JP3879478B2 - レジストパターンの形成方法、該レジストパターンを用いたパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レジストパターン、レジストパターンの形成方法、該レジストパターンを用いたパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜磁気ヘッド等の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスを製造する場合は、ミリング（ドライエッチング）処理やリフトオフ処理又はこれらを組み合わせた処理等のパターニング処理が複数回行われる。これらのパターニング処理は、マスクであるフォトレジストパターンを形成することから始まる。
【０００３】
フォトレジストパターンには種々の構造のものがあるが、近年、断面形状を逆台形形状又はＴ字形状とした２層レジストパターンが注目されている。
【０００４】
特公平７−６０５８号公報には、下層の現像液に対する溶解度を利用してパターニングする２層レジストパターンの形成方法の一例として、下層にポリメチルグルタルイミド（ＰＭＧＩ）層を用いたものが記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＰＭＧＩは粘度の高いものを作成することができないので厚いレジストパターンを形成することができない。即ち、ＰＭＧＩ層を下層として２層レジストパターンを形成した場合、その厚さは最大で３μｍ未満である。従って、この２層レジストパターンをマスクとしてリフトオフ法によって薄膜を形成した場合、膜厚の大きい薄膜を形成することが不可能であった。
【０００６】
また、下層のパターニングをその樹脂の上層レジスト用現像液に対する溶解速度を利用して行っているので、２層レジストパターンとしての断面形状を精度良く制御することが非常に困難であった。
【０００７】
さらに、下層にノボラック樹脂やナフトキノンジアジド（以下、ＮＱＤと称する）ノボラックレジスト材料を用いた場合、上層レジストを塗布する際に下層との界面でインターミキシングを起こしてしまい、良好な形状のレジストパターンを得ることができなかった。なお、インターミキシングを起こさなくなるまで下層を熱処理すると、下層の感光性が失われてしまい、断面がＴ字形状した２層レジストパターンを得ることができない。
【０００８】
従って、本発明の目的は、より膜厚の大きなレジストパターンを提供すること、このようなレジストパターンの形成方法、このレジストパターンを用いた薄膜のパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的は、精度の高い断面形状を有するレジストパターン、断面形状を精度良く制御可能なレジストパターンの形成方法、このレジストパターンを用いた薄膜のパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００１０】
本発明のさらに他の目的は、上側レジスト層と下側レジスト層との界面でインターミキシングが起きず、従って良好な形状を有するレジストパターン、このレジストパターンの形成方法、このレジストパターンを用いた薄膜のパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００１６】
本発明によれば、下側レジストパターンと上側レジストパターンとを含むレジストパターンの形成方法であって、基板上に、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料からなる下側レジスト層を積層した後、この下側レジスト層を所定のパターンに露光し、この露光した下側レジスト層上に上側レジスト層を積層した後、この上側レジスト層を所定のパターンに露光し、次いで現像することにより、下側レジストパターン及び上側レジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法、この方法により形成したレジストパターンを用いて薄膜をリフトオフ法により形成した後、レジストパターンを除去する薄膜のパターニング方法、及びこのパターニング方法により、薄膜パターンを形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００１７】
さらに本発明によれば、下側レジストパターンと上側レジストパターンとを含むレジストパターンの形成方法であって、基板上に、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料からなる下側レジスト層及びこの下側レジスト層より感度の低い上側レジスト層を積層した後、下側レジスト層及び上側レジスト層を互いに異なる所定のパターンで２段露光し、次いで現像することにより、下側レジストパターン及び上側レジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法、この方法により形成したレジストパターンを用いて薄膜をリフトオフ法により形成した後、レジストパターンを除去する薄膜のパターニング方法、及びこのパターニング方法により、薄膜パターンを形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００１８】
下側レジストパターンにこのような材料を用いることにより、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くできると共に、この材料が耐溶剤性を有することから上側レジストパターンとの界面でインターミキシングが生じないので良好な形状のレジストパターンを得ることができる。従って、比較的厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。さらに、下側レジストパターン及び上側レジストパターンを露光で形成することにより、レジストパターンの断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の第１の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
【００３０】
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜１０上に第１のレジスト材料を塗布し、プリベークして下側レジスト層１１を形成する。
【００３１】
第１のレジスト材料としては、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００３２】
なお、本明細書において、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料とは、感光基がノボラック樹脂に直接結合しているレジスト組成物であり、具体的には下記構造式（１）で示される１又は２以上の繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算重量平均分子量が１０００〜１００００であるノボラック樹脂の水酸基の水素原子を、水素１原子当たり０．０３〜０．２７モルの１，２−ＮＱＤスルホニル基で置換して得たノボラック樹脂を、アルカリ可溶性樹脂及び感光剤として含有するレジスト組成物である。
【００３３】
【化１】
ただし、式（１）において、ｎは１〜４の整数、ｍは０〜３の整数である。
【００３４】
また、本明細書において、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料とは、感光基がノボラック樹脂に直接結合している疎水性のレジスト組成物であり、具体的には、（Ａ）下記構造式（１）で示される繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算重量平均分子量が１０００〜３００００であるノボラック樹脂の水酸基の水素原子の一部を、１，２−ＮＱＤスルホニルエステル基で置換し、かつ、残りの水酸基の一部の水素原子を下記一般式（２）、（３）又は（４）で示される官能基のうちの１種又は２種以上の置換基で置換した高分子化合物、
【００３５】
【化２】
ただし、式（１）において、ｎは１〜４の整数、ｍは０〜３の整数であり、式（２）、（３）及び（４）において、Ｒは炭素数１〜３０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、又は炭素数７〜２０のアラルキル基である。
又は、
（Ｂ）ノボラック樹脂の水酸基の水素原子を、水素１原子当たり０．０３〜０．３モルの割合で１，２−ＮＱＤスルホニルエステル基で置換し、かつ、残りの水酸基の一部の水素原子を水素１原子当たり０．０１〜０．８モルの割合で上記一般式（２）、（３）又は（４）で示される官能基のうちの１種又は２種以上の置換基で置換した（Ａ）の高分子化合物を含有するレジスト組成物である。
【００３６】
さらに、本明細書において、ポリヒドロキシスチレン系レジスト材料とは、例えば、下記構造式（５）（式（５）中Ｒ１〜Ｒ３は水素原子又はメチル基である。Ｒ２及びＲ３は、下記の一般式（６）（式（６）中、Ｒ４、Ｒ５はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐上のアルキル基であり、Ｒ６は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であるか、又は、Ｒ４及びＲ５、Ｒ４及びＲ６若しくはＲ５及びＲ６は環を形成していてもよい。環を形成する場合、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６はそれぞれ独立して炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐上のアルキレン基を示す）で示される基、又は、−ＣＯ２Ｃ（ＣＨ３）３であってもよい。ｘ、ｙはそれぞれ０以上の整数である。ｚは１以上の整数である）で示され、重量平均分子量が１００００〜２５０００である高分子化合物であるベース樹脂と酸発生剤を含有するレジスト材料を指す。酸発生剤としては、ｐ−トルエンスルホンサントリフェニルスルホニウム等があげられる。
【００３７】
【化３】
【００３８】
【化４】
【００３９】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、マスク１２を介してこの下側レジスト層１１を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
【００４０】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、その上に第２のレジスト材料を塗布し、プリベークして上側レジスト層１３を形成する。
【００４１】
第２のレジスト材料としては、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００４２】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、マスク１４を介してこの上側レジスト層１３（及び下側レジスト層１１）を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
【００４３】
次いで、必要に応じて加熱処理した後、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥することによって、同図（Ｅ）に示すように下側レジストパターン１１´及び上側レジストパターン１３´からなるＴ字状の断面形状を有する２層レジストパターン１５が得られる。
【００４４】
その後、同図（Ｆ）に示すように、被パターニング膜１６をスパッタリング等で成膜する。
【００４５】
次いで、同図（Ｇ）に示すように、アセトン、ＮＭＰ等の有機溶剤によって２層レジストパターン１５を溶解し、被パターニング膜１６の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜１６´が得られる。
【００４６】
一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料及び疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料は、ＮＱＤがノボラック樹脂に結合しており、ノボラックレジスト材料を構成する分子の平均分子量が一体型ではない場合に比べて大きく、耐溶剤性を有している。また、ポリヒドロキシスチレン系樹脂も耐溶剤性を有している。従って、本実施形態のように、下側レジスト層１１として、これらの材料を用いることによって、下側レジスト層１１及び上側レジスト層１３の界面でインターミキシングが生じないので良好な形状の２層レジストパターンを得ることができる。
【００４７】
また、下側レジストパターン１１´及び上側レジストパターン１３´が共に露光によって形成されるので、その断面形状を任意の形状に精度良く制御することができる。
【００４８】
さらに、下側レジスト層１１にＰＭＧＩを用いていないため、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くすることができ、このレジストパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【００４９】
図２は本発明の第２の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
【００５０】
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜２０上に第３のレジスト材料を塗布し、プリベークして下側レジスト層２１を形成する。
【００５１】
第３のレジスト材料としては、第１のレジスト材料と同様に、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００５２】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、その上に第４のレジスト材料を塗布し、プリベークして上側レジスト層２３を形成する。
【００５３】
第４のレジスト材料としては、第２のレジスト材料と同様に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００５４】
ただし、第３のレジスト材料は第４のレジスト材料より高感度のものを用いる。
【００５５】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、マスク２２を介して下側レジスト層２１を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。この場合、上側レジスト層２３は低感度のため反応せず、より高感度の下側レジスト層２１のみが感光する。
【００５６】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、マスク２４を介して上側レジスト層２３及び下側レジスト層２１の両方を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
【００５７】
次いで、必要に応じて加熱処理した後、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥することによって、同図（Ｅ）に示すように下側レジストパターン２１´及び上側レジストパターン２３´からなるＴ字状の断面形状を有する２層レジストパターン２５が得られる。
【００５８】
その後、同図（Ｆ）に示すように、被パターニング膜２６をスパッタリング等で成膜する。
【００５９】
次いで、同図（Ｇ）に示すように、アセトン、ＮＭＰ等の有機溶剤によって２層レジストパターン２５を溶解し、被パターニング膜２６の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜２６´が得られる。
【００６０】
一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料及び疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料は、ＮＱＤがノボラック樹脂に結合しており、ノボラックレジスト材料を構成する分子の平均分子量が一体型ではない場合に比べて大きく、耐溶剤性を有している。また、ポリヒドロキシスチレン系樹脂も耐溶剤性を有している。従って、本実施形態のように、下側レジスト層２１として、これらの材料を用いることによって、下側レジスト層２１及び上側レジスト層２３の界面でインターミキシングが生じないので良好な形状の２層レジストパターンを得ることができる。
【００６１】
また、下側レジストパターン２１´及び上側レジストパターン２３´が共に露光によって形成されるので、その断面形状を任意の形状に精度良く制御することができる。
【００６２】
さらに、下側レジスト層２１にＰＭＧＩを用いていないため、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くすることができ、このレジストパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【００６３】
図３は本発明の第３の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
【００６４】
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜３０上に第５のレジスト材料を塗布し、プリベークして下側レジスト層３１を形成する。
【００６５】
第５のレジスト材料としては、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料又は疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料を用いる。
【００６６】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、下側レジスト層３１の表面をアルカリ性水溶液（例えば現像液）で処理し、未感光のＮＱＤがノボラック樹脂の一部とアゾ結合して形成された樹脂層（アルカリ環境下における一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料又は疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料のアゾ結合層）によるセパレータ層３７を形成する。
【００６７】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、マスク３２を介して下側レジスト層３１を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
【００６８】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、その上に第６のレジスト材料を塗布し、プリベークして上側レジスト層３３を形成する。
【００６９】
第６のレジスト材料としては、第２のレジスト材料と同様に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００７０】
次いで、同図（Ｅ）に示すように、マスク３４を介して上側レジスト層３３（及び下側レジスト層３１）を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
【００７１】
次いで、必要に応じて加熱処理した後、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥することによって、同図（Ｆ）に示すように下側レジストパターン３１´、セパレータパターン３７´及び上側レジストパターン３３´からなるＴ字状の断面形状を有する２層レジストパターン３５が得られる。
【００７２】
その後、同図（Ｇ）に示すように、被パターニング膜３６をスパッタリング等で成膜する。
【００７３】
次いで、同図（Ｈ）に示すように、アセトン、ＮＭＰ等の有機溶剤によって２層レジストパターン３５を溶解し、被パターニング膜３６の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜３６´が得られる。
【００７４】
本実施形態のように、下側レジスト層３１及び上側レジスト層３３の間にセパレータ層３７を設けることにより、両レジスト層の界面でインターミキシングが生じないので良好な形状の２層レジストパターンを得ることができる。
【００７５】
また、下側レジストパターン３１´及び上側レジストパターン３３´が共に露光によって形成されるので、その断面形状を任意の形状に精度良く制御することができる。
【００７６】
さらに、下側レジスト層３１にＰＭＧＩを用いていないため、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くすることができ、このレジストパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【００７７】
図４は本発明の第４の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
【００７８】
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜４０上に第７のレジスト材料を塗布し、プリベークして下側レジスト層４１を形成する。
【００７９】
第７のレジスト材料としては、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００８０】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、マスク４２を介して下側レジスト層４１を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
【００８１】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、その上に炭素層若しくはＤＬＣ層、例えばポリアクリル酸、ポリビニルアセタール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンイミン若しくはポリエチレンオキシド等の水溶性樹脂層、例えばミリング変質層等の熱変質層、ニッケル、銅若しくは金等の金属膜、アルミナ若しくは酸化シリコン等の酸化膜、又は窒化アルミニウム等の窒化膜によるセパレータ層４７を形成する。
【００８２】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、そのセパレータ層４７の上に第８のレジスト材料を塗布し、プリベークして上側レジスト層４３を形成する。
【００８３】
第８のレジスト材料としては、第２のレジスト材料と同様に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００８４】
次いで、同図（Ｅ）に示すように、マスク４４を介して上側レジスト層４３（及び下側レジスト層４１）を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
【００８５】
次いで、必要に応じて加熱処理した後、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥すること、並びにアッシング、ミリング、ミリング及びアッシング、又は酸によるウエットエッチングを行うことによって、同図（Ｆ）に示すように、上側レジストパターン４３´及びセパレータパターン４７´を得る。
【００８６】
さらに、同図（Ｇ）に示すように、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥することによって下側レジストパターン４１´を得、これによって、下側レジストパターン４１´、セパレータパターン４７´及び上側レジストパターン４３´からなるＴ字状の断面形状を有する２層レジストパターン４５が得られる。セパレータ層４７が水溶性樹脂の場合には、同図（Ｆ）の現像時におけるアルカリ現像液での現像、水洗によりセパレータ層の一部が溶解するため、同図（Ｆ）の現像時に、同時に、セパレータパターン４７´の一部を溶解させ、第７のレジスト材料の現像も行うことによって、２層レジストパターン４５が得られる。
【００８７】
その後、同図（Ｈ）に示すように、被パターニング膜４６をスパッタリング等で成膜する。
【００８８】
次いで、同図（Ｉ）に示すように、アセトン、ＮＭＰ等の有機溶剤によって２層レジストパターン４５を溶解し、被パターニング膜４６の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜４６´が得られる。
【００８９】
本実施形態のように、下側レジスト層４１及び上側レジスト層４３の間にセパレータ層４７を設けることにより、両レジスト層の界面でインターミキシングが生じないので良好な形状の２層レジストパターンを得ることができる。
【００９０】
また、下側レジストパターン４１´及び上側レジストパターン４３´が共に露光によって形成されるので、その断面形状を任意の形状に精度良く制御することができる。
【００９１】
さらに、下側レジスト層４１にＰＭＧＩを用いていないため、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くすることができ、このレジストパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【００９２】
図５は本発明の第５の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
【００９３】
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜５０上に第９のレジスト材料を塗布し、プリベークして下側レジスト層５１を形成する。
【００９４】
第９のレジスト材料としては、第７のレジスト材料と同様に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００９５】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、その上に露光光に対して透明な例えばアルミナ若しくは酸化シリコン等の酸化膜によるセパレータ層５７を形成する。
【００９６】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、そのセパレータ層５７の上に第１０のレジスト材料を塗布し、プリベークして上側レジスト層５３を形成する。
【００９７】
第１０のレジスト材料としては、第２のレジスト材料と同様に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００９８】
ただし、第９のレジスト材料は第１０のレジスト材料より高感度のものを用いる。
【００９９】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、マスク５２を介して下側レジスト層５１を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。この場合、上側レジスト層５３は低感度のため反応せず、より高感度の下側レジスト層５１のみが感光する。
【０１００】
次いで、同図（Ｅ）に示すように、マスク５４を介して上側レジスト層５３及び下側レジスト層５１の両方を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
【０１０１】
次いで、必要に応じて加熱処理した後、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥すること、並びにミリング、又はミリング及びアッシングを行うことによって、同図（Ｆ）に示すように、上側レジストパターン５３´及びセパレータパターン５７´を得る。
【０１０２】
さらに、同図（Ｇ）に示すように、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥することによって下側レジストパターン５１´を得、これによって、下側レジストパターン５１´、セパレータパターン５７´及び上側レジストパターン５３´からなるＴ字状の断面形状を有する２層レジストパターン５５が得られる。
【０１０３】
その後、同図（Ｈ）に示すように、被パターニング膜５６をスパッタリング等で成膜する。
【０１０４】
次いで、同図（Ｉ）に示すように、アセトン、ＮＭＰ等の有機溶剤によって２層レジストパターン５５を溶解し、被パターニング膜５６の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜５６´が得られる。
【０１０５】
本実施形態のように、下側レジスト層５１及び上側レジスト層５３の間にセパレータ層５７を設けることにより、両レジスト層の界面でインターミキシングが生じないので良好な形状の２層レジストパターンを得ることができる。
【０１０６】
また、下側レジストパターン５１´及び上側レジストパターン５３´が共に露光によって形成されるので、その断面形状を任意の形状に精度良く制御することができる。
【０１０７】
さらに、下側レジスト層５１にＰＭＧＩを用いていないため、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くすることができ、このレジストパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【０１０８】
【実施例】
以下、実施例及び比較例により、本発明をより具体的に説明する。
【０１０９】
比較例
セパレータ層がなく、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０１１０】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０１１１】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０１１２】
（ｃ）下側レジスト層として、ＮＱＤノボラックレジストであるクラリアントジャパン社のＡＺＰ４６２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１１３】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１１４】
（ｅ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１１５】
（ｆ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１１６】
（ｇ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０１１７】
この比較例では、この時点で下側レジスト層と上側レジスト層との界面でインターミキシングが発生し、良好な形状の２層レジストパターンが得られなかった。従って、以降の処理を中止した。プリベーク温度を１５０℃以上とすると、インターミキシングは生じなかったが、（ｄ）の露光時に下側レジスト層が感光せず、（ｇ）の現像時に下側レジスト層が現像されなかった。
【０１１８】
実施例１
セパレータ層がなく、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０１１９】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０１２０】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０１２１】
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１２２】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１２３】
（ｅ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１２４】
（ｆ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１２５】
（ｇ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０１２６】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの２層レジストパターンが得られた。この場合、上側レジストパターンの下側レジストパターン側のパターンエッジ部分が若干崩れる傾向にあった。
【０１２７】
（ｈ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
【０１２８】
（ｉ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
【０１２９】
（ｊ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０１３０】
なお、図６はこの実施例の（ｇ）で形成した２層レジストパターンの一例を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したＳＥＭ写真であり、図７はこの２層レジストパターンに厚さ５．５μｍのアルミナをスパッタリングした状態を示すＳＥＭ写真であり、図８は２層レジストパターン及びその上のアルミナをリフトオフした状態を示すＳＥＭ写真である。
【０１３１】
実施例２
セパレータ層がなく、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０１３２】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０１３３】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０１３４】
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１３５】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１３６】
（ｅ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１３７】
（ｆ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１３８】
（ｇ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０１３９】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの２層レジストパターンが得られた。この場合、上側レジストパターンの下側レジストパターン側のパターンエッジ部分が若干崩れる傾向にあった。
【０１４０】
（ｈ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
【０１４１】
（ｉ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
【０１４２】
（ｊ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０１４３】
実施例３
セパレータ層がなく、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
【０１４４】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０１４５】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０１４６】
（ｃ）下側レジスト層として、ポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストである信越化学工業株式会社のＳＥＰＲ−ＩＸ０２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１４７】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１４８】
（ｅ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１４９】
（ｆ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１５０】
（ｇ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０１５１】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの２層レジストパターンが得られた。この場合、上側レジストパターンの下側レジストパターン側のパターンエッジ部分が若干崩れる傾向にあった。
【０１５２】
（ｈ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
【０１５３】
（ｉ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
【０１５４】
（ｊ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０１５５】
実施例４
セパレータ層としてアルカリ環境下における一体型ＮＱＤノボラックレジストのアゾ結合層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０１５６】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０１５７】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０１５８】
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１５９】
（ｄ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を下側レジスト層の表面に塗布し、３分間放置後、水洗乾燥した。この処理により、下側レジスト層表面にアルカリ環境下における一体型ＮＱＤノボラックレジストのアゾ結合層を形成した。
【０１６０】
（ｅ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１６１】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１６２】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｅ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１６３】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０１６４】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０１６５】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
【０１６６】
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
【０１６７】
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０１６８】
実施例５
セパレータ層としてアルカリ環境下における疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストのアゾ結合層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０１６９】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０１７０】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０１７１】
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１７２】
（ｄ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を下側レジスト層の表面に塗布し、３分間放置後、水洗乾燥した。この処理により、下側レジスト層表面にアルカリ環境下における疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストのアゾ結合層を形成した。
【０１７３】
（ｅ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１７４】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１７５】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｅ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１７６】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０１７７】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０１７８】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
【０１７９】
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
【０１８０】
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０１８１】
実施例６
セパレータ層として炭素層を用い、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０１８２】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０１８３】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０１８４】
（ｃ）下側レジスト層として、ＮＱＤノボラックレジストであるクラリアントジャパン社のＡＺＰ４６２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１８５】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１８６】
（ｅ）炭素を蒸着して０．００２μｍの厚さの炭素によるセパレータ層を形成した、
蒸着装置：ＳＡＮＹＵ ＤＥＮＳＨＩ社製 ＳＣ−７０８Ｃ／ＤＣＳ。
【０１８７】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１８８】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１８９】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０１９０】
（ｉ）アッシング処理により、炭素によるセパレータ層の一部を除去した、
（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０１９１】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０１９２】
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
【０１９３】
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
【０１９４】
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０１９５】
実施例７
セパレータ層として炭素層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０１９６】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０１９７】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０１９８】
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１９９】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２００】
（ｅ）炭素を蒸着して０．００２μｍの厚さの炭素によるセパレータ層を形成した、
蒸着装置：ＳＡＮＹＵ ＤＥＮＳＨＩ社製 ＳＣ−７０８Ｃ／ＤＣＳ。
【０２０１】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２０２】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２０３】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２０４】
（ｉ）アッシング処理により、炭素によるセパレータ層の一部を除去した、
（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２０５】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０２０６】
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
【０２０７】
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
【０２０８】
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０２０９】
実施例８
セパレータ層として炭素層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０２１０】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２１１】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０２１２】
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２１３】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２１４】
（ｅ）炭素を蒸着して０．００２μｍの厚さの炭素によるセパレータ層を形成した、
蒸着装置：ＳＡＮＹＵ ＤＥＮＳＨＩ社製 ＳＣ−７０８Ｃ／ＤＣＳ。
【０２１５】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２１６】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２１７】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２１８】
（ｉ）アッシング処理により、炭素によるセパレータ層の一部を除去した、
（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２１９】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０２２０】
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
【０２２１】
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
【０２２２】
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０２２３】
実施例９
セパレータ層として炭素層を用い、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
【０２２４】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２２５】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０２２６】
（ｃ）下側レジスト層として、ポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストである信越化学工業株式会社のＳＥＰＲ−ＩＸ０２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２２７】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２２８】
（ｅ）炭素を蒸着して０．００２μｍの厚さの炭素によるセパレータ層を形成した、
蒸着装置：ＳＡＮＹＵ ＤＥＮＳＨＩ社製 ＳＣ−７０８Ｃ／ＤＣＳ。
【０２２９】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２３０】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２３１】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２３２】
（ｉ）アッシング処理により、炭素によるセパレータ層の一部を除去した、
（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２３３】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０２３４】
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
【０２３５】
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
【０２３６】
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０２３７】
実施例１０
セパレータ層として水溶性樹脂層であるポリビニルアセタール層を用い、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０２３８】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２３９】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０２４０】
（ｃ）下側レジスト層として、ＮＱＤノボラックレジストであるクラリアントジャパン社のＡＺＰ４６２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２４１】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２４２】
（ｅ）積水化学社のポリビニルアセタール樹脂エスレックＫＷ３の１％水溶液を０．３μｍの厚さにスピンコートし、８０℃で９０秒プリベークしてセパレータ層を形成した。
【０２４３】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２４４】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２４５】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２４６】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０２４７】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
【０２４８】
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
【０２４９】
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０２５０】
実施例１１
セパレータ層として水溶性樹脂層であるポリビニルアセタール層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０２５１】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２５２】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
パワー １０００ＷＡｒ流量 ５０ｓｃｃｍガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
【０２５３】
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２５４】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２５５】
（ｅ）積水化学社のポリビニルアセタール樹脂エスレックＫＷ３の１％水溶液を０．３μｍの厚さにスピンコートし、８０℃で９０秒プリベークしてセパレータ層を形成した。
【０２５６】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２５７】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２５８】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２５９】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０２６０】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
【０２６１】
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
【０２６２】
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０２６３】
実施例１２
セパレータ層として水溶性樹脂層であるポリビニルアセタール層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０２６４】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２６５】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０２６６】
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２６７】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２６８】
（ｅ）積水化学社のポリビニルアセタール樹脂エスレックＫＷ３の１％水溶液を０．３μｍの厚さにスピンコートし、８０℃で９０秒プリベークしてセパレータ層を形成した。
【０２６９】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２７０】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２７１】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２７２】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０２７３】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
【０２７４】
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
【０２７５】
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０２７６】
実施例１３
セパレータ層として水溶性樹脂層であるポリビニルアセタール層を用い、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
【０２７７】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２７８】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０２７９】
（ｃ）下側レジスト層として、ポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストである信越化学工業株式会社のＳＥＰＲ−ＩＸ０２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２８０】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２８１】
（ｅ）積水化学社のポリビニルアセタール樹脂エスレックＫＷ３の１％水溶液を０．３μｍの厚さにスピンコートし、８０℃で９０秒プリベークしてセパレータ層を形成した。
【０２８２】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２８３】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２８４】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２８５】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０２８６】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
【０２８７】
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
【０２８８】
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０２８９】
実施例１４
セパレータ層としてミリング変質層を用い、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０２９０】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２９１】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０２９２】
（ｃ）下側レジスト層として、ＮＱＤノボラックレジストであるクラリアントジャパン社のＡＺＰ４６２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２９３】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２９４】
（ｅ）以下の条件でミリングを行い、下側レジスト層の表面にミリング変質層によるセパレータ層を形成した、
【０２９５】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２９６】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２９７】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２９８】
（ｉ）アッシング処理により、ミリング変質層の一部を除去した、
（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２９９】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０３００】
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
【０３０１】
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
【０３０２】
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０３０３】
実施例１５
セパレータ層としてミリング変質層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０３０４】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０３０５】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０３０６】
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３０７】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３０８】
（ｅ）以下の条件でミリングを行い、下側レジスト層の表面にミリング変質層によるセパレータ層を形成した、
【０３０９】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３１０】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３１１】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３１２】
（ｉ）アッシング処理により、ミリング変質層の一部を除去した、
（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３１３】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０３１４】
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
【０３１５】
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
【０３１６】
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０３１７】
実施例１６
セパレータ層としてミリング変質層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０３１８】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０３１９】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０３２０】
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３２１】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３２２】
（ｅ）以下の条件でミリングを行い、下側レジスト層の表面にミリング変質層によるセパレータ層を形成した、
【０３２３】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３２４】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３２５】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３２６】
（ｉ）アッシング処理により、ミリング変質層の一部を除去した、
（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３２７】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０３２８】
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
【０３２９】
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
【０３３０】
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０３３１】
実施例１７
セパレータ層としてミリング変質層を用い、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
【０３３２】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０３３３】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０３３４】
（ｃ）下側レジスト層として、ポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストである信越化学工業株式会社のＳＥＰＲ−ＩＸ０２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３３５】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３３６】
（ｅ）以下の条件でミリングを行い、下側レジスト層の表面にミリング変質層によるセパレータ層を形成した、
【０３３７】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３３８】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３３９】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３４０】
（ｉ）アッシング処理により、ミリング変質層の一部を除去した、
（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３４１】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０３４２】
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
【０３４３】
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
【０３４４】
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０３４５】
実施例１８
セパレータ層としてＮｉによる金属層を用い、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０３４６】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０３４７】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０３４８】
（ｃ）下側レジスト層として、ＮＱＤノボラックレジストであるクラリアントジャパン社のＡＺＰ４６２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３４９】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３５０】
（ｅ）以下の条件でスパッタリングし、０．０５μｍの厚さのＮｉを下側レジスト層上に成膜した、
【０３５１】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３５２】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３５３】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３５４】
（ｉ）以下の条件でミリングを行い、Ｎｉによるセパレータ層をエッチングした、
【０３５５】
（ｊ）アッシング処理により、ミリング変質層を除去した、
（ｋ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３５６】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０３５７】
（ｌ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
【０３５８】
（ｍ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
【０３５９】
（ｎ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０３６０】
実施例１９
セパレータ層としてＮｉによる金属層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０３６１】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０３６２】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０３６３】
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３６４】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３６５】
（ｅ）以下の条件でスパッタリングし、０．０５μｍの厚さのＮｉを下側レジスト層上に成膜した、
【０３６６】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３６７】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３６８】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３６９】
（ｉ）以下の条件でミリングを行い、Ｎｉによるセパレータ層をエッチングした、
【０３７０】
（ｊ）アッシング処理により、ミリング変質層を除去した、
（ｋ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３７１】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０３７２】
（ｌ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
【０３７３】
（ｍ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
【０３７４】
（ｎ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０３７５】
実施例２０
セパレータ層としてＮｉによる金属層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０３７６】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０３７７】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０３７８】
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３７９】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３８０】
（ｅ）以下の条件でスパッタリングし、０．０５μｍの厚さのＮｉを下側レジスト層上に成膜した、
【０３８１】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３８２】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３８３】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３８４】
（ｉ）以下の条件でミリングを行い、Ｎｉによるセパレータ層をエッチングした、
【０３８５】
（ｊ）アッシング処理により、ミリング変質層を除去した、
（ｋ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３８６】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０３８７】
（ｌ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
【０３８８】
（ｍ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
【０３８９】
（ｎ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０３９０】
実施例２１
セパレータ層としてＮｉによる金属層を用い、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
【０３９１】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０３９２】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０３９３】
（ｃ）下側レジスト層として、ポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストである信越化学工業株式会社のＳＥＰＲ−ＩＸ０２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３９４】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３９５】
（ｅ）以下の条件でスパッタリングし、０．０５μｍの厚さのＮｉを下側レジスト層上に成膜した、
【０３９６】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３９７】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３９８】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３９９】
（ｉ）以下の条件でミリングを行い、Ｎｉによるセパレータ層をエッチングした、
【０４００】
（ｊ）アッシング処理により、ミリング変質層を除去した、
（ｋ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０４０１】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０４０２】
（ｌ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
【０４０３】
（ｍ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
【０４０４】
（ｎ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０４０５】
実施例１８〜２１の変更態様
セパレータ層として、Ｎｉの代わりに、同じ厚さのアルミナ又は窒化アルミニウムを用いた場合にも、これらの実施例１８〜２１と同様の結果が得られた。
【０４０６】
実施例２２
セパレータ層としてシリル化層を用い、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０４０７】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０４０８】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０４０９】
（ｃ）下側レジスト層として、ＮＱＤノボラックレジストであるクラリアントジャパン社のＡＺＰ４６２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０４１０】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０４１１】
（ｅ）以上の処理を終えた基板と、東京応化社 ＯＡＰ（成分：ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ ｄｉｓｉｌａｚａｎ））の入った時計皿とを２３℃のステンレス製密閉容器に入れ、下側レジスト層の表面が気化したＨＭＤＳに触れるような状態で１時間保持し、下側レジスト層の表面にシリル化層を形成した、
シリル化剤としては、ＨＭＤＳの他に、ＴＭＤＳ（１，１，３，３−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）、ＤＭＳＤＭＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＤＭＳＤＥＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＥＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＭＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＤＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、又はＨＭＣＴＳ（１，１，３，３，５，５−Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｒｏｔｒｉｓｉｌａｚａｎｅ）等を用いても良い。また、保持温度を１５〜１３０℃としても良い。さらに、保持圧力を加圧又は減圧しても良い。
【０４１２】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０４１３】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０４１４】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０４１５】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０４１６】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
【０４１７】
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
【０４１８】
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０４１９】
実施例２３
セパレータ層としてシリル化層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０４２０】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０４２１】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０４２２】
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０４２３】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０４２４】
（ｅ）以上の処理を終えた基板と、東京応化社 ＯＡＰ（成分：ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ ｄｉｓｉｌａｚａｎ））の入った時計皿とを２３℃のステンレス製密閉容器に入れ、下側レジスト層の表面が気化したＨＭＤＳに触れるような状態で１時間保持し、下側レジスト層の表面にシリル化層を形成した、
シリル化剤としては、ＨＭＤＳの他に、ＴＭＤＳ（１，１，３，３−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）、ＤＭＳＤＭＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＤＭＳＤＥＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＥＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＭＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＤＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、又はＨＭＣＴＳ（１，１，３，３，５，５−Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｒｏｔｒｉｓｉｌａｚａｎｅ）等を用いても良い。また、保持温度を１５〜１３０℃としても良い。さらに、保持圧力を加圧又は減圧しても良い。
【０４２５】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０４２６】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０４２７】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０４２８】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０４２９】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
【０４３０】
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
【０４３１】
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０４３２】
実施例２４
セパレータ層としてシリル化層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０４３３】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０４３４】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０４３５】
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０４３６】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０４３７】
（ｅ）以上の処理を終えた基板と、東京応化社 ＯＡＰ（成分：ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ ｄｉｓｉｌａｚａｎ））の入った時計皿とを２３℃のステンレス製密閉容器に入れ、下側レジスト層の表面が気化したＨＭＤＳに触れるような状態で１時間保持し、下側レジスト層の表面にシリル化層を形成した、
シリル化剤としては、ＨＭＤＳの他に、ＴＭＤＳ（１，１，３，３−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）、ＤＭＳＤＭＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＤＭＳＤＥＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＥＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＭＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＤＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、又はＨＭＣＴＳ（１，１，３，３，５，５−Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｒｏｔｒｉｓｉｌａｚａｎｅ）等を用いても良い。また、保持温度を１５〜１３０℃としても良い。さらに、保持圧力を加圧又は減圧しても良い。
【０４３８】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０４３９】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０４４０】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０４４１】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０４４２】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
【０４４３】
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
【０４４４】
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０４４５】
実施例２５
セパレータ層としてシリル化層を用い、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
【０４４６】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０４４７】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０４４８】
（ｃ）下側レジスト層として、ポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストである信越化学工業株式会社のＳＥＰＲ−ＩＸ０２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０４４９】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０４５０】
（ｅ）以上の処理を終えた基板と、東京応化社 ＯＡＰ（成分：ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ ｄｉｓｉｌａｚａｎ））の入った時計皿とを２３℃のステンレス製密閉容器に入れ、下側レジスト層の表面が気化したＨＭＤＳに触れるような状態で１時間保持し、下側レジスト層の表面にシリル化層を形成した、
シリル化剤としては、ＨＭＤＳの他に、ＴＭＤＳ（１，１，３，３−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）、ＤＭＳＤＭＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＤＭＳＤＥＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＥＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＭＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＤＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、又はＨＭＣＴＳ（１，１，３，３，５，５−Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｒｏｔｒｉｓｉｌａｚａｎｅ）等を用いても良い。また、保持温度を１５〜１３０℃としても良い。さらに、保持圧力を加圧又は減圧しても良い。
【０４５１】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０４５２】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０４５３】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０４５４】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０４５５】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
【０４５６】
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
【０４５７】
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０４５８】
以上述べた実施形態及び実施例は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【０４５９】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本発明によれば、下側レジストパターンと上側レジストパターンとを含むレジストパターンの形成方法は、下側レジストパターンを、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料によって形成するしている。下側レジストパターンにこのような材料を用いることにより、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くできると共に、この材料が耐溶剤性を有することから上側レジストパターンとの界面でインターミキシングが生じないので良好な形状のレジストパターンを得ることができる。従って、比較的厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。
【図２】本発明の第２の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。
【図３】本発明の第３の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。
【図４】本発明の第４の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。
【図５】本発明の第５の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。
【図６】本発明の実施例で形成した２層レジストパターンの一例のＳＥＭ写真である。
【図７】図６の２層レジストパターンにアルミナをスパッタリングした状態を示すＳＥＭ写真である。
【図８】図７の２層レジストパターン及びその上のアルミナをリフトオフした状態を示すＳＥＭ写真である。
【符号の説明】
１０、２０、３０、４０、５０ 基板
１１、２１、３１、４１、５１ 下側レジスト層
１１´、２１´、３１´、４１´、５１´ 下側レジストパターン
１２、１４、２２、２４、３２、３４、４２、４４、５２、５４ マスク
１３、２３、３３、４３、５３ 上側レジスト層
１３´、２３´、３３´、４３´、５３´ 上側レジストパターン
１５、２５、３５、４５、５５ ２層レジストパターン
１６、２６、３６、４６、５６ 被パターニング膜
１６´、２６´、３６´、４６´、５６´ パターニングされた薄膜
３７、４７、５７ セパレータ層
３７´、４７´、５７´ セパレータパターン
【発明の属する技術分野】
本発明は、レジストパターン、レジストパターンの形成方法、該レジストパターンを用いたパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜磁気ヘッド等の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスを製造する場合は、ミリング（ドライエッチング）処理やリフトオフ処理又はこれらを組み合わせた処理等のパターニング処理が複数回行われる。これらのパターニング処理は、マスクであるフォトレジストパターンを形成することから始まる。
【０００３】
フォトレジストパターンには種々の構造のものがあるが、近年、断面形状を逆台形形状又はＴ字形状とした２層レジストパターンが注目されている。
【０００４】
特公平７−６０５８号公報には、下層の現像液に対する溶解度を利用してパターニングする２層レジストパターンの形成方法の一例として、下層にポリメチルグルタルイミド（ＰＭＧＩ）層を用いたものが記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＰＭＧＩは粘度の高いものを作成することができないので厚いレジストパターンを形成することができない。即ち、ＰＭＧＩ層を下層として２層レジストパターンを形成した場合、その厚さは最大で３μｍ未満である。従って、この２層レジストパターンをマスクとしてリフトオフ法によって薄膜を形成した場合、膜厚の大きい薄膜を形成することが不可能であった。
【０００６】
また、下層のパターニングをその樹脂の上層レジスト用現像液に対する溶解速度を利用して行っているので、２層レジストパターンとしての断面形状を精度良く制御することが非常に困難であった。
【０００７】
さらに、下層にノボラック樹脂やナフトキノンジアジド（以下、ＮＱＤと称する）ノボラックレジスト材料を用いた場合、上層レジストを塗布する際に下層との界面でインターミキシングを起こしてしまい、良好な形状のレジストパターンを得ることができなかった。なお、インターミキシングを起こさなくなるまで下層を熱処理すると、下層の感光性が失われてしまい、断面がＴ字形状した２層レジストパターンを得ることができない。
【０００８】
従って、本発明の目的は、より膜厚の大きなレジストパターンを提供すること、このようなレジストパターンの形成方法、このレジストパターンを用いた薄膜のパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的は、精度の高い断面形状を有するレジストパターン、断面形状を精度良く制御可能なレジストパターンの形成方法、このレジストパターンを用いた薄膜のパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００１０】
本発明のさらに他の目的は、上側レジスト層と下側レジスト層との界面でインターミキシングが起きず、従って良好な形状を有するレジストパターン、このレジストパターンの形成方法、このレジストパターンを用いた薄膜のパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００１６】
本発明によれば、下側レジストパターンと上側レジストパターンとを含むレジストパターンの形成方法であって、基板上に、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料からなる下側レジスト層を積層した後、この下側レジスト層を所定のパターンに露光し、この露光した下側レジスト層上に上側レジスト層を積層した後、この上側レジスト層を所定のパターンに露光し、次いで現像することにより、下側レジストパターン及び上側レジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法、この方法により形成したレジストパターンを用いて薄膜をリフトオフ法により形成した後、レジストパターンを除去する薄膜のパターニング方法、及びこのパターニング方法により、薄膜パターンを形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００１７】
さらに本発明によれば、下側レジストパターンと上側レジストパターンとを含むレジストパターンの形成方法であって、基板上に、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料からなる下側レジスト層及びこの下側レジスト層より感度の低い上側レジスト層を積層した後、下側レジスト層及び上側レジスト層を互いに異なる所定のパターンで２段露光し、次いで現像することにより、下側レジストパターン及び上側レジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法、この方法により形成したレジストパターンを用いて薄膜をリフトオフ法により形成した後、レジストパターンを除去する薄膜のパターニング方法、及びこのパターニング方法により、薄膜パターンを形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００１８】
下側レジストパターンにこのような材料を用いることにより、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くできると共に、この材料が耐溶剤性を有することから上側レジストパターンとの界面でインターミキシングが生じないので良好な形状のレジストパターンを得ることができる。従って、比較的厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。さらに、下側レジストパターン及び上側レジストパターンを露光で形成することにより、レジストパターンの断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の第１の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
【００３０】
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜１０上に第１のレジスト材料を塗布し、プリベークして下側レジスト層１１を形成する。
【００３１】
第１のレジスト材料としては、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００３２】
なお、本明細書において、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料とは、感光基がノボラック樹脂に直接結合しているレジスト組成物であり、具体的には下記構造式（１）で示される１又は２以上の繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算重量平均分子量が１０００〜１００００であるノボラック樹脂の水酸基の水素原子を、水素１原子当たり０．０３〜０．２７モルの１，２−ＮＱＤスルホニル基で置換して得たノボラック樹脂を、アルカリ可溶性樹脂及び感光剤として含有するレジスト組成物である。
【００３３】
【化１】
【００３４】
また、本明細書において、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料とは、感光基がノボラック樹脂に直接結合している疎水性のレジスト組成物であり、具体的には、（Ａ）下記構造式（１）で示される繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算重量平均分子量が１０００〜３００００であるノボラック樹脂の水酸基の水素原子の一部を、１，２−ＮＱＤスルホニルエステル基で置換し、かつ、残りの水酸基の一部の水素原子を下記一般式（２）、（３）又は（４）で示される官能基のうちの１種又は２種以上の置換基で置換した高分子化合物、
【００３５】
【化２】
又は、
（Ｂ）ノボラック樹脂の水酸基の水素原子を、水素１原子当たり０．０３〜０．３モルの割合で１，２−ＮＱＤスルホニルエステル基で置換し、かつ、残りの水酸基の一部の水素原子を水素１原子当たり０．０１〜０．８モルの割合で上記一般式（２）、（３）又は（４）で示される官能基のうちの１種又は２種以上の置換基で置換した（Ａ）の高分子化合物を含有するレジスト組成物である。
【００３６】
さらに、本明細書において、ポリヒドロキシスチレン系レジスト材料とは、例えば、下記構造式（５）（式（５）中Ｒ１〜Ｒ３は水素原子又はメチル基である。Ｒ２及びＲ３は、下記の一般式（６）（式（６）中、Ｒ４、Ｒ５はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐上のアルキル基であり、Ｒ６は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であるか、又は、Ｒ４及びＲ５、Ｒ４及びＲ６若しくはＲ５及びＲ６は環を形成していてもよい。環を形成する場合、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６はそれぞれ独立して炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐上のアルキレン基を示す）で示される基、又は、−ＣＯ２Ｃ（ＣＨ３）３であってもよい。ｘ、ｙはそれぞれ０以上の整数である。ｚは１以上の整数である）で示され、重量平均分子量が１００００〜２５０００である高分子化合物であるベース樹脂と酸発生剤を含有するレジスト材料を指す。酸発生剤としては、ｐ−トルエンスルホンサントリフェニルスルホニウム等があげられる。
【００３７】
【化３】
【化４】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、マスク１２を介してこの下側レジスト層１１を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
【００４０】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、その上に第２のレジスト材料を塗布し、プリベークして上側レジスト層１３を形成する。
【００４１】
第２のレジスト材料としては、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００４２】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、マスク１４を介してこの上側レジスト層１３（及び下側レジスト層１１）を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
【００４３】
次いで、必要に応じて加熱処理した後、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥することによって、同図（Ｅ）に示すように下側レジストパターン１１´及び上側レジストパターン１３´からなるＴ字状の断面形状を有する２層レジストパターン１５が得られる。
【００４４】
その後、同図（Ｆ）に示すように、被パターニング膜１６をスパッタリング等で成膜する。
【００４５】
次いで、同図（Ｇ）に示すように、アセトン、ＮＭＰ等の有機溶剤によって２層レジストパターン１５を溶解し、被パターニング膜１６の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜１６´が得られる。
【００４６】
一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料及び疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料は、ＮＱＤがノボラック樹脂に結合しており、ノボラックレジスト材料を構成する分子の平均分子量が一体型ではない場合に比べて大きく、耐溶剤性を有している。また、ポリヒドロキシスチレン系樹脂も耐溶剤性を有している。従って、本実施形態のように、下側レジスト層１１として、これらの材料を用いることによって、下側レジスト層１１及び上側レジスト層１３の界面でインターミキシングが生じないので良好な形状の２層レジストパターンを得ることができる。
【００４７】
また、下側レジストパターン１１´及び上側レジストパターン１３´が共に露光によって形成されるので、その断面形状を任意の形状に精度良く制御することができる。
【００４８】
さらに、下側レジスト層１１にＰＭＧＩを用いていないため、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くすることができ、このレジストパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【００４９】
図２は本発明の第２の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
【００５０】
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜２０上に第３のレジスト材料を塗布し、プリベークして下側レジスト層２１を形成する。
【００５１】
第３のレジスト材料としては、第１のレジスト材料と同様に、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００５２】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、その上に第４のレジスト材料を塗布し、プリベークして上側レジスト層２３を形成する。
【００５３】
第４のレジスト材料としては、第２のレジスト材料と同様に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００５４】
ただし、第３のレジスト材料は第４のレジスト材料より高感度のものを用いる。
【００５５】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、マスク２２を介して下側レジスト層２１を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。この場合、上側レジスト層２３は低感度のため反応せず、より高感度の下側レジスト層２１のみが感光する。
【００５６】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、マスク２４を介して上側レジスト層２３及び下側レジスト層２１の両方を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
【００５７】
次いで、必要に応じて加熱処理した後、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥することによって、同図（Ｅ）に示すように下側レジストパターン２１´及び上側レジストパターン２３´からなるＴ字状の断面形状を有する２層レジストパターン２５が得られる。
【００５８】
その後、同図（Ｆ）に示すように、被パターニング膜２６をスパッタリング等で成膜する。
【００５９】
次いで、同図（Ｇ）に示すように、アセトン、ＮＭＰ等の有機溶剤によって２層レジストパターン２５を溶解し、被パターニング膜２６の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜２６´が得られる。
【００６０】
一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料及び疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料は、ＮＱＤがノボラック樹脂に結合しており、ノボラックレジスト材料を構成する分子の平均分子量が一体型ではない場合に比べて大きく、耐溶剤性を有している。また、ポリヒドロキシスチレン系樹脂も耐溶剤性を有している。従って、本実施形態のように、下側レジスト層２１として、これらの材料を用いることによって、下側レジスト層２１及び上側レジスト層２３の界面でインターミキシングが生じないので良好な形状の２層レジストパターンを得ることができる。
【００６１】
また、下側レジストパターン２１´及び上側レジストパターン２３´が共に露光によって形成されるので、その断面形状を任意の形状に精度良く制御することができる。
【００６２】
さらに、下側レジスト層２１にＰＭＧＩを用いていないため、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くすることができ、このレジストパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【００６３】
図３は本発明の第３の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
【００６４】
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜３０上に第５のレジスト材料を塗布し、プリベークして下側レジスト層３１を形成する。
【００６５】
第５のレジスト材料としては、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料又は疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料を用いる。
【００６６】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、下側レジスト層３１の表面をアルカリ性水溶液（例えば現像液）で処理し、未感光のＮＱＤがノボラック樹脂の一部とアゾ結合して形成された樹脂層（アルカリ環境下における一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料又は疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料のアゾ結合層）によるセパレータ層３７を形成する。
【００６７】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、マスク３２を介して下側レジスト層３１を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
【００６８】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、その上に第６のレジスト材料を塗布し、プリベークして上側レジスト層３３を形成する。
【００６９】
第６のレジスト材料としては、第２のレジスト材料と同様に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００７０】
次いで、同図（Ｅ）に示すように、マスク３４を介して上側レジスト層３３（及び下側レジスト層３１）を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
【００７１】
次いで、必要に応じて加熱処理した後、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥することによって、同図（Ｆ）に示すように下側レジストパターン３１´、セパレータパターン３７´及び上側レジストパターン３３´からなるＴ字状の断面形状を有する２層レジストパターン３５が得られる。
【００７２】
その後、同図（Ｇ）に示すように、被パターニング膜３６をスパッタリング等で成膜する。
【００７３】
次いで、同図（Ｈ）に示すように、アセトン、ＮＭＰ等の有機溶剤によって２層レジストパターン３５を溶解し、被パターニング膜３６の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜３６´が得られる。
【００７４】
本実施形態のように、下側レジスト層３１及び上側レジスト層３３の間にセパレータ層３７を設けることにより、両レジスト層の界面でインターミキシングが生じないので良好な形状の２層レジストパターンを得ることができる。
【００７５】
また、下側レジストパターン３１´及び上側レジストパターン３３´が共に露光によって形成されるので、その断面形状を任意の形状に精度良く制御することができる。
【００７６】
さらに、下側レジスト層３１にＰＭＧＩを用いていないため、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くすることができ、このレジストパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【００７７】
図４は本発明の第４の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
【００７８】
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜４０上に第７のレジスト材料を塗布し、プリベークして下側レジスト層４１を形成する。
【００７９】
第７のレジスト材料としては、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００８０】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、マスク４２を介して下側レジスト層４１を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
【００８１】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、その上に炭素層若しくはＤＬＣ層、例えばポリアクリル酸、ポリビニルアセタール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンイミン若しくはポリエチレンオキシド等の水溶性樹脂層、例えばミリング変質層等の熱変質層、ニッケル、銅若しくは金等の金属膜、アルミナ若しくは酸化シリコン等の酸化膜、又は窒化アルミニウム等の窒化膜によるセパレータ層４７を形成する。
【００８２】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、そのセパレータ層４７の上に第８のレジスト材料を塗布し、プリベークして上側レジスト層４３を形成する。
【００８３】
第８のレジスト材料としては、第２のレジスト材料と同様に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００８４】
次いで、同図（Ｅ）に示すように、マスク４４を介して上側レジスト層４３（及び下側レジスト層４１）を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
【００８５】
次いで、必要に応じて加熱処理した後、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥すること、並びにアッシング、ミリング、ミリング及びアッシング、又は酸によるウエットエッチングを行うことによって、同図（Ｆ）に示すように、上側レジストパターン４３´及びセパレータパターン４７´を得る。
【００８６】
さらに、同図（Ｇ）に示すように、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥することによって下側レジストパターン４１´を得、これによって、下側レジストパターン４１´、セパレータパターン４７´及び上側レジストパターン４３´からなるＴ字状の断面形状を有する２層レジストパターン４５が得られる。セパレータ層４７が水溶性樹脂の場合には、同図（Ｆ）の現像時におけるアルカリ現像液での現像、水洗によりセパレータ層の一部が溶解するため、同図（Ｆ）の現像時に、同時に、セパレータパターン４７´の一部を溶解させ、第７のレジスト材料の現像も行うことによって、２層レジストパターン４５が得られる。
【００８７】
その後、同図（Ｈ）に示すように、被パターニング膜４６をスパッタリング等で成膜する。
【００８８】
次いで、同図（Ｉ）に示すように、アセトン、ＮＭＰ等の有機溶剤によって２層レジストパターン４５を溶解し、被パターニング膜４６の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜４６´が得られる。
【００８９】
本実施形態のように、下側レジスト層４１及び上側レジスト層４３の間にセパレータ層４７を設けることにより、両レジスト層の界面でインターミキシングが生じないので良好な形状の２層レジストパターンを得ることができる。
【００９０】
また、下側レジストパターン４１´及び上側レジストパターン４３´が共に露光によって形成されるので、その断面形状を任意の形状に精度良く制御することができる。
【００９１】
さらに、下側レジスト層４１にＰＭＧＩを用いていないため、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くすることができ、このレジストパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【００９２】
図５は本発明の第５の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
【００９３】
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜５０上に第９のレジスト材料を塗布し、プリベークして下側レジスト層５１を形成する。
【００９４】
第９のレジスト材料としては、第７のレジスト材料と同様に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００９５】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、その上に露光光に対して透明な例えばアルミナ若しくは酸化シリコン等の酸化膜によるセパレータ層５７を形成する。
【００９６】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、そのセパレータ層５７の上に第１０のレジスト材料を塗布し、プリベークして上側レジスト層５３を形成する。
【００９７】
第１０のレジスト材料としては、第２のレジスト材料と同様に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００９８】
ただし、第９のレジスト材料は第１０のレジスト材料より高感度のものを用いる。
【００９９】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、マスク５２を介して下側レジスト層５１を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。この場合、上側レジスト層５３は低感度のため反応せず、より高感度の下側レジスト層５１のみが感光する。
【０１００】
次いで、同図（Ｅ）に示すように、マスク５４を介して上側レジスト層５３及び下側レジスト層５１の両方を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
【０１０１】
次いで、必要に応じて加熱処理した後、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥すること、並びにミリング、又はミリング及びアッシングを行うことによって、同図（Ｆ）に示すように、上側レジストパターン５３´及びセパレータパターン５７´を得る。
【０１０２】
さらに、同図（Ｇ）に示すように、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥することによって下側レジストパターン５１´を得、これによって、下側レジストパターン５１´、セパレータパターン５７´及び上側レジストパターン５３´からなるＴ字状の断面形状を有する２層レジストパターン５５が得られる。
【０１０３】
その後、同図（Ｈ）に示すように、被パターニング膜５６をスパッタリング等で成膜する。
【０１０４】
次いで、同図（Ｉ）に示すように、アセトン、ＮＭＰ等の有機溶剤によって２層レジストパターン５５を溶解し、被パターニング膜５６の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜５６´が得られる。
【０１０５】
本実施形態のように、下側レジスト層５１及び上側レジスト層５３の間にセパレータ層５７を設けることにより、両レジスト層の界面でインターミキシングが生じないので良好な形状の２層レジストパターンを得ることができる。
【０１０６】
また、下側レジストパターン５１´及び上側レジストパターン５３´が共に露光によって形成されるので、その断面形状を任意の形状に精度良く制御することができる。
【０１０７】
さらに、下側レジスト層５１にＰＭＧＩを用いていないため、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くすることができ、このレジストパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【０１０８】
【実施例】
以下、実施例及び比較例により、本発明をより具体的に説明する。
【０１０９】
比較例
セパレータ層がなく、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０１１０】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０１１１】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
（ｃ）下側レジスト層として、ＮＱＤノボラックレジストであるクラリアントジャパン社のＡＺＰ４６２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１１３】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１１４】
（ｅ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１１５】
（ｆ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１１６】
（ｇ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０１１７】
この比較例では、この時点で下側レジスト層と上側レジスト層との界面でインターミキシングが発生し、良好な形状の２層レジストパターンが得られなかった。従って、以降の処理を中止した。プリベーク温度を１５０℃以上とすると、インターミキシングは生じなかったが、（ｄ）の露光時に下側レジスト層が感光せず、（ｇ）の現像時に下側レジスト層が現像されなかった。
【０１１８】
実施例１
セパレータ層がなく、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０１１９】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０１２０】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１２２】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１２３】
（ｅ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１２４】
（ｆ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１２５】
（ｇ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０１２６】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの２層レジストパターンが得られた。この場合、上側レジストパターンの下側レジストパターン側のパターンエッジ部分が若干崩れる傾向にあった。
【０１２７】
（ｈ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
（ｉ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
（ｊ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０１３０】
なお、図６はこの実施例の（ｇ）で形成した２層レジストパターンの一例を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したＳＥＭ写真であり、図７はこの２層レジストパターンに厚さ５．５μｍのアルミナをスパッタリングした状態を示すＳＥＭ写真であり、図８は２層レジストパターン及びその上のアルミナをリフトオフした状態を示すＳＥＭ写真である。
【０１３１】
実施例２
セパレータ層がなく、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０１３２】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０１３３】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１３５】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１３６】
（ｅ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１３７】
（ｆ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１３８】
（ｇ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０１３９】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの２層レジストパターンが得られた。この場合、上側レジストパターンの下側レジストパターン側のパターンエッジ部分が若干崩れる傾向にあった。
【０１４０】
（ｈ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
（ｉ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
（ｊ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０１４３】
実施例３
セパレータ層がなく、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
【０１４４】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０１４５】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
（ｃ）下側レジスト層として、ポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストである信越化学工業株式会社のＳＥＰＲ−ＩＸ０２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１４７】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１４８】
（ｅ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１４９】
（ｆ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１５０】
（ｇ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０１５１】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの２層レジストパターンが得られた。この場合、上側レジストパターンの下側レジストパターン側のパターンエッジ部分が若干崩れる傾向にあった。
【０１５２】
（ｈ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
（ｉ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
（ｊ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０１５５】
実施例４
セパレータ層としてアルカリ環境下における一体型ＮＱＤノボラックレジストのアゾ結合層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０１５６】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０１５７】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１５９】
（ｄ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を下側レジスト層の表面に塗布し、３分間放置後、水洗乾燥した。この処理により、下側レジスト層表面にアルカリ環境下における一体型ＮＱＤノボラックレジストのアゾ結合層を形成した。
【０１６０】
（ｅ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１６１】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１６２】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｅ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１６３】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０１６４】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０１６５】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０１６８】
実施例５
セパレータ層としてアルカリ環境下における疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストのアゾ結合層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０１６９】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０１７０】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１７２】
（ｄ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を下側レジスト層の表面に塗布し、３分間放置後、水洗乾燥した。この処理により、下側レジスト層表面にアルカリ環境下における疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストのアゾ結合層を形成した。
【０１７３】
（ｅ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１７４】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１７５】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｅ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１７６】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０１７７】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０１７８】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０１８１】
実施例６
セパレータ層として炭素層を用い、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０１８２】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０１８３】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
（ｃ）下側レジスト層として、ＮＱＤノボラックレジストであるクラリアントジャパン社のＡＺＰ４６２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１８５】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１８６】
（ｅ）炭素を蒸着して０．００２μｍの厚さの炭素によるセパレータ層を形成した、
蒸着装置：ＳＡＮＹＵ ＤＥＮＳＨＩ社製 ＳＣ−７０８Ｃ／ＤＣＳ。
【０１８７】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１８８】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０１８９】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０１９０】
（ｉ）アッシング処理により、炭素によるセパレータ層の一部を除去した、
【０１９１】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０１９２】
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０１９５】
実施例７
セパレータ層として炭素層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０１９６】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０１９７】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１９９】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２００】
（ｅ）炭素を蒸着して０．００２μｍの厚さの炭素によるセパレータ層を形成した、
蒸着装置：ＳＡＮＹＵ ＤＥＮＳＨＩ社製 ＳＣ−７０８Ｃ／ＤＣＳ。
【０２０１】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２０２】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２０３】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２０４】
（ｉ）アッシング処理により、炭素によるセパレータ層の一部を除去した、
【０２０５】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０２０６】
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０２０９】
実施例８
セパレータ層として炭素層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０２１０】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２１１】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２１３】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２１４】
（ｅ）炭素を蒸着して０．００２μｍの厚さの炭素によるセパレータ層を形成した、
蒸着装置：ＳＡＮＹＵ ＤＥＮＳＨＩ社製 ＳＣ−７０８Ｃ／ＤＣＳ。
【０２１５】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２１６】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２１７】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２１８】
（ｉ）アッシング処理により、炭素によるセパレータ層の一部を除去した、
【０２１９】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０２２０】
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０２２３】
実施例９
セパレータ層として炭素層を用い、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
【０２２４】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２２５】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
（ｃ）下側レジスト層として、ポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストである信越化学工業株式会社のＳＥＰＲ−ＩＸ０２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２２７】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２２８】
（ｅ）炭素を蒸着して０．００２μｍの厚さの炭素によるセパレータ層を形成した、
蒸着装置：ＳＡＮＹＵ ＤＥＮＳＨＩ社製 ＳＣ−７０８Ｃ／ＤＣＳ。
【０２２９】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２３０】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２３１】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２３２】
（ｉ）アッシング処理により、炭素によるセパレータ層の一部を除去した、
【０２３３】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０２３４】
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０２３７】
実施例１０
セパレータ層として水溶性樹脂層であるポリビニルアセタール層を用い、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０２３８】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２３９】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
（ｃ）下側レジスト層として、ＮＱＤノボラックレジストであるクラリアントジャパン社のＡＺＰ４６２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２４１】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２４２】
（ｅ）積水化学社のポリビニルアセタール樹脂エスレックＫＷ３の１％水溶液を０．３μｍの厚さにスピンコートし、８０℃で９０秒プリベークしてセパレータ層を形成した。
【０２４３】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２４４】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２４５】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２４６】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０２４７】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０２５０】
実施例１１
セパレータ層として水溶性樹脂層であるポリビニルアセタール層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０２５１】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２５２】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
【０２５３】
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２５４】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２５５】
（ｅ）積水化学社のポリビニルアセタール樹脂エスレックＫＷ３の１％水溶液を０．３μｍの厚さにスピンコートし、８０℃で９０秒プリベークしてセパレータ層を形成した。
【０２５６】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２５７】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２５８】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２５９】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０２６０】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０２６３】
実施例１２
セパレータ層として水溶性樹脂層であるポリビニルアセタール層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０２６４】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２６５】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２６７】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２６８】
（ｅ）積水化学社のポリビニルアセタール樹脂エスレックＫＷ３の１％水溶液を０．３μｍの厚さにスピンコートし、８０℃で９０秒プリベークしてセパレータ層を形成した。
【０２６９】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２７０】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２７１】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２７２】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０２７３】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０２７６】
実施例１３
セパレータ層として水溶性樹脂層であるポリビニルアセタール層を用い、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
【０２７７】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２７８】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
（ｃ）下側レジスト層として、ポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストである信越化学工業株式会社のＳＥＰＲ−ＩＸ０２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２８０】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２８１】
（ｅ）積水化学社のポリビニルアセタール樹脂エスレックＫＷ３の１％水溶液を０．３μｍの厚さにスピンコートし、８０℃で９０秒プリベークしてセパレータ層を形成した。
【０２８２】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２８３】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２８４】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２８５】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０２８６】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０２８９】
実施例１４
セパレータ層としてミリング変質層を用い、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０２９０】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２９１】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
（ｃ）下側レジスト層として、ＮＱＤノボラックレジストであるクラリアントジャパン社のＡＺＰ４６２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２９３】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２９４】
（ｅ）以下の条件でミリングを行い、下側レジスト層の表面にミリング変質層によるセパレータ層を形成した、
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２９６】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０２９７】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２９８】
（ｉ）アッシング処理により、ミリング変質層の一部を除去した、
【０２９９】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０３００】
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０３０３】
実施例１５
セパレータ層としてミリング変質層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０３０４】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０３０５】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３０７】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３０８】
（ｅ）以下の条件でミリングを行い、下側レジスト層の表面にミリング変質層によるセパレータ層を形成した、
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３１０】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３１１】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３１２】
（ｉ）アッシング処理により、ミリング変質層の一部を除去した、
【０３１３】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０３１４】
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０３１７】
実施例１６
セパレータ層としてミリング変質層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０３１８】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０３１９】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３２１】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３２２】
（ｅ）以下の条件でミリングを行い、下側レジスト層の表面にミリング変質層によるセパレータ層を形成した、
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３２４】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３２５】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３２６】
（ｉ）アッシング処理により、ミリング変質層の一部を除去した、
【０３２７】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０３２８】
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０３３１】
実施例１７
セパレータ層としてミリング変質層を用い、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
【０３３２】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０３３３】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
（ｃ）下側レジスト層として、ポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストである信越化学工業株式会社のＳＥＰＲ−ＩＸ０２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３３５】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３３６】
（ｅ）以下の条件でミリングを行い、下側レジスト層の表面にミリング変質層によるセパレータ層を形成した、
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３３８】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３３９】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３４０】
（ｉ）アッシング処理により、ミリング変質層の一部を除去した、
【０３４１】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０３４２】
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０３４５】
実施例１８
セパレータ層としてＮｉによる金属層を用い、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０３４６】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０３４７】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
（ｃ）下側レジスト層として、ＮＱＤノボラックレジストであるクラリアントジャパン社のＡＺＰ４６２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３４９】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３５０】
（ｅ）以下の条件でスパッタリングし、０．０５μｍの厚さのＮｉを下側レジスト層上に成膜した、
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３５２】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３５３】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３５４】
（ｉ）以下の条件でミリングを行い、Ｎｉによるセパレータ層をエッチングした、
（ｊ）アッシング処理により、ミリング変質層を除去した、
【０３５６】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０３５７】
（ｌ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
（ｍ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
（ｎ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０３６０】
実施例１９
セパレータ層としてＮｉによる金属層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０３６１】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０３６２】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３６４】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３６５】
（ｅ）以下の条件でスパッタリングし、０．０５μｍの厚さのＮｉを下側レジスト層上に成膜した、
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３６７】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３６８】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３６９】
（ｉ）以下の条件でミリングを行い、Ｎｉによるセパレータ層をエッチングした、
（ｊ）アッシング処理により、ミリング変質層を除去した、
【０３７１】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０３７２】
（ｌ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
（ｍ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
（ｎ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０３７５】
実施例２０
セパレータ層としてＮｉによる金属層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０３７６】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０３７７】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３７９】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３８０】
（ｅ）以下の条件でスパッタリングし、０．０５μｍの厚さのＮｉを下側レジスト層上に成膜した、
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３８２】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３８３】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３８４】
（ｉ）以下の条件でミリングを行い、Ｎｉによるセパレータ層をエッチングした、
（ｊ）アッシング処理により、ミリング変質層を除去した、
【０３８６】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０３８７】
（ｌ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
（ｍ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
（ｎ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０３９０】
実施例２１
セパレータ層としてＮｉによる金属層を用い、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
【０３９１】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０３９２】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
（ｃ）下側レジスト層として、ポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストである信越化学工業株式会社のＳＥＰＲ−ＩＸ０２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３９４】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３９５】
（ｅ）以下の条件でスパッタリングし、０．０５μｍの厚さのＮｉを下側レジスト層上に成膜した、
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３９７】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０３９８】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３９９】
（ｉ）以下の条件でミリングを行い、Ｎｉによるセパレータ層をエッチングした、
（ｊ）アッシング処理により、ミリング変質層を除去した、
【０４０１】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０４０２】
（ｌ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
（ｍ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
（ｎ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０４０５】
実施例１８〜２１の変更態様
セパレータ層として、Ｎｉの代わりに、同じ厚さのアルミナ又は窒化アルミニウムを用いた場合にも、これらの実施例１８〜２１と同様の結果が得られた。
【０４０６】
実施例２２
セパレータ層としてシリル化層を用い、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０４０７】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０４０８】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
（ｃ）下側レジスト層として、ＮＱＤノボラックレジストであるクラリアントジャパン社のＡＺＰ４６２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０４１０】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０４１１】
（ｅ）以上の処理を終えた基板と、東京応化社 ＯＡＰ（成分：ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ ｄｉｓｉｌａｚａｎ））の入った時計皿とを２３℃のステンレス製密閉容器に入れ、下側レジスト層の表面が気化したＨＭＤＳに触れるような状態で１時間保持し、下側レジスト層の表面にシリル化層を形成した、
シリル化剤としては、ＨＭＤＳの他に、ＴＭＤＳ（１，１，３，３−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）、ＤＭＳＤＭＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＤＭＳＤＥＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＥＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＭＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＤＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、又はＨＭＣＴＳ（１，１，３，３，５，５−Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｒｏｔｒｉｓｉｌａｚａｎｅ）等を用いても良い。また、保持温度を１５〜１３０℃としても良い。さらに、保持圧力を加圧又は減圧しても良い。
【０４１２】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０４１３】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０４１４】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０４１５】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０４１６】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０４１９】
実施例２３
セパレータ層としてシリル化層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０４２０】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０４２１】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０４２３】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０４２４】
（ｅ）以上の処理を終えた基板と、東京応化社 ＯＡＰ（成分：ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ ｄｉｓｉｌａｚａｎ））の入った時計皿とを２３℃のステンレス製密閉容器に入れ、下側レジスト層の表面が気化したＨＭＤＳに触れるような状態で１時間保持し、下側レジスト層の表面にシリル化層を形成した、
シリル化剤としては、ＨＭＤＳの他に、ＴＭＤＳ（１，１，３，３−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）、ＤＭＳＤＭＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＤＭＳＤＥＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＥＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＭＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＤＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、又はＨＭＣＴＳ（１，１，３，３，５，５−Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｒｏｔｒｉｓｉｌａｚａｎｅ）等を用いても良い。また、保持温度を１５〜１３０℃としても良い。さらに、保持圧力を加圧又は減圧しても良い。
【０４２５】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０４２６】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０４２７】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０４２８】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０４２９】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０４３２】
実施例２４
セパレータ層としてシリル化層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０４３３】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０４３４】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０４３６】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０４３７】
（ｅ）以上の処理を終えた基板と、東京応化社 ＯＡＰ（成分：ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ ｄｉｓｉｌａｚａｎ））の入った時計皿とを２３℃のステンレス製密閉容器に入れ、下側レジスト層の表面が気化したＨＭＤＳに触れるような状態で１時間保持し、下側レジスト層の表面にシリル化層を形成した、
シリル化剤としては、ＨＭＤＳの他に、ＴＭＤＳ（１，１，３，３−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）、ＤＭＳＤＭＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＤＭＳＤＥＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＥＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＭＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＤＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、又はＨＭＣＴＳ（１，１，３，３，５，５−Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｒｏｔｒｉｓｉｌａｚａｎｅ）等を用いても良い。また、保持温度を１５〜１３０℃としても良い。さらに、保持圧力を加圧又は減圧しても良い。
【０４３８】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０４３９】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０４４０】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０４４１】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０４４２】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０４４５】
実施例２５
セパレータ層としてシリル化層を用い、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
【０４４６】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０４４７】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
（ｃ）下側レジスト層として、ポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストである信越化学工業株式会社のＳＥＰＲ−ＩＸ０２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０４４９】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０４５０】
（ｅ）以上の処理を終えた基板と、東京応化社 ＯＡＰ（成分：ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ ｄｉｓｉｌａｚａｎ））の入った時計皿とを２３℃のステンレス製密閉容器に入れ、下側レジスト層の表面が気化したＨＭＤＳに触れるような状態で１時間保持し、下側レジスト層の表面にシリル化層を形成した、
シリル化剤としては、ＨＭＤＳの他に、ＴＭＤＳ（１，１，３，３−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）、ＤＭＳＤＭＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＤＭＳＤＥＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＥＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＭＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＤＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、又はＨＭＣＴＳ（１，１，３，３，５，５−Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｒｏｔｒｉｓｉｌａｚａｎｅ）等を用いても良い。また、保持温度を１５〜１３０℃としても良い。さらに、保持圧力を加圧又は減圧しても良い。
【０４５１】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０４５２】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
【０４５３】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０４５４】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０４５５】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０４５８】
以上述べた実施形態及び実施例は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【０４５９】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本発明によれば、下側レジストパターンと上側レジストパターンとを含むレジストパターンの形成方法は、下側レジストパターンを、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料によって形成するしている。下側レジストパターンにこのような材料を用いることにより、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くできると共に、この材料が耐溶剤性を有することから上側レジストパターンとの界面でインターミキシングが生じないので良好な形状のレジストパターンを得ることができる。従って、比較的厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。
【図２】本発明の第２の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。
【図３】本発明の第３の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。
【図４】本発明の第４の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。
【図５】本発明の第５の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。
【図６】本発明の実施例で形成した２層レジストパターンの一例のＳＥＭ写真である。
【図７】図６の２層レジストパターンにアルミナをスパッタリングした状態を示すＳＥＭ写真である。
【図８】図７の２層レジストパターン及びその上のアルミナをリフトオフした状態を示すＳＥＭ写真である。
【符号の説明】
１０、２０、３０、４０、５０ 基板
１１、２１、３１、４１、５１ 下側レジスト層
１１´、２１´、３１´、４１´、５１´ 下側レジストパターン
１２、１４、２２、２４、３２、３４、４２、４４、５２、５４ マスク
１３、２３、３３、４３、５３ 上側レジスト層
１３´、２３´、３３´、４３´、５３´ 上側レジストパターン
１５、２５、３５、４５、５５ ２層レジストパターン
１６、２６、３６、４６、５６ 被パターニング膜
１６´、２６´、３６´、４６´、５６´ パターニングされた薄膜
３７、４７、５７ セパレータ層
３７´、４７´、５７´ セパレータパターン
Claims (5)
- 下側レジストパターンと上側レジストパターンとを含むレジストパターンの形成方法であって、基板上に、一体型ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料、疎水性一体型ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料からなる下側レジスト層を積層した後、該下側レジスト層を所定のパターンに露光し、該露光した下側レジスト層上に上側レジスト層を積層した後、該上側レジスト層を所定のパターンに露光し、次いで現像することにより、該下側レジストパターン及び該上側レジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
- 下側レジストパターンと上側レジストパターンとを含むレジストパターンの形成方法であって、基板上に、一体型ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料、疎水性一体型ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料からなる下側レジスト層及び該下側レジスト層より感度の低い上側レジスト層を積層した後、該下側レジスト層及び該上側レジスト層を互いに異なる所定のパターンで２段露光し、次いで現像することにより、該下側レジストパターン及び該上側レジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
- 前記上側レジストパターンを、ポジ型レジスト材料、ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料、一体型ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料、疎水性一体型ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料によって形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
- 請求項１から３のいずれか１項に記載の方法により形成した、レジストパターンを用いて被パターニング膜のパターニングを行った後、該レジストパターンを除去することを特徴とする薄膜のパターニング方法。
- 請求項４に記載のパターニング方法により、薄膜パターンを形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP2001327745A JP3879478B2 (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | レジストパターンの形成方法、該レジストパターンを用いたパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001327745A JP3879478B2 (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | レジストパターンの形成方法、該レジストパターンを用いたパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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| JP2006108664A Division JP4052336B2 (ja) | 2006-04-11 | 2006-04-11 | レジストパターン及び該レジストパターンの形成方法 |
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