JP4893097B2 - Conductive laminate and protective plate for plasma display - Google Patents

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本発明は、導電性積層体およびプラズマディスプレイ用保護板に関する。   The present invention relates to a conductive laminate and a protective plate for plasma display.

透明性を有する導電性積層体は、液晶表示素子等の透明電極、自動車風防ガラス、ヒートミラー、電磁波遮蔽窓ガラス等として用いられている。
また、導電性積層体は、プラズマディスプレイ用電磁波遮蔽フィルムとしても用いられている。プラズマディスプレイパネル(以下、PDPと記す。)の前面からは電磁波が放出されているため、その電磁波を遮蔽することを目的として、PDPの観察者側には、プラスチックフィルム等の基体上に導電膜が形成された電磁波遮蔽フィルム、または該電磁波遮蔽フィルムを有する保護板が配置されている。
The conductive laminate having transparency is used as a transparent electrode such as a liquid crystal display element, an automobile windshield, a heat mirror, an electromagnetic wave shielding window glass, and the like.
In addition, the conductive laminate is also used as an electromagnetic wave shielding film for plasma display. Since electromagnetic waves are emitted from the front of the plasma display panel (hereinafter referred to as PDP), a conductive film is placed on a substrate such as a plastic film on the viewer side of the PDP for the purpose of shielding the electromagnetic waves. An electromagnetic wave shielding film on which is formed, or a protective plate having the electromagnetic wave shielding film is disposed.

電磁波遮蔽フィルムとしては、たとえば、金属薄膜層と、金属酸化物からなる高屈折率透明薄膜層とが交互に積層された導電膜を有するディスプレイ用フィルタが開示されている(特許文献1)。そして、特許文献1には、各層の成膜方法としては、膜厚制御、多層積層の点から、スパッタ法が好適であると記載されている。
電磁波遮蔽フィルムには、(i)導電性(電磁波遮蔽性)に優れていること、(ii)可視光領域全体にわたって透過率が高いことおよび可視光領域全体にわたって反射率が低いこと、すなわち透過・反射バンドが広いこと、(iii)近赤外線遮蔽性に優れていることが求められる。
As an electromagnetic wave shielding film, for example, a display filter having a conductive film in which metal thin film layers and high refractive index transparent thin film layers made of metal oxide are alternately laminated is disclosed (Patent Document 1). Patent Document 1 describes that a sputtering method is preferable as a method for forming each layer from the viewpoint of film thickness control and multilayer lamination.
The electromagnetic wave shielding film has (i) excellent conductivity (electromagnetic wave shielding property), (ii) high transmittance over the entire visible light region and low reflectance over the entire visible light region, that is, A wide reflection band and (iii) excellent near-infrared shielding properties are required.

しかし、特許文献1の実施例に記載された、金属薄膜層が3〜5層のディスプレイ用フィルタにおいては、スパッタ法により導電膜を成膜した場合、画質は向上するものの、導電膜の抵抗値が高くなり、電磁波遮蔽性が不足することがある。一方、抵抗値を低くするために、金属薄膜層の膜厚を厚くすると、透過・反射バンドが狭くなる。
抵抗値を低くし、透過・反射バンドを広げるためには、金属薄膜層の積層数を増やせばよい。しかし、金属薄膜層を6層以上にすると、可視光透過性が低下する。また、金属薄膜層をあまり増やしすぎると、電磁波遮蔽フィルムにおける内部応力が増加し、該フィルムがカールしたり、導電膜が破断して抵抗値が高くなったりする。
特許第3004222号公報
However, in the display filter having 3 to 5 metal thin film layers described in the example of Patent Document 1, when the conductive film is formed by the sputtering method, the image quality is improved, but the resistance value of the conductive film is improved. May become high and electromagnetic shielding properties may be insufficient. On the other hand, when the thickness of the metal thin film layer is increased in order to reduce the resistance value, the transmission / reflection band becomes narrower.
In order to reduce the resistance value and widen the transmission / reflection band, the number of metal thin film layers may be increased. However, when the number of metal thin film layers is six or more, the visible light transmittance is lowered. On the other hand, if the number of the metal thin film layers is increased too much, the internal stress in the electromagnetic wave shielding film increases and the film curls or the conductive film breaks to increase the resistance value.
Japanese Patent No. 3004222

本発明は、導電性(電磁波遮蔽性)および近赤外線遮蔽性に優れ、透過・反射バンドが広く、内部応力の増加が抑制された導電性積層体およびプラズマディスプレイ用保護板を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a conductive laminate and a plasma display protective plate that have excellent conductivity (electromagnetic wave shielding properties) and near-infrared shielding properties, have a wide transmission / reflection band, and suppress an increase in internal stress. And

本発明の導電性積層体は、基体と、基体上に形成された導電膜とを有する導電性積層体であって、前記導電膜は、基体側から酸化物膜と金属膜とが交互に積層され、金属膜の積層数がnであり、酸化物膜の積層数がn+1である(ただし、nは6〜8である。)多層構造体であり、前記酸化物膜が、酸化亜鉛および酸化チタンを含む膜であり、前記金属膜が、純銀からなる膜、または金および/またはビスマスを含有する銀合金を主成分として含有する膜であることを特徴とする。 The conductive laminate of the present invention is a conductive laminate having a substrate and a conductive film formed on the substrate, and the conductive film is formed by alternately stacking oxide films and metal films from the substrate side. The number of stacked metal films is n, and the number of stacked oxide films is n + 1 (where n is 6 to 8), and the oxide film includes zinc oxide and oxide. It is a film containing titanium , and the metal film is a film made of pure silver or a film containing a silver alloy containing gold and / or bismuth as a main component.

本発明の導電性積層体においては、基体から1番目の酸化物膜が、第1の酸化物層を有し;基体から2〜n番目の酸化物膜が2層の酸化物層を有し、基体に近い酸化物層が第2の酸化物層であり、もう一方の酸化物層が第1の酸化物層であり;基体からn+1番目の酸化物膜が、第2の酸化物層を有し、前記第1の酸化物層が、酸化亜鉛および酸化チタンを含む層であり、前記第2の酸化物層が、酸化亜鉛および酸化アルミニウムを含む層であってもよい。 In the conductive laminate of the present invention, the first oxide film from the substrate has the first oxide layer; the 2nd to nth oxide films from the substrate have the two oxide layers. The oxide layer close to the substrate is the second oxide layer, and the other oxide layer is the first oxide layer; the (n + 1) th oxide film from the substrate is the second oxide layer. And the first oxide layer may be a layer containing zinc oxide and titanium oxide, and the second oxide layer may be a layer containing zinc oxide and aluminum oxide .

本発明の導電性積層体においては、基体から1番目の酸化物膜が、第1の酸化物層の基体側に、屈折率が2.0以上である金属酸化物からなる高屈折率層を有し;基体から2〜n番目の酸化物膜が、第1の酸化物層と第2の酸化物層との間に、屈折率が2.0以上である金属酸化物からなる高屈折率層を有し;基体からn+1番目の酸化物膜が、第2の酸化物層の基体側とは反対側に、屈折率が2.0以上である金属酸化物からなる高屈折率層を有し、前記第1の酸化物層が、酸化亜鉛および酸化チタンを含む層であり、前記第2の酸化物層が、酸化亜鉛および酸化チタンを含む層、または酸化亜鉛および酸化アルミニウムを含む層であってもよい。 In the conductive laminate of the present invention, the first oxide film from the base is provided with a high refractive index layer made of a metal oxide having a refractive index of 2.0 or more on the base side of the first oxide layer. A high refractive index in which the 2nd to nth oxide films from the substrate are made of a metal oxide having a refractive index of 2.0 or more between the first oxide layer and the second oxide layer. The n + 1th oxide film from the substrate has a high refractive index layer made of a metal oxide having a refractive index of 2.0 or more on the side opposite to the substrate side of the second oxide layer. The first oxide layer is a layer containing zinc oxide and titanium oxide, and the second oxide layer is a layer containing zinc oxide and titanium oxide, or a layer containing zinc oxide and aluminum oxide. it may be.

本発明のプラズマディスプレイ用保護板は、支持基体と、該支持基体上に設けられた本発明の導電性積層体と、該導電性積層体の周縁部に設けられて前記導電膜に電気的に接している電極とを有することを特徴とする。 The protective plate for plasma display of the present invention includes a support base, the conductive laminate of the present invention provided on the support base, and a peripheral portion of the conductive laminate to electrically connect to the conductive film. And an electrode in contact therewith.

本発明の導電性積層体は、導電性(電磁波遮蔽性)および近赤外線遮蔽性に優れ、透過・反射バンドが広く、内部応力の増加が抑制されている。
本発明のプラズマディスプレイ用保護板は、導電性(電磁波遮蔽性)および近赤外線遮蔽性に優れ、透過・反射バンドが広い。
The conductive laminate of the present invention is excellent in conductivity (electromagnetic wave shielding property) and near infrared shielding property, has a wide transmission / reflection band, and suppresses an increase in internal stress.
The protective plate for plasma display of the present invention is excellent in conductivity (electromagnetic wave shielding property) and near infrared shielding property, and has a wide transmission / reflection band.

<導電性積層体>
図1は、本発明の導電性積層体の一例を示す断面図である。導電性積層体10は、基体12と、導電膜14とを有する。
<Conductive laminate>
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the conductive laminate of the present invention. The conductive laminate 10 has a base 12 and a conductive film 14.

(基体)
基体12としては、透明基体が好ましい。透明とは、可視光領域の波長の光を透過することを意味する。
透明基体の材質としては、ガラス(風冷強化ガラス、化学強化ガラス等の強化ガラスを含む。);ポリエチレンテレフタレート(PET)、トリアセチルセルロース(TAC)、ポリカーボネート(PC)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)等のプラスチック等が挙げられる。
(Substrate)
The substrate 12 is preferably a transparent substrate. The term “transparent” means that light having a wavelength in the visible light region is transmitted.
As the material of the transparent substrate, glass (including tempered glass such as air-cooled tempered glass and chemically tempered glass); polyethylene terephthalate (PET), triacetyl cellulose (TAC), polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA) And the like.

(導電膜)
導電膜14は、基体12側から酸化物膜20と金属膜30とが交互に積層され、金属膜の積層数がnであり、酸化物膜の積層数がn+1である(ただし、nは6〜8である。)多層構造体である。図示例はn=6である。
nを6以上とすることにより、導電性(電磁波遮蔽性)に優れ、かつ透過・反射バンドが広くなる。nを8以下とすることにより、内部応力の増加が抑えられる。
(Conductive film)
In the conductive film 14, the oxide film 20 and the metal film 30 are alternately stacked from the substrate 12 side, the number of stacked metal films is n, and the number of stacked oxide films is n + 1 (where n is 6). ˜8.) A multilayer structure. In the illustrated example, n = 6.
By setting n to 6 or more, the conductivity (electromagnetic wave shielding property) is excellent and the transmission / reflection band is widened. By setting n to 8 or less, an increase in internal stress can be suppressed.

導電膜14の抵抗値は、導電性(電磁波遮蔽性)を充分に確保するため、3.5Ω以下が好ましく、2.5Ω以下がより好ましく、1.5Ω以下が特に好ましい。導電膜14の抵抗値を充分に低くするために、導電膜14の比抵抗は、5.0μΩcm以下が好ましく、4.5μΩcm以下がより好ましい。   The resistance value of the conductive film 14 is preferably 3.5Ω or less, more preferably 2.5Ω or less, and particularly preferably 1.5Ω or less in order to sufficiently secure conductivity (electromagnetic wave shielding). In order to sufficiently reduce the resistance value of the conductive film 14, the specific resistance of the conductive film 14 is preferably 5.0 μΩcm or less, and more preferably 4.5 μΩcm or less.

(酸化物膜)
酸化物膜20は、金属酸化物からなる膜である。金属酸化物としては、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ、酸化ガリウム、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化アルミニウム等が挙げられる。酸化物膜20は、1種の金属酸化物からなる膜であってもよく、2種以上の金属酸化物からなる膜であってもよい。
(Oxide film)
The oxide film 20 is a film made of a metal oxide. Examples of the metal oxide include zinc oxide, indium oxide, tin oxide, gallium oxide, titanium oxide, niobium oxide, and aluminum oxide. The oxide film 20 may be a film made of one kind of metal oxide or a film made of two or more kinds of metal oxides.

酸化物膜20としては、抵抗値を低く抑えつつ金属膜30を薄く成膜でき、金属膜30の積層数を6〜8にしても、可視光透過性の低下が充分に抑えられる点から、酸化亜鉛を含む膜、酸化スズおよび酸化インジウムを主成分とする膜(以下、ITO膜と記す。)、酸化スズ、酸化インジウムおよび酸化ガリウムを主成分とする膜(以下、GIT膜と記す)が好ましく、酸化亜鉛を含む膜が特に好ましい。   As the oxide film 20, the metal film 30 can be thinly formed while keeping the resistance value low, and even if the number of stacked metal films 30 is 6 to 8, the decrease in visible light transmittance can be sufficiently suppressed. A film containing zinc oxide, a film containing tin oxide and indium oxide as main components (hereinafter referred to as ITO film), and a film containing tin oxide, indium oxide and gallium oxide as main components (hereinafter referred to as GIT film). Preferably, a film containing zinc oxide is particularly preferable.

酸化亜鉛を含む膜としては、酸化亜鉛および酸化チタンを主成分とする膜(以下、SZO膜と記す。)、酸化亜鉛および酸化ガリウムを主成分とする膜(以下、GZO膜と記す。)、酸化亜鉛および酸化ニオブを主成分とする膜(以下、NZO膜と記す。)、酸化亜鉛および酸化アルミニウムを主成分とする膜(以下、AZO膜と記す。)等が挙げられ、金属膜30の抵抗値を低く抑えつつ金属膜30を薄くできる点から、SZO膜、GZO膜、NZO膜が好ましい。   As a film containing zinc oxide, a film containing zinc oxide and titanium oxide as main components (hereinafter referred to as an SZO film), a film containing zinc oxide and gallium oxide as main components (hereinafter referred to as a GZO film), Examples of the metal film 30 include a film mainly containing zinc oxide and niobium oxide (hereinafter referred to as an NZO film), a film mainly containing zinc oxide and aluminum oxide (hereinafter referred to as an AZO film), and the like. An SZO film, a GZO film, and an NZO film are preferable because the metal film 30 can be made thin while keeping the resistance value low.

SZO膜:
SZO膜において、亜鉛およびチタンは、酸化亜鉛、酸化チタン、およびこれらの複合酸化物が混合した形で存在すると考えられる。したがって、SZO膜における酸化亜鉛および酸化チタンの含有量は、ESCA(X線光電子分光法)またはラザフォード後方散乱法(RBS:Rutherford Backscattering Spectroscopy)により測定して求められた各金属の含有量の酸化物換算(ZnO、TiO2 )として表すこととする。
亜鉛およびチタンの含有量の合計は、酸化物換算(ZnO、TiO2 )で、SZO膜(酸化物換算100質量%)のうち、95質量%以上が好ましく、99質量%以上がより好ましい。該範囲とすることにより、ターゲット表面に発生する黒色の析出物(異常放電の原因となる。)の生成を抑制できる。
SZO film:
In the SZO film, it is considered that zinc and titanium exist in a form in which zinc oxide, titanium oxide, and a composite oxide thereof are mixed. Therefore, the content of zinc oxide and titanium oxide in the SZO film is determined by measuring the content of each metal obtained by ESCA (X-ray photoelectron spectroscopy) or Rutherford Backscattering Spectroscopy (RBS). It shall be expressed as conversion (ZnO, TiO 2 ).
The total content of zinc and titanium is oxide conversion (ZnO, TiO 2 ), and is preferably 95% by mass or more and more preferably 99% by mass or more in the SZO film (100% by mass in terms of oxide). By setting it as this range, the production | generation of the black deposit (causing abnormal discharge) which generate | occur | produces on the target surface can be suppressed.

チタンの割合は、亜鉛とチタンとの合計(100原子%)のうち、5〜50原子%が好ましく、5〜20原子%がより好ましい。チタンの割合を5原子%以上とすることにより、抵抗値が低く、かつ耐湿性が良好な導電膜14を形成できる。チタンの割合を50原子%以下とすることにより、酸化亜鉛の特性および高い成膜効率を維持できる。
SZO膜には、物性を損なわない範囲で、亜鉛およびチタンを除く他の金属が酸化物として含まれていてもよい。他の金属としては、たとえば、ガリウム、ニオブ、アルミニウム、インジウム、スズ等が挙げられる。
The proportion of titanium is preferably 5 to 50 atomic percent and more preferably 5 to 20 atomic percent of the total of zinc and titanium (100 atomic percent). By setting the ratio of titanium to 5 atomic% or more, the conductive film 14 having a low resistance value and good moisture resistance can be formed. By setting the ratio of titanium to 50 atomic% or less, the characteristics of zinc oxide and high film formation efficiency can be maintained.
The SZO film may contain other metals other than zinc and titanium as oxides as long as the physical properties are not impaired. Examples of other metals include gallium, niobium, aluminum, indium, and tin.

GZO膜:
GZO膜において、亜鉛およびガリウムは、酸化亜鉛、酸化ガリウム、およびこれらの複合酸化物が混合した形で存在すると考えられる。したがって、GZO膜における酸化亜鉛および酸化ガリウムの含有量は、ESCAまたはラザフォード後方散乱法により測定して求められた各金属の含有量の酸化物換算(ZnO、Ga23)として表すこととする。
亜鉛およびガリウムの含有量の合計は、酸化物換算(ZnO、Ga23)で、GZO膜(酸化物換算100質量%)のうち、95質量%以上が好ましく、99質量%以上がより好ましい。該範囲とすることにより、ターゲット表面に発生する黒色の析出物(異常放電の原因となる。)の生成を抑制できる。
GZO film:
In the GZO film, zinc and gallium are considered to exist in a mixed form of zinc oxide, gallium oxide, and composite oxides thereof. Therefore, the contents of zinc oxide and gallium oxide in the GZO film are expressed as oxide equivalents (ZnO, Ga 2 O 3 ) of the contents of each metal obtained by measurement by ESCA or Rutherford backscattering method. .
The total content of zinc and gallium is oxide equivalent (ZnO, Ga 2 O 3 ), preferably 95% by mass or more, more preferably 99% by mass or more in the GZO film (100% by mass in terms of oxide). . By setting it as this range, the production | generation of the black deposit (causing abnormal discharge) which generate | occur | produces on the target surface can be suppressed.

ガリウムの割合は、亜鉛とガリウムとの合計(100原子%)のうち、1〜10原子%が好ましく、2〜5原子%がより好ましい。ガリウムの割合を1原子%以上とすることにより、抵抗値が低く、かつ耐湿性が良好な導電膜14を形成できる。ガリウムの割合を10原子%以下とすることにより、酸化亜鉛の特性および高い成膜効率を維持できる。
GZO膜には、物性を損なわない範囲で、亜鉛およびガリウムを除く他の金属が酸化物として含まれていてもよい。他の金属としては、たとえば、チタン、ニオブ、アルミニウム、インジウム、スズ等が挙げられる。
The proportion of gallium is preferably 1 to 10 atomic percent and more preferably 2 to 5 atomic percent in the total of zinc and gallium (100 atomic percent). By setting the ratio of gallium to 1 atomic% or more, the conductive film 14 having a low resistance value and good moisture resistance can be formed. By setting the ratio of gallium to 10 atomic% or less, the characteristics of zinc oxide and high film formation efficiency can be maintained.
The GZO film may contain other metals other than zinc and gallium as oxides as long as the physical properties are not impaired. Examples of other metals include titanium, niobium, aluminum, indium, and tin.

NZO膜:
NZO膜において、亜鉛およびニオブは、酸化亜鉛、酸化ニオブ、およびこれらの複合酸化物が混合した形で存在すると考えられる。したがって、NZO膜における酸化亜鉛および酸化ニオブの含有量は、ESCAまたはラザフォード後方散乱法により測定して求められた各金属の含有量の酸化物換算(ZnO、Nb25)として表すこととする。
亜鉛およびニオブの含有量の合計は、酸化物換算(ZnO、Nb25)で、NZO膜(酸化物換算100質量%)のうち、95質量%以上が好ましく、99質量%以上がより好ましい。該範囲とすることにより、ターゲット表面に発生する黒色の析出物(異常放電の原因となる。)の生成を抑制できる。
NZO film:
In the NZO film, it is considered that zinc and niobium are present in the form of a mixture of zinc oxide, niobium oxide, and a composite oxide thereof. Accordingly, the contents of zinc oxide and niobium oxide in the NZO film are expressed as oxide equivalents (ZnO, Nb 2 O 5 ) of the contents of each metal determined by measurement by ESCA or Rutherford backscattering method. .
The total content of zinc and niobium is in terms of oxide (ZnO, Nb 2 O 5 ) and is preferably 95% by mass or more and more preferably 99% by mass or more in the NZO film (100% by mass in terms of oxide). . By setting it as this range, the production | generation of the black deposit (causing abnormal discharge) which generate | occur | produces on the target surface can be suppressed.

ニオブの割合は、亜鉛とニオブとの合計(100原子%)のうち、1〜7原子%が好ましく、1〜4原子%がより好ましい。ニオブの割合を1原子%以上とすることにより、抵抗値が低く、かつ耐湿性が良好な導電膜14を形成できる。ニオブの割合を7原子%以下とすることにより、酸化亜鉛の特性および高い成膜効率を維持できる。
NZO膜には、物性を損なわない範囲で、亜鉛およびニオブを除く他の金属が酸化物として含まれていてもよい。他の金属としては、たとえば、チタン、ガリウム、アルミニウム、インジウム、スズ等が挙げられる。
The ratio of niobium is preferably 1 to 7 atomic%, more preferably 1 to 4 atomic%, in the total of zinc and niobium (100 atomic%). By setting the ratio of niobium to 1 atomic% or more, the conductive film 14 having a low resistance value and good moisture resistance can be formed. By setting the ratio of niobium to 7 atomic% or less, the characteristics of zinc oxide and high film formation efficiency can be maintained.
The NZO film may contain an oxide other than zinc and niobium as long as the physical properties are not impaired. Examples of other metals include titanium, gallium, aluminum, indium, and tin.

AZO膜:
AZO膜において、亜鉛およびアルミニウムは、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、およびこれらの複合酸化物が混合した形で存在すると考えられる。したがって、AZO膜における酸化亜鉛および酸化アルミニウムの含有量は、ESCAまたはラザフォード後方散乱法により測定して求められた各金属の含有量の酸化物換算(ZnO、Al23)として表すこととする。
亜鉛およびアルミニウムの含有量の合計は、酸化物換算(ZnO、Al23)で、AZO膜(酸化物換算100質量%)のうち、95質量%以上が好ましく、99質量%以上がより好ましい。該範囲とすることにより、ターゲット表面に発生する黒色の析出物(異常放電の原因となる。)の生成を抑制できる。
AZO film:
In the AZO film, it is considered that zinc and aluminum are present in a mixed form of zinc oxide, aluminum oxide, and a composite oxide thereof. Accordingly, the contents of zinc oxide and aluminum oxide in the AZO film are expressed as oxide equivalents (ZnO, Al 2 O 3 ) of the contents of each metal determined by measurement by ESCA or Rutherford backscattering method. .
The total content of zinc and aluminum is oxide conversion (ZnO, Al 2 O 3 ), preferably 95% by mass or more, more preferably 99% by mass or more in the AZO film (100% by mass in terms of oxide). . By setting it as this range, the production | generation of the black deposit (causing abnormal discharge) which generate | occur | produces on the target surface can be suppressed.

アルミニウムの割合は、亜鉛とアルミニウムとの合計(100原子%)のうち、1〜10原子%が好ましく、3〜7原子%がより好ましい。アルミニウムの割合を1原子%以上とすることにより、抵抗値が低く、かつ耐湿性が良好な導電膜14を形成できる。アルミニウムの割合を10原子%以下とすることにより、酸化亜鉛の特性および高い成膜効率を維持できる。
AZO膜には、物性を損なわない範囲で、亜鉛およびアルミニウムを除く他の金属が酸化物として含まれていてもよい。他の金属としては、たとえば、チタン、ガリウム、ニオブ、スズ、インジウム等が挙げられる。
The proportion of aluminum is preferably 1 to 10 atomic percent and more preferably 3 to 7 atomic percent in the total of zinc and aluminum (100 atomic percent). By setting the ratio of aluminum to 1 atomic% or more, the conductive film 14 having a low resistance value and good moisture resistance can be formed. By setting the proportion of aluminum to 10 atomic% or less, the characteristics of zinc oxide and high film formation efficiency can be maintained.
The AZO film may contain other metals other than zinc and aluminum as oxides as long as the physical properties are not impaired. Examples of other metals include titanium, gallium, niobium, tin, and indium.

酸化物膜20の物理的膜厚(以下、単に膜厚と記す。)は、基体12から1番目およびn+1番目で20〜60nmが好ましく、30〜50nmがより好ましく、基体12から2〜n番目で40〜120nmが好ましく、40〜100nmがより好ましい。
膜厚は、触針式表面粗さ測定機により測定される。
The physical film thickness of the oxide film 20 (hereinafter simply referred to as the film thickness) is preferably 20 to 60 nm, more preferably 30 to 50 nm, more preferably 30 to 50 nm, and 2 to n th from the substrate 12. 40 to 120 nm is preferable, and 40 to 100 nm is more preferable.
The film thickness is measured by a stylus type surface roughness measuring machine.

基体12から2〜n番目の酸化物膜20は、図2に示すように、2層の酸化物層を有していてもよい。
基体12から2〜n番目の酸化物膜20が2層の酸化物層を有する場合、基体12から2〜n番目の酸化物膜20において、基体12に近い酸化物層が第2の酸化物層24となり、もう一方の酸化物層が第1の酸化物層22となる。また、基体から1番目の酸化物膜20が、第1の酸化物層22となり、基体12からn+1番目の酸化物膜20が、第2の酸化物層24となる。
The 2nd to nth oxide films 20 from the base 12 may have two oxide layers as shown in FIG.
When the 2nd to nth oxide films 20 from the base 12 have two oxide layers, the oxide layer close to the base 12 in the 2nd to nth oxide films 20 from the base 12 is the second oxide. Layer 24 and the other oxide layer become first oxide layer 22. In addition, the first oxide film 20 from the substrate becomes the first oxide layer 22, and the (n + 1) th oxide film 20 from the substrate 12 becomes the second oxide layer 24.

第1の酸化物層22としては、金属膜30を薄く成膜でき、金属膜30の積層数を6〜8にしても、可視光透過性の低下が充分に抑えられる点から、酸化亜鉛を含む膜、ITO膜、GIT膜が好ましく、酸化亜鉛を含む膜が特に好ましい。
酸化亜鉛を含む膜としては、SZO膜、GZO膜、NZO膜、AZO膜等が挙げられ、抵抗値が低く、かつ耐湿性が良好な導電膜14を形成できる点から、SZO膜、GZO膜、NZO膜が好ましく、SZO膜が特に好ましい。
As the first oxide layer 22, the metal film 30 can be thinly formed, and even if the number of stacked metal films 30 is 6 to 8, the reduction in visible light permeability is sufficiently suppressed. A film including ITO, a GIT film is preferable, and a film including zinc oxide is particularly preferable.
Examples of the film containing zinc oxide include an SZO film, a GZO film, an NZO film, an AZO film, and the like. From the point that a conductive film 14 having a low resistance value and good moisture resistance can be formed, an SZO film, a GZO film, NZO films are preferred, and SZO films are particularly preferred.

第2の酸化物層24は、第1の酸化物層22と同じ組成を有してもよく、異なる組成を有してもよい。ただし、第1の酸化物層22と同じ組成を有する場合、図1に示す層構成と同じになる。第2の酸化物層24としては、導電膜14の劣化防止の点から、酸化亜鉛を含む膜、酸化インジウムを含む膜、酸化スズを含む膜が好ましい。第1の酸化物層22がSZO膜である場合、第2の酸化物層24は、AZO膜またはNZO膜が好ましく、AZO膜が特に好ましい。   The second oxide layer 24 may have the same composition as the first oxide layer 22 or may have a different composition. However, when it has the same composition as the 1st oxide layer 22, it becomes the same as the layer structure shown in FIG. The second oxide layer 24 is preferably a film containing zinc oxide, a film containing indium oxide, or a film containing tin oxide from the viewpoint of preventing deterioration of the conductive film 14. When the first oxide layer 22 is an SZO film, the second oxide layer 24 is preferably an AZO film or an NZO film, and particularly preferably an AZO film.

酸化物膜20は、図3に示すように、高屈折率層26を有していてもよい。金属膜30を第1の酸化物層22または第2の酸化物層24を介して高屈折率層26で挟むことにより、可視光透過性が向上し、また、第1の酸化物層22または第2の酸化物層24を介することにより、金属膜30をより薄くできる。
酸化物膜20が高屈折率層26を有する場合、基体から1番目の酸化物膜20は、第1の酸化物層22の基体12側に高屈折率層26を有し、基体12から2〜n番目の酸化物膜20は、第1の酸化物層22と第2の酸化物層24との間に高屈折率層26を有し、基体12からn+1番目の酸化物膜20は、第2の酸化物層24の基体側とは反対側に高屈折率層26を有する。
The oxide film 20 may have a high refractive index layer 26 as shown in FIG. By sandwiching the metal film 30 with the high refractive index layer 26 via the first oxide layer 22 or the second oxide layer 24, visible light transmittance is improved, and the first oxide layer 22 or By using the second oxide layer 24, the metal film 30 can be made thinner.
When the oxide film 20 has the high refractive index layer 26, the first oxide film 20 from the base has the high refractive index layer 26 on the base 12 side of the first oxide layer 22, and 2 to 2 from the base 12. The nth oxide film 20 has a high refractive index layer 26 between the first oxide layer 22 and the second oxide layer 24, and the (n + 1) th oxide film 20 from the base 12 is A high refractive index layer 26 is provided on the opposite side of the second oxide layer 24 from the substrate side.

高屈折率層26は、屈折率が2.0以上である金属酸化物からなる層である。該屈折率は、2.0〜2.7が好ましい。屈折率を2.0以上とすることにより、導電膜14の積層数を増やしても可視光透過性を高く維持できる。屈折率とは、波長550nmにおける屈折率を意味する。   The high refractive index layer 26 is a layer made of a metal oxide having a refractive index of 2.0 or more. The refractive index is preferably 2.0 to 2.7. By setting the refractive index to 2.0 or more, visible light transmittance can be maintained high even when the number of stacked conductive films 14 is increased. The refractive index means a refractive index at a wavelength of 550 nm.

屈折率が2.0以上である金属酸化物としては、酸化ニオブ(屈折率2.35)、酸化チタン(屈折率2.45)、酸化タンタル(屈折率2.1〜2.2)等が挙げられ、屈折率が高く、成膜速度が速い等の点から、酸化ニオブ、酸化チタンが好ましく、酸化ニオブがより好ましい。
高屈折率層26は、高屈折率層26(100質量%)中に酸化ニオブまたは酸化チタンを90質量%以上含んでいることが好ましく、実質的に酸化ニオブまたは酸化チタンからなることがより好ましい。
高屈折率層26の膜厚は、20〜50nmが好ましく、30〜40nmがより好ましい。
Examples of the metal oxide having a refractive index of 2.0 or more include niobium oxide (refractive index 2.35), titanium oxide (refractive index 2.45), and tantalum oxide (refractive index 2.1 to 2.2). Niobium oxide and titanium oxide are preferable, and niobium oxide is more preferable from the viewpoints of high refractive index and high film formation rate.
The high refractive index layer 26 preferably contains 90% by mass or more of niobium oxide or titanium oxide in the high refractive index layer 26 (100% by mass), and more preferably substantially consists of niobium oxide or titanium oxide. .
The film thickness of the high refractive index layer 26 is preferably 20 to 50 nm, and more preferably 30 to 40 nm.

(金属膜)
金属膜30としては、導電膜14の抵抗値を低くする点から、純銀からなる膜が好ましい。純銀とは、金属膜30(100質量%)中に銀を99.9質量%以上含有することを意味する。
金属膜30としては、銀の拡散を抑制し、結果として耐湿性を高くできる点から、金および/またはビスマスを含有する銀合金からなる膜が好ましい。金およびビスマスの合計は、導電膜14の比抵抗を4.5μΩcm以下にするために、金属膜30(100質量%)のうち、0.2〜1.5質量%が好ましい。
(Metal film)
The metal film 30 is preferably a film made of pure silver from the viewpoint of reducing the resistance value of the conductive film 14. Pure silver means that 99.9% by mass or more of silver is contained in the metal film 30 (100% by mass).
The metal film 30 is preferably a film made of a silver alloy containing gold and / or bismuth from the viewpoint that silver diffusion can be suppressed and, as a result, moisture resistance can be increased. The total of gold and bismuth is preferably 0.2 to 1.5% by mass in the metal film 30 (100% by mass) so that the specific resistance of the conductive film 14 is 4.5 μΩcm or less.

すべての金属膜30の膜厚を合計した合計膜厚は、たとえば、得られる導電膜14の抵抗値の目標を1.5Ωとした場合、25〜60nmが好ましく、25〜50nmがより好ましく、抵抗値の目標を1Ωとした場合、35〜80nmが好ましく、35〜70nmがより好ましい。各金属膜30の膜厚は、合計膜厚を金属膜30の積層数で適宜配分する。ただし、合計膜厚が該範囲内であっても、1つの金属膜30の膜厚が極端に厚くなると、可視光透過性が低下するため、各金属膜30の膜厚は、合計膜厚の1/nの30〜170%の範囲とすることが好ましい。   The total film thickness of all the metal films 30 is preferably 25 to 60 nm, more preferably 25 to 50 nm, for example, when the target resistance value of the obtained conductive film 14 is 1.5Ω. When the target of the value is 1Ω, it is preferably 35 to 80 nm, and more preferably 35 to 70 nm. As for the film thickness of each metal film 30, the total film thickness is appropriately distributed according to the number of stacked metal films 30. However, even if the total film thickness is within the above range, if the thickness of one metal film 30 is extremely thick, the visible light transmittance is reduced. Therefore, the thickness of each metal film 30 is equal to the total film thickness. It is preferable to be in the range of 30 to 170% of 1 / n.

(バリア膜)
導電膜14は、図4〜6に示すように、金属膜30上にバリア膜32を有していてもよい。バリア膜32は、酸化物膜20を酸素雰囲気下で成膜する場合に、金属膜30の酸化を防ぐ膜である。
バリア膜32としては、酸素非存在下で形成できる膜が挙げられ、たとえば、AZO膜、ITO膜等が挙げられる。
バリア膜32の膜厚は、0.1〜10nmが好ましい。
(Barrier film)
The conductive film 14 may have a barrier film 32 on the metal film 30 as shown in FIGS. The barrier film 32 is a film that prevents oxidation of the metal film 30 when the oxide film 20 is formed in an oxygen atmosphere.
Examples of the barrier film 32 include films that can be formed in the absence of oxygen, such as an AZO film and an ITO film.
The thickness of the barrier film 32 is preferably 0.1 to 10 nm.

スパッタ法による導電膜14の形成は、たとえば、以下のようにして行うことができる。
(i)酸素ガスを混合したアルゴンガスを導入しながら、金属酸化物のターゲットを用いてパルススパッタを行い、基体12表面に酸化物膜20を成膜する。
(ii)アルゴンガスを導入しながら、銀ターゲットまたは銀合金のターゲットを用いてパルススパッタを行い、酸化物膜20表面に金属膜30を成膜する。
(iii)必要に応じて、アルゴンガスを導入しながら、金属酸化物等のターゲットを用いてパルススパッタを行い、金属膜30表面にバリア膜32を成膜する。
(i)〜(iii)の操作を繰り返し、最後に(i)と同様の方法で酸化物膜20を成膜することにより、多層構造体の導電膜14を形成する。
The formation of the conductive film 14 by sputtering can be performed as follows, for example.
(I) While introducing argon gas mixed with oxygen gas, pulse sputtering is performed using a metal oxide target to form an oxide film 20 on the surface of the substrate 12.
(Ii) While introducing argon gas, pulse sputtering is performed using a silver target or a silver alloy target to form the metal film 30 on the surface of the oxide film 20.
(iii) A barrier film 32 is formed on the surface of the metal film 30 by performing pulse sputtering using a target such as a metal oxide while introducing argon gas as necessary.
The operations (i) to (iii) are repeated, and finally the oxide film 20 is formed by the same method as in (i), thereby forming the conductive film 14 having a multilayer structure.

金属酸化物のターゲットは、各金属酸化物の高純度(通常99.9%)粉末を混合し、ホットプレス法、またはHIP(ホットアイソスタティックプレス)法、または常圧焼成法により焼結することにより製造できる。   For metal oxide targets, high purity (usually 99.9%) powders of each metal oxide are mixed and sintered by hot pressing, HIP (hot isostatic pressing), or normal pressure firing. Can be manufactured.

(保護膜)
導電性積層体10は、基体12からn+1番目の酸化物膜20上に保護膜16を有していてもよい。保護膜16は、酸化物膜20および金属膜30を水分から保護し、n+1番目の酸化物膜20上に任意の樹脂フィルム(防湿フィルム、飛散防止フィルム、反射防止フィルム、近赤外線遮蔽用等の保護フィルム、近赤外線吸収フィルム等の機能性フィルム等。)を接着する際の接着剤(特にアルカリ性の接着剤。)から酸化物膜20を保護する膜である。
保護膜16としては、スズ、インジウム、チタン、ケイ素等の酸化物膜または窒化物膜が挙げられ、ITO膜が好ましい。
保護膜16の膜厚は、2〜30nmが好ましく、3〜20nmがより好ましい。
(Protective film)
The conductive laminate 10 may have a protective film 16 on the (n + 1) th oxide film 20 from the base 12. The protective film 16 protects the oxide film 20 and the metal film 30 from moisture, and an arbitrary resin film (such as a moisture-proof film, an anti-scattering film, an anti-reflection film, or a near-infrared shielding film) on the (n + 1) th oxide film 20. This is a film that protects the oxide film 20 from an adhesive (particularly an alkaline adhesive) when adhering a protective film, a functional film such as a near-infrared absorbing film).
Examples of the protective film 16 include oxide films or nitride films of tin, indium, titanium, silicon and the like, and an ITO film is preferable.
2-30 nm is preferable and, as for the film thickness of the protective film 16, 3-20 nm is more preferable.

導電性積層体10は、酸化物膜20(第1の酸化物層22)が酸化亜鉛を含む層である場合、可視光透過性に優れる。導電性積層体10は、視感透過率が55%以上のものが好ましく、60%以上のものがより好ましい。
導電性積層体10は、波長850nmでの透過率が5%以下のものが好ましく、2%以下のものがより好ましい。
導電性積層体10のシート抵抗(表面抵抗)は、導電性(電磁波遮蔽性)を充分に確保するため、3.5Ω/□以下が好ましく、2.5Ω/□以下がより好ましく、1.5Ω/□以下が特に好ましい。
When the oxide film 20 (first oxide layer 22) is a layer containing zinc oxide, the conductive laminate 10 is excellent in visible light transmittance. The conductive laminate 10 preferably has a luminous transmittance of 55% or more, and more preferably 60% or more.
The conductive laminate 10 preferably has a transmittance of 5% or less at a wavelength of 850 nm, more preferably 2% or less.
The sheet resistance (surface resistance) of the conductive laminate 10 is preferably 3.5Ω / □ or less, more preferably 2.5Ω / □ or less, and more preferably 1.5Ω in order to sufficiently ensure conductivity (electromagnetic wave shielding). / □ or less is particularly preferable.

(用途)
本発明の導電性積層体は、導電性(電磁波遮蔽性)近赤外線遮蔽性に優れ、しかもガラス等の支持基体に積層した場合、透過・反射バンドが広くなることから、プラズマディスプレイ用電磁波遮蔽フィルムとして有用である。
また、本発明の導電性積層体は、液晶表示素子等の透明電極として用いることができる。該透明電極は、表面抵抗が低いため応答性がよく、反射率がガラス並みに抑えられるため視認性がよい。
また、本発明の導電性積層体は、自動車風防ガラスとして用いることができる。該自動車風防ガラスは、導電膜に通電することにより、防曇または融氷の機能を発揮でき、かつ低抵抗であるので通電に要する電圧が低く済み、また、反射率がガラス並みに抑えられるためドライバーの視認性を損なうことがない。
また、本発明の導電性積層体は、赤外線領域での反射率が非常に高いため、建物の窓等に設けられるヒートミラーとして用いることができる。
また、本発明の導電性積層体は、電磁波遮蔽効果が高いため、電気・電子機器から放射される電磁波が室外に漏れることを防止し、かつ電気・電子機器に影響する電磁波が室外から室内へ侵入することを防止する電磁波遮蔽窓ガラスに用いることができる。
(Use)
The conductive laminate of the present invention is excellent in conductivity (electromagnetic wave shielding) and near-infrared shielding properties, and when laminated on a support substrate such as glass, the transmission / reflection band becomes wide. Useful as.
Moreover, the electroconductive laminated body of this invention can be used as transparent electrodes, such as a liquid crystal display element. The transparent electrode has good responsiveness because of low surface resistance, and good visibility because the reflectance is suppressed to the same level as glass.
Moreover, the electroconductive laminated body of this invention can be used as a motor vehicle windshield. The automotive windshield can exhibit antifogging or melting ice functions by energizing the conductive film, and since it has low resistance, the voltage required for energization can be reduced, and the reflectance can be suppressed to the same level as glass. The driver's visibility is not impaired.
Moreover, since the electroconductive laminated body of this invention has the very high reflectance in an infrared region, it can be used as a heat mirror provided in the window etc. of a building.
In addition, since the conductive laminate of the present invention has a high electromagnetic shielding effect, the electromagnetic waves radiated from the electric / electronic device are prevented from leaking outside, and the electromagnetic waves that affect the electric / electronic device enter the room from the outside. It can be used for an electromagnetic wave shielding window glass that prevents intrusion.

<プラズマディスプレイ用保護板>
本発明のプラズマディスプレイ用保護板(以下、保護板と記す。)は、支持基体と、該支持基体上に設けられた本発明の導電性積層体(プラズマディスプレイ用電磁波遮蔽フィルム)と、該導電性積層体の導電膜に電気的に接している電極とを有する。
<Protective plate for plasma display>
The protective plate for plasma display of the present invention (hereinafter referred to as protective plate) includes a supporting substrate, the conductive laminate (electromagnetic wave shielding film for plasma display) of the present invention provided on the supporting substrate, and the conductive material. And an electrode in electrical contact with the conductive film of the conductive laminate.

(第1の実施形態)
図7に、第1の実施形態の保護板を示す。保護板40は、支持基体42と、支持基体42の周縁部に設けられた着色セラミックス層44と、導電性積層体10の周縁部が着色セラミックス層44と重なるように、支持基体42表面に粘着剤層46を介して貼り合わされた導電性積層体10と、導電性積層体10とは反対側の支持基体42表面に、粘着剤層46を介して貼り合わされた飛散防止フィルム48と、粘着剤層46を介して導電性積層体10表面に貼り合わされた保護フィルム50と、導電性積層体10および保護フィルム50の周縁部に設けられ、導電性積層体10の導電膜14と電気的に接続する電極52とを有するものである。保護板40は、導電性積層体10が支持基体42のPDP側に設けられている例である。
(First embodiment)
FIG. 7 shows the protective plate of the first embodiment. The protective plate 40 adheres to the surface of the support base 42 such that the support base 42, the colored ceramic layer 44 provided on the peripheral portion of the support base 42, and the peripheral portion of the conductive laminate 10 overlap the colored ceramic layer 44. The conductive laminate 10 bonded via the adhesive layer 46, the scattering prevention film 48 bonded via the adhesive layer 46 to the surface of the support base 42 opposite to the conductive laminate 10, and the adhesive The protective film 50 bonded to the surface of the conductive laminate 10 via the layer 46, and provided on the peripheral portions of the conductive laminate 10 and the protective film 50, and electrically connected to the conductive film 14 of the conductive laminate 10. And an electrode 52 to be used. The protection plate 40 is an example in which the conductive laminate 10 is provided on the PDP side of the support base 42.

支持基体42は、導電性積層体10の基体12よりも剛性の高い、透明基体である。支持基体42を設けることにより、導電性積層体10の基体12の材料がPET等のプラスチックであっても、PDP側と観察者側との間で生じる温度差により反りが発生することがない。
支持基体42の材料としては、上述の基体12の材料と同様の材料が挙げられる。
The support base 42 is a transparent base having higher rigidity than the base 12 of the conductive laminate 10. By providing the support base 42, even when the material of the base 12 of the conductive laminate 10 is a plastic such as PET, no warp occurs due to a temperature difference between the PDP side and the observer side.
Examples of the material of the support base 42 include the same materials as those of the base 12 described above.

着色セラミックス層44は、電極52が観察者側から直接見えないように隠蔽するための層である。着色セラミックス層44は、たとえば、支持基体42上に印刷する、着色テープを貼る等により形成できる。   The colored ceramic layer 44 is a layer for concealing the electrode 52 so as not to be directly visible from the viewer side. The colored ceramic layer 44 can be formed, for example, by printing on the support base 42 or pasting a colored tape.

飛散防止フィルム48は、支持基体42の損傷時における支持基体42の破片の飛散を防止するためのフィルムである。飛散防止フィルム48としては、公知のものを用いることができる。
飛散防止フィルム48には、反射防止機能を持たせてもよい。飛散防止機能と反射防止機能とを兼ね備えたフィルムとしては、旭硝子社製のARCTOP(商品名)が挙げられる。ARCTOP(商品名)は、自己修復性と飛散防止特性とを有するポリウレタン系軟質樹脂フィルムの片面に、非結晶性の含フッ素重合体からなる低屈折率の反射防止層を形成して反射防止処理を施したものである。また、PET等の高分子からなるフィルム上に、低屈折率の反射防止層を湿式または乾式で形成したフィルム等も挙げられる。
The scattering prevention film 48 is a film for preventing the fragments of the supporting base 42 from scattering when the supporting base 42 is damaged. As the scattering prevention film 48, a known film can be used.
The anti-scattering film 48 may have an antireflection function. As a film having both a scattering prevention function and an antireflection function, ARCTOP (trade name) manufactured by Asahi Glass Co., Ltd. may be mentioned. ARCTOP (trade name) is an anti-reflective treatment by forming a low-refractive index anti-reflective layer made of an amorphous fluoropolymer on one side of a polyurethane-based soft resin film having self-healing properties and anti-scattering properties. Is given. Moreover, the film etc. which formed the antireflective layer of a low refractive index on the film which consists of polymers, such as PET, by the wet type or the dry type are mentioned.

電極52は、導電性積層体10の導電膜14による電磁波遮蔽効果が発揮されるように、導電膜14と電気的に接続するように設けられる。電極52は、導電性積層体10の周縁部の全体に設けられていることが、導電膜14による電磁波遮蔽効果を確保するために好ましい。
電極52の材質は、抵抗が低い方が電磁波遮蔽性の点では優位となる。電極52は、たとえば、銀とガラスフリットとを含む銀ペースト、銅とガラスフリットとを含む銅ペーストを塗布、焼成することにより形成される。
The electrode 52 is provided so as to be electrically connected to the conductive film 14 so that the electromagnetic wave shielding effect by the conductive film 14 of the conductive laminate 10 is exhibited. The electrode 52 is preferably provided on the entire periphery of the conductive laminate 10 in order to ensure the electromagnetic wave shielding effect by the conductive film 14.
The lower the resistance of the material of the electrode 52, the more advantageous in terms of electromagnetic shielding properties. The electrode 52 is formed, for example, by applying and baking a silver paste containing silver and glass frit and a copper paste containing copper and glass frit.

保護フィルム50は、導電性積層体10(導電膜14)を保護するフィルムである。導電膜14を水分から保護する場合には、防湿フィルムが設けられる。防湿フィルムとしては、たとえば、PET、ポリ塩化ビニリデン等のプラスチック製のフィルムが挙げられる。また、保護フィルム50として、上述した飛散防止フィルムを用いてもよい。   The protective film 50 is a film that protects the conductive laminate 10 (conductive film 14). In the case where the conductive film 14 is protected from moisture, a moisture-proof film is provided. Examples of the moisture-proof film include plastic films such as PET and polyvinylidene chloride. Further, as the protective film 50, the above-described scattering prevention film may be used.

粘着剤層46の粘着剤としては、市販されている粘着剤が挙げられる。たとえば、アクリル酸エステル共重合体、ポリ塩化ビニル、エポキシ樹脂、ポリウレタン、酢酸ビニル共重合体、スチレン−アクリル共重合体、ポリエステル、ポリアミド、ポリオレフィン、スチレン−ブタジエン共重合体系ゴム、ブチルゴム、シリコーン樹脂等の粘着剤が挙げられる。これらのうち、良好な耐湿性が得られることから、アクリル系の粘着剤が特に好ましい。粘着剤層46には、紫外線吸収剤等の添加剤が配合されてもよい。   Examples of the pressure-sensitive adhesive for the pressure-sensitive adhesive layer 46 include commercially available pressure-sensitive adhesives. For example, acrylic ester copolymer, polyvinyl chloride, epoxy resin, polyurethane, vinyl acetate copolymer, styrene-acrylic copolymer, polyester, polyamide, polyolefin, styrene-butadiene copolymer rubber, butyl rubber, silicone resin, etc. The pressure-sensitive adhesive is mentioned. Among these, an acrylic pressure-sensitive adhesive is particularly preferable because good moisture resistance can be obtained. The pressure-sensitive adhesive layer 46 may contain additives such as an ultraviolet absorber.

(第2の実施形態)
図8に、第2の実施形態の保護板を示す。保護板60は、支持基体42と、支持基体42表面に粘着剤層46を介して貼り合わされた導電性積層体10と、導電性積層体10の周縁部に設けられ、導電性積層体10の導電膜14と電気的に接続する電極52と、電極52と重ならないように、導電性積層体10表面に粘着剤層46を介して貼り合わされた飛散防止フィルム48と、導電性積層体10とは反対側の支持基体42表面の周縁部に設けられた着色セラミックス層44とを有するものである。保護板60は、導電性積層体10が支持基体42の観察者側に設けられている例である。
なお、第2の実施形態において、第1の実施形態と同じ構成については図7と同じ符号を付して説明を省略する。
(Second Embodiment)
FIG. 8 shows a protective plate according to the second embodiment. The protective plate 60 is provided on the support base 42, the conductive laminate 10 bonded to the surface of the support base 42 via the pressure-sensitive adhesive layer 46, and the periphery of the conductive laminate 10. An electrode 52 electrically connected to the conductive film 14, an anti-scattering film 48 bonded to the surface of the conductive laminate 10 via an adhesive layer 46 so as not to overlap the electrode 52, and the conductive laminate 10 Has a colored ceramic layer 44 provided at the peripheral edge of the surface of the support substrate 42 on the opposite side. The protection plate 60 is an example in which the conductive laminate 10 is provided on the viewer side of the support base 42.
Note that in the second embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those in FIG. 7 and description thereof is omitted.

(第3の実施形態)
図9に、第3の実施形態の保護板を示す。保護板70は、支持基体42と、支持基体42表面に粘着剤層46を介して貼り合わされた導電性積層体10と、導電性積層体10表面に粘着剤層46を介して貼り合わされた飛散防止フィルム48と、導電性積層体10とは反対側の支持基体42表面の周縁部に設けられた着色セラミックス層44と、導電性メッシュフィルム54の周縁部が着色セラミックス層44と重なるように、支持基体42表面に粘着剤層46を介して貼り合わされた導電性メッシュフィルム54と、導電性積層体10の導電膜14と導電性メッシュフィルム54の導電性メッシュ層(図示略)とを電気的に接続するように保護板70の周側部に設けられた導電体56とを有するものである。保護板70は、導電性積層体10が支持基体42の観察者側に設けられ、導電性メッシュフィルム54が支持基体42のPDP側に設けられている例である。
なお、第3の実施形態において、第1の実施形態と同じ構成については図7と同じ符号を付して説明を省略する。
(Third embodiment)
FIG. 9 shows a protective plate according to the third embodiment. The protective plate 70 includes the support base 42, the conductive laminate 10 bonded to the surface of the support base 42 via the adhesive layer 46, and the scattering bonded to the surface of the conductive laminate 10 via the adhesive layer 46. The prevention film 48 and the colored ceramic layer 44 provided on the peripheral portion of the surface of the support base 42 opposite to the conductive laminate 10, and the peripheral portion of the conductive mesh film 54 overlap the colored ceramic layer 44. The conductive mesh film 54 bonded to the surface of the support base 42 via the adhesive layer 46, the conductive film 14 of the conductive laminate 10, and the conductive mesh layer (not shown) of the conductive mesh film 54 are electrically connected. And a conductor 56 provided on the peripheral side portion of the protective plate 70 so as to be connected to. The protection plate 70 is an example in which the conductive laminate 10 is provided on the viewer side of the support base 42 and the conductive mesh film 54 is provided on the PDP side of the support base 42.
Note that in the third embodiment, identical symbols are assigned to the same configurations as in the first embodiment and descriptions thereof are omitted.

導電性メッシュフィルム54を導電性積層体10と併用することにより、導電性積層体10を有し導電性メッシュフィルム54を有さない保護板と比較して、保護板全体の表面抵抗を下げて、電磁波遮蔽効果をさらに向上できる。また、導電性メッシュフィルム54を有し、導電性積層体10を有さない保護板と比較すると、導電性積層体10と併用することにより、電磁波遮蔽効果の向上とともに近赤外線遮蔽効果を付与できる。リモコンの誤作動防止等の必要上、プラズマディスプレイ用保護板としては近赤外線遮蔽能力が必要とされているが、導電性メッシュフィルム54には近赤外線遮蔽効果がなく、近赤外線吸収色素含有層等を併用する必要がある。導電性積層体10は近赤外線遮蔽効果を有することから、併用により導電性メッシュフィルム54に近赤外線遮蔽効果が付与される。   By using the conductive mesh film 54 together with the conductive laminate 10, the surface resistance of the entire protective plate is reduced compared to a protective plate having the conductive laminate 10 and no conductive mesh film 54. The electromagnetic wave shielding effect can be further improved. Moreover, compared with the protective plate having the conductive mesh film 54 and not having the conductive laminate 10, the combined use with the conductive laminate 10 can provide the near-infrared shielding effect as well as the electromagnetic wave shielding effect. . In order to prevent malfunction of the remote control, the protective plate for plasma display is required to have a near infrared shielding ability, but the conductive mesh film 54 does not have a near infrared shielding effect and includes a near infrared absorbing dye-containing layer, etc. Need to be used together. Since the conductive laminate 10 has a near-infrared shielding effect, the near-infrared shielding effect is imparted to the conductive mesh film 54 by the combined use.

導電性メッシュフィルム54は、透明フィルム上に銅からなる導電性メッシュ層を形成したものである。通常は、透明フィルム上に銅箔を貼り合わせた後、メッシュ状に加工することにより製造される。
銅箔は、圧延銅、電界銅のどちらでもよく、適宜必要に応じて公知のものを用いればよい。銅箔は、各種表面処理をされていてよい。表面処理としては、クロメート処理、粗面化処理、酸洗、ジンク・クロメート処理等が挙げられる。銅箔の厚さは、3〜30μmが好ましく、5〜20μmがより好ましく、7〜10μmが特に好ましい。銅箔の厚さを30μm以下とすることにより、エッチング時間を短くすることができ、3μm以上とすることにより、電磁波遮蔽性が高くなる。
The conductive mesh film 54 is obtained by forming a conductive mesh layer made of copper on a transparent film. Usually, after manufacturing a copper foil on a transparent film, it manufactures by processing in a mesh form.
The copper foil may be either rolled copper or electrolytic copper, and a known one may be used as appropriate. The copper foil may be subjected to various surface treatments. Examples of the surface treatment include chromate treatment, roughening treatment, pickling, zinc / chromate treatment, and the like. 3-30 micrometers is preferable, as for the thickness of copper foil, 5-20 micrometers is more preferable, and 7-10 micrometers is especially preferable. By setting the thickness of the copper foil to 30 μm or less, the etching time can be shortened, and by setting the thickness to 3 μm or more, the electromagnetic wave shielding property is enhanced.

導電性メッシュ層の開口率は、60〜95%が好ましく、65〜90%がより好ましく、70〜85%が特に好ましい。
導電性メッシュ層の開口部の形状は、正三角形、正四角形、正六角形、円形、長方形、菱形等である。開口部は、形状が揃っていて、かつ面内に並んでいることが好ましい
開口部のサイズは、1辺または直径が5〜200μmであることが好ましく、10〜150μmであることがより好ましい。開口部の1辺または直径を200μm以下とすることにより、電磁波遮蔽性が向上し、5μm以上とすることにより、PDPの画像への影響が少ない。
開口部以外の金属部の幅は、5〜50μmが好ましい。すなわち、開口部の配列ピッチは、10〜250μmが好ましい。金属部の幅を5μm以上とすることにより、加工が容易となり、50μm以下とすることにより、PDPの画像への影響が少ない。
The opening ratio of the conductive mesh layer is preferably 60 to 95%, more preferably 65 to 90%, and particularly preferably 70 to 85%.
The shape of the opening of the conductive mesh layer is a regular triangle, a regular square, a regular hexagon, a circle, a rectangle, a rhombus, or the like. It is preferable that the openings have the same shape and are aligned in the plane. The size of the opening is preferably 5 to 200 μm on one side or diameter, and more preferably 10 to 150 μm. By setting one side or diameter of the opening to 200 μm or less, the electromagnetic wave shielding property is improved, and by setting it to 5 μm or more, there is little influence on the image of the PDP.
The width of the metal part other than the opening is preferably 5 to 50 μm. That is, the arrangement pitch of the openings is preferably 10 to 250 μm. By making the width of the metal part 5 μm or more, processing becomes easy, and by making the width 50 μm or less, the influence on the image of the PDP is small.

導電性メッシュ層の表面抵抗を必要以上に低くすると、膜が厚くなり、開口部を充分確保できなくなる等、保護板70の光学性能等に悪影響を及ぼす。一方、導電性メッシュ層の表面抵抗を必要以上に高くすると、充分な電磁波遮蔽性を得ることができなくなる。したがって、導電性メッシュ層の表面抵抗は、0.01〜10Ω/□が好ましく、0.01〜2Ω/□がより好ましく、0.05〜1Ω/□が特に好ましい。   If the surface resistance of the conductive mesh layer is made lower than necessary, the film becomes thick and adversely affects the optical performance and the like of the protective plate 70, such as being unable to secure a sufficient opening. On the other hand, if the surface resistance of the conductive mesh layer is increased more than necessary, sufficient electromagnetic wave shielding properties cannot be obtained. Therefore, the surface resistance of the conductive mesh layer is preferably 0.01 to 10Ω / □, more preferably 0.01 to 2Ω / □, and particularly preferably 0.05 to 1Ω / □.

導電性メッシュ層の表面抵抗は、開口部の1辺または直径よりも5倍以上大きな電極を用い、開口部の配列ピッチよりも5倍以上の電極間隔で、4端子法より測定すればよい。たとえば、開口部が1辺100μmの正方形で、金属部の幅20μmを介して規則的に並べられたものであれば、直径1mmの電極を1mm間隔で並べて測定すればよい。または、導電性メッシュフィルムを短冊状に加工し、その長手方向の両端に電極を設けて、その抵抗値Rを測り、長手方向の長さa、短手方向の長さbから、下式から求めてもよい。
表面抵抗=R×b/a
The surface resistance of the conductive mesh layer may be measured by a four-terminal method using an electrode that is 5 times or more larger than one side or diameter of the opening, and an electrode interval of 5 times or more than the arrangement pitch of the openings. For example, if the openings are squares with a side of 100 μm and are regularly arranged via a metal part with a width of 20 μm, electrodes having a diameter of 1 mm may be arranged at intervals of 1 mm. Alternatively, the conductive mesh film is processed into a strip shape, electrodes are provided at both ends in the longitudinal direction, the resistance value R is measured, the longitudinal length a, the lateral length b, You may ask for it.
Surface resistance = R × b / a

銅箔を透明フィルムにラミネートする際には、透明な接着剤を用いる。接着剤としては、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、ポリエステル系接着剤等が挙げられる。接着剤のタイプとしては、2液型または熱硬化タイプが好ましい。また、接着剤としては、耐薬品性に優れたものが好ましい。   When laminating a copper foil on a transparent film, a transparent adhesive is used. Examples of the adhesive include acrylic adhesives, epoxy adhesives, urethane adhesives, silicone adhesives, and polyester adhesives. The adhesive type is preferably a two-component type or a thermosetting type. Moreover, as an adhesive agent, what was excellent in chemical-resistance is preferable.

銅箔をメッシュ状に加工する方法としては、フォトレジスト法が挙げられる。印刷法では、スクリーン印刷によって開口部のパターン形成をする。フォトレジスト法では、ロールコーティング法、スピンコーティング法、全面印刷法、転写法等により、銅箔上にフォトレジスト材料を形成し、露光、現像、エッチングによって開口部のパターンを形成する。導電性メッシュ層を形成する他の方法としては、スクリーン印刷等の印刷法によって、開口部のパターンを形成する方法が挙げられる。   As a method of processing the copper foil into a mesh shape, a photoresist method can be mentioned. In the printing method, the opening pattern is formed by screen printing. In the photoresist method, a photoresist material is formed on a copper foil by a roll coating method, a spin coating method, a full surface printing method, a transfer method, and the like, and an opening pattern is formed by exposure, development, and etching. As another method of forming the conductive mesh layer, a method of forming a pattern of openings by a printing method such as screen printing can be given.

導電体56は、導電性積層体10の導電膜14と導電性メッシュフィルム54の導電性メッシュ層とを電気的に接続するものである。導電体56としては、導電性テープ等が挙げられる。導電性積層体10の導電膜14と導電性メッシュフィルム54の導電性メッシュ層とを電気的に接続することによって、全体の表面抵抗をさらに下げることができるため、電磁波遮蔽効果をさらに向上させることができる。   The conductor 56 electrically connects the conductive film 14 of the conductive laminate 10 and the conductive mesh layer of the conductive mesh film 54. Examples of the conductor 56 include a conductive tape. By electrically connecting the conductive film 14 of the conductive laminate 10 and the conductive mesh layer of the conductive mesh film 54, the overall surface resistance can be further reduced, so that the electromagnetic wave shielding effect is further improved. Can do.

保護板40、60、70は、PDPの前面に配置されるものであるため、PDPの画像が見にくくならないように、視感透過率は35%以上であることが好ましい。また、視感反射率は6%未満が好ましく、3%未満が特に好ましい。また、波長850nmでの透過率は、5%以下が好ましく、2%以下が特に好ましい。   Since the protective plates 40, 60, and 70 are disposed on the front surface of the PDP, the luminous transmittance is preferably 35% or more so as not to make it difficult to see the image of the PDP. Further, the luminous reflectance is preferably less than 6%, particularly preferably less than 3%. Further, the transmittance at a wavelength of 850 nm is preferably 5% or less, and particularly preferably 2% or less.

(他の実施形態)
なお、本発明の保護板は、第1〜3の実施形態に限定されない。たとえば、粘着剤層46を設けずに、熱による貼り合わせを行ってもよい。
また、本発明の保護板には、必要に応じて、反射防止フィルムまたは低屈折率薄膜である反射防止層を設けてもよい。
反射防止フィルムとしては、公知のものを用いることができ、反射防止性の点から、フッ素樹脂系フィルムが特に好ましい。
反射防止層は、保護板の反射率が低くなり、好ましい反射色が得られることから、可視光領域において反射率が最低となる波長が500〜600nmであるものが好ましく、530〜590nmであるものが特に好ましい。
(Other embodiments)
Note that the protective plate of the present invention is not limited to the first to third embodiments. For example, heat bonding may be performed without providing the pressure-sensitive adhesive layer 46.
Moreover, you may provide the antireflection layer which is an antireflection film or a low refractive index thin film in the protective plate of this invention as needed.
A known film can be used as the antireflection film, and a fluororesin film is particularly preferable from the viewpoint of antireflection properties.
In the antireflection layer, the reflectance of the protective plate is lowered, and a preferable reflected color is obtained. Therefore, the wavelength at which the reflectance is lowest in the visible light region is preferably 500 to 600 nm, and is preferably 530 to 590 nm. Is particularly preferred.

また、保護板に近赤外線遮蔽機能を持たせてもよい。近赤外線遮蔽機能を持たせる方法としては、近赤外線遮蔽フィルムを用いる方法、近赤外線吸収基体を用いる方法、近赤外線吸収剤を添加した粘着剤をフィルム積層時に用いる方法、反射防止フィルム等に近赤外線吸収剤を添加して近赤外線吸収機能を併せ持たせる方法、近赤外線反射機能を有する導電膜を用いる方法等が挙げられる。   Further, the protective plate may have a near infrared shielding function. As a method for providing a near-infrared shielding function, a method using a near-infrared shielding film, a method using a near-infrared absorbing substrate, a method using a pressure-sensitive adhesive added with a near-infrared absorber during film lamination, a near-infrared ray in an antireflection film, etc. Examples thereof include a method of adding an absorbent to have a near infrared absorption function, a method of using a conductive film having a near infrared reflection function, and the like.

以上説明した導電性積層体10にあっては、導電膜14が、基体12側から酸化物膜20と金属膜30とが交互に積層され、金属膜30の積層数がnであり、酸化物膜20の積層数がn+1である(ただし、nは6〜8である。)多層構造体であるため、電磁波遮蔽性および近赤外線遮蔽性に優れ、透過・反射バンドが広く、内部応力の増加が抑制されている。また、酸化物膜20(第1の酸化物層22)が酸化亜鉛を含む層であれば、抵抗値を低く抑えつつ金属膜30を薄く成膜でき、金属膜30の積層数を6〜8にしても、可視光透過性の低下が充分に抑えられる。
また、以上説明した保護板40、60、70にあっては、電磁波遮蔽性および近赤外線遮蔽性に優れ、透過・反射バンドが広く、内部応力の増加が抑制された導電性積層体10を用いているため、電磁波遮蔽性および近赤外線遮蔽性に優れ、透過・反射バンドが広い。
In the conductive laminate 10 described above, the conductive film 14 is formed by alternately stacking the oxide films 20 and the metal films 30 from the substrate 12 side, the number of the stacked metal films 30 is n, and the oxide Since the number of layers of the film 20 is n + 1 (where n is 6 to 8), it is a multi-layer structure, so it has excellent electromagnetic wave shielding properties and near infrared ray shielding properties, a wide transmission / reflection band, and an increase in internal stress. Is suppressed. If the oxide film 20 (first oxide layer 22) is a layer containing zinc oxide, the metal film 30 can be thinly formed while keeping the resistance value low, and the number of stacked metal films 30 is 6-8. Even so, a decrease in visible light permeability is sufficiently suppressed.
Moreover, in the protective plates 40, 60, and 70 described above, the conductive laminate 10 that has excellent electromagnetic shielding properties and near infrared shielding properties, has a wide transmission / reflection band, and suppresses an increase in internal stress is used. Therefore, it has excellent electromagnetic shielding properties and near infrared shielding properties and a wide transmission / reflection band.

以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited to these Examples.

(金属酸化物の含有量)
酸化物膜における各金属酸化物の含有量は、ESCAまたはラザフォード後方散乱法により測定して求められた各金属の含有量の酸化物換算とした。
ESCAによる測定は、アルバック・ファイ社製、装置名:ESCA5500を用い、以下の条件で行った。
X線源:単色化Al、
X線:Kα線、
検出器の角度:試料面に対して45°。
(Metal oxide content)
The content of each metal oxide in the oxide film was an oxide conversion of the content of each metal obtained by measurement by ESCA or Rutherford backscattering method.
The measurement by ESCA was performed using the apparatus name: ESCA5500 manufactured by ULVAC-PHI, under the following conditions.
X-ray source: Monochromated Al,
X-ray: Kα ray,
Detector angle: 45 ° to the sample surface.

ラザフォード後方散乱分光法による測定は、National Electrostatics Corporation製、装置名:Pelletron accelerator,3UHを用い、以下の条件で行った。
ビームエネルギー:2300keV、
イオン種:He+
散乱角:170゜、100゜、
ビーム入射角:試料面の法線に対して7゜、
試料電流:30nA、
ビーム照射量:40μC。
The measurement by Rutherford backscattering spectroscopy was carried out under the following conditions using a device name: Pelletron accelerator, 3UH manufactured by National Electrostatics Corporation.
Beam energy: 2300 keV,
Ion species: He + ,
Scattering angle: 170 °, 100 °
Beam incident angle: 7 ° with respect to the normal of the sample surface
Sample current: 30 nA,
Beam irradiation amount: 40 μC.

(金属の含有量)
金属膜における各金属の含有量は、ESCAにより測定して求めた。
(Metal content)
The content of each metal in the metal film was determined by measuring with ESCA.

(視感透過率、波長850nmでの透過率、バンド幅)
東京電色社製、カラーアナライザーTC1800により視感透過率(JIS Z 8701において規定されている刺激値Y)、波長850nmでの透過率、透過率50%以上の波長の帯域(バンド幅)および反射率40%以下の波長の帯域(バンド幅)を測定した。
(Luminous transmittance, transmittance at a wavelength of 850 nm, bandwidth)
Luminous transmittance (stimulus value Y defined in JIS Z 8701), transmittance at a wavelength of 850 nm, wavelength band (bandwidth) of transmittance of 50% or more, and reflection by a color analyzer TC1800 manufactured by Tokyo Denshoku Co., Ltd. A wavelength band (bandwidth) with a rate of 40% or less was measured.

(表面抵抗)
Nagy社製、渦電流型抵抗測定器SRM12によりシート抵抗(表面抵抗)を測定した。
(Surface resistance)
Sheet resistance (surface resistance) was measured by an eddy current resistance measuring device SRM12 manufactured by Nagy.

(例1)
図5に示す導電性積層体10を以下のように作製した。
まず、イオンビームによる乾式洗浄によって、基体12である厚さ100μmのPETフィルム表面の洗浄を行った。イオンビームによる乾式洗浄は、約70体積%のアルゴンガスと約30体積%の酸素ガスの混合ガスを導入しながら、100Wの電力を投入し、イオンビームソースによりイオン化されたアルゴンイオンおよび酸素イオンを基体12表面に照射して行った。
(Example 1)
A conductive laminate 10 shown in FIG. 5 was produced as follows.
First, the surface of the PET film having a thickness of 100 μm as the substrate 12 was cleaned by dry cleaning using an ion beam. In dry cleaning using an ion beam, while introducing a mixed gas of about 70% by volume of argon gas and about 30% by volume of oxygen gas, power of 100 W is applied, and argon ions and oxygen ions ionized by an ion beam source are supplied. The irradiation was performed on the surface of the substrate 12.

(i)85体積%のアルゴンガスと15体積%の酸素ガスとの混合ガスを導入しながら、SZOターゲット[酸化亜鉛:酸化チタン=85:15(質量比)]を用い、圧力0.73Pa、周波数50kHz、電力密度3.7W/cm2 、反転パルス幅2μ秒の条件でパルススパッタを行い、基体12表面に膜厚35nmの第1の酸化物層22を成膜した。ESCAにより測定したところ、第1の酸化物層22における亜鉛およびチタンの含有量の合計は、酸化物換算(ZnO、TiO2 )で100質量%であり、亜鉛とチタンとの合計(100原子%)中、亜鉛は85原子%、チタンは15原子%であった。また、ラザフォード後方散乱法により測定したところ、亜鉛は84.8原子%、チタンは15.2原子%であった。 (I) Using a SZO target [zinc oxide: titanium oxide = 85: 15 (mass ratio)] while introducing a mixed gas of 85 volume% argon gas and 15 volume% oxygen gas, pressure 0.73 Pa, Pulse sputtering was performed under the conditions of a frequency of 50 kHz, a power density of 3.7 W / cm 2 , and an inversion pulse width of 2 μs to form a first oxide layer 22 having a thickness of 35 nm on the surface of the substrate 12. When measured by ESCA, the total content of zinc and titanium in the first oxide layer 22 is 100% by mass in terms of oxide (ZnO, TiO 2 ), and the total of zinc and titanium (100 atomic%) ), 85% by atom of zinc and 15% by atom of titanium. Moreover, when measured by Rutherford backscattering method, zinc was 84.8 atomic% and titanium was 15.2 atomic%.

(ii)アルゴンガスを導入しながら、金を1.0質量%ドープした銀合金ターゲットを用い、圧力0.73Pa、周波数50kHz、電力密度2.5W/cm2 、反転パルス幅10μ秒の条件でパルススパッタを行い、第1の酸化物層22表面に膜厚10nmの金属膜30を成膜した。ESCAにより測定したところ、金属膜30(100質量%)中、銀は99質量%、金は1質量%であった。 (Ii) Using a silver alloy target doped with 1.0% by mass of gold while introducing argon gas, under the conditions of pressure 0.73 Pa, frequency 50 kHz, power density 2.5 W / cm 2 , and inversion pulse width 10 μsec. Pulse sputtering was performed to form a metal film 30 having a thickness of 10 nm on the surface of the first oxide layer 22. When measured by ESCA, in the metal film 30 (100% by mass), silver was 99% by mass and gold was 1% by mass.

(iii)アルゴンガスを導入しながら、AZOターゲット[酸化亜鉛:酸化アルミニウム=95:5(質量比)]を用い、圧力0.45Pa、周波数50kHz、電力密度2.5W/cm2 、反転パルス幅2μ秒の条件でパルススパッタを行い、金属膜30表面に膜厚5nmのバリア膜32を成膜した。 (iii) While introducing argon gas, using an AZO target [zinc oxide: aluminum oxide = 95: 5 (mass ratio)], pressure 0.45 Pa, frequency 50 kHz, power density 2.5 W / cm 2 , inversion pulse width Pulse sputtering was performed under the condition of 2 μs, and a barrier film 32 having a thickness of 5 nm was formed on the surface of the metal film 30.

(iv)95体積%のアルゴンガスと5体積%の酸素ガスとの混合ガスを導入しながら、AZOターゲット[酸化亜鉛:酸化アルミニウム=95:5(質量比)]を用い、圧力0.45Pa、周波数50kHz、電力密度2.5W/cm2 、反転パルス幅2μ秒の条件でパルススパッタを行い、バリア膜32表面に膜厚35nmの第2の酸化物層24を成膜した。ESCAにより測定したところ、第2の酸化物層24における亜鉛およびアルミニウムの含有量の合計は、酸化物換算(ZnO、Al23)で100質量%であり、亜鉛とアルミニウムとの合計(100原子%)中、亜鉛は96.0原子%、アルミニウムは4.0原子%であった。 (Iv) While introducing a mixed gas of 95% by volume of argon gas and 5% by volume of oxygen gas, using an AZO target [zinc oxide: aluminum oxide = 95: 5 (mass ratio)], a pressure of 0.45 Pa, Pulse sputtering was performed under the conditions of a frequency of 50 kHz, a power density of 2.5 W / cm 2 , and an inversion pulse width of 2 μs, and a second oxide layer 24 having a thickness of 35 nm was formed on the surface of the barrier film 32. When measured by ESCA, the total content of zinc and aluminum in the second oxide layer 24 is 100% by mass in terms of oxide (ZnO, Al 2 O 3 ), and the total of zinc and aluminum (100 In atomic%), zinc was 96.0 atomic% and aluminum was 4.0 atomic%.

(i)〜(iv)の操作をさらに5回繰り返した。ただし、(i)の操作においては、第1の酸化物層22を第2の酸化物層24表面に成膜した。また、基体12から6番目の第2の酸化物層24(基体12から7番目の酸化物膜20)の膜厚は、30nmとした。   The operations (i) to (iv) were further repeated 5 times. However, in the operation (i), the first oxide layer 22 was formed on the surface of the second oxide layer 24. The film thickness of the sixth second oxide layer 24 from the substrate 12 (the seventh oxide film 20 from the substrate 12) was 30 nm.

(v)95体積%のアルゴンガスと5体積%の酸素ガスとの混合ガスを導入しながら、ITOターゲット[酸化インジウム:酸化スズ=90:10(質量比)]を用い、圧力0.45Pa、周波数50kHz、電力密度2.5W/cm2 、反転パルス幅2μ秒の条件でパルススパッタを行い、基体12から6番目の第2の酸化物層24(基体12から7番目の酸化物膜20)表面に膜厚5nmの保護膜16を成膜した。 (V) While introducing a mixed gas of 95% by volume of argon gas and 5% by volume of oxygen gas, using an ITO target [indium oxide: tin oxide = 90: 10 (mass ratio)], a pressure of 0.45 Pa, Pulse sputtering is performed under the conditions of a frequency of 50 kHz, a power density of 2.5 W / cm 2 , and an inversion pulse width of 2 μs, and the sixth second oxide layer 24 from the substrate 12 (the seventh oxide film 20 from the substrate 12). A protective film 16 having a thickness of 5 nm was formed on the surface.

このようにして、図5に示すような、金属膜30の積層数が6であり、酸化物膜20の積層数が7であり、基体から1番目の酸化物膜20が第1の酸化物層22であり、基体から2〜6番目の酸化物膜20が2層の酸化物層を有し、基体に近い酸化物層が第2の酸化物層24であり、もう一方の酸化物層が第1の酸化物層22であり、基体12から7番目の酸化物膜20が第2の酸化物層24である導電性積層体10を得た。
該導電性積層体10について、視感透過率、波長850nmでの透過率、透過率50%以上の波長の帯域(バンド幅)、反射率40%以下の波長の帯域(バンド幅)およびシート抵抗(表面抵抗)を測定した。結果を表1に示す。
In this way, as shown in FIG. 5, the number of stacked metal films 30 is 6, the number of stacked oxide films 20 is 7, and the first oxide film 20 from the base is the first oxide. The second to sixth oxide films 20 from the substrate have two oxide layers, the oxide layer close to the substrate is the second oxide layer 24, and the other oxide layer. Is the first oxide layer 22, and the conductive laminate 10 in which the seventh oxide film 20 from the substrate 12 is the second oxide layer 24 was obtained.
For the conductive laminate 10, luminous transmittance, transmittance at a wavelength of 850 nm, wavelength band (bandwidth) with a transmittance of 50% or more, wavelength band (bandwidth) with a reflectance of 40% or less, and sheet resistance (Surface resistance) was measured. The results are shown in Table 1.

(例2)
(i)〜(iv)の操作を6回繰り返す代わりに、(i)〜(iii)の操作を6回繰り返した以外は、例1と同様にして図4に示すような、金属膜30の積層数が6であり、酸化物膜20の積層数が7である導電性積層体10を得た。ただし、2回目以降の(i)の操作においては、酸化物膜20をバリア膜32表面に成膜した。また、基体から2〜6番目の酸化物膜20の膜厚は、70nmとした。
該導電性積層体10について、視感透過率、波長850nmでの透過率、透過率50%以上の波長の帯域(バンド幅)、反射率40%以下の波長の帯域(バンド幅)およびシート抵抗(表面抵抗)を測定した。結果を表1に示す。
(Example 2)
Instead of repeating the operations (i) to (iv) 6 times, the operation of (i) to (iii) was repeated 6 times, and the metal film 30 as shown in FIG. The conductive laminated body 10 with 6 laminated layers and 7 laminated oxide films 20 was obtained. However, in the second and subsequent operations (i), the oxide film 20 was formed on the surface of the barrier film 32. The thickness of the second to sixth oxide films 20 from the substrate was 70 nm.
For the conductive laminate 10, luminous transmittance, transmittance at a wavelength of 850 nm, wavelength band (bandwidth) with a transmittance of 50% or more, wavelength band (bandwidth) with a reflectance of 40% or less, and sheet resistance (Surface resistance) was measured. The results are shown in Table 1.

(例3)
(iv)の操作を以下のように変更した以外は、例1と同様にして図5に示すような、金属膜30の積層数が6であり、酸化物膜20の積層数が7であり、基体から1番目の酸化物膜20が第1の酸化物層22であり、基体から2〜6番目の酸化物膜20が2層の酸化物層を有し、基体に近い酸化物層が第2の酸化物層24であり、もう一方の酸化物層が第1の酸化物層22であり、基体12から7番目の酸化物膜20が第2の酸化物層24である導電性積層体10を得た。
(Example 3)
5 except that the operation of (iv) is changed as follows, the number of stacked metal films 30 is 6 and the number of stacked oxide films 20 is 7, as shown in FIG. The first oxide film 20 from the base is the first oxide layer 22, the second to sixth oxide films 20 from the base have two oxide layers, and the oxide layer close to the base has Conductive laminate in which the second oxide layer 24, the other oxide layer is the first oxide layer 22, and the seventh oxide film 20 from the substrate 12 is the second oxide layer 24. Body 10 was obtained.

(iv)85体積%のアルゴンガスと15体積%の酸素ガスとの混合ガスを導入しながら、NZOターゲット[酸化亜鉛:酸化ニオブ:酸化ガリウム=95:4.9:0.1(質量比)]を用い、圧力0.73Pa、周波数50kHz、電力密度3.7W/cm2 、反転パルス幅2μ秒の条件でパルススパッタを行い、バリア膜32表面に膜厚35nmの第2の酸化物層24を成膜した。ただし、基体12から6番目の第2の酸化物層24(基体12から7番目の酸化物膜20)の膜厚は、30nmとした。ESCAにより測定したところ、第2の酸化物層24における亜鉛、ニオブおよびガリウムの含有量の合計は、酸化物換算(ZnO、Nb25、Ga23)で100質量%であり、亜鉛とニオブとガリウムとの合計(100原子%)中、亜鉛は98.40原子%、ニオブは1.55原子%、ガリウムは0.05原子%であった。 (Iv) NZO target [zinc oxide: niobium oxide: gallium oxide = 95: 4.9: 0.1 (mass ratio) while introducing a mixed gas of 85 volume% argon gas and 15 volume% oxygen gas The second oxide layer 24 having a thickness of 35 nm is formed on the surface of the barrier film 32 by performing pulse sputtering under the conditions of pressure 0.73 Pa, frequency 50 kHz, power density 3.7 W / cm 2 , and inversion pulse width 2 μs. Was deposited. However, the film thickness of the sixth second oxide layer 24 from the base 12 (the seventh oxide film 20 from the base 12) was 30 nm. When measured by ESCA, the total content of zinc, niobium and gallium in the second oxide layer 24 is 100% by mass in terms of oxide (ZnO, Nb 2 O 5 , Ga 2 O 3 ). In addition, zinc was 98.40 atomic%, niobium was 1.55 atomic%, and gallium was 0.05 atomic% in the total of niobium and gallium (100 atomic%).

該導電性積層体10について、視感透過率、波長850nmでの透過率、透過率50%以上の波長の帯域(バンド幅)、反射率40%以下の波長の帯域(バンド幅)およびシート抵抗(表面抵抗)を測定した。結果を表1に示す。   For the conductive laminate 10, luminous transmittance, transmittance at a wavelength of 850 nm, wavelength band (bandwidth) with a transmittance of 50% or more, wavelength band (bandwidth) with a reflectance of 40% or less, and sheet resistance (Surface resistance) was measured. The results are shown in Table 1.

(例4)
図3に示す導電性積層体10を以下のように作製した。ただし、保護膜16は設けなかった。
例1と同様にして、基体12である厚さ100μmのPETフィルム表面の洗浄を行った。
(Example 4)
The conductive laminate 10 shown in FIG. 3 was produced as follows. However, the protective film 16 was not provided.
In the same manner as in Example 1, the surface of the PET film having a thickness of 100 μm as the substrate 12 was washed.

(i)95体積%のアルゴンガスと5体積%の酸素ガスとの混合ガスを導入しながら、酸化ニオブターゲット[旭硝子セラミックス(株)製、NBO]を用い、圧力0.73Pa、周波数50kHz、電力密度4.5W/cm2 、反転パルス幅2μ秒の条件でパルススパッタを行い、基体12表面に膜厚20nmの高屈折率層26を成膜した。 (I) While introducing a mixed gas of 95% by volume of argon gas and 5% by volume of oxygen gas, using a niobium oxide target [NBO] manufactured by Asahi Glass Ceramics Co., Ltd., pressure 0.73 Pa, frequency 50 kHz, power Pulse sputtering was performed under conditions of a density of 4.5 W / cm 2 and an inversion pulse width of 2 μs, and a high refractive index layer 26 having a thickness of 20 nm was formed on the surface of the substrate 12.

(ii)85体積%のアルゴンガスと15体積%の酸素ガスとの混合ガスを導入しながら、SZOターゲット[酸化亜鉛:酸化チタン=85:15(質量比)]を用い、圧力0.73Pa、周波数50kHz、電力密度0.34W/cm2 、反転パルス幅2μ秒の条件でパルススパッタを行い、高屈折率層26表面に膜厚15nmの第1の酸化物層22を成膜した。ESCAにより測定したところ、第1の酸化物層22における亜鉛およびチタンの含有量の合計は、酸化物換算(ZnO、TiO2 )で100質量%であり、亜鉛とチタンとの合計(100原子%)中、亜鉛は84.8原子%、チタンは15.2原子%であった。 (Ii) While introducing a mixed gas of 85% by volume of argon gas and 15% by volume of oxygen gas, using an SZO target [zinc oxide: titanium oxide = 85: 15 (mass ratio)], a pressure of 0.73 Pa, Pulse sputtering was performed under the conditions of a frequency of 50 kHz, a power density of 0.34 W / cm 2 , and an inversion pulse width of 2 μs to form a first oxide layer 22 having a thickness of 15 nm on the surface of the high refractive index layer 26. When measured by ESCA, the total content of zinc and titanium in the first oxide layer 22 is 100% by mass in terms of oxide (ZnO, TiO 2 ), and the total of zinc and titanium (100 atomic%) ), Zinc was 84.8 atomic%, and titanium was 15.2 atomic%.

(iii)アルゴンガスを導入しながら、金を1.0質量%ドープした銀合金ターゲットを用い、圧力0.73Pa、周波数50kHz、電力密度2.3W/cm2 、反転パルス幅10μ秒の条件でパルススパッタを行い、第1の酸化物層22表面に膜厚10nmの金属膜30を成膜した。ESCAにより測定したところ、金属膜30(100質量%)中、銀は99質量%、金は1質量%であった。 (iii) Using a silver alloy target doped with 1.0% by mass of gold while introducing argon gas, under conditions of pressure 0.73 Pa, frequency 50 kHz, power density 2.3 W / cm 2 , and inversion pulse width 10 μsec. Pulse sputtering was performed to form a metal film 30 having a thickness of 10 nm on the surface of the first oxide layer 22. When measured by ESCA, in the metal film 30 (100% by mass), silver was 99% by mass and gold was 1% by mass.

(iv)98体積%のアルゴンガスと2体積%の酸素ガスとの混合ガスを導入しながら、SZOターゲット[酸化亜鉛:酸化チタン=85:15(質量比)]を用い、圧力0.73Pa、周波数50kHz、電力密度0.34W/cm2 、反転パルス幅2μ秒の条件でパルススパッタを行い、金属膜30表面に膜厚15nmの第2の酸化物層24を成膜した。ESCAにより測定したところ、第2の酸化物層24における亜鉛およびチタンの含有量の合計は、酸化物換算(ZnO、TiO2 )で100質量%であり、亜鉛とチタンとの合計(100原子%)中、亜鉛は84.8原子%、チタンは15.2原子%であった。 (Iv) While introducing a mixed gas of 98% by volume argon gas and 2% by volume oxygen gas, using an SZO target [zinc oxide: titanium oxide = 85: 15 (mass ratio)], a pressure of 0.73 Pa, Pulse sputtering was performed under the conditions of a frequency of 50 kHz, a power density of 0.34 W / cm 2 , and an inversion pulse width of 2 μs to form a second oxide layer 24 having a thickness of 15 nm on the surface of the metal film 30. When measured by ESCA, the total content of zinc and titanium in the second oxide layer 24 is 100% by mass in terms of oxide (ZnO, TiO 2 ), and the total of zinc and titanium (100 atomic%) ), Zinc was 84.8 atomic%, and titanium was 15.2 atomic%.

(i)〜(iv)の操作をさらに5回繰り返した。ただし、(i)の操作においては、高屈折率層26を第2の酸化物層24表面に成膜した。また、基体12から2〜6番目の高屈折率層の膜厚は、40nmとした。
(i)の操作と同様にして、基体12から6番目の第2の酸化物層24表面に膜厚20nmの高屈折率層26を成膜した。
The operations (i) to (iv) were further repeated 5 times. However, in the operation (i), the high refractive index layer 26 was formed on the surface of the second oxide layer 24. The film thickness of the second to sixth high refractive index layers from the substrate 12 was 40 nm.
In the same manner as in the operation (i), a high refractive index layer 26 having a film thickness of 20 nm was formed on the surface of the second oxide layer 24 sixth from the base 12.

このようにして、図3に示すような、金属膜30の積層数が6であり、酸化物膜20の積層数が7であり、基体から1番目の酸化物膜20が高屈折率層26および第1の酸化物層22を有し、基体から2〜6番目の酸化物膜20が第2の酸化物層24、高屈折率層26および第1の酸化物層22を有し、基体12から7番目の酸化物膜20が第2の酸化物層24および高屈折率層26を有する導電性積層体10を得た。
該導電性積層体10について、視感透過率、波長850nmでの透過率、透過率50%以上の波長の帯域(バンド幅)、反射率40%以下の波長の帯域(バンド幅)およびシート抵抗(表面抵抗)を測定した。結果を表1に示す。
In this way, as shown in FIG. 3, the number of stacked metal films 30 is 6, the number of stacked oxide films 20 is 7, and the first oxide film 20 from the base is the high refractive index layer 26. And the second to sixth oxide films 20 from the substrate have the second oxide layer 24, the high refractive index layer 26 and the first oxide layer 22, and the substrate. The conductive laminated body 10 in which the twelfth to seventh oxide films 20 have the second oxide layer 24 and the high refractive index layer 26 was obtained.
For the conductive laminate 10, luminous transmittance, transmittance at a wavelength of 850 nm, wavelength band (bandwidth) with a transmittance of 50% or more, wavelength band (bandwidth) with a reflectance of 40% or less, and sheet resistance (Surface resistance) was measured. The results are shown in Table 1.

(例5)
図1に示す導電性積層体10を以下のように作製した。ただし、保護膜16は設けなかった。
例1と同様にして、基体12である厚さ100μmのPETフィルム表面の洗浄を行った。
(Example 5)
A conductive laminate 10 shown in FIG. 1 was produced as follows. However, the protective film 16 was not provided.
In the same manner as in Example 1, the surface of the PET film having a thickness of 100 μm as the substrate 12 was washed.

(i)95体積%のアルゴンガスと5体積%の酸素ガスとの混合ガスを導入しながら、ITOターゲット[酸化インジウム:酸化スズ=90:10(質量比)]を用い、圧力0.73Pa、周波数50kHz、電力密度3.7W/cm2 、反転パルス幅2μ秒の条件でパルススパッタを行い、基体12表面に膜厚35nmの酸化物膜20を成膜した。ESCAにより測定したところ、酸化物膜20におけるインジウムおよびスズの含有量の合計は、酸化物換算(In23、SnO2 )で100質量%であり、インジウムとスズとの合計(100原子%)中、インジウムは83.0原子%、スズは17.0原子%であった。 (I) While introducing a mixed gas of 95% by volume of argon gas and 5% by volume of oxygen gas, using an ITO target [indium oxide: tin oxide = 90: 10 (mass ratio)], a pressure of 0.73 Pa, Pulse sputtering was performed under the conditions of a frequency of 50 kHz, a power density of 3.7 W / cm 2 , and an inversion pulse width of 2 μs, and an oxide film 20 having a thickness of 35 nm was formed on the surface of the substrate 12. When measured by ESCA, the total content of indium and tin in the oxide film 20 is 100% by mass in terms of oxide (In 2 O 3 , SnO 2 ), and the total of indium and tin (100 atomic%) Indium was 83.0 atomic%, and tin was 17.0 atomic%.

(ii)アルゴンガスを導入しながら、金を1.0質量%ドープした銀合金ターゲットを用い、圧力0.73Pa、周波数50kHz、電力密度2.5W/cm2 、反転パルス幅10μ秒の条件でパルススパッタを行い、酸化物膜20表面に膜厚10nmの金属膜30を成膜した。ESCAにより測定したところ、金属膜30(100質量%)中、銀は99質量%、金は1質量%であった。 (Ii) Using a silver alloy target doped with 1.0% by mass of gold while introducing argon gas, under the conditions of pressure 0.73 Pa, frequency 50 kHz, power density 2.5 W / cm 2 , and inversion pulse width 10 μsec. Pulse sputtering was performed to form a metal film 30 with a thickness of 10 nm on the surface of the oxide film 20. When measured by ESCA, in the metal film 30 (100% by mass), silver was 99% by mass and gold was 1% by mass.

(i)〜(ii)の操作をさらに5回繰り返した。ただし、(i)の操作においては、酸化物膜20を金属膜30表面に成膜した。また、基体12から2〜6番目の酸化物膜20の膜厚は、70nmとした。
(i)の操作と同様にして、基体12から6番目の金属膜30表面に膜厚35nmの酸化物膜20を成膜した。
The operations (i) to (ii) were further repeated 5 times. However, in the operation (i), the oxide film 20 was formed on the surface of the metal film 30. The film thickness of the second to sixth oxide films 20 from the substrate 12 was 70 nm.
In the same manner as in the operation (i), an oxide film 20 having a thickness of 35 nm was formed on the surface of the sixth metal film 30 from the base 12.

このようにして、図1に示すような、金属膜30の積層数が6であり、酸化物膜20の積層数が7である導電性積層体10を得た。
該導電性積層体10について、視感透過率、波長850nmでの透過率、透過率50%以上の波長の帯域(バンド幅)、反射率40%以下の波長の帯域(バンド幅)およびシート抵抗(表面抵抗)を測定した。結果を表1に示す。
In this way, as shown in FIG. 1, the conductive laminated body 10 in which the number of stacked metal films 30 was 6 and the number of stacked oxide films 20 was 7 was obtained.
For the conductive laminate 10, luminous transmittance, transmittance at a wavelength of 850 nm, wavelength band (bandwidth) with a transmittance of 50% or more, wavelength band (bandwidth) with a reflectance of 40% or less, and sheet resistance (Surface resistance) was measured. The results are shown in Table 1.

(例6)
図5に示す構造の導電性積層体10を以下のように作製した。ただし、金属膜30の積層数を8、酸化物膜20の積層数を9とした。
例1と同様にして、基体12である厚さ100μmのPETフィルム表面の洗浄を行った。
(Example 6)
A conductive laminate 10 having the structure shown in FIG. 5 was produced as follows. However, the number of stacked metal films 30 was 8, and the number of stacked oxide films 20 was 9.
In the same manner as in Example 1, the surface of the PET film having a thickness of 100 μm as the substrate 12 was washed.

例1における(i)〜(iv)の操作を行った。
例1における(i)〜(iv)の操作をさらに7回繰り返した。ただし、(i)の操作においては、第1の酸化物層22を第2の酸化物層24表面に成膜した。また、基体12から8番目の第2の酸化物層24(基体12から9番目の酸化物膜20)の膜厚は、30nmとした。
例1における(v)の操作を行った。
The operations (i) to (iv) in Example 1 were performed.
The operations (i) to (iv) in Example 1 were further repeated 7 times. However, in the operation (i), the first oxide layer 22 was formed on the surface of the second oxide layer 24. The film thickness of the eighth oxide layer 24 from the base 12 (the ninth oxide film 20 from the base 12) was 30 nm.
The operation (v) in Example 1 was performed.

このようにして、図5に示すような構造(ただし、積層数が異なる。)を有する、金属膜30の積層数が8であり、酸化物膜20の積層数が9であり、基体から1番目の酸化物膜20が第1の酸化物層22であり、基体から2〜8番目の酸化物膜20が2層の酸化物層を有し、基体に近い酸化物層が第2の酸化物層24であり、もう一方の酸化物層が第1の酸化物層22であり、基体12から9番目の酸化物膜20が第2の酸化物層24である導電性積層体10を得た。
該導電性積層体10について、視感透過率、波長850nmでの透過率、透過率50%以上の波長の帯域(バンド幅)、反射率40%以下の波長の帯域(バンド幅)およびシート抵抗(表面抵抗)を測定した。結果を表1に示す。
In this way, the number of stacks of the metal film 30 having the structure as shown in FIG. 5 (however, the number of stacks is different) is 8, the number of stacks of the oxide film 20 is 9, and 1 from the substrate. The second oxide film 20 is the first oxide layer 22, the second to eighth oxide films 20 from the substrate have two oxide layers, and the oxide layer close to the substrate is the second oxide layer. The conductive laminate 10 is obtained, which is the physical layer 24, the other oxide layer is the first oxide layer 22, and the ninth oxide film 20 from the substrate 12 is the second oxide layer 24. It was.
For the conductive laminate 10, luminous transmittance, transmittance at a wavelength of 850 nm, wavelength band (bandwidth) with a transmittance of 50% or more, wavelength band (bandwidth) with a reflectance of 40% or less, and sheet resistance (Surface resistance) was measured. The results are shown in Table 1.

(例7(比較例))
図5に示す構造の導電性積層体を以下のように作製した。ただし、金属膜30の積層数を3、酸化物膜20の積層数を4とした。
例1と同様にして、基体12である厚さ100μmのPETフィルム表面の洗浄を行った。
(Example 7 (comparative example))
A conductive laminate having the structure shown in FIG. 5 was produced as follows. However, the number of stacked metal films 30 was 3, and the number of stacked oxide films 20 was 4.
In the same manner as in Example 1, the surface of the PET film having a thickness of 100 μm as the substrate 12 was washed.

例1における(i)〜(iv)の操作を行った。ただし、金属膜30の膜厚を15nmとした。
例1における(i)〜(iv)の操作をさらに2回繰り返した。ただし、(i)の操作においては、第1の酸化物層22を第2の酸化物層24表面に成膜した。また、基体12から3番目の第2の酸化物層24(基体12から4番目の酸化物膜20)の膜厚は、30nmとした。また、金属膜30の膜厚を15nmとした。
例1における(v)の操作を行った。
The operations (i) to (iv) in Example 1 were performed. However, the film thickness of the metal film 30 was 15 nm.
The operations (i) to (iv) in Example 1 were further repeated twice. However, in the operation (i), the first oxide layer 22 was formed on the surface of the second oxide layer 24. The film thickness of the second oxide layer 24 third from the base 12 (fourth oxide film 20 from the base 12) was 30 nm. The film thickness of the metal film 30 was 15 nm.
The operation (v) in Example 1 was performed.

このようにして、図5に示すような構造(ただし、積層数が異なる。)を有する、金属膜30の積層数が3であり、酸化物膜20の積層数が4であり、基体から1番目の酸化物膜20が第1の酸化物層22であり、基体から2〜3番目の酸化物膜20が2層の酸化物層を有し、基体に近い酸化物層が第2の酸化物層24であり、もう一方の酸化物層が第1の酸化物層22であり、基体12から4番目の酸化物膜20が第2の酸化物層24である導電性積層体を得た。
該導電性積層体について、視感透過率、波長850nmでの透過率、透過率50%以上の波長の帯域(バンド幅)、反射率40%以下の波長の帯域(バンド幅)およびシート抵抗(表面抵抗)を測定した。結果を表1に示す。
In this way, the number of stacked layers of the metal film 30 and the number of stacked layers of the oxide film 20 are 4 and have a structure as shown in FIG. 5 (however, the number of stacked layers is different). The second oxide film 20 is the first oxide layer 22, the second to third oxide films 20 from the substrate have two oxide layers, and the oxide layer close to the substrate is the second oxide layer. As a result, a conductive laminate was obtained in which the second oxide layer was the first oxide layer 22 and the fourth oxide film 20 from the substrate 12 was the second oxide layer 24. .
For the conductive laminate, luminous transmittance, transmittance at a wavelength of 850 nm, wavelength band (bandwidth) having a transmittance of 50% or more, wavelength band (bandwidth) having a reflectance of 40% or less, and sheet resistance ( Surface resistance) was measured. The results are shown in Table 1.

(例8(比較例))
図5に示す構造の導電性積層体を以下のように作製した。ただし、金属膜30の積層数を4、酸化物膜20の積層数を5とした。
例1と同様にして、基体12である厚さ100μmのPETフィルム表面の洗浄を行った。
(Example 8 (comparative example))
A conductive laminate having the structure shown in FIG. 5 was produced as follows. However, the number of stacked metal films 30 was 4, and the number of stacked oxide films 20 was 5.
In the same manner as in Example 1, the surface of the PET film having a thickness of 100 μm as the substrate 12 was washed.

例1における(i)〜(iv)の操作を行った。ただし、金属膜30の膜厚を13nmとした。
例1における(i)〜(iv)の操作をさらに3回繰り返した。ただし、(i)の操作においては、第1の酸化物層22を第2の酸化物層24表面に成膜した。また、基体12から4番目の第2の酸化物層24(基体12から5番目の酸化物膜20)の膜厚は、30nmとした。また、金属膜30の膜厚を13nmとした。
例1における(v)の操作を行った。
The operations (i) to (iv) in Example 1 were performed. However, the film thickness of the metal film 30 was 13 nm.
The operations (i) to (iv) in Example 1 were further repeated 3 times. However, in the operation (i), the first oxide layer 22 was formed on the surface of the second oxide layer 24. Further, the film thickness of the fourth second oxide layer 24 (the fifth oxide film 20 from the base 12) from the base 12 was set to 30 nm. The film thickness of the metal film 30 was 13 nm.
The operation (v) in Example 1 was performed.

このようにして、図5に示すような構造(ただし、積層数が異なる。)を有する、金属膜30の積層数が4であり、酸化物膜20の積層数が5であり、基体から1番目の酸化物膜20が第1の酸化物層22であり、基体から2〜4番目の酸化物膜20が2層の酸化物層を有し、基体に近い酸化物層が第2の酸化物層24であり、もう一方の酸化物層が第1の酸化物層22であり、基体12から5番目の酸化物膜20が第2の酸化物層24である導電性積層体を得た。
該導電性積層体について、視感透過率、波長850nmでの透過率、透過率50%以上の波長の帯域(バンド幅)、反射率40%以下の波長の帯域(バンド幅)およびシート抵抗(表面抵抗)を測定した。結果を表1に示す。
In this manner, the metal film 30 having the structure as shown in FIG. 5 (however, the number of stacked layers is different) is 4, the number of stacked oxide films 20 is 5, and 1 from the substrate. The second oxide film 20 is the first oxide layer 22, the second to fourth oxide films 20 from the base have two oxide layers, and the oxide layer close to the base is the second oxide layer. As a result, a conductive laminate was obtained in which the second oxide layer was the first oxide layer 22 and the fifth oxide film 20 from the substrate 12 was the second oxide layer 24. .
For the conductive laminate, luminous transmittance, transmittance at a wavelength of 850 nm, wavelength band (bandwidth) having a transmittance of 50% or more, wavelength band (bandwidth) having a reflectance of 40% or less, and sheet resistance ( Surface resistance) was measured. The results are shown in Table 1.

(例9(比較例))
図1に示す構造の導電性積層体を以下のように作製した。ただし、保護膜16は設けなかった。また、金属膜30の積層数を3、酸化物膜20の積層数を4とした。
例1と同様にして、基体12である厚さ100μmのPETフィルム表面の洗浄を行った。
(Example 9 (comparative example))
A conductive laminate having the structure shown in FIG. 1 was produced as follows. However, the protective film 16 was not provided. Further, the number of stacked metal films 30 was 3, and the number of stacked oxide films 20 was 4.
In the same manner as in Example 1, the surface of the PET film having a thickness of 100 μm as the substrate 12 was washed.

例5における(i)〜(ii)の操作を行った。ただし、金属膜30の膜厚を15nmとした。
例5における(i)〜(ii)の操作をさらに2回繰り返した。ただし、(i)の操作においては、酸化物膜20を金属膜30表面に成膜した。また、基体12から2〜3番目の酸化物膜20の膜厚は、70nmとした。また、金属膜30の膜厚を15nmとした。
例5における(i)の操作と同様にして、基体12から3番目の金属膜30表面に膜厚35nmの酸化物膜20を成膜した。
The operations (i) to (ii) in Example 5 were performed. However, the film thickness of the metal film 30 was 15 nm.
The operations (i) to (ii) in Example 5 were further repeated twice. However, in the operation (i), the oxide film 20 was formed on the surface of the metal film 30. The film thickness of the second to third oxide films 20 from the substrate 12 was 70 nm. The film thickness of the metal film 30 was 15 nm.
In the same manner as the operation (i) in Example 5, an oxide film 20 having a thickness of 35 nm was formed on the surface of the third metal film 30 from the base 12.

このようにして、図1に示すような構造(ただし、積層数が異なる。)を有する、金属膜30の積層数が3であり、酸化物膜20の積層数が4である導電性積層体を得た。
該導電性積層体について、視感透過率、波長850nmでの透過率、透過率50%以上の波長の帯域(バンド幅)、反射率40%以下の波長の帯域(バンド幅)およびシート抵抗(表面抵抗)を測定した。結果を表1に示す。
In this way, the conductive laminate having the structure shown in FIG. 1 (however, the number of laminations is different), in which the number of laminations of the metal film 30 is 3, and the number of laminations of the oxide film 20 is 4. Got.
For the conductive laminate, luminous transmittance, transmittance at a wavelength of 850 nm, wavelength band (bandwidth) having a transmittance of 50% or more, wavelength band (bandwidth) having a reflectance of 40% or less, and sheet resistance ( Surface resistance) was measured. The results are shown in Table 1.

(例10(比較例))
図1に示す構造の導電性積層体を以下のように作製した。ただし、保護膜16は設けなかった。また、金属膜30の積層数を4、酸化物膜20の積層数を5とした。
例1と同様にして、基体12である厚さ100μmのPETフィルム表面の洗浄を行った。
(Example 10 (comparative example))
A conductive laminate having the structure shown in FIG. 1 was produced as follows. However, the protective film 16 was not provided. Further, the number of stacked metal films 30 was 4, and the number of stacked oxide films 20 was 5.
In the same manner as in Example 1, the surface of the PET film having a thickness of 100 μm as the substrate 12 was washed.

例5における(i)〜(ii)の操作を行った。ただし、金属膜30の膜厚を13nmとした。
例5における(i)〜(ii)の操作をさらに3回繰り返した。ただし、(i)の操作においては、酸化物膜20を金属膜30表面に成膜した。また、基体12から2〜4番目の酸化物膜20の膜厚は、70nmとした。また、金属膜30の膜厚を13nmとした。
例5における(i)の操作と同様にして、基体12から4番目の金属膜30表面に膜厚35nmの酸化物膜20を成膜した。
The operations (i) to (ii) in Example 5 were performed. However, the film thickness of the metal film 30 was 13 nm.
The operations (i) to (ii) in Example 5 were repeated three more times. However, in the operation (i), the oxide film 20 was formed on the surface of the metal film 30. The thickness of the second to fourth oxide film 20 from the substrate 12 was 70 nm. The film thickness of the metal film 30 was 13 nm.
In the same manner as the operation (i) in Example 5, an oxide film 20 having a thickness of 35 nm was formed on the surface of the fourth metal film 30 from the base 12.

このようにして、図1に示すような構造(ただし、積層数が異なる。)を有する、金属膜30の積層数が4であり、酸化物膜20の積層数が5である導電性積層体を得た。
該導電性積層体について、視感透過率、波長850nmでの透過率、透過率50%以上の波長の帯域(バンド幅)、反射率40%以下の波長の帯域(バンド幅)およびシート抵抗(表面抵抗)を測定した。結果を表1に示す。
Thus, the conductive laminate having the structure shown in FIG. 1 (however, the number of laminations is different), in which the number of laminations of the metal film 30 is 4, and the number of laminations of the oxide film 20 is 5. Got.
For the conductive laminate, luminous transmittance, transmittance at a wavelength of 850 nm, wavelength band (bandwidth) having a transmittance of 50% or more, wavelength band (bandwidth) having a reflectance of 40% or less, and sheet resistance ( Surface resistance) was measured. The results are shown in Table 1.

Figure 0004893097
Figure 0004893097

本発明の導電性積層体は、プラズマディスプレイ用電磁波遮蔽フィルムおよび保護板として有用である。   The conductive laminate of the present invention is useful as an electromagnetic shielding film for plasma displays and a protective plate.

本発明の導電性積層体の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the electroconductive laminated body of this invention. 本発明の導電性積層体の他の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other example of the electroconductive laminated body of this invention. 本発明の導電性積層体の他の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other example of the electroconductive laminated body of this invention. 本発明の導電性積層体の他の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other example of the electroconductive laminated body of this invention. 本発明の導電性積層体の他の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other example of the electroconductive laminated body of this invention. 本発明の導電性積層体の他の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other example of the electroconductive laminated body of this invention. 本発明の保護板の第1の実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows 1st Embodiment of the protection board of this invention. 本発明の保護板の第2の実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows 2nd Embodiment of the protection board of this invention. 本発明の保護板の第3の実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows 3rd Embodiment of the protection board of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10 導電性積層体
12 基体
14 導電膜
16 保護膜
20 酸化物膜
22 第1の酸化物層
24 第2の酸化物層
26 高屈折率層
30 金属膜
40 保護板
42 支持基体
52 電極
54 導電性メッシュフィルム
60 保護板
70 保護板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Conductive laminated body 12 Base body 14 Conductive film 16 Protective film 20 Oxide film 22 1st oxide layer 24 2nd oxide layer 26 High refractive index layer 30 Metal film 40 Protection board 42 Support base body 52 Electrode 54 Conductivity Mesh film 60 Protection plate 70 Protection plate

Claims (4)

基体と、基体上に形成された導電膜とを有する導電性積層体であって、
前記導電膜は、基体側から酸化物膜と金属膜とが交互に積層され、金属膜の積層数がnであり、酸化物膜の積層数がn+1である(ただし、nは6〜8である。)多層構造体であり、
前記酸化物膜が、酸化亜鉛および酸化チタンを含む膜であり、
前記金属膜が、純銀からなる膜、または金および/またはビスマスを含有する銀合金を主成分として含有する膜である、導電性積層体。
A conductive laminate having a base and a conductive film formed on the base,
In the conductive film, oxide films and metal films are alternately stacked from the substrate side, the number of stacked metal films is n, and the number of stacked oxide films is n + 1 (where n is 6 to 8). A multilayer structure;
The oxide film is a film containing zinc oxide and titanium oxide ,
The conductive laminate, wherein the metal film is a film made of pure silver or a film containing a silver alloy containing gold and / or bismuth as a main component.
基体と、基体上に形成された導電膜とを有する導電性積層体であって、
前記導電膜は、基体側から酸化物膜と金属膜とが交互に積層され、金属膜の積層数がnであり、酸化物膜の積層数がn+1である(ただし、nは6〜8である。)多層構造体であり、
基体から1番目の酸化物膜が、第1の酸化物層を有し、
基体から2〜n番目の酸化物膜が2層の酸化物層を有し、基体に近い酸化物層が第2の酸化物層であり、もう一方の酸化物層が第1の酸化物層であり、
基体からn+1番目の酸化物膜が、第2の酸化物層を有し、
前記第1の酸化物層が、酸化亜鉛および酸化チタンを含む層であり、
前記第2の酸化物層が、酸化亜鉛および酸化アルミニウムを含む層であ、導電性積層体。
A conductive laminate having a base and a conductive film formed on the base,
In the conductive film, oxide films and metal films are alternately stacked from the substrate side, the number of stacked metal films is n, and the number of stacked oxide films is n + 1 (where n is 6 to 8). A multilayer structure;
The first oxide film from the substrate has a first oxide layer;
The 2nd to nth oxide films from the substrate have two oxide layers, the oxide layer close to the substrate is the second oxide layer, and the other oxide layer is the first oxide layer. And
(N + 1) th oxide film from the substrate is, have a second oxide layer,
The first oxide layer is a layer containing zinc oxide and titanium oxide;
It said second oxide layer is Ru layer der containing zinc oxide and aluminum oxide, electroconductive laminate.
基体と、基体上に形成された導電膜とを有する導電性積層体であって、
前記導電膜は、基体側から酸化物膜と金属膜とが交互に積層され、金属膜の積層数がnであり、酸化物膜の積層数がn+1である(ただし、nは6〜8である。)多層構造体であり、
基体から1番目の酸化物膜が、第1の酸化物層を有し、
基体から2〜n番目の酸化物膜が2層の酸化物層を有し、基体に近い酸化物層が第2の酸化物層であり、もう一方の酸化物層が第1の酸化物層であり、
基体からn+1番目の酸化物膜が、第2の酸化物層を有し、
基体から1番目の酸化物膜が、第1の酸化物層の基体側に、屈折率が2.0以上である金属酸化物からなる高屈折率層を有し、
基体から2〜n番目の酸化物膜が、第1の酸化物層と第2の酸化物層との間に、屈折率が2.0以上である金属酸化物からなる高屈折率層を有し、
基体からn+1番目の酸化物膜が、第2の酸化物層の基体側とは反対側に、屈折率が2.0以上である金属酸化物からなる高屈折率層を有し、
前記第1の酸化物層が、酸化亜鉛および酸化チタンを含む層であり、
前記第2の酸化物層が、酸化亜鉛および酸化チタンを含む層、または酸化亜鉛および酸化アルミニウムを含む層であ、導電性積層体。
A conductive laminate having a base and a conductive film formed on the base,
In the conductive film, oxide films and metal films are alternately stacked from the substrate side, the number of stacked metal films is n, and the number of stacked oxide films is n + 1 (where n is 6 to 8). A multilayer structure;
The first oxide film from the substrate has a first oxide layer;
The 2nd to nth oxide films from the substrate have two oxide layers, the oxide layer close to the substrate is the second oxide layer, and the other oxide layer is the first oxide layer. And
The (n + 1) th oxide film from the substrate has a second oxide layer,
The first oxide film from the substrate has a high refractive index layer made of a metal oxide having a refractive index of 2.0 or more on the substrate side of the first oxide layer,
The 2nd to nth oxide films from the substrate have a high refractive index layer made of a metal oxide having a refractive index of 2.0 or more between the first oxide layer and the second oxide layer. And
(N + 1) th oxide film from the substrate is the substrate side of the second oxide layer on the opposite side, it has a high refractive index layer made of a metal oxide having a refractive index of 2.0 or more,
The first oxide layer is a layer containing zinc oxide and titanium oxide;
It said second oxide layer is Ru layer der comprising a layer containing zinc oxide and titanium oxide or zinc oxide and aluminum oxide, electroconductive laminate.
支持基体と、
該支持基体上に設けられた請求項1〜のいずれかに記載の導電性積層体と、
該導電性積層体の周縁部に設けられて前記導電膜に電気的に接している電極と
を有する、プラズマディスプレイ用保護板。
A support substrate;
The conductive laminate according to any one of claims 1 to 3 , provided on the support substrate,
A protective plate for a plasma display, comprising: an electrode provided at a peripheral portion of the conductive laminate and electrically contacting the conductive film.
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