JP3892749B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3892749B2 JP3892749B2 JP2002095694A JP2002095694A JP3892749B2 JP 3892749 B2 JP3892749 B2 JP 3892749B2 JP 2002095694 A JP2002095694 A JP 2002095694A JP 2002095694 A JP2002095694 A JP 2002095694A JP 3892749 B2 JP3892749 B2 JP 3892749B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- substrate processing
- processing apparatus
- substrates
- solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、純水等の処理液による洗浄処理が終了した半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、「基板」と称する）を乾燥させる基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板処理装置では、種々の薬液による薬液処理、純水による洗浄処理等の表面処理が順次実施される。そして、純水による仕上げの洗浄が行われた後に、最終の処理として乾燥処理が実行される。このような基板の乾燥処理として、例えば、基板１枚ずつに対して基板処理を施すいわゆる枚葉式の基板処理装置において、従来より、基板を高速に回転させてその遠心力により水分を基板上から振り切って除去する振り切り乾燥（スピンドライ）が知られている。
【０００３】
しかし、この振り切り乾燥では、近年の半導体デバイス構造の複雑化に伴い、ウォーターマークと呼ばれる乾燥不良が問題となっている。ウォーターマークとは、基板表面に付着した水分が基板の素材であるシリコンおよび空気中の酸素と反応して生じる乾燥シミであり、基板表面に水分が付着している時間が長いほど発生しやすい。
【０００４】
そこで、純水より表面張力が小さく、かつ、蒸発潜熱の小さい有機溶剤であるイソプロピルアルコール（以下、「ＩＰＡ」とも呼ぶ）を基板に吹きつけつつ、基板を回転させて乾燥させる方式も提案されている。ＩＰＡは、純水と比較して表面張力が小さく、浸透性が高いため、基板上に形成されたトレンチ構造等の微細パターン内部に入り込んだ水滴を容易に乾燥することができる。また、ＩＰＡは純水と比較して蒸発潜熱が小さく乾燥速度が速い。これらの理由により、基板を回転しつつ基板上にＩＰＡを吹き付ける乾燥方式では、基板上の微細パターン内部に入り込んだ水滴を排水しつつ、基板上の水滴を振り切るため、基板表面に水分が付着している時間を短縮して、ウォーターマークの発生を抑制し、乾燥性能を向上させることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＩＰＡのように環境に負荷を与える物質は、そのまま外部に放出することができず、所定の排液処理を施して無害な物質とする必要があるため、基板処理のコストが上昇するといった問題が生じる。また、ＩＰＡを使用する場合、防爆構造等の特別な安全機構を設ける必要があるため、基板処理装置が大型化し、さらに、基板処理装置の製造コストが上昇するといった問題も生じる。
【０００６】
また、近年の半導体のさらなる微細化・複雑化にともない、ＩＰＡを使用しても、微細パターン内部に入り込んだ水滴を排水することが困難な場合も生じている。
【０００７】
そして、このようなＩＰＡを使用した乾燥処理の問題は、枚葉式の基板処理装置に限らず、複数の基板に対して一度に基板処理を行うバッチ式の基板処理装置においても生じる問題である。
【０００８】
そこで、本発明は、乾燥剤を供給しながら乾燥する基板処理装置において、微細化・複雑化された構造を有する基板であってもウォーターマークを発生させることなく、しかも乾燥処理に要するコストの上昇を抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく、請求項１に記載の発明は、処理液による洗浄処理が終了した複数の基板の乾燥処理を行う基板処理装置であって、処理液を貯留し、前記処理液中に複数の基板を浸漬して所定の基板処理を行う処理槽と、前記基板処理が終了した複数の基板を略鉛直姿勢にて保持しつつ前記処理槽から引き揚げる引き揚げ手段と、前記処理槽の上方に設けられており、前記引き揚げ手段から受け渡された複数の基板を略鉛直姿勢にて保持する保持手段と、略水平方向に沿った回転軸を中心として複数の基板を保持して前記保持手段を回転させる回転手段と、前記回転手段を用いて基板を回転させつつ、処理液が付着した基板にフッ素系溶剤を主剤とする乾燥剤を供給する溶剤供給手段と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記保持手段に保持された基板に前記溶剤供給手段から乾燥剤を供給する際に、前記回転手段による基板の回転数を減少させる回転数制御手段をさらに備えることを特徴とする。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、前記溶剤供給手段は、乾燥剤の蒸気を基板に供給することを特徴とする。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記フッ素系溶剤はハイドロフルオロエーテルであることを特徴とする。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記乾燥剤は、前記フッ素系溶剤とイソプロピルアルコールとを混合した溶剤であることを特徴とする。
【００１６】
請求項６に記載の発明は、処理液による洗浄処理が終了した基板の乾燥処理を行う基板処理方法であって、(a) 処理槽に貯留された処理液中に複数の基板を浸漬して所定の基板処理を行う工程と、 (b) 前記工程 (a) が終了した複数の基板を引き揚げ手段により略鉛直姿勢にて保持しつつ前記処理槽から引き揚げる工程と、(c) 前記工程 (b) によって引き揚げられた略鉛直姿勢の複数の基板を前記引き揚げ手段から保持手段に受け渡す工程と、(d) 前記保持手段に保持された基板を回転させつつ、処理液が付着した基板にフッ素系溶剤を主剤とする乾燥剤を供給する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１７】
請求項７に記載の発明は、処理液による洗浄処理が終了した複数の基板の乾燥処理を行う基板処理装置であって、処理液を貯留し、前記処理液中に複数の基板を浸漬して所定の基板処理を行う処理槽と、前記基板処理が終了した複数の基板を略鉛直姿勢にて保持しつつ前記処理槽から引き揚げる引き揚げ手段と、前記処理槽の上方に設けられており、前記引き揚げ手段から受け渡された複数の基板を略鉛直姿勢にて保持する保持手段と、略水平方向に沿った回転軸を中心として複数の基板を保持して前記保持手段を回転させる回転手段と、前記回転手段を用いて基板を回転させつつ、処理液が付着した基板にシリコーン系溶剤を主剤とする乾燥剤を供給する溶剤供給手段と、を備えることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１９】
＜１．第１実施形態＞
(1) 基板処理装置の構成
まず、本発明の第１実施形態について説明する。図１に、本発明の第１実施形態における基板処理装置１００の正面図を、図２に、図１に示す基板処理装置１００の側面図を、図３に、図１に示す基板処理装置１００の構成要素であるローター３０の斜視図をそれぞれ示す。なお、図１および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするため必要に応じてＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。
【００２０】
第１実施形態における基板処理装置１００は、いわゆるバッチ式の基板処理装置であり、一度に複数の基板処理を施すことができるため、基板処理のスループットを向上させることができる。図１に示すように、基板処理装置１００は、フッ酸等の薬液や純水（以下、「処理液」とも呼ぶ）を貯留した処理槽１０に、複数の基板Ｗを略鉛直姿勢にて保持して浸漬し、所定の基板処理を行うものであり、主として、収容器１、処理槽１０、リフター２０およびローター３０を備えている。
【００２１】
収容器１は、その内部に処理槽１０、リフター２０、ローター３０、窒素ガス吐出ノズル４０、乾燥剤吐出ノズル５０、純水吐出ノズル６０等を収容する筐体である。収容器１の上部は図示を省略するスライド式開閉機構によって開閉可能とされている。収容器１の上部を開放した状態では、その開放部分から基板の搬出入を行う。一方、収容器１の上部を閉鎖した状態では、その内部を密閉空間とする。
【００２２】
処理槽１０は、処理液を貯留して複数の基板に順次表面処理を行う槽であり、収容器１の内部に収容されている。処理槽１０の底部近傍には図示しない２本の処理液吐出ノズルが配置されており、処理液を処理槽１０に貯留することにより、所定の基板処理を行うことができる。
【００２３】
処理液は処理槽１０の底部から供給されて処理槽１０の上端部から溢れ出る。このため、処理槽１０の上端部には回収部１２が配置されており、処理槽１０の上部から溢れ出た処理液の排液は回収部１２において回収される。そして回収部１２で回収された排液と、処理槽１０の底部から排出される排液とは、収容器１の底部に連通接続された排液管１５を介して基板処理装置１００外部の排液ドレイン１６へ排出される。なお、この排液管１５を含めて、処理液等の液体の供給路や排出路は配管によって構成されている。
【００２４】
図２に示すように、リフター２０は、リフターアーム２３、３本の保持棒２１ａ、２１ｂ、２１ｃおよび昇降駆動部２２を備えている。昇降駆動部２２は、リフターアーム２３を図１の矢印ＡＲ２（Ｚ軸方向）に沿って昇降させる機能を有している。リフターアーム２３には、３本の保持棒２１ａ、２１ｂ、２１ｃがその長手方向が略水平（Ｙ軸方向）となるように固設されており、３本の保持棒２１ａ、２１ｂ、２１ｃのそれぞれには基板Ｗの外縁部がはまり込んで基板Ｗを略鉛直姿勢にて保持する複数の保持溝が所定のピッチにて配列して設けられている。それぞれの保持溝は、Ｙ方向に沿って形成された切欠状の溝である。
【００２５】
このような構成により、リフター２０は３本の保持部２１ａ、２１ｂ、２１ｃによって相互に平行に配列されて保持された複数の基板Ｗを処理槽１０内に貯留されている処理液中に浸漬する浸漬位置（図１の実線位置）と収容器１内における処理槽１０よりも上方の引き揚げ位置（図１の一点鎖線位置）との間で昇降される。また、リフター２０は、基板Ｗを引き揚げ位置よりもさらに上方の受渡位置（装置外部の搬送ロボットとの間で基板Ｗの受け渡しを行わせる位置）にまで上昇させる。
【００２６】
図３に示すように、ローター３０は、上記の引き揚げ位置に設けられており、モータ３１、回転板３２および４本の保持アーム３３を備える。保持アーム３３は柱状の部材であって、その長手方向がＹ軸方向に沿うように回転板３２に取り付けられている。保持アーム３３は、Ｙ軸方向と平行であってかつその中心軸から偏心した軸周りで揺動可能に回転板３２に取り付けられている。４本の保持アーム３３は、図示省略のリンク機構によって相互に連動して揺動するように構成されており、図１の矢印ＡＲ１に示すように、引き揚げ位置に位置する基板Ｗの端縁部に当接・押圧して当該基板Ｗを保持する保持位置（図１の実線位置）と基板Ｗの端縁部から離間して当該基板Ｗを開放する開放位置（図１の点線位置）との間で揺動する。
【００２７】
リフター２０からローター３０に基板Ｗを渡すときには、リフター２０が上昇して基板Ｗを引き揚げ位置に保持する。なお、リフター２０の昇降時においては、保持アーム３３が開放位置に位置して保持アーム３３の間を基板Ｗが通過可能となるようにされている。リフター２０によって引き揚げ位置に基板Ｗが保持された状態において、保持アーム３３が開放位置から保持位置まで揺動して基板Ｗの端縁部に当接し、基板Ｗを保持する。この状態でリフター２０が降下しても基板Ｗは保持アーム３３によってローター３０に保持された状態が維持される。逆に、ローター３０からリフター２０に基板Ｗを渡すときには、リフター２０が上昇して保持棒２１ａ、２１ｂ、２１ｃがローター３０に保持された基板Ｗの下端部に接触する。その状態にて保持アーム３３が保持位置から開放位置まで揺動して基板Ｗの端縁部から離間し、基板Ｗはリフター２０の３本の保持部２１ａ、２１ｂ、２１ｃによって保持されることとなる。
【００２８】
回転板３２の中心部はモータ３１の回転軸３４に固設されている。これにより、モータ３１は回転板３２、４本の保持アーム３３およびそれらに保持された複数の基板ＷをＹ軸周りにて回転させることができる。すなわち、ローター３０は、リフター２０から渡された複数の基板Ｗを保持して水平軸周りにて一斉に回転させるものである。
【００２９】
収容器１の内部には、上から順番に、窒素ガス吐出ノズル４０、乾燥剤吐出ノズル５０および純水吐出ノズル６０が、それぞれ２本ずつ設けられている。図２に示すように、窒素ガス吐出ノズル４０、乾燥剤吐出ノズル５０および純水吐出ノズル６０のそれぞれは、Ｘ方向に沿って伸びる中空の管状部材であり、Ｘ方向に等間隔にて配列された複数の吐出孔４０ａ、５０ａ、６０ａをそれぞれ備えている。窒素ガス吐出ノズル４０に設けられている複数の吐出口４０ａ、乾燥剤吐出ノズル５０に設けられている複数の吐出口５０ａのそれぞれは、吐出方向が斜め下方向となるように、また、純水吐出ノズル６０に設けられている複数の吐出口６０ａのそれぞれは、吐出方向が略水平方向となるように形成されている。
【００３０】
また、２本の窒素ガス吐出ノズル４０は、図１に示すように、配管４１（４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄ）およびバルブ４２を介して窒素ガス供給源４３と、２本の乾燥剤吐出ノズル５０は、配管５１（５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄ）およびバルブ５２を介して乾燥溶剤供給源５６と、純水吐出ノズル６０は、配管６１（６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄ）およびバルブ６２を介して純水供給源６３とそれぞれ連通接続されている。そのため、バルブ４２を開放することにより、窒素ガス吐出ノズル４０から窒素ガスを吐出して、収容器１内に窒素ガスを含む雰囲気を形成する。また、バルブ５２を開放することにより乾燥剤吐出ノズル５０から乾燥溶剤（後述するＨＦＥ）を、バルブ６２を開放することにより純水吐出ノズル６０から純水を吐出してローター３０に保持された複数の基板Ｗに供給する。
【００３１】
収容器１の内部で処理槽１０の下方には、回収部１１が設けられており、乾燥剤吐出ノズル５０や純水吐出ノズル６０から吐出される処理液、および処理槽１０や回収部１２からの排液を回収するのに使用される。回収部１１は、処理槽１０や回収部１２と同様に、収容器１の底部の排液管１５と連通接続されており、回収部１１で回収された排液は基板処理装置１００外部の排液ドレイン１６へ排出される。
【００３２】
また、収容器１内の雰囲気は、収容器１と連通接続された排気管１７を介して基板処理装置１００外部の排気ドレイン１８に排気される。そのため、収容器１内の圧力は一定圧力に保たれる。
【００３３】
制御部７０は、プログラムや変数等を格納するメモリ７１と、メモリ７１に格納されたプログラムに従った制御を実行するＣＰＵ７２とを備えている。ＣＰＵ７２は、メモリ７１に格納されているプログラムに従って、リフター２０の昇降制御、ローター３０の回転制御、および各バルブの開閉制御等を所定のタイミングで行う。
【００３４】
(2) 基板の乾燥処理シーケンス
ここでは、第１実施形態の基板処理装置１００による基板の乾燥処理シーケンスについて説明する。図４は、所定の薬液処理が終了した複数の基板Ｗを、リフター２０によって引き揚げ、リフター２０からローター３０に受け渡した時刻ｔ０から乾燥処理が終了するまでの、バルブ４０、５０、６０の開閉状態およびローター３０の構成要素であるモータ３１の回転数の一例を示すタイミングチャートである。
【００３５】
時刻ｔ０より前の期間において、リフター２０によって保持された基板Ｗは、処理槽１０に貯留される処理液に浸漬され、洗浄処理等の所定の基板処理が施される。所定の基板処理が終了すると、複数の基板Ｗはリフター２０によって引き揚げ位置（図１の一点鎖線位置）まで上昇させられ、リフター２０からローター３０に受け渡される。この基板Ｗを浸漬位置（図１の実線位置）から引き揚げ位置まで上昇させて保持するまでの期間、窒素ガス供給源４３と連通しているバルブ４２が開放されて、収容器１内の雰囲気は、窒素ガスで満たされており、また、リフター２０は浸漬位置から引き揚げ位置まで速やかに上昇させられるため、基板Ｗの表面に付着した水分等により発生するウォーターマークを抑制して、乾燥処理が施される引き揚げ位置まで基板Ｗを上昇することができる。なお、収容器１内の雰囲気は、排気管１７を介して基板処理装置１００外と連通接続されているため、窒素ガスが供給され続けても収容器１内の圧力は一定に保たれる。
【００３６】
時刻ｔ０において、停止しているモータ３１の回転数ｎがｎ0に設定され、ローター３０に保持されている基板Ｗが回転し始める。なお、時刻ｔ０においても、バルブ４２が開放されており、収容器１内は窒素雰囲気となっている。
【００３７】
次に、モータ３１の回転数がｎ0となった状態で時刻ｔ１において、純水供給源６３と連通するバルブ６２が開放され、ローター３０に保持されている複数の基板Ｗに純水が供給されて基板Ｗが純水洗浄される。このとき、バルブ４２が開放されており、基板Ｗは、窒素雰囲気内で回転しつつ純水により洗浄される。そのため、基板Ｗでのウォーターマークの発生を抑制しつつ、洗浄処理を進行することができる。
【００３８】
後に詳述するように、次の時刻ｔ２においては、乾燥溶剤供給源５６内に液体状態で収容されたフッ素系溶剤のハイドロフルオロエーテル（以下、「ＨＦＥ」とも呼ぶ）が乾燥剤吐出ノズル５０から噴霧されることにより、ＨＦＥの蒸気が基板Ｗに乾燥剤として供給される。ここでＨＦＥは、その構造中に塩素原子を含まないフッ素系化合物であり、近年問題となっているオゾン層破壊の原因とならず、さらに、地球温暖化への影響も少ない環境問題に配慮された有機溶剤である。また、従来の乾燥処理において乾燥溶剤として使用されているＩＰＡと比較して、引火性もない。そのため、ＩＰＡを使用して乾燥処理を行う従来の基板処理装置のように、防爆構造等の特別な安全機構を設ける必要がなく、基板処理装置が大型化するのを防ぐことができる。さらに、所定の排液処理を施して無害な物質とする必要がないため、排液処理のためのコストを低減することができる。
【００３９】
また、ＨＦＥは表面張力が小さく、水のそれが７１．８dyn/cm、ＩＰＡが２０．８dyn/cmであるのに対して、ＨＦＥの表面張力は１６．６dyn/cm以下である。そのため、ＨＦＥの浸透性はＩＰＡより高く、トレンチ構造等の基板Ｗ上に形成された微細な配線パターン内部に入り込んだ水滴を容易に乾燥することができ、配線パターン内部に入り込んだ水滴の排水効率を向上させることができる。
【００４０】
さらに、ＨＦＥは蒸発潜熱も小さく、水のそれが２２５６J/g、ＩＰＡが６７４J/gであるのに対して、低分子シリコーン系溶剤の蒸発潜熱は２１０J/g以下である。そのため、ＨＦＥを使用した乾燥処理は、ＩＰＡを使用した場合と比較して乾燥に要する時間を短縮することができる。
【００４１】
このようなＨＦＥの物性により、ＨＦＥを乾燥剤として使用した乾燥処理は、ＩＰＡを用いた従来の乾燥処理と比較して、微細パターン内部に入り込んだ水分を排水効率を向上させつつ、乾燥時間を短縮することができる。そのため、微細パターン内部に入り込んだ水分に起因したウォーターマークの発生をより抑制することができる。
【００４２】
上記時刻ｔ２における動作を詳述する。バルブ６２を閉鎖して純水の供給を、バルブ４２を閉鎖して窒素ガスの供給をそれぞれ停止するとともに、乾燥溶剤供給源５６に連通接続するバルブ５２が開放されて、基板Ｗに乾燥剤としてＨＦＥが基板Ｗに供給される。また時刻ｔ２において、モータ３１の回転数ｎをｎ0からｎ1に低下させる。
【００４３】
ここで、モータ３１の回転数ｎを低下させるのは、基板Ｗに供給されてＨＦＥがモータ３１の回転による遠心力によって振り切られずに基板上に留まらせつつ基板Ｗ表面全体にＨＦＥを行き渡らせて、基板Ｗに付着した純水とＨＦＥとの置換効率を高めるためである。このとき、基板Ｗに供給されたＨＦＥは、表面に付着した純水や微細パターン内部に入り込んだ純水と置換されていく。
【００４４】
続いて、時刻ｔ３において、バルブ５２が閉鎖されてＨＦＥの供給が停止されるとともに、バルブ４２が開放されて窒素ガスが収容器１内に再供給され、収容器１内は窒素ガス雰囲気に置換されとともに、モータ３１の回転数がｎ1からｎ0に増加される。そのため、基板Ｗ上に付着した純水と大部分のＨＦＥとは、回転による遠心力によって振り切られて除去される。また、トレンチ構造等の微細パターン内部に入り込んだＨＦＥは蒸発して基板Ｗ上から除去される。このとき、排気管１７を介して外部と連通接続されている収容器１内には窒素ガスが供給され続けており、気化したＨＦＥの蒸気は速やかに窒素ガスと置換されて、収容器１内のＨＦＥ蒸気の密度が収容器１内の雰囲気温度によって定まるＨＦＥの蒸気が存在できる最大密度を超えることがないため、基板Ｗ上に留まっているＨＦＥは速やかに蒸発する。そして、時刻ｔ４において、モータ３１の回転数をゼロに設定し、基板Ｗの回転を停止させて乾燥処理を終了する。
【００４５】
(3) 第１実施形態の基板処理装置の利点
以上のように、第１実施形態の基板処理装置１００の乾燥処理では、乾燥剤として、従来の乾燥処理において使用されていたＩＰＡと比較して、蒸発潜熱が小さく、表面張力が小さいＨＦＥを、純水が付着した基板Ｗに供給しながら、モータ３１によって基板Ｗを回転させており、微細パターン内部の水滴の排水効率を向上させつつ、基板Ｗ上の水滴とフッ素系溶剤とを遠心力によって振り切って一気に除去することができる。そのため、微細パターン内部の乾燥不良をさらに抑制しつつ、乾燥性能を高めることができる。
【００４６】
また、乾燥剤としてＨＦＥを使用することにより、ＩＰＡを使用する従来の基板処理装置で必須となる防爆のための特別な装置を設置する必要がないため、乾燥処理に要するコストの上昇を抑制することができる。さらに、ＨＦＥは、その構造中に塩素原子を含まず、近年問題となっているオゾン層破壊の原因とならず、また、地球温暖化への影響も小さいため、排液処理を施して無害な物質とする必要がなく、排液処理のためのコストを低減することができる。
【００４７】
また、基板ＷにＨＦＥを供給する際に、モータ３１の回転数を低下させることにより、基板Ｗ上に付着した純水とＨＦＥとの置換効率を高めることができるため、乾燥効率を高めることができる。
【００４８】
また、第１実施形態の基板処理装置１００は、複数の基板Ｗを保持して、同時に乾燥処理を施すことができるため、処理のスループットを向上させることができる。
【００４９】
＜２．第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態における基板処理装置は、第１実施形態と比較して、後述するように乾燥剤供給機構が異なること、および基板Ｗに供給される乾燥剤が異なることを除いては、第１実施形態と同じである。そこで、以下ではこの相違点を中心に説明する。
【００５０】
(1) 基板処理装置の構成
図５に、本発明の第２実施形態における基板処理装置１００の正面図を示す。
第２実施形態における乾燥処理では、乾燥剤としてＨＦＥの溶剤でなくＨＦＥの蒸気を複数の基板Ｗに供給することにより乾燥処理が施される。そこで、ここでは、ＨＦＥ蒸気供給部を中心に基板処理装置１００の機構的構成について説明する。
【００５１】
図５に示すように、２本の乾燥剤吐出ノズル５０は、配管５１（５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄ）およびバルブ５２を介して乾燥ガス供給源５３と連通接続されている。乾燥ガス供給源５３は、その内部にフッ素系溶剤であるＨＦＥが液体状態で貯留されている。また、乾燥ガス供給源５３は、配管５４を介して窒素ガス供給源５５と接続されており、乾燥ガス供給源５３の内部に貯留されているＨＦＥに窒素ガスを気泡として供給して、いわゆる窒素ガスによるバブリングを行うことができる。そのため、このバブリングによって窒素ガス中にＨＦＥの気相（ガス）が混合し、窒素ガスをキャリアガスとしてＨＦＥ蒸気からなる乾燥ガスを配管５１に送り、２本の乾燥剤吐出ノズル５０からローター３０に保持された複数の基板Ｗに供給する。
【００５２】
(2) 基板の乾燥処理シーケンス
ここでは、第２実施形態の基板処理装置１００による基板の乾燥処理シーケンスについて説明する。図６は、第１実施形態と同様に、所定の薬液処理が終了した複数の基板Ｗをローター３０に保持した時刻ｔ０から乾燥処理が終了するまでの、バルブ４０、５０、６０の開閉状態およびローター３０の構成要素であるモータ３１の回転数の一例を示すタイミングチャートである。ここでも、第１実施形態と相違する点を中心に説明する。
【００５３】
時刻ｔ０において、停止しているモータ３１の回転数ｎがｎ0に設定され、ローター３０に保持されている基板Ｗが回転し始める。
【００５４】
次に、モータ３１の回転数がｎ0となった状態で時刻ｔ１において、純水供給源６３と連通するバルブ６２が開放され、ローター３０に保持されている複数の基板Ｗに純水が供給されて基板Ｗが純水洗浄される。このとき、収容器１内は窒素雰囲気となっており、基板Ｗは、モータ３１によって回転されつつ純水の供給をうけているため、ウォーターマークの発生を抑制することができる。
【００５５】
続いて、時刻ｔ２において、バルブ６２を閉鎖して純水の供給を、バルブ４２を閉鎖して窒素ガスの供給をそれぞれ停止するとともに、乾燥溶剤供給源５６に連通接続するバルブ５２が開放されて、基板Ｗに乾燥剤としてＨＦＥの蒸気が基板Ｗに供給される。このとき、ＨＦＥの蒸気は基板Ｗ上で凝縮して水滴と置換する。ＨＦＥは、従来の乾燥処理において乾燥剤として使用されていたＩＰＡと比較して表面張力が小さく、蒸発潜熱が小さいため、トレンチ構造等の微細な配線パターン内部に入り込んだ水滴も良好に排水して乾燥させることができる。さらに、ＨＦＥ蒸気を乾燥剤として使用する場合、ＨＦＥ溶剤を使用する場合と比較して、ＨＦＥの使用量を低減することができる。
【００５６】
また、時刻ｔ２において、モータ３１の回転数ｎがｎ1に設定されて基板の回転速度が低下する。このとき、モータ３１の回転数をｎ1に低下させるのは、基板Ｗ上にＨＦＥを効率的に凝縮させるためである。
【００５７】
続いて、時刻ｔ３において、ＨＦＥの供給が停止されるとともに、窒素ガスが収容器１内に再供給され、収容器１内のＨＦＥ蒸気は窒素ガスと置換されて、排気管１７を介して排気ドレイン１８に排気される。さらに、モータ３１の回転数がｎ1からｎ0に増加される。その結果、基板Ｗ上に付着した純水と大部分のＨＦＥとは、回転による遠心力によって振り切られ、トレンチ構造等の微細パターン内部に入り込んだＨＦＥは気化して基板Ｗ上から除去される。そして、時刻ｔ４において、モータ３１の回転数をゼロに設定し、基板Ｗの回転を停止させて乾燥処理を終了する。
【００５８】
(3) 第２実施形態の基板処理装置の利点
このように、第２実施形態では、ＨＦＥ蒸気を基板Ｗに供給し、基板Ｗで凝縮したＨＦＥ蒸気と純水とを置換することにより、基板処理装置１００の乾燥処理を行っているため、第２実施形態の乾燥処理は第１実施形態と同様な長所を有することができる。
【００５９】
さらに、第２実施形態では、ＨＦＥ蒸気を乾燥剤として使用する場合、ＨＦＥ溶剤を使用する場合と比較して乾燥処理におけるＨＦＥ使用量を低減し、処理液コストを低減することができる。
【００６０】
＜３．第３実施形態＞
(1) 基板処理装置の構成
ここでは、本発明の第３実施形態について説明する。図７に、第３実施形態における基板処理装置２００の正面図を、図８に、図７に示す基板処理装置２００の上面図をそれぞれ示す。第３実施形態における基板処理装置２００は、いわゆる枚葉式の基板処理装置であり、基板１枚ごとに基板処理を施すことができるため、基板間の処理のバラツキを抑制することができる。
【００６１】
図７に示すように、第３実施形態における基板処理装置２００は、基板Ｗを略水平姿勢にて保持しながら回転し、基板Ｗの上方から処理液を供給して所定の基板処理を行うものであり、主として、スピンベース１１０、雰囲気遮断板１２０およびカップ１３０を備えている。
【００６２】
スピンベース１１０は、その上面に、複数のチャックピン１１１を立設して有している。この複数のチャックピン１１１のそれぞれが基板Ｗの周縁部を把持することによって、その基板Ｗをスピンベース１１０から所定間隔を隔てて略水平姿勢にて保持する。このときに基板Ｗの周縁部を確実に把持するために、チャックピン１１１の上端部は基板Ｗの上面より若干突き出る。
【００６３】
スピンベース１１０の中心部下面側には回転軸１１２が垂設されている。回転軸１１２は、ベルト駆動機構１１４を介してモータ１１３と連動連結されている。モータ１１３が駆動すると、その駆動力はベルト駆動機構１１４を介して回転軸１１２に伝達され、回転軸１１２、スピンベース１１０とともにチャックピン１１１に保持された基板Ｗが水平面内にて鉛直方向に沿った軸を中心として矢印ＡＲ５方向に回転される。
【００６４】
雰囲気遮断板１２０は、スピンベース１１０に対向して設けられた円盤形状の部材である。雰囲気遮断板１２０の中心部上面側には回転軸１２２が垂設されている。回転軸１２２の内側は中空となっており、その中空部分に処理液ノズル１２１が挿設されている。回転軸１２２はモータ１２３に連結されている。モータ１２３が駆動すると、回転軸１２２を介して雰囲気遮断板１２０が水平面内にて鉛直方向に沿った軸を中心として回転される。すなわち、雰囲気遮断板１２０は基板Ｗと平行かつ同軸に、しかもほぼ同じ回転数にて回転される。
【００６５】
また、処理液ノズル１２１は、配管１５１（１５１ａ、１５１ｂ）およびバルブ１５２を介して乾燥溶剤供給源１５６と連通接続されている。そのため、バルブ１５２を開放することによって、処理液ノズル１２１から基板Ｗの上面に乾燥溶剤を吐出する。なお、配管１５１は図示しない薬液供給源とも接続されており、図示しないバルブの開閉動作により所定の薬液を基板Ｗ上にして薬液処理を施すことができる。
【００６６】
一方、回転軸１２２の内壁と処理液ノズル１２１との間の隙間は、配管１４１（１４１ａ、１４１ｂ）およびバルブ１４２を介して窒素ガス供給源１４３と連通接続されている。そのため、バルブ１４２を開放することによって、回転軸１２２から基板Ｗの上面に不活性ガスとして窒素ガスを供給する。
【００６７】
カップ１３０は、スピンベース１１０、それに保持された基板Ｗおよび雰囲気遮断板１２０の周囲を取り囲むように配置されており、それらの回転によって飛散した処理液を回収する。回収された処理液はカップ１３０の底部に設けられた排出口１３１および排液管１１５（１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ）を介して基板処理装置２００外部の排液ドレイン１１６に排出される。
【００６８】
また、この種の基板処理装置は通常クリーンルーム内に設置されるものであり、そのクリーンルーム内を流下している清浄空気のダウンフローがカップ１３０の上部開口から流れ込む。カップ１３０に流れ込んだ清浄空気は、カップ１３０の底部に設けられた排出口１３１および排気管１１７（１１７ａ、１１７ｂ、１１７ｃ）を介して基板処理装置２００外部の排気ドレイン１１８に排気される。このときに、カップ１３０内を浮遊している処理液の微小なミストも排気されることとなる。
【００６９】
なお、上記以外にも、この基板処理装置には例えばカップ１３０や雰囲気遮断板１２０を矢印ＡＲ３方向に昇降させる機構等が設けられている。
【００７０】
図８に示すように、カップ１３０の側部側の所定の位置に、純水吐出ノズル１６０が矢印ＡＲ６の方向に回動可能に設けられている。純水吐出ノズル１６０は、配管１６１（１６１ａ、１６１ｂ）およびバルブ１６２を介して純水供給源１６３と連通接続されている。そのため、雰囲気遮断板１２０を純水吐出ノズル１６０と干渉しない所定位置まで移動させ、純水吐出ノズル１６０の吐出口を基板Ｗ上の中心位置の直上付近まで移動させ、バルブ１６２を開放することにより、基板Ｗに純水を供給する。
【００７１】
制御部１７０は、プログラムや変数等を格納するメモリ１７１と、メモリ１７１に格納されたプログラムに従った制御を実行するＣＰＵ１７２とを備えている。ＣＰＵ１７２は、メモリ１７１に格納されているプログラムに従って、モータ１１３、１２３の回転制御と、雰囲気遮断板１２０およびカップ１３０の昇降制御、および各バルブの開閉制御等を所定のタイミングで行う。
【００７２】
(2) 基板の乾燥処理シーケンス
ここでは、第３実施形態における基板処理装置２００による基板の乾燥処理シーケンスについて説明する。図９は、所定の薬液処理が終了した時刻ｔ０から乾燥処理が終了するまでの、バルブ１４２、１５２、１６２の開閉状態およびモータ１１３、１２３の回転数の一例を示すタイミングチャートである。
【００７３】
時刻ｔ０より前の期間において、図示を省略する搬送ロボットによって未処理の基板Ｗがスピンベース１１０に渡され、チャックピン１１１によって周縁部が把持されることにより水平姿勢にて当該基板Ｗが保持される。次に、雰囲気遮断板１２０がスピンベース１１０に近接して基板Ｗの上方を覆うとともに、カップ１３０がスピンベース１１０および雰囲気遮断板１２０の周囲を囲むように位置する。続いて、スピンベース１１０および雰囲気遮断板１２０が回転され、それに伴い、スピンベース１１０に保持された基板Ｗが回転される。そして、回転している基板Ｗに対して、処理液ノズル１２１から所定の薬液が吐出されることにより所定の薬液処理が施される。
【００７４】
時刻ｔ０において、雰囲気遮断板１２０が純水吐出ノズル１６０と干渉しない位置まで矢印ＡＲ３方向に上昇されるとともに、純水吐出ノズル１６０が退避位置（図８の実線位置）から吐出位置（図８の点線位置）まで回動されて、純水吐出ノズル１６０の吐出口が基板Ｗ上方の所定位置に移動させられる。純水吐出ノズル１６０の移動が完了すると、純水供給源１６３に連通するバルブ１６２が開放され、純水が純水吐出ノズル１６０から吐出されて基板Ｗに供給される。このとき、モータ１１３は回転数ｎ0'で回転し続けているため、基板Ｗ上に吐出された純水は、回転による遠心力によって純水落下位置から基板外側に向かって広がり、洗浄処理が進行する。
【００７５】
また、時刻ｔ０において、バルブ１４２が開放されており、窒素ガス供給源１４３と連通接続されている回転軸１２２の内壁と処理液ノズル１２１との間の隙間から窒素ガスが供給され続けている。そのため、基板Ｗ付近が窒素ガス雰囲気となり、基板Ｗと酸素とが接触することを抑制することができ、ウォーターマークの発生を抑制することができる。
【００７６】
次に、時刻ｔ１において、バルブ１６２が閉鎖されて純水の供給が停止され、純水吐出ノズル１６０が吐出位置から退避位置に移動させられるとともに、バルブ１４２が閉鎖されて窒素ガスの供給が停止される。また、時刻ｔ１において、雰囲気遮断板１２０が純水吐出ノズル１６０と干渉しない位置から矢印ＡＲ３方向に下降されて複数のチャックピン１１１と干渉しない位置まで移動させられる。さらに、乾燥溶剤供給源１５６に連通するバルブ１５２が開放されて基板Ｗに乾燥剤としてＨＦＥが基板Ｗに供給されるとともに、モータ１１３の回転数ｎ'をｎ0'からｎ1'に低下させる。
【００７７】
ここで、雰囲気遮断板１２０を下降させるのは、基板Ｗを回転させる際にカップ１３０から跳ね返った処理液や汚染物質が基板Ｗの表面に付着するのを防止する目的である。また、モータ１１３の回転数ｎ'を低下させるのは、基板Ｗに供給されてＨＦＥがモータ３１の回転による遠心力によって振り切られずに基板上に留まらせつつ基板Ｗ表面全体にＨＦＥを行き渡らせるためである。そして、基板Ｗに供給されたＨＦＥは、微細パターン内部にも入り込んでいく。
【００７８】
このように、第３実施形態では第１実施形態と同様に乾燥剤としてＨＦＥを使用している。ＨＦＥは、従来の乾燥処理で使用されていたＩＰＡと比較して表面張力が小さく蒸発潜熱が小さいため、従来乾燥処理と比較して微細パターン内部に入り込んだ水分を排水効率を向上させつつ、乾燥時間を短縮することができ、微細パターン内部に入り込んだ水分に起因したウォーターマークの発生をより抑制することができる。
【００７９】
続いて、時刻ｔ２において、バルブ１５２が閉鎖されてＨＦＥの供給が停止されるとともに、バルブ１４２が開放されて窒素ガスが再供給されて、基板Ｗ付近が窒素ガス雰囲気に置換されるとともに、モータ１１３の回転数がｎ1'からｎ0'に増加される。そのため、基板Ｗ上に付着した純水と大部分のＨＦＥとは、回転による遠心力によって振り切られて除去され、効率的に基板Ｗ上の水滴を除去することができる。
【００８０】
また、微細パターン内部に入り込んだＨＦＥは気化して基板Ｗ上から除去される。このとき、基板Ｗ付近の雰囲気は、排出口１３１および排気管１１７を介して排気ドレイン１１８に連通接続されており、気化したＨＦＥの蒸気は速やかに窒素ガスと置換されるため、基板Ｗ上に留まっているＨＦＥは速やかに蒸発する。そして、時刻ｔ３において、モータ１１３の回転数ｎ'をゼロとし基板Ｗの回転が停止されて乾燥処理を終了する。
【００８１】
(3) 第３実施形態の基板処理装置の利点
以上のように、第３実施形態の基板処理装置２００の乾燥処理では、第１実施形態と同様に、純水が付着した基板Ｗに乾燥剤としてフッ素系溶剤のＨＦＥの蒸気を供給しつつモータ１１３によって基板Ｗを回転させることにより、基板Ｗ上に形成された微細パターン内部の水滴と乾燥剤との置換効率を向上させ、当該微細パターン内部の水滴の排水効率を向上させしつつ、基板Ｗ上の水滴とフッ素系溶剤とを遠心力によって振り切って一気に除去することができる。そのため、ＩＰＡを乾燥剤として使用する従来の乾燥処理と比較して、微細パターン内部の乾燥不良をさらに抑制しつつ、乾燥性能を高めることができる。
【００８２】
また、乾燥剤としてＨＦＥを使用しているため、第１実施形態と同様に、従来の基板処理装置のように防爆のための特別な装置を設置する必要がなく、乾燥処理に要するコストの上昇を抑制することができる。さらに、ＨＦＥはオゾン層破壊の原因とならず、地球温暖化への影響も小さいため、排液処理のためのコストを低減することができる。
【００８３】
また、基板ＷにＨＦＥを供給する際に、モータ１１３の回転数を低下させることにより、乾燥効率を高めることができる。
【００８４】
また、１枚ずつ基板処理することにより、基板間の乾燥処理のバラツキを抑制しつつ、乾燥不良を抑制することができる。
【００８５】
＜４．変形例＞
以上、本発明の第１実施形態から第３実施形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【００８６】
第１実施形態および第３実施形態において、乾燥剤としてフッ素系溶剤のＨＦＥを使用しているが、ＨＦＥにＩＰＡを１％〜１０％（好ましくは３％〜７％、特に好ましくは５％）体積程度混合した溶剤（以下、「ＨＦＥ混合溶剤」とも呼ぶ）を使用してもよい。ＨＦＥ混合溶剤を乾燥剤として使用することにより、純水と乾燥溶剤との浸透性をさらに高めることができるため、基板上に形成された微細パターン内部に入り込んだ水滴の排水効率を高め、乾燥効率を向上させることができる。すなわち、この発明における乾燥剤としては、純粋なＨＦＥだけでなく、ＨＦＥを主剤とする乾燥剤を利用できる。
【００８７】
また、第２実施形態では、乾燥ガス供給源５３に、フッ素系溶剤であるＨＦＥを貯留しているが、これに代えてＨＦＥ混合溶剤を貯留し、基板にＨＦＥ混合溶剤の蒸気を供給してもよい。基板上で凝縮したＨＦＥ混合溶剤は、ＨＦＥと比較して純水への浸透性が高いため、基板上に形成された微細パターン内部に入り込んだ水滴の排水効率を高め、乾燥効率を向上させることができる。
【００８８】
また、第２実施形態では、乾燥ガス供給源５３に、フッ素系溶剤であるＨＦＥを貯留しているが、これに代えてシリコーン系溶剤を主剤とする乾燥剤を貯留してもよい。例えば、２量体から５量体まで低分子シリコーン系溶剤の場合、蒸発潜熱は、純水が２２５６J/g、ＩＰＡが６７４J/gであるのに対して、低分子シリコーン系溶剤の蒸発潜熱は３００J/g以下、表面張力も、水が７１．８dyn/cm、ＩＰＡが２０．８dyn/cmであるのに対して、低分子シリコーン系溶剤の表面張力は１６．５dyn/cm以下となる。そのため、窒素ガスをキャリアガスとしたシリコーン系溶剤の蒸気を乾燥ガスとして使用した場合、ＩＰＡ蒸気を使用する場合と比較して、純水との浸透性に優れ、かつ乾燥速度をも高めることができ、フッ素系溶剤の蒸気場合と同様、乾燥性能を向上させることができる。
【００８９】
【発明の効果】
請求項１から請求項６に記載の発明によれば、純水が付着した基板上にフッ素系溶剤を主剤とする乾燥剤を供給しながら基板を回転させることにより、基板上に形成されたトレンチ構造等の微細パターン内部の水滴を排水しつつ、基板上の純水とフッ素系溶剤とを遠心力によって振り切って一気に除去することができる。そのため、微細パターン内部の乾燥不良を抑制しつつ、乾燥性能を高めることができる。
【００９０】
また、請求項１から請求項６に記載の発明によれば、同時に複数の基板を乾燥することができるため、乾燥処理のスループットを向上することができる。
【００９２】
特に、請求項２に記載の発明によれば、フッ素系溶剤を主剤とする乾燥剤を供給する際に基板回転数を減少させることにより、微細パターン内部の純水の排水効率をさらに高め、乾燥効率を向上させることができる。
【００９３】
特に、請求項３に記載の発明によれば、フッ素系溶剤の蒸気を基板に供給し、基板とフッ素系溶剤の蒸気とを効率的に接触させることにより、純水付着部分にフッ素系溶剤を主剤とする乾燥剤の蒸気を凝縮させるため、フッ素系溶剤の使用量を低減しつつ乾燥性能を向上させることができる。
【００９４】
特に、請求項４に記載の発明によれば、純水と比較して表面張力が小さく蒸発潜熱の小さいハイドロフルオロエーテルを乾燥剤の主剤として使用することにより、基板上に付着した純水とハイドロフルオロエーテルとを置換することができるため、乾燥効率を向上させることができる。
【００９５】
また、ハイドロフルオロエーテルは、非可燃性であり防爆のための特別な装置を設置する必要がないため、乾燥処理に要するコストの上昇を抑制することができる。
【００９６】
さらに、ハイドロフルオロエーテルは、その構造中に塩素原子を含まず、近年問題となっているオゾン層破壊の原因とならず、また、地球温暖化への影響も小さく、環境問題に配慮された有機溶剤であり、排液処理を施して無害な物質とする必要がないため、排液処理のためのコストを低減することができる。
【００９７】
特に、請求項５に記載の発明によれば、フッ素系溶剤にイソプロピルアルコールを混合させた溶剤を乾燥剤として使用することにより、フッ素系溶剤のみを乾燥剤として使用した場合と比較して、乾燥剤と純水との浸透性を高めることができるため、乾燥効率を高めることができる。
【００９８】
請求項７に記載の発明によれば、純水が付着した基板上にシリコーン系溶剤を主剤とした乾燥剤を供給しながら基板を回転させることにより、基板上の純水を遠心力によって振り切って除去しながら、トレンチ構造等の微細パターン内部の水滴を排水しつつ基板を乾燥することができるため、請求項１と同様な効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態における基板処理装置の全体構成を示す図である。
【図２】図１の基板処理装置の側面図である。
【図３】図１のローターの斜視図である。
【図４】本発明の第１実施形態における供給部のバルブ開閉状態およびモータの回転数の一例を示すタイミングチャートである。
【図５】本発明の第２実施形態における基板処理装置の全体構成を示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態における供給部のバルブ開閉状態およびモータの回転数の一例を示すタイミングチャートである。
【図７】本発明の第３実施形態における基板処理装置の全体構成を示す図である。
【図８】図７の基板処理装置の上面図である。
【図９】本発明の第３実施形態における供給部のバルブ開閉状態およびモータの回転数の一例を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
１００ 基板処理装置
１ 収容器
３０ ローター
５０ 乾燥剤吐出ノズル
５６ 乾燥溶剤供給源
２００ 基板処理装置
１１０ スピンベース
１１３ モータ
１２１ 処理液ノズル
１５６ 乾燥溶剤供給源
Ｗ 基板
【発明の属する技術分野】
本発明は、純水等の処理液による洗浄処理が終了した半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、「基板」と称する）を乾燥させる基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板処理装置では、種々の薬液による薬液処理、純水による洗浄処理等の表面処理が順次実施される。そして、純水による仕上げの洗浄が行われた後に、最終の処理として乾燥処理が実行される。このような基板の乾燥処理として、例えば、基板１枚ずつに対して基板処理を施すいわゆる枚葉式の基板処理装置において、従来より、基板を高速に回転させてその遠心力により水分を基板上から振り切って除去する振り切り乾燥（スピンドライ）が知られている。
【０００３】
しかし、この振り切り乾燥では、近年の半導体デバイス構造の複雑化に伴い、ウォーターマークと呼ばれる乾燥不良が問題となっている。ウォーターマークとは、基板表面に付着した水分が基板の素材であるシリコンおよび空気中の酸素と反応して生じる乾燥シミであり、基板表面に水分が付着している時間が長いほど発生しやすい。
【０００４】
そこで、純水より表面張力が小さく、かつ、蒸発潜熱の小さい有機溶剤であるイソプロピルアルコール（以下、「ＩＰＡ」とも呼ぶ）を基板に吹きつけつつ、基板を回転させて乾燥させる方式も提案されている。ＩＰＡは、純水と比較して表面張力が小さく、浸透性が高いため、基板上に形成されたトレンチ構造等の微細パターン内部に入り込んだ水滴を容易に乾燥することができる。また、ＩＰＡは純水と比較して蒸発潜熱が小さく乾燥速度が速い。これらの理由により、基板を回転しつつ基板上にＩＰＡを吹き付ける乾燥方式では、基板上の微細パターン内部に入り込んだ水滴を排水しつつ、基板上の水滴を振り切るため、基板表面に水分が付着している時間を短縮して、ウォーターマークの発生を抑制し、乾燥性能を向上させることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＩＰＡのように環境に負荷を与える物質は、そのまま外部に放出することができず、所定の排液処理を施して無害な物質とする必要があるため、基板処理のコストが上昇するといった問題が生じる。また、ＩＰＡを使用する場合、防爆構造等の特別な安全機構を設ける必要があるため、基板処理装置が大型化し、さらに、基板処理装置の製造コストが上昇するといった問題も生じる。
【０００６】
また、近年の半導体のさらなる微細化・複雑化にともない、ＩＰＡを使用しても、微細パターン内部に入り込んだ水滴を排水することが困難な場合も生じている。
【０００７】
そして、このようなＩＰＡを使用した乾燥処理の問題は、枚葉式の基板処理装置に限らず、複数の基板に対して一度に基板処理を行うバッチ式の基板処理装置においても生じる問題である。
【０００８】
そこで、本発明は、乾燥剤を供給しながら乾燥する基板処理装置において、微細化・複雑化された構造を有する基板であってもウォーターマークを発生させることなく、しかも乾燥処理に要するコストの上昇を抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく、請求項１に記載の発明は、処理液による洗浄処理が終了した複数の基板の乾燥処理を行う基板処理装置であって、処理液を貯留し、前記処理液中に複数の基板を浸漬して所定の基板処理を行う処理槽と、前記基板処理が終了した複数の基板を略鉛直姿勢にて保持しつつ前記処理槽から引き揚げる引き揚げ手段と、前記処理槽の上方に設けられており、前記引き揚げ手段から受け渡された複数の基板を略鉛直姿勢にて保持する保持手段と、略水平方向に沿った回転軸を中心として複数の基板を保持して前記保持手段を回転させる回転手段と、前記回転手段を用いて基板を回転させつつ、処理液が付着した基板にフッ素系溶剤を主剤とする乾燥剤を供給する溶剤供給手段と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記保持手段に保持された基板に前記溶剤供給手段から乾燥剤を供給する際に、前記回転手段による基板の回転数を減少させる回転数制御手段をさらに備えることを特徴とする。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、前記溶剤供給手段は、乾燥剤の蒸気を基板に供給することを特徴とする。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記フッ素系溶剤はハイドロフルオロエーテルであることを特徴とする。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記乾燥剤は、前記フッ素系溶剤とイソプロピルアルコールとを混合した溶剤であることを特徴とする。
【００１６】
請求項６に記載の発明は、処理液による洗浄処理が終了した基板の乾燥処理を行う基板処理方法であって、(a) 処理槽に貯留された処理液中に複数の基板を浸漬して所定の基板処理を行う工程と、 (b) 前記工程 (a) が終了した複数の基板を引き揚げ手段により略鉛直姿勢にて保持しつつ前記処理槽から引き揚げる工程と、(c) 前記工程 (b) によって引き揚げられた略鉛直姿勢の複数の基板を前記引き揚げ手段から保持手段に受け渡す工程と、(d) 前記保持手段に保持された基板を回転させつつ、処理液が付着した基板にフッ素系溶剤を主剤とする乾燥剤を供給する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１７】
請求項７に記載の発明は、処理液による洗浄処理が終了した複数の基板の乾燥処理を行う基板処理装置であって、処理液を貯留し、前記処理液中に複数の基板を浸漬して所定の基板処理を行う処理槽と、前記基板処理が終了した複数の基板を略鉛直姿勢にて保持しつつ前記処理槽から引き揚げる引き揚げ手段と、前記処理槽の上方に設けられており、前記引き揚げ手段から受け渡された複数の基板を略鉛直姿勢にて保持する保持手段と、略水平方向に沿った回転軸を中心として複数の基板を保持して前記保持手段を回転させる回転手段と、前記回転手段を用いて基板を回転させつつ、処理液が付着した基板にシリコーン系溶剤を主剤とする乾燥剤を供給する溶剤供給手段と、を備えることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１９】
＜１．第１実施形態＞
(1) 基板処理装置の構成
まず、本発明の第１実施形態について説明する。図１に、本発明の第１実施形態における基板処理装置１００の正面図を、図２に、図１に示す基板処理装置１００の側面図を、図３に、図１に示す基板処理装置１００の構成要素であるローター３０の斜視図をそれぞれ示す。なお、図１および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするため必要に応じてＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。
【００２０】
第１実施形態における基板処理装置１００は、いわゆるバッチ式の基板処理装置であり、一度に複数の基板処理を施すことができるため、基板処理のスループットを向上させることができる。図１に示すように、基板処理装置１００は、フッ酸等の薬液や純水（以下、「処理液」とも呼ぶ）を貯留した処理槽１０に、複数の基板Ｗを略鉛直姿勢にて保持して浸漬し、所定の基板処理を行うものであり、主として、収容器１、処理槽１０、リフター２０およびローター３０を備えている。
【００２１】
収容器１は、その内部に処理槽１０、リフター２０、ローター３０、窒素ガス吐出ノズル４０、乾燥剤吐出ノズル５０、純水吐出ノズル６０等を収容する筐体である。収容器１の上部は図示を省略するスライド式開閉機構によって開閉可能とされている。収容器１の上部を開放した状態では、その開放部分から基板の搬出入を行う。一方、収容器１の上部を閉鎖した状態では、その内部を密閉空間とする。
【００２２】
処理槽１０は、処理液を貯留して複数の基板に順次表面処理を行う槽であり、収容器１の内部に収容されている。処理槽１０の底部近傍には図示しない２本の処理液吐出ノズルが配置されており、処理液を処理槽１０に貯留することにより、所定の基板処理を行うことができる。
【００２３】
処理液は処理槽１０の底部から供給されて処理槽１０の上端部から溢れ出る。このため、処理槽１０の上端部には回収部１２が配置されており、処理槽１０の上部から溢れ出た処理液の排液は回収部１２において回収される。そして回収部１２で回収された排液と、処理槽１０の底部から排出される排液とは、収容器１の底部に連通接続された排液管１５を介して基板処理装置１００外部の排液ドレイン１６へ排出される。なお、この排液管１５を含めて、処理液等の液体の供給路や排出路は配管によって構成されている。
【００２４】
図２に示すように、リフター２０は、リフターアーム２３、３本の保持棒２１ａ、２１ｂ、２１ｃおよび昇降駆動部２２を備えている。昇降駆動部２２は、リフターアーム２３を図１の矢印ＡＲ２（Ｚ軸方向）に沿って昇降させる機能を有している。リフターアーム２３には、３本の保持棒２１ａ、２１ｂ、２１ｃがその長手方向が略水平（Ｙ軸方向）となるように固設されており、３本の保持棒２１ａ、２１ｂ、２１ｃのそれぞれには基板Ｗの外縁部がはまり込んで基板Ｗを略鉛直姿勢にて保持する複数の保持溝が所定のピッチにて配列して設けられている。それぞれの保持溝は、Ｙ方向に沿って形成された切欠状の溝である。
【００２５】
このような構成により、リフター２０は３本の保持部２１ａ、２１ｂ、２１ｃによって相互に平行に配列されて保持された複数の基板Ｗを処理槽１０内に貯留されている処理液中に浸漬する浸漬位置（図１の実線位置）と収容器１内における処理槽１０よりも上方の引き揚げ位置（図１の一点鎖線位置）との間で昇降される。また、リフター２０は、基板Ｗを引き揚げ位置よりもさらに上方の受渡位置（装置外部の搬送ロボットとの間で基板Ｗの受け渡しを行わせる位置）にまで上昇させる。
【００２６】
図３に示すように、ローター３０は、上記の引き揚げ位置に設けられており、モータ３１、回転板３２および４本の保持アーム３３を備える。保持アーム３３は柱状の部材であって、その長手方向がＹ軸方向に沿うように回転板３２に取り付けられている。保持アーム３３は、Ｙ軸方向と平行であってかつその中心軸から偏心した軸周りで揺動可能に回転板３２に取り付けられている。４本の保持アーム３３は、図示省略のリンク機構によって相互に連動して揺動するように構成されており、図１の矢印ＡＲ１に示すように、引き揚げ位置に位置する基板Ｗの端縁部に当接・押圧して当該基板Ｗを保持する保持位置（図１の実線位置）と基板Ｗの端縁部から離間して当該基板Ｗを開放する開放位置（図１の点線位置）との間で揺動する。
【００２７】
リフター２０からローター３０に基板Ｗを渡すときには、リフター２０が上昇して基板Ｗを引き揚げ位置に保持する。なお、リフター２０の昇降時においては、保持アーム３３が開放位置に位置して保持アーム３３の間を基板Ｗが通過可能となるようにされている。リフター２０によって引き揚げ位置に基板Ｗが保持された状態において、保持アーム３３が開放位置から保持位置まで揺動して基板Ｗの端縁部に当接し、基板Ｗを保持する。この状態でリフター２０が降下しても基板Ｗは保持アーム３３によってローター３０に保持された状態が維持される。逆に、ローター３０からリフター２０に基板Ｗを渡すときには、リフター２０が上昇して保持棒２１ａ、２１ｂ、２１ｃがローター３０に保持された基板Ｗの下端部に接触する。その状態にて保持アーム３３が保持位置から開放位置まで揺動して基板Ｗの端縁部から離間し、基板Ｗはリフター２０の３本の保持部２１ａ、２１ｂ、２１ｃによって保持されることとなる。
【００２８】
回転板３２の中心部はモータ３１の回転軸３４に固設されている。これにより、モータ３１は回転板３２、４本の保持アーム３３およびそれらに保持された複数の基板ＷをＹ軸周りにて回転させることができる。すなわち、ローター３０は、リフター２０から渡された複数の基板Ｗを保持して水平軸周りにて一斉に回転させるものである。
【００２９】
収容器１の内部には、上から順番に、窒素ガス吐出ノズル４０、乾燥剤吐出ノズル５０および純水吐出ノズル６０が、それぞれ２本ずつ設けられている。図２に示すように、窒素ガス吐出ノズル４０、乾燥剤吐出ノズル５０および純水吐出ノズル６０のそれぞれは、Ｘ方向に沿って伸びる中空の管状部材であり、Ｘ方向に等間隔にて配列された複数の吐出孔４０ａ、５０ａ、６０ａをそれぞれ備えている。窒素ガス吐出ノズル４０に設けられている複数の吐出口４０ａ、乾燥剤吐出ノズル５０に設けられている複数の吐出口５０ａのそれぞれは、吐出方向が斜め下方向となるように、また、純水吐出ノズル６０に設けられている複数の吐出口６０ａのそれぞれは、吐出方向が略水平方向となるように形成されている。
【００３０】
また、２本の窒素ガス吐出ノズル４０は、図１に示すように、配管４１（４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄ）およびバルブ４２を介して窒素ガス供給源４３と、２本の乾燥剤吐出ノズル５０は、配管５１（５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄ）およびバルブ５２を介して乾燥溶剤供給源５６と、純水吐出ノズル６０は、配管６１（６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄ）およびバルブ６２を介して純水供給源６３とそれぞれ連通接続されている。そのため、バルブ４２を開放することにより、窒素ガス吐出ノズル４０から窒素ガスを吐出して、収容器１内に窒素ガスを含む雰囲気を形成する。また、バルブ５２を開放することにより乾燥剤吐出ノズル５０から乾燥溶剤（後述するＨＦＥ）を、バルブ６２を開放することにより純水吐出ノズル６０から純水を吐出してローター３０に保持された複数の基板Ｗに供給する。
【００３１】
収容器１の内部で処理槽１０の下方には、回収部１１が設けられており、乾燥剤吐出ノズル５０や純水吐出ノズル６０から吐出される処理液、および処理槽１０や回収部１２からの排液を回収するのに使用される。回収部１１は、処理槽１０や回収部１２と同様に、収容器１の底部の排液管１５と連通接続されており、回収部１１で回収された排液は基板処理装置１００外部の排液ドレイン１６へ排出される。
【００３２】
また、収容器１内の雰囲気は、収容器１と連通接続された排気管１７を介して基板処理装置１００外部の排気ドレイン１８に排気される。そのため、収容器１内の圧力は一定圧力に保たれる。
【００３３】
制御部７０は、プログラムや変数等を格納するメモリ７１と、メモリ７１に格納されたプログラムに従った制御を実行するＣＰＵ７２とを備えている。ＣＰＵ７２は、メモリ７１に格納されているプログラムに従って、リフター２０の昇降制御、ローター３０の回転制御、および各バルブの開閉制御等を所定のタイミングで行う。
【００３４】
(2) 基板の乾燥処理シーケンス
ここでは、第１実施形態の基板処理装置１００による基板の乾燥処理シーケンスについて説明する。図４は、所定の薬液処理が終了した複数の基板Ｗを、リフター２０によって引き揚げ、リフター２０からローター３０に受け渡した時刻ｔ０から乾燥処理が終了するまでの、バルブ４０、５０、６０の開閉状態およびローター３０の構成要素であるモータ３１の回転数の一例を示すタイミングチャートである。
【００３５】
時刻ｔ０より前の期間において、リフター２０によって保持された基板Ｗは、処理槽１０に貯留される処理液に浸漬され、洗浄処理等の所定の基板処理が施される。所定の基板処理が終了すると、複数の基板Ｗはリフター２０によって引き揚げ位置（図１の一点鎖線位置）まで上昇させられ、リフター２０からローター３０に受け渡される。この基板Ｗを浸漬位置（図１の実線位置）から引き揚げ位置まで上昇させて保持するまでの期間、窒素ガス供給源４３と連通しているバルブ４２が開放されて、収容器１内の雰囲気は、窒素ガスで満たされており、また、リフター２０は浸漬位置から引き揚げ位置まで速やかに上昇させられるため、基板Ｗの表面に付着した水分等により発生するウォーターマークを抑制して、乾燥処理が施される引き揚げ位置まで基板Ｗを上昇することができる。なお、収容器１内の雰囲気は、排気管１７を介して基板処理装置１００外と連通接続されているため、窒素ガスが供給され続けても収容器１内の圧力は一定に保たれる。
【００３６】
時刻ｔ０において、停止しているモータ３１の回転数ｎがｎ0に設定され、ローター３０に保持されている基板Ｗが回転し始める。なお、時刻ｔ０においても、バルブ４２が開放されており、収容器１内は窒素雰囲気となっている。
【００３７】
次に、モータ３１の回転数がｎ0となった状態で時刻ｔ１において、純水供給源６３と連通するバルブ６２が開放され、ローター３０に保持されている複数の基板Ｗに純水が供給されて基板Ｗが純水洗浄される。このとき、バルブ４２が開放されており、基板Ｗは、窒素雰囲気内で回転しつつ純水により洗浄される。そのため、基板Ｗでのウォーターマークの発生を抑制しつつ、洗浄処理を進行することができる。
【００３８】
後に詳述するように、次の時刻ｔ２においては、乾燥溶剤供給源５６内に液体状態で収容されたフッ素系溶剤のハイドロフルオロエーテル（以下、「ＨＦＥ」とも呼ぶ）が乾燥剤吐出ノズル５０から噴霧されることにより、ＨＦＥの蒸気が基板Ｗに乾燥剤として供給される。ここでＨＦＥは、その構造中に塩素原子を含まないフッ素系化合物であり、近年問題となっているオゾン層破壊の原因とならず、さらに、地球温暖化への影響も少ない環境問題に配慮された有機溶剤である。また、従来の乾燥処理において乾燥溶剤として使用されているＩＰＡと比較して、引火性もない。そのため、ＩＰＡを使用して乾燥処理を行う従来の基板処理装置のように、防爆構造等の特別な安全機構を設ける必要がなく、基板処理装置が大型化するのを防ぐことができる。さらに、所定の排液処理を施して無害な物質とする必要がないため、排液処理のためのコストを低減することができる。
【００３９】
また、ＨＦＥは表面張力が小さく、水のそれが７１．８dyn/cm、ＩＰＡが２０．８dyn/cmであるのに対して、ＨＦＥの表面張力は１６．６dyn/cm以下である。そのため、ＨＦＥの浸透性はＩＰＡより高く、トレンチ構造等の基板Ｗ上に形成された微細な配線パターン内部に入り込んだ水滴を容易に乾燥することができ、配線パターン内部に入り込んだ水滴の排水効率を向上させることができる。
【００４０】
さらに、ＨＦＥは蒸発潜熱も小さく、水のそれが２２５６J/g、ＩＰＡが６７４J/gであるのに対して、低分子シリコーン系溶剤の蒸発潜熱は２１０J/g以下である。そのため、ＨＦＥを使用した乾燥処理は、ＩＰＡを使用した場合と比較して乾燥に要する時間を短縮することができる。
【００４１】
このようなＨＦＥの物性により、ＨＦＥを乾燥剤として使用した乾燥処理は、ＩＰＡを用いた従来の乾燥処理と比較して、微細パターン内部に入り込んだ水分を排水効率を向上させつつ、乾燥時間を短縮することができる。そのため、微細パターン内部に入り込んだ水分に起因したウォーターマークの発生をより抑制することができる。
【００４２】
上記時刻ｔ２における動作を詳述する。バルブ６２を閉鎖して純水の供給を、バルブ４２を閉鎖して窒素ガスの供給をそれぞれ停止するとともに、乾燥溶剤供給源５６に連通接続するバルブ５２が開放されて、基板Ｗに乾燥剤としてＨＦＥが基板Ｗに供給される。また時刻ｔ２において、モータ３１の回転数ｎをｎ0からｎ1に低下させる。
【００４３】
ここで、モータ３１の回転数ｎを低下させるのは、基板Ｗに供給されてＨＦＥがモータ３１の回転による遠心力によって振り切られずに基板上に留まらせつつ基板Ｗ表面全体にＨＦＥを行き渡らせて、基板Ｗに付着した純水とＨＦＥとの置換効率を高めるためである。このとき、基板Ｗに供給されたＨＦＥは、表面に付着した純水や微細パターン内部に入り込んだ純水と置換されていく。
【００４４】
続いて、時刻ｔ３において、バルブ５２が閉鎖されてＨＦＥの供給が停止されるとともに、バルブ４２が開放されて窒素ガスが収容器１内に再供給され、収容器１内は窒素ガス雰囲気に置換されとともに、モータ３１の回転数がｎ1からｎ0に増加される。そのため、基板Ｗ上に付着した純水と大部分のＨＦＥとは、回転による遠心力によって振り切られて除去される。また、トレンチ構造等の微細パターン内部に入り込んだＨＦＥは蒸発して基板Ｗ上から除去される。このとき、排気管１７を介して外部と連通接続されている収容器１内には窒素ガスが供給され続けており、気化したＨＦＥの蒸気は速やかに窒素ガスと置換されて、収容器１内のＨＦＥ蒸気の密度が収容器１内の雰囲気温度によって定まるＨＦＥの蒸気が存在できる最大密度を超えることがないため、基板Ｗ上に留まっているＨＦＥは速やかに蒸発する。そして、時刻ｔ４において、モータ３１の回転数をゼロに設定し、基板Ｗの回転を停止させて乾燥処理を終了する。
【００４５】
(3) 第１実施形態の基板処理装置の利点
以上のように、第１実施形態の基板処理装置１００の乾燥処理では、乾燥剤として、従来の乾燥処理において使用されていたＩＰＡと比較して、蒸発潜熱が小さく、表面張力が小さいＨＦＥを、純水が付着した基板Ｗに供給しながら、モータ３１によって基板Ｗを回転させており、微細パターン内部の水滴の排水効率を向上させつつ、基板Ｗ上の水滴とフッ素系溶剤とを遠心力によって振り切って一気に除去することができる。そのため、微細パターン内部の乾燥不良をさらに抑制しつつ、乾燥性能を高めることができる。
【００４６】
また、乾燥剤としてＨＦＥを使用することにより、ＩＰＡを使用する従来の基板処理装置で必須となる防爆のための特別な装置を設置する必要がないため、乾燥処理に要するコストの上昇を抑制することができる。さらに、ＨＦＥは、その構造中に塩素原子を含まず、近年問題となっているオゾン層破壊の原因とならず、また、地球温暖化への影響も小さいため、排液処理を施して無害な物質とする必要がなく、排液処理のためのコストを低減することができる。
【００４７】
また、基板ＷにＨＦＥを供給する際に、モータ３１の回転数を低下させることにより、基板Ｗ上に付着した純水とＨＦＥとの置換効率を高めることができるため、乾燥効率を高めることができる。
【００４８】
また、第１実施形態の基板処理装置１００は、複数の基板Ｗを保持して、同時に乾燥処理を施すことができるため、処理のスループットを向上させることができる。
【００４９】
＜２．第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態における基板処理装置は、第１実施形態と比較して、後述するように乾燥剤供給機構が異なること、および基板Ｗに供給される乾燥剤が異なることを除いては、第１実施形態と同じである。そこで、以下ではこの相違点を中心に説明する。
【００５０】
(1) 基板処理装置の構成
図５に、本発明の第２実施形態における基板処理装置１００の正面図を示す。
第２実施形態における乾燥処理では、乾燥剤としてＨＦＥの溶剤でなくＨＦＥの蒸気を複数の基板Ｗに供給することにより乾燥処理が施される。そこで、ここでは、ＨＦＥ蒸気供給部を中心に基板処理装置１００の機構的構成について説明する。
【００５１】
図５に示すように、２本の乾燥剤吐出ノズル５０は、配管５１（５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄ）およびバルブ５２を介して乾燥ガス供給源５３と連通接続されている。乾燥ガス供給源５３は、その内部にフッ素系溶剤であるＨＦＥが液体状態で貯留されている。また、乾燥ガス供給源５３は、配管５４を介して窒素ガス供給源５５と接続されており、乾燥ガス供給源５３の内部に貯留されているＨＦＥに窒素ガスを気泡として供給して、いわゆる窒素ガスによるバブリングを行うことができる。そのため、このバブリングによって窒素ガス中にＨＦＥの気相（ガス）が混合し、窒素ガスをキャリアガスとしてＨＦＥ蒸気からなる乾燥ガスを配管５１に送り、２本の乾燥剤吐出ノズル５０からローター３０に保持された複数の基板Ｗに供給する。
【００５２】
(2) 基板の乾燥処理シーケンス
ここでは、第２実施形態の基板処理装置１００による基板の乾燥処理シーケンスについて説明する。図６は、第１実施形態と同様に、所定の薬液処理が終了した複数の基板Ｗをローター３０に保持した時刻ｔ０から乾燥処理が終了するまでの、バルブ４０、５０、６０の開閉状態およびローター３０の構成要素であるモータ３１の回転数の一例を示すタイミングチャートである。ここでも、第１実施形態と相違する点を中心に説明する。
【００５３】
時刻ｔ０において、停止しているモータ３１の回転数ｎがｎ0に設定され、ローター３０に保持されている基板Ｗが回転し始める。
【００５４】
次に、モータ３１の回転数がｎ0となった状態で時刻ｔ１において、純水供給源６３と連通するバルブ６２が開放され、ローター３０に保持されている複数の基板Ｗに純水が供給されて基板Ｗが純水洗浄される。このとき、収容器１内は窒素雰囲気となっており、基板Ｗは、モータ３１によって回転されつつ純水の供給をうけているため、ウォーターマークの発生を抑制することができる。
【００５５】
続いて、時刻ｔ２において、バルブ６２を閉鎖して純水の供給を、バルブ４２を閉鎖して窒素ガスの供給をそれぞれ停止するとともに、乾燥溶剤供給源５６に連通接続するバルブ５２が開放されて、基板Ｗに乾燥剤としてＨＦＥの蒸気が基板Ｗに供給される。このとき、ＨＦＥの蒸気は基板Ｗ上で凝縮して水滴と置換する。ＨＦＥは、従来の乾燥処理において乾燥剤として使用されていたＩＰＡと比較して表面張力が小さく、蒸発潜熱が小さいため、トレンチ構造等の微細な配線パターン内部に入り込んだ水滴も良好に排水して乾燥させることができる。さらに、ＨＦＥ蒸気を乾燥剤として使用する場合、ＨＦＥ溶剤を使用する場合と比較して、ＨＦＥの使用量を低減することができる。
【００５６】
また、時刻ｔ２において、モータ３１の回転数ｎがｎ1に設定されて基板の回転速度が低下する。このとき、モータ３１の回転数をｎ1に低下させるのは、基板Ｗ上にＨＦＥを効率的に凝縮させるためである。
【００５７】
続いて、時刻ｔ３において、ＨＦＥの供給が停止されるとともに、窒素ガスが収容器１内に再供給され、収容器１内のＨＦＥ蒸気は窒素ガスと置換されて、排気管１７を介して排気ドレイン１８に排気される。さらに、モータ３１の回転数がｎ1からｎ0に増加される。その結果、基板Ｗ上に付着した純水と大部分のＨＦＥとは、回転による遠心力によって振り切られ、トレンチ構造等の微細パターン内部に入り込んだＨＦＥは気化して基板Ｗ上から除去される。そして、時刻ｔ４において、モータ３１の回転数をゼロに設定し、基板Ｗの回転を停止させて乾燥処理を終了する。
【００５８】
(3) 第２実施形態の基板処理装置の利点
このように、第２実施形態では、ＨＦＥ蒸気を基板Ｗに供給し、基板Ｗで凝縮したＨＦＥ蒸気と純水とを置換することにより、基板処理装置１００の乾燥処理を行っているため、第２実施形態の乾燥処理は第１実施形態と同様な長所を有することができる。
【００５９】
さらに、第２実施形態では、ＨＦＥ蒸気を乾燥剤として使用する場合、ＨＦＥ溶剤を使用する場合と比較して乾燥処理におけるＨＦＥ使用量を低減し、処理液コストを低減することができる。
【００６０】
＜３．第３実施形態＞
(1) 基板処理装置の構成
ここでは、本発明の第３実施形態について説明する。図７に、第３実施形態における基板処理装置２００の正面図を、図８に、図７に示す基板処理装置２００の上面図をそれぞれ示す。第３実施形態における基板処理装置２００は、いわゆる枚葉式の基板処理装置であり、基板１枚ごとに基板処理を施すことができるため、基板間の処理のバラツキを抑制することができる。
【００６１】
図７に示すように、第３実施形態における基板処理装置２００は、基板Ｗを略水平姿勢にて保持しながら回転し、基板Ｗの上方から処理液を供給して所定の基板処理を行うものであり、主として、スピンベース１１０、雰囲気遮断板１２０およびカップ１３０を備えている。
【００６２】
スピンベース１１０は、その上面に、複数のチャックピン１１１を立設して有している。この複数のチャックピン１１１のそれぞれが基板Ｗの周縁部を把持することによって、その基板Ｗをスピンベース１１０から所定間隔を隔てて略水平姿勢にて保持する。このときに基板Ｗの周縁部を確実に把持するために、チャックピン１１１の上端部は基板Ｗの上面より若干突き出る。
【００６３】
スピンベース１１０の中心部下面側には回転軸１１２が垂設されている。回転軸１１２は、ベルト駆動機構１１４を介してモータ１１３と連動連結されている。モータ１１３が駆動すると、その駆動力はベルト駆動機構１１４を介して回転軸１１２に伝達され、回転軸１１２、スピンベース１１０とともにチャックピン１１１に保持された基板Ｗが水平面内にて鉛直方向に沿った軸を中心として矢印ＡＲ５方向に回転される。
【００６４】
雰囲気遮断板１２０は、スピンベース１１０に対向して設けられた円盤形状の部材である。雰囲気遮断板１２０の中心部上面側には回転軸１２２が垂設されている。回転軸１２２の内側は中空となっており、その中空部分に処理液ノズル１２１が挿設されている。回転軸１２２はモータ１２３に連結されている。モータ１２３が駆動すると、回転軸１２２を介して雰囲気遮断板１２０が水平面内にて鉛直方向に沿った軸を中心として回転される。すなわち、雰囲気遮断板１２０は基板Ｗと平行かつ同軸に、しかもほぼ同じ回転数にて回転される。
【００６５】
また、処理液ノズル１２１は、配管１５１（１５１ａ、１５１ｂ）およびバルブ１５２を介して乾燥溶剤供給源１５６と連通接続されている。そのため、バルブ１５２を開放することによって、処理液ノズル１２１から基板Ｗの上面に乾燥溶剤を吐出する。なお、配管１５１は図示しない薬液供給源とも接続されており、図示しないバルブの開閉動作により所定の薬液を基板Ｗ上にして薬液処理を施すことができる。
【００６６】
一方、回転軸１２２の内壁と処理液ノズル１２１との間の隙間は、配管１４１（１４１ａ、１４１ｂ）およびバルブ１４２を介して窒素ガス供給源１４３と連通接続されている。そのため、バルブ１４２を開放することによって、回転軸１２２から基板Ｗの上面に不活性ガスとして窒素ガスを供給する。
【００６７】
カップ１３０は、スピンベース１１０、それに保持された基板Ｗおよび雰囲気遮断板１２０の周囲を取り囲むように配置されており、それらの回転によって飛散した処理液を回収する。回収された処理液はカップ１３０の底部に設けられた排出口１３１および排液管１１５（１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ）を介して基板処理装置２００外部の排液ドレイン１１６に排出される。
【００６８】
また、この種の基板処理装置は通常クリーンルーム内に設置されるものであり、そのクリーンルーム内を流下している清浄空気のダウンフローがカップ１３０の上部開口から流れ込む。カップ１３０に流れ込んだ清浄空気は、カップ１３０の底部に設けられた排出口１３１および排気管１１７（１１７ａ、１１７ｂ、１１７ｃ）を介して基板処理装置２００外部の排気ドレイン１１８に排気される。このときに、カップ１３０内を浮遊している処理液の微小なミストも排気されることとなる。
【００６９】
なお、上記以外にも、この基板処理装置には例えばカップ１３０や雰囲気遮断板１２０を矢印ＡＲ３方向に昇降させる機構等が設けられている。
【００７０】
図８に示すように、カップ１３０の側部側の所定の位置に、純水吐出ノズル１６０が矢印ＡＲ６の方向に回動可能に設けられている。純水吐出ノズル１６０は、配管１６１（１６１ａ、１６１ｂ）およびバルブ１６２を介して純水供給源１６３と連通接続されている。そのため、雰囲気遮断板１２０を純水吐出ノズル１６０と干渉しない所定位置まで移動させ、純水吐出ノズル１６０の吐出口を基板Ｗ上の中心位置の直上付近まで移動させ、バルブ１６２を開放することにより、基板Ｗに純水を供給する。
【００７１】
制御部１７０は、プログラムや変数等を格納するメモリ１７１と、メモリ１７１に格納されたプログラムに従った制御を実行するＣＰＵ１７２とを備えている。ＣＰＵ１７２は、メモリ１７１に格納されているプログラムに従って、モータ１１３、１２３の回転制御と、雰囲気遮断板１２０およびカップ１３０の昇降制御、および各バルブの開閉制御等を所定のタイミングで行う。
【００７２】
(2) 基板の乾燥処理シーケンス
ここでは、第３実施形態における基板処理装置２００による基板の乾燥処理シーケンスについて説明する。図９は、所定の薬液処理が終了した時刻ｔ０から乾燥処理が終了するまでの、バルブ１４２、１５２、１６２の開閉状態およびモータ１１３、１２３の回転数の一例を示すタイミングチャートである。
【００７３】
時刻ｔ０より前の期間において、図示を省略する搬送ロボットによって未処理の基板Ｗがスピンベース１１０に渡され、チャックピン１１１によって周縁部が把持されることにより水平姿勢にて当該基板Ｗが保持される。次に、雰囲気遮断板１２０がスピンベース１１０に近接して基板Ｗの上方を覆うとともに、カップ１３０がスピンベース１１０および雰囲気遮断板１２０の周囲を囲むように位置する。続いて、スピンベース１１０および雰囲気遮断板１２０が回転され、それに伴い、スピンベース１１０に保持された基板Ｗが回転される。そして、回転している基板Ｗに対して、処理液ノズル１２１から所定の薬液が吐出されることにより所定の薬液処理が施される。
【００７４】
時刻ｔ０において、雰囲気遮断板１２０が純水吐出ノズル１６０と干渉しない位置まで矢印ＡＲ３方向に上昇されるとともに、純水吐出ノズル１６０が退避位置（図８の実線位置）から吐出位置（図８の点線位置）まで回動されて、純水吐出ノズル１６０の吐出口が基板Ｗ上方の所定位置に移動させられる。純水吐出ノズル１６０の移動が完了すると、純水供給源１６３に連通するバルブ１６２が開放され、純水が純水吐出ノズル１６０から吐出されて基板Ｗに供給される。このとき、モータ１１３は回転数ｎ0'で回転し続けているため、基板Ｗ上に吐出された純水は、回転による遠心力によって純水落下位置から基板外側に向かって広がり、洗浄処理が進行する。
【００７５】
また、時刻ｔ０において、バルブ１４２が開放されており、窒素ガス供給源１４３と連通接続されている回転軸１２２の内壁と処理液ノズル１２１との間の隙間から窒素ガスが供給され続けている。そのため、基板Ｗ付近が窒素ガス雰囲気となり、基板Ｗと酸素とが接触することを抑制することができ、ウォーターマークの発生を抑制することができる。
【００７６】
次に、時刻ｔ１において、バルブ１６２が閉鎖されて純水の供給が停止され、純水吐出ノズル１６０が吐出位置から退避位置に移動させられるとともに、バルブ１４２が閉鎖されて窒素ガスの供給が停止される。また、時刻ｔ１において、雰囲気遮断板１２０が純水吐出ノズル１６０と干渉しない位置から矢印ＡＲ３方向に下降されて複数のチャックピン１１１と干渉しない位置まで移動させられる。さらに、乾燥溶剤供給源１５６に連通するバルブ１５２が開放されて基板Ｗに乾燥剤としてＨＦＥが基板Ｗに供給されるとともに、モータ１１３の回転数ｎ'をｎ0'からｎ1'に低下させる。
【００７７】
ここで、雰囲気遮断板１２０を下降させるのは、基板Ｗを回転させる際にカップ１３０から跳ね返った処理液や汚染物質が基板Ｗの表面に付着するのを防止する目的である。また、モータ１１３の回転数ｎ'を低下させるのは、基板Ｗに供給されてＨＦＥがモータ３１の回転による遠心力によって振り切られずに基板上に留まらせつつ基板Ｗ表面全体にＨＦＥを行き渡らせるためである。そして、基板Ｗに供給されたＨＦＥは、微細パターン内部にも入り込んでいく。
【００７８】
このように、第３実施形態では第１実施形態と同様に乾燥剤としてＨＦＥを使用している。ＨＦＥは、従来の乾燥処理で使用されていたＩＰＡと比較して表面張力が小さく蒸発潜熱が小さいため、従来乾燥処理と比較して微細パターン内部に入り込んだ水分を排水効率を向上させつつ、乾燥時間を短縮することができ、微細パターン内部に入り込んだ水分に起因したウォーターマークの発生をより抑制することができる。
【００７９】
続いて、時刻ｔ２において、バルブ１５２が閉鎖されてＨＦＥの供給が停止されるとともに、バルブ１４２が開放されて窒素ガスが再供給されて、基板Ｗ付近が窒素ガス雰囲気に置換されるとともに、モータ１１３の回転数がｎ1'からｎ0'に増加される。そのため、基板Ｗ上に付着した純水と大部分のＨＦＥとは、回転による遠心力によって振り切られて除去され、効率的に基板Ｗ上の水滴を除去することができる。
【００８０】
また、微細パターン内部に入り込んだＨＦＥは気化して基板Ｗ上から除去される。このとき、基板Ｗ付近の雰囲気は、排出口１３１および排気管１１７を介して排気ドレイン１１８に連通接続されており、気化したＨＦＥの蒸気は速やかに窒素ガスと置換されるため、基板Ｗ上に留まっているＨＦＥは速やかに蒸発する。そして、時刻ｔ３において、モータ１１３の回転数ｎ'をゼロとし基板Ｗの回転が停止されて乾燥処理を終了する。
【００８１】
(3) 第３実施形態の基板処理装置の利点
以上のように、第３実施形態の基板処理装置２００の乾燥処理では、第１実施形態と同様に、純水が付着した基板Ｗに乾燥剤としてフッ素系溶剤のＨＦＥの蒸気を供給しつつモータ１１３によって基板Ｗを回転させることにより、基板Ｗ上に形成された微細パターン内部の水滴と乾燥剤との置換効率を向上させ、当該微細パターン内部の水滴の排水効率を向上させしつつ、基板Ｗ上の水滴とフッ素系溶剤とを遠心力によって振り切って一気に除去することができる。そのため、ＩＰＡを乾燥剤として使用する従来の乾燥処理と比較して、微細パターン内部の乾燥不良をさらに抑制しつつ、乾燥性能を高めることができる。
【００８２】
また、乾燥剤としてＨＦＥを使用しているため、第１実施形態と同様に、従来の基板処理装置のように防爆のための特別な装置を設置する必要がなく、乾燥処理に要するコストの上昇を抑制することができる。さらに、ＨＦＥはオゾン層破壊の原因とならず、地球温暖化への影響も小さいため、排液処理のためのコストを低減することができる。
【００８３】
また、基板ＷにＨＦＥを供給する際に、モータ１１３の回転数を低下させることにより、乾燥効率を高めることができる。
【００８４】
また、１枚ずつ基板処理することにより、基板間の乾燥処理のバラツキを抑制しつつ、乾燥不良を抑制することができる。
【００８５】
＜４．変形例＞
以上、本発明の第１実施形態から第３実施形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【００８６】
第１実施形態および第３実施形態において、乾燥剤としてフッ素系溶剤のＨＦＥを使用しているが、ＨＦＥにＩＰＡを１％〜１０％（好ましくは３％〜７％、特に好ましくは５％）体積程度混合した溶剤（以下、「ＨＦＥ混合溶剤」とも呼ぶ）を使用してもよい。ＨＦＥ混合溶剤を乾燥剤として使用することにより、純水と乾燥溶剤との浸透性をさらに高めることができるため、基板上に形成された微細パターン内部に入り込んだ水滴の排水効率を高め、乾燥効率を向上させることができる。すなわち、この発明における乾燥剤としては、純粋なＨＦＥだけでなく、ＨＦＥを主剤とする乾燥剤を利用できる。
【００８７】
また、第２実施形態では、乾燥ガス供給源５３に、フッ素系溶剤であるＨＦＥを貯留しているが、これに代えてＨＦＥ混合溶剤を貯留し、基板にＨＦＥ混合溶剤の蒸気を供給してもよい。基板上で凝縮したＨＦＥ混合溶剤は、ＨＦＥと比較して純水への浸透性が高いため、基板上に形成された微細パターン内部に入り込んだ水滴の排水効率を高め、乾燥効率を向上させることができる。
【００８８】
また、第２実施形態では、乾燥ガス供給源５３に、フッ素系溶剤であるＨＦＥを貯留しているが、これに代えてシリコーン系溶剤を主剤とする乾燥剤を貯留してもよい。例えば、２量体から５量体まで低分子シリコーン系溶剤の場合、蒸発潜熱は、純水が２２５６J/g、ＩＰＡが６７４J/gであるのに対して、低分子シリコーン系溶剤の蒸発潜熱は３００J/g以下、表面張力も、水が７１．８dyn/cm、ＩＰＡが２０．８dyn/cmであるのに対して、低分子シリコーン系溶剤の表面張力は１６．５dyn/cm以下となる。そのため、窒素ガスをキャリアガスとしたシリコーン系溶剤の蒸気を乾燥ガスとして使用した場合、ＩＰＡ蒸気を使用する場合と比較して、純水との浸透性に優れ、かつ乾燥速度をも高めることができ、フッ素系溶剤の蒸気場合と同様、乾燥性能を向上させることができる。
【００８９】
【発明の効果】
請求項１から請求項６に記載の発明によれば、純水が付着した基板上にフッ素系溶剤を主剤とする乾燥剤を供給しながら基板を回転させることにより、基板上に形成されたトレンチ構造等の微細パターン内部の水滴を排水しつつ、基板上の純水とフッ素系溶剤とを遠心力によって振り切って一気に除去することができる。そのため、微細パターン内部の乾燥不良を抑制しつつ、乾燥性能を高めることができる。
【００９０】
また、請求項１から請求項６に記載の発明によれば、同時に複数の基板を乾燥することができるため、乾燥処理のスループットを向上することができる。
【００９２】
特に、請求項２に記載の発明によれば、フッ素系溶剤を主剤とする乾燥剤を供給する際に基板回転数を減少させることにより、微細パターン内部の純水の排水効率をさらに高め、乾燥効率を向上させることができる。
【００９３】
特に、請求項３に記載の発明によれば、フッ素系溶剤の蒸気を基板に供給し、基板とフッ素系溶剤の蒸気とを効率的に接触させることにより、純水付着部分にフッ素系溶剤を主剤とする乾燥剤の蒸気を凝縮させるため、フッ素系溶剤の使用量を低減しつつ乾燥性能を向上させることができる。
【００９４】
特に、請求項４に記載の発明によれば、純水と比較して表面張力が小さく蒸発潜熱の小さいハイドロフルオロエーテルを乾燥剤の主剤として使用することにより、基板上に付着した純水とハイドロフルオロエーテルとを置換することができるため、乾燥効率を向上させることができる。
【００９５】
また、ハイドロフルオロエーテルは、非可燃性であり防爆のための特別な装置を設置する必要がないため、乾燥処理に要するコストの上昇を抑制することができる。
【００９６】
さらに、ハイドロフルオロエーテルは、その構造中に塩素原子を含まず、近年問題となっているオゾン層破壊の原因とならず、また、地球温暖化への影響も小さく、環境問題に配慮された有機溶剤であり、排液処理を施して無害な物質とする必要がないため、排液処理のためのコストを低減することができる。
【００９７】
特に、請求項５に記載の発明によれば、フッ素系溶剤にイソプロピルアルコールを混合させた溶剤を乾燥剤として使用することにより、フッ素系溶剤のみを乾燥剤として使用した場合と比較して、乾燥剤と純水との浸透性を高めることができるため、乾燥効率を高めることができる。
【００９８】
請求項７に記載の発明によれば、純水が付着した基板上にシリコーン系溶剤を主剤とした乾燥剤を供給しながら基板を回転させることにより、基板上の純水を遠心力によって振り切って除去しながら、トレンチ構造等の微細パターン内部の水滴を排水しつつ基板を乾燥することができるため、請求項１と同様な効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態における基板処理装置の全体構成を示す図である。
【図２】図１の基板処理装置の側面図である。
【図３】図１のローターの斜視図である。
【図４】本発明の第１実施形態における供給部のバルブ開閉状態およびモータの回転数の一例を示すタイミングチャートである。
【図５】本発明の第２実施形態における基板処理装置の全体構成を示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態における供給部のバルブ開閉状態およびモータの回転数の一例を示すタイミングチャートである。
【図７】本発明の第３実施形態における基板処理装置の全体構成を示す図である。
【図８】図７の基板処理装置の上面図である。
【図９】本発明の第３実施形態における供給部のバルブ開閉状態およびモータの回転数の一例を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
１００ 基板処理装置
１ 収容器
３０ ローター
５０ 乾燥剤吐出ノズル
５６ 乾燥溶剤供給源
２００ 基板処理装置
１１０ スピンベース
１１３ モータ
１２１ 処理液ノズル
１５６ 乾燥溶剤供給源
Ｗ 基板
Claims (7)
- 処理液による洗浄処理が終了した複数の基板の乾燥処理を行う基板処理装置であって、
処理液を貯留し、前記処理液中に複数の基板を浸漬して所定の基板処理を行う処理槽と、
前記基板処理が終了した複数の基板を略鉛直姿勢にて保持しつつ前記処理槽から引き揚げる引き揚げ手段と、
前記処理槽の上方に設けられており、前記引き揚げ手段から受け渡された複数の基板を略鉛直姿勢にて保持する保持手段と、
略水平方向に沿った回転軸を中心として複数の基板を保持して前記保持手段を回転させる回転手段と、
前記回転手段を用いて基板を回転させつつ、処理液が付着した基板にフッ素系溶剤を主剤とする乾燥剤を供給する溶剤供給手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記保持手段に保持された基板に前記溶剤供給手段から乾燥剤を供給する際に、前記回転手段による基板の回転数を減少させる回転数制御手段、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記溶剤供給手段は、乾燥剤の蒸気を基板に供給することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記フッ素系溶剤はハイドロフルオロエーテルであることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記乾燥剤は、前記フッ素系溶剤とイソプロピルアルコールとを混合した溶剤であることを特徴とする基板処理装置。 - 処理液による洗浄処理が終了した基板の乾燥処理を行う基板処理方法であって、
(a) 処理槽に貯留された処理液中に複数の基板を浸漬して所定の基板処理を行う工程と、
(b) 前記工程 (a) が終了した複数の基板を引き揚げ手段により略鉛直姿勢にて保持しつつ前記処理槽から引き揚げる工程と、
(c) 前記工程 (b) において引き揚げられた略鉛直姿勢の複数の基板を前記引き揚げ手段から保持手段に受け渡す工程と、
(d) 前記保持手段に保持された基板を回転させつつ、処理液が付着した基板にフッ素系溶剤を主剤とする乾燥剤を供給する工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。 - 処理液による洗浄処理が終了した基板の乾燥処理を行う基板処理装置であって、
処理液を貯留し、前記処理液中に複数の基板を浸漬して所定の基板処理を行う処理槽と、
前記基板処理が終了した複数の基板を略鉛直姿勢にて保持しつつ前記処理槽から引き揚げる引き揚げ手段と、
前記処理槽の上方に設けられており、前記引き揚げ手段から受け渡された複数の基板を略鉛直姿勢にて保持する保持手段と、
略水平方向に沿った回転軸を中心として複数の基板を保持して前記保持手段を回転させる回転手段と、
前記回転手段を用いて基板を回転させつつ、処理液が付着した基板にシリコーン系溶剤を主剤とする乾燥剤を供給する溶剤供給手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002095694A JP3892749B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002095694A JP3892749B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003297794A JP2003297794A (ja) | 2003-10-17 |
| JP3892749B2 true JP3892749B2 (ja) | 2007-03-14 |
Family
ID=29387286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002095694A Expired - Fee Related JP3892749B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3892749B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4767767B2 (ja) * | 2006-06-19 | 2011-09-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP5043406B2 (ja) * | 2006-11-21 | 2012-10-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板乾燥方法および基板乾燥装置 |
| JP4960075B2 (ja) | 2006-12-18 | 2012-06-27 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP4886544B2 (ja) * | 2007-02-09 | 2012-02-29 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP4803821B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2011-10-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP4994990B2 (ja) * | 2007-08-03 | 2012-08-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置、プログラム、記録媒体および置換剤 |
| JP5179282B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2013-04-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| TWI372444B (en) | 2007-10-10 | 2012-09-11 | Semes Co Ltd | Substrate support unit, and substrate treating apparatus and method using the same |
| JP2011001569A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-01-06 | Toyota Motor Corp | オゾン水処理装置及びオゾン水処理方法 |
| KR101486330B1 (ko) * | 2013-08-29 | 2015-01-26 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 처리 장치 |
| JP6453688B2 (ja) * | 2015-03-27 | 2019-01-16 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2002
- 2002-03-29 JP JP2002095694A patent/JP3892749B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003297794A (ja) | 2003-10-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102011570B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
| CN107871691B (zh) | 基板处理方法和基板处理装置 | |
| KR100864126B1 (ko) | 기판처리 장치 및 방법 | |
| US7290948B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP6875811B2 (ja) | パターン倒壊回復方法、基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP5958950B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP3892749B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2007012859A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2010186974A (ja) | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 | |
| JP6945314B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| KR102638072B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
| JP7064339B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2009238793A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP5293790B2 (ja) | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 | |
| JP7195084B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| JP3866130B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| US20060144420A1 (en) | Apparatus and method for manufacturing semiconductor device | |
| KR101044409B1 (ko) | 기판 세정 방법 | |
| JP4541422B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2002299310A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR20040008059A (ko) | 기판 세정 방법 및 이를 이용한 기판 세정 장치 | |
| JP5501085B2 (ja) | 基板処理方法 | |
| JP3810056B2 (ja) | 基板処理方法、現像処理方法および基板処理装置 | |
| JP2007012860A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP3892786B2 (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040226 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060807 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060817 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061016 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061205 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061207 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091215 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091215 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |