JP3272998B2 - バンプ高さ良否判定装置 - Google Patents
バンプ高さ良否判定装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上等に設けら
れるバンプの高さの良否を判定するバンプ高さ良否判定
装置に関するものである。
れるバンプの高さの良否を判定するバンプ高さ良否判定
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、基板、或いはチップに電気的
に接続するためバンプを形成することが行われており、
この形成されたバンプの品質維持のために、バンプの高
さを所定範囲内に収めることが必要となる。バンプの高
さが所定範囲外の場合、例えばバンプ高さが低すぎる場
合には、バンプを形成しているハンダ等の量が少なすぎ
で電気的接続が不十分となる。又、反対にバンプの高さ
が高すぎる場合には、バンプを形成しているハンダ等の
量が多すぎて、ＩＣ等の電子回路素子の接続時に隣接す
る他のバンプ等と短絡する虞があり好ましくない。
に接続するためバンプを形成することが行われており、
この形成されたバンプの品質維持のために、バンプの高
さを所定範囲内に収めることが必要となる。バンプの高
さが所定範囲外の場合、例えばバンプ高さが低すぎる場
合には、バンプを形成しているハンダ等の量が少なすぎ
で電気的接続が不十分となる。又、反対にバンプの高さ
が高すぎる場合には、バンプを形成しているハンダ等の
量が多すぎて、ＩＣ等の電子回路素子の接続時に隣接す
る他のバンプ等と短絡する虞があり好ましくない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】又、基板上に載置され
る大規模電子回路（ＬＳＩ）では、必要とされるバンプ
の数は１０００を越える程多くなり、従って、バンプ高
さの良否判定を効率的に行う必要もある。
る大規模電子回路（ＬＳＩ）では、必要とされるバンプ
の数は１０００を越える程多くなり、従って、バンプ高
さの良否判定を効率的に行う必要もある。
【０００４】そこで、従来から、バンプ高さの良否判定
を効率的に、しかも確実に行うことができるバンプ高さ
良否判定装置が要望されている。本発明は上記問題点を
解決するためになされたものであって、その目的は、バ
ンプ高さの良否判定を効率的に、しかも確実に行うこと
ができるバンプ高さ良否判定装置を提供することにあ
る。
を効率的に、しかも確実に行うことができるバンプ高さ
良否判定装置が要望されている。本発明は上記問題点を
解決するためになされたものであって、その目的は、バ
ンプ高さの良否判定を効率的に、しかも確実に行うこと
ができるバンプ高さ良否判定装置を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、請求項１記載の発明は、バンプの表面に対して、映
り込むように配置された被測定物と、前記バンプの表面
を撮像する撮像手段と、前記撮像手段にて得られたバン
プ撮像データのうち、前記バンプ表面に映り込んだ被測
定物の反射領域を第１測定点とするとともに、前記第１
測定点からバンプの径方向に位置する所定の測定点を第
２測定点とし、第１測定点と、第２測定点との間の測定
点間距離を演算する長さ演算手段と、基準バンプの高さ
に対応した基準値を予め記憶する記憶手段と、前記長さ
演算手段が演算した測定点間距離と、前記基準値とを比
較し、当該バンプの側定点間距離が前記基準値を満足し
ない場合には、所定の信号を出力する判定手段とを備え
たバンプ高さ良否判定装置を要旨とするものである。
め、請求項１記載の発明は、バンプの表面に対して、映
り込むように配置された被測定物と、前記バンプの表面
を撮像する撮像手段と、前記撮像手段にて得られたバン
プ撮像データのうち、前記バンプ表面に映り込んだ被測
定物の反射領域を第１測定点とするとともに、前記第１
測定点からバンプの径方向に位置する所定の測定点を第
２測定点とし、第１測定点と、第２測定点との間の測定
点間距離を演算する長さ演算手段と、基準バンプの高さ
に対応した基準値を予め記憶する記憶手段と、前記長さ
演算手段が演算した測定点間距離と、前記基準値とを比
較し、当該バンプの側定点間距離が前記基準値を満足し
ない場合には、所定の信号を出力する判定手段とを備え
たバンプ高さ良否判定装置を要旨とするものである。
【０００６】請求項２の発明は、請求項１において、前
記被測定物は、２個設けられており、第１測定点は、前
記バンプ撮像データのうちバンプの頂点側に位置する一
方の被測定物の反射領域を測定点としたものであり、第
２測定点は、前記バンプ撮像データのうち前記バンプの
エッジ側に位置する他方の被測定物の反射領域を測定点
としたバンプ高さ良否判定装置を要旨とするものであ
る。
記被測定物は、２個設けられており、第１測定点は、前
記バンプ撮像データのうちバンプの頂点側に位置する一
方の被測定物の反射領域を測定点としたものであり、第
２測定点は、前記バンプ撮像データのうち前記バンプの
エッジ側に位置する他方の被測定物の反射領域を測定点
としたバンプ高さ良否判定装置を要旨とするものであ
る。
【０００７】請求項３の発明は、請求項１において、前
記被測定物は、バンプ表面に対してその長さが映り込む
ように配置され、第１測定点は、前記バンプ撮像データ
のうちバンプの頂点側に位置する前記被測定物の前記所
定方向における一方の端の反射領域を測定点としたもの
であり、第２測定点は、前記バンプ撮像データのうち前
記バンプのエッジ側に位置する前記被測定物の前記所定
方向における他方の端の反射領域を測定点としたバンプ
高さ良否判定装置を要旨とするものである。
記被測定物は、バンプ表面に対してその長さが映り込む
ように配置され、第１測定点は、前記バンプ撮像データ
のうちバンプの頂点側に位置する前記被測定物の前記所
定方向における一方の端の反射領域を測定点としたもの
であり、第２測定点は、前記バンプ撮像データのうち前
記バンプのエッジ側に位置する前記被測定物の前記所定
方向における他方の端の反射領域を測定点としたバンプ
高さ良否判定装置を要旨とするものである。
【０００８】請求項４の発明は、請求項１において、前
記被測定物は、１個設けられており、第２測定点は、前
記バンプ撮像データのうち前記バンプのエッジを測定点
としたものであるバンプ高さ良否判定装置を要旨とする
ものである。
記被測定物は、１個設けられており、第２測定点は、前
記バンプ撮像データのうち前記バンプのエッジを測定点
としたものであるバンプ高さ良否判定装置を要旨とする
ものである。
【０００９】（作用）従って、請求項１の発明では、撮
像手段は、バンプの表面を撮像する。長さ演算手段は、
前記撮像手段にて得られたバンプ撮像データのうち、前
記バンプ表面に映り込んだ被測定物の反射領域を第１測
定点とするとともに、前記第１測定点からバンプの径方
向に位置する所定の測定点を第２測定点とし、第１測定
点と、第２測定点との間の測定点間距離を演算する。
像手段は、バンプの表面を撮像する。長さ演算手段は、
前記撮像手段にて得られたバンプ撮像データのうち、前
記バンプ表面に映り込んだ被測定物の反射領域を第１測
定点とするとともに、前記第１測定点からバンプの径方
向に位置する所定の測定点を第２測定点とし、第１測定
点と、第２測定点との間の測定点間距離を演算する。
【００１０】そして、判定手段は、前記長さ演算手段が
演算した測定点間距離と、記憶手段に記憶した基準値と
を比較し、当該バンプの側定点間距離が前記基準値を満
足しない場合には、所定の信号を出力する。
演算した測定点間距離と、記憶手段に記憶した基準値と
を比較し、当該バンプの側定点間距離が前記基準値を満
足しない場合には、所定の信号を出力する。
【００１１】請求項２の発明では、撮像手段にて得られ
た撮像データには、２個の被測定物のそれぞれの反射領
域を含むことになる。そして、第１測定点は、前記バン
プ撮像データのうちバンプの頂点側に位置する一方の被
測定物の反射領域を測定点とし、第２測定点は、前記バ
ンプ撮像データのうち前記バンプのエッジ側に位置する
他方の被測定物の反射領域を測定点とし、この両測定点
間距離を長さ演算手段は算出する。
た撮像データには、２個の被測定物のそれぞれの反射領
域を含むことになる。そして、第１測定点は、前記バン
プ撮像データのうちバンプの頂点側に位置する一方の被
測定物の反射領域を測定点とし、第２測定点は、前記バ
ンプ撮像データのうち前記バンプのエッジ側に位置する
他方の被測定物の反射領域を測定点とし、この両測定点
間距離を長さ演算手段は算出する。
【００１２】請求項３の発明では、撮像手段にて得られ
たバンプ撮像データには、長さを有した被測定物の反射
領域を含むことになる。そして、第１測定点は、前記バ
ンプ撮像データのうちバンプの頂点側に位置する前記被
測定物の一方の端の反射領域を測定点と、第２測定点
は、前記バンプ撮像データのうち前記バンプのエッジ側
に位置する前記被測定物の他方の端の反射領域を測定点
とし、長さ演算手段はこの両測定点間距離を算出する。
たバンプ撮像データには、長さを有した被測定物の反射
領域を含むことになる。そして、第１測定点は、前記バ
ンプ撮像データのうちバンプの頂点側に位置する前記被
測定物の一方の端の反射領域を測定点と、第２測定点
は、前記バンプ撮像データのうち前記バンプのエッジ側
に位置する前記被測定物の他方の端の反射領域を測定点
とし、長さ演算手段はこの両測定点間距離を算出する。
【００１３】請求項４の発明では、撮像手段にて得られ
たバンプ撮像データには、被測定物の反射領域を含む。
そして、第２測定点は、前記バンプ撮像データのうち前
記バンプのエッジを測定点とし、長さ演算手段は第１測
定点と第２測定点との距離を算出する。
たバンプ撮像データには、被測定物の反射領域を含む。
そして、第２測定点は、前記バンプ撮像データのうち前
記バンプのエッジを測定点とし、長さ演算手段は第１測
定点と第２測定点との距離を算出する。
【００１４】
（第１実施形態）以下、本発明を具体化した第１実施形
態を図１〜図７を参照して説明する。
態を図１〜図７を参照して説明する。
【００１５】図１は第１の実施形態のバンプ高さ良否判
定装置１の全体概略構成図である。同図において、バン
プ高さ良否判定装置１は点光源としての発光装置２、撮
像デバイス３、画像処理デバイス４、コンピュータ５と
から構成されている。
定装置１の全体概略構成図である。同図において、バン
プ高さ良否判定装置１は点光源としての発光装置２、撮
像デバイス３、画像処理デバイス４、コンピュータ５と
から構成されている。
【００１６】撮像デバイス３は、エリアセンサ型のＣＣ
Ｄカメラから構成されている。撮像デバイス３は画像処
理デバイス４を介してコンピュータ５に接続されてい
る。この実施形態では、撮像デバイス３は、基板Ｋ上に
設けられたバンプＢの垂直上方に位置するように配置さ
れている。
Ｄカメラから構成されている。撮像デバイス３は画像処
理デバイス４を介してコンピュータ５に接続されてい
る。この実施形態では、撮像デバイス３は、基板Ｋ上に
設けられたバンプＢの垂直上方に位置するように配置さ
れている。
【００１７】又、図５に示されているように、基板Ｋと
撮像デバイス３のＣＣＤカメラに設けられるレンズ迄の
距離Ｌは、この実施形態では３００mmとされている。
又、そのレンズ径は５０mm、ＣＣＤの画素数（ｍ×ｎ）
は、４８０×６４０（１回の撮像範囲は１０mm×１０m
m）とされている。
撮像デバイス３のＣＣＤカメラに設けられるレンズ迄の
距離Ｌは、この実施形態では３００mmとされている。
又、そのレンズ径は５０mm、ＣＣＤの画素数（ｍ×ｎ）
は、４８０×６４０（１回の撮像範囲は１０mm×１０m
m）とされている。
【００１８】又、前記発光装置２は、バンプＢから６０
０mm離れた単体のＬＥＤからなり、図示しない駆動回路
にて発光する。本実施形態では、発光装置２は、基板Ｋ
上に設けられたバンプＢに対して、バンプＢの中心Ｏか
ら延び、頂点Ｔを通過する垂直線（前記撮像デバイス３
の撮像中心軸）Ｍから４５度の角度θをなす斜め上方に
位置するように配置されている。なお、この角度θは、
互いに隣接するバンプＢの影によって、悪影響がでない
角度が好ましい。
０mm離れた単体のＬＥＤからなり、図示しない駆動回路
にて発光する。本実施形態では、発光装置２は、基板Ｋ
上に設けられたバンプＢに対して、バンプＢの中心Ｏか
ら延び、頂点Ｔを通過する垂直線（前記撮像デバイス３
の撮像中心軸）Ｍから４５度の角度θをなす斜め上方に
位置するように配置されている。なお、この角度θは、
互いに隣接するバンプＢの影によって、悪影響がでない
角度が好ましい。
【００１９】図６は、バンプＢと、発光装置（ＬＥＤ）
２と、撮像デバイス３の撮像中心軸Ｍとの関係を示して
いる。撮像中心軸Ｍを通る基板Ｋの部位を基点Ｏとし、
同基点Ｏ（バンプＢの中心点ということがある）を通過
する発光装置（ＬＥＤ）２からの光軸をＮとすると、撮
像中心軸Ｍと光軸Ｎとの成す角θが４５度とされてい
る。なお、図１及び図６においては、バンプＢの大きさ
は、説明の便宜上、拡大して図示されている。
２と、撮像デバイス３の撮像中心軸Ｍとの関係を示して
いる。撮像中心軸Ｍを通る基板Ｋの部位を基点Ｏとし、
同基点Ｏ（バンプＢの中心点ということがある）を通過
する発光装置（ＬＥＤ）２からの光軸をＮとすると、撮
像中心軸Ｍと光軸Ｎとの成す角θが４５度とされてい
る。なお、図１及び図６においては、バンプＢの大きさ
は、説明の便宜上、拡大して図示されている。
【００２０】前記コンピュータ５は、中央演算処理回路
（ＣＰＵ）６を備えるとともに、制御プログラム等を予
め記憶した読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）７、演算結果
を一時的に記憶するため及び演算処理に必要なデータ等
を記憶するための書込み読み出し可能なメモリ（ＲＡ
Ｍ）８を備えている。
（ＣＰＵ）６を備えるとともに、制御プログラム等を予
め記憶した読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）７、演算結果
を一時的に記憶するため及び演算処理に必要なデータ等
を記憶するための書込み読み出し可能なメモリ（ＲＡ
Ｍ）８を備えている。
【００２１】前記コンピュータ５のＣＰＵ６は長さ演算
手段、及び判定手段を構成し、ＲＯＭ７及びＲＡＭ８
は、記憶手段を構成している。又、発光装置２は被測定
物及び発光手段を構成し、撮像デバイス３は、撮像手段
を構成している。
手段、及び判定手段を構成し、ＲＯＭ７及びＲＡＭ８
は、記憶手段を構成している。又、発光装置２は被測定
物及び発光手段を構成し、撮像デバイス３は、撮像手段
を構成している。
【００２２】さて、上記のように構成されたバンプ高さ
良否判定装置１の作用について説明する。所定個数ｎの
バンプＢが設けられた基板Ｋを図１に示すように、バン
プＢが撮像デバイス３の真下に位置するようにセット
し、セット完了後、発光装置２を発光する。そして、撮
像デバイス３にて、バンプＢを撮像する。撮像デバイス
３にて得られたバンプ撮像データは、画像処理デバイス
４において、ノイズ除去、濃度正規化等の各種のフィル
タ処理及び２値化処理が行われ、コンピュータ５に入力
される。
良否判定装置１の作用について説明する。所定個数ｎの
バンプＢが設けられた基板Ｋを図１に示すように、バン
プＢが撮像デバイス３の真下に位置するようにセット
し、セット完了後、発光装置２を発光する。そして、撮
像デバイス３にて、バンプＢを撮像する。撮像デバイス
３にて得られたバンプ撮像データは、画像処理デバイス
４において、ノイズ除去、濃度正規化等の各種のフィル
タ処理及び２値化処理が行われ、コンピュータ５に入力
される。
【００２３】前記２値化処理は、所定の２値化閾値に基
づいて行われる。すなわち、得られたバンプＢの撮像デ
ータは、発光装置２の発光によって、バンプＢ内におけ
る発光装置２の反射領域に係る部分は明度が高くなり、
その他のバンプＢの部分は明度が低く、すなわち黒く、
又、バンプＢが形成されている基板Ｋは白く（明度が高
く）撮像される。そこで、２値化閾値は、前記バンプＢ
内における発光装置２の反射領域に係る部分及び基板Ｋ
の部分と、バンプＢの本体部分とに区分されるように設
定される。
づいて行われる。すなわち、得られたバンプＢの撮像デ
ータは、発光装置２の発光によって、バンプＢ内におけ
る発光装置２の反射領域に係る部分は明度が高くなり、
その他のバンプＢの部分は明度が低く、すなわち黒く、
又、バンプＢが形成されている基板Ｋは白く（明度が高
く）撮像される。そこで、２値化閾値は、前記バンプＢ
内における発光装置２の反射領域に係る部分及び基板Ｋ
の部分と、バンプＢの本体部分とに区分されるように設
定される。
【００２４】前記各種フィルタ処理によって、得られた
データを以下、画像データという。次に、コンピュータ
５のＣＰＵ６は図７に示すバンプ高さ良否判定処理ルー
チンを実行する。
データを以下、画像データという。次に、コンピュータ
５のＣＰＵ６は図７に示すバンプ高さ良否判定処理ルー
チンを実行する。
【００２５】まず、ステップ１０において、１回の撮像
で得られた画像データを読み込む。このステップ１０お
いては、１回の撮像で得られた画像データ、すなわち、
撮像エリア内において、存在するバンプＢの数がカウン
トされ、その数ｎを所定値としてＲＡＭ８の所定領域に
格納する。
で得られた画像データを読み込む。このステップ１０お
いては、１回の撮像で得られた画像データ、すなわち、
撮像エリア内において、存在するバンプＢの数がカウン
トされ、その数ｎを所定値としてＲＡＭ８の所定領域に
格納する。
【００２６】そして、次に、ステップ２０に移行する。
ステップ２０においては、検査線αに沿って、バンプエ
ッジｅ等を求め、Ｘｅ，ＸＬ，ＸＢの演算を行う。以
下、詳細に説明する。
ステップ２０においては、検査線αに沿って、バンプエ
ッジｅ等を求め、Ｘｅ，ＸＬ，ＸＢの演算を行う。以
下、詳細に説明する。
【００２７】この実施形態においては、画像データの検
査方向はバンプＢの径方向に沿うようにされている。ｍ
×ｎ個の画素からなる画像データのうち、バンプＢの直
径上に亘る方向（Ｘ方向）に沿った検査線α上の画素が
選択されて検査領域の一側からＸ矢印方向に沿って測定
演算が行われる。なお、図２においては、１個のバンプ
Ｂに係る画像データが示されている。
査方向はバンプＢの径方向に沿うようにされている。ｍ
×ｎ個の画素からなる画像データのうち、バンプＢの直
径上に亘る方向（Ｘ方向）に沿った検査線α上の画素が
選択されて検査領域の一側からＸ矢印方向に沿って測定
演算が行われる。なお、図２においては、１個のバンプ
Ｂに係る画像データが示されている。
【００２８】この測定演算は、下記のようにして行われ
る、まず、当該バンプＢの直径上の検査線αにおいて、
原点Ｏ１（画像データの検査線の始点）から当該バンプ
Ｂのバンプエッジｅ迄の距離Ｘｅと、当該バンプＢの発
光装置２の反射領域２ａのエッジ迄の距離ＸＬとの距離
を算出する。そして、ＸＬ−Ｘｅとの差ＸＢを算出す
る。
る、まず、当該バンプＢの直径上の検査線αにおいて、
原点Ｏ１（画像データの検査線の始点）から当該バンプ
Ｂのバンプエッジｅ迄の距離Ｘｅと、当該バンプＢの発
光装置２の反射領域２ａのエッジ迄の距離ＸＬとの距離
を算出する。そして、ＸＬ−Ｘｅとの差ＸＢを算出す
る。
【００２９】この実施形態では、前記バンプＢのバンプ
エッジｅが、第２測定点に相当し、バンプＢの発光装置
２の反射領域２ａのエッジが第１測定点に相当し、ＸＢ
が測定点間距離に相当する。
エッジｅが、第２測定点に相当し、バンプＢの発光装置
２の反射領域２ａのエッジが第１測定点に相当し、ＸＢ
が測定点間距離に相当する。
【００３０】次のステップ３０においては、バンプ数カ
ウンタＣを１つインクリメントし、ステップ４０に移行
する。そして、ステップ４０において、前記ステップ２
０において算出した測定点間距離ＸＢが基準値を満足し
ているか、否かを判定する。なお、基準値は、予めＲＯ
Ｍ７に記憶されている。
ウンタＣを１つインクリメントし、ステップ４０に移行
する。そして、ステップ４０において、前記ステップ２
０において算出した測定点間距離ＸＢが基準値を満足し
ているか、否かを判定する。なお、基準値は、予めＲＯ
Ｍ７に記憶されている。
【００３１】前記基準値は、適正な高さＨを有するバン
プＢＳ（以下、基準バンプという）を前記説明した撮像
条件と同一条件にて撮像したときの、バンプエッジｅ
（第２測定点）と、発光装置２の反射領域２ａのエッジ
（第１測定点）との間の距離ＸＳを測定した結果に基づ
いて設定されている。
プＢＳ（以下、基準バンプという）を前記説明した撮像
条件と同一条件にて撮像したときの、バンプエッジｅ
（第２測定点）と、発光装置２の反射領域２ａのエッジ
（第１測定点）との間の距離ＸＳを測定した結果に基づ
いて設定されている。
【００３２】なお、バンプＢに映り込んだ発光装置２の
反射領域２ａ（図２参照）のエッジと、バンプエッジｅ
との測定点間距離は、バンプＢの高さＨと相関関係にあ
る。基準バンプＢＳよりも高さが低いバンプＢ２の場合
（図６参照）、画像データにおけるバンプの発光装置２
の反射領域２ａのエッジはバンプの頂点Ｔ（中心点Ｏ）
側に寄ったｘ２の位置となる。又、基準バンプＢＳより
も高さが高いバンプＢ１の場合（図６参照）、画像デー
タにおけるバンプの発光装置２の反射領域２ｂのエッジ
はバンプエッジｅに寄ったｘ１の位置となる。
反射領域２ａ（図２参照）のエッジと、バンプエッジｅ
との測定点間距離は、バンプＢの高さＨと相関関係にあ
る。基準バンプＢＳよりも高さが低いバンプＢ２の場合
（図６参照）、画像データにおけるバンプの発光装置２
の反射領域２ａのエッジはバンプの頂点Ｔ（中心点Ｏ）
側に寄ったｘ２の位置となる。又、基準バンプＢＳより
も高さが高いバンプＢ１の場合（図６参照）、画像デー
タにおけるバンプの発光装置２の反射領域２ｂのエッジ
はバンプエッジｅに寄ったｘ１の位置となる。
【００３３】例えば、図２においては、ハッチングにて
示したバンプの反射領域２ｂは、反射領域２ａよりもバ
ンプエッジｅ側に寄った場合を示し、この反射領域２ｂ
に係るバンプは、反射領域２ａに係るバンプよりもその
高さは高いことを示している。
示したバンプの反射領域２ｂは、反射領域２ａよりもバ
ンプエッジｅ側に寄った場合を示し、この反射領域２ｂ
に係るバンプは、反射領域２ａに係るバンプよりもその
高さは高いことを示している。
【００３４】なお、基準バンプＢＳよりも高さが低いバ
ンプＢ２とは、基準バンプＢＳよりもハンダ等のバンプ
形成材料が少ない場合であり、基準バンプＢＳよりも高
さが高い場合とは、基準バンプＢＳよりもハンダ等のバ
ンプ形成材料が多い場合である。
ンプＢ２とは、基準バンプＢＳよりもハンダ等のバンプ
形成材料が少ない場合であり、基準バンプＢＳよりも高
さが高い場合とは、基準バンプＢＳよりもハンダ等のバ
ンプ形成材料が多い場合である。
【００３５】ここで、基準値について説明する。基準値
は、前記バンプ高さＨを有する基準バンプＢＳに係るバ
ンプエッジｅ（第２測定点）と、発光装置２の反射領域
２ａのエッジ（第１測定点）との間の距離ＸＳに、さら
に検出誤差Δｘを加味したものである。なお、検出誤差
が出るのは下記の理由による。
は、前記バンプ高さＨを有する基準バンプＢＳに係るバ
ンプエッジｅ（第２測定点）と、発光装置２の反射領域
２ａのエッジ（第１測定点）との間の距離ＸＳに、さら
に検出誤差Δｘを加味したものである。なお、検出誤差
が出るのは下記の理由による。
【００３６】図１で示されているバンプＢは１個のみ拡
大して図示されているが、実際には図３に示すように基
板Ｋにおいて、多数のバンプＢが配置されている。そし
て、通常、バンプＢの直径は百数十μｍのオーダであ
り、１０mm×１０mmの領域に１０００個という多数のバ
ンプＢが基板Ｋ上において図３に示すように配置された
場合、撮像デバイス３のＣＣＤカメラにて撮像された多
くのバンプＢは、その撮像中心軸Ｍから僅かに外れた位
置にある。
大して図示されているが、実際には図３に示すように基
板Ｋにおいて、多数のバンプＢが配置されている。そし
て、通常、バンプＢの直径は百数十μｍのオーダであ
り、１０mm×１０mmの領域に１０００個という多数のバ
ンプＢが基板Ｋ上において図３に示すように配置された
場合、撮像デバイス３のＣＣＤカメラにて撮像された多
くのバンプＢは、その撮像中心軸Ｍから僅かに外れた位
置にある。
【００３７】図５に示されているように撮像デバイス３
のＣＣＤカメラに設けられるレンズ迄の長さＬが、この
実施形態では３００mmと距離が大きく離間しているもの
の、撮像範囲（撮像エリア）の周囲寄りのバンプＢと、
撮像中心軸Ｍに近いバンプＢとは、その高さが同じであ
ったとしても、測定（検出）される第１測定点と、第２
測定点間の距離には、撮像中心軸Ｍに近いものの方が実
際の高さＨに対応したＸＳに近い値を得ることができ
る。又、１回の撮像エリア内において、撮像中心軸Ｍか
ら離間したバンプＢでは、その検出値（測定点間の距
離）は若干の誤差Δｘが出る。
のＣＣＤカメラに設けられるレンズ迄の長さＬが、この
実施形態では３００mmと距離が大きく離間しているもの
の、撮像範囲（撮像エリア）の周囲寄りのバンプＢと、
撮像中心軸Ｍに近いバンプＢとは、その高さが同じであ
ったとしても、測定（検出）される第１測定点と、第２
測定点間の距離には、撮像中心軸Ｍに近いものの方が実
際の高さＨに対応したＸＳに近い値を得ることができ
る。又、１回の撮像エリア内において、撮像中心軸Ｍか
ら離間したバンプＢでは、その検出値（測定点間の距
離）は若干の誤差Δｘが出る。
【００３８】図６において、発光装置２側に傾いた撮像
中心軸Ｍ１で撮像した画像データでは、第１測定点、第
２側定点間距離はＸＳ＋Δｘと表すことができ、反発光
装置２側に傾いた撮像中心軸Ｍ２にて撮像した場合、第
１測定点、第２測定点間距離ＸＢはＸＳ−Δｘと表すこ
とができる。前記Δｘは誤差を表す。
中心軸Ｍ１で撮像した画像データでは、第１測定点、第
２側定点間距離はＸＳ＋Δｘと表すことができ、反発光
装置２側に傾いた撮像中心軸Ｍ２にて撮像した場合、第
１測定点、第２測定点間距離ＸＢはＸＳ−Δｘと表すこ
とができる。前記Δｘは誤差を表す。
【００３９】上記Δｘは撮像エリア内の全てのバンプに
ついて容易に算出できるものであるが、この実施形態で
は、予めその誤差Δｘを測定し、その誤差の範囲内であ
れば、許容されるバンプの高さＨに対応した値であると
して、許容誤差として検出誤差Δｘを設定している。な
お、同様の誤差は発光装置２とバンプ位置との関係にも
存在するが、ここでは説明を省略する。
ついて容易に算出できるものであるが、この実施形態で
は、予めその誤差Δｘを測定し、その誤差の範囲内であ
れば、許容されるバンプの高さＨに対応した値であると
して、許容誤差として検出誤差Δｘを設定している。な
お、同様の誤差は発光装置２とバンプ位置との関係にも
存在するが、ここでは説明を省略する。
【００４０】従って、この実施形態では、１回の撮像で
得られる撮像エリア内のバンプＢに対して、許容される
検出誤差範囲、すなわち、測定点間距離ＸＢが、ＸＳ−
Δｘ≦ＸＢ≦ＸＳ＋Δｘの範囲内であれば、基準バンプ
ＢＳに近い高さＨを有するバンプであるとして判定す
る。
得られる撮像エリア内のバンプＢに対して、許容される
検出誤差範囲、すなわち、測定点間距離ＸＢが、ＸＳ−
Δｘ≦ＸＢ≦ＸＳ＋Δｘの範囲内であれば、基準バンプ
ＢＳに近い高さＨを有するバンプであるとして判定す
る。
【００４１】前記ステップ４０において、測定点間距離
ＸＢが基準値を満足する、すなわち、前記範囲内である
場合には、ステップ５０において、バンプ数カウンタＣ
が所定値ｎに達しているか否かを判定する。すなわち、
画像データ内の全てのバンプＢについて、測定点間距離
ＸＢの判定良否判定を行ったか否かを判定する。画像デ
ータ内の全てのバンプＢについて測定点間距離ＸＢの判
定良否判定を行っていない場合には、ステップ２０に戻
り、次のＸ方向に隣接するバンプについてステップ２０
〜４０の処理を行う。又、Ｘ方向の検査線α上での処理
が終了した場合には、検査線αをＹ方向へ所定の検査間
隔移動し、同検査線α上のバンプＢについて、ステップ
２０〜４０の処理を行う。図４においては、検査線αが
α１〜α７として図示されており、この実施形態では、
α１から順に図４に示す検査間隔にて検査が行われる。
ＸＢが基準値を満足する、すなわち、前記範囲内である
場合には、ステップ５０において、バンプ数カウンタＣ
が所定値ｎに達しているか否かを判定する。すなわち、
画像データ内の全てのバンプＢについて、測定点間距離
ＸＢの判定良否判定を行ったか否かを判定する。画像デ
ータ内の全てのバンプＢについて測定点間距離ＸＢの判
定良否判定を行っていない場合には、ステップ２０に戻
り、次のＸ方向に隣接するバンプについてステップ２０
〜４０の処理を行う。又、Ｘ方向の検査線α上での処理
が終了した場合には、検査線αをＹ方向へ所定の検査間
隔移動し、同検査線α上のバンプＢについて、ステップ
２０〜４０の処理を行う。図４においては、検査線αが
α１〜α７として図示されており、この実施形態では、
α１から順に図４に示す検査間隔にて検査が行われる。
【００４２】前記ステップ５０において、ステップ１０
にて読み込みした画像データ内の全てのバンプＢについ
て判定処理が行われた場合には、ステップ６０に移行し
て、測定終了処理を行い、このルーチンを一旦終了す
る。
にて読み込みした画像データ内の全てのバンプＢについ
て判定処理が行われた場合には、ステップ６０に移行し
て、測定終了処理を行い、このルーチンを一旦終了す
る。
【００４３】又、前記ステップ４０において、測定点間
距離ＸＢが基準値を満足しない場合には、不良バンプが
存在するとして、ステップ７０に移行し、不良信号（Ｎ
Ｇ信号）を出力し、この処理ルーチンを終了する。
距離ＸＢが基準値を満足しない場合には、不良バンプが
存在するとして、ステップ７０に移行し、不良信号（Ｎ
Ｇ信号）を出力し、この処理ルーチンを終了する。
【００４４】従って、この装置が工場の生産ラインに設
けられた除去ロボットの制御装置に接続されている場合
には、前記不良信号に基づいて、このバンプを有する基
板Ｋは後の工程で前記除去ロボットにより、生産ライン
から外される。或いは、前記不良信号に基づいて警告ラ
ンプ、又は警告ブザー等の警報装置を作動させる場合に
は、作業者は、その警報装置の作動によって、その基板
Ｋをラインから除去する。
けられた除去ロボットの制御装置に接続されている場合
には、前記不良信号に基づいて、このバンプを有する基
板Ｋは後の工程で前記除去ロボットにより、生産ライン
から外される。或いは、前記不良信号に基づいて警告ラ
ンプ、又は警告ブザー等の警報装置を作動させる場合に
は、作業者は、その警報装置の作動によって、その基板
Ｋをラインから除去する。
【００４５】前記ステップ２０は演算手段に相当し、ス
テップ４０は判定手段に相当する。さて、上記実施形態
によれば、次の効果を奏する。 （１） この実施形態では、基板Ｋ上のバンプＢの高さ
を直接検出するのではなく、バンプＢに映り込んだ発光
装置２の反射領域２ａのエッジと、バンプエッジｅとの
測定点間距離を測定し、基準バンプＢＳにおける基準値
と比較することにより、当該バンプＢの高さが適正であ
るか否かを判定した。この結果、複雑な計算を行うこと
なく、簡単な演算にて、バンプ高さの良否を行えるた
め、効率的な判定を行うことができる。従って、例えば
１０００個オーダのバンプを備えた基板Ｋであっても、
バンプの良否処理判定を極めて短時間で行うことができ
る。
テップ４０は判定手段に相当する。さて、上記実施形態
によれば、次の効果を奏する。 （１） この実施形態では、基板Ｋ上のバンプＢの高さ
を直接検出するのではなく、バンプＢに映り込んだ発光
装置２の反射領域２ａのエッジと、バンプエッジｅとの
測定点間距離を測定し、基準バンプＢＳにおける基準値
と比較することにより、当該バンプＢの高さが適正であ
るか否かを判定した。この結果、複雑な計算を行うこと
なく、簡単な演算にて、バンプ高さの良否を行えるた
め、効率的な判定を行うことができる。従って、例えば
１０００個オーダのバンプを備えた基板Ｋであっても、
バンプの良否処理判定を極めて短時間で行うことができ
る。
【００４６】（２） この実施形態では、発光装置２は
斜め上方から発光するようにしているため、隣接するバ
ンプの影の影響が出易くなるが、撮像デバイス３の撮像
中心軸ＭをバンプＢの中心点Ｏに対して垂直とした垂直
光学系としているため、その隣接するバンプの影の影響
を受けなくすることができる。
斜め上方から発光するようにしているため、隣接するバ
ンプの影の影響が出易くなるが、撮像デバイス３の撮像
中心軸ＭをバンプＢの中心点Ｏに対して垂直とした垂直
光学系としているため、その隣接するバンプの影の影響
を受けなくすることができる。
【００４７】（第２実施形態）次に第２実施形態を説明
する。なお、前記第１実施形態と同一構成については同
一符号を付し、異なるところを中心に説明する。
する。なお、前記第１実施形態と同一構成については同
一符号を付し、異なるところを中心に説明する。
【００４８】この実施形態では、発光装置２以外に、さ
らに発光装置１２が設けられており、両発光装置２，１
２はバンプＢの表面に対して平面視したときにバンプの
径方向に位置するようにバンプＢに対して斜め上方に配
置されている。なお、両発光装置２，１２は、バンプに
対して平行光源となるように離間して配置するのが好ま
しい。
らに発光装置１２が設けられており、両発光装置２，１
２はバンプＢの表面に対して平面視したときにバンプの
径方向に位置するようにバンプＢに対して斜め上方に配
置されている。なお、両発光装置２，１２は、バンプに
対して平行光源となるように離間して配置するのが好ま
しい。
【００４９】そして、この実施形態では、前記第１実施
形態におけるバンプ高さ良否判定処理ルーチンにおい
て、ステップ２０の代わりにステップ２０Ａの処理がな
され、ステップ４０の代わりにステップ４０Ａの処理を
行うことが異なっている。
形態におけるバンプ高さ良否判定処理ルーチンにおい
て、ステップ２０の代わりにステップ２０Ａの処理がな
され、ステップ４０の代わりにステップ４０Ａの処理を
行うことが異なっている。
【００５０】ステップ２０Ａにおいては、検査線αに沿
って、発光装置１２の反射領域１２ａのエッジ、発光装
置２の反射領域２ａを検出し、ＸＬ１，ＸＬ２，ＸＢの
演算を行う。
って、発光装置１２の反射領域１２ａのエッジ、発光装
置２の反射領域２ａを検出し、ＸＬ１，ＸＬ２，ＸＢの
演算を行う。
【００５１】この測定演算は、下記のようにして行われ
る、まず、当該バンプＢの直径上の検査線αにおいて、
原点Ｏ１（画像データの検査線の始点）から当該バンプ
Ｂの発光装置１２の反射領域１２ａのエッジ迄の距離Ｘ
Ｌ２と、当該バンプＢの発光装置２の反射領域２ａのエ
ッジ迄の距離ＸＬ１との距離を算出する。そして、ＸＬ
１−ＸＬ２との差ＸＢを算出する。
る、まず、当該バンプＢの直径上の検査線αにおいて、
原点Ｏ１（画像データの検査線の始点）から当該バンプ
Ｂの発光装置１２の反射領域１２ａのエッジ迄の距離Ｘ
Ｌ２と、当該バンプＢの発光装置２の反射領域２ａのエ
ッジ迄の距離ＸＬ１との距離を算出する。そして、ＸＬ
１−ＸＬ２との差ＸＢを算出する。
【００５２】この実施形態では、当該バンプＢの発光装
置１２の反射領域１２ａのエッジが、第２測定点に相当
し、バンプＢの発光装置２の反射領域２ａのエッジが第
１測定点に相当し、ＸＢが測定点間距離に相当する。
置１２の反射領域１２ａのエッジが、第２測定点に相当
し、バンプＢの発光装置２の反射領域２ａのエッジが第
１測定点に相当し、ＸＢが測定点間距離に相当する。
【００５３】この実施形態における基準値の求め方は、
下記の通りである。基準値は、適正な高さＨを有する基
準バンプＢＳを前記説明した撮像条件と同一条件にて撮
像したときの、当該基準バンプＢＳの発光装置１２の反
射領域１２ａのエッジ（第２測定点）と、発光装置２の
反射領域のエッジ（第１測定点）との間の距離ＸＳ１を
測定した結果に基づいて設定されている。
下記の通りである。基準値は、適正な高さＨを有する基
準バンプＢＳを前記説明した撮像条件と同一条件にて撮
像したときの、当該基準バンプＢＳの発光装置１２の反
射領域１２ａのエッジ（第２測定点）と、発光装置２の
反射領域のエッジ（第１測定点）との間の距離ＸＳ１を
測定した結果に基づいて設定されている。
【００５４】なお、バンプＢに映り込んだ発光装置２の
反射領域２ａ（図２参照）のエッジと、バンプＢに映り
込んだ発光装置１２の反射領域１２ａ（図２参照）のエ
ッジとの測定点間距離は、バンプＢの高さＨと相関関係
にある。
反射領域２ａ（図２参照）のエッジと、バンプＢに映り
込んだ発光装置１２の反射領域１２ａ（図２参照）のエ
ッジとの測定点間距離は、バンプＢの高さＨと相関関係
にある。
【００５５】基準バンプＢＳよりも高さが低いバンプＢ
２の場合（図１１参照）、画像データにおけるバンプの
発光装置２の反射領域２ａのエッジはバンプＢの頂点Ｔ
（中心点Ｏ）に寄ったｘ２の位置となる。又、基準バン
プＢＳよりも高さが高いバンプＢ１の場合（図１１参
照）、画像データにおけるバンプの反射領域２ｂのエッ
ジはバンプエッジｅに寄ったｘ１の位置となる。
２の場合（図１１参照）、画像データにおけるバンプの
発光装置２の反射領域２ａのエッジはバンプＢの頂点Ｔ
（中心点Ｏ）に寄ったｘ２の位置となる。又、基準バン
プＢＳよりも高さが高いバンプＢ１の場合（図１１参
照）、画像データにおけるバンプの反射領域２ｂのエッ
ジはバンプエッジｅに寄ったｘ１の位置となる。
【００５６】一方、基準バンプＢＳよりも高さが低いバ
ンプＢ２の場合（図１１参照）、画像データにおけるバ
ンプの発光装置１２の反射領域１２ａのエッジはバンプ
エッジｅに寄った位置となる。しかし、基準バンプＢＳ
のときの位置から前記バンプエッジに寄った位置との距
離Δｘ１は、撮像デバイス３のＣＣＤカメラが垂直光学
系で撮像しているため、（ｘ２−ｘ）＞＞Δｘ１とな
る。
ンプＢ２の場合（図１１参照）、画像データにおけるバ
ンプの発光装置１２の反射領域１２ａのエッジはバンプ
エッジｅに寄った位置となる。しかし、基準バンプＢＳ
のときの位置から前記バンプエッジに寄った位置との距
離Δｘ１は、撮像デバイス３のＣＣＤカメラが垂直光学
系で撮像しているため、（ｘ２−ｘ）＞＞Δｘ１とな
る。
【００５７】又、基準バンプＢＳよりも高さが高いバン
プＢ１の場合（図１１参照）、画像データにおけるバン
プの発光装置１２の反射領域１２ａのエッジはバンプの
中心Ｏに寄った位置となる。しかし、基準バンプＢＳの
ときの位置から前記バンプ中心Ｏに寄った位置との距離
Δｘ２は、撮像デバイス３のＣＣＤカメラが垂直光学系
で撮像しているため、（ｘ２−ｘ）＞＞Δｘ２となる。
プＢ１の場合（図１１参照）、画像データにおけるバン
プの発光装置１２の反射領域１２ａのエッジはバンプの
中心Ｏに寄った位置となる。しかし、基準バンプＢＳの
ときの位置から前記バンプ中心Ｏに寄った位置との距離
Δｘ２は、撮像デバイス３のＣＣＤカメラが垂直光学系
で撮像しているため、（ｘ２−ｘ）＞＞Δｘ２となる。
【００５８】例えば、図１０においては、ハッチングに
て示したバンプの発光装置２の反射領域２ｂは、反射領
域２ａよりもバンプエッジｅ側に寄った場合を示し、一
方、ハッチングにて示したバンプの発光装置１２の反射
領域１２ｂは、反射領域１２ａよりもバンプエッジｅ側
に寄った場合を示している。この図に示すように、その
移動距離は、発光装置２の反射領域２ａの移動距離の方
がはるかに大きい。
て示したバンプの発光装置２の反射領域２ｂは、反射領
域２ａよりもバンプエッジｅ側に寄った場合を示し、一
方、ハッチングにて示したバンプの発光装置１２の反射
領域１２ｂは、反射領域１２ａよりもバンプエッジｅ側
に寄った場合を示している。この図に示すように、その
移動距離は、発光装置２の反射領域２ａの移動距離の方
がはるかに大きい。
【００５９】この実施形態では、上記のことに着目して
基準値を設定している。そして、この実施形態において
も、基準値は、発光装置１２の反射領域１２ａのエッジ
（第２測定点）と、発光装置２の反射領域２ａのエッジ
（第１測定点）との間の距離ＸＳに、さらに検出誤差Δ
ｘを加味したものである。なお、検出誤差が出るのは第
１実施形態と同様の理由による。
基準値を設定している。そして、この実施形態において
も、基準値は、発光装置１２の反射領域１２ａのエッジ
（第２測定点）と、発光装置２の反射領域２ａのエッジ
（第１測定点）との間の距離ＸＳに、さらに検出誤差Δ
ｘを加味したものである。なお、検出誤差が出るのは第
１実施形態と同様の理由による。
【００６０】従って、この実施形態でも、１回の撮像で
得られる撮像エリア内のバンプＢに対して、許容される
検出誤差範囲、すなわち、測定点間距離ＸＢが、ＸＳ−
Δｘ≦ＸＢ≦ＸＳ＋Δｘの範囲内であれば、基準バンプ
ＢＳに近い高さＨを有するバンプであるとして判定す
る。
得られる撮像エリア内のバンプＢに対して、許容される
検出誤差範囲、すなわち、測定点間距離ＸＢが、ＸＳ−
Δｘ≦ＸＢ≦ＸＳ＋Δｘの範囲内であれば、基準バンプ
ＢＳに近い高さＨを有するバンプであるとして判定す
る。
【００６１】さて、上記実施形態によれば、次の効果を
奏する。 （１） この実施形態においても、基板Ｋ上のバンプＢ
の高さを直接検出するのではなく、バンプＢに映り込ん
だ発光装置２の反射領域２ａのエッジと、バンプＢに映
り込んだ発光装置１２の反射領域１２ａのエッジとの測
定点間距離を測定し、基準バンプＢＳにおける基準値と
比較することにより、当該バンプＢの高さが適正である
か否かを判定した。この結果、複雑な計算を行うことな
く、簡単な演算にて、バンプ高さの良否を行えるため、
効率的な判定を行うことができ、第１実施形態と同様
に、例えば１０００個オーダのバンプを備えた基板Ｋで
あっても、バンプの良否処理判定を極めて短時間で行う
ことができる。
奏する。 （１） この実施形態においても、基板Ｋ上のバンプＢ
の高さを直接検出するのではなく、バンプＢに映り込ん
だ発光装置２の反射領域２ａのエッジと、バンプＢに映
り込んだ発光装置１２の反射領域１２ａのエッジとの測
定点間距離を測定し、基準バンプＢＳにおける基準値と
比較することにより、当該バンプＢの高さが適正である
か否かを判定した。この結果、複雑な計算を行うことな
く、簡単な演算にて、バンプ高さの良否を行えるため、
効率的な判定を行うことができ、第１実施形態と同様
に、例えば１０００個オーダのバンプを備えた基板Ｋで
あっても、バンプの良否処理判定を極めて短時間で行う
ことができる。
【００６２】（２） 又、この第２実施形態において
も、前記第１の実施形態の（２）と同様の効果を奏す
る。 （第３実施形態）次に第３実施形態について説明する。
も、前記第１の実施形態の（２）と同様の効果を奏す
る。 （第３実施形態）次に第３実施形態について説明する。
【００６３】この実施形態は、前記第２実施形態におい
て、一対の点光源としての発光装置２，１２の代わり
に、線光源である発光装置２２としたことのみが異なっ
ている。発光装置２２は、撮像デバイス３にて撮像され
たとき、その画像データにおいて、発光装置２２の反射
領域２２ａの長さ方向が、バンプＢの径方向に沿うよう
に配置されている。
て、一対の点光源としての発光装置２，１２の代わり
に、線光源である発光装置２２としたことのみが異なっ
ている。発光装置２２は、撮像デバイス３にて撮像され
たとき、その画像データにおいて、発光装置２２の反射
領域２２ａの長さ方向が、バンプＢの径方向に沿うよう
に配置されている。
【００６４】そして、この実施形態では、前記第２実施
形態におけるバンプ高さ良否判定処理ルーチンのステッ
プ２０Ａにおいて、第１測定点を、発光装置２２の反射
領域２２ａにおいて頂点Ｔ（中心点Ｏ）寄りの端部のエ
ッジとし、第２測定点を、同発光装置２２のバンプエッ
ジｅ寄りの端部のエッジとして検出して、その両測定点
間距離ＸＢを算出する。
形態におけるバンプ高さ良否判定処理ルーチンのステッ
プ２０Ａにおいて、第１測定点を、発光装置２２の反射
領域２２ａにおいて頂点Ｔ（中心点Ｏ）寄りの端部のエ
ッジとし、第２測定点を、同発光装置２２のバンプエッ
ジｅ寄りの端部のエッジとして検出して、その両測定点
間距離ＸＢを算出する。
【００６５】すなわち、図１３に示すように、当該バン
プＢの直径上の検査線αにおいて、原点Ｏ１（画像デー
タの検査線の始点）から発光装置２２のバンプエッジｅ
寄りの端部のエッジ迄の距離ＸＬ２と、当該バンプＢの
発光装置２の反射領域２２ａの頂点Ｔ（中心点Ｏ）寄り
の端部のエッジ迄の距離ＸＬ１との距離を算出する。そ
して、ＸＬ１−ＸＬ２との差ＸＢを算出する。
プＢの直径上の検査線αにおいて、原点Ｏ１（画像デー
タの検査線の始点）から発光装置２２のバンプエッジｅ
寄りの端部のエッジ迄の距離ＸＬ２と、当該バンプＢの
発光装置２の反射領域２２ａの頂点Ｔ（中心点Ｏ）寄り
の端部のエッジ迄の距離ＸＬ１との距離を算出する。そ
して、ＸＬ１−ＸＬ２との差ＸＢを算出する。
【００６６】なお、バンプＢに映り込んだ発光装置２２
の反射領域２２ａの検査線α上の端部のエッジ間の距離
（側定点間距離）は、バンプＢの高さＨと相関関係にあ
る。基準バンプＢＳよりも高さが低いバンプＢ２の場合
（図１４参照）、画像データにおけるバンプの発光装置
２２の反射領域２２ａの頂点Ｔ（中心点Ｏ）寄りのエッ
ジは、基準バンプＢＳのときに比較してバンプの頂点Ｔ
（中心点Ｏ）寄ったｘ２の位置となる。又、基準バンプ
ＢＳよりも高さが高いバンプＢ１の場合（図１４参
照）、画像データにおける発光装置２２の反射領域２２
ｂの頂点Ｔ（中心点Ｏ）寄りのエッジはバンプエッジｅ
に寄ったｘ１の位置となる。
の反射領域２２ａの検査線α上の端部のエッジ間の距離
（側定点間距離）は、バンプＢの高さＨと相関関係にあ
る。基準バンプＢＳよりも高さが低いバンプＢ２の場合
（図１４参照）、画像データにおけるバンプの発光装置
２２の反射領域２２ａの頂点Ｔ（中心点Ｏ）寄りのエッ
ジは、基準バンプＢＳのときに比較してバンプの頂点Ｔ
（中心点Ｏ）寄ったｘ２の位置となる。又、基準バンプ
ＢＳよりも高さが高いバンプＢ１の場合（図１４参
照）、画像データにおける発光装置２２の反射領域２２
ｂの頂点Ｔ（中心点Ｏ）寄りのエッジはバンプエッジｅ
に寄ったｘ１の位置となる。
【００６７】一方、基準バンプＢＳよりも高さが低いバ
ンプＢ２の場合（図１４参照）、画像データにおけるバ
ンプの発光装置２２の反射領域２２ａのバンプエッジｅ
寄りのエッジは、基準バンプＢＳのときに比較してバン
プエッジｅに寄った位置となる。しかし、基準バンプＢ
Ｓのときの位置から前記バンプエッジｅに寄った位置と
の距離Δｘ１は、撮像デバイス３のＣＣＤカメラが垂直
光学系で撮像しているため、（ｘ２−ｘ）＞＞Δｘ１と
なる。
ンプＢ２の場合（図１４参照）、画像データにおけるバ
ンプの発光装置２２の反射領域２２ａのバンプエッジｅ
寄りのエッジは、基準バンプＢＳのときに比較してバン
プエッジｅに寄った位置となる。しかし、基準バンプＢ
Ｓのときの位置から前記バンプエッジｅに寄った位置と
の距離Δｘ１は、撮像デバイス３のＣＣＤカメラが垂直
光学系で撮像しているため、（ｘ２−ｘ）＞＞Δｘ１と
なる。
【００６８】又、基準バンプＢＳよりも高さが高いバン
プＢ１の場合（図１４参照）、画像データにおけるバン
プの発光装置２２の反射領域２２ａのバンプエッジｅ寄
りのエッジはバンプの中心Ｏに寄った位置となる。しか
し、基準バンプＢＳのときの位置から前記バンプ中心Ｏ
に寄った位置との距離Δｘ２は、撮像デバイス３のＣＣ
Ｄカメラが垂直光学系で撮像しているため、（ｘ２−
ｘ）＞＞Δｘ２となる。
プＢ１の場合（図１４参照）、画像データにおけるバン
プの発光装置２２の反射領域２２ａのバンプエッジｅ寄
りのエッジはバンプの中心Ｏに寄った位置となる。しか
し、基準バンプＢＳのときの位置から前記バンプ中心Ｏ
に寄った位置との距離Δｘ２は、撮像デバイス３のＣＣ
Ｄカメラが垂直光学系で撮像しているため、（ｘ２−
ｘ）＞＞Δｘ２となる。
【００６９】例えば、図１３においては、ハッチングに
て示したバンプの発光装置２２の反射領域２２ｂは、反
射領域２２ａよりもバンプエッジｅ側に寄った場合を示
している。この図に示すように、反射領域２２ａの両端
のエッジの移動距離は、発光装置２の反射領域２ａの移
動距離の方がはるかに大きい。
て示したバンプの発光装置２２の反射領域２２ｂは、反
射領域２２ａよりもバンプエッジｅ側に寄った場合を示
している。この図に示すように、反射領域２２ａの両端
のエッジの移動距離は、発光装置２の反射領域２ａの移
動距離の方がはるかに大きい。
【００７０】この実施形態では、上記のことに着目して
基準値を設定している。なお、この実施形態において
も、距離ＸＳに、前記第１実施形態及び第２実施形態に
説明した理由から同様に検出誤差Δｘを加味している。
基準値を設定している。なお、この実施形態において
も、距離ＸＳに、前記第１実施形態及び第２実施形態に
説明した理由から同様に検出誤差Δｘを加味している。
【００７１】このため、この実施形態においても、前記
第２実施形態と同様の作用効果を奏する。尚、本発明の
実施形態は上記実施形態に限定されるものではなく、発
明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜に変更して次のよう
に実施することもできる。
第２実施形態と同様の作用効果を奏する。尚、本発明の
実施形態は上記実施形態に限定されるものではなく、発
明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜に変更して次のよう
に実施することもできる。
【００７２】（イ） 前記実施の形態では、ＣＣＤはエ
リアセンサであったが、ラインセンサとしてもよい。こ
の場合、ＣＣＤ或いは、基板のいずれかをＸ方向或いは
Ｙ方向に移動して撮像すればよい。そして、この場合、
その時の移動速度はＣＣＤの分解能に応じて、設定すれ
ばよい。
リアセンサであったが、ラインセンサとしてもよい。こ
の場合、ＣＣＤ或いは、基板のいずれかをＸ方向或いは
Ｙ方向に移動して撮像すればよい。そして、この場合、
その時の移動速度はＣＣＤの分解能に応じて、設定すれ
ばよい。
【００７３】（ロ） 前記実施の形態では、前記撮像手
段としてのＣＣＤは、バンプの垂直上方から撮像するよ
うにしたが、必ずしも垂直上方に配置する必要はなく、
斜め上方からでもよい。この場合、バンプの撮像データ
を垂直上方から撮像したときと、同じ撮像データとなる
ように正規化すれば、前記実施形態と同様の方法によっ
て、バンプ高さの良否判定が可能となり、その判定精度
も高くなる。
段としてのＣＣＤは、バンプの垂直上方から撮像するよ
うにしたが、必ずしも垂直上方に配置する必要はなく、
斜め上方からでもよい。この場合、バンプの撮像データ
を垂直上方から撮像したときと、同じ撮像データとなる
ように正規化すれば、前記実施形態と同様の方法によっ
て、バンプ高さの良否判定が可能となり、その判定精度
も高くなる。
【００７４】（ハ） 前記各実施形態では、撮像デバイ
スとしてエリアセンサ型のＣＣＤカメラを採用したが、
ガルバノ形式のものを採用してもよい。 （ニ） 前記各実施形態では、バンプＢに対して映り込
みさせるものとして発光装置２，１２，２２を採用した
が、必ずしも発光する必要はなく、例えば、明度の高
い、白色、銀色等の明度の高いものを配置して、バンプ
表面に映り込みさせたり、間接的に光をバンプに反射さ
せて、バンプの表面にその光を映り込みさせたりしても
よい。
スとしてエリアセンサ型のＣＣＤカメラを採用したが、
ガルバノ形式のものを採用してもよい。 （ニ） 前記各実施形態では、バンプＢに対して映り込
みさせるものとして発光装置２，１２，２２を採用した
が、必ずしも発光する必要はなく、例えば、明度の高
い、白色、銀色等の明度の高いものを配置して、バンプ
表面に映り込みさせたり、間接的に光をバンプに反射さ
せて、バンプの表面にその光を映り込みさせたりしても
よい。
【００７５】（ホ） 前記各実施形態では、ＲＯＭ及び
ＲＡＭを記憶手段としてが、ＲＯＭ単独、或いはＲＡＭ
単独にて記憶手段を構成してもよい。上記実施の形態か
ら把握される技術思想の内、請求項以外の技術思想を以
下に効果とともに記載する。
ＲＡＭを記憶手段としてが、ＲＯＭ単独、或いはＲＡＭ
単独にて記憶手段を構成してもよい。上記実施の形態か
ら把握される技術思想の内、請求項以外の技術思想を以
下に効果とともに記載する。
【００７６】（１） 請求項１乃至請求項４のいずれか
において、被測定物は、バンプに向かって発光する発光
手段であるバンプ高さ良否判定装置。こうすることによ
り、バンプ撮像データには、被測定物である発光した発
光手段の画像が得られ、発光した画像データはその周辺
の画像よりも明度が高いため、画像処理を行い易くでき
る効果がある。
において、被測定物は、バンプに向かって発光する発光
手段であるバンプ高さ良否判定装置。こうすることによ
り、バンプ撮像データには、被測定物である発光した発
光手段の画像が得られ、発光した画像データはその周辺
の画像よりも明度が高いため、画像処理を行い易くでき
る効果がある。
【００７７】（２） 請求項１又は請求項２において、
被測定物は、点光源であるバンプ高さ良否判定装置。こ
うすることにより、バンプ撮像データにおける発光手段
の反射領域の測定点が検出しやすくなる。
被測定物は、点光源であるバンプ高さ良否判定装置。こ
うすることにより、バンプ撮像データにおける発光手段
の反射領域の測定点が検出しやすくなる。
【００７８】（３） 請求項１乃至請求項４のうちのい
ずれかにおいて、撮像手段は、前記バンプに対して垂直
上方より撮像するように配置されたものであるバンプ高
さ検出装置。こうすることにより、バンプ撮像データの
画像処理において正規化が行い易くなる。
ずれかにおいて、撮像手段は、前記バンプに対して垂直
上方より撮像するように配置されたものであるバンプ高
さ検出装置。こうすることにより、バンプ撮像データの
画像処理において正規化が行い易くなる。
【００７９】（４） 請求項１乃至請求項４のうちのい
ずれかにおいて、被測定物は、前記バンプに対して、斜
め上方に配置されたものであるバンプ高さ検出装置。こ
うすることにより、得られた画像データにおける第１測
定点と第２測定点との測定間距離が長くなり、検出精度
（判定精度）を向上することができる。
ずれかにおいて、被測定物は、前記バンプに対して、斜
め上方に配置されたものであるバンプ高さ検出装置。こ
うすることにより、得られた画像データにおける第１測
定点と第２測定点との測定間距離が長くなり、検出精度
（判定精度）を向上することができる。
【００８０】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１乃至請求
項４の発明によれば、バンプに写り込みした第１測定点
と、第２測定点との両側定点間距離を算出し、その両側
定点間距離と基準バンプから得られた基準値と比較する
ことにより、バンプ高さの良否判定を効率的に、しかも
確実に行うことができる。
項４の発明によれば、バンプに写り込みした第１測定点
と、第２測定点との両側定点間距離を算出し、その両側
定点間距離と基準バンプから得られた基準値と比較する
ことにより、バンプ高さの良否判定を効率的に、しかも
確実に行うことができる。
【図１】 本発明の実施形態のバンプ高さ良否判定装置
の概略図。
の概略図。
【図２】 バンプ表面に映り込んだ光源を含むバンプの
平面図。
平面図。
【図３】 基板上に配置されたバンプの配列を示す基板
の斜視図。
の斜視図。
【図４】 同じく複数のバンプの平面図。
【図５】 基板とＣＣＤカメラとの離間距離を示す説明
図。
図。
【図６】 バンプに光源が映り込む理由の説明図。
【図７】 バンプ高さ良否判定装置が実行するバンプ高
さ良否判定のフローチャート。
さ良否判定のフローチャート。
【図８】 第２実施形態におけるバンプ高さ良否判定装
置が実行するバンプ高さ良否判定のフローチャート。
置が実行するバンプ高さ良否判定のフローチャート。
【図９】 同実施形態のバンプ高さ良否判定装置の概略
図。
図。
【図１０】 バンプ表面に映り込んだ光源を含むバンプ
の平面図。
の平面図。
【図１１】バンプに光源が映り込む理由の説明図。
【図１２】 第３実施形態のバンプ高さ良否判定装置の
概略図。
概略図。
【図１３】 バンプ表面に映り込んだ光源を含むバンプ
の平面図。
の平面図。
【図１４】 バンプに光源が映り込む理由の説明図。
１…バンプ高さ良否判定装置、２，１２，２２…発光装
置（被測定物を構成する。）、２ａ，１２ａ，２２ａ…
発光装置の反射領域、３…撮像デバイス（撮像手段を構
成する）、４…画像処理デバイス、５…コンピュータ、
６…ＣＰＵ（長さ演算手段、及び判定手段を構成す
る。）、７…ＲＯＭ、９…ＲＡＭ（ＲＯＭ７とともに記
憶手段を構成する。）。
置（被測定物を構成する。）、２ａ，１２ａ，２２ａ…
発光装置の反射領域、３…撮像デバイス（撮像手段を構
成する）、４…画像処理デバイス、５…コンピュータ、
６…ＣＰＵ（長さ演算手段、及び判定手段を構成す
る。）、７…ＲＯＭ、９…ＲＡＭ（ＲＯＭ７とともに記
憶手段を構成する。）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 G01B 11/02 G06T 1/00
Claims (4)
- 【請求項１】 バンプの表面に対して、映り込むように
配置された被測定物と、 前記バンプの表面を撮像する撮像手段と、 前記撮像手段にて得られたバンプ撮像データのうち、前
記バンプ表面に映り込んだ被測定物の反射領域を第１測
定点とするとともに、前記第１測定点からバンプの径方
向に位置する所定の測定点を第２測定点とし、第１測定
点と、第２測定点との間の測定点間距離を演算する長さ
演算手段と、 基準バンプの高さに対応した基準値を予め記憶する記憶
手段と、 前記長さ演算手段が演算した測定点間距離と、前記基準
値とを比較し、当該バンプの側定点間距離が前記基準値
を満足しない場合には、所定の信号を出力する判定手段
とを備えたことを特徴とするバンプ高さ良否判定装置。 - 【請求項２】 前記被測定物は、２個設けられており、 第１測定点は、前記バンプ撮像データのうちバンプの頂
点側に位置する一方の被測定物の反射領域を測定点とし
たものであり、第２測定点は、前記バンプ撮像データの
うち前記バンプのエッジ側に位置する他方の被測定物の
反射領域を測定点としたものである請求項１に記載のバ
ンプ高さ良否判定装置。 - 【請求項３】 前記被測定物は、バンプ表面に対してそ
の長さが映り込むように配置され、 第１測定点は、前記バンプ撮像データのうちバンプの頂
点側に位置する前記被測定物の前記所定方向における一
方の端の反射領域を測定点としたものであり、第２測定
点は、前記バンプ撮像データのうち前記バンプのエッジ
側に位置する前記被測定物の前記所定方向における他方
の端の反射領域を測定点としたものである請求項１に記
載のバンプ高さ良否判定装置。 - 【請求項４】 前記被測定物は、１個設けられており、 第２測定点は、前記バンプ撮像データのうち前記バンプ
のエッジを測定点としたものである請求項１に記載のバ
ンプ高さ良否判定装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26658097A JP3272998B2 (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | バンプ高さ良否判定装置 |
| DE69804984T DE69804984T2 (de) | 1997-09-30 | 1998-09-29 | Beurteilung einer Bump Höhe |
| PCT/JP1998/004358 WO1999017074A1 (fr) | 1997-09-30 | 1998-09-29 | Dispositif permettant de juger si la hauteur d'une protuberance est correcte ou non |
| US09/508,698 US6437355B1 (en) | 1997-09-30 | 1998-09-29 | Apparatus for judging whether bump height is proper or not |
| EP98944284A EP1020702B1 (en) | 1997-09-30 | 1998-09-29 | Judging whether bump height is proper or not |
| AU91867/98A AU9186798A (en) | 1997-09-30 | 1998-09-29 | Apparatus for judging whether bump height is proper or not |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26658097A JP3272998B2 (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | バンプ高さ良否判定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111784A JPH11111784A (ja) | 1999-04-23 |
| JP3272998B2 true JP3272998B2 (ja) | 2002-04-08 |
Family
ID=17432791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26658097A Expired - Fee Related JP3272998B2 (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | バンプ高さ良否判定装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6437355B1 (ja) |
| EP (1) | EP1020702B1 (ja) |
| JP (1) | JP3272998B2 (ja) |
| AU (1) | AU9186798A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP4795561B2 (ja) * | 2001-05-09 | 2011-10-19 | イビデン株式会社 | バンプ高さ検査方法および検査装置 |
| JP4795560B2 (ja) * | 2001-05-09 | 2011-10-19 | イビデン株式会社 | バンプ高さ検査方法および検査装置 |
| US6762426B1 (en) * | 2002-04-08 | 2004-07-13 | Ronald D. Gilliam | Threaded fastener inspection method |
| TWI558977B (zh) * | 2015-01-06 | 2016-11-21 | All Ring Tech Co Ltd | Method and apparatus for analysis of object |
| TWI758383B (zh) * | 2017-07-19 | 2022-03-21 | 日商日本電產理德股份有限公司 | 攝影裝置、凸塊檢查裝置以及攝影方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4272196A (en) * | 1979-01-12 | 1981-06-09 | Lasag S.A. | Optical sizing mask and process |
| JPS6022611A (ja) * | 1984-06-28 | 1985-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高さ測定装置 |
| JP2557960B2 (ja) * | 1988-09-19 | 1996-11-27 | 株式会社日立製作所 | 高さ測定方法 |
| JP3062293B2 (ja) | 1990-08-28 | 2000-07-10 | マツダ株式会社 | 表面欠陥検査装置 |
| JPH07120237A (ja) * | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Nichiden Mach Ltd | 画像認識装置 |
| JPH08122273A (ja) | 1994-10-25 | 1996-05-17 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の検査方法 |
| JP3509248B2 (ja) | 1995-01-18 | 2004-03-22 | 株式会社日立国際電気 | はんだバンプの高さ測定方法 |
| JP3335826B2 (ja) * | 1995-12-05 | 2002-10-21 | 株式会社日立製作所 | はんだバンプの測定装置 |
| JPH11148807A (ja) * | 1997-07-29 | 1999-06-02 | Toshiba Corp | バンプ高さ測定方法及びバンプ高さ測定装置 |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP26658097A patent/JP3272998B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1998
- 1998-09-29 EP EP98944284A patent/EP1020702B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-29 AU AU91867/98A patent/AU9186798A/en not_active Abandoned
- 1998-09-29 WO PCT/JP1998/004358 patent/WO1999017074A1/ja active IP Right Grant
- 1998-09-29 US US09/508,698 patent/US6437355B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-29 DE DE69804984T patent/DE69804984T2/de not_active Expired - Fee Related
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| EP1020702A4 (en) | 2000-12-06 |
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| AU9186798A (en) | 1999-04-23 |
| DE69804984D1 (de) | 2002-05-23 |
| WO1999017074A1 (fr) | 1999-04-08 |
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