JP3928478B2 - 膜厚測定方法及び膜厚測定装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、分光測定を利用して試料膜の膜厚を測定するための膜厚測定方法及び膜厚測定装置に関する。本発明に係る膜厚測定方法及び膜厚測定装置は、例えば、半導体製造工程などにおいてウエハ基板上に形成された各種薄膜の膜厚の検査等の各種分野で広く利用することができる。
【0002】
【従来の技術】
紫外光、可視光又は赤外光を利用した分光光度計の応用分野の一つとして、薄膜状の試料に対する膜厚の測定がある。分光測定を用いた膜厚測定の基本原理は次の通りである。
【0003】
図11に示すように、膜状の試料Sに対して単一波長の測定光を入射すると、その一部は試料Sの表面S1で反射され、残りは試料S内部に入り込んで、その一部は光の入射面とは反対側の境界面S2で反射して試料S内部を再び戻り、試料Sの表面S1から外部へと出射する。前者の反射光と後者の透過反射光とでは光路差が生じるため、測定光の波長と膜厚とに応じた干渉が発生する。測定光の波長を所定範囲で走査したとき、波数(又は波長)を横軸に、干渉光の強度を縦軸にとってグラフを描くと、波状の干渉スペクトル波形が得られる。この干渉スペクトル波形は余弦関数で表すことができ、その余弦関数の周期は膜厚に対応したものとなる。
【0004】
そこで、干渉スペクトル波形を利用して、そのピークの山又は谷に対応する波数を自動又は手動で読み取り、それらの波数間隔情報を最小二乗法などにより求め、試料Sに対する既知の屈折率nを利用して波数周期から膜厚を算出する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、分光測定によって得られる干渉スペクトル波形は、種々の要因のために、理想的な余弦波形となることは殆どない。こうした干渉スペクトル波形を乱す要因としては、例えば、干渉効率の波数依存性、光源のエネルギ分布の波数依存性、装置の各種ノイズなどが考え得る。従来の膜厚の計算方法ではこうした要因が考慮されておらず、理想的な余弦波形となることを前提として膜厚を算出しているため、膜厚の算出精度を高めることが困難であった。
【0006】
また、従来は膜厚が或る1種類であることを前提として計算を行っている。しかしながら、例えば、CMP(Chemical Mechanical Polishing)装置などへの応用を考えると、意図的に複数の膜厚を持つように形成された試料膜に対して、その複数の膜厚を精度よく求め、適宜の時点で研磨を停止することが必要となる。上記のような従来の方法では、こうした要求には対応することが不可能であった。
【0007】
本発明はこのような点に鑑みて成されたものであり、その第1の目的とするところは、従来よりも膜厚の算出精度を大幅に向上させることができる膜厚測定方法及び膜厚測定装置を提供することにある。
【0008】
また、本発明の第2の目的とするところは、試料上の測定領域内に複数種類の膜厚を有するような試料膜に対しても、それぞれの膜厚を精度よく算出することができる膜厚測定方法及び膜厚測定装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために成された第1発明は、試料膜に対して測定光を照射し、膜表面で反射する反射光と、膜中を透過して反対側の境界面で反射する透過反射光とによる干渉光のスペクトルを取得し、該測定スペクトルに基づいて試料膜の膜厚を求める膜厚測定方法において、測定スペクトルの波形形状を近似する近似スペクトルの生成情報として、膜厚を変数として含み波数又は波長に応じて周期変化する項及びオフセットの項を含む関数又は演算式を予め用意しておき、測定スペクトルに基づいて膜厚を算出する際に、
未知である膜厚を想定し、その想定膜厚において前記生成情報を用いて生成される近似スペクトルと測定スペクトルとの誤差に基づいて最適近似を行い、該想定膜厚における最小二乗誤差を求める誤差取得処理と、
前記想定膜厚を変化させる毎に前記誤差取得処理を実行することにより、前記最小二乗誤差を順次求める誤差変動情報取得処理と、
該誤差変動情報から極小点を与える1乃至複数の膜厚を見い出す膜厚取得処理と、
を含むことを特徴としている。
【0010】
また、第2発明は上記第1発明に係る膜厚測定方法を具現化する装置であって、試料膜に対して測定光を照射し、膜表面で反射する反射光と、膜中を透過して反対側の境界面で反射する透過反射光とによる干渉光のスペクトルを取得し、該測定スペクトルに基づいて試料膜の膜厚を求める膜厚測定装置において、
a)測定スペクトルの波形形状を近似する近似スペクトルの生成情報として、膜厚を変数として含み波数又は波長に応じて周期変化する項及びオフセットの項を含む関数、演算式又はそれに相当する情報を予め格納しておく記憶手段と、
b)未知である膜厚を想定し、その想定膜厚において前記生成情報を用いて生成される近似スペクトルと測定スペクトルとの誤差に基づいて最適近似を行い、該想定膜厚における最小二乗誤差を求める誤差取得手段と、
c)前記想定膜厚を変化させる毎に前記誤差取得手段による処理を実行することにより、前記最小二乗誤差を順次求める誤差変動情報取得手段と、
d)該誤差変動情報から極小点を与える1乃至複数の膜厚を見い出す膜厚取得手段と、
を備えることを特徴としている。
【0011】
上記膜厚測定方法及び膜厚測定装置において、前記周期変化項の大きさは波数又は波長に応じて変化してもよい。また、前記関数、演算式又はそれに相当する情報は更に、波数又は波長に応じて線形に変化する項を含むものであってもよい。
更に、上記膜厚測定方法及び膜厚測定装置において、前記近似スペクトルの生成情報は、膜厚を変数として含む、基底スペクトルの線形和による近似演算式であるものとすることができる。
【0012】
また、特に、複数種類の膜厚を有している試料膜の各膜厚を精度よく算出するために、第1発明に係る膜厚測定方法において、前記近似スペクトルの生成情報には複数の膜厚をそれぞれ変数として含み、前記誤差取得処理では、複数の想定膜厚の組み合わせにおける最小二乗誤差を求め、誤差変動情報取得処理では、複数の想定膜厚の組み合わせを変化させる毎に前記誤差取得処理を実行するものとすると好ましい。
【0013】
同様に、第2発明に係る膜厚測定装置において、前記近似スペクトルの生成情報には複数の膜厚をそれぞれ変数として含み、前記誤差取得手段は、複数の想定膜厚の組み合わせにおける最小二乗誤差を求め、前記誤差変動情報取得手段は、複数の想定膜厚の組み合わせを変化させる毎に前記誤差取得手段による処理を実行する構成とすることが好ましい。
【0014】
【発明の実施の形態】
まず、第1発明に係る膜厚測定方法において、分光測定の結果として得られた干渉スペクトル波形に基づいて膜厚を算出する膜厚算出方法の原理を説明する。
【0015】
〔第1の膜厚算出方法〕
いま、或る試料膜を測定した結果得られる干渉スペクトルの一例を図3に示す。この干渉スペクトルの波形から、次のようなことが把握できる。
(i)一定周期の干渉波パターンが存在する
(ii)オフセットが存在する
(iii)右上がりにほぼ線形のドリフトが存在する
(iv)干渉効率のため、波数が大きいほど干渉波の振幅が小さくなる
こうした点を考慮すると、干渉波の周期ωが既知であれば、干渉スペクトル波形は次の(1)式で近似できると予測される。
f(x)=α0+α1x+α2(1/x)sin(ωx+δ) …(1)
上記(1)式において、右辺の第1項はオフセットを反映し、第2項はドリフトを反映し、第3項は波形状の周期性波形を反映している。更に詳しく言えば、第3項の中の(1/x)の部分は波数増加に伴う振幅の減少を反映し、δは特に膜厚が大きい場合に顕著になる位相ずれを反映している。
【0016】
ここで、
sin(ωx+δ)=sinωxcosδ+cosωxsinδ
であるから、(1)式は(2)式に変形することができる。
f(x)=α0+α1x+α2(1/x)sinωx+α3(1/x)cosωx …(2)
すなわち、4つの関数f0(x),f1(x),f2(x),f3(x)を、
f0(x)=1
f1(x)=x
f2(x)=(1/x)sinωx
f3(x)=(1/x)cosωx
と定義すれば、測定によって取得された測定スペクトルg(x)は、上記4つの関数の線形和である、式(3)のように表される関数f(x) で近似表現できる筈である。
f(x)=α0f0(x)+α1f1(x)+α2f2(x)+α3f3(x) …(3)
【0017】
上記説明では周期ωが既知であるとしたが、実際にはこのω自体が未知である(正確に把握できない)。上記のような近似による近似スペクトルf(x)が測定スペクトルg(x)に最適に近似された状態というのは、両者の二乗誤差が最小であることと同意である。そこで、周期ωを変数とし、周期ωを変化させる毎に二乗誤差が最小となるような近似スペクトルを見つけてそのときの最小二乗誤差を取得し、周期ωを変化させたときの最小二乗誤差の変化において、最小二乗誤差が最も小さくなったときの周期ωが求めようとする周期である可能性が極めて高い。
【0018】
さて、ここで、試料膜の膜厚と干渉波形の周期との関係を考えてみる。従来から知られているように、屈折率nである試料膜に入射角θで測定光が入射したとき(図11参照)に得られる反射光に基づいて膜厚dを算出する際の基本式は、次の(4)式である。
d〔cm〕=Δm /{2・(n2−sin2θ)1/2(1/λ2−1/λ1)} …(4)
ここで、Δmは、波長λ1のピークを基点として短波長側へピークを順次数えていったときに、波長λ2のピークが何番目に現われるかを示す数であり、通常はΔm=1とすればよい。
【0019】
周期T〔cm-1〕=1/λ2−1/λ1
を用いると(4)式は、
d=1/2・(n2−sin2θ)1/2T
であり、これを変形すると、
T=1/{2・(n2−sin2θ)1/2d}=1×107/{2・(n2−sin2θ)1/2d'}
となる。但し、d’は単位がcmであるdを単位nmで表現したものである。
いまθ=0とすれば、sinθの項は無視できるから、次の(5)式の関係が成り立つ。
T=1×107/(2・n・d') …(5)
一例として、屈折率n:1.466、膜厚300nmのときの周期Tを計算すると、
T=1×107/2×1.466×300=11368cm-1
である。
【0020】
(5)式で表したように、周期Tは膜厚d'の関数である。したがって、上述したように未知の周期ωを変数とすることは、未知の膜厚を変数とすることに置き換えられる。一方、上述したように、周期が既知であれば、測定スペクトルg(x)は近似スペクトルf(x)で良好に近似することができる。そこで、近似スペクトルの表現として基底スペクトルを導入し、測定スペクトルg(x)と近似スペクトルf(x)との誤差を表す誤差関数を、膜厚d'を変数として求めることを考える。
【0021】
いま、測定スペクトルと近似スペクトルとの測定点をそれぞれ、
【数1】
とする。このX、Yを用い、誤差関数ε(d')を次の(6)式で定義する。
【数2】
【0022】
上記(6-2)式において、T(d')は上記(5)式によるd'を変数としたときの周期Tである。すなわち、膜厚d'が決まれば(6-2)式で表現される基底スペクトルが定まるから、(6)式による二乗誤差が最小になるように測定点を見い出すことができる。したがって、膜厚として或る値を仮定すれば、測定スペクトル(原波形)に対する二乗誤差が最小となるような近似スペクトルを見つけることができ、その膜厚に対する最小二乗誤差が求まる。
【0023】
このようにして所定の膜厚範囲で所定膜厚間隔毎に、それぞれの膜厚に対して基底を定義し、その基底による最小二乗誤差を求め、膜厚に対して最小二乗誤差を順次プロットしてゆくと図4に示すようになる。図4に描出したカーブによれば、膜厚が約1750nmのところに最小二乗誤差の極小点(ピークトップ)が存在する。すなわち、膜厚が1750nmであるときに近似スペクトルf(x)は測定スペクトルg(x)に最も類似した形状になるから、求めるべき膜厚は1750nmであると結論付けることができる。
【0024】
上記のような膜厚算出方法が確かであることを検証するために、1750nmの膜厚を与える周期を式(5)より求めると、T=1950cm-1である。このときの近似スペクトルを測定スペクトルに重ねて描くと、図5に示すようになる。測定スペクトルの原波形はほぼ2000cm-1毎にピークを持っており、オフセットやドリフト、波形の振幅の減衰状態まで含めて、かなり高い精度で近似できていることがわかる。したがって、上記方法により算出される膜厚の精度は高いことがわかる。
【0025】
上記説明は試料膜の厚さが均一(単一膜厚)であることを前提としているが、同一膜であって膜厚が2つ以上存在している場合には、干渉スペクトル波形のピークは周期的には出現せず、その出現は後述の図9に示すように不規則となる。例えば、図6に示すように、測定対象の試料膜の膜厚がd1、d2の2つ存在する場合、上記のような解析処理を行って膜厚と最小二乗誤差との関係を求めると、図7に示すようになる。すなわち、膜厚と最小二乗誤差との関係を表すカーブには、2個の極小点が現れる。この2つのピークが目視等によって明らかに分離可能である場合には、それぞれのピークトップの位置から2つの膜厚を求めることができる。
【0026】
一方、2つの膜厚d1、d2がかなり近い場合には、図8に示すように2つピークの一部が重なり合って、目視上ではピークトップの位置が正確に把握できなくなることがある。そのような場合には、所定の演算処理を実行して第1、第2なる2つのピークを分離し、それぞれのピークトップの位置から膜厚を求めればよい。
【0027】
〔第2の膜厚算出方法〕
上述したように、上記第1の膜厚算出方法でも複数の膜厚を同時に求めることは可能である。しかしながら、(3)式及び(6-2)式は、元々、単一膜厚であるという前提の下での近似表現であるため、複数膜厚に対しては精度の高い近似は難しいという限界がある。図9は、測定スペクトルと上記第1の膜厚算出方法において求まった最適な近似スペクトルとを重ねて示した図である。このように近似スペクトルは、測定スペクトルを良好に近似しているとは言い難い。そこで、存在する膜厚の数が既知である場合には、この第2の膜厚算出方法を用いることにより、一層高い精度で複数の膜厚をそれぞれ求めることができる。
【0028】
この第2の膜厚算出方法でも、基本的な解析処理の原理は上記第1の膜厚算出方法と同様である。異なる点は、測定スペクトルg(x)を予め複数の膜厚を想定した基底スペクトルの線形和で近似表現すること、そして、複数の膜厚をそれぞれ或る値に仮定した条件で、二乗誤差が最も小さくなるような近似スペクトルf(x)を見つけることである。
【0029】
具体的に説明すると、いま膜厚が2つ存在することが既知である場合、それぞれの膜厚d1、d2に対応する周期ω1、ω2を用いれば、干渉スペクトル波形は次式で近似することができると予測できる。
f(x)=α0+α1x+α2(1/x)sin(ω1x+δ1)+α3(1/x)sin(ω2x+δ2)
したがって、上記第1の膜厚算出方法と同様に、sin項を分解すれば、
f(x)=α0+α1x+α2(1/x)sinω1x+α3(1/x)cosω1x+α4(1/x)sinω2x+α5(1/x)cosω2
とすることができる。
【0030】
すなわち、6つの関数f0(x),f1(x),f2(x),f3(x),f4(x),f5(x)を、
f0(x)=1
f1(x)=x
f2(x)=(1/x)sinω1x
f3(x)=(1/x)cosω1x
f4(x)=(1/x)sinω2x
f5(x)=(1/x)cosω2x
と定義すれば、測定スペクトルg(x)は、上記6つの関数の線形和で(7)式のように表される関数f(x) で近似表現できる筈である。
f(x)=α0f0(x)+α1f1(x)+α2f2(x)+α3f3(x)+α4f4(x)+α5f5(x) …(7)
【0031】
この場合にも、上記(6)、(6-1)、(6-2)式と同様の形式の基底スペクトルの線形和の形式での表現が可能である。但し、(6)、(6-1)、(6-2)式では変数は1つの膜厚であったのに対し、ここで、膜厚d1、d2がともに変数となる。したがって、測定スペクトルg(x)と近似スペクトルf(x)との二乗誤差を算出する際には、2つの膜厚d1、d2をそれぞれ個別に仮定する必要がある。すなわち、一方の膜厚、例えばd1を固定し、他方の膜厚d2を順次所定間隔毎に変化させていったときに、それぞれ最小二乗誤差を求める作業が必要である。
【0032】
こうした処理の結果、膜厚の組(d1,d2)に対して最小二乗誤差が求まるから、膜厚と最小二乗誤差との関係は第1の膜厚算出方法のように2次元グラフでは表すことができず、2つの膜厚を2軸とし、最小二乗誤差を他の1軸とする3次元空間内の表現となる。図10はこうした膜厚と最小二乗誤差との関係を示す図である。図10において膜厚d1、膜厚d2の2軸と直交する方向(紙面に垂直な方向)に二乗誤差を示す曲面が存在する。このようにして、d1=d2以外の部分で極小となる(d1,d2)を探し、それを求める2つの膜厚とすればよい。
【0033】
もちろん、この方法を更に拡張して、3以上の膜厚を同時に算出することも可能である。また、元々、存在する膜厚の数が不明である場合には、第1の膜厚算出方法により膜厚の数を調べ、膜厚の数を特定した後に第2の膜厚算出方法を適用すれば、正確な膜厚算出が行える。
【0034】
次に、上記のような膜厚算出方法を採用した膜厚測定装置の一実施例について説明する。図1は本実施例による膜厚測定装置の概略構成図である。
【0035】
この膜厚測定装置は、分光測定部として、光源1、分光部2、測定光学系3、光検出器4を含み、光検出器4による検出信号はスペクトル作成部5に与えられ、該スペクトル作成部5により作成された干渉スペクトルが演算処理部6に与えられて、後述するような所定の演算処理が実行されることにより膜厚が算出される。なお、スペクトル作成部5及び演算処理部6の実体は、CPUを中心に構成されるパーソナルコンピュータであって、該コンピュータ上で所定のプログラムを実行することにより演算処理が達成される。
【0036】
上記構成の動作を概略的に説明すると、まず光源1から発した白色光の中から、分光部2により特定の波長を有する単色光が取り出され、測定光学系3を介して膜状の試料Sに測定光として照射される。試料Sの表面や裏面などで反射した光は測定光学系3を介して光検出器4に導入され、これら反射光の強度に応じた電気信号がスペクトル作成部5に送られる。後述するように試料Sからの反射光は干渉光となるから、スペクトル作成部5は、測定光の波長走査に対応して光検出器4で得られる信号に基づいて、横軸が波数(又は波長)、縦軸が相対強度である干渉スペクトルを作成する。これが上記測定スペクトルに相当する。
【0037】
演算処理部6はこの干渉スペクトルを受け取り、上記のような第1又は第2の膜厚算出方法に基づく演算処理を実行する。ここでは第1の膜厚算出方法に基づく演算処理について説明するが、第2の膜厚算出方法に基づく演算処理も同様に具現化できることは明らかである。図2は、演算処理の具体的な処理手順を示すフローチャートである。
【0038】
まず、演算条件として、外部より膜厚範囲da〜dbと膜厚間隔Δdを指示する(ステップS1)。予めおおよその膜厚が既知である場合には、その膜厚を含むように適宜の膜厚範囲da〜dbを設定することにより、演算時間を短縮することが可能である。また、算出精度の点からは膜厚間隔Δdを小さくすることが好ましいが、膜厚間隔Δdを小さくするほど演算時間が長くなるから、必要な精度との兼ね合いで適宜に決めるとよい。
【0039】
実際に演算処理が開始されると、まず計算上の想定膜厚dをdaに設定し(ステップS2)、上述したような最小二乗法により、測定スペクトルg(x)に対する二乗誤差εが最小となるような近似スペクトルf(x)を探索する。そして、その近似スペクトルが与える最小二乗誤差を取得する(ステップS3)。
【0040】
次に、そのときの想定膜厚dがdb以上であるか否かを判定し(ステップS4)、db未満であれば、d+Δdを新たな想定膜厚dとし(ステップS5)、ステップS3へと戻る。そして、ステップS4で想定膜厚dがdb以上であると判定されるまで、ステップS3、S4、S5なる処理を繰り返す。これにより、膜厚範囲da〜db内でΔd間隔毎に二乗誤差が最小になるような近似スペクトルが探索され、それに対応する最小二乗誤差が順次取得される。
【0041】
その結果、図4に示したような、膜厚と最小二乗誤差との関係を示すカーブが得られる(ステップS6)。そして、そのカーブにおいて極小点を探し、極小点を与える膜厚を取得する(ステップS7)。このようにして、高い精度で膜厚を算出することができる。
【0042】
膜厚が複数である場合でも、基本的に同様の手順で測定スペクトルから膜厚を算出できることは、既述の説明から明らかである。
【0043】
なお、上記実施例は本発明の一例にすぎず、本発明の趣旨の範囲で適宜変更や修正を行えることは明らかである。
【0044】
例えば、上記説明において近似スペクトルを表現するための基底のとり方は任意であって、上記記載のものに限らない。また、特に膜厚が薄い場合には、干渉スペクトル波形において明確な周期を持つピークが得られにくい傾向にある。このような場合には、基底としてsin項や1/x項を除外するほうが良好な近似が行い易い。また、それ以外にも、(3)式又は(7)式に示した関数f0(x),f1(x),f2(x),f3(x),f4(x),f5(x)の各項を適宜に変形又は加減することにより、近似精度を一層向上させることができる。
【0045】
【発明の効果】
以上説明したように、第1発明に係る膜厚測定方法及び第2発明に係る膜厚測定装置によれば、様々な要因によって測定スペクトルに現れるオフセット、ドリフト、位相ずれ、周期性波形の振幅変化などの各種要素が考慮されるため、膜厚の算出精度が大幅に向上する。また、従来は、その測定領域内に複数種類の膜厚を有するような試料に対してその複数膜厚を同時に測定することは実質的に不可能であったが、このような測定も可能となり、しかも高い精度でもって複数の膜厚を算出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例である膜厚測定装置の概略構成図。
【図2】 本実施例の膜厚測定装置における膜厚算出の具体的な処理手順を示すフローチャート。
【図3】 或る試料膜を分光測定した結果得られる干渉スペクトル波形の一例を示す図。
【図4】 本発明の膜厚測定方法により得られる、膜厚とスペクトル近似の最小二乗誤差との関係の一例を示すグラフ。
【図5】 測定スペクトルと本発明の膜厚測定方法で求められる近似スペクトルとを重ねて示した図。
【図6】 2つの膜厚を有する試料膜の断面構造の一例を示す図。
【図7】 試料膜が2つの膜厚を有する場合の膜厚とスペクトル近似の最小二乗誤差との関係の一例を示す図。
【図8】 2つの膜厚が近い場合のピーク波形を示す図。
【図9】 試料膜が2つの膜厚を有する場合の測定スペクトルと近似スペクトルとの関係を示す図。
【図10】 試料膜が2つの膜厚を有する場合の、膜厚と最小二乗誤差との関係を示す図。
【図11】 分光測定を利用した膜厚測定の原理を説明するための図。
【符号の説明】
1…光源
2…分光部
3…測定光学系
4…光検出器
5…スペクトル作成部
6…演算処理部
S…試料
Claims (12)
- 試料膜に対して測定光を照射し、膜表面で反射する反射光と、膜中を透過して反対側の境界面で反射する透過反射光とによる干渉光のスペクトルを取得し、該測定スペクトルに基づいて試料膜の膜厚を求める膜厚測定方法において、測定スペクトルの波形形状を近似する近似スペクトルの生成情報として、膜厚を変数として含み波数又は波長に応じて周期変化する項及びオフセットの項を含む関数又は演算式を予め用意しておき、測定スペクトルに基づいて膜厚を算出する際に、
未知である膜厚を想定し、その想定膜厚において前記生成情報を用いて生成される近似スペクトルと測定スペクトルとの誤差に基づいて最適近似を行い、該想定膜厚における最小二乗誤差を求める誤差取得処理と、
前記想定膜厚を変化させる毎に前記誤差取得処理を実行することにより、前記最小二乗誤差を順次求める誤差変動情報取得処理と、
該誤差変動情報から極小点を与える1乃至複数の膜厚を見い出す膜厚取得処理と、
を含むことを特徴とする膜厚測定方法。 - 前記周期変化項の大きさが波数又は波長に応じて変化することを特徴とする請求項1に記載の膜厚測定方法。
- 前記関数又は演算式は更に、波数又は波長に応じて線形に変化する項を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の膜厚測定方法。
- 前記近似スペクトルの生成情報は、膜厚を変数として含む、基底スペクトルの線形和による近似演算式であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の膜厚測定方法。
- 前記近似スペクトルの生成情報には複数の膜厚をそれぞれ変数として含み、前記誤差取得処理では、複数の想定膜厚の組み合わせにおける最小二乗誤差を求め、誤差変動情報取得処理では、複数の想定膜厚の組み合わせを変化させる毎に前記誤差取得処理を実行することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の膜厚測定方法。
- 前記試料膜は同一膜が複数の膜厚を有して成るものであることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の膜厚測定方法。
- 試料膜に対して測定光を照射し、膜表面で反射する反射光と、膜中を透過して反対側の境界面で反射する透過反射光とによる干渉光のスペクトルを取得し、該測定スペクトルに基づいて試料膜の膜厚を求める膜厚測定装置において、
a)測定スペクトルの波形形状を近似する近似スペクトルの生成情報として、膜厚を変数として含み波数又は波長に応じて周期変化する項及びオフセットの項を含む関数、演算式又はそれに相当する情報を予め格納しておく記憶手段と、
b)未知である膜厚を想定し、その想定膜厚において前記生成情報を用いて生成される近似スペクトルと測定スペクトルとの誤差に基づいて最適近似を行い、該想定膜厚における最小二乗誤差を求める誤差取得手段と、
c)前記想定膜厚を変化させる毎に前記誤差取得手段による処理を実行することにより、前記最小二乗誤差を順次求める誤差変動情報取得手段と、
d)該誤差変動情報から極小点を与える1乃至複数の膜厚を見い出す膜厚取得手段と、
を備えることを特徴とする膜厚測定装置。 - 前記周期変化項の大きさが波数又は波長に応じて変化することを特徴とする請求項7に記載の膜厚測定装置。
- 前記関数、演算式又はそれに相当する情報は更に、波数又は波長に応じて線形に変化する項を含むことを特徴とする請求項7又は8に記載の膜厚測定装置。
- 前記近似スペクトルの生成情報は、膜厚を変数として含む、基底スペクトルの線形和による近似演算式であることを特徴とする請求項7〜9のいずれかに記載の膜厚測定装置。
- 前記近似スペクトルの生成情報には複数の膜厚をそれぞれ変数として含み、前記誤差取得手段は、複数の想定膜厚の組み合わせにおける最小二乗誤差を求め、前記誤差変動情報取得手段は、複数の想定膜厚の組み合わせを変化させる毎に前記誤差取得手段による処理を実行することを特徴とする請求項7〜10のいずれかに記載の膜厚測定装置。
- 前記試料膜は同一膜が複数の膜厚を有して成るものであることを特徴とする請求項7〜11のいずれかに記載の膜厚測定装置。
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WO1999054924A1 (fr) * | 1998-04-21 | 1999-10-28 | Hitachi, Ltd. | Dispositif et procede permettant de mesurer l'epaisseur d'un film mince, et procede et dispositif de production d'un film mince utilisant les premiers |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2021071262A1 (ko) * | 2019-10-07 | 2021-04-15 | ㈜넥센서 | 병렬처리를 이용한 기판내 박막의 두께측정 방법 및 이를 이용한 두께 측정 장치 |
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