 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 光ピックアップ装置
JP5381684B2 (ja) * 2009-12-22 2014-01-08 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2012002993A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 光ファイバ位置決め部品及びその製造方法
TWI468759B (zh) * 2010-07-29 2015-01-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 光纖耦合連接器及其製造方法
DE102011003608A1 (de) * 2010-08-20 2012-02-23 Tridonic Gmbh & Co. Kg Gehäustes LED-Modul
DE102010045316A1 (de) * 2010-09-14 2012-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
CN102540359B (zh) * 2010-12-27 2015-02-04 熊大曦 一种高亮led光学耦合装置
JP6005362B2 (ja) * 2012-01-19 2016-10-12 日本航空電子工業株式会社 光モジュール及び光伝送モジュール
US9472695B2 (en) * 2012-04-18 2016-10-18 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Opto-coupler and method of manufacturing the same
CN103676028B (zh) * 2012-09-14 2017-02-08 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 光耦合透镜及光通讯模块
CN103869430A (zh) * 2012-12-14 2014-06-18 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 光纤连接器
US9094593B2 (en) * 2013-07-30 2015-07-28 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optoelectronic modules that have shielding to reduce light leakage or stray light, and fabrication methods for such modules
JP2015060119A (ja) * 2013-09-19 2015-03-30 三菱電機株式会社 光モジュール用レンズキャップ、光モジュール、及び光モジュール用レンズキャップの製造方法
WO2015068652A1 (ja) * 2013-11-07 2015-05-14 東レ株式会社 積層体およびそれを用いた発光装置の製造方法
JP2015106618A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 矢崎総業株式会社 光素子モジュール
JP6639416B2 (ja) 2014-02-07 2020-02-05 セーエヌアーエム‐コンセルバトワール、ナショナル、デ、ザール、エ、メティエCnam−Conservatoire National Des Arts Et Metiers 垂直光結合構造を製造するための方法
KR102161273B1 (ko) * 2014-03-25 2020-09-29 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR102157065B1 (ko) * 2014-03-25 2020-09-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR102161272B1 (ko) * 2014-03-25 2020-09-29 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
CN103996785A (zh) * 2014-06-04 2014-08-20 宁波亚茂照明电器有限公司 一种内置驱动全角度发光led光源与封装工艺
KR102201199B1 (ko) * 2014-07-08 2021-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR102205471B1 (ko) * 2014-07-08 2021-01-20 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR102252156B1 (ko) * 2014-07-08 2021-05-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US20170269325A1 (en) * 2016-03-17 2017-09-21 Rosemount Aerospace Inc. Optical component mounting for high-g applications
KR101827988B1 (ko) * 2016-11-04 2018-02-12 (주)포인트엔지니어링 광 디바이스용 기판 및 그 제조방법 및 광 디바이스
JP2018078148A (ja) * 2016-11-07 2018-05-17 株式会社東芝 光半導体モジュール
US10025044B1 (en) * 2017-01-17 2018-07-17 International Business Machines Corporation Optical structure
JP6297741B1 (ja) 2017-03-31 2018-03-20 旭化成エレクトロニクス株式会社 光デバイス及びその製造方法
ES2904567T3 (es) * 2017-12-04 2022-04-05 Promecon Gmbh Acoplador para cámara endoscópica
JP2019164210A (ja) * 2018-03-19 2019-09-26 株式会社東芝 光半導体モジュール
KR102663685B1 (ko) 2019-07-15 2024-05-10 에스엘티 테크놀로지스 인코포레이티드 파워 포토다이오드 구조, 제조 방법, 및 사용 방법
US11575055B2 (en) 2019-07-15 2023-02-07 SLT Technologies, Inc Methods for coupling of optical fibers to a power photodiode
US11569398B2 (en) 2019-07-15 2023-01-31 SLT Technologies, Inc Power photodiode structures and devices
EP3838547A1 (de) * 2019-12-18 2021-06-23 ZKW Group GmbH Verfahren zur herstellung einer haltevorrichtung
EP4107789A2 (en) * 2020-02-18 2022-12-28 SLT Technologies, Inc. Power photodiode, methods for coupling of optical fibers to a power photodiode, and power-over-fiber system background
DE112021002980T5 (de) * 2020-05-28 2023-03-16 Nissha Co., Ltd. Berührungssensor und eingabevorrichtung
JP7521458B2 (ja) * 2021-03-04 2024-07-24 住友電気工業株式会社 光コネクタケーブル

