JP3879452B2 - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、リードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置において、半導体素子を搭載したダイパッド部が封止樹脂の外部に露出したタイプの樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関し、特にパッケージ占有率が大きい半導体素子を搭載することができ、しかも薄厚化を実現し、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化に対応するために、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体装置が要望されている。
【0003】
以下、従来のダイパッド部露出型の樹脂封止型半導体装置について説明する。図8は従来の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図8(a)は平面図、図8(b)は底面図、図8(c)は図8(b)のA−A1箇所の断面図である。
【0004】
図8に示すように従来の樹脂封止型半導体装置は、リードフレームのダイパッド部101面上の支持部101a上に半導体素子102が搭載され、その半導体素子102とインナーリード部103とが金属細線104により電気的に接続されている構造である。そしてダイパッド部101上の半導体素子102、インナーリード部103の外囲は封止樹脂105により封止されており、封止樹脂105の側面とインナーリード部103の外方側面部(末端部)とは同一面に配置されているものであり、ダイパッド部101の底面が封止樹脂105から露出しているダイパッド部露出型の樹脂封止型半導体装置である。またダイパッド部101はその面内に上方に突出した支持部101aを有しているが、支持部101aはダイパッド部101を板材部分を半切断状態で上方にプレス加工を施して突出されたものであり、搭載する半導体素子の底面をインナーリード部103の上面面よりも上方に配置するためのアップセット構造である。また半導体素子102と接続した金属細線104はインナーリード部103の溝部103aの近傍に接続されているものである。なお図8(b)の底面図において、パッケージを構成している封止樹脂105の各角部に露出した部位は、ダイパッド部101を支持している吊りリード部106の末端部が露出しているものである。
【0005】
次に従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。
【0006】
図9は従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレームを示す図であり、図9(a)は平面図、図9(b)は図9(a)のB−B1箇所の断面図である。また図10は図9に示したリードフレームを用いた従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す工程ごとの断面図である。
【0007】
まず従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレームについて説明する。
【0008】
図9に示すように、従来のリードフレームは、金属板よりなる板材のフレーム枠内に設けられた半導体素子搭載用の支持部101aをその面内に有したダイパッド部101と、ダイパッド部101をその先端部で支持し、末端部がフレーム枠に接続した吊りリード部106と、先端部がダイパッド部101の各辺に対向して配列され、末端部がフレーム枠に接続した複数のインナーリード部103とよりなるリードフレームである。そして各インナーリードの上面には複数の溝部103aが形成されているものであり、先端部はテーパー構造を有している。また従来のリードレフームの板厚は概ね200〜300[μm]である。なお、リードフレームとしては、図9に示すような構成が複数個、左右、上下に連続して1フレーム枠内に形成されたものである。
【0009】
次にリードフレームを用いた従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。
【0010】
まず図10(a)に示すように、前述の図9に示したような金属板のフレーム枠内に半導体素子が載置される支持部101aをその上面に有した矩形状のダイパッド部101と、ダイパッド部101を支持する吊りリード部と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的接続するビーム状のインナーリード部103とを有したリードフレームを用意する。
【0011】
次に図10(b)に示すように、リードフレームのダイパッド部101の支持部101a上に半導体素子102を銀ペースト等の接着剤により接合する(ダイボンド工程)。
【0012】
次に図10(c)に示すように、ダイパッド部101上に搭載した半導体素子102の表面の電極パッド(図示せず)と、リードフレームのインナーリード部103の先端部上面とを金属細線104により接続する(ワイヤーボンド工程)。ここではインナーリード部103の上面に設けた溝部103aと溝部103aとの間に金属細線104を接続する。
【0013】
その後、図10(d)に示すように、封止シートをリードフレームの底面側に密着させた状態でダイパッド部101、半導体素子102、インナーリード部103の外囲を封止樹脂105により封止する。この工程ではリードフレームの各半導体素子単位で個別封止するものであり、リードフレーム上面を全面封止するものではない。またこの工程ではリードフレームの底面に封止シートを密着させて封止しているので、ダイパッド部101の底面を除く領域、吊りリード部、半導体素子102、インナーリード部103の底面を除く領域、および金属細線104の接続領域を封止するものであり、封止後は封止樹脂105の底面からダイパッド部101の底面が露出した構成となる。そして樹脂封止後はフレーム枠と接続した吊りリード部、インナーリード部103の末端部分を切断し、吊りリード部、インナーリード部103の各末端部(外方側面)が封止樹脂105の側面と略同一面に配列した樹脂封止型半導体装置を得るものである。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来の樹脂封止型半導体装置では、ダイパッド部は半切断プレスで上方に配置した支持部を備えた構造であるため、半導体素子をダイパッド部の支持部に搭載した際、支持部のアップセット量の厚み分だけ樹脂封止型半導体装置として全体厚が大きくなってしまい、要望される薄厚化に限界があるという問題があった。特に大きな半導体素子を搭載した際には、厚みによる影響が顕著にあらわれ、大型の半導体素子を搭載して薄厚化を実現するには構造上、無理があった。
【0015】
さらにインナーリード部は実質的に片面封止構造であり、外方からの衝撃や、封止樹脂内部での応力により、インナーリード部上に接続した金属細線部分にストレスが印加され、近接の破断、接続強度などの信頼性が懸念されていた。従来の樹脂封止型半導体装置のリード構造では、インナーリード部の上面に複数の溝部を設け、溝部間に金属細線を接続することで印加ストレスを吸収、緩和していたが、複数の溝部をインナーリード部に設け、さらに金属細線を接続するボンディングエリアを確保することは、小型パッケージを構成するリード部の面積的には限界であり、片面封止構造の樹脂封止型半導体装置において、リード部の小型化とともに、金属細線の接続信頼性を向上させる必要が高まっている。
【0016】
また従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、特に樹脂封止の工程では、リードフレーム領域内で各半導体素子単位で個別封止するものであり、リードフレーム上面を全面封止するものではないため、封止後のリードフレームから樹脂封止型半導体装置を分離するには、各リードフレームごとに金型による切断を行う必要があり、製造効率の向上には限界があった。
【0017】
本発明は前記した従来の課題を解決するものであり、樹脂封止型半導体装置自体の厚さの増加を抑えつつ、より大きな半導体素子を搭載してパッケージ占有率を向上させ、CSP(Chip Size Package)化を実現できる樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】
前記従来の課題を解決するために、本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記ダイパッド部を支持した複数の吊りリード部と、前記ダイパッド部上に搭載された半導体素子と、先端部が前記ダイパッド部に対向して配列された複数のリード部と、前記半導体素子の電極と前記リード部の上面とを接続した金属細線と、前記ダイパッド部の底面を除く領域、吊りリード部、前記半導体素子、前記リード部の底面と外方側面部を除く領域、および金属細線の接続領域を封止した封止樹脂とよりなり、前記リード部の外方側面部は前記封止樹脂の側面と略同一面に配列された樹脂封止型半導体装置であって、前記リード部の前記ダイパッド部に対向した先端部は、その上面の厚みが削除された薄厚部を有している樹脂封止型半導体装置である。
【0019】
そして具体的には、リード部のダイパッド部に対向した先端部は、その上面の厚みが前記リード部厚の概ね半分の厚みで削除された薄厚部を有している樹脂封止型半導体装置である。
【0020】
また、リード部のダイパッド部に対向した先端部は、その上面の厚みが前記リード部厚の概ね半分の厚みで削除され、緩やかな傾斜をなした薄厚部を有している樹脂封止型半導体装置である。
【0021】
また、ダイパッド部上に搭載された半導体素子の周縁部は、リード部の先端部上面の薄厚部に近接している樹脂封止型半導体装置である。
【0022】
また、リード部の上面には溝部が設けられている樹脂封止型半導体装置である。
【0023】
また、半導体素子の電極とリード部の上面とを接続した金属細線のうち、前記リード部に接続された部分は、前記リード部の上面の溝部の近傍に接続されている樹脂封止型半導体装置である。
【0024】
また、ダイパッド部の底面には溝部が設けられている樹脂封止型半導体装置である。
【0025】
また、半導体素子の電極とリード部の上面とを接続した金属細線のうち、前記リード部に接続された部分は、前記リード部の薄厚部から離れて接続されている樹脂封止型半導体装置である。
【0026】
また、ダイパッド部の上面とリード部の薄厚部以外の上面とは同一面に配置されている樹脂封止型半導体装置である。
【0027】
また、外形は直方体である樹脂封止型半導体装置である。
【0028】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、板材よりなるフレーム枠内に設けられた半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記ダイパッド部をその先端部で支持し、末端部が前記フレーム枠に接続した吊りリード部と、先端部が前記ダイパッド部に対向して配列され、末端部が前記フレーム枠に接続した複数のリード部とよりなるリードフレームであって、前記リード部の前記ダイパッド部に対向した先端部上面の厚みが薄くなった薄厚部を有したリードフレームを用意する工程と、用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子をその主面を上にして搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の電極と、前記リードフレームの前記リード部の上面の薄厚部以外の面とを金属細線により接続する工程と、前記リードフレームの上面側を封止樹脂により樹脂封止し、前記ダイパッド部の底面を除く領域、吊りリード部、前記半導体素子、前記リード部の底面を除く領域、および金属細線の接続領域を封止する工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【0029】
具体的には、樹脂封止の工程の後、吊りリード部、リード部の末端部分を切断し、前記吊りリード部、前記リード部の各末端部を封止樹脂の側面と略同一面に配列する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【0030】
また、用意したリードフレームのダイパッド部上に半導体素子をその主面を上にして搭載する工程では、前記リードフレームのリード部の先端部上面の薄厚部にその周縁部が近接するような大きさの半導体素子を搭載する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【0031】
また本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、板材よりなるフレーム枠内に設けられた複数のリードユニットで構成されたリードフレームであって、半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記ダイパッド部をその先端部で支持し、末端部が前記フレーム枠に接続した吊りリード部と、先端部が前記ダイパッド部に対向して配列され、末端部が前記フレーム枠に接続した複数のリード部であって、前記リード部の前記ダイパッド部に対向した先端部上面の厚みが薄くなった薄厚部を有したリード部とよりなるリードユニットを1ユニットとして、前記ユニットを複数ユニット有し、各リードユニット間のフレーム枠の板材厚は薄厚となっているリードフレームを用意する工程と、用意したリードフレームの各リードユニットの各ダイパッド部上に半導体素子をその主面を上にして搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の電極と、前記リードフレームの各リードユニットのリード部の上面の薄厚部以外の面とを金属細線により接続する工程と、前記リードフレームの各ユニット全域の上面側を封止樹脂により樹脂封止し、前記ダイパッド部の底面を除く領域、吊りリード部、前記半導体素子、前記リード部の底面を除く領域、および金属細線の接続領域を封止する工程と、前記リードフレームの板材が薄厚となっている各ユニット間を切断することにより、吊りリード部、リード部の末端部分が切断され、前記吊りリード部、前記リード部の各末端部を封止樹脂の側面と略同一面に配列した外形が直方体の樹脂封止型半導体装置の個片を得る工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【0032】
具体的には、用意したリードフレームの各リードユニットの各ダイパッド部上に半導体素子をその主面を上にして搭載する工程では、前記リードフレームのリード部の先端部上面の薄厚部にその周縁部が近接するような大きさの半導体素子を搭載する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【0033】
前記構成の通り、本発明の樹脂封止型半導体装置は、リード部のダイパッド部に対向した先端部は、その上面の厚みが薄くなった薄厚部を有しているので、ダイパッド部上面とリード部の上面とを同一面としても、ダイパッド部上に搭載した半導体素子の周縁部をそのリード部の先端部上面の薄厚部に近接させることができ、リード部と半導体素子との接触を避けつつ、大型の半導体素子を搭載して、CSP化を実現できるものである。そしてリード部の先端部が薄厚部を有しているので、ダイパッド部に上方にあげた支持部を設けてアップセットする必要はなく、樹脂封止型半導体装置としてチップ占有率を高めて薄厚化を実現できるものである。本発明の樹脂封止型半導体装置ではパッケージ(封止樹脂)に対するチップ占有率を70[%]以上に高めてCSP化を実現できるものである。
【0034】
また、リード部のダイパッド部に対向した先端部は、緩やかな傾斜をなしてリード厚の概ね半分の厚みで薄くなった薄厚部を有しているので、リード部に印加される外部または封止樹脂内からの応力による金属細線の接続部分に対する影響を低減し、接続の信頼性を高めることができる。
【0035】
また本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法では、リード部のダイパッド部に対向した先端部上面の厚みが薄くなった薄厚部を有したリードフレームを用いるため、リード部の先端部上面の薄厚部にその周縁部が近接するような大きさの半導体素子を搭載することができ、樹脂封止型半導体装置としてチップ占有率を高めてCSP化を図り、薄厚化を実現できる製造方法である。
【0036】
また、リードフレームとして、1枚の板材のフレーム枠内に複数のリードユニットを有し、各リードユニット間のフレーム枠の板材厚は薄厚となっているリードフレームを用いているので、リードフレームの各ユニット全域の上面側を封止樹脂により樹脂封止でき、リードフレームの板材が薄厚となっている各ユニット間を切断することにより、吊りリード部、リード部の末端部分が切断され、吊りリード部、リード部の各末端部を封止樹脂の側面と略同一面に配列した外形が直方体の樹脂封止型半導体装置を得ることができ、製造効率を高めることができる。
【0037】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の樹脂封止型半導体装置およびその製造方法の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
【0038】
図1は本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図1(a)は平面図、図1(b)は底面図、図1(c)は図1(b)のC−C1箇所の断面図である。
【0039】
図1に示すように、本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、リードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置において、パッケージ面積に対するチップ面積占有率を大きくしてCSP化を実現することに主眼をおいたものであり、半導体素子搭載用のダイパッド部1と、そのダイパッド部1を各角部で支持した複数の吊りリード部2と、ダイパッド部1上に接着剤により搭載された半導体素子3と、先端部がダイパッド部1の各辺にそれぞれ対向して配列され、上面に溝部4aが設けられた複数のインナーリード部4と、半導体素子3の電極とインナーリード部4の上面に設けたボンディングエリアとを接続した金属細線5と、ダイパッド部1の底面を除く領域、吊りリード部2、半導体素子3、インナーリード部4の底面と外方側面部を除く領域、および金属細線5の接続領域を封止した封止樹脂6とよりなり、インナーリード部4の外方側面部は封止樹脂6の側面と略同一面に配列された樹脂封止型半導体装置である。そしてインナーリード部4のダイパッド部1に対向した先端部上面は、その厚みが薄くなった薄厚部7を有しているものであり、ダイパッド部1の上面とインナーリード部4の薄厚部7以外の上面とは同一面に配置されているものである。
【0040】
詳細には、インナーリード部4のダイパッド部1に対向した先端部は、緩やかな曲面の傾斜部分7aを構成して、インナーリード部4の厚みの概ね半分の厚みで上面部が薄くなった薄厚部7を有しているものであり、実際にはリード部分に対してハーフエッチングにより薄厚部7が形成されたものである。またインナーリード部4の上面には2つの溝部4aが設けられ、半導体素子3の電極とインナーリード部4の上面とを接続した金属細線5のうち、インナーリード部4上面に接続された部分は、インナーリード部4の上面の溝部4aの近傍側でインナーリード部4の薄厚部7から離れて接続されており、たとえインナーリード部4に応力が印加されたとしても、溝部4aでリード変形し、さらに薄厚部7が傾斜部分7aをなしているので、効果的に応力を吸収し、接続部分の信頼性を高めることができる構造を有しているものである。すなわち、インナーリード部4に伝搬する応力を薄厚部7の傾斜部分7aで徐々に受け、溝部4aでリード変形により吸収できるので、インナーリード部4に対しては複数の溝部4aを設ける必要はなく、ボンディングエリアを確保して小型のリード構造と信頼性とを実現できるものである。なお、本実施形態では、薄厚部7の構成は緩やかな曲面による傾斜部分7aを有して上面部分のリード部材厚が削除されたものであるが、薄厚部7の構成として曲面による傾斜部分7aの他、直線状の傾斜部分としてもよい。また金属細線5を接続する箇所を薄厚部7から離す場合には、薄厚部7に傾斜部分を設けず、段差状に薄厚部を形成してもよい。また溝部4aを設ける箇所はインナーリード部4の薄厚部7以外の箇所でよいが、インナーリード部4の長さ、薄厚部7の長さによっては、薄厚部7上に設けてもリードに印加される応力を吸収できるものである。
【0041】
また本実施形態の樹脂封止型半導体装置では、ダイパッド部1の底面には溝部1aが設けられており、樹脂封止の際の樹脂バリ発生を防止できるものである。したがって封止樹脂6から露出したダイパッド部1の底面には封止樹脂6の回り込みがなく、確実に露出しているものである。
【0042】
そして本実施形態の樹脂封止型半導体装置では、ダイパッド部1上に搭載された半導体素子3の周縁部は、インナーリード部4の先端部上面の薄厚部7に近接している構造であり、従来に比較して大きな面積の半導体素子が搭載されており、パッケージ(封止樹脂6)内の半導体素子3の占有率を70[%]以上、具体的には80[%]にまで高めて、CSP化を実現できるものである。すなわち、インナーリード部4のダイパッド部1に対向した先端部上面は、その厚みが薄く構成され、先端部は薄厚部7を有しているので、ダイパッド部1上に搭載した半導体素子3の周縁部をそのインナーリード部4の先端部上面の薄厚部7に近接させることができ、インナーリード部4と半導体素子3との接触を避けつつ、大型の半導体素子を搭載して、CSP化を実現できるものである。しかもインナーリード部4の先端部上面が薄厚部7を有しているので、ダイパッド部1に上方にあげた支持部を設けてアップセットする必要はなく、樹脂封止型半導体装置としてチップ占有率を高めて薄厚化を実現できるものである。本実施形態では、200[μm]厚の半導体素子を用い、全体厚として0.5[mm]厚の樹脂封止型半導体装置を実現している。なお、本実施形態ではインナーリード部4の先端部を半導体素子3の周縁部に近接させているが、インナーリード部4の先端部の薄厚部7を搭載した半導体素子3の下面に延在するように設計してもよいし、インナーリード部4の先端部の薄厚部7に覆い被さるような大型の半導体素子を搭載してもよい。
【0043】
次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。
【0044】
図2,図3は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す図であり、図2は樹脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレームを示す図であり、図2(a)は平面図、図2(b)は図2(a)のD−D1箇所の断面図である。図3は製造方法の主要な工程を示す断面図である。
【0045】
まず本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレームについて説明する。
【0046】
図2に示すように、本実施形態のリードフレームは、銅材または42−アロイ等の通常のリードフレームに用いられている金属板よりなるフレーム枠8内に設けられた半導体素子搭載用のダイパッド部1と、ダイパッド部1の各角部をその先端部で支持し、末端部がフレーム枠8に接続した吊りリード部2と、先端部がダイパッド部1に対向して配列され、末端部がフレーム枠8に接続した複数のインナーリード部4とよりなるリードフレームであって、インナーリード部4のダイパッド部1に対向した先端部上面の厚みが、ハーフエッチング加工により概ね半分の厚みに薄くなった薄厚部7を有したリードフレームである。そして先端部の上面部は、緩やかな傾斜部分7aを構成して、インナーリード部4の厚みの概ね半分の厚みで薄くなった薄厚部7である。またインナーリード部4の上面には2つの溝部4aが設けられ、また図中の破線で示した構成のように、ダイパッド部1の底面には溝部1aが円形環状に設けられているものである。また本実施形態のリードフレームの板厚は200〜300[μm]の範囲で、250[μm]のものを用いている。
【0047】
以下、前述のリードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造する工程について説明する。
【0048】
まず図3(a)に示すように、銅材または42−アロイ等の通常のリードフレームに用いられている金属板よりなるフレーム枠内に設けられた半導体素子搭載用のダイパッド部1と、ダイパッド部1の各角部をその先端部で支持し、末端部がフレーム枠に接続した吊りリード部と、先端部がダイパッド部1に対向して配列され、末端部がフレーム枠に接続した複数のインナーリード部4とよりなるリードフレームであって、インナーリード部4のダイパッド部1に対向した先端部上面の厚みが薄くなった薄厚部7を有したリードフレームを用意する。
【0049】
次に図3(b)に示すように、用意したリードフレームのダイパッド部1上に接着剤(図示せず)を介して半導体素子3をその主面を上にして搭載する。この時、本実施形態では、用いるリードフレームの各インナーリード部4の先端部の上面は、その厚みが薄くなった薄厚部7を有しているので、インナーリード部4の先端部近傍、または薄厚部7上までオーバーラップするような大きな面積の半導体素子3を搭載しても、インナーリード部4と半導体素子3との接触を避けて搭載できるものである。
【0050】
次に図3(c)に示すように、ダイパッド部1上に搭載した半導体素子3の電極と、インナーリード部4の上面の薄厚部以外の面の例えば溝部4aと溝4aとの間とを金属細線5により電気的に接続する。ここでは半導体素子3の電極とインナーリード部4の上面とを接続した金属細線5のうち、インナーリード部4上面に接続された部分は、インナーリード部4の上面の溝部4aの近傍側でインナーリード部4の薄厚部7から離して接続するものであり、応力対策として薄厚部7上には接続しないものである。
【0051】
そして図3(d)に示すように、リードフレームの上面側を封止樹脂6により樹脂封止し、ダイパッド部1の底面を除く領域、吊りリード部、半導体素子3、インナーリード部4の底面を除く領域、および金属細線5の接続領域を封止する。そして樹脂封止の工程の後、吊りリード部、インナーリード部4の末端部分を切断し、吊りリード部、インナーリード部4の各末端部を封止樹脂6の側面と略同一面に配列することにより、樹脂封止型半導体装置を実現できる。この樹脂封止の工程では、リードフレームの底面側に封止シートを密着させて樹脂封止するものであり、これにより片面封止が可能となり、ダイパッド部1等、封止樹脂6から露出させたい部位を確実に露出させることができるものである。
【0052】
本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法により、インナーリード部4のダイパッド部1に対向した先端部上面の厚みが薄くなった薄厚部7を有したリードフレームを用いるため、インナーリード部4の先端部上面の薄厚部7にその周縁部が近接するような大きな面積の半導体素子3を搭載することができ、樹脂封止型半導体装置としてチップ占有率を高めてCSP化を図り、またダイパッド部1はアップセット処理する必要がないため、樹脂封止型半導体装置として極めて薄厚化を図ることができる製造方法である。
【0053】
次に本発明の樹脂封止型半導体装置の別の実施形態について図面を参照しながら説明する。図4は本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図4(a)は平面図、図4(b)は底面図、図4(c)は図4(b)のE−E1箇所の断面図である。
【0054】
図4に示すように、本実施形態の樹脂封止型半導体装置は基本構造としては前述の図に示した構造と同様であり、半導体素子搭載用のダイパッド部1と、そのダイパッド部1を各角部で支持した複数の吊りリード部2と、ダイパッド部1上に接着剤により搭載された半導体素子3と、先端部がダイパッド部1の各辺にそれぞれ対向して配列され、上面に溝部4aが設けられた複数のインナーリード部4と、半導体素子3の電極とインナーリード部4の上面に設けたボンディングエリアとを接続した金属細線5と、ダイパッド部1の底面を除く領域、吊りリード部2、半導体素子3、インナーリード部4の底面と外方側面部を除く領域、および金属細線5の接続領域を封止した封止樹脂6とよりなり、インナーリード部4の外方側面部は封止樹脂6の側面と略同一面に配列された樹脂封止型半導体装置である。そしてインナーリード部4のダイパッド部1に対向した先端部上面は、その厚みが薄くなった薄厚部7を有し、かつ先端部の上面部は、緩やかな傾斜部分7aを構成して、インナーリード部4の厚みの概ね半分の厚みで薄くなった薄厚部7を有しているものである。
【0055】
本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、図1に示した形態とは異なり、外形が直方体状をなし、またインナーリード部4の外方側面は封止樹脂6の側面と同一面に配置されているが、その外方側面のインナーリード部4の下面はその厚みが薄くなった薄厚部9を有しているものである。したがって本実施形態の樹脂封止型半導体装置は図4(b)に示すように、インナーリード部4の外方側面の下面は封止樹脂6内に封止されているので、封止樹脂6(パッケージ)の周縁部にはインナーリード部4の底面が露出しない構造となっている。
【0056】
次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。
【0057】
図5,図6および図7は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す図であり、図5は樹脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレームを示す図であり、図5(a)は平面図、図5(b)は図5(a)のF−F1箇所の断面図である。図6,図7は製造方法の主要な工程を示す断面図である。
【0058】
まず本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレームについて説明する。
【0059】
図5に示すように、本実施形態で用いるリードフレームは、前述と同様な金属板材よりなるフレーム枠10内に設けられた複数のリードユニット11で構成されたリードフレームであって、半導体素子搭載用のダイパッド部1と、そのダイパッド部1をその先端部で支持し、末端部がフレーム枠10に接続した吊りリード部2と、先端部がダイパッド部1に対向して配列され、末端部がフレーム枠10に接続した複数のインナーリード部4であって、そのインナーリード部4のダイパッド部1に対向した先端部上面の厚みが薄くなった薄厚部7を有したインナーリード部4とよりなるリードユニット11を1ユニットとして、そのユニットを複数ユニット有し、各リードユニット11間のフレーム枠10の板材厚は薄厚部9となっているリードフレームである。図5(a)中、便宜上、ハッチングを付した部分が各リードユニット11間の薄厚部9である。すなわち本実施形態で用いるリードフレームはその上面を一括で全域封止するための大型のリードフレーム基板である。また同様に各インナーリード部4の上面には溝部4aが設けられ、ダイパッド部1の底面には破線で示した溝部1aが設けられているものである。
【0060】
以下、前述のリードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造する工程について説明する。
【0061】
まず図6(a)に示すように、前述の図5で示したように、リードユニットとして、半導体素子搭載用のダイパッド部1と、ダイパッド部1の各角部をその先端部で支持し、末端部がフレーム枠に接続した吊りリード部と、先端部がダイパッド部1に対向して配列され、末端部がフレーム枠に接続した複数のインナーリード部4とを有し、複数ユニットよりなるリードフレームであって、インナーリード部4のダイパッド部1に対向した先端部上面の厚みが薄くなった薄厚部7を有したリードフレームを用意する。
【0062】
次に図6(b)に示すように、用意したリードフレームのリードユニットの各ダイパッド部1上に接着剤(図示せず)を介して半導体素子3をその主面を上にして搭載する。この時、本実施形態では、用いるリードフレームの各インナーリード部4の先端部の上面は、その厚みが薄くなった薄厚部7を有しているので、インナーリード部4の先端部近傍、または薄厚部7上までオーバーラップするような大きな面積の半導体素子3を搭載しても、インナーリード部4と半導体素子3との接触を避けて搭載できるものである。
【0063】
次に図6(c)に示すように、リードユニットごとの各ダイパッド部1上に搭載した半導体素子3の電極と、インナーリード部4の上面の薄厚部以外の面の例えば溝部4aと溝4aとの間とを金属細線5により電気的に接続する。ここでは半導体素子3の電極とインナーリード部4の上面とを接続した金属細線5のうち、インナーリード部4上面に接続された部分は、インナーリード部4の上面の溝部4aの近傍側でインナーリード部4の薄厚部7から離して接続するものであり、応力対策として薄厚部7上には接続しないものである。
【0064】
次に図6(d)に示すように、リードフレームの各リードユニットの上面側全域を封止樹脂6により一括で樹脂封止し、ダイパッド部1の底面を除く領域、吊りリード部、半導体素子3、インナーリード部4の底面を除く領域、および金属細線5の接続領域を封止する。この樹脂封止の工程では、リードフレームの底面側に封止シートを密着させて樹脂封止するものであり、これにより片面封止が可能となり、ダイパッド部1等、封止樹脂6から露出させたい部位を確実に露出させることができるものである。
【0065】
そして図6(e)に示すように、各半導体素子3ごとであって、リードフレームの板材が薄厚となっている各ユニット間の薄厚部9をダイシングブレード12により切断することで、吊りリード部、インナーリード部4の末端部分を切断し、吊りリード部、インナーリード部4の各末端部を封止樹脂6の側面と略同一面に配列した外形が直方体の樹脂封止型半導体装置の個片を得る。
【0066】
図7にはリードフレームから切断分離して個片化した直方体状の樹脂封止型半導体装置を示す。図7に示す樹脂封止型半導体装置は前述の図4で示した構造と同様である。
【0067】
以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置では、インナーリード部のダイパッド部に対向した先端部は、その上面厚みが薄くなった薄厚部を有しているので、ダイパッド部上に搭載した半導体素子の周縁部をそのインナーリード部の先端部上面にまで近接させることができ、インナーリード部と半導体素子との接触を避けつつ、大型の半導体素子を搭載して、チップ占有率を高め、CSP化を実現できるものである。そしてリード部の先端部が薄厚部を有しているので、ダイパッド部に上方にあげた支持部を設けてアップセットする必要はなく、樹脂封止型半導体装置としてさらなる薄厚化を実現できるものである。
【0068】
また樹脂封止型半導体装置の製造方法では、インナーリード部のダイパッド部に対向した先端部上面の厚みが薄くなった薄厚部を有したリードフレームを用いるため、リード部の先端部上面の薄厚部にその周縁部が近接するような大型の半導体素子を搭載することができ、樹脂封止型半導体装置としてチップ占有率を高めてCSP化を図り、薄厚化を実現できる製造方法である。また、リードフレームとして、1枚の金属板材のフレーム枠内に複数のリードユニットを有し、各リードユニット間のフレーム枠の板材厚は薄厚部となっているリードフレームを用ているので、リードフレームの各ユニット全域の上面側を封止樹脂により樹脂封止でき、リードフレームの板材が薄厚となっている各ユニット間を切断することにより、吊りリード部、インナーリード部の末端部分が切断され、吊りリード部、インナーリード部の各末端部を封止樹脂の側面と略同一面に配列した外形が直方体の樹脂封止型半導体装置を得ることができ、樹脂封止工程、切断分離工程の効率を高めて量産性に優れた製造方法を実現できる。
【0069】
【発明の効果】
以上、本発明の樹脂封止型半導体装置は、リード部のダイパッド部に対向した先端部上面は、その厚みが削除されて薄くなった薄厚部を有しているので、ダイパッド部上に搭載した半導体素子の周縁部をそのリード部の先端部上面の薄厚部に近接させることができ、リード部と半導体素子との接触を避けつつ、大型の半導体素子を搭載して、チップ占有率を高め、CSP化を実現できるものである。そしてリード部の先端部が薄厚部を有しているので、ダイパッド部に上方にあげた支持部を設けてアップセットする必要はなく、樹脂封止型半導体装置としてさらなる薄厚化を実現できるものである。また本発明の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッド部に対向したリード部の先端部は、緩やかな傾斜をなしてリード厚の概ね半分の厚みで薄くなった薄厚部を有しているので、リード部に印加される外部または封止樹脂内からの応力による金属細線の接続部分に対する影響を低減し、接続の信頼性を高めることができる。
【0070】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法では、リード部のダイパッド部に対向した先端部の厚みが薄くなった薄厚部を有したリードフレームを用いるため、リード部の先端部上面にその周縁部が近接するような大きさの半導体素子を搭載することができ、樹脂封止型半導体装置としてチップ占有率を高めてCSP化を図り、薄厚化を実現できる製造方法である。また、リードフレームとして、1枚の板材のフレーム枠内に複数のリードユニットを有し、各リードユニット間のフレーム枠の板材厚は薄厚となっているリードフレームを用ているので、リードフレームの各ユニット全域の上面側を封止樹脂により樹脂封止でき、リードフレームの板材が薄厚となっている各ユニット間を切断することにより、吊りリード部、リード部の末端部分が切断され、吊りリード部、リード部の各末端部を封止樹脂の側面と略同一面に配列した外形が直方体の樹脂封止型半導体装置を得ることができ、製造効率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図2】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法でのリードフレームを示す図
【図3】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図4】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図5】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法でのリードフレームを示す図
【図6】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図7】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図8】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図9】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法でのリードフレームを示す図
【図10】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【符号の説明】
1 ダイパッド部
1a 溝部
2 吊りリード部
3 半導体素子
4 インナーリード部
4a 溝部
5 金属細線
6 封止樹脂
7 薄厚部
7a 傾斜部分
8 フレーム枠
9 薄厚部
10 フレーム枠
11 リードユニット
12 ダイシングブレード
101 ダイパッド部
101a 支持部
102 半導体素子
103 インナーリード部
103a 溝部
104 金属細線
105 封止樹脂
106 吊りリード部
Claims (13)
- ダイパッド部と、
前記ダイパッド部を支持する複数の吊りリード部と、
前記ダイパッド部上に搭載された半導体素子と、
先端部が前記ダイパッド部に対向して配列された複数のリード部と、
前記半導体素子の電極と前記リード部の上面とを接続した金属細線と、
前記リード部の底面と前記リード部の前記ダイパッド部と逆側の側面とを除くように、前記吊りリード部と前記半導体素子と前記リード部と前記金属細線とを封止した封止樹脂とからなる樹脂封止型半導体装置であって、
前記リード部の前記先端部の上面は、前記リード部の前記金属細線が接続された部分の上面より低く形成され、
前記リード部の前記先端部は、前記半導体素子の下面に延在していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - リード部の先端部の厚みは、前記リード部の金属細線が接続された部分の厚みの半分の厚みであることを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置。
- リード部の上面に段差を形成することで、前記リード部の先端部の上面が、金属細線が接続された前記リード部の上面より低く形成されていることを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置。
- リード部の先端部は、曲面からなることを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置。
- リード部の先端部は、直線状の傾斜からなることを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置。
- ダイパッド部の底面が封止樹脂から露出していることを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置。
- リード部の上面には溝部が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置。
- ダイパッド部の底面には溝部が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置。
- ダイパッド部の上面とリード部の金属細線が接続された部分の上面とは同一面に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置。
- リード部のダイパッド部と逆側の側面側の下面は、封止樹脂によって封止されていることを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置。
- フレーム枠内に設けられた半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記ダイパッド部と前記フレーム枠とを接続する吊りリード部と、先端部が前記ダイパッド部に対向して配列され、末端部が前記フレーム枠に接続した複数のリード部とよりなるリードフレームであって、前記リード部の前記先端部の上面が前記末端部の上面より低く形成されたリードフレームを用意する工程と、
前記ダイパッド部上に、前記リード部の前記先端部が半導体素子の下面に延在するように前記半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子の電極と、前記リード部の上面の前記先端部以外の面とを金属細線により接続する工程と、
前記リード部の底面を除くように、前記吊りリード部と前記半導体素子と前記リード部と前記金属細線とを樹脂封止する工程とからなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 樹脂封止の工程の後、リード部とフレーム枠とを分断し、前記リード部のダイパッド部と逆側の側面を封止樹脂の側面と同一面に形成することを特徴とする請求項11に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
- フレーム枠内に設けられた複数のリードユニットで構成されたリードフレームであって、半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記ダイパッド部と前記フレーム枠とを接続する吊りリード部と、先端部が前記ダイパッド部に対向して配列され、末端 部が前記フレーム枠に接続した複数のリード部であって、前記リード部の前記先端部の上面が前記末端部の上面より低く形成されたリード部とよりなるリードユニットを1ユニットとして、前記ユニットを複数ユニット有するリードフレームを用意する工程と、
前記各リードユニットの各ダイパッド部上に、前記リード部の前記先端部が半導体素子の下面に延在するように前記半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子の電極と、前記リード部の上面の前記先端部以外の面とを金属細線により接続する工程と、
前記リードフレームの各ユニット全域の上面側を封止樹脂により樹脂封止し、前記リード部の底面を除くように、前記吊りリード部と前記半導体素子と前記リード部と前記金属細線とを樹脂封止する工程と、
前記各リードユニット間を切断することにより、前記リード部と前記フレーム枠とを分断し、前記リード部の前記ダイパッド部と逆側の側面を封止樹脂の側面と同一面に形成した樹脂封止型半導体装置を得る工程とよりなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
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