JPH02288288A - 埋め込みヘテロ構造レーザダイオードの製造方法 - Google Patents
埋め込みヘテロ構造レーザダイオードの製造方法Info
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- JPH02288288A JPH02288288A JP2089263A JP8926390A JPH02288288A JP H02288288 A JPH02288288 A JP H02288288A JP 2089263 A JP2089263 A JP 2089263A JP 8926390 A JP8926390 A JP 8926390A JP H02288288 A JPH02288288 A JP H02288288A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 9
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 4
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003518 caustics Substances 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N methanol Substances OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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-
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
この発明は埋め込みヘテロ構造レーザダイオードの製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
[従来の技術1
光通信用の光源として一般に用いられるレーザダイオー
ドは埋め込みヘテロ構造レーザダイオードである。かか
るレーザダイオードは第1のエピタキシャル成長の間に
形成された活性領域と第2のエピタキシャル成長工程の
間に形成された電流狭窄(ブロッキング)層との間の(
il1)In面であるメサ界面をもっている。レーザダ
イオードのこの界面は約600℃の高温にさらされるの
で、界面内に結晶欠陥が形成される。
ドは埋め込みヘテロ構造レーザダイオードである。かか
るレーザダイオードは第1のエピタキシャル成長の間に
形成された活性領域と第2のエピタキシャル成長工程の
間に形成された電流狭窄(ブロッキング)層との間の(
il1)In面であるメサ界面をもっている。レーザダ
イオードのこの界面は約600℃の高温にさらされるの
で、界面内に結晶欠陥が形成される。
損傷した界面は非放射性の再結合中心および電流漏洩路
として作用するので、ダイオードの生産歩留まり、寿命
、安定性、レーザ発振閾値電流などの主要な性能指数が
低下する。
として作用するので、ダイオードの生産歩留まり、寿命
、安定性、レーザ発振閾値電流などの主要な性能指数が
低下する。
上述した問題を解決するために、従来、高温にさらされ
た(llllln面を第2の液層エピタキシャル成長過
程中に溶は出(メルトバック)させ、その後メルトバッ
ク工程によって作られた清浄な表面の上に電流ブロッキ
ング層を成長させる方法が提案された。
た(llllln面を第2の液層エピタキシャル成長過
程中に溶は出(メルトバック)させ、その後メルトバッ
ク工程によって作られた清浄な表面の上に電流ブロッキ
ング層を成長させる方法が提案された。
[発明が解決しようとする課題l・
上述した方法によれば、長い寿命および均一で低い閾値
電流の埋め込みヘテロ構造レーザダイオードをうまく作
製することができる。しかしこの方法は損傷した(11
1)In面を僅かにメルトバックするのに複雑な処理条
件と特殊な補助装置を必要とし、以下の不利な点を有す
る。
電流の埋め込みヘテロ構造レーザダイオードをうまく作
製することができる。しかしこの方法は損傷した(11
1)In面を僅かにメルトバックするのに複雑な処理条
件と特殊な補助装置を必要とし、以下の不利な点を有す
る。
発光波長域1.55μmのInGaAsPレーザにおい
ては、熱によって損傷されたI nGaAsPの表面は
大きな組成差のために第2の成長の間に自然にメルトバ
ックし、いかなる人為的なメルトバック工程も必要とし
ない。しかし、波長域1.3μmのInGaAsP活性
層は電流ブロッキング層との間に僅かの組成の差しかな
いので、人為的なメルトバック工程が要求される。メル
トバック工程は、ΔTが0,2℃の不飽和溶液を用い1
5秒という短時間で行われるので、溶液の組成、メルト
バック時間および温度の厳密な制御が必要であり、また
他の特殊な装置も必要である。このように、従来の方法
は不便であり面倒である。
ては、熱によって損傷されたI nGaAsPの表面は
大きな組成差のために第2の成長の間に自然にメルトバ
ックし、いかなる人為的なメルトバック工程も必要とし
ない。しかし、波長域1.3μmのInGaAsP活性
層は電流ブロッキング層との間に僅かの組成の差しかな
いので、人為的なメルトバック工程が要求される。メル
トバック工程は、ΔTが0,2℃の不飽和溶液を用い1
5秒という短時間で行われるので、溶液の組成、メルト
バック時間および温度の厳密な制御が必要であり、また
他の特殊な装置も必要である。このように、従来の方法
は不便であり面倒である。
従って本発明の目的は損傷した活性層の(111)In
面を第2の液相エピタキシャル成長中にメルトバックす
る簡単な方法を提供し、上述した問題を解決することに
ある。
面を第2の液相エピタキシャル成長中にメルトバックす
る簡単な方法を提供し、上述した問題を解決することに
ある。
【課題を解決するための手段1
本発明を要約すれば、基板上に逆メサ構造として形成さ
れた活性層とクラッド層、電流狭窄層およびその電流狭
窄層の上に堆積された絶縁層、およびその上に形成され
た電極を含む埋め込みヘテロ構造レーザダイオードの製
造方法において、基板上に前記活性層およびクラッド層
を第1の液相エピタキシャル成長によって成長させた後
、前記クラッド層上にSin、ストライプマスクを形成
するだめの第1の工程;前記SiO2ストライプマスク
を利用し腐食剤を用いて前記クラッド層をエツチングし
て逆メサ構造を作るための第2の工程;塩酸系腐食剤を
用いて前記クラッド層を選択的にエツチングして前記活
性層を突出させるための第3の工程;および第2のエピ
タキシャル成長の間に前記活性層の突出部を自然にメル
トバックさせる第4の工程を有することを特徴とする。
れた活性層とクラッド層、電流狭窄層およびその電流狭
窄層の上に堆積された絶縁層、およびその上に形成され
た電極を含む埋め込みヘテロ構造レーザダイオードの製
造方法において、基板上に前記活性層およびクラッド層
を第1の液相エピタキシャル成長によって成長させた後
、前記クラッド層上にSin、ストライプマスクを形成
するだめの第1の工程;前記SiO2ストライプマスク
を利用し腐食剤を用いて前記クラッド層をエツチングし
て逆メサ構造を作るための第2の工程;塩酸系腐食剤を
用いて前記クラッド層を選択的にエツチングして前記活
性層を突出させるための第3の工程;および第2のエピ
タキシャル成長の間に前記活性層の突出部を自然にメル
トバックさせる第4の工程を有することを特徴とする。
本発明の第2の目的は、活性層に対してエツチング速度
が小さい腐食剤を用い、第2および第3の工程からなる
二つのエツチング工程のかわりに単一のエツチング工程
で逆メサ構造を形成することである。
が小さい腐食剤を用い、第2および第3の工程からなる
二つのエツチング工程のかわりに単一のエツチング工程
で逆メサ構造を形成することである。
すなわち、本発明の第2の形態は、基板上に形成された
活性層およびクラッド層の逆メサ構造。
活性層およびクラッド層の逆メサ構造。
該メサ構造の両側に形成された電流狭窄層および絶縁層
、および前記メサ構造と給線層上に形成された電極を含
む埋め込みヘテロ構造レーザダイオードの製造方法にお
いて、基板上に前記活性層およびクラッド層を成長させ
た後、前記クラッド層上にSiO2ストライプマスクを
形成する第1の工程;前記活性層および前記クラッド層
をエツチングして逆メサ構造を作る時に前記クラッド層
のエツチング速度が前記活性層のエツチング速度より速
い腐食剤を用いて前記活性層を突出させる第2の工程;
および前記電流狭窄層を成長させるための第2のエピタ
キシャル成長の間に前記活性層の突出部を自然にメルト
バックする第3の工程を有することを特徴とする。
、および前記メサ構造と給線層上に形成された電極を含
む埋め込みヘテロ構造レーザダイオードの製造方法にお
いて、基板上に前記活性層およびクラッド層を成長させ
た後、前記クラッド層上にSiO2ストライプマスクを
形成する第1の工程;前記活性層および前記クラッド層
をエツチングして逆メサ構造を作る時に前記クラッド層
のエツチング速度が前記活性層のエツチング速度より速
い腐食剤を用いて前記活性層を突出させる第2の工程;
および前記電流狭窄層を成長させるための第2のエピタ
キシャル成長の間に前記活性層の突出部を自然にメルト
バックする第3の工程を有することを特徴とする。
本発明の他の形態は、実施例についての以下の記述を図
面と関連させて読むことによって容易に理解されるであ
ろう。
面と関連させて読むことによって容易に理解されるであ
ろう。
[実施例]
第1図は逆メサInGaAsP/InP埋め込みヘテロ
構造レーザダイオードの断面図である。第1図において
、lは電極を、2は絶縁層を、3はn−1nP層を、4
はクラッド層を、5は(111)In面を、6はInP
電流ブロッキング層を、7はInGaAsP活性層を示
す。
構造レーザダイオードの断面図である。第1図において
、lは電極を、2は絶縁層を、3はn−1nP層を、4
はクラッド層を、5は(111)In面を、6はInP
電流ブロッキング層を、7はInGaAsP活性層を示
す。
第2A、 2B、 2Cおよび2D図は、高温にさらさ
れたために欠陥を有する活性層表面が、人為的な工程な
しで、電流ブロッキング層6を成長させるための第2の
液相エピタキシャル成長工程中に自然にメルトバックす
るように活性層が突出している逆メサを利用して信頼性
の高い埋め込みヘテロ構造レーザダイオードを作製する
ための各工程を示す。第2A図は、その上にSiO□エ
ツチングマスクがフォトリソグラフ処理によってバター
ニングされているダブルヘテロ構造ウェハを示す。第2
B図は逆メサを形成するための工程を示す。第2C図は
部分的なエツチングのために部分的に突出した逆メサを
形成するための工程を示す。第2D図は活性層の損傷さ
れた突出部が第2の液相エピタキシャル成長中に人為的
な操作なしに自然にメルトバックして除去された逆メサ
構造を示す。
れたために欠陥を有する活性層表面が、人為的な工程な
しで、電流ブロッキング層6を成長させるための第2の
液相エピタキシャル成長工程中に自然にメルトバックす
るように活性層が突出している逆メサを利用して信頼性
の高い埋め込みヘテロ構造レーザダイオードを作製する
ための各工程を示す。第2A図は、その上にSiO□エ
ツチングマスクがフォトリソグラフ処理によってバター
ニングされているダブルヘテロ構造ウェハを示す。第2
B図は逆メサを形成するための工程を示す。第2C図は
部分的なエツチングのために部分的に突出した逆メサを
形成するための工程を示す。第2D図は活性層の損傷さ
れた突出部が第2の液相エピタキシャル成長中に人為的
な操作なしに自然にメルトバックして除去された逆メサ
構造を示す。
第2A図において、4はp−InPクラッド層を、7は
InGaAsP活性層を、8はSiO2ストライプマス
クを、9はn′″−InPバッファ層/n”−1nP基
板を示す。
InGaAsP活性層を、8はSiO2ストライプマス
クを、9はn′″−InPバッファ層/n”−1nP基
板を示す。
第2A図に示す第1工程において、n”−1nPバッフ
ァ層/n’−1nP基板9、InGaAsP活性層7お
よびp−InPクラッド層4からなるダブルヘテロ構造
が第1の液相エピタキシャル成長によって作られ、その
後その上にSiO2ストライプマスク8が形成される。
ァ層/n’−1nP基板9、InGaAsP活性層7お
よびp−InPクラッド層4からなるダブルヘテロ構造
が第1の液相エピタキシャル成長によって作られ、その
後その上にSiO2ストライプマスク8が形成される。
第2B図に示す第2工程において、Br−メタノール溶
液を用いて5102ストライブマスク8によって保護さ
れていない部分をエツチングすることによって逆メサが
作られる。
液を用いて5102ストライブマスク8によって保護さ
れていない部分をエツチングすることによって逆メサが
作られる。
第2C図に示す第3工程において、塩酸のようなInP
層(p−InPクラッド層4.n−InPバッファ層9
)のみを選択的にエツチングする腐食剤を用い、InG
aAsP活性層7がエツチングされずに残っている突出
した逆メサが作られる。
層(p−InPクラッド層4.n−InPバッファ層9
)のみを選択的にエツチングする腐食剤を用い、InG
aAsP活性層7がエツチングされずに残っている突出
した逆メサが作られる。
第4の工程において、電流ブロッキング層3および6を
成長させるための第2の液相エピタキシャル成長が続い
て行われる。第2の液相エピタキシャル成長の間第3工
程で形成された突出部と接触している溶液との平衡を維
持するためには、突出部に対しては平面部の場合より過
飽和な溶液が必要なので、突出部(第2D図に点線で示
す)のみが飽和溶液あるいは僅かに過飽和な溶液に完全
に溶ける。第2D図に示すように、高温にさらされて損
傷した活性層の表面は除かれ、そしてその後で通常の方
法によって電流ブロッキング層を形成することができる
。
成長させるための第2の液相エピタキシャル成長が続い
て行われる。第2の液相エピタキシャル成長の間第3工
程で形成された突出部と接触している溶液との平衡を維
持するためには、突出部に対しては平面部の場合より過
飽和な溶液が必要なので、突出部(第2D図に点線で示
す)のみが飽和溶液あるいは僅かに過飽和な溶液に完全
に溶ける。第2D図に示すように、高温にさらされて損