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2668140B2 (ja) * 1989-09-30 1997-10-27 三菱電線工業株式会社 発光モジュール
JPH05190910A (ja) * 1992-01-13 1993-07-30 Omron Corp 発光装置及びその製造方法、並びに光電センサ
JPH0672261U (ja) * 1993-03-19 1994-10-07 ローム株式会社 Ledランプ
JPH0933768A (ja) * 1995-07-24 1997-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光半導体装置
JPH09307144A (ja) * 1996-05-14 1997-11-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子及びその製造方法
JPH11186609A (ja) * 1997-12-25 1999-07-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 光モジュール
JP3492178B2 (ja) * 1997-01-15 2004-02-03 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP2000173947A (ja) * 1998-12-07 2000-06-23 Tokai Rika Co Ltd プラスティックパッケージ
JP3654052B2 (ja) * 1999-06-01 2005-06-02 モレックス インコーポレーテッド 光リセプタクル
JP3704451B2 (ja) * 2000-01-28 2005-10-12 シャープ株式会社 発光ダイオードランプの製造方法
JP2001308373A (ja) * 2000-04-26 2001-11-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 光送受信モジュール
JP2003021755A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Fujikura Ltd 光コネクタ
JP4845333B2 (ja) * 2003-04-11 2011-12-28 株式会社リコー 光電変換素子パッケージ、その作製方法及び光コネクタ
US7281860B2 (en) * 2003-06-06 2007-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Optical transmitter
JP4180537B2 (ja) * 2003-10-31 2008-11-12 シャープ株式会社 光学素子の封止構造体および光結合器ならびに光学素子の封止方法
US7326583B2 (en) * 2004-03-31 2008-02-05 Cree, Inc. Methods for packaging of a semiconductor light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
US20080123198A1 (en) 2008-05-29
DE112006000228T5 (de) 2008-03-06
JP2006201226A (ja) 2006-08-03
WO2006077775A1 (ja) 2006-07-27
CN101103290A (zh) 2008-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3955065B2 (ja) 光結合器
JP4180537B2 (ja) 光学素子の封止構造体および光結合器ならびに光学素子の封止方法
US8909010B2 (en) Optical coupling structure and optical transreceiver module
US6726375B2 (en) Optical module, method for manufacturing optical module and optical communication apparatus
TWI507753B (zh) Lens parts and light modules with their light
JP5386290B2 (ja) 光結合構造および光送受信モジュール
US8142082B2 (en) Optical assembly optically coupling an optical fiber and a semiconductor device
JP3861816B2 (ja) 光送受信モジュール及びその製造方法
US20110080657A1 (en) Optical module
US20060018608A1 (en) Optical semiconductor device, optical connector and electronic equipment
JPWO2004109814A1 (ja) 光送信装置
US8608390B2 (en) Optical communication module
EP3894920B1 (en) Optical assembly
JP2011095295A (ja) 光モジュールの光ファイバブロックおよびその製造方法
KR20100126255A (ko) 광 모듈 및 그 조립 방법
JP5256082B2 (ja) 光結合構造および光送受信モジュール
JP2012069882A (ja) 光モジュール
JP2011095294A (ja) 光モジュール
JP2010282091A (ja) 光結合構造とその製造方法
Mori et al. Plastic optical module having a pre-insert molded SC ferrule and a laser diode with mode-field converter
Yamamoto et al. Surface mount type LD module with receptacle structure

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060609

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061212

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070209

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070424

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070427

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees