JP3924849B2 - Transparent conductive film and electromagnetic wave shielding filter using the same - Google Patents
Transparent conductive film and electromagnetic wave shielding filter using the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP3924849B2 JP3924849B2 JP17955897A JP17955897A JP3924849B2 JP 3924849 B2 JP3924849 B2 JP 3924849B2 JP 17955897 A JP17955897 A JP 17955897A JP 17955897 A JP17955897 A JP 17955897A JP 3924849 B2 JP3924849 B2 JP 3924849B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- film
- light transmittance
- total light
- transparent conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、透明導電フィルム、およびこれを用いたディスプレイ用の電磁波シールドフィルターに関する。
【０００２】
【従来の技術・発明が解決しようとする課題】
従来、透明導電フィルムは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の透明高分子フィルム上に、インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電膜が積層されてなるのが一般的である。ＩＴＯによる透明導電膜において、透明性と導電性はトレードオフの関係にあることが多く、表面抵抗率が低く、特に１０Ω／□以下であり、かつ透明性の高い透明導電膜を成膜することは困難であり、さらに成膜温度条件に制限のある高分子フィルム基材上に成膜するのは困難である。
【０００３】
上記のような透明導電フィルムを、例えばプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の電磁波シールドフィルターとして用いる場合、ＰＤＰの内部からはグロー放電に伴う、紫外線や赤外線を含めた電磁波が放出され、周囲の電子機器のノイズになったり、使用者の健康を害する等の問題点が指摘されており、このような電磁波をＰＤＰ外部に漏らさないようなものとして機能しなくてはならない。ＰＤＰの背面および側面は筐体に公知の電磁波シールド処理を施せばよいが、パネル前面には透明なシールド材を配置する必要がある。これまでもパソコン等のＣＲＴ用電磁波シールドフィルターは各種発売されているが、ＰＤＰ用ではより高度な電磁波シールド性能が必要となる。つまり、このシールド材に用いる透明導電フィルムには透明性はもちろんのこと、優れた導電性（低抵抗率）が求められる。
【０００４】
このような要求特性を満足し得る透明導電フィルムとしてＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属薄膜を積層した導電フィルムがある。例えば、膜厚が１００Åから１５０Åの銀のスパッタリング膜をＰＥＴフィルム上に積層した透明導電フィルムは、表面抵抗率は数Ω／□と低く、光線透過率も７０％前後あり、低抵抗率と高光線透過率のバランスのとれた高性能な透明導電フィルムとなる。しかし、Ａｇ、Ｃｕ等の金属薄膜は環境安定性が悪く、高温高湿度下では、酸化が進み初期の性能が維持できなくなる。また、Ａｕはコスト高になり、着色度も大きい。
また、これらＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属薄膜を透明高分子フィルム上に積層したフィルムのように、電気伝導性を優先した透明導電フィルムでは、一般に金属薄膜はその膜厚の増加に従って電気伝導性は良くなるが、光線透過率も極端に低下し、２００Å以上では反射率９０％以上の金属光沢を持った膜となり、また高温高湿下での安定性が極端に悪く、ＰＤＰ画面前面の電磁波シールドフィルターとしては、不満足なものである。
【０００５】
このように、従来、プラズマディスプレイのように有害な電磁波を放出するディスプレイに適用し得る電磁波シールドフィルターを、好適に構成し得る透明導電フィルムはなかったのである。
【０００６】
本発明の目的は、優れた環境安定性を有し、特に透光性を維持したまま電気伝導性を改善した透明導電フィルムを提供することにある。また、該透明導電フィルムを用いてなり、特にプラズマディスプレイ用に有用な電磁波シールドフィルターを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、かかる問題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、透明高分子フィルム上に、Ａｇを主成分とする厚さ５０Å〜２００Åの金属薄膜層、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｂからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有してなる透明導電薄膜層、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＣｅからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有してなる透明ガスバリア薄膜層を特定の順序で積層することにより、環境安定性（特に、高温高湿下での透明性）および電気伝導性を兼ね備えた透明導電フィルムとなることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
即ち本発明は、以下の通りである。
（１）透明高分子フィルム上に、（Ａ）層／（Ｂ）層／（Ａ）層／（Ｃ）層がこれらの順に４層積層された積層構造を少なくとも有する透明導電フィルム。
（Ａ）層；Ａｇを主成分とする厚さ５０Å〜２００Åの金属薄膜層。
（Ｂ）層；Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｂからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有してなる透明導電薄膜層。
（Ｃ）層；Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＣｅからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有してなる透明ガスバリア薄膜層。
【０００９】
（２）２つの（Ａ）層のうち透明高分子フィルムから上層側にある（Ａ）層に外部からの端子を電気的に接続し得るように、該（Ａ）層の上面が外周縁部において露出している上記（１）記載の透明導電フィルム。
【００１０】
（３）透明高分子フィルム上に、（Ａ）層／（Ｃ）層／（Ａ）層／（Ｃ）層がこれらの順に４層積層された積層構造を有し、両方の（Ｃ）層の外周形状が（Ａ）層の外周形状より小さいものであり、２つの（Ａ）層が電気的に接続されているものであり、かつ２つの（Ａ）層のうち透明高分子フィルムから上層側にある（Ａ）層が外部からの端子を電気的に接続し得るものである透明導電フィルム。
（Ａ）層；Ａｇを主成分とする厚さ５０Å〜２００Åの金属薄膜層。
（Ｃ）層；Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＣｅからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有してなる透明ガスバリア薄膜層。
【００１１】
（４）透明高分子フィルムと積層構造の間に、（Ｃ）層を有するものである上記（１）〜（３）のいずれかに記載の透明導電フィルム。
【００１２】
（５）上記（１）〜（４）のいずれかに記載の透明導電フィルムを用いてなる電磁波シールドフィルター。
【００１３】
（６）プラズマディスプレイに用いられる上記（５）記載の電磁波シールドフィルター。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の透明導電フィルムは、図１〜４にその積層構成の例を示すように、透明高分子フィルム（Ｄ）側を下とし、その上に、（Ａ）層、（Ｂ）層または（Ｃ）層、（Ａ）層、（Ｃ）層の順に４層積層された積層構造を少なくとも有することを特徴とする。
また、（Ｄ）側からの透過ガスによる（Ａ）層の劣化防止の点から、透明高分子フィルムと上記積層構造の間に（Ｃ）層を有していてもよい（図３および図４）。
【００１５】
具体的には、下層側から上層側へ記載するものとして（以下、同様である）、（Ｄ）／（Ａ）／（Ｂ）／（Ａ）／（Ｃ）、（Ｄ）／（Ａ）／（Ｃ）／（Ａ）／（Ｃ）、（Ｄ）／（Ｃ）／（Ａ）／（Ｂ）／（Ａ）／（Ｃ）、（Ｄ）／（Ｃ）／（Ａ）／（Ｃ）／（Ａ）／（Ｃ）のような積層構成が挙げられる。
【００１６】
また、図のように該透明導電フィルムにおいて、２つの（Ａ）層のうち透明高分子フィルム（Ｄ）から上層側にある（Ａ）層に外部からの端子を電気的に接続し得るように、該（Ａ）層の上面が外周縁部においてその一部または全部が露出していることが好ましい。
さらに、図２および図４に示すように、透明高分子フィルム（Ｄ）上に積層される積層構造が、（Ａ）／（Ｃ）／（Ａ）／（Ｃ）であって、両方の（Ｃ）層の外周形状が（Ａ）層の外周形状より小さいものであり、２つの（Ａ）層のうち透明高分子フィルム（Ｄ）から上層側にある（Ａ）層が、外部からの端子を電気的に接続し得るもの（例えば、前記のように該（Ａ）層の上面が外周縁部において露出する形態等）であることが好ましい。またさらに、上記２つの（Ａ）層が電気的に接続されている（例えば、図２および図４のように（Ａ）層同士が外周縁部で直接積層される形態等）ことが好ましい。
【００１７】
かくして、２つの金属薄膜層の間に異質の透明薄膜層を設け、必要に応じて周辺部で２つの金属薄膜層を互いに電気的に接続することで、合計膜厚が厚くなっても透光性を持たせたまま、電気伝導性を向上することができる。
【００１８】
本発明の透明導電フィルムの構成によって、フィルム全体としての透明性は、全光線透過率として６５％以上が達成可能である。
本発明において、全光線透過率とは、ヘイズメーター（日本電色工業（株）製，ＮＤＨ−１００１ＤＰ）により測定されたものである。
また、導電性は、最外層の（Ｃ）層を除いた状態の積層フィルムの表面抵抗率として１０Ω／□以下が達成可能である。
本発明において、表面抵抗率とは、抵抗率計（三菱油化（株）製，ロレスタ・ＡＰ）を用いて測定されたものである。
【００１９】
本発明の透明導電フィルムに用いられる（Ａ）層、即ち金属薄膜層は、Ａｇを主成分とする薄膜であり、可視域の吸収が少なく、電気伝導性の高いものであれば特に限定されないが、全光線透過率として７０％以上、表面抵抗率が１０Ω／□以下であることが好ましい。例えば、Ａｇ薄膜あるいはＡｇと他の金属との合金からなる薄膜等が挙げられる。他の金属としては、例えばＡｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｐｔ等が挙げられる。中でも、合金状態が安定であることによる耐久性、導電率の向上の点から、Ａｇ−Ａｕ合金、Ａｇ−Ｃｕ合金が好ましい。また、Ａｇのマイグレーション防止の点からは、Ａｇ−Ｐｄ合金が好ましい。当該合金におけるＡｇの組成は、光学特性の点から、薄膜層中５０原子％以上、好ましくは６０原子％以上、より好ましくは７０〜１００原子％の範囲である。
【００２０】
また、当該金属薄膜層の膜厚は５０Å〜２００Åである。膜厚が５０Å未満では薄膜が不連続な島状構造となり、電気伝導性が低く、一方２００Åを超えると金属光沢の強い膜となり、反射率が急に高くなる。
【００２１】
金属薄膜層の成膜法としては、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法（物理蒸着法）等の公知の方法を用いることができるが、５０Å〜２００Åという薄い膜を安定的に成膜するためにはスパッタリング法のような高エネルギー粒子による成膜法が好ましい。特に、合金の薄膜形成の場合は、組成・膜厚の均一性の観点からスパッタリング法が好ましい。
【００２２】
本発明に用いられる（Ｂ）層、即ち透明導電薄膜層は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｂからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有してなる導電性薄膜であり、全光線透過率が８０％以上である。
当該全光線透過率が８０％未満であると、積層フィルム全体としての全光線透過率が６５％を下回る傾向がある。好ましくは８５〜９５％の範囲である。
当該全光線透過率は、透明導電薄膜層の組成や膜厚等により調整することができる。
【００２３】
透明導電薄膜層の膜厚は、その電気伝導性の発現より、５０Å以上が好ましく、より好ましくは１５０Å以上、さらに好ましくは２００〜３０００Åの範囲である。
透明導電薄膜の成膜法としては、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法（物理蒸着法）、ＣＶＤ法（化学蒸着法）等の高真空中での薄膜形成法等の公知の方法が用いられる。
【００２４】
本発明に用いられる（Ｃ）層、即ち透明ガスバリア薄膜層は、金属薄膜層の電気伝導性および透光性の低下の原因である酸化を防ぐ目的のために、酸素、水蒸気等の気体透過性の極めて低いものであればよいが、酸素透過係数としては５ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ以下、水蒸気透過係数としては５ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ以下であることが好ましい。
【００２５】
透明ガスバリア薄膜層の具体的な構成は、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＣｅからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物薄膜を有してなる。また、該透明ガスバリア薄膜層はその全光線透過率が８０％以上である。
当該全光線透過率が８０％未満であると、積層フィルム全体としての全光線透過率が６５％を下回る傾向がある。好ましくは８５〜９５％の範囲である。
当該全光線透過率は、透明ガスバリア薄膜層の組成や膜厚等により調整することができる。
【００２６】
ここで、酸素透過係数は、ＪＩＳ Ｋ７１２６に準じ、モダンコントロールズ社製酸素透過度測定装置（ＯＸ−ＴＲＡＮ１００型）により、測定温度２５℃、相対湿度０％ＲＨにて測定されるものであり、透明ガスバリア薄膜層の組成、膜厚等により調整することができる。
また、水蒸気透過係数は、ＪＩＳ Ｋ７１２９に準じ、リッシー社製水蒸気透過度測定装置（Ｌ８０−４０００型）により、測定温度４０℃にて測定されるものであり、透明ガスバリア薄膜層の組成や膜厚等により調整することができる。
【００２７】
透明ガスバリア薄膜層の膜厚は、そのガスバリア性の発現より、１００Å以上が好ましく、より好ましくは１５０Å以上、さらに好ましくは１５０〜５００Åの範囲である。
透明ガスバリア薄膜層の成膜法としては、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法（物理蒸着法）、ＣＶＤ法（化学蒸着法）等の高真空中での薄膜形成法等の公知の方法が用いられる。
ここで、（Ｃ）層の外周形状が（Ａ）層の外周形状より小さい場合は、例えば（Ｃ）層の成膜を周辺端部の一部または全部にマスキングをかけて行い、次の層を成膜する前にマスキングを剥離して行えばよい。
【００２８】
本発明に用いられる透明高分子フィルムは、透明かつ成膜プロセスに耐える機械強度、耐熱性を有するものであれば特に限定されず、例えばポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリスチレン等のフィルムが挙げられる。具体的には、ポリエステル系樹脂としてはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート等が、ポリオレフィン系樹脂としては非晶質環式ポリオレフィン等が、ポリスルホン系樹脂としてはポリエーテルスルホン等が挙げられる。中でも、特性（透明性、機械強度等）と価格のバランスよりＰＥＴフィルムが好ましく用いられる。
【００２９】
また、該透明高分子フィルムにおける透明とは、その全光線透過率が８５％以上であることを意味する。
当該全光線透過率が８５％未満であると、積層フィルム全体としての全光線透過率を下げる傾向がある。好ましくは８７％以上、より好ましくは８８〜９５％の範囲である。
当該全光線透過率は、高分子フィルムの組成、膜厚、成膜法等により調整することができる。
【００３０】
当該透明高分子フィルムの厚さは５０〜３００μｍが好ましく、より好ましくは１００〜２００μｍである。
【００３１】
該透明高分子フィルムは、自体既知の方法により製造することができる。
【００３２】
また、これらの透明高分子フィルムは、その機械的特性（例えば、耐衝撃性、屈曲性等）および光学特性を損なわない程度の着色剤、紫外線吸収剤、安定剤、可塑剤、色素等の公知の添加剤を含有していてもよく、またそれらを含むコート層を公知の方法で設けてもよい。とくに、プラズマディスプレイの電磁波シールドフィルターとして用いる場合には、リモコンや赤外線通信の誤動作の原因となる近赤外線を吸収する色素を含有することが好ましい。
【００３３】
本発明の電磁波シールドフィルターは、上記透明導電フィルムを用いてなる。当該電磁波シールドフィルターは、透明導電フィルム以外に、フィルターの耐衝撃性向上のためのポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等の無色透明板、リモコン誤動作防止のための各種カラーフィルター（近赤外線カットフィルター）、反射率低減による画面輝度向上のための反射防止膜、ノングレア処理膜、画面傷つき防止のためのハードコート膜等が付与されることが好ましい。また、グランド端子は、例えば周辺部の導電ペースト印刷や導電金属テープにより付与することができる。
【００３４】
【実施例】
以下に本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。各物性は以下のようにして測定した。
〔表面抵抗率〕
表面抵抗率は、抵抗率計（三菱油化（株）製，ロレスタ・ＡＰ）を用いて測定した。
【００３５】
〔全光線透過率およびヘイズ〕
全光線透過率およびヘイズは、ヘイズメーター（日本電色工業（株）製，ＮＤＨ−１００１ＤＰ）を用いて測定した。
【００３６】
〔電磁波シールド特性〕
電磁波シールド特性の測定は、スペクトラムアナライザー（アドバンテスト社製，Ｒ３３６１Ａ）およびシールドボックス（アドバンテスト社製，ＴＲ１７３０１Ａ）を用い、電界、磁界についてそれぞれ測定した。測定周波数は１ＭＨｚ〜１ＧＨｚで行った。
【００３７】
〔酸素透過係数〕
ＪＩＳ Ｋ７１２６に準じ、モダンコントロールズ社製酸素透過度測定装置（ＯＸ−ＴＲＡＮ１００型）を用いて、測定温度２５℃、相対湿度０％ＲＨの雰囲気下で測定した。
【００３８】
〔水蒸気透過係数〕
ＪＩＳ Ｋ７１２９に準じ、リッシー社製水蒸気透過度測定装置（Ｌ８０−４０００型）を用いて、測定温度４０℃で測定した。
【００３９】
実施例１
長さ３００ｍｍ、幅２１０ｍｍ、厚さ１８８μｍの２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板（全光線透過率９２％）に、（Ａ）層として１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率８５％）をＤＣマグネトロンスパッタリングにより積層した。次に（Ｂ）層として２００Åの酸化錫の透明導電膜（全光線透過率８５％）を高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。さらに（Ａ）層として１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率８５％）を前記（Ａ）層と同様に積層した。この積層体の表面抵抗率は２Ω／□であった。次に周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマスキングを施してから、（Ｃ）層として２００Åの二酸化珪素（全光線透過率９０％，酸素透過係数１ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ）を高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。得られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は６８％、ヘイズは２．２％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は５５ｄＢであった。
【００４０】
実施例２
長さ３００ｍｍ、幅２１０ｍｍ、厚さ１８８μｍの２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板（全光線透過率９２％）に、（Ａ）層として１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率８５％）をＤＣマグネトロンスパッタリングにより積層した。次に周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマスキングを施してから、（Ｂ）層として２００Åの酸化錫（全光線透過率８５％）の透明導電膜を高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。マスキングを剥がし、さらに（Ａ）層として１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率８５％）を前記（Ａ）層と同様に積層した。この積層体の表面抵抗率は１Ω／□であった。次に周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマスキングを施してから、（Ｃ）層として２００Åの二酸化珪素（全光線透過率９０％，酸素透過係数１ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ）を高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。得られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は６８％、ヘイズは２．２％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は６０ｄＢであった。
【００４１】
実施例３
長さ３００ｍｍ、幅２１０ｍｍ、厚さ１８８μｍの２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板（全光線透過率９２％）に、（Ａ）層として１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率８５％）をＤＣマグネトロンスパッタリングにより積層した。次に周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマスキングを施してから、（Ｃ）層として２００Åの二酸化珪素（全光線透過率９０％，酸素透過係数１ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ）の透明導電膜を高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。マスキングを剥がし、（Ａ）層として１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率８５％）を前記（Ａ）層と同様に積層した。この積層体の表面抵抗率は５Ω／□であった。次に周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマスキングを施してから、（Ｃ）層として２００Åの二酸化珪素（全光線透過率９０％，酸素透過係数１ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ）を高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。得られた積層体の全光線透過率は７５％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は７５％、ヘイズは２．０％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は５０ｄＢであった。
【００４２】
実施例４
長さ３００ｍｍ、幅２１０ｍｍ、厚さ１８８μｍの２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板（全光線透過率９２％）に、（Ｃ）層として２００Åの二酸化珪素（全光線透過率９０％，酸素透過係数１ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ）を高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。次に（Ａ）層として、１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率８５％）をＤＣマグネトロンスパッタリングにより積層した。次に周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマスキングを施してから、（Ｃ）層として２００Åの二酸化珪素（全光線透過率９０％，酸素透過係数１ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ）を高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。マスキングを剥がし、（Ａ）層として１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率８５％）を前記（Ａ）層と同様に積層した。この積層体の表面抵抗率は２Ω／□であった。次に周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマスキングを施してから、（Ｃ）層として２００Åの二酸化珪素（全光線透過率９０％，酸素透過係数１ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ）を高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。得られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は５０ｄＢであった。
【００４３】
実施例５
実施例２の全ての（Ａ）層を６０ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率９０％）に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は１０Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は８５％、ヘイズは１．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は８３％、ヘイズは１．２％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は４５ｄＢであった。
【００４４】
実施例６
実施例２の全ての（Ａ）層を１７５ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率７５％）に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は０．５Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は６７％、ヘイズは３．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は６５％、ヘイズは３．２％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は６５ｄＢであった。
【００４５】
実施例７
実施例２の全ての（Ａ）層を１００ÅのＡｇ−Ｐｄ合金薄膜〔Ａｇ：Ｐｄ（原子数比）＝８：２，全光線透過率８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は５Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であり、変化がなかった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は５０ｄＢであった。
【００４６】
実施例８
実施例２の全ての（Ａ）層を１００ÅのＡｇ−Ａｕ合金薄膜〔Ａｇ：Ａｕ（原子数比）＝９：１，全光線透過率８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は５Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は５０ｄＢであった。
【００４７】
実施例９
実施例２の全ての（Ａ）層を１００ÅのＡｇ−Ｃｕ合金薄膜〔Ａｇ：Ｃｕ（原子数比）＝９：１，全光線透過率８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は５Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は５０ｄＢであった。
【００４８】
実施例１０
実施例２の（Ｂ）層を２００ÅのＺｎＯ−Ａｌ2 Ｏ3 薄膜〔ＺｎＯ：Ａｌ2 Ｏ3 （重量比）＝９８：２，全光線透過率８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は１Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は６８％、ヘイズは２．２％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は６０ｄＢであった。
【００４９】
実施例１１
実施例２の（Ｂ）層を２００ÅのＳｎＯ2 −Ｓｂ2 Ｏ3 薄膜〔ＳｎＯ2 ：Ｓｂ2 Ｏ3 （重量比）＝９５：５，全光線透過率８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は１Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は６８％、ヘイズは２．２％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は６０ｄＢであった。
【００５０】
実施例１２
実施例２の（Ｂ）層を２００ÅのＩｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ薄膜〔Ｉｎ2 Ｏ3 ：ＺｎＯ（重量比）＝８０：２０，全光線透過率８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は１Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は６８％、ヘイズは２．２％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は６０ｄＢであった。
【００５１】
実施例１３
実施例２の（Ｂ）層を２００ÅのＩｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 薄膜〔Ｉｎ2 Ｏ3 ：ＳｎＯ2 （重量比）＝９０：１０，全光線透過率８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は１Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は６８％、ヘイズは２．２％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は６０ｄＢであった。
【００５２】
実施例１４
実施例３の（Ｃ）層を２００ÅのＡｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 薄膜〔Ａｌ：Ｓｉ（原子数比）＝３０：７０，全光線透過率９５％，酸素透過係数０．５ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数０．５ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ〕に変えた以外は実施例３と同様にして積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は５Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７５％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は７５％、ヘイズは２．０％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は５０ｄＢであった。
【００５３】
実施例１５
実施例３の（Ｃ）層を２００ÅのＺｒＯ2 −ＳｉＯ2 薄膜〔Ｚｒ：Ｓｉ（原子数比）＝１：１，全光線透過率９５％，酸素透過係数０．５ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数０．５ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ〕に変えた以外は実施例３と同様にして積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は５Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７５％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は７５％、ヘイズは２．０％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は５０ｄＢであった。
【００５４】
比較例１
長さ３００ｍｍ、幅２１０ｍｍ、厚さ１８８μｍの２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板（全光線透過率９２％）に、１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率８５％）をＤＣマグネトロンスパッタリングにより積層した。得られた積層体の表面抵抗率は５Ω／□、全光線透過率は８０％、ヘイズは１．５％であった。またこの積層体を６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の表面抵抗率は１００Ω／□以上で、全光線透過率は５０％以下、ヘイズは１０％以上であり、外観的にも酸化によるＡｇ膜の変色が見られた。
【００５５】
比較例２
実施例１の（Ｃ）層を積層しないこと以外は実施例１と同様に積層した。この積層体の表面抵抗率は２Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７５％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は５５％、ヘイズは１０％であり、外観的にもＡｇ膜の変色が見られた。
【００５６】
比較例３
実施例２の全ての（Ａ）層を３０ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率９２％）に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を作製した。金属薄膜層が不連続な島状構造となり、十分な導電性がでなかった（最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率∞Ω／□）。
【００５７】
比較例４
実施例２の全ての（Ａ）層を３００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率２％以下）に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を作製した。得られた積層体は、不透明な全反射膜であった（全光線透過率１％以下）。
【００５８】
【発明の効果】
本発明によれば、優れた環境安定性、特に透光性と、電気伝導特性を有する透明導電フィルムが提供できる。従って、本発明の透明導電フィルムは、電磁波シールドフィルターとして、特にプラズマディスプレイ用電磁波シールドフィルターとして有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の透明導電フィルムの構成例を示す断面図である。
【図２】本発明の透明導電フィルムの他の構成例を示す断面図である。
【図３】本発明の透明導電フィルムの他の構成例を示す断面図である。
【図４】本発明の透明導電フィルムの他の構成例を示す断面図である。
【符号の説明】
（Ａ） 金属薄膜
（Ｂ） 透明導電薄膜
（Ｃ） 透明ガスバリア薄膜
（Ｄ） 透明高分子フィルム[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a transparent conductive film and an electromagnetic wave shielding filter for a display using the same.
[0002]
[Prior art / problems to be solved by the invention]
Conventionally, a transparent conductive film is generally formed by laminating a transparent conductive film such as indium / tin oxide (ITO) on a transparent polymer film such as polyethylene terephthalate (PET). In a transparent conductive film made of ITO, transparency and conductivity are often in a trade-off relationship, and the surface resistivity is low, particularly 10Ω / □ or less, and a highly transparent transparent conductive film is formed. In addition, it is difficult to form a film on a polymer film substrate having a limited film formation temperature condition.
[0003]
When the transparent conductive film as described above is used as, for example, an electromagnetic wave shielding filter of a plasma display panel (PDP), electromagnetic waves including ultraviolet rays and infrared rays accompanying glow discharge are emitted from the inside of the PDP, and the surrounding electronic devices Problems such as noise and harm to the health of the user have been pointed out, and it must function as something that does not leak such electromagnetic waves outside the PDP. The back and side surfaces of the PDP may be subjected to a known electromagnetic wave shielding treatment on the casing, but a transparent shield material needs to be disposed on the front surface of the panel. Various types of electromagnetic shielding filters for CRTs such as personal computers have been put on the market so far, but more advanced electromagnetic shielding performance is required for PDPs. That is, the transparent conductive film used for the shield material is required to have excellent conductivity (low resistivity) as well as transparency.
[0004]
As a transparent conductive film that can satisfy such required characteristics, there is a conductive film in which metal thin films such as Au, Ag, and Cu are laminated. For example, a transparent conductive film in which a silver sputtering film having a film thickness of 100 to 150 mm is laminated on a PET film has a low surface resistivity of several Ω / □, a light transmittance of around 70%, a low resistivity and a high It becomes a high-performance transparent conductive film with a balanced light transmittance. However, metal thin films such as Ag and Cu have poor environmental stability, and under high temperature and high humidity, oxidation proceeds and initial performance cannot be maintained. Further, Au is expensive and has a high degree of coloring.
In addition, a transparent conductive film giving priority to electrical conductivity, such as a film in which a metal thin film such as Au, Ag, Cu, etc. is laminated on a transparent polymer film, generally the metal thin film is electrically conductive as the film thickness increases. Although the light transmittance is extremely reduced, the film has a metallic luster with a reflectance of 90% or more at 200 mm or more, and the stability under high temperature and high humidity is extremely poor. As a shield filter, it is unsatisfactory.
[0005]
Thus, conventionally, there has been no transparent conductive film that can suitably constitute an electromagnetic wave shielding filter that can be applied to a display that emits harmful electromagnetic waves such as a plasma display.
[0006]
An object of the present invention is to provide a transparent conductive film having excellent environmental stability, in particular, improved electrical conductivity while maintaining translucency. Another object of the present invention is to provide an electromagnetic wave shielding filter that uses the transparent conductive film and is particularly useful for a plasma display.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
As a result of intensive studies to solve such problems, the present inventors have found that a metal thin film layer having a thickness of 50 to 200 mm mainly composed of Ag, In, Sn, Cd, Zn on a transparent polymer film. One or more metals selected from the group consisting of Mg, Ca, Al, Si, Ti, Zr and Ce, a transparent conductive thin film layer having an oxide of one or more metals selected from the group consisting of Al and Sb By laminating the transparent gas barrier thin film layers comprising the oxides in a specific order, a transparent conductive film having both environmental stability (especially transparency under high temperature and high humidity) and electrical conductivity can be obtained. As a result, the present invention has been completed.
[0008]
That is, the present invention is as follows.
(1)On the transparent polymer film,(A) layer / (B) layer / (A) layer /(C) A transparent conductive film having at least a laminated structure in which four layers are laminated in this order.
(A) Layer: a metal thin film layer having a thickness of 50 to 200 mm mainly composed of Ag.
(B) Layer: A transparent conductive thin film layer comprising an oxide of one or more metals selected from the group consisting of In, Sn, Cd, Zn, Al and Sb.
(C) Layer: A transparent gas barrier thin film layer comprising an oxide of one or more metals selected from the group consisting of Mg, Ca, Al, Si, Ti, Zr and Ce.
[0009]
(2)The upper surface of the (A) layer is exposed at the outer peripheral edge so that an external terminal can be electrically connected to the (A) layer on the upper layer side from the transparent polymer film of the two (A) layers. ingAbove (1)The transparent conductive film as described.
[0010]
(3)On transparent polymer film(A) layer / (C) layer / (A) layer / (C) layerIn order4 layersLaminatedThe outer peripheral shape of both (C) layers is smaller than the outer peripheral shape of the (A) layer, the two (A) layers are electrically connected, and 2 Of the two (A) layers, the (A) layer on the upper layer side from the transparent polymer film can electrically connect terminals from the outside.Transparent conductive film.
(A) Layer: a metal thin film layer having a thickness of 50 to 200 mm mainly composed of Ag.
(C) Layer: A transparent gas barrier thin film layer comprising an oxide of one or more metals selected from the group consisting of Mg, Ca, Al, Si, Ti, Zr and Ce.
[0011]
(4)It has (C) layer between transparent polymer film and laminated structureAbove (1)~(3)The transparent conductive film according to any one of the above.
[0012]
(5) Above (1)~(4)An electromagnetic wave shielding filter comprising the transparent conductive film according to any one of the above.
[0013]
(6)Used for plasma displayAbove (5)The electromagnetic wave shielding filter as described.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The transparent conductive film of the present invention has a transparent polymer film (D) side on the bottom, as shown in FIGS. It has at least a laminated structure in which four layers are laminated in the order of C) layer, (A) layer, and (C) layer.
Further, from the viewpoint of preventing the deterioration of the (A) layer by the permeated gas from the (D) side, a (C) layer may be provided between the transparent polymer film and the above laminated structure (FIGS. 3 and 4). ).
[0015]
Specifically, as described from the lower layer side to the upper layer side (hereinafter the same), (D) / (A) / (B) / (A) / (C), (D) / (A) / (C) / (A) / (C), (D) / (C) / (A) / (B) / (A) / (C), (D) / (C) / (A) / ( C) / (A) / (C) is a laminated structure.
[0016]
Also, as shown in the figure, in the transparent conductive film, an external terminal can be electrically connected to the (A) layer on the upper layer side from the transparent polymer film (D) of the two (A) layers. The upper surface of the (A) layer is preferably partially or entirely exposed at the outer peripheral edge.
Further, as shown in FIGS. 2 and 4, the laminated structure laminated on the transparent polymer film (D) is (A) / (C) / (A) / (C), and both ( C) The outer peripheral shape of the layer is smaller than the outer peripheral shape of the (A) layer, and the (A) layer on the upper layer side from the transparent polymer film (D) of the two (A) layers is an external terminal. Are preferably capable of being electrically connected to each other (for example, a form in which the upper surface of the layer (A) is exposed at the outer peripheral edge as described above). Furthermore, it is preferable that the two (A) layers are electrically connected (for example, a form in which (A) layers are directly laminated at the outer peripheral edge as shown in FIGS. 2 and 4).
[0017]
Thus, a transparent transparent thin film layer is provided between the two metal thin film layers, and the two metal thin film layers are electrically connected to each other at the peripheral portion as necessary, so that the light transmission can be achieved even when the total film thickness increases. The electrical conductivity can be improved while maintaining the properties.
[0018]
With the configuration of the transparent conductive film of the present invention, the transparency of the entire film can be 65% or more as the total light transmittance.
In the present invention, the total light transmittance is measured by a haze meter (manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd., NDH-1001DP).
Further, the conductivity can be 10Ω / □ or less as the surface resistivity of the laminated film excluding the outermost (C) layer.
In the present invention, the surface resistivity is measured using a resistivity meter (Mitsubishi Yuka Co., Ltd., Loresta AP).
[0019]
The (A) layer used in the transparent conductive film of the present invention, that is, the metal thin film layer, is a thin film mainly composed of Ag, and is not particularly limited as long as it has little absorption in the visible region and high electrical conductivity. The total light transmittance is preferably 70% or more and the surface resistivity is preferably 10Ω / □ or less. For example, an Ag thin film or a thin film made of an alloy of Ag and another metal can be used. Examples of other metals include Au, Cu, Al, Ni, Cr, Ti, Si, Sn, In, Pd, and Pt. Among these, Ag—Au alloy and Ag—Cu alloy are preferable from the viewpoint of improvement in durability and conductivity due to the stable alloy state. From the viewpoint of preventing Ag migration, an Ag—Pd alloy is preferable. The composition of Ag in the alloy is 50 atomic% or more, preferably 60 atomic% or more, more preferably 70 to 100 atomic% in the thin film layer from the viewpoint of optical properties.
[0020]
The thickness of the metal thin film layer is 50 to 200 mm. If the film thickness is less than 50 mm, the thin film has a discontinuous island structure, and the electrical conductivity is low. On the other hand, if the film thickness exceeds 200 mm, the film has a strong metallic luster, and the reflectivity suddenly increases.
[0021]
As a method for forming the metal thin film layer, a known method such as a PVD method (physical vapor deposition method) such as a sputtering method, a vacuum vapor deposition method, or an ion plating method can be used. In order to form a film stably, a film forming method using high energy particles such as a sputtering method is preferable. In particular, in the case of forming an alloy thin film, the sputtering method is preferred from the viewpoint of uniformity of composition and film thickness.
[0022]
The layer (B) used in the present invention, that is, the transparent conductive thin film layer, is a conductive thin film having an oxide of one or more metals selected from the group consisting of In, Sn, Cd, Zn, Al and Sb. Yes, the total light transmittance is 80% or more.
If the total light transmittance is less than 80%, the total light transmittance of the laminated film as a whole tends to be less than 65%. Preferably it is 85 to 95% of range.
The total light transmittance can be adjusted by the composition and film thickness of the transparent conductive thin film layer.
[0023]
The film thickness of the transparent conductive thin film layer is preferably 50 mm or more, more preferably 150 mm or more, and still more preferably in the range of 200 to 3000 mm, from the expression of electrical conductivity.
As a method for forming a transparent conductive thin film, for example, a PVD method (physical vapor deposition method) such as a sputtering method, a vacuum vapor deposition method or an ion plating method, a thin film formation method in a high vacuum such as a CVD method (chemical vapor deposition method), etc. These known methods are used.
[0024]
The layer (C) used in the present invention, that is, the transparent gas barrier thin film layer, is permeable to gases such as oxygen and water vapor for the purpose of preventing oxidation, which is a cause of a decrease in electrical conductivity and translucency of the metal thin film layer. However, the oxygen permeation coefficient is 5 cc / atm · m.2・ Day or less, water vapor transmission coefficient is 5g / m2-It is preferable that it is below day.
[0025]
A specific configuration of the transparent gas barrier thin film layer includes an oxide thin film of one or more metals selected from the group consisting of Mg, Ca, Al, Si, Ti, Zr, and Ce. The transparent gas barrier thin film layer has a total light transmittance of 80% or more.
If the total light transmittance is less than 80%, the total light transmittance of the laminated film as a whole tends to be less than 65%. Preferably it is 85 to 95% of range.
The total light transmittance can be adjusted by the composition and film thickness of the transparent gas barrier thin film layer.
[0026]
Here, the oxygen transmission coefficient is measured at a measurement temperature of 25 ° C. and a relative humidity of 0% RH with an oxygen permeability measurement device (OX-TRAN100 type) manufactured by Modern Controls, in accordance with JIS K7126. It can be adjusted by the composition, film thickness, etc. of the transparent gas barrier thin film layer.
The water vapor transmission coefficient is measured at a measurement temperature of 40 ° C. using a water vapor permeability measuring device (L80-4000 type) manufactured by Rissy in accordance with JIS K7129, and the composition and film thickness of the transparent gas barrier thin film layer. Etc. can be adjusted.
[0027]
The film thickness of the transparent gas barrier thin film layer is preferably 100 mm or more, more preferably 150 mm or more, and further preferably in the range of 150 to 500 mm, from the expression of the gas barrier property.
As a film forming method of the transparent gas barrier thin film layer, a thin film forming method in a high vacuum such as a PVD method (physical vapor deposition method) such as a sputtering method, a vacuum vapor deposition method or an ion plating method, or a CVD method (chemical vapor deposition method). A known method such as the above is used.
Here, when the outer peripheral shape of the (C) layer is smaller than the outer peripheral shape of the (A) layer, for example, the film formation of the (C) layer is performed by masking part or all of the peripheral end portion, and the next layer The masking may be peeled off before forming the film.
[0028]
The transparent polymer film used in the present invention is not particularly limited as long as it is transparent and has mechanical strength and heat resistance that can withstand the film formation process. For example, polyester resin, polyolefin resin, polysulfone resin, polystyrene, etc. A film is mentioned. Specifically, examples of the polyester resin include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate, and polycarbonate, examples of the polyolefin resin include amorphous cyclic polyolefin, and examples of the polysulfone resin include polyethersulfone. . Among these, a PET film is preferably used from the balance between characteristics (transparency, mechanical strength, etc.) and price.
[0029]
The transparency in the transparent polymer film means that the total light transmittance is 85% or more.
When the total light transmittance is less than 85%, the total light transmittance as the entire laminated film tends to be lowered. Preferably it is 87% or more, More preferably, it is the range of 88 to 95%.
The said total light transmittance can be adjusted with a composition, film thickness, film-forming method, etc. of a polymer film.
[0030]
The thickness of the transparent polymer film is preferably 50 to 300 μm, more preferably 100 to 200 μm.
[0031]
The transparent polymer film can be produced by a method known per se.
[0032]
In addition, these transparent polymer films are publicly known as colorants, ultraviolet absorbers, stabilizers, plasticizers, pigments and the like that do not impair their mechanical properties (for example, impact resistance, flexibility, etc.) and optical properties. These additives may be contained, and a coating layer containing them may be provided by a known method. In particular, when used as an electromagnetic wave shielding filter for a plasma display, it is preferable to contain a dye that absorbs near infrared rays which causes malfunctions in remote control and infrared communication.
[0033]
The electromagnetic wave shielding filter of the present invention uses the transparent conductive film. In addition to transparent conductive film, the electromagnetic wave shielding filter is a colorless transparent plate such as polycarbonate and polymethylmethacrylate for improving the impact resistance of the filter, various color filters (near infrared cut filter) for preventing remote control malfunction, and reflectance. It is preferable to apply an antireflection film for improving screen brightness by reduction, a non-glare treatment film, a hard coat film for preventing damage to the screen, or the like. The ground terminal can be applied by, for example, conductive paste printing or conductive metal tape in the peripheral portion.
[0034]
【Example】
The present invention is described in detail below based on examples, but the present invention is not limited to these examples. Each physical property was measured as follows.
[Surface resistivity]
The surface resistivity was measured using a resistivity meter (Mitsubishi Yuka Co., Ltd., Loresta AP).
[0035]
[Total light transmittance and haze]
The total light transmittance and haze were measured using a haze meter (Nippon Denshoku Industries Co., Ltd., NDH-1001DP).
[0036]
[Electromagnetic wave shielding characteristics]
The electromagnetic wave shielding characteristics were measured for the electric field and the magnetic field using a spectrum analyzer (Advantest, R3361A) and a shield box (Advantest, TR17301A). The measurement frequency was 1 MHz to 1 GHz.
[0037]
[Oxygen permeability coefficient]
According to JIS K7126, measurement was performed in an atmosphere at a measurement temperature of 25 ° C. and a relative humidity of 0% RH using an oxygen permeability measuring device (OX-TRAN100 type) manufactured by Modern Controls.
[0038]
[Water vapor transmission coefficient]
In accordance with JIS K7129, measurement was performed at a measurement temperature of 40 ° C. using a water vapor permeability measuring device (L80-4000 type) manufactured by Rissy.
[0039]
Example 1
DC magnetron sputtering of a 100 mm Ag metal thin film (total light transmittance of 85%) as a (A) layer on a biaxially stretched polyethylene terephthalate film substrate (total light transmittance of 92%) having a length of 300 mm, a width of 210 mm, and a thickness of 188 μm Were laminated. Next, as a layer (B), a 200-mm tin oxide transparent conductive film (total light transmittance of 85%) was laminated by high-frequency magnetron sputtering. Further, as the layer (A), a 100-mm Ag metal thin film (total light transmittance of 85%) was laminated in the same manner as the layer (A). The laminate had a surface resistivity of 2Ω / □. Next, after masking with a width of 10 mm over the entire periphery, 200 cm silicon dioxide (total light transmittance 90%, oxygen transmission coefficient 1 cc / atm · m) as layer (C)2-Day, water vapor transmission coefficient 1g / m2(Day) was laminated by high frequency magnetron sputtering. The obtained laminate had a total light transmittance of 70% and a haze of 2.0%. The total light transmittance after standing in a constant temperature and humidity chamber of 60 ° C. and 95% RH for 1000 hours was 68% and haze was 2.2%. Moreover, the masking of the peripheral part was peeled off and a ground wire was attached with a conductive paste. The electromagnetic wave shielding characteristic was 55 dB.
[0040]
Example 2
DC magnetron sputtering of a 100 mm Ag metal thin film (total light transmittance of 85%) as a (A) layer on a biaxially stretched polyethylene terephthalate film substrate (total light transmittance of 92%) having a length of 300 mm, a width of 210 mm, and a thickness of 188 μm Were laminated. Next, after masking with a width of 10 mm over the entire periphery, a transparent conductive film of 200 の tin oxide (total light transmittance of 85%) was laminated as a layer (B) by high frequency magnetron sputtering. The masking was peeled off, and a 100 mm Ag metal thin film (total light transmittance of 85%) was laminated as the (A) layer in the same manner as the (A) layer. The laminate had a surface resistivity of 1Ω / □. Next, after masking with a width of 10 mm over the entire periphery, 200 cm silicon dioxide (total light transmittance 90%, oxygen transmission coefficient 1 cc / atm · m) as layer (C)2-Day, water vapor transmission coefficient 1g / m2(Day) was laminated by high frequency magnetron sputtering. The obtained laminate had a total light transmittance of 70% and a haze of 2.0%. The total light transmittance after standing in a constant temperature and humidity chamber of 60 ° C. and 95% RH for 1000 hours was 68% and haze was 2.2%. Moreover, the masking of the peripheral part was peeled off and a ground wire was attached with a conductive paste. The electromagnetic wave shielding characteristic was 60 dB.
[0041]
Example 3
DC magnetron sputtering of a 100 mm Ag metal thin film (total light transmittance of 85%) as a (A) layer on a biaxially stretched polyethylene terephthalate film substrate (total light transmittance of 92%) having a length of 300 mm, a width of 210 mm, and a thickness of 188 μm Were laminated. Next, after masking with a width of 10 mm over the entire periphery, 200 cm silicon dioxide (total light transmittance 90%, oxygen transmission coefficient 1 cc / atm · m) as layer (C)2-Day, water vapor transmission coefficient 1g / m2-The transparent conductive film of (day) was laminated by high frequency magnetron sputtering. The masking was removed, and a 100-mm Ag metal thin film (total light transmittance of 85%) was laminated as the (A) layer in the same manner as the (A) layer. The laminate had a surface resistivity of 5Ω / □. Next, after masking with a width of 10 mm over the entire periphery, 200 cm silicon dioxide (total light transmittance 90%, oxygen transmission coefficient 1 cc / atm · m) as layer (C)2-Day, water vapor transmission coefficient 1g / m2(Day) was laminated by high frequency magnetron sputtering. The obtained laminate had a total light transmittance of 75% and a haze of 2.0%. The total light transmittance after leaving in a constant temperature and humidity chamber of 60 ° C. and 95% RH for 1000 hours was 75% and haze was 2.0%. Moreover, the masking of the peripheral part was peeled off and a ground wire was attached with a conductive paste. The electromagnetic wave shielding characteristic was 50 dB.
[0042]
Example 4
A biaxially stretched polyethylene terephthalate film substrate (total light transmittance 92%) having a length of 300 mm, a width of 210 mm, and a thickness of 188 μm, and (C) layer of 200 珪 素 silicon dioxide (total light transmittance 90%, oxygen transmission coefficient 1 cc / atm ・ m2-Day, water vapor transmission coefficient 1g / m2(Day) was laminated by high frequency magnetron sputtering. Next, as the layer (A), a 100-mm Ag metal thin film (total light transmittance of 85%) was laminated by DC magnetron sputtering. Next, after masking with a width of 10 mm over the entire periphery, 200 cm silicon dioxide (total light transmittance 90%, oxygen transmission coefficient 1 cc / atm · m) as layer (C)2-Day, water vapor transmission coefficient 1g / m2(Day) was laminated by high frequency magnetron sputtering. The masking was removed, and a 100-mm Ag metal thin film (total light transmittance of 85%) was laminated as the (A) layer in the same manner as the (A) layer. The laminate had a surface resistivity of 2Ω / □. Next, after masking with a width of 10 mm over the entire periphery, 200 cm silicon dioxide (total light transmittance 90%, oxygen transmission coefficient 1 cc / atm · m) as layer (C)2-Day, water vapor transmission coefficient 1g / m2(Day) was laminated by high frequency magnetron sputtering. The obtained laminate had a total light transmittance of 70% and a haze of 2.0%. The total light transmittance after leaving in a constant temperature and humidity chamber of 60 ° C. and 95% RH for 1000 hours was 70% and haze was 2.0%. Moreover, the masking of the peripheral part was peeled off and a ground wire was attached with a conductive paste. The electromagnetic wave shielding characteristic was 50 dB.
[0043]
Example 5
A laminate was produced in the same manner as in Example 2 except that all the (A) layers in Example 2 were changed to 60 mm Ag metal thin films (total light transmittance of 90%). The surface resistivity before lamination of the outermost silicon dioxide was 10Ω / □. The obtained laminate had a total light transmittance of 85% and a haze of 1.0%. The total light transmittance after leaving in a constant temperature and humidity chamber of 60 ° C. and 95% RH for 1000 hours was 83% and haze was 1.2%. Moreover, the masking of the peripheral part was peeled off and a ground wire was attached with a conductive paste. The electromagnetic wave shielding characteristic was 45 dB.
[0044]
Example 6
A laminate was produced in the same manner as in Example 2 except that all the (A) layers in Example 2 were changed to 175 mm Ag metal thin films (total light transmittance of 75%). The surface resistivity before lamination of the outermost silicon dioxide was 0.5Ω / □. The obtained laminate had a total light transmittance of 67% and a haze of 3.0%. The total light transmittance after being left in a constant temperature and humidity chamber of 60 ° C. and 95% RH for 1000 hours was 65% and haze was 3.2%. Moreover, the masking of the peripheral part was peeled off and a ground wire was attached with a conductive paste. The electromagnetic wave shielding characteristic was 65 dB.
[0045]
Example 7
Except that all the (A) layers in Example 2 were changed to 100 Å Ag—Pd alloy thin films [Ag: Pd (atomic ratio) = 8: 2, total light transmittance 85%], the same as in Example 2. Thus, a laminate was produced. The surface resistivity before lamination of the outermost silicon dioxide was 5Ω / □. The obtained laminate had a total light transmittance of 70% and a haze of 2.0%. The total light transmittance after leaving in a constant temperature and humidity chamber at 60 ° C. and 95% RH for 1000 hours was 70% and haze was 2.0%, and there was no change. Moreover, the masking of the peripheral part was peeled off and a ground wire was attached with a conductive paste. The electromagnetic wave shielding characteristic was 50 dB.
[0046]
Example 8
Except that all the (A) layers of Example 2 were changed to 100 Å Ag—Au alloy thin films [Ag: Au (atomic ratio) = 9: 1, total light transmittance 85%], the same as Example 2 Thus, a laminate was produced. The surface resistivity before lamination of the outermost silicon dioxide was 5Ω / □. The obtained laminate had a total light transmittance of 70% and a haze of 2.0%. The total light transmittance after leaving in a constant temperature and humidity chamber of 60 ° C. and 95% RH for 1000 hours was 70% and haze was 2.0%. Moreover, the masking of the peripheral part was peeled off and a ground wire was attached with a conductive paste. The electromagnetic wave shielding characteristic was 50 dB.
[0047]
Example 9
Except that all the (A) layers of Example 2 were changed to 100 Å Ag—Cu alloy thin films [Ag: Cu (atomic ratio) = 9: 1, total light transmittance 85%], the same as Example 2 Thus, a laminate was produced. The surface resistivity before lamination of the outermost silicon dioxide was 5Ω / □. The obtained laminate had a total light transmittance of 70% and a haze of 2.0%. The total light transmittance after leaving in a constant temperature and humidity chamber of 60 ° C. and 95% RH for 1000 hours was 70% and haze was 2.0%. Moreover, the masking of the peripheral part was peeled off and a ground wire was attached with a conductive paste. The electromagnetic wave shielding characteristic was 50 dB.
[0048]
Example 10
The layer (B) of Example 2 was formed into 200Å ZnO-Al.2OThreeThin film [ZnO: Al2OThreeA laminate was prepared in the same manner as in Example 2 except that (weight ratio) = 98: 2, total light transmittance 85%. The surface resistivity before lamination of the outermost silicon dioxide was 1Ω / □. The obtained laminate had a total light transmittance of 70% and a haze of 2.0%. The total light transmittance after standing in a constant temperature and humidity chamber of 60 ° C. and 95% RH for 1000 hours was 68% and haze was 2.2%. Moreover, the masking of the peripheral part was peeled off and a ground wire was attached with a conductive paste. The electromagnetic wave shielding characteristic was 60 dB.
[0049]
Example 11
The layer (B) of Example 2 was replaced with 200 Ｓ SnO.2-Sb2OThreeThin film [SnO2: Sb2OThreeA laminate was prepared in the same manner as in Example 2 except that (weight ratio) = 95: 5, total light transmittance 85%. The surface resistivity before lamination of the outermost silicon dioxide was 1Ω / □. The obtained laminate had a total light transmittance of 70% and a haze of 2.0%. The total light transmittance after standing in a constant temperature and humidity chamber of 60 ° C. and 95% RH for 1000 hours was 68% and haze was 2.2%. Moreover, the masking of the peripheral part was peeled off and a ground wire was attached with a conductive paste. The electromagnetic wave shielding characteristic was 60 dB.
[0050]
Example 12
The layer (B) of Example 2 was changed to 200 Ｉｎ In.2OThree-ZnO thin film [In2OThree: ZnO (weight ratio) = 80: 20, total light transmittance 85%], a laminate was produced in the same manner as in Example 2. The surface resistivity before lamination of the outermost silicon dioxide was 1Ω / □. The obtained laminate had a total light transmittance of 70% and a haze of 2.0%. The total light transmittance after standing in a constant temperature and humidity chamber of 60 ° C. and 95% RH for 1000 hours was 68% and haze was 2.2%. Moreover, the masking of the peripheral part was peeled off and a ground wire was attached with a conductive paste. The electromagnetic wave shielding characteristic was 60 dB.
[0051]
Example 13
The layer (B) of Example 2 was changed to 200 Ｉｎ In.2OThree-SnO2Thin film [In2OThree: SnO2(Weight ratio) = 90: 10, total light transmittance was 85%], and a laminate was produced in the same manner as in Example 2. The surface resistivity before lamination of the outermost silicon dioxide was 1Ω / □. The obtained laminate had a total light transmittance of 70% and a haze of 2.0%. The total light transmittance after standing in a constant temperature and humidity chamber of 60 ° C. and 95% RH for 1000 hours was 68% and haze was 2.2%. Moreover, the masking of the peripheral part was peeled off and a ground wire was attached with a conductive paste. The electromagnetic wave shielding characteristic was 60 dB.
[0052]
Example 14
The layer (C) of Example 3 is made of 200 Ａｌ Al.2OThree-SiO2Thin film [Al: Si (atomic ratio) = 30: 70, total light transmittance 95%, oxygen transmission coefficient 0.5 cc / atm · m2・ Day, water vapor transmission coefficient 0.5g / m2A laminated body was produced in the same manner as in Example 3 except that [day] was changed. The surface resistivity before lamination of the outermost silicon dioxide was 5Ω / □. The obtained laminate had a total light transmittance of 75% and a haze of 2.0%. The total light transmittance after leaving in a constant temperature and humidity chamber of 60 ° C. and 95% RH for 1000 hours was 75% and haze was 2.0%. Moreover, the masking of the peripheral part was peeled off and a ground wire was attached with a conductive paste. The electromagnetic wave shielding characteristic was 50 dB.
[0053]
Example 15
The layer (C) of Example 3 was replaced with 200 mm of ZrO.2-SiO2Thin film [Zr: Si (atomic ratio) = 1: 1, total light transmittance 95%, oxygen transmission coefficient 0.5 cc / atm · m2・ Day, water vapor transmission coefficient 0.5g / m2A laminated body was produced in the same manner as in Example 3 except that [day] was changed. The surface resistivity before lamination of the outermost silicon dioxide was 5Ω / □. The obtained laminate had a total light transmittance of 75% and a haze of 2.0%. The total light transmittance after leaving in a constant temperature and humidity chamber of 60 ° C. and 95% RH for 1000 hours was 75% and haze was 2.0%. Moreover, the masking of the peripheral part was peeled off and a ground wire was attached with a conductive paste. The electromagnetic wave shielding characteristic was 50 dB.
[0054]
Comparative Example 1
A 100 mm Ag metal thin film (total light transmittance 85%) was laminated by DC magnetron sputtering on a biaxially stretched polyethylene terephthalate film substrate (total light transmittance 92%) having a length of 300 mm, a width of 210 mm, and a thickness of 188 μm. The obtained laminate had a surface resistivity of 5Ω / □, a total light transmittance of 80%, and a haze of 1.5%. Moreover, after leaving this laminated body in a constant temperature and humidity chamber of 60 ° C. and 95% RH for 1000 hours, the surface resistivity is 100Ω / □ or more, the total light transmittance is 50% or less, and the haze is 10% or more. In terms of appearance, discoloration of the Ag film due to oxidation was observed.
[0055]
Comparative Example 2
It laminated | stacked similarly to Example 1 except not laminating | stacking the (C) layer of Example 1. FIG. The laminate had a surface resistivity of 2Ω / □. The obtained laminate had a total light transmittance of 75% and a haze of 2.0%. The total light transmittance after being left in a constant temperature and humidity chamber of 60 ° C. and 95% RH for 1000 hours was 55% and haze was 10%, and discoloration of the Ag film was also observed in appearance.
[0056]
Comparative Example 3
A laminate was produced in the same manner as in Example 2 except that all the (A) layers in Example 2 were changed to 30 mm Ag metal thin films (total light transmittance of 92%). The metal thin film layer had a discontinuous island structure and was not sufficiently conductive (surface resistivity ∞Ω / □ before lamination of the outermost silicon dioxide layer).
[0057]
Comparative Example 4
A laminate was produced in the same manner as in Example 2 except that all the (A) layers in Example 2 were changed to 300 mm Ag metal thin films (total light transmittance of 2% or less). The obtained laminate was an opaque total reflection film (total light transmittance of 1% or less).
[0058]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to provide a transparent conductive film having excellent environmental stability, in particular, translucency and electric conductivity. Therefore, the transparent conductive film of the present invention is useful as an electromagnetic wave shielding filter, particularly as an electromagnetic wave shielding filter for plasma display.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a structural example of a transparent conductive film of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing another configuration example of the transparent conductive film of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing another configuration example of the transparent conductive film of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing another configuration example of the transparent conductive film of the present invention.
[Explanation of symbols]
(A) Metal thin film
(B) Transparent conductive thin film
(C) Transparent gas barrier thin film
(D) Transparent polymer film
Claims (6)
（Ａ）層；Ａｇを主成分とする厚さ５０Å〜２００Åの金属薄膜層。
（Ｂ）層；Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｂからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有してなる透明導電薄膜層。
（Ｃ）層；Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＣｅからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有してなる透明ガスバリア薄膜層。 A transparent conductive film having at least a laminated structure in which four layers of (A) layer / (B) layer / (A) layer / (C) layer are laminated in this order on a transparent polymer film.
(A) Layer: a metal thin film layer having a thickness of 50 to 200 mm mainly composed of Ag.
(B) Layer: A transparent conductive thin film layer comprising an oxide of one or more metals selected from the group consisting of In, Sn, Cd, Zn, Al and Sb.
(C) Layer: A transparent gas barrier thin film layer comprising an oxide of one or more metals selected from the group consisting of Mg, Ca, Al, Si, Ti, Zr and Ce.
（Ａ）層；Ａｇを主成分とする厚さ５０Å〜２００Åの金属薄膜層。
（Ｃ）層；Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＣｅからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有してなる透明ガスバリア薄膜層。 On the transparent polymer film , (A) layer / (C) layer / (A) layer / (C) layer has a laminated structure in which four layers are laminated in this order, and the outer peripheral shape of both (C) layers Is smaller than the outer peripheral shape of the (A) layer, the two (A) layers are electrically connected, and the two (A) layers are on the upper layer side from the transparent polymer film. (A) The transparent conductive film whose layer can connect the terminal from the outside electrically.
(A) Layer: a metal thin film layer having a thickness of 50 to 200 mm mainly composed of Ag.
(C) Layer: A transparent gas barrier thin film layer comprising an oxide of one or more metals selected from the group consisting of Mg, Ca, Al, Si, Ti, Zr and Ce.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17955897A JP3924849B2 (en) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | Transparent conductive film and electromagnetic wave shielding filter using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17955897A JP3924849B2 (en) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | Transparent conductive film and electromagnetic wave shielding filter using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1120076A JPH1120076A (en) | 1999-01-26 |
| JP3924849B2 true JP3924849B2 (en) | 2007-06-06 |
Family
ID=16067844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17955897A Expired - Fee Related JP3924849B2 (en) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | Transparent conductive film and electromagnetic wave shielding filter using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3924849B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102177015A (en) * | 2008-10-14 | 2011-09-07 | Jx日矿日石金属株式会社 | Metal foil with electric resistance film and method for manufacturing the metal foil |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006058896A (en) * | 2000-02-01 | 2006-03-02 | Mitsui Chemicals Inc | Filter for plasma display, and display device and method for manufacturing the same |
| JP2001328199A (en) * | 2000-05-18 | 2001-11-27 | Bridgestone Corp | Laminated film |
| KR101096128B1 (en) * | 2004-03-31 | 2011-12-20 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | Antistatic antireflective film capable of preventing occurrence of interference fringe |
| US7733025B2 (en) | 2004-12-01 | 2010-06-08 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel |
| KR100709216B1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | Plasma display panel |
| US8138429B2 (en) | 2008-12-17 | 2012-03-20 | 3M Innovative Properties Company | Electromagnetic shielding article |
-
1997
- 1997-07-04 JP JP17955897A patent/JP3924849B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102177015A (en) * | 2008-10-14 | 2011-09-07 | Jx日矿日石金属株式会社 | Metal foil with electric resistance film and method for manufacturing the metal foil |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1120076A (en) | 1999-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4666087B2 (en) | Protection plate for plasma display | |
| KR100587200B1 (en) | Electromagnetic wave filter for plasma display panel | |
| JP4837654B2 (en) | Conductive laminate, electromagnetic wave shielding film for plasma display, and protective plate for plasma display | |
| JP5023556B2 (en) | Conductive laminate, electromagnetic wave shielding film for plasma display, and protective plate for plasma display | |
| WO2004042436A1 (en) | Optical filter | |
| EP1819210B1 (en) | Electroconductive laminate, manufacturing process thereof, electromagnetic wave shielding film and protective plate for plasma display | |
| JP4893097B2 (en) | Conductive laminate and protective plate for plasma display | |
| JP2000294980A (en) | Translucent electromagnetic wave filter and fabrication thereof | |
| JP2012009873A (en) | Conductive stacked body, manufacturing method for the same, electromagnetic wave shielding film for plasma display, and protection plate for plasma display | |
| WO2003037056A1 (en) | Substrate with electromagnetic shield film | |
| JP3053668B2 (en) | Heat shielding film | |
| JP3924849B2 (en) | Transparent conductive film and electromagnetic wave shielding filter using the same | |
| JP4355327B2 (en) | Protection plate for plasma display | |
| JP2006156927A (en) | Electromagnetic wave cutoff film for plasma display, and protective plate for plasma display | |
| JP2006313918A5 (en) | ||
| JP2000059082A (en) | Electromagnetic wave filter | |
| JP3924846B2 (en) | Transparent conductive film | |
| JP2005072255A (en) | Electromagnetic wave shielding sheet for plasma display and method of manufacturing the same | |
| JP2006243757A (en) | Protective plate for plasma display and manufacturing method thereof | |
| JP2006133799A (en) | Protective plate for plasma display and manufacturing method thereof | |
| JP2000106044A (en) | Surface resistance lowering method for transparent conductive film | |
| JP2000062082A (en) | Electromagnetic wave shielded film | |
| JP4086905B2 (en) | Protection plate for plasma display and manufacturing method thereof | |
| JP2006163428A (en) | Protective plate for plasma display and method for producing the same | |
| JP4135235B2 (en) | Laminated body and method for producing the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040304 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051213 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060104 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060301 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070206 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070219 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100309 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110309 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110309 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120309 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120309 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130309 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140309 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |