JP3943326B2

JP3943326B2 - 不要輻射解析方法および不要輻射解析装置

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Publication number: JP3943326B2
Application number: JP2000359630A
Authority: JP
Inventors: 健二島崎; 将三平野; 達夫大橋; 卓溝川; 洋行辻川
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2000-11-27
Filing date: 2000-11-27
Publication date: 2007-07-11
Anticipated expiration: 2020-11-27
Also published as: US6876210B2; JP2002164434A; US20020075018A1

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、不要輻射（ＥＭＩ：Electromagnetic Interference）解析方法および不要輻射解析装置に係り、特に、大規模でかつ高速駆動のＬＳＩ(大規模半導体集積回路)に対して高速かつ高精度のＥＭＩ解析を行い、電磁輻射を解析する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩは、コンピュータはもちろんのこと、携帯電話等の通信機器、一般家庭製品や玩具、自動車まで利用範囲が拡大している。しかし、その一方で、これらの製品から生じる不要輻射がテレビ・ラジオ等の受信装置の電波障害や他システムの誤動作の原因として問題になっている。これらの問題に対して、フィルタリングやシールディングといった製品全体としての対策も施されているが、部品点数増大・コスト増大・製品上対策の難しさ等の観点より、ＬＳＩパッケージとしてのノイズ抑制が強く要請されている。
【０００３】
このような状況下、各製品においてＬＳＩはキーデバイスとして位置付けられおり、製品の競争力確保のために、ＬＳＩの大規模化・高速化が要求されている。製品サイクルが短くなる中で、これらの要求に答えるためにはＬＳＩ設計の自動化が必須であり、現状の設計自動化技術導入の条件として同期設計を採用する必要が高まっている。基準クロックに同期して全回路が動作し、大規模かつ高速駆動のＬＳＩの場合には、その瞬時電流は非常に大きくなってしまうことになり、不要輻射の増大を引起すことになる。
【０００４】
本発明は、ＬＳＩの大規模化・高速化を維持しつつも不要輻射を低減するために不可欠であるＥＭＩ評価が可能なＥＭＩ解析手法に関するものである。
ＬＳＩが他へ被害を与えるノイズを大別すると、放射ノイズと伝導ノイズがある。ＬＳＩからの直接的な放射ノイズとしてＬＳＩの内部配線から放射されるノイズもあるが、内部配線はアンテナとしては大きくない。もちろん、ＬＳＩの動作周波数向上に伴い、ＬＳＩから直接的に放射されるノイズが将来的に問題となるとは思われるが、現時点においてはＬＳＩ内部の放射ノイズは問題になるレベルではない。
【０００５】
これに対して、伝導のノイズは、ＬＳＩ内のワイヤ、リードフレーム、パッケージやプリント基板上配線など直接的な接続を通じてプリント基板上の他のデバイスへ影響を与えるとともに、これらの接続経路を発信源すなわちアンテナとしてノイズを放射する。この接続経路よりなるアンテナはＬＳＩ内部の配線と比べると非常に大きく、不要輻射を考える上で支配的な要素である。
【０００６】
ＬＳＩからの伝導ノイズの経路として、電源と信号があるが、近傍の電磁界を考える場合、電源の電流の変化が電源線をアンテナとして輻射されるノイズが支配的であると考えられる。
また、信号においては信号の変化時に生じるリンギング・オーバーシュートが問題となる場合もあるが、ＬＳＩ内部電源レベルの変動が信号波形として伝導することが問題となる場合が多い。電源・信号どちらの経路を伝導し放射されるノイズも、電源電流の変化と強く相関があると考えられる。
そしてこの電源に加え、パッケージも問題となることが多い。
また、近年ＬＳＩにおけるＥＭＩノイズが重要な問題となってきたため、IEC（国際電機標準委員会）においてＬＳＩのＥＭＩノイズについて実測方法の標準化がなされようとしており、マグネティックプローブ法やVDE法といった解析方法が提案されている。
【０００７】
これにより、ＬＳＩベンダは同一の土俵に乗り、顧客に自社のＬＳＩのＥＭＩノイズ性能をアピールすることができ、また顧客もＥＭＩノイズの観点での絶対的なＬＳＩの比較が出来るようになる。また、この標準実測方法が普及すれば、おのずとＬＳＩのＥＭＩノイズ基準が確定していくものと思われる。
【０００８】
しかしながら、従来は測定系（測定装置および測定するためのプリント基板）の考慮がなされていなかったため、ＬＳＩの開発段階において、前記の基準を満たしているかどうかを判断することが出来なかった。
【０００９】
簡単なインバータ回路を用いてＣＭＯＳ回路の電源電流を説明する。インバータ回路への入力電圧が変化する場合に、ＣＭＯＳ回路の主な電源電流である負荷容量充放電電流が流れる。そして、これに加え貫通電流が加算して流れることになる。このようなＣＭＯＳ回路を設計するにあたり、自動設計ツールを用いる上での制約により同期化しているが、同期化したことによりＬＳＩ全体の回路が同時に動作するため、基準クロックに同期して電源のピーク電流が発生する。しかも、高速化、すなわち周期を短縮するためには、短時間に充放電できるようにトランジスタを大きくするが、その結果としてピーク電流が増大する。当然、ＬＳＩが大規模化することによってもＬＳＩ全体の電源電流は増大する。このようにして、電源のピーク電流が増大し、電源電流が急峻な変化をするようになってきているが、この急峻な変化が高調波成分を増大させてしまい、不要輻射の増大を招いている。
【００１０】
不要輻射の主要因とも言える電源電流の変化について高精度のシミュレーションを行うことが、ＬＳＩにおける不要輻射の評価として有効であると考えられる。
ところで従来は、以下に示すようにトランジスタレベルで電流解析を行う電流シミュレーション手法が用いられていた。
【００１１】
図４６は、トランジスタレベルの電流解析手法を用いた従来のＥＭＩ解析方法の処理フローを示した図である。この方法では、解析対象となるＬＳＩのレイアウト情報から、レイアウトパラメータ抽出（以下、ＬＰＥとする）処理を行い、スイッチレベルネットリストについて回路シミュレーション、電流源モデリング処理、電源配線ＬＰＥ処理、過渡解析シミュレーション、ＦＦＴ処理の各ステップを行うように構成されている。
【００１２】
以下、各ステップについて図４６を参照しながら説明する。
ステップ４６０３ではＥＭＩ解析対象となる半導体集積回路のレイアウトデータ４６０１と、トランジスタ素子や各種配線寄生素子（抵抗、容量等）、各素子のパラメータ値、及びそれら抽出結果の出力形式を定義したＬＰＥルール４６０２が入力され、そのＬＰＥルール４６０２に基づきレイアウトデータ４６０１における各素子のパラメータを算出し、ネットリスト４６０４が生成される。尚、本ステップでは電源（及びグランド）配線の寄生素子については、抽出対象にしない。
【００１３】
ステップ４６０６では前記ステップ４６０３より生成されたネットリスト４６０４と解析対象回路において所望の論理的動作を再現させるためのテストパターン４６０５が入力され、内部回路の動作状態に応じた負荷容量充放電電流や貫通電流等を算出し、各トランジスタ毎の電流波形情報４６０７が生成される。尚、本ステップの最初の処理では電源（及びグランド）電位を変動の無い理想電位と仮定して処理を行う。
【００１４】
ステップ４６０８では前記ステップ４６０６より生成されたトランジスタ毎の電流波形情報４６０７が入力され、それぞれを以降のステップ４６１２で適用できる形式にモデリングし、電流源素子モデル情報４６０９が生成される。尚、以降のステップ４６１２の処理負荷軽減のためにも、複数個のトランジスタで構成される機能回路ブロック毎に電流源素子としてモデリングする手法が一般的である。
【００１５】
ステップ４６１０は前記ステップ４６０３に対して、抽出対象がＥＭＩ解析対象となるトランジスタ素子や各種配線寄生素子から、電源及びグランド配線の寄生素子（抵抗、デカップリング容量等）に代わる点が異なるのみであるため説明を省略する。尚、本ステップにより電源（及びグランド）配線ネットリスト４６１１が生成される。
【００１６】
ステップ４６１２では前記ステップ４６０８より生成された電流源素子モデル情報４６０９と前記ステップ４６１０より生成された電源（及びグランド）配線ネットリスト４６１１とワイヤやリードフレームのインピーダンス（抵抗、容量、インダクタンス）４６１６が入力され、ＳＰＩＣＥに代表される過渡解析シミュレータを使用した解析により、解析対象回路の電源電圧変動を算出した電源電圧降下結果４６１７が生成される。
【００１７】
この後、前記ステップ４６０６の再処理を行う。その際に、前記ステップ４６０６の最初の処理では電源（及びグランド）電位を変動の無い理想電位と仮定したのに対して、ここでは前記ステップ４６１２より生成された電源電圧降下結果４６１７が入力され、電源電圧変動を考慮に入れた各トランジスタ毎の電流波形情報４６０７が再度生成される。同様に前記ステップ４６０８、４６１２の再処理が行われる。
【００１８】
この前記ステップ４６０６、４６０８、４６１２のループ処理を複数回繰り返すことで、電源電圧変動をより高精度に再現させた電流波形結果４６１３が生成される。
ステップ４６１４では前記ステップ４６１２より生成された電流波形結果４６１３が入力され、高速フーリエ変換（以下、ＦＦＴとする）を施すことにより、周波数スペクトラム解析を行なうことが可能となり、ＥＭＩ解析結果４６１５を得ることが出来る。
【００１９】
この従来例では、ＬＰＥ処理４６０３、電源配線ＬＰＥ処理４６１０及び電流源モデリング処理４６０８の合わせ込みによって検証精度は大きく左右するものの、一定レベルの解析精度が期待できる。しかし、このようなトランジスタレベルの電流解析にはＳＰＩＣＥに代表される過渡解析シミュレータを使用するため、ＥＭＩ解析対象回路規模に制限があり処理時間も長大となる。半導体集積回路の大規模化が進んでいる近年、トランジスタレベルよりも抽象度が高く、高速解析が可能なＥＭＩ解析方法の確立が望まれている。
【００２０】
そこで、高速化の可能なＥＭＩ電流解析方法として、ゲートレベルのＥＭＩ電流解析方法が提案されている。たとえばその１つとして、アイ・エス・ピー・デー＆９９第１６ページ乃至第２１ページ（ＥＭＩ−ＮＯＩＳＥＡＮＡＬＹＳＩＳＵＮＤＥＲＡＳＩＣＤＥＳＩＧＮＳＥＮＶＩＲＯＮＭＥＮＴ’ＩＳＰＤ＆９９）に掲載されたエイシック（ＡＳＩＣ）デザイン環境におけるＥＭＩ−ノイズ解析がある。この技術では、テストベクタを用いたゲートレベルシミュレーション結果からイベントを取得、電流波形推定を行いＦＦＴを行って周波数解析を行うようにしている。すなわち、図４７に示すようにベリログネットリスト（ＶｅｒｉｌｏｇＮｅｔｌｉｓｔ）４７０１と、テストベクタ４７０２とから論理シミュレーション４７０３を行い、これによって算出されたイベントデータ４７０４と、トグル時の波形情報４７０６とから、波形推定ステップ４７０５を実行し、この波形推定ステップから得られた推定電流波形４７０７を、ＦＦＴ処理し周波数特性を得るようにしている。この方法では従来のトランジスタレベルのＥＭＩ解析に比べて、高速化をはかることができる。
【００２１】
しかしながら一般的には論理シミュレータにおいては電源・グランドを変動の無い理想電位として扱うため、電源及びグランドの抵抗、容量、インダクタンスによるデカップリングの影響を電源電流計算に反映することができない。もし、デカップリングの影響を考慮するならば、抵抗、容量、インダクタンスといった寄生素子を含む電源及びグランドのネットワークと論理シミュレーションにより求めた各素子の電流値を過渡解析する必要があり、処理に要する時間が激増する。
【００２２】
しかも、チップの大規模化と素子数の増加により電源線のネットワークが大規模化しており、処理時間増大は不要輻射解析上大きな障害となりつつある。処理時間短縮のため、これら電源線の抵抗・容量に対するリダクション手段も提案もされているが、電源線が格子構造となるようなゲートアレイに限定される。
【００２３】
また、電源電流値をＦＦＴすることでＥＭＩ解析したとしても、ＦＦＴ特性を設計者が判断するものとなっている。この手段では原因個所の特定に非常に時間がかかってしまうか、または不可能であり、また解析情報として、それを直接修正に反映させるものとしては、不充分であるという問題もある。
【００２４】
また、パッケージや測定系についても、インダクタンスを含むため、処理時間増大を招き、不要輻射解析上無視し得ない問題となっている。
【００２５】
このように、従来のＬＳＩの不要輻射解析方法は、電源及びグランドひいては測定系の抵抗、容量、インダクタンスの考慮と高速処理の両立という観点、不要輻射解析結果の設計への迅速な反映という観点において十分とは言えないものであった。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】
このように、トランジスタレベルの電流解析手法を用いた従来例では、一定レベルの解析精度が期待できるものの、トランジスタレベルの電流解析にはＳＰＩＣＥに代表される過渡解析シミュレータを使用するため、解析対象回路規模に制限があり処理時間も長大となる。半導体集積回路の大規模化が進んでいる近年、トランジスタレベルよりも抽象度が高く、高速解析が可能であるゲートレベルの電流解析手法を利用したＥＭＩ解析方法の確立が望まれる。
【００２７】
一方、ゲートレベル電流解析手法も提案されているが、電源及びグランド、さらには測定系を変動の無い理想電位で扱えばデカップリング効果を考慮できず、またデカップリングを考慮するために寄生素子を含む電源及びグランドネットワークを過渡解析すれば解析時間が増大するという問題があった。
特にこの測定装置および測定するためのプリント基板を含めた測定系の問題は、従来は考慮がなされていなかったため、LSIの開発段階において、前記の基準を満たしているかどうかを判断することが出来ないという問題があった。
【００２８】
また、ＥＭＩ解析したとしても、その主たる原因がどの回路にあるのかが不明であり、ＥＭＩ改善のためにどの回路を修正することが有効であるのかが分からないという問題もある。
【００２９】
そこで、高速解析しつつも、電源及びグランドの抵抗、容量、インダクタンスによるデカップリングの影響を電源電流計算に反映することで、シミュレーション上においてＬＳＩの不要輻射を現実的な時間で評価することのできる不要輻射解析方法および装置を提供すべく、本発明者らは、周波数帯毎に、ＦＦＴ解析離散幅を割り当て、モデル化する工程と、前記モデル化する工程によって算出された電流変化情報を高速フーリエ変換処理する工程とを含む不要輻射解析方法を提案している（特許願２０００−６３７８３）。
また、ディジタルシミュレーションにおける論理変化ごとの推定電流波形を、底辺をトランジション時間の関数で表現した三角波とし、高速処理を図る方法も提案されている（特願平１１−１９６１９０）。
この方法では、デカップリング容量のＦＦＴ結果への影響を表現することができず、表現するとすれば、三角形の底辺を広げるしかないため、それでは正確に表現することができず、その効果を出すことができないという問題があった。
【００３０】
また、ディジタルシミュレーションに同期してアナログ部の解析を行うミックスシミュレーション方式も提案されている（特願平４−５４２１５）。
この方法ではアナログ部への反映を考慮しているが、電源ネットリストの影響を考慮していないためＥＭＩノイズ解析という観点からは正確さにかけるという問題があった。
また、同期計算であるため、ディジタル部の論理変化に伴う電流変化は本来論理変化以前から発生しているにもかかわらず、論理変化以降に電流を計算する必要があり、正確に電源電流を反映することができないという問題があった。
また、前述したように、ＬＳＩチップの回路情報のみならず、パッケージに起因するＥＭＩも無視することができない程度に大きく、さらには測定系によるＥＭＩを考慮しないと実測値と異なるという問題があった。
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、高速解析しつつも、電源及びグランドの抵抗、容量、インダクタンスによるデカップリングの影響を電源電流計算に反映することで、シミュレーション上においてＬＳＩの不要輻射を現実的な時間で評価することのできる不要輻射解析方法および装置を提供することを目的とする。
【００３１】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１では、ＬＳＩの不要輻射量を解析する方法において、当該ＬＳＩチップの回路情報から電源電流に流れる等価電源電流情報を算出する工程と、前記ＬＳＩチップに電流を供給する電源の電源情報および前記ＬＳＩチップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報を解析制御情報として考慮し、前記回路情報に前記解析制御情報を反省させた総合情報を等価回路として見積もる見積もり工程と、前記見積もり工程で見積もられた総合情報に従い、解析を実行する総合情報解析工程とを含むことを特徴とする。
【００３２】
上記構成によれば、電源、パッケージに起因する不要輻射を、高速かつ少メモリで高精度に解析し、また測定系をモデル化することで、標準化されようとしている測定装置を用いたＬＳＩの測定結果と、相関を取ることが可能となる。
【００３３】
本発明は、上記不要輻射解析方法において、前記見積もり工程は、前記回路情報に前記解析制御情報を付加して総インピーダンスを算出し、これを総合情報として総合情報解析工程に出力する工程であることを特徴とする。
【００３５】
本発明は、上記不要輻射解析方法において、前記解析制御情報は、前記ＬＳＩチップに電流を供給する電源の電源情報と、前記ＬＳＩチップのパッケージのもつパッケージ情報と、前記ＬＳＩチップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報とを含むことを特徴とする。
【００３６】
本発明は、上記不要輻射解析方法において、前記総合情報解析工程は、前記総合情報に前記等価電源電流情報を付加してシミュレーションするシミュレーション工程であることを特徴とする。
【００３７】
本発明は、上記不要輻射解析方法において、前記総合情報解析工程は、前記総合情報を反映して前記等価電源電流情報を補正した補正等価電源電流情報を求める工程とその周波数スペクトルを計算する周波数スペクトル計算工程を含むことを特徴とする。
【００３８】
本発明は、上記不要輻射解析方法において、前記等価電源電流情報算出工程は、周波数スペクトルを計算する周波数スペクトル計算工程を含むことを特徴とする。
【００３９】
本発明は、上記不要輻射解析方法において、前記総合情報解析工程は、前記総合情報から前記等価電源電流情報を補正すべき補正関数を求め、前記等価電源電流情報をこの補正関数で演算する工程であることを特徴とする。
【００４０】
本発明は、上記不要輻射解析方法において、前記等価電源電流情報算出工程は、信号変化の発生時に生成され、発生対象である前記ＬＳＩチップの各セルのインスタンス名、その信号名、発生時刻、遷移情報を含む各イベント情報と、前記見積もり工程で見積もられた前記総合情報を考慮して瞬間的な電流量を算出する工程と、前記瞬間的な電流量をあらかじめ決定された規則に従ってモデル化するモデル化工程とを含むことを特徴とする。
【００４１】
本発明は、上記不要輻射解析方法において、前記モデル化工程は、将棋型の電流波形を累積する工程であることを特徴とする。
【００４２】
本発明は、上記不要輻射解析方法において、前記シミュレーション工程は、等価電源電流情報算出工程と同期する工程を含むことを特徴とする。
【００４３】
本発明は、上記不要輻射解析方法において、前記シミュレーション工程は、等価電源電流情報への情報追加タイミングに同期して繰り返し実行する工程を含むことを特徴とする。
【００４４】
本発明は、上記不要輻射解析方法において、前記シミュレーション工程は、等価電源電流情報をあらかじめ定めた間隔で読み込む工程を含むことを特徴とする。
【００４５】
本発明は、上記不要輻射解析方法において、前記周波数スペクトル計算工程は、補正等価電源電流情報をあらかじめ定めた間隔で畳み込む畳込み工程を含むことを特徴とする。
【００４６】
本発明は、上記不要輻射解析方法において、前記畳込み工程は、あらかじめ定めた間隔ごとの補正等価電源電流情報を時系列で平均化もしくは最大化することを特徴とする。
【００４７】
本発明は、上記不要輻射解析方法において、前記等価電源電流情報算出工程は、あらかじめ算出された前記回路情報の各部分の等価電源電流情報であるライブラリ情報の累積を計算するライブラリ累積工程であることを特徴とする。
【００４８】
本発明は、上記不要輻射解析方法において、前記ライブラリ情報は、前記回路情報の各部分の入力信号情報もしくは出力信号情報もしくは出力容量のいずれかの関数もしくはテーブルであることを特徴とする。
【００４９】
本発明は、上記不要輻射解析方法において、前記ライブラリ情報は前記回路情報をクロックに同期するクロック同期部とクロックに同期しないクロック非同期部に１つ以上分割した部分の情報であることを特徴とする。
【００５０】
本発明は、上記不要輻射解析方法において、前記クロック同期部はフリップフロップもしくはクロックバッファもしくは同期メモリであることを特徴とする。
【００５１】
本発明は、上記不要輻射解析方法において、前記ライブラリ累積工程は前記回路情報より回路情報のどの部分がライブラリに対応しているかを類推する工程を含むことを特徴とする。
【００５２】
本発明は、上記不要輻射解析方法において、前記等価電源電流情報算出工程は、前記回路情報の部分回路情報に基づき、高速な等価電源電流情報算出方法と高精度な等価電源電流情報算出方法を選択する算出方法決定工程を含むことを特徴とする。
【００５３】
本発明は、上記不要輻射解析方法において、前記等価電源電流情報算出工程は、既に解析された等価電源電流情報との前記回路情報の差分に基づき前記差分のみの電源電流情報を算出する差分電源電流算出工程を含むことを特徴とする。
【００５４】
本発明は、上記不要輻射解析方法において、更に前記総合情報解析工程で得られた結果を解析情報として表示する解析情報表示工程とを具備したことを特徴とする。
【００５５】
本発明は、上記不要輻射解析方法において、更に前記総合情報解析工程で得られた結果に基づいて、不要輻射を低減するように回路情報を最適化する最適化工程とを含むことを特徴とする。
【００５６】
本発明は、上記不要輻射解析方法において、更に前記最適化工程で得られた回路情報を最適化情報として表示する最適化情報表示工程とを含むことを特徴とする。
【００５７】
本発明は、ＬＳＩの不要輻射量を解析する不要輻射解析装置であって、当該ＬＳＩチップの回路情報から電源電流に流れる等価電源電流情報を算出する等価電源電流情報算出手段と、前記ＬＳＩチップに電流を供給する電源の電源情報および前記ＬＳＩチップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報を解析制御情報として考慮し、前記回路情報に前記解析制御情報を反映させた総合情報を等価回路として見積もる見積もり手段と、前記見積もり手段で見積もられた総合情報に従い、解析を実行する総合情報解析手段とを含むことを特徴とする。
本発明は、上記ＬＳＩの不要輻射量を解析する不要輻射解析装置において、前記見積もり手段は、当該ＬＳＩチップの回路情報から電源電流に流れる等価電源電流情報を算出する等価電源電流情報算出手段と、前記ＬＳＩチップに電流を供給する電源の電源情報、前記ＬＳＩチップのパッケージのもつパッケージ情報および前記ＬＳＩチップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報を解析制御情報として考慮し、前記回路情報に前記解析制御情報を反映させた総合情報を等価回路として見積もる見積もり手段であることを特徴とする。
【００５８】
本発明は、上記不要輻射解析装置において、前記見積もり手段が、前記回路情報に前記解析制御情報を付加して総インピーダンスを算出し、これを総合情報として総合情報解析手段に出力するように構成されていることを特徴とする。
【００５９】
本発明は、上記不要輻射解析装置において、前記総合情報解析手段は、前記総合情報に前記等価電源電流情報を付加してシミュレーションするシミュレーション手段であることを特徴とする。
【００６０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る不要輻射解析方法の実施形態について説明する。
実施形態１
図１は、本発明に係る不要輻射解析方法を実施するための不要輻射解析装置の全体構成を示す概念図である。
この不要輻射解析装置は、当該ＬＳＩチップの回路情報１０１に、前記ＬＳＩチップに電流を供給する電源の電源情報、前記半導体チップのパッケージのもつパッケージ情報および前記半導体チップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報のうちの少なくとも１つの情報を解析制御情報として付加し、前記回路情報に前記解析制御情報を加えた総合情報を等価回路としておおまかに見積もり、これを考慮したシミュレーションを行うようにしたことを特徴とするものである。
【００６１】
ここでは、さらにディジタルシミュレーションにおける論理変化ごとの推定電流波形を、底辺をトランジション時間の関数、側面をデカップリング容量の関数で表現し、シミュレーションを行うようにしたもので、高精度で信頼性の高い不要輻射解析を高速で実行することが可能となる。
【００６２】
この不要輻射解析装置は、当該ＬＳＩチップの回路情報１０１に、前記ＬＳＩチップに電流を供給する電源の電源情報、前記半導体チップのパッケージのもつパッケージ情報および前記半導体チップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報のうちの少なくとも１つの情報を解析制御情報として付加し、前記回路情報に前記解析制御情報を加えた総合情報を等価回路として見積もる、解析制御入力部１０２と、前記解析制御入力部で見積もられた総合情報に従い、シミュレーションを実行する不要輻射シミュレーション部１０３と、前記不要輻射シミュレーション部１０３で得られた解析情報を表示する解析情報表示部１０４と、前記不要輻射シミュレーション部１０３で得られた解析情報と、最適化制御入力部１０５からの最適化基準に基づいて不要輻射を最適化する不要輻射最適化部１０６と、不要輻射最適化部１０６の情報に基づいて、最適化情報を表示する最適化情報表示部１０７とを具備したことを特徴とする。
【００６３】
またこの解析制御入力部１０２は、図２に示すように、前記ＬＳＩチップに電流を供給する電源の電源情報、前記半導体チップのパッケージのもつパッケージ情報および前記半導体チップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報のうちの少なくとも１つの情報を解析制御情報として付加し、前記回路情報に前記解析制御情報を加えた総合情報を等価回路として見積もる等価回路見積もり手段１０２１と、前記等価回路見積もり手段１０２１で、電源／パッケージ／測定系に起因する総合情報の等価回路情報として電源／パッケージ／測定系ＲＬＣ情報１０２２を得、この電源／パッケージ／測定系ＲＬＣ情報１０２２と、回路情報を備えたネットリスト１０２３と、電流推定モデル１０２４とから、電源／パッケージ／測定系を考慮した電源電流の計算を行うとともにそのＦＦＴ処理を行い、電源電流を起因とするＥＭＩノイズの周波数スペクトルの推定結果を算出する電源／パッケージ／測定系考慮電流ＦＦＴ結果推定手段１０２５とを具備し、電源、パッケージおよび測定系を考慮したＦＦＴ結果としての周波数スペクトルである電源／パッケージ／測定系考慮ＦＦＴ結果１０２６を出力するように構成されている。
【００６４】
このネットリストの一例を図３に示す。これはインバータ回路を示すもので、このネットリスト情報は、１つ以上の回路素子と配線と外部端子の接続情報と各回路素子が駆動した時の電流の情報から構成されている。この例では、立ち上がり時４ｍＡ、立下り時６ｍＡ流れるバッファＢＵＦ１、ＢＵＦ２、ＢＵＦ３、ＢＵＦ４、ＢＵＦ５と、外部入力端子Ａ、外部出力端子Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３とそれぞれを接続する配線から構成されている。図３は図４に示すような電源／パッケージ／測定系非考慮電流を計算するために用いる電源を理想電源としたときのＬＳＩチップの回路情報であり、図４は電源／パッケージ／測定系非考慮電流を等価電源電流に、前記回路情報と電源／パッケージ／測定系ＲＬＣ情報を等価インピーダンスにモデル化した結果を示す。
【００６５】
また、ここでシミュレーションを行おうとしているＬＳＩ装置のパッケージおよび測定系を含めた等価回路は図４に示すように、パッケージ部Ｐと、電源回路部Ｓと測定系Ｍとから構成されている。なおこの等価回路ではパッケージ部、電源回路部、測定系は独立して形成されているが、必ずしもパッケージ部、電源回路部、測定系が独立している必要は無い。
【００６６】
このように測定系をモデル化することで、標準化されようとしているＬＳＩの測定系（測定装置）の測定結果と相関をとることができる。
【００６７】
本発明により最終的に得られるＦＦＴ結果である周波数スペクトルを図５に示す。縦軸はノイズ（ｄＢｍＡ）横軸は周波数（Ｈｚ）である。
【００６８】
そして図７はディジタルシミュレーションにおける論理変化ごとの推定電流波形を図７（ａ）〜（ｄ）に示すように台付き三角形状の将棋型波として、表現したもので、デカップリング容量が小さいときの推定電源電流は図７（ｃ）に示すように鋭角となり、デカップリング容量が大きいときの推定電源電流は図７（ｄ）に示すように鈍角となる。
【００６９】
これに対し、図６（ａ）〜（ｄ）に示すように三角形波として、表現する方法がある。この場合電流量を三角形の底辺をトランジション時間の関数で表現しているため、デカップリング容量を考慮するためには底辺を調整するしかないが、底辺を広げると、本来デカップリング容量で低減される周波数の高い領域のノイズだけでなく、周波数の低域のノイズまで低減される結果となってしまい、実測と合わないということになる。
【００７０】
これに対して、図７は、電源／パッケージ／測定装置非考慮電流推定手段を論理シミュレータを用いて実現する際に最適なモデリングであり、これを用いることにより、等価電源電流回路を実際に近い形で実現することができる。
【００７１】
この方法では、底辺をトランジション時間の関数、側面をデカップリング容量の関数として表現することができ、デカップリング容量の周波数スペクトル（ＦＦＴ結果）への影響を正確に表現することが可能となる。
【００７２】
このようなモデルを使用して、電源／パッケージ／測定装置非考慮電流推定手段により算出された電源／パッケージ／測定装置非考慮の電流情報を図８に示す。この電流情報は各時刻と電源電流値の情報からなり、図１０で示すような電源電流をデータで持たせた場合の情報である。
この電源電流情報を等価電源電流に変換する方法の一例を図９に示す。ＬＳＩチップの端子にＤ／Ａコンバータ９０１を接続し、前記電源／パッケージ／測定装置非考慮電流推定手段をディジタル電流算出回路９０１としてＤ／Ａコンバータ９０１に接続することで等価電源電流を得ることができる。図８で示すような情報がディジタル電流値算出回路（すなわち論理シミュレータで構成された電源／パッケージ／測定装置非考慮電流推定手段）で計算された後、それを等価電源電流に変換する際に、図９に示したようなＤ／Ａコンバータを使うことにより、図９に示す回路をトランジスタレベルシミュレータでスムーズにシミュレーションを行うことができる。
【００７３】
また、等価電源電流回路とインピーダンス回路を組み合わせてトランジスタレベルシミュレーションを行えば、電源／パッケージ／測定装置非考慮電流推定手段で計算された電源電流を補正して、電源／パッケージ／測定装置考慮の電流を推定することができ、それをＦＦＴすることで、図５に示すような周波数スペクトルを得ることができる。
【００７４】
次に、図１１に示した等価回路と図１２に示したブロック図とを用いて、解析制御入力部１０２を実施する場合について説明する。
ここでは、電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段としてゲートレベルで電流計算を行う工程と、その結果を反映して電源／パッケージ／測定系考慮ＦＦＴ推定手段としてトランジスタレベルの計算を行う工程を同期させて実行する。すなわち、セル、ブロックあるいはＬＳＩに関する推定電流をゲートレベルで計算しつつ、その計算と同期しながらこの計算値を電源ネットと組み合わせてシミュレーションすることにより、電源ネットの影響を考慮した電流計算結果を得るようにしたものである。
【００７５】
図１に示した解析制御入力部１０２は、図１１に等価回路、図１２にブロック図を示すように、同期読み出しにより、電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段１０１１から得られた電源／パッケージ／測定系非考慮電流結果１０１２と、前述の前記ＬＳＩチップに電流を供給する電源の電源情報、前記半導体チップのパッケージのもつパッケージ情報および前記半導体チップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報のうちの少なくとも１つの情報を解析制御情報として付加し、前記回路情報に前記解析制御情報を加えた電源／パッケージ／測定系ＲＬＣ情報１０２２を等価回路として見積もる等価回路見積もり手段１０２１と、前記等価回路見積もり手段１０２１で得られた等価回路に基づいて、電源／パッケージ／測定系に起因する電源／パッケージ／測定系ＲＬＣ情報１０２２としての総合インピーダンスとネットリスト１０２３とから、ＦＦＴ処理などの方法で周波数解析を行い推定結果を算出する電源／パッケージ／測定系考慮ＦＦＴ推定手段１０２５とを具備し、電源、パッケージおよび測定系を考慮したＦＦＴ結果１０２６を出力するように構成されている。
【００７６】
次にこの電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段および電源／パッケージ／測定系考慮電流推定手段の動作を示すフローチャートを図１３および図１４に示す。
【００７７】
まず、電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段１０１１における電流推定は、図１３に示すように、ネットリスト１０２３および回路入力情報１０１０を入力するステップ１３０１と、この入力された情報を読み込むステップ１３０２と、読み込まれた回路入力情報を１行づつ取り出すステップ１３０３と、電源／パッケージ／測定系考慮電流推定手段からフラグが送られてきたかどうかを判断するためにフラグをみるステップ１３０４と、フラグがあるかどうかを判断するステップ１３０５で、フラグが送られてきている場合もしくは取り出された回路入力情報が最初の行である場合は、ネットリストに取り出された回路入力情報を与えた際の電源電流を計算し、ファイル書き込みを行うステップ１３０６とからなり、全ての回路入力情報について処理終了しているか否かを判断し（ステップ１３０７）、終了している場合は終了とする。
【００７８】
ここで、回路入力情報とは、ネットリストの外部入力端子に印加する入力値を時系列に示したもので、シミュレーション時刻とその際の各外部入力端子に印加する論理信号値を１行に収め、それをシミュレーション終了時刻まで記載したものである。
【００７９】
判断ステップ１３０７で回路入力情報の全ての行を処理終了していない場合は再び回路入力情報取り出しステップ１３０３に戻り、同様のステップを繰り返す。
【００８０】
更にまた電源／パッケージ／測定系考慮電流推定手段からフラグが送られてきていない場合は、再びフラグが送られてきたかどうかをみる。
【００８１】
また、電源／パッケージ／測定系考慮電流推定手段における電流推定は、図１４に示すように、電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段における推定結果の情報追加を監視するステップ１４０１と、監視ステップで情報追加があったか否かを判断し（ステップ１４０２）、追加があったと判断された場合は、追加電流情報を読み込む（ステップ１４０３）。
【００８２】
そして、電源／パッケージ／測定系のＲＬＣから定まる回路の追加電流情報のシミュレーション時刻までの電流シミュレーションを行い、追加電流情報の電流を印加する（ステップ１４０４）とともに、電源／パッケージ／測定系考慮電流推定手段１０１１にフラグを送る（ステップ１４０５）。
【００８３】
そしてフラグの送付が終了したかどうかを判断し（ステップ１４０６）、終了した場合は、電流情報をＦＦＴ処理し（ステップ１４０７）、出力情報を書き出す（ステップ１４０８）。
【００８４】
そしてフラグの送付が終了していない場合は、電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段における推定結果の情報追加を監視する監視ステップ１４０１に戻り、再度後続ステップを繰り返す。
【００８５】
実施形態２
次に本発明の第２の実施形態について説明する。
ここでは、電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段としてのゲートレベルの電流計算結果を後処理でトランジスタレベルの計算に反映させる方式をとる。すなわち、セル、ブロックあるいはＬＳＩに関する推定電流をゲートレベルで計算した後で、この計算値を電源ネットと組み合わせてシミュレーションすることにより、電源ネットの影響を考慮した電流計算結果を得るようにしたものである。
【００８６】
図１５にゲートレベルの電流計算結果を後処理でトランジスタレベルの計算に反映させる動作方式について説明する。ここでは図１２で説明した同期読み出し動作における同期のために必要であった、電源／パッケージ／測定系考慮電流推定手段から電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段へのフラグ伝播というステップをなくしただけで、他については図１２のステップと同様である。
【００８７】
ここで電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段１０１１の推定動作を図１６に示す。ここでは回路入力情報１０１０を入力情報として読み込み（ステップ１６０１）、該当する回路入力情報を１行づつ取り出し（ステップ１６０２）、この取り出した回路入力情報をネットリスト１０２３に付加し、この時の電源電流を計算しファイル書き込みを行う（ステップ１６０３）。そして全ての回路入力情報について処理終了したか否かを判断し（判断ステップ１６０４）、終了していると判断されると推定動作を終了する。
【００８８】
一方判断ステップ１６０４で終了していないと判断されると、再び回路入力情報を１行づつ取り出すステップ１６０２に戻り、再び上記動作を繰り返す。
次に電源／パッケージ／測定系考慮電流推定手段１０２５の推定動作を図１７に示す。まずシミュレーション時刻を初期化し（ステップ１７０１）、回路入力情報１０１０を入力情報として読み込み（ステップ１７０２）、該当する回路入力情報を、電源／パッケージ／測定系のＲＬＣ情報に加えて電流情報を計算し（ステップ１７０３）、前記電流情報をＦＦＴ処理する（ステップ１７０４）。そしてこのようにして得られたＦＦＴ結果を出力情報として書き出し（ステップ１７０５）、表示装置に出力する。
【００８９】
かかる構成によれば、電源ネットのＦＦＴ結果への影響を時系列的にも正確に表現することができる。またこのような非同期読み出しの場合は同期読み出しに比べ、フラグを送らないため、フラグを送るという処理をカットすることができ、これにより高速処理が可能となる。
【００９０】
実施形態３
次に本発明の第３の実施形態について説明する。
ここでは、電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段としてのゲートレベルの電流計算結果を非同期でトランジスタレベルの計算に反映させる方式をとる。すなわち、セル、ブロックあるいはＬＳＩに関する信号変化を記憶し、この信号変化を固定間隔で読み込み、推定電流をＤ／Ａ変換などにより電流源として表すと共に、電源ネットと組み合わせてシミュレーションすることで電源ネットの影響を考慮した電流計算結果を得るようにしたものである。
【００９１】
図１５にゲートレベルの電流計算結果を非同期で読み出す非同期読み出し動作を示すが、これは前記実施形態２において説明した後処理でトランジスタレベルの計算に反映させる動作方式と全く同様である。
また、ここで電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段１０１１の推定動作についても実施形態２で説明した図１６に示す動作とまったく同様である。
【００９２】
次に電源／パッケージ／測定系考慮電流推定手段１０２５の推定動作を図１８に示す。まずシミュレーション時刻を０に初期化し（ステップ１８０１）、当該シミュレーション時刻における回路入力情報１０１１を入力情報として読み込み（ステップ１８０２：なおここでは回路情報がシミュレーション時刻と一致していなければ読み飛ばす）、該当する回路入力情報を、電源／パッケージ／測定系のＲＬＣ情報に加える（ステップ１８０３）。
【００９３】
そしてシミュレーション単位時間の電流シミュレーションを行い、電流値を得た後、シミュレーション時刻を１進める（ステップ１８０４）。
シミュレーション対象期間が終了したか否かを判断し（ステップ１８０５）、終了した場合は、電流情報をＦＦＴ処理し（ステップ１８０６）。そしてこのようにして得られたＦＦＴ結果を出力情報として書き出し（ステップ１８０７）、表示装置に出力する。
【００９４】
判断ステップ１８０５で終了していない場合は、再度シミュレーション時刻の電流情報読み込みステップ１８０２に戻り、再度以下のフローの実行を繰り返す。
【００９５】
かかる構成によれば、電源ネットのＦＦＴ結果への影響を正確に表現することができる。またこのように工程間隔で読み込むことで電源／パッケージ／測定系考慮ＦＦＴ推定手段としてのアナログ部の処理速度に律速されることなく、電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段としてのディジタル部を計算することが可能となる。
【００９６】
実施形態４
次に本発明の第４の実施形態について説明する。
ここでは、ゲートレベルの平均あるいは最大電流計算結果をトランジスタレベルの計算に反映させる方式をとる。すなわち、電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段として、セル、ブロックあるいはＬＳＩに関する推定電流をゲートレベルで計算し、この計算値を各サイクルごとに平均化あるいは最大値計算したものを電流源として電源ネットと組み合わせてシミュレーションすることにより、電源ネットの影響を考慮した電流計算結果を得るようにしたものである。
【００９７】
図１９に電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段としてのゲートレベルの電流計算結果を後処理で電源／パッケージ／測定系考慮ＦＦＴ推定手段としてのトランジスタレベルの計算に反映させる動作方式について説明する。ここでは実施形態１において図１２で説明したものと同様であるが、図１９にブロック図を示すように、電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段（図示せず）から得られた測定系非考慮電源電流結果１９０２の各サイクルごとの電流値を１サイクルに畳込むように平均化あるいは最大値計算したものを等価電流源とし、前記回路情報に前述の前記ＬＳＩチップに電流を供給する電源の電源情報、前記半導体チップのパッケージのもつパッケージ情報および前記半導体チップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報のうちの少なくとも１つの情報を解析制御情報として付加したＲＬＣ情報１９０１を前記等価電流源に付加してシミュレーションするとともに、ＦＦＴ処理を行い推定結果を算出する情報推定手段とを具備し、電源、パッケージおよび測定系を考慮したＦＦＴ結果１９０４を出力するように構成されている。
【００９８】
ここで電源／パッケージ／測定系考慮電流推定手段１９０３の推定動作を図２０に示す。ここでは電源／パッケージ／測定系非考慮電流結果と電源／パッケージ／測定系ＲＬＣ情報を入力情報として読み込み（ステップ２００１）、この入力電流情報を図２１に一例を示すように、あらかじめ定められた時間間隔で分割し（ステップ２００２）、分割した時間を基準にした相対時間で全分割電流情報の平均値又は最大値を計算する（ステップ２００３）。図２２は図２１に示す電流情報を平均化した平均化電流を示す。図２１および図２２は縦軸を電流値、横軸を時間とした。そしてこのようにして計算のなされた電流情報に前記電源／パッケージ／測定系ＲＬＣ情報を反映させた補正電流情報をＦＦＴ処理し（ステップ２００４）、計算されたＦＦＴ結果を出力情報として書き出しを行う（ステップ２００５）。
【００９９】
かかる構成によれば、電源ネットのＦＦＴ結果への影響を正確に表現することができる。また一定間隔ごとの平均化又は最大値処理を行うことにより、高速にノイズの影響を見積もることができる。
【０１００】
実施形態５
次に本発明の第５の実施形態について説明する。
ここでは、ゲートレベルの電流計算結果から対象周波数帯以外の変化を除去し、トランジスタレベルの計算に反映させる方式をとる。すなわち、電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段として、セル、ブロックあるいはＬＳＩに関する推定電流をゲートレベルで計算し、この計算値をＦＦＴし、その結果から対象外の周波数帯を除外した後逆ＦＦＴしたものを電流源として電源ネットと組み合わせてシミュレーションすることにより、電源ネットの影響を考慮した電流計算結果を得るようにしたものである。
【０１０１】
本発明は実施形態４のブロック図１９と同じ構成を用いる。
電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段（図示せず）から得られた測定系非考慮電源電流結果１９０２をＦＦＴし、その結果から対象外の周波数帯を除外した後逆ＦＦＴしたものを等価電流源とし、前記回路情報に前述の前記ＬＳＩチップに電流を供給する電源の電源情報、前記半導体チップのパッケージのもつパッケージ情報および前記半導体チップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報のうちの少なくとも１つの情報を解析制御情報として付加したＲＬＣ情報１９０１を前記等価電流源に付加してシミュレーションするとともに、ＦＦＴ処理を行い推定結果を算出する情報推定手段とを具備し、電源、パッケージおよび測定系を考慮したＦＦＴ結果１９０４を出力するように構成されている。
【０１０２】
ここで電源／パッケージ／測定系考慮ＦＦＴ電流推定手段１９０３の推定動作を図２４に示す。ここでは電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段（図示せず）から得られた推定電流を入力するとともにＦＦＴ処理し（ステップ２４０１）、この入力情報から、対象外の周波数帯を除外し（ステップ２４０２）、あらかじめ定められた時間範囲の周波数帯域成分以外を除外する処理を行い、これを逆ＦＦＴ処理し、電流波形を算出する（ステップ２４０３）。
【０１０３】
この後、電源／パッケージ／測定系のＲＬＣ回路にこの電流波形をもつ電流を与えた際の測定装置における周波数応答を計算し（ステップ２４０４）、電源、パッケージおよび測定系を考慮した電流値を出力情報として出力する（ステップ２４０５）。
【０１０４】
かかる構成によれば、電源ネットのＦＦＴ結果への影響を正確に表現することができる。またＦＦＴおよび逆ＦＦＴを行うことにより、電流源の情報を削減しトランジスタレベルシミュレーションを短時間で終わらせることが出来る。またイベントドリブンタイプであって効果的である。さらにブロックあるいは複数のＦＦＴ結果からの解析も可能である。
【０１０５】
なお、ステップ２４０２は省略してもよく、省略した場合にも逆ＦＦＴにより推定電流の情報を圧縮できるという効果は残る。
【０１０６】
実施形態６
次に本発明の第６の実施形態について説明する。前記第１乃至第５の実施形態では、回路情報から等価電源電流情報を求め、解析制御情報および回路情報の総インピーダンスと組み合わせてシミュレーションを行なうようにしたが、この方法では、電源、パッケージおよび測定系の等価回路から総インピーダンスを算出し、この総インピーダンスによって前記等価電源電流情報を補正すべき関数を求め、前記等価電源電流情報の周波数スペクトルをこの関数で演算し補正することにより、電源、パッケージおよび測定系を考慮した電源電流情報の周波数スペクトルを求めるようにしたことを特徴とする。
【０１０７】
ここでは、電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段としてのゲートレベルのＦＦＴ計算結果を、電源／パッケージ／測定系ＲＬＣ情報から得られた関数で演算させる方式をとる。すなわち、セル、ブロックあるいはＬＳＩに関する推定電流をゲートレベルで計算し、この計算値をＦＦＴし、電源／パッケージ／測定系の測定装置における周波数応答を計算し、応答結果を電源／パッケージ／測定系非考慮電流結果に乗算処理することで電源ネットの影響を考慮した電流計算結果を得るようにしたものである。
【０１０８】
図２３に電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段としてのゲートレベルのＦＦＴ計算結果を、電源／パッケージ／測定系ＲＬＣ情報から得られた関数で演算させる動作方式について説明する。ここでは実施形態１において図１２で説明したものと同様であるが、図２３にブロック図を示すように、電源／パッケージ／測定系非考慮電流ＦＦＴ結果２３０２として、電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段（図示せず）から得られた推定電流をＦＦＴ処理したものを用意する。そしてこれと前述の前記ＬＳＩチップに電流を供給する電源の電源情報、前記半導体チップのパッケージのもつパッケージ情報および前記半導体チップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報のうちの少なくとも１つの情報からなる電源／パッケージ／測定系ＲＬＣ情報２３０１とから、電源、パッケージおよび測定系を考慮したＦＦＴ結果２３０４を出力するように構成されている。
【０１０９】
この電源／パッケージ／測定系考慮ＦＦＴ電流推定手段２３０３の推定動作を図２６に示す。ここでは電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段（図示せず）から得られた推定電流をＦＦＴ処理したものと、電源／パッケージ／測定系ＲＬＣ情報を入力情報として（ステップ２６０１）、この電源／パッケージ／測定系ＲＬＣ情報から、電源／パッケージ／測定系部分における周波数応答を計算し（ステップ２６０２）、前記電源／パッケージ／測定系非考慮電流のＦＦＴ結果に上記周波数応答結果を乗算し（ステップ２６０３）、この電流値を出力情報として出力する（ステップ２６０４）。
【０１１０】
この時の周波数応答結果を図２７に示す。
かかる構成によれば、電源／パッケージ／測定系の影響を周波数スペクトルに反映させることができ、高速かつ高精度の計算が可能となる。このように、ＦＦＴ電源ネットのＦＦＴ結果への影響を正確に表現することができる。また周波数ごとの応答結果を乗算処理しているため、より高速処理が可能であり、またメモリ容量が少なくてもよいという特徴を持つ。
【０１１１】
実施形態７
この例では実施形態６における電源／パッケージ／測定系考慮ＦＦＴ電流推定手段２３０３の推定動作の変形例を示す。
前記実施形態６では電源／パッケージ／測定系の測定装置における周波数応答を計算し、応答結果を電源／パッケージ／測定系非考慮電流結果に乗算処理したが、この例では、電源／パッケージ／測定系非考慮電流結果のＦＦＴ結果について各周波数ごとの電源／パッケージ／測定系の測定装置における周波数応答を計算し、応答結果を累積処理することを特徴とするものである。
【０１１２】
この電源／パッケージ／測定系考慮ＦＦＴ電流推定手段２３０３の推定動作を図２５に示す。ここでは電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段（図示せず）から得られた推定電流をＦＦＴ処理したＦＦＴ結果と、電源／パッケージ／測定系ＲＬＣ情報を入力情報として（ステップ２５０１）、このＦＦＴ結果から、各周波数ごとの電流値（ノイズレベル）を選択し（ステップ２５０２）、電源／パッケージ／測定系のＲＬＣ回路に前記周波数をもつ電流値の振幅をもつ電流を与えた際の測定装置における周波数応答を計算し（ステップ２５０３）、応答結果を累積処理する処理（ステップ２５０４）を行い、全ての周波数について処理終了であるか否かを判断し（ステップ２５０５）、終了である場合は、周波数応答の累積結果である電源、パッケージおよび測定系を考慮した周波数スペクトラムを出力情報として出力する（ステップ２５０６）。
【０１１３】
かかる構成によれば、電源ネットのＦＦＴ結果への影響を正確に表現することができる。また周波数ごとの応答結果を累積処理しているため、より高精度に表現することが可能となる。
【０１１４】
実施形態８
この例は、解析処理方法に特徴を有するものである。
すなわち電源波形結果をライブラリとしてもち、回路全体のＦＦＴ特性を算出するものである。
【０１１５】
この装置は、あらかじめ、入出力条件、周波数、配線容量、スリューなどをパラメータとしたセルもしくはブロックの電流解析を行いこの結果を格納したＦＦＴライブラリを具備したことを特徴とするものである。
【０１１６】
図２８に本発明の一実施形態に関わる不要輻射解析方法に用いられる装置構成を示す。同図に示す不要輻射解析装置は、入出力条件、周波数、配線容量、スリューなどをパラメータとしたセルもしくはブロックの電流解析を行いこの結果を格納した電流波形ライブラリ２８０１と、ネットリスト２８０２と、回路入力情報２８０３と、電流ＦＦＴ推定手段２８０４とからなり、ＦＦＴ結果２８０５を出力するようにしたものである。
【０１１７】
電流ＦＦＴ推定手段２８０４は、図２９に示すようなフローチャートで解析を実行する。
まず、ステップ２９０１でネットリスト３００２に記憶されたネットリスト情報と、回路入力情報３００３とを読みこむ。
【０１１８】
ついで、ステップ２９０２で各セルに対応するライブラリより、回路規模、負荷容量、波形なまり、回路入力情報を推定する。
そしてさらにステップ２９０３で各セルに対応するライブラリより、回路規模、負荷容量、波形なまり、回路入力情報に対応した各電流波形を呼び出し、これらを足しあわせて、電源電流結果を計算する。
【０１１９】
こののち、ステップ２９０４で、ＦＦＴを行い、ステップ２９０５で出力情報の書き出しを行う。
【０１２０】
すなわち、この例では、ＬＳＩ全体のＦＦＴ解析結果を計算する際には、全ての素子のＦＦＴ解析結果を計算するのではなく、ＦＦＴライブラリから各電流波形を足しあわせることで、演算量を大幅に削減しながら、ＦＦＴ結果を得ることが出来る。
【０１２１】
以上の方法により、ライブラリから対応する電源電流波形を取り出しＦＦＴ推定を行うことにより、電流計算やＦＦＴを省略することができ、高速化をはかることができる。
この方法は第１乃至第７の実施の形態と組み合わせることで、さらに高速かつ少メモリでＦＦＴ結果を得、高速でＬＳＩ全体のノイズを影響を見積もることが可能となる。
【０１２２】
実施形態９
この例は、ＦＦＴ結果をライブラリに持ち、回路全体のＦＦＴ特性を算出するものである。
【０１２３】
すなわち、あらかじめ、入出力条件、周波数、配線容量、スリューなどをパラメータとしたセルもしくはブロックの電流解析を行いこの結果を格納したＦＦＴライブラリを具備したことを特徴とするものである。
【０１２４】
図３０に本発明の一実施形態に関わる不要輻射解析方法に用いられる装置構成を示す。同図に示す不要輻射解析装置は、入出力条件、周波数、配線容量、スリューなどをパラメータとしたセルもしくはブロックの電流解析を行いこの結果を格納したＦＦＴライブラリ３００１と、ネットリスト３００２と、回路入力情報３００３と、電流ＦＦＴ推定手段３００４とからなり、ＦＦＴ結果３００５を出力するようにしたものである。
【０１２５】
電流ＦＦＴ推定手段３００４は、図３１に示すようなフローチャートで解析を実行する。
まず、ステップ３１０１でネットリスト３１０２に記憶されたネットリスト情報と、回路入力情報３１０３とを読みこむ。
【０１２６】
ついで、ステップ３１０２で各セルに対応するライブラリより、回路規模、負荷容量、波形なまり、回路入力情報を推定する。
そしてさらにステップ３1０３で各セルに対応するライブラリより、回路規模、負荷容量、波形なまり、回路入力情報更に対応したFFT結果を計算し、積算する。
こののち、ステップ３１０４で、出力情報の書き出しを行う。
【０１２７】
すなわち、この例では、ＬＳＩ全体のＦＦＴ解析結果を計算する際には、全ての素子のＦＦＴ解析結果を計算するのではなく、ＦＦＴライブラリから各周波数の電流成分を足しあわせることで、演算量を大幅に削減しながら、ＦＦＴ結果を得ることが出来る。
【０１２８】
以上の方法により、ライブラリから取り出しＦＦＴ推定を行うことにより、電流計算やＦＦＴを省略することができ、高速化をはかることができる。
この方法は第１乃至第７の実施の形態と組み合わせることで、さらに高速かつ少メモリでＦＦＴ結果を得、高速でＬＳＩ全体のノイズを影響を見積もることが可能となる。
【０１２９】
なお、この方法においては、あらかじめ入出力条件、周波数、配線容量、スリューなどをパラメータとするセルもしくはブロックのＦＦＴ解析結果をライブラリとしてもつようにしたが、静的解析あるいは動的解析でＦＦＴデータを作成するようにしてもよい。（特願平１１−１９６１９０、特願平１１−２００８４７）
【０１３０】
またさらに推定しようとする範囲のＦＦＴ結果に絞ることでデータ量を削減することも可能である。
【０１３１】
実施形態１０
この例は、機能レベルの解析方法に関するものである。
すなわち、あらかじめ、入出力条件、周波数、配線容量、スリュー、構成などをパラメータとしたクロックバッファ、メモリ、ＦＦ，ＩＯのＦＦＴ解析結果をライブラリとしてもち、機能記述から主要構成部分のみ仮に論理合成し、ＦＦＴ結果を推定するようにしたことを特徴とするものである。
【０１３２】
図３２にこの不要輻射解析方法に用いられる装置構成を示す。同図に示す不要輻射解析装置は、入出力条件、周波数、配線容量、スリュー、構成などをパラメータとしたクロックバッファ、メモリ、ＦＦ，ＩＯのＦＦＴ解析結果を格納した機能記述用ライブラリ３２０１と、機能記述３２０２を具備した機能記述部と、回路入力情報３２０３と、機能記述ＦＦＴ推定手段３２０４とからなり、機能記述ＦＦＴ結果３２０５を出力するようにしたものである。
【０１３３】
機能記述ＦＦＴ推定手段３２０４は、図３３に示すようなフローチャートで解析を実行する。
まず、ステップ３３０１で機能記述部に記憶された機能記述３２０２と、回路入力情報３２０３とを読みこむ。
【０１３４】
ついで、ステップ３３０２で機能記述から図３４に示すようなクロックツリーメモリ、フリップフロップ、入出力バッファなどの機能的グループ分けを行う。そしてステップ３３０３で各グループに対応するライブラリより、回路規模、負荷容量、波形なまり、回路入力情報を推定する。
そしてさらにステップ３３０４で各グループに対応するライブラリより、回路規模、負荷容量、波形なまり、回路入力情報更に対応したFFT結果を計算し、積算する。
こののち、ステップ３３０５で、出力情報の書き出しを行う。
【０１３５】
すなわち、この例では、ＬＳＩ全体のＦＦＴ解析結果を計算する際には、全ての素子のＦＦＴ解析結果を計算するのではなく、機能レベルでグループ分けし、推定することにより、高速でＬＳＩ全体のノイズの影響を見積もることが出来る。
【０１３６】
実施形態１１
この例は、ダイナミック解析とスタティック解析とのよい点を利用したハイブリッド解析方法に関するものである。
すなわち、あらかじめ推定手法を選択し、最適なＦＦＴ結果推定を行うようにしたものである。
図３５にこの不要輻射解析方法に用いられる装置構成を示す。同図に示す不要輻射解析装置は、入出力条件、周波数、配線容量、スリュー、構成、必要とする精度などに応じてネットリスト３５０１から推定手法を選択する推定手法選択手段３５０２と、選択された推定方法を組み合わせて、ＦＦＴ結果を推定する電源電流ＦＦＴ結果推定手段３５０３とからなり、ＦＦＴ結果３５０４を出力するようにしたものである。
【０１３７】
推定手法選択手段３５０２は、図３６に示すようなフローチャートで解析を実行する。
まず、ステップ３６０１で入力情報を読みこむ。
【０１３８】
ついで、ステップ３６０２で各インスタンスの消費電力を推定する。
そしてステップ３６０３で消費電力の高いインスタンスに高精度推定手法を用い、それ以外を高速推定手法を適用するようにして、推定手法を選択する。
【０１３９】
このようにして、高速処理を行うことが可能となる。
【０１４０】
実施形態１2
最初のステップで概略解析した後、ピークの大きい部分をダイナミック解析を用いて詳細に解析するようにすることにより、高速でＬＳＩ全体のノイズの影響を見積もることが出来る。（図３７）
【０１４１】
推定手法選択手段３５０２は、図３７に示すようなフローチャートで解析を実行する。
まず、ステップ３７０１で入力情報を読みこむ。
【０１４２】
ついで、ステップ３７０２で各インスタンスのピーク電流を推定する。
そしてステップ３７０３でピークの高いインスタンスに高精度推定手法を用い、それ以外を高速推定手法を適用するようにして、推定手法を選択する。
【０１４３】
このようにして、高速処理を行うことが可能となる。
【０１４４】
実施形態１３
なお、最初のステップで消費電力量、ＦＦ／ＣＬＫ集中から各ブロック毎に解析方法を選択するという方法をとるようにしてもよい。（図３８）
【０１４５】
推定手法選択手段３５０２は、図３８に示すようなフローチャートで解析を実行する。
まず、ステップ３８０１で入力情報を読みこむ。
【０１４６】
ついで、ステップ３８０２で各インスタンスの消費電力を推定する。
そしてステップ３８０３で各ブロックグループ毎に消費電力の総和を計算し、ステップ３８０４にピークの高いグループに高精度推定手法を用い、それ以外を高速推定手法を適用するようにして、推定手法を選択する。
【０１４７】
このようにして、高速処理を行うことが可能となる。
実施形態１４
また、グループ毎のピーク電流の総和を計算し、ピークの高いグループに高精度推定手法を、それ以外に高速推定手法を適用する手法をとるようにしてもよい。（図３９）
【０１４８】
推定手法選択手段３５０２は、図３９に示すようなフローチャートで解析を実行する。
まず、ステップ３９０１で入力情報を読みこむ。
【０１４９】
ついで、ステップ３９０２で各インスタンスのピーク電流を推定する。
そしてステップ３９０３で各グループ毎にピーク電流の総和を計算し、ステップ３９０４にピークの高いグループに高精度推定手法を用い、それ以外を高速推定手法を適用するようにして、推定手法を選択する。
【０１５０】
このようにして、高速処理を行うことが可能となる。
【０１５１】
実施形態１５
グループ毎のフリップフロック・クロックバッファの個数を計算し、個数の多いグループに高精度推定手法を、それ以外に高速推定手法を適用する手法をとるようにしてもよい。
【０１５２】
推定手法選択手段３５０２は、図４０に示すようなフローチャートで解析を実行する。
まず、ステップ４００１で入力情報を読みこむ。
【０１５３】
ついで、ステップ４００２で、グループ毎のフリップフロック・クロックバッファの個数を計算し、各インスタンスの消費電力を推定する。
そしてステップ４００３で個数の多いグループに高精度推定手法を用い、それ以外を高速推定手法を適用するようにして、推定手法を選択する。
【０１５４】
このようにして、高速処理を行うことが可能となる。
【０１５５】
実施形態１６
この例も、ダイナミック解析とスタティック解析とのよい点を利用したハイブリッド解析方法に関するものである。
すなわち、解析精度に応じて判断することにより、あらかじめ推定手法を選択し、最適なＦＦＴ結果推定を行うようにしたものである。
図４１にこの不要輻射解析方法に用いられる装置構成を示す。同図に示す不要輻射解析装置は、入出力条件、周波数、配線容量、スリュー、構成、必要とする精度などに応じてネットリスト４１０１と回路入力情報４１０２とから推定手法を選択する推定手法選択手段４１０３と、選択された推定方法を組み合わせて、ＦＦＴ結果を推定する電源電流ＦＦＴ結果推定手段４１０４とからなり、ＦＦＴ結果４１０５を出力するようにしたものである。
【０１５６】
推定手法選択手段４１０２は、図４２に示すようなフローチャートで解析を実行する。
まず、ステップ４２０１で入力情報を読みこむ。
【０１５７】
ついで、ステップ４２０２で各インスタンスの消費電力またはピーク電流を推定する。
そしてステップ４２０３で各インスタンスの変化回数を推定する。
そしてステップ４２０４で消費電力またはピーク電流と変化回数とを積算し、この積算値の高いインスタンスに高精度推定手法を用い、それ以外を高速推定手法を適用するようにして、推定手法を選択する。
【０１５８】
このようにして、高速処理を行うことが可能となる。
【０１５９】
実施形態１７
また、高速推定手法で周波数スペクトルを計算し、ピークの高い個所に高精度推定手法を再適用するようにしてもよい。
すなわち図４３にそのフローチャートを示すように、推定手法選択手段４１０２は、解析を実行する。
まず、ステップ４３０１で入力情報を読みこむ。
【０１６０】
ついで、ステップ４３０２で高速推定手法を用いて周波数スペクトル（ＦＦＴ結果）を計算する。そしてステップ４３０４でピークの高い個所に高精度推定手法を再適用し、推定手法を選択する。
【０１６１】
このようにして、高速かつ高精度処理を行うことが可能となる。
【０１６２】
実施形態１８
次にインクリメント計算を用いた不要輻射解析方法について説明する。
修正時には再計算が必要であり、非常に時間がかかるという問題があり、本実施形態では、これを解決するためになされたもので差分のみを演算することにより、高速化を図るようにしたことを特徴とする。
図４４にこの不要輻射解析方法に用いられる装置構成を示す。同図に示す不要輻射解析装置は、電源／パッケージ／測定系のＲＬＣ情報４４０１と電源パッケージ非考慮のＦＦＴにより得られた周波数スペクトル４４０５と、入出力条件、周波数、配線容量、スリュー、構成、必要とする精度などに応じてネットリスト４４０２および変更点を示す変更点情報４４０３とを、電源パッケージ考慮ＦＦＴ再推定手段４４０４で、ＦＦＴ結果を推定し、ＦＦＴ結果４４０６を出力するようにしたものである。
【０１６３】
再推定手法選択手段４４０４は、図４５に示すようなフローチャートで解析を実行する。
まず、ステップ４５０１で入力情報を読みこむ。
【０１６４】
ついで、ステップ４５０２で変更箇所が電源であるかどうかを判断し、電源である場合は、電源考慮ＦＦＴ解析を実行する（ステップ４５０４）。
電源でない場合は、変更箇所のみ電源非考慮ＦＦＴ解析により置き換え（ステップ４５０３）、ついで電源考慮ＦＦＴ解析を実行する（ステップ４５０４）。
【０１６５】
このようにして、高速処理を行うことが可能となる。
【０１６６】
【発明の効果】
本発明は、不要輻射の主要因とも言える電源電流の解析において、
当該ＬＳＩチップの回路情報から理想電源において電源電流に流れる等価電源電流情報を算出する工程と、前記等価電源電流情報に、前記ＬＳＩチップに電流を供給する電源の電源情報、前記半導体チップのパッケージのもつパッケージ情報および前記半導体チップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報のうちの少なくとも１つの情報を解析制御情報として考慮し、前記回路情報に前記解析制御情報を反映させたた総合情報を等価回路として見積もる見積もり工程と、前記見積もり工程で見積もられた総合情報に従い、シミュレーションを実行するシミュレーション工程とを含むことを特徴とする。
【０１６７】
上記構成によれば、電源／パッケージ／測定系に起因する不要輻射を、高速かつ少メモリで高精度に解析することが出来る。
【０１６８】
そして電源及びグランドの抵抗、容量、インダクタンスによるデカップリングの影響を、ハイブリッド解析を、電源電流計算に反映することにより高速性と高精度化を両立させ、シミュレーション上においてＬＳＩの不要輻射を現実的な時間で評価することを可能にする。さらには、ＥＭＩ発生個所の特定を支援することによる効率的なＥＭＩ対策をも可能にするものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における不要輻射解析方法を実現するための構成を示すブロック図
【図２】本発明の第１の実施の形態における不要輻射解析方法を実現するためのフローチャート図
【図３】第１の実施の形態における不要輻射解析方法で用いられるネットリストの一例を示す図
【図４】第１の実施の形態における不要輻射解析方法で用いられる電源／パッケージ／測定系ＲＬＣ情報を示す等価回路図
【図５】第１の実施の形態における不要輻射解析方法で得られた周波数スペクトルの一例
【図６】推定電源電流モデルの波形モデルを示す図
【図７】本発明の第1の実施形態の電源／パッケージ／測定装置非考慮電流推定手段を論理シミュレータを用いて実現する際に用いられる最適なモデリングです波形モデルを示す図
【図８】本発明の第1の実施形態でもちいられるデータの一例を示す図
【図９】本発明の第1の実施形態で等価電源電流の算出方法を示す説明図
【図１０】本発明の第 1 の実施形態でもちいられる図 8 のデータに対応した電源／パッケージ／測定系非考慮電流の一例を示す図
【図１１】第１の実施の形態における不要輻射解析方法で用いられる電源／パッケージ／測定系ＲＬＣ情報を示す等価回路図
【図１２】本発明の第１の実施の形態における詳細周波数記憶手段のデータ例を示す図
【図１３】本発明の第１の実施の形態における電源／パッケージ／測定系非考慮推定手段の推定方法を示すフローチャート図
【図１４】本発明の第１の実施の形態における電源／パッケージ／測定系考慮推定手段の推定方法を示すフローチャート図
【図１５】本発明の第２の実施の形態における同期読み出し方法を示すフローチャート図
【図１６】本発明の第２の実施の形態における電源／パッケージ／測定系非考慮推定手段の推定方法を示すフローチャート図
【図１７】本発明の第２の実施の形態における電源／パッケージ／測定系考慮推定手段の推定方法を示すフローチャート図
【図１８】本発明の第３の実施の形態における電源／パッケージ／測定系考慮推定手段の推定方法を示すフローチャート図
【図１９】本発明の第４の実施の形態におけるＦＦＴ解析のフローチャート図
【図２０】本発明の第４の実施の形態における電源／パッケージ／測定系考慮推定手段の推定方法を示すフローチャート図
【図２１】本発明の第４の実施の形態における電流情報を示す図
【図２２】本発明の第４の実施の形態における平均化電流情報を示す図
【図２３】本発明の第５の実施の形態におけるＦＦＴ解析のフローチャート図
【図２４】本発明の第５の実施の形態における電源／パッケージ／測定系考慮推定手段の推定方法を示すフローチャート図
【図２５】本発明の第７の実施の形態における周波数応答結果を示す図
【図２６】本発明の第６の実施の形態における電源／パッケージ／測定系考慮推定手段の推定方法を示すフローチャート図
【図２７】本発明の第６の実施の形態における周波数応答結果を示す図
【図２８】本発明の第８の実施の形態における不要輻射解析方法を実現するための構成を示すブロック図
【図２９】本発明の第８の実施の形態におけるＦＦＴ推定手段の推定方法を示すフローチャート図
【図３０】本発明の第９の実施の形態における不要輻射解析方法を実現するための構成を示すブロック図
【図３１】本発明の第９の実施の形態におけるＦＦＴ推定手段の推定方法を示すフローチャート図
【図３２】本発明の第１０の実施の形態における不要輻射解析方法を実現するための構成を示すブロック図
【図３３】本発明の第１０の実施の形態におけるＦＦＴ推定手段の推定方法を示すフローチャート図
【図３４】本発明の第１０の実施の形態における機能記述の一例を示す図
【図３５】本発明の第１１の実施の形態におけるハイブリッド解析を用いた推定方法を示すブロック図
【図３６】本発明の第１１の実施の形態におけるハイブリッド解析を用いた推定方法を示すフローチャート図
【図３７】本発明の第１２の実施の形態におけるハイブリッド解析を用いた推定方法を示すフローチャート図
【図３８】本発明の第１３の実施の形態におけるハイブリッド解析を用いた推定方法を示すフローチャート図
【図３９】本発明の第１４の実施の形態におけるハイブリッド解析を用いた推定方法を示すフローチャート図
【図４０】本発明の第１５の実施の形態におけるハイブリッド解析を用いた推定方法を示すフローチャート図
【図４１】本発明の第１６の実施の形態におけるハイブリッド解析を用いた推定方法を実行するための装置ブロック図
【図４２】本発明の第１６の実施の形態におけるハイブリッド解析を用いた推定方法を示すフローチャート図
【図４３】本発明の第１７の実施の形態におけるハイブリッド解析を用いた推定方法を示すフローチャート図
【図４４】本発明の第１８の実施の形態におけるインクリメンタル解析を用いた推定方法を実行するための装置を示すブロック図
【図４５】本発明の第１８の実施の形態におけるインクリメンタル解析を用いた推定方法を示すフローチャート図
【図４６】従来例の不要輻射解析方法を実現するための概念構成を示すブロック図
【図４７】従来例のトランジスタレベルの不要輻射解析方法を実現するための概念構成を示すブロック図

Claims

ＬＳＩの不要輻射量を解析する方法であって、当該ＬＳＩチップの回路情報から電源電流に流れる等価電源電流情報を算出する等価電源電流情報算出工程と、前記ＬＳＩチップに電流を供給する電源の電源情報および前記ＬＳＩチップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報を解析制御情報として考慮し、前記回路情報に前記解析制御情報を反映させた総合情報を等価回路として見積もる見積もり工程と、前記見積もり工程で見積もられた総合情報に従い、解析を実行する総合情報解析工程とを含むことを特徴とする不要輻射解析方法。
前記見積もり工程は、前記回路情報に前記解析制御情報を付加して総インピーダンスを算出し、これを総合情報として総合情報解析工程に出力する工程であることを特徴とする請求項1に記載の不要輻射解析方法。
前記解析制御情報は、前記ＬＳＩチップに電流を供給する電源の電源情報と、前記ＬＳＩチップのパッケージのもつパッケージ情報と、前記ＬＳＩチップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報とを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の不要輻射解析方法。
前記総合情報解析工程は、前記総合情報に前記等価電源電流情報を付加してシミュレーションするシミュレーション工程であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の不要輻射解析方法。
前記総合情報解析工程は、前記総合情報を反映して前記等価電源電流情報を補正した補正等価電源電流情報を求める工程とその周波数スペクトルを計算する周波数スペクトル計算工程を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の不要輻射解析方法。
前記等価電源電流情報算出工程は、周波数スペクトルを計算する周波数スペクトル計算工程を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の不要輻射解析方法。
前記総合情報解析工程は、前記総合情報から前記等価電源電流情報を補正すべき補正関数を求め、前記等価電源電流情報をこの補正関数で演算する工程であることを特徴とする請求項1乃至３および６のいずれかに記載の不要輻射解析方法。
前記等価電源電流情報算出工程は、信号変化の発生時に生成され、発生対象である前記ＬＳＩチップの各セルのインスタンス名、その信号名、発生時刻、遷移情報を含む各イベント情報と、前記見積もり工程で見積もられた前記総合情報を考慮して瞬間的な電流量を算出する工程と、前記瞬間的な電流量をあらかじめ決定された規則に従ってモデル化するモデル化工程とを含むことを特徴とする請求項1乃至７のいずれかに記載の不要輻射解析方法。
前記モデル化工程は、将棋型の電流波形を累積する工程であることを特徴とする請求項８に記載の不要輻射解析方法。
前記シミュレーション工程は、等価電源電流情報算出工程と同期する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の不要輻射解析方法。
前記シミュレーション工程は、等価電源電流情報への情報追加タイミングに同期して繰り返し実行する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の不要輻射解析方法。
前記シミュレーション工程は、等価電源電流情報をあらかじめ定めた間隔で読み込む工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の不要輻射解析方法。
前記周波数スペクトル計算工程は、補正等価電源電流情報をあらかじめ定めた間隔で畳み込む畳込み工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の不要輻射解析方法。
前記畳込み工程は、あらかじめ定めた間隔ごとの補正等価電源電流情報を時系列で平均化もしくは最大化することを特徴とする請求項１２に記載の不要輻射解析方法。
前記等価電源電流情報算出工程は、あらかじめ算出された前記回路情報の各部分の等価電源電流情報であるライブラリ情報の累積を計算するライブラリ累積工程であることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれかに記載の不要輻射解析方法。
前記ライブラリ情報は、前記回路情報の各部分の入力信号情報もしくは出力信号情報もしくは出力容量のいずれかの関数もしくはテーブルであることを特徴とする請求項１５に記載の不要輻射解析方法。
前記ライブラリ情報は前記回路情報をクロックに同期するクロック同期部とクロックに同期しないクロック非同期部に１つ以上分割した部分の情報であることを特徴とする請求項１５に記載の不要輻射解析方法。
前記クロック同期部はフリップフロップもしくはクロックバッファもしくは同期メモリであることを特徴とする請求項１７に記載の不要輻射解析方法。
前記ライブラリ累積工程は前記回路情報より回路情報のどの部分がライブラリに対応しているかを類推する工程を含むことを特徴とする請求項１５に記載の不要輻射解析方法。
前記等価電源電流情報算出工程は、前記回路情報の部分回路情報に基づき、高速な等価電源電流情報算出方法と高精度な等価電源電流情報算出方法を選択する算出方法決定工程を含むことを特徴とする請求項１乃至１５に記載の不要輻射解析方法。
前記等価電源電流情報算出工程は、既に解析された等価電源電流情報との前記回路情報の差分に基づき前記差分のみの電源電流情報を算出する差分電源電流算出工程を含むことを特徴とする請求項１乃至１５、２０のいずれかに記載の不要輻射解析方法
更に前記総合情報解析工程で得られた結果を解析情報として表示する解析情報表示工程とを具備したことを特徴とする請求項1乃至１５、２０または２１のいずれかに記載の不要輻射解析方法。
更に前記総合情報解析工程で得られた結果に基づいて、不要輻射を低減するように回路情報を最適化する最適化工程とを含むことを特徴とする請求項1乃至１５、２０乃至２２のいずれかに記載の不要輻射解析方法。
更に前記最適化工程で得られた回路情報を最適化情報として表示する最適化情報表示工程とを含むことを特徴とする請求項２３に記載の不要輻射解析方法。
ＬＳＩの不要輻射量を解析する不要輻射解析装置であって、当該ＬＳＩチップの回路情報から電源電流に流れる等価電源電流情報を算出する等価電源電流情報算出手段と、前記ＬＳＩチップに電流を供給する電源の電源情報および前記ＬＳＩチップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報を解析制御情報として考慮し、前記回路情報に前記解析制御情報を反映させた総合情報を等価回路として見積もる見積もり手段と、前記見積もり手段で見積もられた総合情報に従い、解析を実行する総合情報解析手段とを含むことを特徴とする不要輻射解析装置。
前記見積もり手段は、当該ＬＳＩチップの回路情報から電源電流に流れる等価電源電流情報を算出する等価電源電流情報算出手段と、前記ＬＳＩチップに電流を供給する電源の電源情報、前記ＬＳＩチップのパッケージのもつパッケージ情報および前記ＬＳＩチップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報を解析制御情報として考慮し、前記回路情報に前記解析制御情報を反映させた総合情報を等価回路として見積もる見積もり手段であることを特徴とする請求項２５に記載の不要輻射解析装置。
前記見積もり手段は、前記回路情報に前記解析制御情報を付加して総インピーダンスを算出し、これを総合情報として総合情報解析手段に出力するように構成されていることを特徴とする請求項２５または２６に記載の不要輻射解析装置。
前記総合情報解析手段は、前記総合情報に前記等価電源電流情報を付加してシミュレーションするシミュレーション手段であることを特徴とする請求項２５乃至２７のいずれかに記載の不要輻射解析装置。