JP3933031B2 - 放熱体 - Google Patents
放熱体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3933031B2 JP3933031B2 JP2002315923A JP2002315923A JP3933031B2 JP 3933031 B2 JP3933031 B2 JP 3933031B2 JP 2002315923 A JP2002315923 A JP 2002315923A JP 2002315923 A JP2002315923 A JP 2002315923A JP 3933031 B2 JP3933031 B2 JP 3933031B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- radiator
- thermal expansion
- low thermal
- expansion material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/15—Ceramic or glass substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、大電圧・大電流を制御する半導体装置に用いられる放熱体に係り、特に半導体チップ等の発熱体を搭載している被放熱体に伝わる熱を放散させるのに好適な放熱体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置としてのパワーモジュールは、一般に、半導体チップがパワーモジュール用基板に搭載され、半導体チップの熱がパワーモジュール用基板に伝達されることから、パワーモジュール用基板に伝わる熱を放熱する必要がある。
このような被放熱体としてのパワーモジュール用基板は、セラミックス材料からなる絶縁基板（セラミックス基板）に金属薄板が直接積層され、この金属薄板に可塑性多孔質金属層を介し、ヒートシンクからなる放熱体が積層接着されている（例えば、特許文献１参照）。可塑性多孔質金属層は、気孔率２０〜５０％のＣｕの多孔質焼結体であって、絶縁基板が、これに搭載されている半導体チップからの熱を受けたとき、その熱変形を吸収する応力緩和層をなす構成であり、これにより、絶縁基板及び放熱体の反りや割れを防止できて、放熱体が良好な放熱作用を果たすこともできるようになっている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平８−３３５６５２号公報（第４−１２頁、図１〜図５）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来のものでは、被放熱体としてのパワーモジュール用基板に設けられた可塑性多孔質金属層が、絶縁基板や放熱体の熱変形を吸収するので、絶縁基板と放熱体との熱膨張係数が異なっても、絶縁基板、放熱体に反りや割れが起こるのを防止できるようにしているものの、絶縁基板と放熱体との間に可塑性多孔質金属層が介在しているので、その分だけ熱抵抗が上昇して熱伝導率が低下する結果、放熱体の放熱効果が悪くなっていた。
【０００５】
一般に、放熱体は、被放熱体との間で互いに熱膨張係数の異なる材質で構成する場合、両者の熱膨張係数の差による反りを防ぐためには、両者の熱膨張係数を合わせることが容易に考えられる。その場合、熱膨張係数の低い方（被放熱体）に合わせることとなるが、そうすると、反りを低減できる反面、その分だけ熱伝導率が低下して放熱効果の低下をきたしてしまい、反り対策と良好な熱伝導との双方を兼ね備えたものの要請に応えることができない問題があった。
【０００６】
この発明は、このような事情を考慮してなされたもので、その目的は、被放熱体との間で熱膨張係数差があっても、これに拘わることなく反りを低減することができると共に、熱伝導率が低下するのも抑制することができる放熱体を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明は以下の手段を提案している。
請求項１に係る発明は、一方の面が被放熱体と接合され、他方の面が冷却シンク部に接合される放熱体において、該放熱体は、放熱体本体と、該放熱体本体の熱膨張係数より低い材質からなる低熱膨張材とからなり、前記低熱膨張材は、前記一方の面と他方の面とに亘る厚み方向と連絡し、かつ該厚み方向と交差方向で互いに連なる連絡開口部を有して設けられ、かつ該連絡開口部を介して放熱体本体に鋳ぐまれ、かつ、帯状の単位板状体を同列位置で互いに組付けて前記連絡開口部を連続的に有する連鎖状体に形成し、該連鎖状体を同一平面上で複数列設けると共に、互いに隣接する列毎に前記連絡開口部の位置をずらして配設することを特徴とする。
【００１３】
この発明に係る放熱体によれば、低熱膨張材の連絡開口部を介して放熱体本体を充填することで、低熱放熱材が放熱体本体に鋳ぐまれる構成としたので、放熱体全体としての熱膨張係数を確実に下げることができ、被放熱体と放熱体全体との熱膨張係数の差を可及的に小さくすることができ、従って、被放熱体と放熱体とをはんだ等によって接合した場合、放熱体に被放熱体に向かう反りが発生するのを確実に低減することができると共に、放熱体の熱伝導率が低下するのを抑制することができる。
【００１４】
また、この発明に係る放熱体によれば、帯状の単位板状体を同列位置で互いに組付けて連絡開口部を連続的に有する連鎖状体に形成し、該連鎖状体を同一平面上で複数列設けると共に、互いに隣接する列毎に前記連絡開口部の位置をずらして配設したので、一方の面と他方の面とに亘る厚み方向に互いに連なる連絡開口部を有する低熱膨張材を確実に形成できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照し、この発明の実施の形態について説明する。図１及び図２はこの発明の第１の実施の形態に係る放熱体を適用したパワーモジュールを示す図であって、図１はパワーモジュールの全体図、図２は放熱体における低熱膨張材を上から見た説明図である。
この実施形態のパワーモジュール１０は、パワーモジュール用基板１１に放熱体１６が接合されて構成されている。
パワーモジュール用基板１１は、例えばＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ等により所望の大きさに形成された絶縁基板であって、その上面及び下面に回路層１２及び金属層１３がそれぞれ積層接合される。回路層１２及び金属層１３は、Ａｌ、Ｃｕ等により形成されている。以下は、パワーモジュール用基板１１を「絶縁基板１１」と略称する。
【００１６】
絶縁基板１１の回路層１２上にはんだ１４によって半導体チップ３０が搭載される一方、金属層１３の下面にはんだ１５によって、或いはろう付けや拡散接合等によって放熱体１６が接合され、更に、この放熱体１６が冷却シンク部２０に取り付けられて使用され、該冷却シンク部２０内の冷却水（或いは冷却空気）２１により、放熱体１６に伝達される熱が外部に放熱されることで、パワーモジュール１０が構成されている。放熱体１６は、冷却シンク部２０に取付ねじ２２によって密着した状態で取り付けられる。
【００１７】
この実施形態において、放熱体１６は、放熱体本体１７に低熱膨張材１８が積層されている。放熱体本体１７は、例えばＡｌ、Ｃｕ等のような熱伝導率の良好な材質、いわゆる高熱伝導材によって形成されている。高熱伝導材としては、熱伝導率が例えば１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、好ましくは１５０Ｗ／ｍ・Ｋのものである。
【００１８】
一方、低熱膨張材１８は、放熱体本体１７の熱膨張係数より低い熱膨張係数の材質からなっており、放熱体本体１７に積層することで、放熱体１６全体の熱膨張係数と絶縁基板１１の熱膨張係数との差を可及的に近づけさせるためのものであり、例えばインバーからなっていて、熱膨張係数がおよそ５ｐｐｍ／℃以下である。
インバー合金とは、室温付近でほとんど熱膨張が生じない合金であって、Ｆｅが６４．６ｍｏｌ％で、Ｎｉが３５．４ｍｏｌ％の組成率となっている。但し、Ｆｅ中には、それ以外の不可避不純物が含まれたものもインバー合金と呼ばれている。
【００１９】
このような材質からなる低熱膨張材１８は、図１及び図２に示すように、放熱体本体１７と１７との間に接合されている。従って、放熱体１６が二枚の放熱体本体１７と一枚の低熱膨張材１８との三層構造であって、絶縁基板１１側と冷却シンク部２０側とに放熱体本体１７が配置されている。
【００２０】
また、この低熱膨張材１８には、これを貫通する孔１９が複数穿設されている。孔１９は、放熱体１６自体に低熱膨張材１８を設けると、それだけ熱伝導率が低下するので、その熱伝導率が低下するのを極力抑えるようにするためのものである。その場合、図２に示すように、低熱膨張材１８において、絶縁基板１１と対応する領域Ａには孔１９の穿設される数を少なくすると共に、その対応領域Ａの周辺領域Ｂには孔１９の穿設される数を多くしている。
【００２１】
つまり、低熱膨張材１８において絶縁基板１１との対応領域Ａでは穿設される孔１９の個数を少なくすると共に、それを除く周辺領域Ｂでは孔１９の個数を多くすることにより、孔１９の断面積の分布を変えている。この場合、低熱膨張材１８に穿設される孔１９の数が徒らに増えると、低熱膨張材としての機能を果たし難くなることから、低熱膨張材１８の表面積に対し、絶縁基板１１及び放熱体本体１７並びに低熱膨張材１８の材質等に基づき、およそ２０〜５０％の割合の面積で孔１９が形成されることが好ましい。なお、孔１９は、この実施形態では丸孔をなしているが、その形状は任意である。
【００２２】
このように、パワーモジュール１０の放熱体１６が、放熱体本体１７と低熱膨張材１８とを互いに積層して形成されると、放熱体１６全体としての熱膨張係数を確実に下げることができるので、絶縁基板１１と放熱体１６全体との熱膨張係数の差を可及的に小さくすることができる。
【００２３】
そのため、放熱体１６が絶縁基板１１とはんだ１５（若しくはろう付けや拡散接合等）によって接合された場合、放熱体１６に絶縁基板１１に向かう反りが発生するのを確実に低減することができるので、放熱体１６を冷却シンク部２０に取り付けても、冷却シンク部２０と放熱体１６との間に隙間が発生するのを防止することができる。
【００２４】
しかも、低熱膨張材１８が金属であってかつ相応の熱伝導率を有しているので、絶縁基板１１上の半導体チップ３０からの発熱が、回路層１２、絶縁基板１１、金属層１３、はんだ１５、放熱体１６及び冷却シンク部２０を介して外部に放熱される結果、熱伝導率が低下するのを抑制することもできる。
その結果、放熱体１６と絶縁基板１１との材質の熱膨張係数に差があっても、反りの抑制と熱伝導率の低下の抑制とを両立させた、良好な放熱体１６を得ることができ、これにより、放熱特性に優れたパワーモジュール１０が得られる。
【００２５】
また、放熱体１６が、二層からなる放熱体本体１７、１７の間に低熱膨張材１８が挟まれた状態で接合されているので、つまり、放熱体１６において絶縁基板１１側と冷却シンク部２０側との層に放熱体本体１７がそれぞれ配置して形成されているので、絶縁基板１１からの熱を受け、その熱が冷却シンク部２０に伝達することとなる。
【００２６】
その際、低熱膨張材１８には孔１９が複数設けられているので、この孔１９を形成する空間により、絶縁基板１１側の放熱体本体１７から冷却シンク部２０側の放熱体本体１７への熱伝達を良好に行うことができ、これによって、放熱体１６本来の放熱効果を的確に果たすことができる。
【００２７】
しかも、孔１９は、低熱膨張材１８において、絶縁基板１１との対応領域Ａでは、その周辺領域Ｂより少ない個数で穿設され、孔１９の断面積が周辺領域Ｂより少なくしているので、絶縁基板１１からの熱影響で、その対応領域Ａが熱変形を受けて反りが発生するのを防ぐことができる一方、周辺領域Ｂ内の孔１９の断面積が対応領域Ａより大きくなることで、放熱体本体１７間の熱伝達を良好にさせることができ、これによって、熱伝達をいっそう良好に行うことができる。
【００２８】
図３及び図４は、この発明の第２の実施の形態に係る放熱体を示している。
この場合は、放熱体１６に設けられた低熱膨張材１８がリブを有している。
リブは、低熱膨張材１８に設けられる孔１９の製作に際し、予め所定の厚みに形成された板材に図４に示すように切り込みが設けられ、この切り込みを利用することで形成される。即ち、予め設けられた切り込みを上下方向に立上げたり、立下げたりして折り曲げることで孔１９を形成したとき、上記切り込みによって立上げ片１８ａ及び立下げ片１８ｂが共に形成され、これらからなるリブを有する低熱膨張材１８が製作される。
そして、この低熱膨張材１８が放熱体本体１７と１７との間に挟着されることで、放熱体１６が構成される。
【００２９】
この実施形態によれば、放熱体１６が放熱体本体１７に孔１９を穿設した低熱膨張材１８が積層されるので、基本的は前述した第１の実施形態と同様の作用効果が得られる。
これに加え、低熱膨張材１８が立上げ片１８ａ及び立下げ片１８ｂからなるリブを有しているので、放熱体全体としての剛性が上がり、強度を増大させることができるので、これによっても、絶縁基板１１の熱による反りをいっそう抑えることができる。
【００３０】
なお、低熱膨張材１８は、上述の実施形態では、放熱体本体１７間に積層されたり、また放熱体本体１７間に挟着することで設けられた例を示したが、これに限らず、例えば、粉末冶金によって孔１９付きの板を焼成した後、これにリブを後付けして設けるようにしてもよく、又は、ダイカスト鋳造法によって形成することもでき、更には、熱間鍛造より高温処理される溶融鍛造法によって形成することもできる。それ以外として、以下に示すように放熱体１６を構成することもできる。
【００３１】
図５及び図６は、この発明の第３の実施の形態に係る放熱体を示す放熱体の構成図である。
この場合の低熱膨張材１８は、絶縁基板１１側の放熱体本体１７と接合される一方の面と、冷却シンク部２０側の放熱体本体１７と接合される他方の面とに亘る厚み方向と連絡すると共に、該厚み方向と直交方向で互いに連なる開口空間部４０を有して設けられ、かつ該開口空間部４０に放熱体本体１７が充填されることで、図５に示すように、放熱体本体１７に鋳ぐまれる構成となっている。
【００３２】
具体的に述べると、低熱膨張材１８は、図６に示すように、例 えば二枚からなる帯状の単位板状体４１、４２が厚み方向に沿って組付けることで開口空間部４０を連続的に有する連鎖状体４３が形成される。
そして、これら連鎖状体４３が同一平面上で複数列で設けられると共に、開口空間部４０を互いに隣接する列毎に互い違いに配列して形成されている。
【００３３】
このように形成された低熱膨張材１８は、放熱体１６の形成時、放熱体本体１７の材料が注入されると、その材料がいずれかの開口空間部４０から内部に充填されると、側面から見たとき、図５に示すように、絶縁基板１１側である上層の放熱体本体１７と、冷却シンク部２０側である下層の放熱体本体１７間に埋設されるように形成される。
【００３４】
この実施形態によれば、低熱膨張材１８が厚み方向に沿い放熱体本体１７に鋳ぐまれて形成したので、放熱体１６全体の熱膨張率を下げることができ、また連絡開口部４０により放熱体本体１７が絶縁基板１１からの熱を良好に受けると共に、その熱を冷却シンク部２０に対して伝達させることができ、従って、反りを抑えつつ熱伝達が良好となり、基本的には前述した実施形態と同様の作用効果が得られる。
【００３５】
図７は、この発明の第４の実施の形態に係る放熱体を示している。
この実施の形態は、上記の各実施の形態において用いた冷却シンク部に代えて放熱フィン７０を用いたものである。放熱フィン７０は、帯状の板体を平坦部５０ａ、立上がり部５０ｂ、平坦部５０ｃ、折返し部５０ｄを有するように折り曲げて、これを一方向に繰り返すように形成したものであり、平坦部５０ａが放熱体１６の表面にろう付け手段により固定されている。
この実施の形態においては、放熱体１６，放熱フィン７０を介して外部への放熱がなされ、上記の実施の形態と同様の作用、効果が得られる。
【００３６】
なお、上記実施の形態において、放熱体に積層された低熱膨張材として、インバーを用いた例を示したが、他の低熱膨張材、例えば高炭素鋼（Ｆｅ−Ｃ）、４２合金、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等で構成しても、同様の作用効果が得られる。
また、放熱体１６がパワーモジュール用基板１１に取り付けられた例を示したが、該基板１１に限らず、他の発熱体や熱源に取り付けられる場合にも適用することができ、要は、放熱を必要とする種々の被放熱体に用いられることで実用上有益となる。更に、放熱体１６が取り付けられるパワーモジュール用基板１１として、放熱体１６側の面に金属層１３が積層された例を示したが、金属層１３が設けられていない絶縁基板１１を放熱体１６に直接接合しても、同様の作用効果が得られる。
【００３７】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１に係る発明によれば、放熱体が被放熱体にはんだ等によって接合された場合、放熱体に被放熱体に向かう反りが発生するのを確実に低減することができると共に、放熱体の熱伝導率が低下するのを抑制することができるという効果が得られる。
【００４１】
また、請求項１に係る発明によれば、一方の面と他方の面とに亘る厚み方向に互いに連なる連絡開口部を有する低熱膨張材を確実に形成できるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の第１の実施の形態に係る放熱体を適用したパワーモジュールを示す全体図である。
【図２】 放熱体における低熱膨張材を上から見た説明図である。
【図３】 この発明の第２の実施の形態に係る放熱体を示す断面図である。
【図４】 低熱膨張材の製作に際し、板材に孔を形成するために切り込みを設けた説明図である。
【図５】 この発明の第３の実施の形態に係る放熱体を示す図であって、放熱体を側面からみた断面図である。
【図６】 低熱膨張材を示す斜視図である。
【図７】 この発明の第４の実施の形態に係る放熱体を示す断面図である。
【符号の説明】
１０ パワーモジュール
１１ 被放熱体（パワーモジュール用基板、絶縁基板）
１６ 放熱体
１７ 放熱体本体（高熱伝導材）
１８ 低熱膨張材
１９ 孔
１８ａ リブ（立上げ片）
１８ｂ リブ（立下げ片）
２０ 冷却シンク部
４０ 開口空間部
４１、４２ 帯状の板状体
４３ 連鎖状体
【発明の属する技術分野】
この発明は、大電圧・大電流を制御する半導体装置に用いられる放熱体に係り、特に半導体チップ等の発熱体を搭載している被放熱体に伝わる熱を放散させるのに好適な放熱体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置としてのパワーモジュールは、一般に、半導体チップがパワーモジュール用基板に搭載され、半導体チップの熱がパワーモジュール用基板に伝達されることから、パワーモジュール用基板に伝わる熱を放熱する必要がある。
このような被放熱体としてのパワーモジュール用基板は、セラミックス材料からなる絶縁基板（セラミックス基板）に金属薄板が直接積層され、この金属薄板に可塑性多孔質金属層を介し、ヒートシンクからなる放熱体が積層接着されている（例えば、特許文献１参照）。可塑性多孔質金属層は、気孔率２０〜５０％のＣｕの多孔質焼結体であって、絶縁基板が、これに搭載されている半導体チップからの熱を受けたとき、その熱変形を吸収する応力緩和層をなす構成であり、これにより、絶縁基板及び放熱体の反りや割れを防止できて、放熱体が良好な放熱作用を果たすこともできるようになっている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平８−３３５６５２号公報（第４−１２頁、図１〜図５）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来のものでは、被放熱体としてのパワーモジュール用基板に設けられた可塑性多孔質金属層が、絶縁基板や放熱体の熱変形を吸収するので、絶縁基板と放熱体との熱膨張係数が異なっても、絶縁基板、放熱体に反りや割れが起こるのを防止できるようにしているものの、絶縁基板と放熱体との間に可塑性多孔質金属層が介在しているので、その分だけ熱抵抗が上昇して熱伝導率が低下する結果、放熱体の放熱効果が悪くなっていた。
【０００５】
一般に、放熱体は、被放熱体との間で互いに熱膨張係数の異なる材質で構成する場合、両者の熱膨張係数の差による反りを防ぐためには、両者の熱膨張係数を合わせることが容易に考えられる。その場合、熱膨張係数の低い方（被放熱体）に合わせることとなるが、そうすると、反りを低減できる反面、その分だけ熱伝導率が低下して放熱効果の低下をきたしてしまい、反り対策と良好な熱伝導との双方を兼ね備えたものの要請に応えることができない問題があった。
【０００６】
この発明は、このような事情を考慮してなされたもので、その目的は、被放熱体との間で熱膨張係数差があっても、これに拘わることなく反りを低減することができると共に、熱伝導率が低下するのも抑制することができる放熱体を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明は以下の手段を提案している。
請求項１に係る発明は、一方の面が被放熱体と接合され、他方の面が冷却シンク部に接合される放熱体において、該放熱体は、放熱体本体と、該放熱体本体の熱膨張係数より低い材質からなる低熱膨張材とからなり、前記低熱膨張材は、前記一方の面と他方の面とに亘る厚み方向と連絡し、かつ該厚み方向と交差方向で互いに連なる連絡開口部を有して設けられ、かつ該連絡開口部を介して放熱体本体に鋳ぐまれ、かつ、帯状の単位板状体を同列位置で互いに組付けて前記連絡開口部を連続的に有する連鎖状体に形成し、該連鎖状体を同一平面上で複数列設けると共に、互いに隣接する列毎に前記連絡開口部の位置をずらして配設することを特徴とする。
【００１３】
この発明に係る放熱体によれば、低熱膨張材の連絡開口部を介して放熱体本体を充填することで、低熱放熱材が放熱体本体に鋳ぐまれる構成としたので、放熱体全体としての熱膨張係数を確実に下げることができ、被放熱体と放熱体全体との熱膨張係数の差を可及的に小さくすることができ、従って、被放熱体と放熱体とをはんだ等によって接合した場合、放熱体に被放熱体に向かう反りが発生するのを確実に低減することができると共に、放熱体の熱伝導率が低下するのを抑制することができる。
【００１４】
また、この発明に係る放熱体によれば、帯状の単位板状体を同列位置で互いに組付けて連絡開口部を連続的に有する連鎖状体に形成し、該連鎖状体を同一平面上で複数列設けると共に、互いに隣接する列毎に前記連絡開口部の位置をずらして配設したので、一方の面と他方の面とに亘る厚み方向に互いに連なる連絡開口部を有する低熱膨張材を確実に形成できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照し、この発明の実施の形態について説明する。図１及び図２はこの発明の第１の実施の形態に係る放熱体を適用したパワーモジュールを示す図であって、図１はパワーモジュールの全体図、図２は放熱体における低熱膨張材を上から見た説明図である。
この実施形態のパワーモジュール１０は、パワーモジュール用基板１１に放熱体１６が接合されて構成されている。
パワーモジュール用基板１１は、例えばＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ等により所望の大きさに形成された絶縁基板であって、その上面及び下面に回路層１２及び金属層１３がそれぞれ積層接合される。回路層１２及び金属層１３は、Ａｌ、Ｃｕ等により形成されている。以下は、パワーモジュール用基板１１を「絶縁基板１１」と略称する。
【００１６】
絶縁基板１１の回路層１２上にはんだ１４によって半導体チップ３０が搭載される一方、金属層１３の下面にはんだ１５によって、或いはろう付けや拡散接合等によって放熱体１６が接合され、更に、この放熱体１６が冷却シンク部２０に取り付けられて使用され、該冷却シンク部２０内の冷却水（或いは冷却空気）２１により、放熱体１６に伝達される熱が外部に放熱されることで、パワーモジュール１０が構成されている。放熱体１６は、冷却シンク部２０に取付ねじ２２によって密着した状態で取り付けられる。
【００１７】
この実施形態において、放熱体１６は、放熱体本体１７に低熱膨張材１８が積層されている。放熱体本体１７は、例えばＡｌ、Ｃｕ等のような熱伝導率の良好な材質、いわゆる高熱伝導材によって形成されている。高熱伝導材としては、熱伝導率が例えば１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、好ましくは１５０Ｗ／ｍ・Ｋのものである。
【００１８】
一方、低熱膨張材１８は、放熱体本体１７の熱膨張係数より低い熱膨張係数の材質からなっており、放熱体本体１７に積層することで、放熱体１６全体の熱膨張係数と絶縁基板１１の熱膨張係数との差を可及的に近づけさせるためのものであり、例えばインバーからなっていて、熱膨張係数がおよそ５ｐｐｍ／℃以下である。
インバー合金とは、室温付近でほとんど熱膨張が生じない合金であって、Ｆｅが６４．６ｍｏｌ％で、Ｎｉが３５．４ｍｏｌ％の組成率となっている。但し、Ｆｅ中には、それ以外の不可避不純物が含まれたものもインバー合金と呼ばれている。
【００１９】
このような材質からなる低熱膨張材１８は、図１及び図２に示すように、放熱体本体１７と１７との間に接合されている。従って、放熱体１６が二枚の放熱体本体１７と一枚の低熱膨張材１８との三層構造であって、絶縁基板１１側と冷却シンク部２０側とに放熱体本体１７が配置されている。
【００２０】
また、この低熱膨張材１８には、これを貫通する孔１９が複数穿設されている。孔１９は、放熱体１６自体に低熱膨張材１８を設けると、それだけ熱伝導率が低下するので、その熱伝導率が低下するのを極力抑えるようにするためのものである。その場合、図２に示すように、低熱膨張材１８において、絶縁基板１１と対応する領域Ａには孔１９の穿設される数を少なくすると共に、その対応領域Ａの周辺領域Ｂには孔１９の穿設される数を多くしている。
【００２１】
つまり、低熱膨張材１８において絶縁基板１１との対応領域Ａでは穿設される孔１９の個数を少なくすると共に、それを除く周辺領域Ｂでは孔１９の個数を多くすることにより、孔１９の断面積の分布を変えている。この場合、低熱膨張材１８に穿設される孔１９の数が徒らに増えると、低熱膨張材としての機能を果たし難くなることから、低熱膨張材１８の表面積に対し、絶縁基板１１及び放熱体本体１７並びに低熱膨張材１８の材質等に基づき、およそ２０〜５０％の割合の面積で孔１９が形成されることが好ましい。なお、孔１９は、この実施形態では丸孔をなしているが、その形状は任意である。
【００２２】
このように、パワーモジュール１０の放熱体１６が、放熱体本体１７と低熱膨張材１８とを互いに積層して形成されると、放熱体１６全体としての熱膨張係数を確実に下げることができるので、絶縁基板１１と放熱体１６全体との熱膨張係数の差を可及的に小さくすることができる。
【００２３】