傷した活性層の表面は除かれ、そしてその後で通常の方
法によって電流ブロッキング層を形成することができる
。
上述した工程において、突出した活性層表面(第2D図
の点線部)をメルトバックするために、エピタキシャル
成長のためグラファイトボートの孔の一つをメルトバッ
クのための溶液に割当てる方法または第1の電流ブロッ
キング層(第1図のp−1nP層6)の成長のための溶
液を用いて突出表面のメルトバックを第1の電流ブロッ
キング層の成長と同時に行う方法のいずれをも用いるこ
とができる。
の点線部)をメルトバックするために、エピタキシャル
成長のためグラファイトボートの孔の一つをメルトバッ
クのための溶液に割当てる方法または第1の電流ブロッ
キング層(第1図のp−1nP層6)の成長のための溶
液を用いて突出表面のメルトバックを第1の電流ブロッ
キング層の成長と同時に行う方法のいずれをも用いるこ
とができる。
本発明の第2の実施例について以下に述べる。
この実施例は、高信頼性のレーザダイオードを作製する
ために4つの工程、すなわち基板上に活性層およびクラ
ッド層を成長させた後にクラッド層上にストライブマス
クを設ける工程、逆メサ構造を形成する工程、逆メサ構
造をエツチングしてInGaAsP活性層(7)を突出
させる工程および熱損傷した活性層表面(第2D図の点
線部)を第2のエピタキシャル成長中に自然に除去する
工程を含んでいる。
ために4つの工程、すなわち基板上に活性層およびクラ
ッド層を成長させた後にクラッド層上にストライブマス
クを設ける工程、逆メサ構造を形成する工程、逆メサ構
造をエツチングしてInGaAsP活性層(7)を突出
させる工程および熱損傷した活性層表面(第2D図の点
線部)を第2のエピタキシャル成長中に自然に除去する
工程を含んでいる。
しかし、第2の実施例において、上述した第1の工程の
後で、逆メサのエツチングのためにクラッド層(第2B
図の4)および中間層(第2C図の9)に対して活性層
(第2C図の7)に対するよりエツチング速度が早い溶
液を使用すると、上述した第2の工程(第2B図)と第
3の工程(第2C図)を同時に実行することができ、4
工程を3工程に減らすことができる。
後で、逆メサのエツチングのためにクラッド層(第2B
図の4)および中間層(第2C図の9)に対して活性層
(第2C図の7)に対するよりエツチング速度が早い溶
液を使用すると、上述した第2の工程(第2B図)と第
3の工程(第2C図)を同時に実行することができ、4
工程を3工程に減らすことができる。
この発明は、液相エピタキシ法によって電流ブロッキン
グ層を成長させた、いかなる種類の物質から作られた埋
めこみヘテロ構造レーザにも、例えばInGaAsP活
性層P系、 GaAj2 As/GaAs系。
グ層を成長させた、いかなる種類の物質から作られた埋
めこみヘテロ構造レーザにも、例えばInGaAsP活
性層P系、 GaAj2 As/GaAs系。
InGaA Q As/ InP系その他のようなII
I −V族化合物半導体、 )IgcdTe/CdTe
、 PbSnTeその他のII−VI族化合物半導体
で作られた埋め込みヘテロ構造レーザに適用することが
できる。
I −V族化合物半導体、 )IgcdTe/CdTe
、 PbSnTeその他のII−VI族化合物半導体
で作られた埋め込みヘテロ構造レーザに適用することが
できる。
(発明の効果l
以下に本発明の利点を述べる。
活性層7と電流ブロッキング層6との間の界面の特性は
埋め込みヘテロ構造レーザダイオードの性能に大きな影
響をもっているので、また欠陥のある表面がメルトバッ
ク工程によって除去され、しかる後に電流ブロッキング
層6が殆んど完全な表面上に成長され、従って境界面上
には結晶欠陥がないので、本発明の方法に従ってメルト
バック処理された埋め込みヘテロ構造レーザダイオード
は、メルトバック処理をしないダイオードと比較すると
以下の様な多(の利点を有する。
埋め込みヘテロ構造レーザダイオードの性能に大きな影
響をもっているので、また欠陥のある表面がメルトバッ
ク工程によって除去され、しかる後に電流ブロッキング
層6が殆んど完全な表面上に成長され、従って境界面上
には結晶欠陥がないので、本発明の方法に従ってメルト
バック処理された埋め込みヘテロ構造レーザダイオード
は、メルトバック処理をしないダイオードと比較すると
以下の様な多(の利点を有する。
a、漏洩電流および非放射性電流が減少し、かつレーザ
発振閾値電流が減少する。従ってダイオードの効率が高
い。
発振閾値電流が減少する。従ってダイオードの効率が高
い。
b、生産歩留りが高い。
C1動作特性が安定で、かつ寿命が長い。
本発明によるメルトバック法は人為的なメルトバック法
と比較して以下の利点を有する。
と比較して以下の利点を有する。
a、液相エピタキシャル成長のための溶液組成を微調節
する必要がなく、また溶液の組成を正確に調整するため
のいかなる特別なグラファイトボートを設計する必要も
ない。
する必要がなく、また溶液の組成を正確に調整するため
のいかなる特別なグラファイトボートを設計する必要も
ない。
b、メルトバックおよび同時に行われる液相エピタキシ
ャル成長の間、温度を正確に調節する必要がな(、かつ
温度が正確に調節されなくても逆メサ構造は残る。
ャル成長の間、温度を正確に調節する必要がな(、かつ
温度が正確に調節されなくても逆メサ構造は残る。
C3第2の液相エピタキシャル成長の間、複雑な温度制
御プログラム(プログラムされた方法で時間を基礎に温
度を変える)を使う必要がない。
御プログラム(プログラムされた方法で時間を基礎に温
度を変える)を使う必要がない。
第1図は逆メサInGaAsP/InPダブルヘテロ構
造の埋め込みヘテロ構造レーザダイオードの断面図、 第2A図、第2B図、第2C図および第2D図はそれぞ
れ埋め込みヘテロ構造レーザダイオードを作製するため
の各工程を示す図である。 l・・・電極、 2・・・絶縁層、 3・・・n−1nP層、 4・・・クラッド層、 5− (111)In面、 6・・・InP電流ブロック層、 7−・−1nGaAsP活性層、 8・・・5insストライブマスク、 9・・・n”−InPバッファ層/n”−InP基板。 Fig、 1 □9 Rg−2A Fig、 2C Ftg、2()
造の埋め込みヘテロ構造レーザダイオードの断面図、 第2A図、第2B図、第2C図および第2D図はそれぞ
れ埋め込みヘテロ構造レーザダイオードを作製するため
の各工程を示す図である。 l・・・電極、 2・・・絶縁層、 3・・・n−1nP層、 4・・・クラッド層、 5− (111)In面、 6・・・InP電流ブロック層、 7−・−1nGaAsP活性層、 8・・・5insストライブマスク、 9・・・n”−InPバッファ層/n”−InP基板。 Fig、 1 □9 Rg−2A Fig、 2C Ftg、2()
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)基板上に形成された活性層(7)およびクラッド層
(4)の逆メサ構造、該メサ構造の両側に形成された電
流狭窄層(3)と(6)および絶縁層(2)、および前
記メサ構造と絶縁層上に形成された電極(1)を含む埋
め込みヘテロ構造レーザダイオードの製造方法において
、 基板上に前記活性層(7)およびクラッド層(4)を第
1の液相エピタキシャル成長によって成長させた後、前
記クラッド層(4)上にSiO_2ストライプマスク(
8)を形成する第1の工程; 前記SiO_2ストライプマスクを利用し腐食剤を用い
て前記クラッド層および活性層をエッチングして逆メサ
構造を作る第2の工程; 塩酸系腐食剤を用いて前記クラッド層(4)を選択的に
エッチングして前記活性層(7)を突出させる第3の工
程;および 前記電流狭窄層を成長させるための第2のエピタキシャ
ル成長の間に前記活性層(7)の突出部を自然にメルト
バックさせる第4の工程 を有することを特徴とする埋め込みヘテロ構造レーザダ
イオードの製造方法。 2)前記活性層(7)およびクラッド層(4)がInG
aAsP/InP系、GaAlAs/GaAs系および
InGaAs/InP系の如きIII−V族化合物半導体
系の一種で形成されていることを特徴とする請求項1に
記載の埋め込みヘテロ構造レーザダイオードの製造方法
。 3)前記活性層(7)およびクラッド層(4)がHgC
dTe/CdTe系およびPbSnTe系の如きII−V
I族化合物半導体系の一種で形成されていることを特徴
とする請求項1に記載の埋め込みヘテロ構造レーザダイ
オードの製造方法。 4)前記第4の工程において、前記電流狭窄層(3)お
よび(6)を成長させるのと同時に第1の電流狭窄層の
成長のための溶液を使用して前記活性層(7)の突出部
をメルトバックすることを特徴とする請求項1に記載の
埋め込みヘテロ構造レーザダイオードの製造方法。 5)基板上に形成された活性層(7)およびクラッド層
(4)の逆メサ構造、該メサ構造の両側に形成された電
流狭窄層(3)と(6)および絶縁層(2)、および前
記メサ構造と絶縁層上に形成された電極(1)を含む埋
め込みヘテロ構造レーザダイオードの製造方法において
、 基板上に前記活性層(7)およびクラッド層(4)を成
長させた後、前記クラッド層(4)上にSiO_2スト
ライプマスク(8)を形成する第1の工程;前記活性層
(7)および前記クラッド層(4)をエッチングして逆
メサ構造を作る時に前記クラッド層(4)のエッチング
速度が前記活性層(7)のエッチング速度より速い腐食
剤を用いて前記活性層を突出させる第2の工程;および 前記電流狭窄層を成長させるための第2のエピタキシャ
ル成長の間に前記活性層(7)の突出部を自然にメルト
バックする第3の工程 を有することを特徴とする埋め込みヘテロ構造レーザダ
イオードの製造方法。 6)前記活性層(7)およびクラッド層(4)がInG
aAsP/InP系、GaAlAs/GaAs系および
InGaAs/InP系の如きIII−V族化合物半導体
系の一種で形成されていることを特徴とする請求項5に
記載の埋め込みヘテロ構造レーザダイオードの製造方法
。 7)前記活性層(7)およびクラッド層(4)がHgC
dTe/CdTe系およびPbSnTe系の如きII−V
I族化合物半導体系の一種で形成されていることを特徴
とする請求項5に記載の埋め込みヘテロ構造レーザダイ
オードの製造方法。 8)前記第3の工程において、前記電流狭窄層(3)お
よび(6)を成長させるのと同時に第1の電流狭窄層の
成長のための溶液を使用して前記活性層(7)の突出部
をメルトバックすることを特徴とする請求項5に記載の
埋め込みヘテロ構造レーザダイオードの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1989-4512 | 1989-04-06 | ||
KR1019890004512A KR910008439B1 (ko) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 매립형 레이저 다이오드의 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02288288A true JPH02288288A (ja) | 1990-11-28 |
Family
ID=19285132
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2089263A Pending JPH02288288A (ja) | 1989-04-06 | 1990-04-05 | 埋め込みヘテロ構造レーザダイオードの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4994143A (ja) |
JP (1) | JPH02288288A (ja) |
KR (1) | KR910008439B1 (ja) |
DE (1) | DE4010889A1 (ja) |
GB (1) | GB2230383B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69010485T2 (de) * | 1990-04-06 | 1995-01-26 | Ibm | Verfahren zur Erzeugung der Stegstruktur eines selbstausrichtenden Halbleiterlasers. |
US5202285A (en) * | 1990-04-26 | 1993-04-13 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser having double heterostructure and method of producing same |
US5255281A (en) * | 1990-04-26 | 1993-10-19 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser having double heterostructure |
FR2674684A1 (fr) * | 1991-03-28 | 1992-10-02 | Alcatel Nv | Procede de realisation d'un composant semiconducteur tel qu'un laser a ruban enterre. |
DE4226497A1 (de) * | 1992-08-11 | 1994-02-17 | Daimler Benz Ag | Verfahren zum Dünnätzen eines Siliziumsubstrates |
US5568501A (en) * | 1993-11-01 | 1996-10-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser and method for producing the same |
KR0146714B1 (ko) * | 1994-08-08 | 1998-11-02 | 양승택 | 평면 매립형 레이저 다이오드의 제조방법 |
JPH09116222A (ja) * | 1995-10-17 | 1997-05-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの製造方法,及び半導体レーザ |
KR980006665A (ko) * | 1996-06-29 | 1998-03-30 | 김주용 | 광 소자의 제조방법 |
KR100203307B1 (ko) * | 1996-06-29 | 1999-06-15 | 김영환 | 레이저 다이오드의 제조방법 |
KR100251348B1 (ko) | 1996-12-30 | 2000-05-01 | 김영환 | Rwg 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 |
US6613679B2 (en) * | 1999-12-22 | 2003-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor device |
DE60115887T2 (de) * | 2001-09-03 | 2006-06-14 | Agilent Technologies Inc | Methode zur Ausrichtung eines passiven optischen Elements auf ein aktives optisches Element |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63318192A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6085585A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Nec Corp | 埋め込み型半導体レ−ザ |
GB2160823B (en) * | 1984-06-28 | 1987-05-28 | Stc Plc | Semiconductor devices and their fabrication |
FR2574601B1 (fr) * | 1984-12-11 | 1987-07-17 | Menigaux Louis | Procede de fabrication d'un laser a semi-conducteur a ruban enterre |
US4784722A (en) * | 1985-01-22 | 1988-11-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Method forming surface emitting diode laser |
JPH0766994B2 (ja) * | 1985-02-19 | 1995-07-19 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子 |
GB8622767D0 (en) * | 1986-09-22 | 1986-10-29 | British Telecomm | Semiconductor structures |
-
1989
- 1989-04-06 KR KR1019890004512A patent/KR910008439B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1990
- 1990-03-27 GB GB9006850A patent/GB2230383B/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-04-02 US US07/503,222 patent/US4994143A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-04-04 DE DE4010889A patent/DE4010889A1/de active Granted
- 1990-04-05 JP JP2089263A patent/JPH02288288A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63318192A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4010889C2 (ja) | 1992-09-03 |
KR910008439B1 (ko) | 1991-10-15 |
KR900017243A (ko) | 1990-11-15 |
GB2230383B (en) | 1993-01-20 |
DE4010889A1 (de) | 1990-10-11 |
GB2230383A (en) | 1990-10-17 |
GB9006850D0 (en) | 1990-05-23 |
US4994143A (en) | 1991-02-19 |
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