JP3890216B2 - カーボン系物質で形成されたエミッタを有する電界放出表示素子の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は電界放出表示素子の製造方法に関し、より詳細に言えば、カーボン系物質からなるエミッタを有する電界放出表示素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
冷陰極電子を電子放出源として使用してイメージ形成をする装置である電界放出表示素子(FED;Field Emission Display)は、電子放出層であるエミッタの特性によって素子全体の品質を大きく左右される。
【0003】
初期の電界放出表示素子において、前記エミッタは主にモリブデンを主材質とする、いわゆるスピンドト(spindt)タイプの金属チップで形成されてきたが、これに対する従来技術としては米国特許第3,789,471号に開示された電界放出カソードを有する表示装置がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、前記金属チップ形状のエミッタを有する電界放出表示素子を製造する時には、公知のように半導体とよく似た製造工程 ▲1▼エミッタが配置されるホールを形成するためのフォトリソグラフィ及びエッチング工程、▲2▼金属チップを形成するためのモリブデンの蒸着工程等 を用いるので、製造工程が複雑で高難度の技術を必要とするだけでなく高価な装備を使用しなければならないため製品製造単価の上昇により大量生産が難しい問題点がある。
【0005】
これにより電界放出表示素子の関連業界では、低電圧(大略、10〜50V)の駆動条件でも電子放出をすることができ製造工程上にも便宜を図るために、前記エミッタを面状で形成する技術を研究開発している。
【0006】
今までの技術動向によると、前記面状のエミッタとしてはカーボン系列物質、たとえばグラファイト、ダイアモンド及び炭素ナノチューブ(CNT;Carbon nanotube)などが適したと知らされており、このうちの特に炭素ナノチューブが比較的低い駆動電圧(大略、10〜50V)でも電子放出を円滑に行うことができて電界放出表示素子のエミッタとして最も理想的な物質として期待されている。
【0007】
このような炭素ナノチューブを利用した電界放出表示素子と関連する従来技術としては、米国特許第6,062,931号、第6,097,138号に開示された冷陰極電界放出表示装置があるが、これら技術では、例えば、PCVD(Plasma Chemical Vapor Deposition)法、コーティング法、プリンティング法等の各種の方法によって炭素ナノチューブの集合体で個別にアドレスでき、制御できるエミッタ単位を形成している。
【0008】
しかし、前記炭素ナノチューブをはじめとする炭素系物質で電界放出表示素子のエミッタを形成する時には、前記炭素系列物質の集合体が一つのエミッタ単位として良好に動作できる形状を有するようにする一連の工程を経る時、工程上に必要な他の物質との結合力が強くてその表面状態を悪くする傾向が多い。
【0009】
たとえば、前記エミッタ上に電界放出に必要な電極−ゲート電極及びフォーカシング電極−が形成されるように電界放出表示素子を製造する場合、前記電極のマクロな形状をパターニングさせるためにフォトリソグラフィ工程を行うようになるが、この時用いられるフォトレジストが前記エミッタの表面に残留して前記エミッタの電界放出特性を低下させている。さらにこの時用いられるエッチング溶液も前記エミッタの機能低下を呼び起こす一つの原因として作用する。
【0010】
この外にも、前記エミッタを形成するために熱処理工程を行うようになると、前記エミッタの表面に露出される炭素系物質が酸素と反応して燃焼するので前記エミッタを損傷させることもある(図6参照)。
【0011】
このように従来では、炭素系物質でエミッタを形成する場合に前述のようにエミッタ表面を損傷させる心配が多く、このようなエミッタ表面損傷が電界放出表示素子の電界放出特性を落とす原因として作用し、そのため電界放出表示素子を採用し難いという問題があった。
【0012】
従って、本発明は前記のような問題点を勘案して発明されたものであって、本発明の目的は、炭素系物質を用いて電界放出表示素子のエミッタを形成する時、エミッタ表面の損傷を補修して電界放出特性の低下を防止することができるようにした電界放出表示素子の製造方法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の目的を実現するために、まず、基板上に複数のカソード電極を形成し、前記カソード電極の各々の上にカーボン系物質を含むエミッタ素材を形成し、前記基板上に液状のエミッタ表面処理体を前記エミッタ素材が覆われるように塗布し、前記液状のエミッタ表面処理体を熱処理してフィルム形態に固形化し、そして物理的エネルギーで前記固形状のエミッタ表面処理体を前記基板から除去して前記カーボン系物質が前記エミッタ素材の表面に露出されるように処理することによってエミッタを形成し、電界放出表示素子を製造する。
【0014】
本発明においては、例えば前記エミッタ素材は、前記カーボン系物質を含むペーストを前記カソード電極の上に印刷し、印刷された前記ペーストを当該ペーストの硬化温度より低い温度で熱処理することによって形成する。この時、前記ペーストの印刷は金属メッシュスクリーンを利用したスクリーンプリンティング法で行われるのが好ましい。
【0015】
エミッタを構成するカーボン系物質は炭素ナノチューブ、グラファイト及びダイアモンドのうちの少なくとも一つを選択するのが好ましく、前記エミッタ表面処理体はポリイミド溶液からなるのが好ましい。
【0016】
本発明においては、前記エミッタ表面処理体は、スピンコーティング法で前記基板上に塗布されるのが好ましく、当該エミッタ表面処理体は熱処理によって固形化されるのが好ましい。
【0017】
この外、本発明によって製造される電界放出表示素子は、エミッタの表面が製造工程中に損傷することを追加工程によって補修し、良好なエミッタ形成物質の配列状態によって電界放出特性を向上させ、製品の品位を高めることができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を明確にするための好ましい実施例を、添付した図面を参考にしてより詳細に説明する。
【0019】
図1は本発明の実施例による電界放出表示素子を示した部分断面図であって、示された電界放出表示素子は3極管構造の電界放出表示素子である。
【0020】
図示のように、前記電界放出表示素子は素子の外形を形成する前面基板2と背面基板4を内部空間部が形成されるように所定の間隔をおいて配置し、前記背面基板4には電界放出を行うことができる構成を、前記前面基板2には前記電界放出による放出電子によって所定のイメージを表示することができる構成を形成している。
【0021】
つまり、前記背面基板4上には、たとえばストライプ形状になった複数のカソード電極6が形成され、このカソード電極6上に複数の孔8aを有する絶縁層8が所定の高さで形成される。また、前記絶縁層8上に前記孔8aを除いた部分には複数のゲート電極10が所定のパターン、たとえば前記カソード電極6を横切って形成される。そして、前記カソード電極6上には、電界放出によって実質的に前記孔8a中へ電子を放出するようにするエミッタ12が、前記絶縁層8よりは低い高さで形成されるが、ここでこのエミッタ12は炭素系物質−炭素ナノチューブ、グラファイト、ダイアモンドなど−からなり面状の形態をするが、本実施例では前記エミッタ12の構成物質として複数の炭素ナノチューブ12aが適用される。
【0022】
一方、前記前面基板2上には、複数のアノード電極14と共にこのアノード電極14上に配置される蛍光層16が形成される。図1で未説明番号18は前記電界放出表示素子のセルギャップを維持するようにするスペーサを指す。
【0023】
本発明は前記のように電界放出表示素子の構成で前記エミッタ12が炭素系物質で形成される時、このエミッタ12が電界放出表示素子の製造過程中で、その表面に損傷を受けることを補償して前記炭素系物質、たとえば前記炭素ナノチューブ12aがエミッタ12の表面に良好な状態−前記前面基板に向かうように配列された状態−に配列されるようにすることによって、電界放出特性を向上させることができるようにするが、このような結果は次の製造方法によって可能になる。
【0024】
図2乃至図5は、本発明によって前記電界放出表示素子を製造する段階を説明するために示した図面であって、特に前記背面基板4上に形成される構成要素−カソード電極、絶縁層、ゲート電極、エミッタ−等の製造段階を示している。
【0025】
まず、前記電界放出表示素子を製造するためには背面基板4を用意しこの背面基板4上にプリンティング法またはスパッタリング法でカソード電極6をストライプ状に形成する。
【0026】
以降、前記カソード電極6上に絶縁層8とゲート電極10を形成するようになるが、この時前記絶縁層8及びゲート電極10を貫通して配置される孔8a、10aを有するようになるので、前記絶縁層8とゲート電極10の形成段階時、前記孔8a、10aに対するパターニング作業も遂行される。
【0027】
前記で絶縁層8の形成方法はプリンティング法またはCVD法が用いられ、前記ゲート電極10はプリンティング法またはスパッタリング法で形成され、前記孔8a、10aはパターニングフォトリソグラフィ法によって行われる。
【0028】
次に、前記カソード電極6上に前記エミッタ12をそれぞれ形成するようになるが、本発明における前記エミッタ12は印刷方法を用いて特に、金属メッシュスクリーンを利用したスクリーンプリンティング法によって形成される。このようなエミッタ12形成段階のためにステンレスワイヤーで形成されたメッシュスクリーン(図示されない)が用意され、エミッタ形成のための素材としてペーストが準備される。このペーストは炭素ナノチューブ粉末、接着体成分のバインダー、高温で液状に融解されて焼成後に固形化されるビクル(媒体)及び溶媒などが混合されて構成されるのが好ましいが、ここで前記バインダーとしてエチルセルロース(Ethyl Cellulose)、前記ビクルはガラスパウダー、前記溶媒としてはテルピネオール(terpineol)が好ましい。
【0029】
このようなエミッタ形成用ペーストと前記メッシュスクリーンを用いてスクリーンプリンティング法によって前記カソード電極6上に印刷を行えば、前記カソード電極6上には前記ペーストが所望のパターンによって形成され、その後の焼成工程により前記ペーストを硬化させこれをエミッタ12として形成するようになる。
【0030】
ここで前記焼成工程は、前記ペーストが焼成後にも、完全に硬化されないように当該ペーストの硬化温度より低い温度雰囲気の中で熱処理することで進行されるが、このような予備的焼成によって前記ペーストの成分のうち、前記ビクルはその全体成分の50%以下程度を固形化させるようになる。参考事項ではあるが、前記ペーストが硬化温度によって熱処理されると、完全に硬化する時には、前記ビクルは全体成分の95%以上が固形化されるようになる。
【0031】
本実施例ではこのようなペーストの予備的焼成を350〜430℃の間の温度雰囲気で2分間実施し、参考に前記ペーストが焼成後に前記のような完全硬化状態を見せるようにする焼成工程に必要な温度は500〜600℃であり、この時必要な焼成時間は10分以上である。
【0032】
