JP3866736B2 - 半導体装置及びこれを含む光ピックアップ光学系ユニット及びこれを含む光ピックアップ装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置に関し、特に光ディスク等に記録された信号の読み取りを行う光ピックアップ装置の光源として用いられる半導体レーザーに高周波電流を供給する高周波電流重畳回路を備えた半導体装置に関する。

ＣＤーＲＯＭ等の光ディスク装置は、コンピュータやＣＤディスク等の民生機器の外部記憶装置として広く用いられおり、特に、次世代のオーディオ機器として注目されているＤＶＤ（Ｄigital Ｖideo Ｄisk ） 装置の開発・改良に伴って、より一層の小型・軽量化が要望されている。

光ディスク装置の構成要素のうち、光ディスクに記録された信号の読み取りを行う光ピックアップ装置は、ホログラム素子、半導体レーザ、光検出器を含むため、容積・重量ともに大きな比重を占めている。このため、光ディスク装置の小型・軽量化は、光ピックアップ装置に依存するところが大きく、従来この装置について様々な改良がなされてきた。

例えば、特開平３−２６９８３５記載のように、光検出器を光路中に配設することにより、ユニット内部の部品点数を削減し、光ピックアップ装置の小型化を図るものもある。

半導体レーザには、光ピックアップ装置に使用される場合、いわゆる戻り光ノイズが発生するという不具合がある。これは、半導体レーザから光ディスクの盤面に向け出射された光のうち、盤面で反射された光の一部が半導体レーザに戻り、ノイズを発生させるという現象である。この問題を解消するため、レーザ駆動電流に対して１００ＭＨｚ以上の周波数を有し２０ｍＡ以上の大きさの高周波電流を重畳する方法がある。この高周波重畳電流を供給する回路は、光ピックアップ装置の小型化を図るためにも、半導体レーザの近傍に配設するのが好ましい。しかしながら、一般的に、高周波重畳回路の電源電圧は５Ｖであり、その消費電力は１００ｍＷ以上に及ぶため、相当程度の熱を発生させる。一方、半導体レーザは高温の環境下では、発光特性が劣化し、特に、摂氏７０℃以上になると発光しなくなるという性質を有する。このため、従来は、高周波電流重畳回路を半導体レーザの近接に配置することが不可能であった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、消費電力が小さく、発熱量の少ない高周波電流重畳回路を備えた半導体装置及びこれを含む光ピックアップ光学系ユニット及びこれを含む光ピックアップ装置を提供することにある。

本発明は、以下の手段により上記課題の解決を図る。

即ち、本発明によれば、
高周波電流を発生する高周波電流発生回路とパワーセーブ回路とを備え、
半導体レーザの光量を制御する光量制御回路から出力された制御電流に前記高周波電流発生回路から出力された前記高周波電流を重畳して前記半導体レーザに直接供給することにより、半導体レーザの戻り光に起因するノイズを低減する半導体装置において、
前記パワーセーブ回路は、前記半導体レーザの動作電圧を監視して、半導体レーザの停止モードを判定して前記高周波電流発生回路を停止することを特徴とする半導体装置が提供される。

また、本発明によれば、
光学式記録媒体にレーザ光を出射する半導体レーザと、
前記半導体レーザの光量を制御する光量制御回路と、
高周波電流を発生する高周波電流発生回路とパワーセーブ回路とを備える半導体装置であって、前記光量制御回路から出力された制御電流に前記高周波電流発生回路から出力された前記高周波電流を重畳して前記半導体レーザに直接供給することにより、半導体レーザの戻り光に起因するノイズを低減し、前記パワーセーブ回路が、前記半導体レーザの動作電圧を監視して、半導体レーザの停止モードを判定して前記高周波電流発生回路を停止する半導体装置と、
前記半導体レーザの出射光量を検知して前記光量制御回路に制御信号を供給する受光素子と、
を備えた光ピックアップ光学系ユニットが提供される。

さらに、本発明によれば、
上述した本発明に係る光ピックアップ光学系ユニットと、
前記半導体レーザの出射光と前記光学式記録媒体からの反射光を分光する偏向プリズムと、
前記偏向プリズムで分光された前記出射光を前記光学式記録媒体の基盤に収束させる対物レンズと、
前記対物レンズを駆動してフォーカスあわせとトラックあわせを行うアクチュエータと、を備えたことを特徴とする光ピックアップ装置が提供される。

以上詳述したとおり、本発明は以下の効果を奏する。

即ち、本発明（請求項１）によれば、
半導体レーザの光量を制御する光量制御回路と、半導体レーザの戻り光に起因する雑音を低減させる高周波電流発生回路とを備えた半導体装置において、高周波電流を出力する電流増幅素子は、そのバイアス電圧の電圧レベルが半導体レーザの動作電圧に基づいて制御され、光量制御回路からの駆動電流により高周波電流を生成するため、装置の消費電力が少なく発熱量が小さいので、半導体レーザに近接配置できる半導体装置が提供される。

また、本発明（請求項２ないし５）によれば、
半導体レーザの動作電圧に基づいて、高周波電流発生回路の発振信号の周波数と同一周波数のバイアス電圧を電流増幅素子に与えるセルフバイアス回路を備えているので、半導体レーザの光量制御回路の動作中は安定して作動するとともに、発振回路のＯＮ・ＯＦＦによっても半導体レーザの駆動系に影響を及ぼさない高周波電流発生回路を備えた信頼性の高い半導体装置が提供される。

また、本発明（請求項６）によれば、
上記発振回路の発振周波数は、外部に備えられた第２の抵抗の抵抗値に基づき出力電流値が決定される第１の電流変換回路から供給される電流により制御されるようになっているので、発振周波数の設定・変更が容易な高周波電流発生回路を備えた半導体装置が提供される。

また、本発明（請求項７）によれば、
外部に備えられた第３の抵抗の抵抗値に基づき出力電流値が決定される第２の電流変換回路から供給される電流に基づいて前記発振回路の発振信号の振幅を制御するレベル調整回路が備えられているので、発振信号の振幅を容易に設定・変更できる高周波電流発生回路を備えた半導体装置が提供される。

また、本発明（請求項８）によれば、
上記第２の電流変換回路は、前記レベル調整回路に供給する電流と逆位相の電流を生成してバイアス制御回路を介して前記セルフバイアス回路にバイアス電流を供給するので、発振信号のレベルに最適の直流バイアス電流が出力トランジスタのベースに供給され、発振信号に応じた高周波電流を半導体レーザに供給する半導体装置が提供される。

また、本発明（請求項９）によれば、
上記高周波電流発生回路は、半導体レーザの動作電圧を監視して、半導体レーザの停止モードを判定して発振を停止することにより消費電流を抑止するパワーセーブ回路を備えているので、上述の効果に加え、さらに小電力で発熱量の小さい半導体装置が提供される。

また、本発明（請求項１０）によれば、
上記効果を有する半導体装置を備えているので、電力消費の小さい小型でかつ軽量の光ピックアップ光学系ユニットが提供される。

また、本発明（請求項１１）によれば、
上記効果を有する光ピックアップ光学系ユニットを備えているので、電力消費の小さい小型でかつ軽量の光ピックアップ装置が提供される。

以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態のいくつかについて説明する。

図２は、本発明の第１の実施の形態にかかる半導体回路を示す構成図である。

なお、以下の各図において、図２に対応する部分には同一の符号を付す。

同図に示す半導体回路は、光学部８０、光量制御回路（以下、単にＡＰＣと称する。）６０、フィルタ回路７０、抵抗５４及び高周波電流発生回路５０を備えている。

光学部８０は、ＤＶＤ等の光学式情報媒体にレーザ光を照射する半導体レーザ８２と該半導体レーザ８２の光を検知してモニタ電流を発生させるフォトダイオード等の受光素子８１を備えている。

抵抗５４は、受光素子８１から供給されるモニタ電流により発生する端子電圧をＡＰＣ８０に供給する。

ＡＰＣ８０は、半導体レーザ８２に駆動電流を供給するとともに抵抗５４の端子電圧を受け該駆動電流を所望の値に制御する。

フィルタ回路７０は、半導体レーザへ高周波電流が流れるようにＡＰＣ６０の方への高周波電流の漏れを最小にする。。

ＡＰＣ６０の出力端子は、フィルタ回路７０を介して光学部８０の半導体レーザ８２のアノードに結線され、半導体レーザ８２のカソードは接地されている。

光学部８０の光検出器８１はアノードが半導体レーザ８２のカソードに接続され、カソードはＡＰＣ６０の入力端子と抵抗５４に接続されており、抵抗５４の他端は接地されている。また、高周波電流発生回路５０の出力端子は、光学部８０の半導体レーザ８２のアノードに接続され、またフィルタ回路７０を介してＡＰＣ８０の出力端子に接続されている。

フィルタ回路７０は、インダクタ７７とキャパシタ７６を備え、キャパシタ７６は、一端がインダクタ７７とＡＰＣ６０との間に接続され、他端は接地されている。

また、高周波電流発生回路５０は、発振回路５６、セルフバイアス回路９０及び出力トランジスタ５２を備え、出力トランジスタ５２のエミッタと接地端子との間には、エミッタ抵抗５３が接続されている。

発振回路５６は、カップリングキャパシタ５５を介して出力トランジスタ５２のベースに接続され、カップリングキャパシタ５５とセルフバイアス回路９０とともに、発振出力に含まれる低周波ノイズ成分を除去する高域通過フィルタ（ＨＰＦ：Ｈigh Ｐass Ｆilter ）を構成する。セルフバイアス回路９０は、一端がカップリングキャパシタ５５と出力トランジスタ５２のベースに接続され、他の一端が出力トランジスタ５２のエミッタとエミッタ抵抗５３に接続され、さらに他の一端が出力トランジスタ５２のコレクタ及び外部端子に接続されている。

この半導体回路の動作は、以下の通りである。

ＡＰＣ６０から出力される駆動電流は、フィルタ回路７０を介して半導体レーザ８２と高周波電流発生回路５０に供給され、半導体レーザ８２は、この駆動電流によりレーザ光を出射する。光検出器８１は、半導体レーザ８２のレーザ光を受光して出力強度のモニタ電流を出力し、抵抗５４に供給する。モニタ電流により抵抗５４に発生する端子電圧は、ＡＰＣ６０にフィードバックされ、この端子電圧により、ＡＰＣ６０は、駆動電流を制御し、光学部８０の半導体レーザ８２に供給する。この動作を繰り返すことにより最適な大きさの駆動電流が半導体レーザ８２に供給される。

一方、発振回路５６で発生した発振出力は、カップリングキャパシタ５５とセルフバイアス回路９０で構成されるＨＰＦにより低周波ノイズ成分が除去されるとともにＤＣ的に絶縁され、発振成分のみが出力トランジスタ５２のベースに供給される。このカップリングキャパシタ５５の静電容量としては、１０ｐＦ以下が望ましい。出力トランジスタ５２によって増幅された高周波電流は、コレクタから出力され、光学部８０の半導体レーザ８２に供給される。

本発明にかかる高周波重畳回路において特徴的な点は、セルフバイアス回路９０が半導体レーザ８２の動作電圧により出力トランジスタ５２のバイアス電圧を生成し、ＡＰＣ６０からの駆動電流により高周波電流を生成している点である。

即ち、図２に示すように、出力トランジスタ５２のベースバイアス電圧は、半導体レーザ８２の動作電圧によりセルフバイアス回路にて自動設定される。この方式により出力トランジスタ５２は、独自のバイアス電源を必要としなくなるばかりか、出力トランジスタ５２の高周波電流を歪ませないために必要なバイアス出力電流（平均出力電流）をＡＰＣ６０から得るため出力トランジスタ５２の周辺回路の消費電力は、半導体レーザの動作電圧が通常２．３Ｖ程度であることから、バイアス電流を１０ｍＡ（高周波電流は２０ｍＡ ｐ−ｐ）として ２３ｍＷとなり従来の半分以下と大幅に節電され、高温による半導体レーザの発光不良を招くことはない。これにより、高周波電流発生回路５０を半導体レーザ８２に近接して配設することが可能となり、ＥＭＩ（電磁妨害：Ｅlectro Ｍagnetic Ｉnterference ）が容易となるばかりか放熱部材を少なくでき、光ピックアップ装置の小型・軽量化が可能になる。

図３は、このような消費電力の小さい高周波電流発生回路を実現するセルフバイアス回路９０の具体的な構成を含む本発明にかかる半導体装置の実施の一形態を示す回路図である。なお、発振回路、カップリングキャパシタ、出力トランジスタは、図２と同じなので、同一部分には同一の符号を付してその説明は省略する。

この高周波電流発生回路５１において特徴的なセルフバイアス回路１００は、出力トランジスタ５２のバイアスを調整するバイアス調整トランジスタ９１、キャパシタ９２及び抵抗９３にないし９５を備えている。

バイアス調整トランジスタ９１のベースは、抵抗９５を介して出力トランジスタ５２のコレクタ並びに外部回路のＡＰＣ８０及びレーザ８２への外部端子５８へ接続され、抵抗９３を介して出力トランジスタ５２のエミッタ及びエミッタ抵抗５３へ接続され、さらに、キャパシタ９２を介して出力トランジスタ５２とバイアス調整トランジスタ９１のエミッタ共通線により接地されている。

また、バイアス調整トランジスタ９１のコレクタは、出力トランジスタ５２のベースへ接続され、また抵抗９４を介して出力トランジスタ５２のコレクタ及び外部端子５８へ接続され、さらに、カップリングキャパシタ５５を介して発振回路５６へ接続されている。

このセルフバイアス回路１００の動作は次の通りである。

いま、半導体レーザ８２（図２参照）の動作電圧、即ち、出力端子５８の端子電圧が大きくなると、出力トランジスタ５２のベース電圧（ａ点）が上昇することになるが、バイアス調整出力トランジスタ９１のベース電圧（ｂ点）もともに上昇するため、バイアス調整出力トランジスタ９１のコレクタ電流が増加してａ点の電圧上昇が抑制され、もとのバイアス電圧に回復する。また、出力端子５８の端子電圧が小さくなった場合は、上述の動作と逆の動作により、出力トランジスタ５２のベース電圧（ａ点）が下降するとともに、バイアス調整出力トランジスタ９１のベース電圧（ｂ点）も下降するため、バイアス調整出力トランジスタ９１のコレクタ電流が減少してａ点の電圧下降が抑制され、もとのバイアス電圧に回復する。

また、通常各トランジスタは、温度上昇とともにコレクタ電流が増加する温度特性を持つが、バイアス調整出力トランジスタ９１のコレクタ電流の増加は、出力トランジスタ５２のベース電圧を低下させるため、温度上昇とともに出力電流が増加することが防止される。逆にトランジスタ９１とトランジスタ５２の面積比及びトランジスタ９１のエミッタ側への挿入抵抗値の調整により出力電流の温度特性を任意に調整することができる。図３に示すように、トランジスタ９１のエミッタ側の抵抗を除去しておくことにより高温時の消費電力が低下し、温度が上昇すると出力電流が減少するという効果が得られる。

従って、ＡＰＣ６０の駆動電流が増減しても、このセルフバイアス回路１００があるために、高周波電流発生回路から出力される高周波電流とバイアス電流は変化することなく、ＡＰＣ６０及び半導体レーザ８２には何らの影響も及ぼさない。

このように、出力トランジスタ５２は、ＡＰＣ６０が動作している間は常にその出力電流で安定して動作することが可能である。また、発振回路５６側の電源のＯＮ・ＯＦＦによっても影響を受けない。

次に、本発明の第２の実施の形態である半導体装置に含まれる高周波電流発生回路を図４を参照しながら説明する。

図４に示す回路は、入力電流により発振周波数を調整できる電圧制御発振回路１２０、該電圧制御発振回路１２０に制御電流を供給する電流変換回路１３０、入力電流により発振信号の振幅を調整できるレベル調整回路１４０、該レベル調整回路１４０に制御電流を供給するとともに該制御電流と逆位相の電流を生成してバイアス制御回路１６０を介してセルフバイアス回路１７０に供給する電流変換回路１５０、出力トランジスタ５２、および出力トランジスタ５２のエミッタ抵抗５３とを備えている。セルフバイアス回路１７０の構成は、バイアス制御回路１６０と接続されている点を除いて図３に示す高周波電流発生回路５１のセルフバイアス回路１００と同一である。

電圧制御発振回路１２０は、レベル調整回路１４０及びカップリングキャパシタ５５を介してセルフバイアス回路１７０に接続されている。電流変換回路１３０は、一端が電圧制御発振回路１２０に接続され、他端が外部抵抗１７５に接続されている。また、電流変換回路１５０は、一端がレベル調整回路１４０に接続され、他の一端がバイアス制御回路１６０を介してセルフバイアス回路１７０のバイアス調整トランジスタ９１のベースに接続され、さらに他の一端が外部抵抗１８０に接続されている。また、外部抵抗１７５及び１８０はいずれも高周波電流発生回路１１０に接続される端子と反対側の端子で接地されている。

図４に示す高周波電流発生回路１１０の動作は、以下の通りである。

電流変換回路１３０は、外付抵抗１７５の値に基づいて発振周波数設定電流を生成し、電圧制御発振回路１２０に供給する。電圧制御発振回路１２０は、このように設定された発振周波数を有する信号をレベル調整回路１４０へ供給する。

また、電流変換回路１５０は、外付抵抗１８０の値に基づいて発生電流の振幅を設定する電流を生成し、レベル調整回路１４０へ供給する。レベル調整回路１４０は、電流変換回路１５０から供給された電流に基づいて設定された振幅まで発振周波数の信号を増幅させて、セルフバイアス回路１７０へ供給する。

さらに、電流変換回路１５０は、レベル調整回路１４０へ供給する電流と逆位相の電流を生成し、バイアス制御回路１６０を介してセルフバイアス回路１７０のバイアス調整トランジスタ９１のベースへ供給する。このような構成を採用することにより、セルフバイアス回路１７０は、レベル調整回路１４０により供給された発生電流のレベルに最適の直流バイアス電流を出力トランジスタ５２のベースに供給する。このようにして出力トランジスタ５２は、入力された高周波電流の振幅レベルに応じた高周波電流を半導体レーザに供給する。

図４に示す高周波電流発生回路においては、電流変換器１３０及び１５０の生成電流値が回路の外部に配設された抵抗１７５、１８０により決定されるため、出力する高周波電流の周波数が回路の温度上昇による影響を受けないので、安定した高周波電流を半導体レーザに供給することができる。また、抵抗１７５、１８０が外部に配設されるので、抵抗値を容易に変更することが可能となり、ユーザにおいて所望の周波数及び振幅レベルを有する高周波電流を得ることができる。

次に、本発明の第３の実施の形態について図１を参照しながら説明する。

図１は、本発明の第３の実施の形態にかかる半導体装置に含まれる高周波電流発生回路２１０と半導体レーザ駆動系２２０を示した回路図である。

図１に示す高周波電流発生回路２１０は、図４に示す高周波電流発生回路１１０と基準電源１９０と該基準電源１９０に基づいて内部回路のＯＮ、ＯＦＦを行うパワーセーブ回路２００とを備えている。基準電源１９０は、パワーセーブ回路２００に接続され、また、パワーセーブ回路２００は、一端が出力部バイアス回路１７０及び出力トランジスタ５２のコレクタを介して半導体レーザ駆動系２２０の半導体レーザ８２に接続され、他端が電圧制御発振回路１２０及びレベル調整回路１４０に接続されている。

パワーセーブ回路２００は、半導体レーザ８２の端子電圧を検知して基準電源１９０の電圧と比較し、高周波電流発生回路２１０のＯＮ、ＯＦＦの操作を行う。即ち、半導体レーザ８２の端子電圧が基準電源１９０の電圧を下回る場合は、高周波電流発生回路２１０をＯＦＦとし、また、基準電源１９０の電圧以上になった場合には、高周波電流発生回路２１０をＯＮする。例えば、発光時の半導体レーザ８２の端子電圧が２Ｖ以上である場合に、基準電源１９０の基準電圧を１Ｖと設定しておけば、半導体レーザ８２が発光しないときは、その端子電圧は、１Ｖを下回るため、パワーセーブ回路２００により、高周波電流発生回路２１０がＯＦＦとなる。半導体レーザ８２が発光すると、その端子電圧は１Ｖ以上になるので、高周波電流発生回路２１０がＯＮとなり、高周波電流がＡＰＣ６０による駆動電流に重畳されて半導体レーザ８２のアノードに供給される。

このように、図１に示す高周波電流発生回路２１０は、半導体レーザ８２の端子電圧を監視して回路のＯＮ、ＯＦＦの切換を行うパワーセーブ回路２００を備えているため、半導体レーザ８２が発光していないときには高周波電流発生回路２１０がＯＦＦとなり、不要な電力の消費を抑止することができる。従って、高周波電流発生回路２１０の発熱量が大幅に削減され、高周波電流発生集積回路を含む半導体装置を用いた光ピックアップ光学系ユニット及び光ピックアップ装置の小型化・軽量化を促進することができる。

次に、本発明の第４の実施の形態について図５を参照して説明する。

図５は、本発明にかかる高周波電流重畳集積回路と半導体レーザ駆動系を具体化した光ピックアップ光学系ユニット３４０の内部を示す斜視図である。

図５に示すとおり、半導体レーザ３００、光検出器３０１、高周波電流発生集積回路３１０及びフィルタ回路のＬＣフィルタ素子３１３、３１４がセラミック基板３３０上に一体化して配設され、ボンディングにより配線されている。

図５に示す光ピックアップユニット３４０は、本発明にかかる高周波電流発生集積回路３１０を備えているため、消費電力が極めて低く、半導体レーザの温度上昇を防止できるので、極めて小型かつ軽量の光ピックアップ光学系ユニット３４０が提供される。

次に、本発明の第５の実施の形態について図６を参照しながら説明する。

図６は、本発明にかかる光ピックアップ装置４００の実施の一形態の内部を示す斜視図である。

図６に示す光ピックアップ装置４００は、光学系ユニット３４Ｏ、偏光プリズム３５０、対物レンズ３６０及びアクチュエータ３８０を備えている。

光学系ユニット３４０の半導体レーザ３００（図５参照）から出射したレーザ光は、偏光ホログラム素子３３４を透過して偏光プリズム３５０により出射方向を変更され、対物レンズ３６０を経てＤＶＤに照射される。

ＤＶＤからの反射光は、出射光と同一の経路をたどって、偏光ホログラム素子に入射し、４チャネルフォトダイオード３０２（図５参照）により焦点位置・トラック位置のチェックがされ、別途設けられるＣＰＵ（図示せず）が行う所定の演算結果に基づきアクチュエータ３８０が各レンズの位置調整を行う。

このようにして、フォーカス調整・トラッキング調整を終えた後、ディスクのピットに記録された情報の光信号が４チャネルフォトダイオード３０２に照射して光電変換され、増幅等の信号処理を経て、パーソナルコンピュータやＤＶＤデッキ本体に出力される。

本発明にかかる光ピックアップ装置４００は、図１に示す高周波電流発生回路２１０を用いた光ピックアップ光学系ユニット３４０を使用しているので、消費電力が極めて低く、小型でかつ軽量の光ピックアップ装置が提供される。

以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記の実施の形態に限るものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。上記実施の形態では、電流増幅素子としてＮＰＮトランジスタを用いたが、ＰＮＰトランジスタを使用しても実施できるのは勿論であり、またＭＯＳを使用してもよい。さらに、材料・形状等も仕様に応じて変更することができる。

本発明の第３の実施の形態にかかる高周波電流発生回路２１０と半導体レーザ駆動系２２０を示した回路図である。 本発明の第１の実施の形態にかかる半導体装置の回路図である。 図１に示す半導体装置に含まれるセルフバイアス回路９０の具体的な構成を含む回路図である。 本発明の第２の実施の形態である半導体装置に含まれる高周波電流発生集積回路を示す回路図である。 本発明の第４の実施の形態にかかる光ピックアップ光学系ユニット３４０の内部を示す斜視図である。 本発明の第５の実施の形態にかかる光ピックアップ装置４００の実施の一形態の内部を示す斜視図である。

符号の説明

５０、５１、１１０、２１０、３１０ 高周波電流発生回路
５２ 出力トランジスタ
５３ エミッタ抵抗
５４、９３〜９５ 抵抗
５５ カップリングキャパシタ
５６ 発振回路
５８ 出力端子
６０ 光量制御回路
７０ フィルタ回路
７６、９２、２０６、３１４ キャパシタ
７７、２０５、３１３ インダクタ
８０ 光学部
８１ 受光素子
８２、３００ 半導体レーザ
９０、１００、１７０ セルフバイアス回路
９１ バイアス調整トランジスタ
１２０ 電圧制御発振回路
１３０、１５０ 電流変換回路
１４０ レベル調整回路
１６０ バイアス制御回路
１７５、１８０ 外付抵抗
１９０ 基準電源
２００ パワーセーブ回路
２２０ 半導体レーザ駆動系
３０１ 光検出器
３０２ ４チャネルフォトダイオード
３３０ セラミック基板
３３４ 偏光ホログラム素子
３４０ 光ピックアップ光学系ユニット
３５０ 偏光プリズム
３６０ 対物レンズ
３８０ アクチュエータ
４００ 光ピックアップ装置

Claims (3)

1. 高周波電流を発生する高周波電流発生回路とパワーセーブ回路とを備え、
   半導体レーザの光量を制御する光量制御回路から出力された制御電流に前記高周波電流発生回路から出力された前記高周波電流を重畳して前記半導体レーザに直接供給することにより、半導体レーザの戻り光に起因するノイズを低減する半導体装置において、
   前記パワーセーブ回路は、前記半導体レーザの動作電圧を監視して、半導体レーザの停止モードを判定して前記高周波電流発生回路を停止することを特徴とする半導体装置。
2. 光学式記録媒体にレーザ光を出射する半導体レーザと、
   前記半導体レーザの光量を制御する光量制御回路と、
   高周波電流を発生する高周波電流発生回路とパワーセーブ回路とを備える半導体装置であって、前記光量制御回路から出力された制御電流に前記高周波電流発生回路から出力された前記高周波電流を重畳して前記半導体レーザに直接供給することにより、半導体レーザの戻り光に起因するノイズを低減し、前記パワーセーブ回路が、前記半導体レーザの動作電圧を監視して、半導体レーザの停止モードを判定して前記高周波電流発生回路を停止する半導体装置と、
   前記半導体レーザの出射光量を検知して前記光量制御回路に制御信号を供給する受光素子と、
   を備えた光ピックアップ光学系ユニット。
3. 請求項２に記載の光ピックアップ光学系ユニットと、
   前記半導体レーザの出射光と前記光学式記録媒体からの反射光を分光する偏向プリズムと、
   前記偏向プリズムで分光された前記出射光を前記光学式記録媒体の基盤に収束させる対物レンズと、
   前記対物レンズを駆動してフォーカスあわせとトラックあわせを行うアクチュエータと、を備えたことを特徴とする光ピックアップ装置。

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