そのため、放熱体１６が絶縁基板１１とはんだ１５（若しくはろう付けや拡散接合等）によって接合された場合、放熱体１６に絶縁基板１１に向かう反りが発生するのを確実に低減することができるので、放熱体１６を冷却シンク部２０に取り付けても、冷却シンク部２０と放熱体１６との間に隙間が発生するのを防止することができる。
【００２４】
しかも、低熱膨張材１８が金属であってかつ相応の熱伝導率を有しているので、絶縁基板１１上の半導体チップ３０からの発熱が、回路層１２、絶縁基板１１、金属層１３、はんだ１５、放熱体１６及び冷却シンク部２０を介して外部に放熱される結果、熱伝導率が低下するのを抑制することもできる。
その結果、放熱体１６と絶縁基板１１との材質の熱膨張係数に差があっても、反りの抑制と熱伝導率の低下の抑制とを両立させた、良好な放熱体１６を得ることができ、これにより、放熱特性に優れたパワーモジュール１０が得られる。
【００２５】
また、放熱体１６が、二層からなる放熱体本体１７、１７の間に低熱膨張材１８が挟まれた状態で接合されているので、つまり、放熱体１６において絶縁基板１１側と冷却シンク部２０側との層に放熱体本体１７がそれぞれ配置して形成されているので、絶縁基板１１からの熱を受け、その熱が冷却シンク部２０に伝達することとなる。
【００２６】
その際、低熱膨張材１８には孔１９が複数設けられているので、この孔１９を形成する空間により、絶縁基板１１側の放熱体本体１７から冷却シンク部２０側の放熱体本体１７への熱伝達を良好に行うことができ、これによって、放熱体１６本来の放熱効果を的確に果たすことができる。
【００２７】
しかも、孔１９は、低熱膨張材１８において、絶縁基板１１との対応領域Ａでは、その周辺領域Ｂより少ない個数で穿設され、孔１９の断面積が周辺領域Ｂより少なくしているので、絶縁基板１１からの熱影響で、その対応領域Ａが熱変形を受けて反りが発生するのを防ぐことができる一方、周辺領域Ｂ内の孔１９の断面積が対応領域Ａより大きくなることで、放熱体本体１７間の熱伝達を良好にさせることができ、これによって、熱伝達をいっそう良好に行うことができる。
【００２８】
図３及び図４は、この発明の第２の実施の形態に係る放熱体を示している。
この場合は、放熱体１６に設けられた低熱膨張材１８がリブを有している。
リブは、低熱膨張材１８に設けられる孔１９の製作に際し、予め所定の厚みに形成された板材に図４に示すように切り込みが設けられ、この切り込みを利用することで形成される。即ち、予め設けられた切り込みを上下方向に立上げたり、立下げたりして折り曲げることで孔１９を形成したとき、上記切り込みによって立上げ片１８ａ及び立下げ片１８ｂが共に形成され、これらからなるリブを有する低熱膨張材１８が製作される。
そして、この低熱膨張材１８が放熱体本体１７と１７との間に挟着されることで、放熱体１６が構成される。
【００２９】
この実施形態によれば、放熱体１６が放熱体本体１７に孔１９を穿設した低熱膨張材１８が積層されるので、基本的は前述した第１の実施形態と同様の作用効果が得られる。
これに加え、低熱膨張材１８が立上げ片１８ａ及び立下げ片１８ｂからなるリブを有しているので、放熱体全体としての剛性が上がり、強度を増大させることができるので、これによっても、絶縁基板１１の熱による反りをいっそう抑えることができる。
【００３０】
なお、低熱膨張材１８は、上述の実施形態では、放熱体本体１７間に積層されたり、また放熱体本体１７間に挟着することで設けられた例を示したが、これに限らず、例えば、粉末冶金によって孔１９付きの板を焼成した後、これにリブを後付けして設けるようにしてもよく、又は、ダイカスト鋳造法によって形成することもでき、更には、熱間鍛造より高温処理される溶融鍛造法によって形成することもできる。それ以外として、以下に示すように放熱体１６を構成することもできる。
【００３１】
図５及び図６は、この発明の第３の実施の形態に係る放熱体を示す放熱体の構成図である。
この場合の低熱膨張材１８は、絶縁基板１１側の放熱体本体１７と接合される一方の面と、冷却シンク部２０側の放熱体本体１７と接合される他方の面とに亘る厚み方向と連絡すると共に、該厚み方向と直交方向で互いに連なる開口空間部４０を有して設けられ、かつ該開口空間部４０に放熱体本体１７が充填されることで、図５に示すように、放熱体本体１７に鋳ぐまれる構成となっている。
【００３２】
具体的に述べると、低熱膨張材１８は、図６に示すように、例 えば二枚からなる帯状の単位板状体４１、４２が厚み方向に沿って組付けることで開口空間部４０を連続的に有する連鎖状体４３が形成される。
そして、これら連鎖状体４３が同一平面上で複数列で設けられると共に、開口空間部４０を互いに隣接する列毎に互い違いに配列して形成されている。
【００３３】
このように形成された低熱膨張材１８は、放熱体１６の形成時、放熱体本体１７の材料が注入されると、その材料がいずれかの開口空間部４０から内部に充填されると、側面から見たとき、図５に示すように、絶縁基板１１側である上層の放熱体本体１７と、冷却シンク部２０側である下層の放熱体本体１７間に埋設されるように形成される。
【００３４】
この実施形態によれば、低熱膨張材１８が厚み方向に沿い放熱体本体１７に鋳ぐまれて形成したので、放熱体１６全体の熱膨張率を下げることができ、また連絡開口部４０により放熱体本体１７が絶縁基板１１からの熱を良好に受けると共に、その熱を冷却シンク部２０に対して伝達させることができ、従って、反りを抑えつつ熱伝達が良好となり、基本的には前述した実施形態と同様の作用効果が得られる。