以上の工程段階を経て前記背面基板6上に図2に示すような前記エミッタ12を形成した後、前記エミッタ12を表面処理する工程を実施する。前記ペーストが前記カソード電極6上に印刷された後、たとえば前記熱処理のような後続工程を経る時に、この後続工程の条件によっては、前記エミッタ12の表面に損傷を受け、図2に示したように前記炭素ナノチューブ12aの配列が斜めになってしまう場合がある。前記エミッタ12の表面処理は、この炭素ナノチューブ12aの配列を補修するためのものである。
【0033】
このようなエミッタ表面処理工程のためにまず前記背面基板6上に液状のエミッタ表面処理体20を前記エミッタ12が覆われるように塗布する。ここで前記エミッタ表面処理体はスピンコーティング法によって前記背面基板6上に塗布された後、熱処理工程により硬化させる。スピンコーティング法を用いることで、表面処理体としての液状物質を効率よく塗布することができる。
図3は、前記エミッタ表面処理体20が前記背面基板6上に塗布された後、フィルム形態に硬化した状態を示している。
【0034】
前記液状のエミッタ表面処理体はポリイミドをN−メチル−2ピロリドン(N−methyl−2−pyrrolidone)などの溶媒に溶かして製造したポリイミド溶液が好ましいが、必ずこれに限定されるものではなく、熱処理工程によってフィルム形態に硬化できる溶液であれば適用可能である。
【0035】
本実施例で前記熱処理工程は、スピンコーティングで前記ポリイミド溶液が塗布された前記背面基板6を、大略90℃に維持したホットプレート上に置いて、この状態を20分程度維持することで処理した。
【0036】
このようにして前記背面基板6上に前記エミッタ表面処理体20が形成されれば、その後には前記エミッタ表面処理体20を前記背面基板6から剥離して前記エミッタ12の表面を活性化する工程、言い換えると、前記炭素ナノチューブ12aが前記エミッタ12の表面の外に露出されるようにする工程を実施する。
【0037】
つまり、最終フィルム形状をとる前記エミッタ表面処理体20を図4に示したように物理的なエネルギーで前記背面基板6から剥離すると、前記エミッタ12の表面側の一部が前記エミッタ表面処理体20と共に剥がされ、前記背面基板6上に残っているエミッタ12上には新たな表面が生成されながら、このエミッタ12を形成する炭素ナノチューブ12aの先端部位が、前記エミッタ12の表面外部に露出するようになる。
【0038】
前記エミッタ表面処理体20を物理的に剥がす作業は、作業者の手作業によって行うこともできるが、電界放出表示素子の大量生産のためには自動化設備を用いるのが好ましい。
【0039】
図5は、前記エミッタ表面処理体20によって表面処理を最終的に終えたエミッタ12が前記背面基板6上に形成された状態を示したものであって、図示のように前記エミッタ12の表面上には炭素ナノチューブ12aの先端部位が露出される。
【0040】
図7は、本発明の発明者が前記工程段階を経た後、実質的に前記エミッタ12を撮影した写真であって、これを参照すれば前記エミッタ12に従来の方法によって形成されたエミッタ(図6参照)よりその表面上に炭素ナノチューブを明確に露出させることが分かる。
【0041】
図8は、本発明による電界放出表示素子のゲート電圧(VG)とアノード電流(IA)間の特性を示すグラフであって、従来は40μA程度のアノード電流を得るために大略300V程度のゲート電圧を必要にしたが、本発明によれば大略100V程度のゲート電圧を有することでも前記アノード電流を得ることができ、電界放出特性を向上させることが分かる。
【0042】
一方、本実施例では3極管構造の電界放出表示素子を例として本発明を説明したが、本発明は3極管構造だけでなく2極管をはじめとする他の構造の電界放出表示素子にも適用可能である。
【0043】
以上本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく特許請求の範囲と発明の詳細な説明及び添付した図面の範囲内で多様に変形して実施するのが可能であり、これも本発明の範囲に属するのは当然のことである。
【0044】
【発明の効果】
このように本発明による電界放出表示素子の製造方法は、製造工程中に損傷を受ける可能性のあるエミッタ表面を人為的に高い確率で活性化することによって、最終完成された表示素子においては、エミッタの表面上にエミッタ形成物質を露出させ、良好な特性が得られるようにするものである。
【0045】
従って、本発明によって製造された電界放出表示素子は電界放出特性を低下させずディスプレイ性能が良好に維持できて優れた製品信頼性を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例による電界放出表示素子を示す部分断面図
【図2】本発明の実施例による電界放出表示素子の製造段階を説明するための断面図
【図3】本発明の実施例による電界放出表示素子の製造段階を説明するための断面図
【図4】本発明の実施例による電界放出表示素子の製造段階を説明するための断面図
【図5】本発明の実施例による電界放出表示素子の製造段階を説明するための断面図
【図6】一般的な製造工程によって製造された電界放出表示素子のエミッタ表面を撮影した電子顕微鏡写真
【図7】本発明の実施例による電界放出表示素子のエミッタ表面を撮影した電子顕微鏡写真
【図8】本発明の実施例による電界放出表示素子のゲート電圧とアノード電流との関係を示すグラフ
【符号の説明】
2 前面基板
4 背面基板
6 カソード電極
8 絶縁層
8a 孔
10 ゲート電極
10a 孔
12 エミッタ
12a 炭素ナノチューブ
14 アノード電極
20 エミッタ表面処理体
Claims (6)
- 基板上に複数のカソード電極を形成し、
前記カソード電極の各々の上にカーボン系物質を含むエミッタ素材を形成し、
前記基板上に液状のエミッタ表面処理体を前記エミッタ素材が覆われるように塗布し、
前記液状のエミッタ表面処理体を熱処理してフィルム形態に固形化し、そして
物理的エネルギーで固形状の前記エミッタ表面処理体を前記基板から除去して前記カーボン系物質が前記エミッタ素材の表面に露出されるように処理することを含む電界放出表示素子の製造方法。 - 前記エミッタ素材の形成は、
前記カーボン系物質を含むペーストを前記カソード電極上に印刷し、そして
印刷された前記ペーストを当該ペーストの硬化温度より低い温度で熱処理して硬化させることを含んでなる、請求項1に記載の電界放出表示素子の製造方法。 - 前記ペーストの印刷が金属メッシュスクリーンを利用したスクリーンプリンティング法で行われる、請求項2に記載の電界放出表示素子の製造方法。
- 前記カーボン系物質が炭素ナノチューブ、グラファイト及びダイアモンドのうちの少なくとも一つに選択されてなる、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電界放出表示素子の製造方法。
- 前記エミッタ表面処理体がポリイミド溶液からなる、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の電界放出表示素子の製造方法。
- 前記エミッタ表面処理体がスピンコーティング法で前記基板上に塗布される、請求項1乃至5の何れか一項に記載の電界放出表示素子の製造方法。
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US7449081B2 (en) | 2000-06-21 | 2008-11-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for improving the emission of electron field emitters |
KR100805318B1 (ko) * | 2001-09-21 | 2008-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 탄소계 물질로 형성된 에미터를 갖는 전계 방출표시소자의 제조 방법 |
JP2003168355A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Sony Corp | 電子放出体の製造方法、冷陰極電界電子放出素子の製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法 |
WO2004102604A1 (en) * | 2003-05-16 | 2004-11-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Field emission display and method of manufacturing the same |
US7202596B2 (en) * | 2003-06-06 | 2007-04-10 | Electrovac Ag | Electron emitter and process of fabrication |
US7157848B2 (en) * | 2003-06-06 | 2007-01-02 | Electrovac Fabrikation Elektrotechnischer Spezialartikel Gmbh | Field emission backlight for liquid crystal television |
KR20050060287A (ko) * | 2003-12-16 | 2005-06-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 카본나노튜브 에미터의 형성방법 |
KR20050087376A (ko) * | 2004-02-26 | 2005-08-31 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시소자의 전자방출원 형성용 조성물 및 이를 이용한전자방출원 |
KR20050106670A (ko) * | 2004-05-06 | 2005-11-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | Cnt 전계방출소자의 제조방법 |
US20060292297A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-12-28 | Nano-Proprietary, Inc. | Patterning CNT emitters |
KR100647439B1 (ko) * | 2005-01-12 | 2006-11-23 | (주)넥센나노텍 | 전자 방출용 나노 카본계 전계 에미터 제작 방법 |
KR100747332B1 (ko) * | 2005-11-28 | 2007-08-07 | 엘지전자 주식회사 | 전계 방출 표시 장치의 제조방법 |
US20070154625A1 (en) * | 2006-01-05 | 2007-07-05 | Teco Electric & Machinery Co., Ltd. | Method for activating electron emission surface of field emission display |
JP2007188686A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Togen Denki Kofun Yugenkoshi | 電界放出型表示装置の電子放出面を活性化処理する方法 |
CN102013371B (zh) * | 2009-09-04 | 2012-11-21 | 清华大学 | 一种冷阴极的表面处理方法 |
