JP3872684B2 - 磁気共鳴イメージング装置用平面型バードケージ照射コイル - Google Patents
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Description
【発明が属する技術分野】
本発明は医療用診断等に利用される磁気共鳴イメージング装置(以下MRI装置と呼ぶ)用の平面型バードケージ照射コイルの改良に関し、特にその平面型バードケージ照射コイルの回路構成の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】
MRI装置における照射コイルは、装置の一対の静磁場発生用磁石によって生成された静磁場空間に横たえられる被検体に、その静磁場方向と直交する面に沿う方向の高周波磁場を照射し、被検体の生体組織を構成する原子核のスピンを励起し核磁気共鳴を生起させるものである。そして生起された核磁気共鳴信号は受信コイルで受信され、受信された核磁気共鳴信号はフーリエ変換を施されMRI画像に再構成される。
【0003】
平面型バードケージ照射コイルは、主として水平磁場MRI装置に使われていた筒状バードケージ型照射コイルの変形であって、複数のラングで接続されているその2つのリングの中一方の径を小さくし他方のリングと同心で同一平面上に来るように配設して構成したもので、その基本的な動作、電気的特性などは、従来の円筒状バードケージ型照射コイルと同様である。即ち、平面型バードケージ照射コイルのπ/2ラジアン離れたラング上の2つの給電点A,Bに正弦波電流を給電すると2つの互いに独立した定在波が発生し、この2つの定在波から生じる磁場は互いに直交し、互いの直線偏波を合成すると、1つのコイルで回転磁場を発生することが出来るものである。
【0004】
平面型バードケージ照射コイルの各ラングには高周波磁場照射時にのみバイアス電流によってONし、受信コイルが核磁気共鳴信号を受信時はこの照射コイルが受信コイルとカプリングしないようにOFFし、照射コイルをオープンするディカプリング用ダイオードが設けられている。高周波磁場照射のため照射コイル回路を形成するため各ラング上のディカプリング用ダイオードにDCのバイアス電流を並列供給すると、それぞれのディカプリング用ダイオードにはそれぞれ長さの異なる経路を通してDCバイアス電流が供給され、さらに個々のディカプリング用ダイオードの個体差のため各ダイオードに流れるDCバイアス電流は不均一となり、このため照射の不均一および照射コイルの動作を不安定なものとする。さらにこれらDCバイアス電流が照射コイルパターン中をも流れるので不要な磁束が発生してMRI画像に大きな影響を及ぼす。
【0005】
さらに、この平面型バードケージ照射コイルの静磁場空間との反対向面側はそれぞれX、Y、Z軸方向の傾斜磁場を発生する3種のコイルを収納した傾斜磁場コイルユニットと近接して配置されているので、閉ループを形成している内外2つのリングと近接配置されている傾斜磁場コイルユニットとの、特にその中のループ状のコイルとの相互結合による干渉が生じ、このため照射コイル中の2チャンネルの照射コイルパターン間のアイソレーションが大きくずれ、両者間のアイソレーションの調整を困難にしていた。その結果、照射のための入力パワーの増大、反射波の増大を招き、照射効率を悪化させる原因となっていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、各ラング上のディカプリング用ダイオードを流れるDCのバイアス電流を均一とし、かつこれらDCバイアス電流が照射コイルパターン中に流れ込まないようなMRI装置用の平面型バードケージ照射コイルを提供することである。
【0007】
本発明のもう一つの目的は、照射コイルとそれに近接して配設される傾斜磁場コイルユニットとの相互結合による干渉を抑制し、2チャンネルの照射コイルパターンのアイソレーション調整を容易にしたMRI装置用平面型バードケージ照射コイルを提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明によるMRI装置用平面型バードケージ照射コイルにおいては、各ラングに設けられる個々のディカプリング用ダイオードが照射コイルパターンを介して電気的に接続されることがないように、2チャンネルの照射コイルパターン形成のため各ラングに設けられるコンデンサーを2分割してその間にディカプリング用ダイオードを接続してそれぞれ独立させ、これらそれぞれのディカプリング用ダイオードを直列接続したものである。
【0009】
さらに、本発明によるMRI装置用平面型バードケージ照射コイルにおいては、その内外リングにコンデンサあるいはダイオードを挿入して閉ループの形成を阻止したものである。即ち、原理的には抵抗、コンデンサ、リアクター等の回路要素を内外リングに付加してその自己共振周波数を近接する傾斜磁場コイルと干渉しない値に変更したものである。
【0010】
【発明の実態の形態】
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図1は本発明が適用される平面型バードケージ照射コイルを採用したMRI装置の磁石部分の相対的位置関係を示す斜視図である。
【0011】
上下一対の静磁場発生用の磁石10、20のそれぞれの静磁場空間側に隣接してそれぞれX、Y、Z軸コイルを収容している上下一対の傾斜磁場コイルユニット30、40が配設されている。
【0012】
上下一対の各傾斜磁場コイルユニット30、40のそれぞれの静磁場空間側に近接して、上下一対の平面型バードケージ照射コイル50、60が配設されている。上下一対の平面型バードケージ照射コイル50、60はそれぞれ静磁場空間の上半分、下半分のをカバーするに十分な強度の高周波磁場を照射するように設計されている。
【0013】
それぞれの平面型バードケージ照射コイル50、60は銅板からなる外リング51および内リング52および両者を接続している8本の導体ラング53から構成されている。このラングの本数は給電点間の角度がπ/2ラジアンとなる本数であれば良いので例えば16本、32本でもよい。
【0014】
図2は本発明平面型バードケージ照射コイルの回路図である。
各ラング53には分割された容量のほぼ等しい第1および第2のコンデンサ54、55が挿入されており、そして第1および第2のコンデンサ54、55の間にはそれぞれディカプリング用ダイオード56が挿入されており、そしてこれら各ラング53のディカプリング用ダイオード56はDCバイアス用電源端子57間に直列に接続されている。
【0015】
58は1つの照射パターン用の高周波入力端子であり、59は高周波入力端子58が接続されているラング53からπ/2ラジアン離れたラング53へのもう一つの照射パターン用高周波入力端子である。
【0016】
61、62はそれぞれ外リング51、内リング52に挿入された閉ループ化を阻止するためのコンデンサーである。被検体への高周波磁場の照射は、DCバイアス端子57に所定の電流iが給電されると8個のディカプリング用ダイオード56は同時にONされ、それと同期して高周波入力端子58、59にそれぞれ高周波電流が給電されると、静磁場の方向に直交するそれぞれの平面に高周波の回転磁場が生成照射される。この時各ディカプリング用ダイオード56に流れるDCバイアス電流はそれぞれの個体差にかかわらず均一となり、かつこのDCバイアス電流の照射コイルパターン部への流れ込みはそれぞれの第1、第2のコンデンサ54、55で阻止される。さらに外リング51、内リング52に挿入されたコンデンサ61、62によってこれら外リング51、内リング52とそれぞれ近接する傾斜磁場コイルユニット30、40中のコイルとのカプリングが抑制され各平面型バードケージ照射コイル50、60の2つの照射パターン間のアイソレーションが確保される。
【0017】
次に各ディカプリング用ダイオード56のOFFと同期して図示していない受信コイルの回路が形成され受信コイルによって先の高周波磁場の照射によって生起された核磁気共鳴信号が受信される。
【0018】
以上の説明では、外リング51、内リング52の閉ループ化を阻止するためコンデンサ61、62を採用したが、外リング、内リングの自己共振周波数を近接する傾斜磁場コイルと干渉しない値に変更出来る回路要素であればよいので、コンデンサの替りに、例えばダイオードを採用してもよい。
なおまた、以上の説明は磁石10、20の具体的なタイプについては言及しなかったが、超電導コイル磁石、常電導コイル磁石、永久磁石のいずれでもよい。
【0019】
図3は図2の実施例回路の変形例であって、直列に接続された各ディカプリング用ダイオードへのDCバイアス電流(DC動作電流)の給電用導体の配設経路を改良したものである。即ち、各ディカプリング用ダイオードのDC動作電流の流入側と流出側の導体は近接してかつ両者の電流の方向が逆となるように配置すると共に隣接する2つのディカプリング用ダイオードを接続する各渡り線とリターン導体も近接してかつ両者の電流の方向が逆となるように配設したものである。このように導体経路を配設することにより、それぞれの導体が発生する磁束はそれぞれ近接する導体によって発生される磁束によって打消されることになる。
【0020】
図4は図3の変形例回路をさらに改良した変形例であって、この回路では、照射コイル動作時各ラング上の各ディカプリング用ダイオードを直列に接続するDC動作電流給電用導体とそれらが直接接続されている各ラングを介して不必要なループが形成され、これらが照射磁場に対するノイズ磁場を発生するのを防止するため、隣接するディカプリング用ダイオード間を接続する渡り線上に照射コイルと同じ共振周波数で高インピーダンスとなる並列共振回路70をさらに挿入したものである。この並列共振回路70の導入により、照射コイル動作時、DC動作電流給電用導体は高周波照射電流が流れる不必要なループの形成は阻止しつつディカプリング用ダイオードには必要なDC動作電流を流すことが出来る。
【0021】
なお、上記の図3、図4の変形例では2個所の照射用高周波電流の入力端子の表示は省略してある。
【0022】
【発明の効果】
本発明によって、MRI装置用平面型バードケージ照射コイルの動作を安定化し、MRI画像の画質への悪影響を除去し、照射コイルパターン間のアイソレーション調整を容易にし、かつ照射効率の向上を図れた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のMRI装置用平面型バードケージ照射コイルが適用されるMRI装置の磁石部分の相対的位置関係を示す傾斜図。
【図2】本発明のMRI装置用平面型バードケージ照射コイルの一実施例の回路図。
【図3】図2の実施例回路の変形例。
【図4】図3の変形例回路の変形例。
【符号の説明】
10、20 静磁場発生用磁石
30、40 傾斜磁場コイルユニット
50、60 平面型バードケージ照射コイル
51 外リング
52 内リング
53 ラング
54、55 第1、第2コンデンサ
56 ディカプリング用ダイオード
57 DCバイアス電流入力端子
58,59 照射パターン用高周波入力端子
61、62 閉ループ化阻止コンデンサ
70 並列共振回路
Claims (5)
- その間に静磁場空間を画成する一対の静磁場発生用磁石、それぞれの静磁場空間側に隣接して配設された一対の傾斜磁場コイルユニットおよび上記一対の傾斜磁場コイルユニットのそれぞれの静磁場空間側に近接して配設された一対の平面型バードケージ照射コイルを有し、上記平面型バードケージ照射コイルは外リング、上記外リングと同心でかつ同一平面に配設された内リングおよび上記外リングおよび内リングを接続している複数のラングから構成されている磁気共鳴イメージング装置において、
上記平面型バードケージ照射コイルは、上記各ラング上に第1および第2のコンデンサがそれぞれ直列に接続されており、上記それぞれの第1および第2のコンデンサ間にはディカプリング用ダイオードが接続されており、さらに各ラングのディカプリング用ダイオードを相互に直列に接続する渡り線導体を有し、
上記直列接続されたディカプリング用ダイオードは、上記照射コイルによる高周波磁場の照射時にはDCバイアス電流が供給されてON状態とされ、核磁気共鳴信号の受信時にはDCバイアス電流の供給が止められてOFF状態とされることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。 - 上記外リング、内リングにはそれぞれの閉ループ化を阻止する回路要素が接続されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気共鳴イメージング装置。
- 上記回路要素はコンデンサであることを特徴とする請求項2に記載の磁気共鳴イメージング装置。
- 上記直列に接続された各ディカプリング用ダイオードへのDCバイアス電流流入側導体と流出側導体は近接してかつ両者の電流の方向が逆となるように配設されると共に隣接するディカプリング用ダイオードを接続する各渡り線導体とリターン導体も近接してかつ両者の電流の方向が逆となるように配設されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気共鳴イメージング装置。
- 上記渡り線導体部分には上記平面型バードケージ照射コイルの共振周波数近傍の周波数で高インピーダンスを示す並列共振回路が挿入されていることを特徴とする請求項4に記載の磁気共鳴イメージング装置。
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