【００３５】
図７は、この発明の第４の実施の形態に係る放熱体を示している。
この実施の形態は、上記の各実施の形態において用いた冷却シンク部に代えて放熱フィン７０を用いたものである。放熱フィン７０は、帯状の板体を平坦部５０ａ、立上がり部５０ｂ、平坦部５０ｃ、折返し部５０ｄを有するように折り曲げて、これを一方向に繰り返すように形成したものであり、平坦部５０ａが放熱体１６の表面にろう付け手段により固定されている。
この実施の形態においては、放熱体１６，放熱フィン７０を介して外部への放熱がなされ、上記の実施の形態と同様の作用、効果が得られる。
【００３６】
なお、上記実施の形態において、放熱体に積層された低熱膨張材として、インバーを用いた例を示したが、他の低熱膨張材、例えば高炭素鋼（Ｆｅ−Ｃ）、４２合金、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等で構成しても、同様の作用効果が得られる。
また、放熱体１６がパワーモジュール用基板１１に取り付けられた例を示したが、該基板１１に限らず、他の発熱体や熱源に取り付けられる場合にも適用することができ、要は、放熱を必要とする種々の被放熱体に用いられることで実用上有益となる。更に、放熱体１６が取り付けられるパワーモジュール用基板１１として、放熱体１６側の面に金属層１３が積層された例を示したが、金属層１３が設けられていない絶縁基板１１を放熱体１６に直接接合しても、同様の作用効果が得られる。
【００３７】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１に係る発明によれば、放熱体が被放熱体にはんだ等によって接合された場合、放熱体に被放熱体に向かう反りが発生するのを確実に低減することができると共に、放熱体の熱伝導率が低下するのを抑制することができるという効果が得られる。
【００４１】
また、請求項１に係る発明によれば、一方の面と他方の面とに亘る厚み方向に互いに連なる連絡開口部を有する低熱膨張材を確実に形成できるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の第１の実施の形態に係る放熱体を適用したパワーモジュールを示す全体図である。
【図２】 放熱体における低熱膨張材を上から見た説明図である。
【図３】 この発明の第２の実施の形態に係る放熱体を示す断面図である。
【図４】 低熱膨張材の製作に際し、板材に孔を形成するために切り込みを設けた説明図である。
【図５】 この発明の第３の実施の形態に係る放熱体を示す図であって、放熱体を側面からみた断面図である。
【図６】 低熱膨張材を示す斜視図である。
【図７】 この発明の第４の実施の形態に係る放熱体を示す断面図である。
【符号の説明】
１０ パワーモジュール
１１ 被放熱体（パワーモジュール用基板、絶縁基板）
１６ 放熱体
１７ 放熱体本体（高熱伝導材）
１８ 低熱膨張材
１９ 孔
１８ａ リブ（立上げ片）
１８ｂ リブ（立下げ片）
２０ 冷却シンク部
４０ 開口空間部
４１、４２ 帯状の板状体
４３ 連鎖状体
Claims (1)
- 一方の面が被放熱体と接合され、他方の面が冷却シンク部に接合される放熱体において、
該放熱体は、放熱体本体と、該放熱体本体の熱膨張係数より低い材質からなる低熱膨張材とからなり、
前記低熱膨張材は、前記一方の面と他方の面とに亘る厚み方向と連絡し、かつ該厚み方向と交差方向で互いに連なる連絡開口部を有して設けられ、かつ該連絡開口部を介して放熱体本体に鋳ぐまれ、かつ、帯状の単位板状体を同列位置で互いに組付けて前記連絡開口部を連続的に有する連鎖状体に形成し、該連鎖状体を同一平面上で複数列設けると共に、互いに隣接する列毎に前記連絡開口部の位置をずらして配設することを特徴とする放熱体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002315923A JP3933031B2 (ja) | 2002-10-30 | 2002-10-30 | 放熱体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002315923A JP3933031B2 (ja) | 2002-10-30 | 2002-10-30 | 放熱体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004152970A JP2004152970A (ja) | 2004-05-27 |
| JP3933031B2 true JP3933031B2 (ja) | 2007-06-20 |
Family
ID=32459779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002315923A Expired - Fee Related JP3933031B2 (ja) | 2002-10-30 | 2002-10-30 | 放熱体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3933031B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4354377B2 (ja) * | 2004-09-28 | 2009-10-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| CN113759042A (zh) * | 2021-08-31 | 2021-12-07 | 上海市计量测试技术研究院 | 一种固定污染源废气中苯系物成分含量测定装置 |
-
2002
- 2002-10-30 JP JP2002315923A patent/JP3933031B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004152970A (ja) | 2004-05-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5520815B2 (ja) | 絶縁基板およびパワーモジュール用ベース | |
| JP2004153075A (ja) | パワーモジュール用基板及びパワーモジュール | |
| JP2004022973A (ja) | セラミック回路基板および半導体モジュール | |
| JP2008270294A (ja) | ヒートシンク部材および半導体装置 | |
| JP3960192B2 (ja) | 放熱体 | |
| JP3933031B2 (ja) | 放熱体 | |
| JP2007096252A (ja) | 液冷式回路基板および液冷式電子装置 | |
| JP6183166B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法 | |
| JP3912255B2 (ja) | パワーモジュール用基板及びパワーモジュール | |
| JP3975910B2 (ja) | 放熱体 | |
| JP6738193B2 (ja) | 伝熱構造体、絶縁積層材、絶縁回路基板およびパワーモジュール用ベース | |
| JP2010238965A (ja) | パワーモジュール用基板、パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール | |
| JP3934966B2 (ja) | セラミック回路基板 | |
| JP2004087927A (ja) | セラミック回路基板 | |
| JP2004207619A (ja) | パワーモジュール用基板及びパワーモジュール | |
| JP2004200369A (ja) | パワーモジュール用基板及びパワーモジュール | |
| JP2016134586A (ja) | パワー半導体モジュール | |
| JP2004152969A (ja) | パワーモジュール用基板及びパワーモジュール | |
| JP4395739B2 (ja) | 放熱体およびその製造方法並びにパワーモジュール用基板およびパワーモジュール | |
| JP4667723B2 (ja) | パワーモジュール用基板 | |
| JP2015043356A (ja) | パワーモジュール | |
| JP3901109B2 (ja) | 放熱体の製造方法及び放熱体並びにこの放熱体を用いたパワーモジュール用基板及びパワーモジュール | |
| JP4179055B2 (ja) | パワーモジュール用基板並びに放熱体及び放熱体の製造方法 | |
| JP2013211288A (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 | |
| JP6727732B2 (ja) | 電力変換装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050318 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060929 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061010 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061211 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070227 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070312 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3933031 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100330 Year of fee payment: 3 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100330 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110330 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110330 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120330 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130330 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140330 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |