JP3950445B2 - デュプレクサ - Google Patents
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Description
本発明はデュプレクサに関し、特に、分波回路が小型化されたデュプレクサに関する。
従来より、携帯電話に代表される移動体通信機器には、送信信号と受信信号を振り分けるデュプレクサが広く用いられている。デュプレクサは基本的に、アンテナ端子と送信端子との間に接続された送信フィルタと、アンテナ端子と受信端子との間に接続された分波回路及び受信フィルタによって構成される。デュプレクサに含まれる分波回路は、送受信信号が互いに相手方の回路に与える影響を遮断するために用いられ、これにより、送信端子より送出される送信信号は受信端子に達することなくアンテナ端子へと送出され、また、アンテナ端子より供給される受信信号は送信端子に達することなく受信端子へと供給されることになる。
デュプレクサに用いられる分波回路は、通常のＬＣ回路や、１／４波長位相線路によって構成されることが一般的である（特許文献１参照）。
特開２００１−２４４７６号公報
しかしながら、デュプレクサに用いられる分波回路をＬＣ回路や１／４波長位相線路によって構成すると、分波回路のサイズが大きくなり、その結果デュプレクサの小型化を阻害するという問題があった。つまり、ＬＣ回路を用いた分波回路では、インダクタンス素子（Ｌ素子）やキャパシタ素子（Ｃ素子）のサイズが大きく、さらに、実装のために複数の電極パッドが必要となることから本質的に小型化が困難である。また、１／４波長位相線路を用いた分波回路では、例えば誘電率が約７である基板を用いた場合、２ＧＨｚ帯において約１０ｍｍ程度の位相線路が必要となり、同周波数帯においてそれぞれ１〜１．５ｍｍ角程度のサイズで実現できる送信フィルタや受信フィルタに比べて、サイズがかなり大きくなってしまう。
このように、デュプレクサを小型化するためには、これに含まれる分波回路の小型化が必須であることが分かる。
したがって、本発明は、分波回路を改良することによって小型で且つ高性能なデュプレクサを提供することを目的とする。
本発明によるデュプレクサは、アンテナ端子と送信端子との間に接続された送信フィルタと、前記アンテナ端子と受信端子との間に直列に接続された分波回路及び受信フィルタとを備え、前記分波回路は、前記アンテナ端子と前記受信フィルタとの間に接続された少なくとも一つの位相線路と、前記位相線路に対して並列に接続された少なくとも一つの共振器とを備えていることを特徴とする。
本発明によれば、分波回路に含まれる位相線路の長さを従来に比べて大幅に短くすることができることから、デュプレクサ全体のサイズを小型化することが可能となる。本発明において、前記位相線路の一端と前記共振器の一端との間に接続された第１のインダクタンス素子と、前記位相線路の他端と前記共振器の他端との間に接続された第２のインダクタンス素子とをさらに備えることが好ましい。このようなインダクタンス素子としてはワイヤーやパッケージ内に形成されたビアのインダクタンスを利用することができることから、これによって分波回路が大型化することはない。さらに、前記共振器の共振周波数及び***振周波数は前記送信フィルタの通過帯域よりも低いか、前記受信フィルタの通過帯域よりも高いことが好ましい。これによれば、共振器の共振周波数にて送信フィルタ及び受信フィルタに減衰極が現れることから、デュプレクサの特性を向上させることが可能となる。
また、前記少なくとも一つの位相線路は、一端が前記アンテナ端子に接続された第１の位相線路と、一端が前記受信フィルタに接続された第２の位相線路とを含み、前記少なくとも一つの共振器は、前記第１の位相線路に対して並列に接続された第１の共振器と、前記第２の位相線路に対して並列に接続された第２の共振器とを含んでいることが好ましい。この場合、前記第１の位相線路の前記一端と前記第１の共振器の一端との間に接続された第１のインダクタンス素子と、前記第１の位相線路の他端と前記第１の共振器の他端との間に接続された第２のインダクタンス素子と、前記第２の位相線路の前記一端と前記第２の共振器の一端との間に接続された第３のインダクタンス素子と、前記第２の位相線路の他端と前記第２の共振器の他端との間に接続された第４のインダクタンス素子とさらに備えていることが好ましく、前記少なくとも一つの共振器は、前記第２のインダクタンス素子及び前記第４のインダクタンス素子の接続点とグランドとの間に接続された第３の共振器をさらに含んでいることがさらに好ましい。これによれば、上記の効果に加え、受信フィルタの低域側エッジを非常に急峻とすることが可能となり、従来の分波回路を用いた場合と比べて、デュプレクサの特性を大幅に向上させることが可能となる。
この場合、前記第１及び第２の共振器の共振周波数は、前記第３の共振器の***振周波数よりも低いことが好ましく、前記第３の共振器の実効的結合係数は、前記第１及び第２の共振器の実効的結合係数よりも小さいことがより好ましい。これによれば、デュプレクサの特性をより向上させることが可能となる。
また、前記共振器は薄膜バルク波共振器によって構成されていることが好ましい。これによれば、分波回路のサイズをより小型化することが可能となるばかりでなく、高い耐電力性を得ることも可能となる。
このように、本発明によれば分波回路に含まれる位相線路の長さを従来に比べて大幅に短くすることができることから、デュプレクサ全体のサイズを小型化することが可能となる。また、共振器の共振周波数に対応させた減衰極を生じさせることが可能であることから、デュプレクサの特性を向上させることも可能となる。
まず、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する前に、デュプレクサの基本構成について説明する。
図１は、デュプレクサ１００の基本構成を示すブロック図である。
図１に示すように、デュプレクサ１００は、アンテナ端子１００ａと送信端子１００ｂとの間に接続された送信フィルタ１２０と、アンテナ端子１００ａと受信端子１００ｃとの間に直列に接続された分波回路１１０及び受信フィルタ１３０によって構成される。実際の使用時においては、図１に示すように、アンテナ端子１００ａがアンテナ素子１４１に接続され、送信端子１００ｂが送信回路１４２に接続され、受信端子１００ｃが受信回路１４３に接続されることになる。これにより、アンテナ素子１４１を介して受信した受信信号は送信回路１４２に達することなく受信回路１４３へと供給され、また、送信回路１４２より送出される送信信号は受信回路１４３に達することなくアンテナ素子１４１へと送出される。
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
図２は、本発明の好ましい実施形態によるデュプレクサ１００に用いられる分波回路１１０の具体的な回路構成を示す回路図である。
図２に示すように、分波回路１１０は、入力端１１０ａ（＝アンテナ端子１００ａ）と出力端１１０ｂとの間に接続された位相線路１１１と、位相線路１１１に対して並列に接続された共振器１１２と、共振器１１２と入力端１１０ａとの間に接続された第１のインダクタンス素子１１３と、共振器１１２と出力端１１０ｂとの間に接続された第２のインダクタンス素子１１４とを備えて構成されている。インダクタンス素子１１３，１１４としては、ワイヤーやパッケージ内に形成されたビアのインダクタンスを利用することができる。
このような回路構成を採用すれば、従来の分波回路のように１／４波長位相線路を用いた場合と比べて、位相線路１１１の長さを大幅に短くすることが可能となる。具体的には、位相線路１１１の長さを１／１０波長程度とすることが可能となり、これにより従来と比べてデュプレクサ１００のサイズを小型化することが可能となる。共振器１１２としては、薄膜バルク波共振器や表面弾性波共振器を用いることができるが、中でも薄膜バルク波共振器を用いることが好ましい。これは、共振器１１２として薄膜バルク波共振器を用いれば、分波回路１１０のサイズをより小型化することが可能となるばかりでなく、高い耐電力性を得ることが可能となるからである。
ここで、共振器１１２の共振周波数及び***振周波数は、送信フィルタ１２０及び受信フィルタ１３０の通過帯域とは異なる周波数に設定する必要がある。具体的には、送信フィルタ１２０の通過帯域よりも受信フィルタ１３０の通過帯域の方が高いシステムにおいては、共振器１１２の共振周波数及び***振周波数を送信フィルタ１２０の通過帯域よりも低く設定することが好ましい。共振器１１２の共振周波数及び***振周波数をこのように設定すれば、送信フィルタ１２０及び受信フィルタ１３０には共振器１１２の共振周波数に対応した減衰極が現れる。これにより、１／４波長位相線路を用いて分波回路を構成した場合に比べて、デュプレクサの特性を向上させることが可能となる。
図３は、共振器１１２として用いることが好ましい薄膜バルク波共振器の構造を示す略断面図である。
図３に示すように、共振器１１２として用いることが好ましい薄膜バルク波共振器は、基板１０と、基板１０上に設けられた音響多層膜１１と、音響多層膜１１上に設けられた下部電極１２と、下部電極１２上に設けられた圧電膜１３と、圧電膜１３上に設けられた上部電極１４とを備えて構成されており、下部電極１２及び上部電極１４の一方が図２に示すインダクタンス素子１１３に接続され、他方がインダクタンス素子１１４に接続されることになる。
基板１０は、薄膜バルク波共振器の機械的強度を確保する基体としての役割を果たし、その材料としては、シリコン（Ｓｉ）やサファイアなどの単結晶基板、アルミナやアルティックなどのセラミックス基板、石英やガラス基板などを用いることができる。中でも、安価であり、且つ、高度なウェハープロセスが確立されているＳｉ単結晶を用いることが最も好ましい。
音響多層膜１１は、互いに異なる材料からなる反射膜１１ａ及び１１ｂが交互に積層された構造を有しており、基板１０方向へ伝搬する振動を反射することにより薄膜バルク波共振器の特性を向上させる役割を果たす。音響多層膜１１を構成する反射膜の数としては特に限定されないが、本例においては反射膜１１ａ及び１１ｂからなる対を４対積層している。反射膜１１ａ及び１１ｂの材料については、反射膜１１ａの方が反射膜１１ｂよりも音響インピーダンスが高い限り特に限定されないが、対となる反射膜１１ａ及び１１ｂのうち、基板１０側に位置する反射膜１１ａについては窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を用いることが好ましく、下部電極１２側に位置する反射膜１１ｂについては酸化シリコン（ＳｉＯ２）を用いることが好ましい。反射膜１１ａ及び１１ｂの厚さについては目的とする共振周波数に応じて設定すればよく、波長の１／４程度にそれぞれ設定することが好ましい。ここでいう波長とは、バルク波の音速と、目的とする共振周波数との比（音速／共振周波数）によって定義される。
下部電極１２は、薄膜バルク波共振器の一方の電極として用いられる他、製造時においては圧電膜１３の下地となる膜であり、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）など面心立方構造をとる材料を（１１１）面に単一配向させた金属薄膜や、オスミウム（Ｏｓ）、レニウム（Ｒｅ）、ルテニウム（Ｒｕ）など最密六方構造をとる材料を（０００１）面に単一配向させた金属薄膜を用いることが好ましい。これは、その上部に形成される圧電材料の結晶性がエピタキシャル成長により非常に良好となるからである。下部電極１２としては、このほかにもモリブデン（Ｍｏ）やタングステン（Ｗ）などの体心立方構造の金属薄膜や、ＳｒＲｕＯ３などのペロブスカイト型構造の酸化物導電体薄膜なども用いることができる。下部電極１２の厚さについても目的とする共振周波数に応じて設定すればよく、波長の１／１０程度に設定することが好ましい。
圧電膜１３は、下部電極１２と上部電極１４との間に印加される電気信号をバルク波に変換する役割を果たし、その材料としては、ＺｎＯ、ＡｌＮ、ＧａＮ等のウルツァイト型結晶構造を有する圧電材料を用いることができる。圧電膜１３の厚さについても目的とする共振周波数に応じて設定すればよく、波長の１／２程度に設定することが好ましい。
上部電極１４は、薄膜バルク波共振器の他方の電極として用いられ、その材料としてはアルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の金属やこれらの金属と銅（Ｃｕ）等との合金、あるいはこれらの金属とチタン（Ｔｉ）等の金属を積層した多層膜を用いることができる。上部電極１４の厚さについても目的とする共振周波数に応じて設定すればよく、波長の１／１０程度に設定することが好ましい。
図４は、送信フィルタ１２０の具体的構成の一例を示す回路図である。
図４に示す例による送信フィルタ１２０は、入力端１２０ａ（＝送信端子１００ｂ）と出力端１２０ｂ（＝アンテナ端子１００ａ）との間に直列接続された共振器１２１〜１２３と、一端が共振器１２１と共振器１２２との接続点に接続された共振器１２４と、一端が共振器１２２と共振器１２３との接続点に接続された共振器１２５と、一端が共振器１２４の他端及び共振器１２５の他端に共通接続され、他端がグランドに接続されたインダクタンス素子１２６とを備えて構成されている。これにより、図４に示す送信フィルタ１２０は、共振器１２１〜１２３によって構成される３つの直列腕と、共振器１２４，１２５によって構成される２つの並列腕からなる２段のＴ型フィルタ回路を構成している。尚、直列腕共振器の共振周波数は、並列腕共振器の***振周波数とほぼ同じかやや高く設定する必要がある。これら共振器１２１〜１２５としては、特に限定されるものではないが、薄膜バルク波共振器を用いることが好ましい。
送信フィルタ１２０を構成するＴ型フィルタ回路の段数はこれに限定されるものではなく、１段であっても構わないし、３段以上であっても構わないが、直列椀を構成する各共振器については互いにほぼ同じ共振周波数を有する必要があり、並列椀を構成する各共振器についても互いに同じほぼ共振周波数を有する必要がある。
図５は、受信フィルタ１３０の具体的構成の一例を示す回路図である。
図５に示す例による受信フィルタ１３０は、入力端１３０ａと出力端１３０ｂ（＝受信端子１００ｃ）との間に直列接続された共振器１３１〜１３３と、一端が入力端１３０ａに接続された共振器１３４と、一端が共振器１３１と共振器１３２との接続点に接続された共振器１３５と、一端が共振器１３２と共振器１３３との接続点に接続された共振器１３６と、一端が出力端１３０ｂに接続された共振器１３７と、一端が共振器１３４〜１３７の他端にそれぞれ接続され、他端がグランドに接続されたインダクタンス素子１３８ａ〜１３８ｄとを備えて構成されている。これにより、図５に示す受信フィルタ１３０は、共振器１３１〜１３３によって構成される３つの直列腕と、共振器１３４〜１３７によって構成される４つの並列腕からなる３段のπ型フィルタ回路を構成している。尚、直列腕共振器の共振周波数は、並列腕共振器の***振周波数とほぼ同じかやや高く設定する必要がある。これら共振器１３１〜１３７についても、特に限定されるものではないが、薄膜バルク波共振器を用いることが好ましい。
受信フィルタ１３０を構成するπ型フィルタ回路の段数はこれに限定されるものではなく、図６に示すように１段であっても構わなし、２段或いは４段以上であっても構わないが、直列椀を構成する各共振器については互いにほぼ同じ共振周波数を有する必要があり、並列椀を構成する各共振器についても互いにほぼ同じ共振周波数を有する必要がある。
図７は、本発明の好ましい実施形態によるデュプレクサ１００に用いられる分波回路１１０の他の具体的な回路構成を示す回路図である。
図７に示す分波回路１１０は、一端が入力端１１０ａ（＝アンテナ端子１００ａ）に接続された第１の位相線路１１１ａと、一端が出力端１１０ｂに接続された第２の位相線路１１１ｂと、第１の位相線路１１１ａに対して並列に接続された第１の共振器１１２ａと、第２の位相線路１１１ｂに対して並列に接続された第２の共振器１１２ｂと、第１の位相線路１１１ａの一端（入力端１１０ａ）と第１の共振器１１２ａの一端との間に接続された第１のインダクタンス素子１１３ａと、第１の位相線路１１１ａの他端と第１の共振器１１２ａの他端との間に接続された第２のインダクタンス素子１１４ａと、第２の位相線路１１１ｂの一端（出力端１１０ｂ）と第２の共振器１１２ｂの一端との間に接続された第３のインダクタンス素子１１３ｂと、第２の位相線路１１１ｂの他端と第２の共振器１１２ｂの他端との間に接続された第４のインダクタンス素子１１４ｂと、第２のインダクタンス素子１１４ａ及び第４のインダクタンス素子１１４ｂの接続点とグランドとの間に接続された第３の共振器１１５とを備えて構成されている。インダクタンス素子１１３ａ，１１４ａ，１１３ｂ，１１４ｂについても、ワイヤーやパッケージ内に形成されたビアのインダクタンスを利用することができる。
ここで、第１及び第２の共振器１１２ａ，１１２ｂの共振周波数は、第３の共振器１１５の***振周波数よりも低く設定され、また、第３の共振器１１５の実効的結合係数は、第１及び第２の共振器１１２ａ，１１２ｂの実効的結合係数よりも小さく（好ましくは半分程度に）設定される。さらに、第３の共振器１１５の共振周波数は、受信フィルタ１３０に含まれる並列腕共振器（１３４〜１３７）の共振周波数近傍、或いはこれによりもやや低く設定することが好ましい。尚、共振器１１２ａ，１１２ｂ，１１５についても、図３に示す構成を有する薄膜バルク波共振器を用いることが好ましい。
このような回路構成を採用することにより、従来の分波回路のように１／４波長位相線路を用いた場合と比べて、第１の位相線路１１１ａと第２の位相線路１１１ｂの長さの和を短くすることが可能となる。具体的には、第１の位相線路１１１ａと第２の位相線路１１１ｂの長さの和を１／７波長程度とすることが可能となり、これにより従来に比べてデュプレクサ１００のサイズを小型化することが可能となる。
しかも、分波回路１１０として図７に示す回路構成を採用すれば、受信フィルタ１３０の低域側エッジを非常に急峻とすることが可能となり、従来の分波回路を用いた場合と比べて、デュプレクサの特性を大幅に向上させることが可能となる。このような特性が得られるのは、第１の位相線路１１１ａの他端に接続されたインダクタンス素子（第２のインダクタンス素子１１４ａ）と第２の位相線路１１１ｂの他端に接続されたインダクタンス素子（第４のインダクタンス素子１１４ｂ）とを共用せず、それぞれ独立に設けているためであり、これらを共用してしまうと受信フィルタ１３０の低域側エッジを急峻とする効果は得られなくなる。
以上説明したように、本実施形態によるデュプレクサ１００は、改良された分波回路１１０を用いていることから、小型で且つ高い性能を得ることが可能となる。
本発明は、以上説明した実施の形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこの実施例に何ら限定されるものではない。
［実施例１］
分波回路１１０として図２に示した回路を用い、送信フィルタ１２０として図４に示した回路（２段のＴ型フィルタ回路）を用い、受信フィルタ１３０として図５に示した回路（３段のπ型フィルタ回路）を用いて、送信側の中心周波数が１．８８ＧＨｚ、受信側の中心周波数が１．９６ＧＨｚであり、それぞれ６０ＭＨｚの通過帯域幅を有するデュプレクサ１００を作製した。
分波回路１１０に含まれる位相線路１１１としては、誘電率が７であるＬＴＣＣパッケージ内に形成した長さ約６ｍｍのストリップ線路を用いた。尚、基板の誘電率が７である場合、１．９ＧＨｚにおいて１波長の線路長はおよそ６０ｍｍであることから、位相線路１１１の長さは１／１０波長である。また、分波回路１１０に含まれる共振器１１２としては、図３に示した構造を有する薄膜バルク波共振器を用い、その共振周波数及び***振周波数は送信フィルタ１２０の通過域よりも低い１．７６ＧＨｚ及び１．８０ＧＨｚにそれぞれ設定した。さらに、インダクタンス素子１１３，１１４のインダクタンス値としては０．４５ｎＨに設定した。
また、送信フィルタ１２０を構成する共振器１２１〜１２５についても図３に示した構造を有する薄膜バルク波共振器を用い、直列腕を構成する共振器１２１〜１２３についてはその共振周波数を１．８９ＧＨｚ、***振周波数を１．９２５ＧＨｚに設定し、並列腕を構成する共振器１２４，１２５についてはその共振周波数を１．８５ＧＨｚ、***振周波数を１．８９ＧＨｚに設定した。さらに、インダクタンス素子１２６のインダクタンス値としては２．９ｎＨに設定した。
さらに、受信フィルタ１３０を構成する共振器１３１〜１３７についても図３に示した構造を有する薄膜バルク波共振器を用い、直列腕を構成する共振器１３１〜１３３についてはその共振周波数を１．９８ＧＨｚ、***振周波数を２．０３ＧＨｚに設定し、並列腕を構成する共振器１３４〜１３７についてはその共振周波数を１．９１４ＧＨｚ、***振周波数を１．９６２ＧＨｚに設定した。さらに、インダクタンス素子１３８ａ〜１３８ｄのインダクタンス値としてはそれぞれ０．３ｎＨ、０．３ｎＨ、０．９ｎＨ及び２．７ｎＨに設定した。
図８は、本実施例によるデュプレクサの特性を示すグラフである。図８において「ＴＸ」とは送信信号特性を示し、「ＲＸ」とは受信信号特性を示している（図９においても同様）。図８に示すように、本実施例では、位相線路１１１に対して共振器１１２を並列接続していることから、共振器１１２の共振及び***振に対応した周波数にて、送信信号特性ＴＸ及び受信信号特性ＲＸに減衰極が生じていることが分かる。
［実施例２］
分波回路１１０として図７に示した回路を用い、送信フィルタ１２０として図４に示した回路（２段のＴ型フィルタ回路）を用い、受信フィルタ１３０として図６に示した回路（１段のπ型フィルタ回路）を用いることにより、送信側の中心周波数が１．８８ＧＨｚ、受信側の中心周波数が１．９６ＧＨｚであり、それぞれ６０ＭＨｚの通過帯域幅を有するデュプレクサ１００を構成した。
分波回路１１０に含まれる位相線路１１１ａ、１１１ｂは、誘電率が７であるＬＴＣＣパッケージ内に形成した長さ約３．６ｍｍ、５．４ｍｍのストリップ線路をそれぞれ用いた。上述の通り、基板の誘電率が７である場合、１．９ＧＨｚにおいて１波長の線路長はおよそ６０ｍｍであることから、位相線路１１１ａの長さは０．０６波長であり、位相線路１１１ｂの長さは０．０９波長である。また、分波回路１１０に含まれる共振器１１２ａ、１１２ｂ、１１５としては、図３に示した構造を有する薄膜バルク波共振器を用い、共振器１１２ａ、１１２ｂの共振周波数は１．９２７ＧＨｚに設定し、***振周波数は１．９８１ＧＨｚに設定した。また、共振器１１５の共振周波数は１．９０９ＧＨｚに設定し、***振周波数は１．９３６ＧＨｚに設定した。さらに、インダクタンス素子１１３ａ，１１４ａ，１１３ｂ，１１４ｂのインダクタンス値としては０．４ｎＨに設定した。
送信フィルタ１２０については、実施例１と全く同じ構成とした。
受信フィルタ１３０についても、共振器１３２，１３３，１３６，１３７及びインダクタンス素子１３８ｃ，１３８ｄが存在しない他は、実施例１と同じ構成とした。
図９は、本実施例によるデュプレクサの特性を示すグラフである。図９に示すように、本実施例では、受信信号特性ＲＸの低域側エッジが非常に急峻となっていることが分かる。これは、上述の通り、第２のインダクタンス素子１１４ａと第４のインダクタンス素子１１４ｂとを共用せず、それぞれ独立に設けたことによる効果である。
１０ 基板
１１ 音響多層膜
１１ａ，１１ｂ 反射膜
１２ 下部電極
１３ 圧電膜
１４ 上部電極
１００ デュプレクサ
１００ａ アンテナ端子
１００ｂ 送信端子
１００ｃ 受信端子
１１０ 分波回路
１１０ａ 分波回路の入力端
１１０ｂ 分波回路の出力端
１１１，１１１ａ，１１１ｂ 位相線路
１１２，１１２ａ，１１２ｂ，１１５ 共振器
１１３，１１４，１１３ａ，１１４ａ，１１３ｂ，１１４ｂ インダクタンス素子
１１５ 共振器
１２０ 送信フィルタ
１２０ａ 送信フィルタの入力端
１２０ｂ 送信フィルタの出力端
１２１〜１２５ 共振器
１２６ インダクタンス素子
１３０ 受信フィルタ
１３０ａ 送信フィルタの入力端
１３０ｂ 送信フィルタの出力端
１３１〜１３７ 共振器
１３８ａ〜１３８ｄ インダクタンス素子
１４１ アンテナ素子
１４２ 送信回路
１４３ 受信回路
ＲＸ 受信信号特性
ＴＸ 送信信号特性
１１ 音響多層膜
１１ａ，１１ｂ 反射膜
１２ 下部電極
１３ 圧電膜
１４ 上部電極
１００ デュプレクサ
１００ａ アンテナ端子
１００ｂ 送信端子
１００ｃ 受信端子
１１０ 分波回路
１１０ａ 分波回路の入力端
１１０ｂ 分波回路の出力端
１１１，１１１ａ，１１１ｂ 位相線路
１１２，１１２ａ，１１２ｂ，１１５ 共振器
１１３，１１４，１１３ａ，１１４ａ，１１３ｂ，１１４ｂ インダクタンス素子
１１５ 共振器
１２０ 送信フィルタ
１２０ａ 送信フィルタの入力端
１２０ｂ 送信フィルタの出力端
１２１〜１２５ 共振器
１２６ インダクタンス素子
１３０ 受信フィルタ
１３０ａ 送信フィルタの入力端
１３０ｂ 送信フィルタの出力端
１３１〜１３７ 共振器
１３８ａ〜１３８ｄ インダクタンス素子
１４１ アンテナ素子
１４２ 送信回路
１４３ 受信回路
ＲＸ 受信信号特性
ＴＸ 送信信号特性
Claims (10)
- アンテナ端子と送信端子との間に接続された送信フィルタと、前記アンテナ端子と受信端子との間に直列に接続された分波回路及び受信フィルタとを備えるデュプレクサであって、前記分波回路は、前記アンテナ端子と前記受信フィルタとの間に接続された少なくとも一つの位相線路と、前記位相線路に対して並列に接続され、共振及び***振可能な少なくとも一つの共振器とを備えていることを特徴とするデュプレクサ。
- 前記位相線路の一端と前記共振器の一端との間に接続された第１のインダクタンス素子と、前記位相線路の他端と前記共振器の他端との間に接続された第２のインダクタンス素子とをさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載のデュプレクサ。
- 前記共振器の共振周波数及び***振周波数は前記送信フィルタ及び前記受信フィルタの通過帯域よりも低いことを特徴とする請求項１又は２に記載のデュプレクサ。
- 前記共振器の共振周波数及び***振周波数は前記送信フィルタ及び前記受信フィルタの通過帯域よりも高いことを特徴とする請求項１又は２に記載のデュプレクサ。
- 前記少なくとも一つの位相線路は、一端が前記アンテナ端子に接続された第１の位相線路と、一端が前記受信フィルタに接続された第２の位相線路とを含み、前記少なくとも一つの共振器は、前記第１の位相線路に対して並列に接続された第１の共振器と、前記第２の位相線路に対して並列に接続された第２の共振器とを含んでいることを特徴とする請求項１に記載のデュプレクサ。
- 前記第１の位相線路の前記一端と前記第１の共振器の一端との間に接続された第１のインダクタンス素子と、前記第１の位相線路の他端と前記第１の共振器の他端との間に接続された第２のインダクタンス素子と、前記第２の位相線路の前記一端と前記第２の共振器の一端との間に接続された第３のインダクタンス素子と、前記第２の位相線路の他端と前記第２の共振器の他端との間に接続された第４のインダクタンス素子とさらに備えていることを特徴とする請求項５に記載のデュプレクサ。
- 前記少なくとも一つの共振器は、前記第２のインダクタンス素子及び前記第４のインダクタンス素子の接続点とグランドとの間に接続された第３の共振器をさらに含んでいることを特徴とする請求項６に記載のデュプレクサ。
- 前記第１及び第２の共振器の共振周波数は、前記第３の共振器の***振周波数よりも低いことを特徴とする請求項７に記載のデュプレクサ。
- 前記第３の共振器の実効的結合係数は、前記第１及び第２の共振器の実効的結合係数よりも小さいことを特徴とする請求項７又は８に記載のデュプレクサ。
- 前記共振器が薄膜バルク波共振器によって構成されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のデュプレクサ。
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