EP3933881A1 (en) | 2020-06-30 | 2022-01-05 | VEC Imaging GmbH & Co. KG | X-ray source with multiple grids |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3789471A (en) * | 1970-02-06 | 1974-02-05 | Stanford Research Inst | Field emission cathode structures, devices utilizing such structures, and methods of producing such structures |
EP0776998A4 (en) * | 1995-06-14 | 1998-09-02 | Otsuka Kagaku Kk | TITANATE WHISKER AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
CA2227322A1 (en) * | 1995-08-04 | 1997-02-20 | Printable Field Emitters Limited | Field electron emission materials and devices |
KR100365444B1 (ko) * | 1996-09-18 | 2004-01-24 | 가부시끼가이샤 도시바 | 진공마이크로장치와이를이용한화상표시장치 |
US5848925A (en) * | 1996-12-26 | 1998-12-15 | Motorola Inc. | Method for fabricating an array of edge electron emitters |
KR100278781B1 (ko) * | 1998-05-04 | 2001-02-01 | 구자홍 | 전계방출이미터제조방법 |
US6645402B1 (en) * | 1998-06-18 | 2003-11-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electron emitting device, electron emitting source, image display, and method for producing them |
US6283812B1 (en) * | 1999-01-25 | 2001-09-04 | Agere Systems Guardian Corp. | Process for fabricating article comprising aligned truncated carbon nanotubes |
US6250984B1 (en) * | 1999-01-25 | 2001-06-26 | Agere Systems Guardian Corp. | Article comprising enhanced nanotube emitter structure and process for fabricating article |
KR20000074609A (ko) * | 1999-05-24 | 2000-12-15 | 김순택 | 카본 나노 튜브를 이용한 전계 방출 어레이 및 그 제조방법 |
JP3468723B2 (ja) | 1999-07-16 | 2003-11-17 | 双葉電子工業株式会社 | 電子放出源の製造方法、電子放出源及び蛍光発光型表示器 |
US6062931A (en) * | 1999-09-01 | 2000-05-16 | Industrial Technology Research Institute | Carbon nanotube emitter with triode structure |
TW512653B (en) * | 1999-11-26 | 2002-12-01 | Ibiden Co Ltd | Multilayer circuit board and semiconductor device |
US6682383B2 (en) * | 2000-05-17 | 2004-01-27 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Cathode structure for field emission device and method of fabricating the same |
US6626720B1 (en) * | 2000-09-07 | 2003-09-30 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing vacuum gap dielectric field emission triode and apparatus |
US6436221B1 (en) * | 2001-02-07 | 2002-08-20 | Industrial Technology Research Institute | Method of improving field emission efficiency for fabricating carbon nanotube field emitters |
TWI223308B (en) * | 2003-05-08 | 2004-11-01 | Ind Tech Res Inst | Manufacturing process of carbon nanotube field emission transistor |
KR20060011665A (ko) * | 2004-07-30 | 2006-02-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자와 이의 제조 방법 |
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