JP3863781B2 - 三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は低電圧電界放出物質のカーボンナノチューブを利用した電界放出アレイの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、電界放出表示素子(フィールドエミッションディスプレイ)としては、主にMo等の金属やSi等の半導体物質を素材としたスピント(Spindt)型電界放出アレイ(field emitter array:FEA)が使われている。これは一定の間隔で配列させたチップにゲートから強い電場を印加することによってチップから電子を放出させる方式のマイクロチップFEDである。マイクロチップFEDの場合には高価な半導体設備を必要とし、広い面積の電界放出表示素子の製造に難点がある。
【0003】
金属や半導体で形成されたチップの場合には仕事関数が大きいために電子放出のためのゲート電圧が相対的にかなり高い。したがって、電子放出時に真空中の残留ガス粒子が電子と衝突してイオン化し、これらガスイオンがマイクロチップと衝突しつつ衝撃を与えて電子放出源を破壊させる。また、このような電子が蛍光体層に衝突し、蛍光体粒子が落ちればマイクロチップを汚すようになるので電子放出源の性能を低下させ、結果的にFEAの性能と寿命を低下させる。
【0004】
最近、新しい電界放出物質としてカーボンナノチューブが登場したことで、電子放出用チップとして金属チップなどを使用する代わりにカーボンナノチューブを使用する研究が試みられている。カーボンナノチューブは、アスペクト比が大きく、非常に優れた導電性を示す、安定した機械的特性を有する物質である。このような特性ゆえに、現在、多くの研究団体でカーボンナノチューブを電界放出物質として採用してより優れた電界放出素子を製造する方法の開発が進められている。このようなカーボンナノチューブは、電子放出電界が約2V/μmであって非常に低く、また化学的安定性に優れているので、電界放出表示素子の製造に適している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
カーボンナノチューブを採用した二極管構造の電界放出素子の場合、従来の典型的な構造で容易に製造できる。しかし、放出電流の制御及び、動画像または多階調画像の実現に問題点がある。したがって、二極管構造の代わりに三極管構造が要求される。カーボンナノチューブを利用した電界放出表示素子に関する特許として、たとえばXu等(Xu et al.)の発明になる米国特許第5,973,444号があるが、そこではCVD法(化学蒸着法)によるカーボンナノチューブの成長に基づいて三極管構造及びマイクロチップの全工程が薄膜工程を通じて形成される。このように三極管構造を製造する場合、高価な半導体設備が必要となり、また広い面積の表示素子を製造するのは困難である。
【0006】
既存の厚膜工程を採用した場合、厚膜工程が有する解像度の限界により、典型的な三極管構造を形成させ難いという問題点がある。また、広い面積の表示素子製造時に、厚膜の特性上、高温のアニール工程を経なければならないために、多層膜形成時に層間整列が難しいという問題点がある。
【0007】
本発明では上記問題点を解決するために、感光性厚膜物質を使用してスクリーンプリンティングで全面を塗布し、エッチング工程を通じて三極管構造を製造するが、少数のマスク層を使用して多層膜の層間アライン問題を同時に解決できるカーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明では、(a)透明電極を成膜した透明基板上部に導電性薄膜層を形成するとともに、上記透明電極の所定部位を露出させる段階と、(b)上記透明電極の露出した所定部位に不透明薄膜層を形成する段階と、(c)上記透明基板上面部を絶縁物質で全面被覆し、上記導電性薄膜層及び不透明薄膜層上面部の絶縁物質を除去して絶縁層を形成する段階と、(d)上記絶縁層上部にゲート層を形成する段階と、(e)上記不透明薄膜層を除去した後、上記露出した透明電極上部にカーボンナノチューブチップを形成する段階と、を有し、上記(e)段階は、感光性カーボンナノチューブペーストを上記透明基板上部の全面に塗布する段階と、上記透明基板に対して背面露光を実施して上記透明電極上部のみにカーボンナノチューブチップを形成する段階とよりなることを特徴とする三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法を提供する。
【0009】
本発明において、上記(a)段階は、上記透明基板の透明電極をパターニングしてストライプ状に形成する段階と、上記パターニングされた透明電極上部に導電性薄膜層を形成する段階と、上記導電性薄膜層の所定部位に上記透明電極を露出させるホールを形成する段階とよりなることが望ましい。あるいは、上記(a)段階は、透明電極層を形成した透明基板上部に導電性薄膜層を形成する段階と、上記導電性薄膜層及び透明電極層を同時にパターニングしてストライプ状に形成する段階と、上記導電性薄膜層の所定部位に上記透明電極を露出させるホールを形成する段階とよりなることが望ましい。
【0010】
本発明において、上記(c)段階は、上記透明基板上面部を絶縁物質で全面被覆した後、上記透明基板に対して背面露光を実施することによってなることが望ましい。
【0011】
本発明において、上記(c)段階は、上記透明基板上面部を上記絶縁物質でプリンティング工程により全面被覆して、乾燥する段階と、上記背面露光及び現像工程により上記導電性薄膜層及び不透明薄膜層上部の絶縁物質を除去する段階と、上記残存した絶縁物質を焼結する段階とを2回以上反復することによって上記絶縁層を形成することが望ましい。
【0012】
上記(d)段階は、陰極ゲートパターンスクリーンマスクを使用して上記絶縁層の中央上部領域に不透明絶縁層を形成する段階と、導電性感光ペーストを上記透明基板上部の全面に塗布する段階と、上記透明基板に対して背面露光を実施してゲート層を形成する段階とよりなることが望ましい。
【0013】
本発明において、前記感光性カーボンナノチューブペーストは陰性感光性ペーストであることが望ましい。
【0014】
本発明において、上記導電性薄膜層はCrを含み、上記不透明薄膜層はAlを含み、上記絶縁層及び上記ゲート層は陰性感光性ペーストによって形成することが望ましい。
【0015】
また本発明では、(a)透明電極を成膜した透明基板上部に導電性薄膜層を形成するとともに、上記透明電極の所定部位を露出させる段階と、(b)上記透明基板上部を絶縁物質で全面被覆する段階と、(c)上記絶縁物質上部にゲート層を形成及びパターニングして上記透明電極上部の絶縁物質を露出させる段階と、(d)上記透明電極上部の絶縁物質を除去して絶縁層を形成し、上記導電性薄膜層及び上記透明電極の所定部位を露出させる段階と、(e)上記露出された透明電極上部にカーボンナノチューブチップを形成する段階と、を有し、上記(e)段階は、感光性カーボンナノチューブペーストを上記透明基板上部の全面に塗布する段階と、上記透明基板に対して背面露光を実施して上記透明電極上部のみにカーボンナノチューブチップを形成する段階とよりなることを特徴とする三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法を提供する。
【0016】
本発明において、上記(c)段階は、上記絶縁物質上部に薄膜装置によって導電性物質を成膜する段階と、上記透明電極に対応する部位の導電性物質をホール状にパターニングして絶縁物質を露出させ、ゲート層を形成する段階とよりなることが望ましい。
【0017】
本発明において、上記(d)段階は、透明基板上部で乾式エッチング工程により行われることが望ましい。
【0018】
本発明において、前記感光性カーボンナノチューブペーストは陰性感光性ペーストであることが望ましい。
【0019】
本発明において、上記ゲート層の導電性物質に対してPR工程を実施してライン状のゲート層を形成する段階をさらに含むことが望ましい。
【0020】
本発明において、上記導電性薄膜層はCrを含み、上記絶縁物質はポリイミドを含み、上記絶縁層及び上記ゲート層は陽性感光性ペーストを使用して形成することが望ましい。
【0021】
また本発明では、三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法において、(a) 透明電極を成膜した透明基板上部に非晶質シリコン層及び絶縁層を順次に形成する段階と、(b) 上記絶縁層上部に導電性ゲート層を形成し、上記非晶質シリコン層が露出されるように上記ゲート層及び上記絶縁層にホールを形成する段階と、(c) 上記露出された非晶質シリコン層にホールを形成して上記透明電極層を露出させ、上記ゲート層及び上記ホールにカーボンナノチューブペーストを全面塗布する段階と、(d) 上記基板背面から紫外線を走査して現像する段階とを含むことを特徴とする三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法を提供する。
【0022】
本発明において、上記(b)段階は、フォトリソグラフィ工程で上記ゲート層にホールを形成し上記絶縁層を露出させる段階と、上記段階を経て形成された構造体をオキシドエッチング液に入れて上記非晶質シリコンが露出されるように上記酸化層にホールを形成する段階とを含むことが望ましい。
【0023】
本発明において、上記(c)段階は、上記非晶質シリコン層に対して乾式エッチングまたは湿式エッチングで上記透明電極が露出されるようにホールを形成する段階と、上記ゲート層に対してフォトリソグラフィ工程でラインパターニングを実施する段階と、上記ゲート層及び上記ホールを有する上記透明基板にカーボンナノチューブペーストをスクリーンプリンティングで全面に塗布する段階とを含むことが望ましい。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施例について詳細に説明する。
【0025】
図1ないし図4を参照して、本発明に係る第1実施例による三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイについて説明する。ここでは絶縁層及び導電性厚膜を使用するゲート層を陰性工程を利用して製造する方法について説明する。
【0026】
本発明では透明電極が形成された透明基板を使用する。例えば、通常使われるITO(I:Indium、T:Tin、O:Oxide)が成膜されているガラス基板11でITOが形成されている部位にパターニングを実施することによって、ストライプ状のITO電極12を形成する。図1(a)はパターニング工程を経た基板に対してストライプ構造のITO電極12の幅方向に切断した断面を示したものである。
【0027】
次に、ガラス基板11及びITO電極12の上部にスパッタ装置等の薄膜装置を利用して全面にCr薄膜層13を形成する。上記形成されたCr薄膜層13に対して露光工程及び現像工程を実施して図1(b)に示すようにCr薄膜層13をパターニングする。上記Cr薄膜層13の形態は制限されていないが、以後の工程でカーボンナノチューブを成長させるために中央部上にホールが形成された形に製作することが望ましい。上記図1(b)はガラス基板11を垂直に切断した断面図であってCr薄膜層13は中央部分にホールが形成されているリング状になっている。
【0028】
次に、スパッタ装置等の薄膜装置を利用してAl薄膜層14を上記ガラス基板11、ITO電極12及びCr薄膜層13の上部の全面に形成する。このようなAl薄膜層14に対して露光工程及び現像工程を実施して、図1(c)に示すように上記ITO陰極電極12及びCr薄膜層13を部分的に覆うドット状にパターニングする。ここで、上記Cr薄膜層13及び上記Al薄膜層14の材料はCr及びAlに限定されず、エッチング工程時にエッチング選択性を有する物質であれば使用できる。
【0029】
次に、陰性感光性ペーストを使用して製作した絶縁性物質をスクリーンプリンティング工程を使用してCr薄膜層13及びAl薄膜層14が形成されたガラス基板11の上部の全面に塗布する。このような工程を経た後、図2(d)に示すようにガラス基板11の背面から一般の露光工程に使用する紫外線を照射して露光させる。上記露光工程において、あらかじめ形成されたCr薄膜層13及びAl薄膜層14は不透明であるためにマスク層の役割をする。したがって、上記露光時、上記Cr薄膜層13及びAl薄膜層14が形成されていない部位のみを照射光が通過可能となる。
【0030】
上記露光工程を実施した後、現像工程を経れば、図2(e)に示すように、ガラス基板11の上部でマスクの役割をしたCr薄膜層13及びAl薄膜層14が形成された部位の絶縁層15’を除外した残りの部位の絶縁層15だけが残存する。ここで、上記絶縁層15’、15は陰性感光性ペーストを使用して形成した。通常、厚膜絶縁層を形成する際にはマイクロピンホール等を考慮して優秀な絶縁特性を示しうるように、P/D/E&D/F/P/D/E&D/F(P:プリンティング、D:乾燥、E&D:露光及び現像、F:焼結)の2回の反復工程を経ることが望ましい。この場合、上記絶縁物質は、通常露光工程に使われる紫外線(波長:約350nm)に対する透過率が70%以上であるので、露光工程時に紫外線が通過できる。
【0031】
このような工程を経て、図2(f)に示すように、陰極ゲートパターンスクリーンマスク16を使用して、上記絶縁層15の上部に不透明絶縁層16をプリンティングする。上記不透明絶縁層16をプリンティングした後、乾燥工程のみを実施して、導電性感光ペーストをスクリーンプリンティング工程により上記ガラス基板11の上部の全面に塗布する。その後、上記ガラス基板11の背面で露光を実施して図3(g)に示すようにゲート電極層17を形成する。
【0032】
上記ゲート電極層17を形成した後で焼成工程を実施し、Alエッチング液を利用してITO陰極電極12の上部のドット状のAl薄膜層14を除去することによって、図3(h)に示すように、Cr薄膜層13の中央部分に再びホールが形成される。
【0033】
最後に、図3(i)及び図4(j)に示すように、感光性カーボンナノチューブペーストを上記ガラス基板11の上部全面にプリンティング工程で塗布し、ガラス基板11の背面で露光及び現像工程を実施する。ここで、上記カーボンナノチューブペーストは陰性感光性物質であることが望ましい。背面露光により露光ビームが通過するITO電極層12の上部に塗布されたカーボンナノチューブペーストだけが残存し、上記Cr薄膜層13及びゲート電極層17の上部に塗布された感光性カーボンナノチューブペーストは除去される。それでリング状のCr薄膜層13内部のホール部位にカーボンナノチューブチップ層18が形成される。
【0034】
上記工程では、Cr薄膜層13及びAl薄膜層14がフォトマスクの役割をするので、陰極電極形成時、基板上部にフォトマスクを別途に形成する必要がなく、その結果、その後の工程でアライナが要らなくなる。また、その上部に形成される多層膜がセルフ−アライン(自己整合)するので、多層膜形成時に各層ごとに必要な焼成工程に伴うガラスの変形による整列誤差及び各層ごとにアライナを使用する際に発生するアライナ自体の誤差も防止できるようになる。従って、カーボンナノチューブのチップとゲートとの距離を狭められるので電界放出電圧を大幅に下げることができる。
【0035】
本発明の第2実施例を、図5(a)ないし図8(k)を参照して、より詳細に説明する。図5(a)ないし図8(k)は、絶縁物質及び導電性物質に陽性ペーストを使用して本発明による三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造工程を説明した断面図である。
【0036】
まず、図5(a)に示すように、透明電極として通常使われるITO 22が成膜されたガラス基板21の上部全面に、スパッタ装置等の薄膜製造装置を利用してCr薄膜層23を形成する。
【0037】
このようなCr薄膜層23に対して露光及び現像工程を実施してCr陰極電極層23を形成する。図5(b)及び図6(c)に示すように、Cr電極層23及びITO電極層22をストライプ状に形成した後で、再びCr電極層23がリング状となるように、その内部にホールを形成する。このようにCr電極層23を形成した後、上記ガラス基板21に対してITOエッチング液を使用してエッチング工程を実施すると、図5(b)に示すように、Cr電極層23が形成されていない部位のITO電極層22がエッチングされる。その結果、Cr電極層23とITO電極層22とが同じパターンに整列されて陰極電極を形成する。その後、図6(c)に示すように、Cr電極層23に対して露光及び現像工程を実施してホールを形成する。上記ホールは後工程でカーボンナノチューブを形成する領域となる。
【0038】
次に、図6(d)に示すように、上記ガラス基板21の上部に絶縁物質24を厚膜状に塗布する。上記絶縁物質としては、例えば、絶縁性及び温度特性に優れ、厚膜形成が容易なポリイミドを使用することが望ましい。上記絶縁層24をスピンコーティング法を利用してガラス基板21及びCr電極層23の上部全面に塗布した後、キュアリング工程を実施する。
【0039】
次に、図6(e)に示すように、上記絶縁層24の上部に薄膜装置を利用して導電性物質25を成膜した後、図7(f)のように上記成膜した電導層25をパターニングしてゲート層25を形成する。ここで、電導層25のうちITO電極層22が形成された部分がパターニングにより除去され、ホールを形成することが望ましい。したがって、残存した部分はゲート層25としての役割をする。その後、図7(g)に示すように、乾式エッチング工程によって、ゲート層をパターニングし、露出したホール部分の絶縁物質24’を除去する。上記第1実施例では基板背面での露光により絶縁物質15’を除去したが、ここでは基板上面の全面に乾式エッチング工程を施すことにより絶縁物質24’を除去する。
【0040】
絶縁物質24’を除去すると、図7(h)に示すように、Cr電極層23のホール部分にITO電極層22が露出する。このような状態で、図8(i)に示すように、感光性カーボンナノチューブペーストを上記ガラス基板21の上面にスクリーンプリンティング工程で塗布し、上記ガラス基板21の背面で露光及び現像工程を実施する。ここで、上記カーボンナノチューブペーストは、上記第1実施例と同様に、陰性感光性ペーストであることが望ましい。そこで図8(j)に示すように、上記Cr電極層のホール部分にカーボンナノチューブチップ層26が形成される。最後に、図8(k)に示すように、上記ゲート層25に対して通常のPR工程を実施してライン状のゲート層25を形成する。
【0041】
このような陽性感光性絶縁物質及び導電性物質を使用した工程を上記陰性感光性絶縁物質及び導電性物質を使用した場合と比較すれば、上記ゲート層と絶縁層のホール部分は別途アラインさせねばならないが、カーボンナノチューブのチップは自己整合するため、他の工程をシンプルにできるという利点がある。
【0042】
本発明による第3実施例を、図9(a)ないし図12(j)を参照して、より詳細に説明する。
【0043】
図9(a)ないし図12(j)は、電界放出表示素子で抵抗層として使われる非晶質シリコン層の光学的特性を利用して三極管カーボンナノチューブ電界放出素子を製造する過程を示した断面図である。
【0044】
まず図9(a)に示すように、透明基板31の上部に透明電極32用物質を成膜する。上記透明基板31としてはガラス基板を使用でき、上記透明電極32としては通常使われるITOが使用できる。上記透明電極32はフォトリソグラフィ工程を利用してストライプ状に形成させたものである。
【0045】
次に、図9(b)に示すように、非晶質シリコン33を上記透明基板31及び上記透明電極32の表面にプラズマCVD(PECVD)装置などを利用して成膜する。それから、図9(c)に示すように、インサイチュ(in-situ)で上記非晶質シリコン層33の表面に絶縁層として使われる酸化層34を形成する。上記酸化層34を形成した後、図10(d)に示すように、その表面に導電性ゲート層35、例えばCrを、薄膜装置を利用して成膜する。そして、図10(e)に示すように、上記ゲート層35にフォトリソグラフィ工程でホール35’を形成する。上記ホール35’は、上記透明電極32対応した位置に形成する。このように基板上に薄膜層が形成された状態で、オキシドエッチング液に入れて、図10(f)に示すように、非晶質シリコン層33が露出するように、上記酸化層34にホール34’を形成する。このように露出した非晶質シリコン層33に対して、乾式エッチングまたは湿式エッチングを施すことによって、図11(g)に示すように、上記透明電極32を露出させるホール33’を形成する。そして、上記酸化層34上部のゲート層35に対してフォトリソグラフィ工程を施すことによって、図11(h)に示すように、ライン状のパターニングを施す。
【0046】
次に、図11(i)に示すように、上記構造上の全面に陰性感光性カーボンナノチューブペースト36をスクリーンプリンティングで塗布する。最後に、上記透明基板31の背面から紫外線ビームを走査し、現像工程を経て、図12(j)に示すような陰性感光性カーボンナノチューブ電界放出エミッタを形成する。ここでは、上記透明基板31に背面から紫外線を走査する際に、他のフォトリソグラフィ工程のように別途パターニング用に用意したフォトマスクを使用せず、工程途中に形成される非晶質シリコン層33を使用することを特徴とする。上記非晶質シリコン層33で使用されている非晶質シリコンは、一般に電界放出ディスプレーで均一度の向上のために多用される物質である。図13に示すところから明らかなように、非晶質シリコンは現像工程に使われる紫外線に対する透過度が非常に低い。
【0047】
図14は、本発明により製造された三極管カーボンナノチューブ電界放出素子を撮ったSEM写真であって、絶縁性物質と導電性物質とを陰性感光性ペーストを使用して製作したものである。SEM写真に示されているように、絶縁層15及びゲート層17等の多層膜は、特に整列させる必要なくセルフ−アラインされている。
【0048】
図15(a)及び図15(b)は、絶縁性物質と導電性物質として陰性又は陽性感光性ペーストを使用して製造した三極管カーボンナノチューブ電界放出素子を撮った平面顕微鏡写真である。図15(a)は、陰性感光性ペーストを使用したものであってホールの大きさが約60μmであり、まだカーボンナノチューブチップを形成してはいないが、ホール部位がITO電極層12により明るく示されている。図15(b)は、陽性感光性ペーストを使用したものであってホールの大きさが約40μmであった。ここでは、ホール内部にカーボンナノチューブチップ26を形成したので、ホール部位が濃厚な色で示されている。図15(b)に示すように、Cr電極層23がストライプ状にガラス基板21上に形成されている。
【0049】
図16(a)及び図16(b)は、本発明により製造された三極管カーボンナノチューブ電界放出素子を撮ったSEM写真であって、両者とも絶縁物質及び導電性物質は陽性感光性ペーストを使用して製作したものである。ここで、図16(a)は素子の表面を約30°の角度で撮った写真であってゲート電極ラインパターン25に形成されたホール内部にカーボンナノチューブチップ26が形成されていることがわかる。ここでホールの直径が約40μmである。図16(b)は、その断面を撮った写真であって、ホール内部に形成されたカーボンナノチューブチップ26を直接示しており、ポリイミドで形成した絶縁層24及びゲート層25がよく整列されていることがわかる。
【0050】
【発明の効果】
本発明によれば、陰性または陽性感光性ペーストを使用してスクリーンプリンティング工程及びエッチング工程を実施する際に、別途のアライナを使用せずとも多層膜のアライン問題を解消でき、また製造工程中に形成される薄膜層自体をマスク層として使用することによって少数のマスク層を使用して三極管構造のカーボンナノチューブ電界放出アレイを容易に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例による、陰性工程を利用した三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイ製造方法を示す断面図(a)〜(c)である。
【図2】本発明の第1実施例による、陰性工程を利用した三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイ製造方法を示す断面図(d)〜(f)である。
【図3】本発明の第1実施例による、陰性工程を利用した三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイ製造方法を示す断面図(g)〜(i)である。
【図4】本発明の第1実施例による、陰性工程を利用した三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイ製造方法を示す断面図(j)である。
【図5】本発明の第2実施例による、陽性工程を利用した三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイ製造方法を示す断面図(a)〜(b)である。
【図6】本発明の第2実施例による、陽性工程を利用した三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイ製造方法を示す断面図(c)〜(e)である。
【図7】本発明の第2実施例による、陽性工程を利用した三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイ製造方法を示す断面図(f)〜(h)である。
【図8】本発明の第2実施例による、陽性工程を利用した三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイ製造方法を示す断面図(i)〜(k)である。
【図9】本発明の第3実施例による、陽性工程を利用した三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法を示す断面図(a)〜(c)である。
【図10】本発明の第3実施例による、陽性工程を利用した三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法を示す断面図(d)〜(f)である。
【図11】本発明の第3実施例による、陽性工程を利用した三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法を示す断面図(g)〜(i)である。
【図12】本発明の第3実施例による、陽性工程を利用した三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法を示す断面図(j)である。
【図13】非晶質現像工程に使われる紫外線の非晶質シリコンに対する透過度を示すグラフである。
【図14】本発明の第1実施例により製造した三極管カーボンナノチューブ電界放出素子を撮ったSEM写真である。
【図15】絶縁性物質と導電性物質を陰性及び陽性工程により製造した三極管カーボンナノチューブ電界放出素子の顕微鏡写真である。
【図16】本発明の第3実施例により製造した三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイを撮ったSEM写真である。
<符号の説明>
11、21、31 ガラス基板
12、22、32 ITO電極層
13、23 Cr電極層
14 Al薄膜層
15 厚膜絶縁層
16 不透明絶縁層
17、25、35 ゲート層
18、26、36 カーボンナノチューブ
33 非晶質シリコン層
24、34 薄膜絶縁層
33’、34’、35’ ホール
Claims (21)
- 三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法において、
(a)透明電極を成膜した透明基板上部に導電性薄膜層を形成するとともに、上記透明電極の所定部位を露出させる段階と、
(b)上記透明電極の露出した所定部位に不透明薄膜層を形成する段階と、
(c)上記透明基板上面部を絶縁物質で全面被覆し、上記導電性薄膜層及び上記不透明薄膜層上面部の絶縁物質を除去して絶縁層を形成する段階と、
(d)上記絶縁層上部にゲート層を形成する段階と、
(e)上記不透明薄膜層を除去した後、上記露出した透明電極上部にカーボンナノチューブチップを形成する段階と、を有し、
上記(e)段階は、
感光性カーボンナノチューブペーストを上記透明基板上部の全面に塗布する段階と、
上記透明基板に対して背面露光を実施して上記透明電極上部のみにカーボンナノチューブチップを形成する段階とよりなることを特徴とする三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法。 - 上記(a)段階は、
上記透明基板の透明電極をパターニングしてストライプ状に形成する段階と、
上記パターニングされた透明電極上部に導電性薄膜層を形成する段階と、
上記導電性薄膜層の所定部位に上記透明電極を露出させるホールを形成する段階とよりなることを特徴とする請求項1に記載の三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法。 - 上記(a)段階は、
透明電極層を形成した透明基板上部に導電性薄膜層を形成する段階と、
上記導電性薄膜層及び透明電極層を同時にパターニングしてストライプ状に形成する段階と、
上記導電性薄膜層の所定部位にホールを形成して上記透明電極層を露出させる段階とよりなることを特徴とする請求項1に記載の三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法。 - 上記(c)段階は、上記透明基板上面部を絶縁物質で全面に被覆した後、上記透明基板に対して背面露光を実施することによってなることを特徴とする請求項1に記載の三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法。
- 上記(c)段階は、
上記透明基板上面部を上記絶縁物質でプリンティング工程により全面被覆して、乾燥する段階と、
上記背面露光及び現像工程により上記導電性薄膜層及び不透明薄膜層上部の絶縁物質を除去する段階と、
上記残存した絶縁物質を焼結する段階とを2回反復することによって上記絶縁層を形成することを特徴とする請求項4に記載の三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法。 - 上記(d)段階は、
陰極ゲートパターンスクリーンマスクを使用して上記絶縁層の中央上部領域に不透明絶縁層を形成する段階と、
導電性感光ペーストを上記透明基板上部の全面に塗布する段階と、
上記透明基板に対して背面露光を実施してゲート層を形成する段階とよりなることを特徴とする請求項1に記載の三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法。 - 前記感光性カーボンナノチューブペーストは陰性感光性ペーストであることを特徴とする請求項1に記載の三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法。
- 上記導電性薄膜層はCrを含み、上記不透明薄膜層はAlを含むことを特徴とする請求項1に記載の三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法。
- 上記絶縁層及び上記ゲート層は陰性感光性ペーストによって形成することを特徴とする請求項1に記載の三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法。
- 三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法において、
(a)透明電極を成膜した透明基板上部に導電性薄膜層を形成するとともに、上記透明電極の所定部位を露出させる段階と、
(b)上記透明基板上部を絶縁物質で全面被覆する段階と、
(c)上記絶縁物質上部にゲート層を形成及びパターニングして上記透明電極上部の絶縁物質を露出させる段階と、
(d)上記透明電極上部の絶縁物質を除去して絶縁層を形成し、上記導電性薄膜層及び、上記透明電極の所定部位を露出させる段階と、
(e)上記露出された透明電極上部にカーボンナノチューブチップを形成する段階と、を有し、
上記(e)段階は、
感光性カーボンナノチューブペーストを上記透明基板上部の全面に塗布する段階と、
上記透明基板に対して背面露光を実施して上記透明電極上部のみにカーボンナノチューブチップを形成する段階とよりなることを特徴とする三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法。 - 上記(a)段階は、
上記透明基板の透明電極をパターニングしてストライプ状に形成する段階と、
上記パターニングされた透明電極上部に導電性薄膜層を形成する段階と、
上記導電性薄膜層の所定部位に上記透明電極を露出させるホールを形成する段階とよりなることを特徴とする請求項10に記載の三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法。 - 上記(a)段階は、
透明電極が形成された透明基板上部に導電性薄膜層を形成する段階と、
上記導電性薄膜層及び透明電極を同時にパターニングしてストライプ状に形成する段階と、
上記導電性薄膜層の所定部位にホールを形成して上記透明電極を露出させる段階とよりなることを特徴とする請求項10に記載の三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法。 - 上記(c)段階は、
上記絶縁物質上部に薄膜装置によって導電性物質を成膜する段階と、
上記透明電極に対応する部位の導電性物質をホール状にパターニングして絶縁物質を露出させ、ゲート層を形成する段階とよりなることを特徴とする請求項10に記載の三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法。 - 上記(d)段階は、上記透明基板上部で乾式エッチング工程により行われることを特徴とする請求項10に記載の三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法。
- 前記感光性カーボンナノチューブペーストは陰性感光性ペーストであることを特徴とする請求項10に記載の三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法。
- 上記ゲート層の導電性物質に対してPR工程を実施してライン状のゲート層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法。
- 上記導電性薄膜層はCrを含み、上記絶縁物質はポリイミドを含むことを特徴とする請求項10に記載の三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法。
- 上記絶縁層及び上記ゲート層は陽性感光性ペーストを使用して形成することを特徴とする請求項10に記載の三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法。
- 三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法において、
(a)透明電極を成膜した透明基板上部に非晶質シリコン層及び絶縁層を順次に形成する段階と、
(b)上記絶縁層上部に導電性ゲート層を形成し、上記非晶質シリコン層が露出するように上記ゲート層及び上記絶縁層にホールを形成する段階と、
(c)上記露出された非晶質シリコン層にホールを形成して上記透明電極層を露出させ、上記ゲート層及び上記ホールに陰性感光性カーボンナノチューブペーストを全面塗布する段階と、
(d)上記透明基板背面から紫外線を走査して現像する段階とを含むことを特徴とする三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法。 - 上記(b)段階は、
フォトリソグラフィ工程で上記ゲート層にホールを形成し上記絶縁層を露出させる段階と、
上記段階を経て形成された構造体をオキシドエッチング液に入れて上記非晶質シリコンが露出されるように上記酸化層にホールを形成する段階とを含むことを特徴とする請求項19に記載の三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法。 - 上記(c)段階は、
上記非晶質シリコン層に対して乾式エッチングまたは湿式エッチングで上記透明電極が露出するようにホールを形成する段階と、
上記ゲート層に対してフォトリソグラフィ工程でラインパターニングを実施する段階と、
上記ゲート層及び上記ホールを有する上記透明基板にカーボンナノチューブペーストをスクリーンプリンティングで全面に塗布する段階とを含むことを特徴とする請求項19に記載のカーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法。
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TW502395B (en) * | 2001-08-29 | 2002-09-11 | Ind Tech Res Inst | Manufacturing method for large-area carbon nano-tube field emission display in low cost |
US6866989B2 (en) * | 2001-09-07 | 2005-03-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming patterned insulating elements and methods for making electron source and image display device |
KR100413815B1 (ko) * | 2002-01-22 | 2004-01-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 삼극구조를 가지는 탄소나노튜브 전계방출소자 및 그제조방법 |
US8552632B2 (en) * | 2002-03-20 | 2013-10-08 | Copytele, Inc. | Active matrix phosphor cold cathode display |
JP3465705B2 (ja) * | 2002-04-02 | 2003-11-10 | ソニー株式会社 | 冷陰極電界電子放出素子の製造方法、及び、冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法 |
US20050148174A1 (en) * | 2002-05-06 | 2005-07-07 | Infineon Technologies Ag | Contact-connection of nanotubes |
WO2004012218A1 (en) * | 2002-07-30 | 2004-02-05 | Postech Foundation | Electric field emission device having a triode structure fabricated by using an anodic oxidation process and method for fabricating same |
KR20050059239A (ko) * | 2002-10-07 | 2005-06-17 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 자기 정렬 게이트 전극 구조를 가진 전계 방출 디바이스와,그 제조 방법 |
US7044822B2 (en) * | 2002-12-20 | 2006-05-16 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Method of manufacturing a field emission device utilizing the sacrificial layer |
US20060124467A1 (en) * | 2003-05-20 | 2006-06-15 | Industrial Technology Research Institute | Metal nanodot arrays and fabrication methods thereof |
JP4230393B2 (ja) * | 2003-06-02 | 2009-02-25 | 三菱電機株式会社 | 電界放出型表示装置 |
KR100862655B1 (ko) * | 2003-08-12 | 2008-10-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 탄소나노튜브 에미터를 구비하는 전계 방출 디스플레이 및그 제조 방법 |
TWI231521B (en) * | 2003-09-25 | 2005-04-21 | Ind Tech Res Inst | A carbon nanotubes field emission display and the fabricating method of which |
US20050116214A1 (en) | 2003-10-31 | 2005-06-02 | Mammana Victor P. | Back-gated field emission electron source |
KR20050051041A (ko) * | 2003-11-26 | 2005-06-01 | 삼성에스디아이 주식회사 | 카본나노튜브의 형성방법 |
KR20050058617A (ko) * | 2003-12-12 | 2005-06-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계방출소자와, 이를 적용한 표시소자 및 그 제조방법 |
US7125308B2 (en) * | 2003-12-18 | 2006-10-24 | Nano-Proprietary, Inc. | Bead blast activation of carbon nanotube cathode |
KR20050062742A (ko) * | 2003-12-22 | 2005-06-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계방출소자와, 이를 적용한 표시소자 및 그 제조방법 |
KR20050082805A (ko) * | 2004-02-20 | 2005-08-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 표시 소자와 이의 제조 방법 |
KR20050096534A (ko) * | 2004-03-31 | 2005-10-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판 및 그 제조 방법 |
US20050233263A1 (en) * | 2004-04-20 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | Growth of carbon nanotubes at low temperature |
KR20050104643A (ko) * | 2004-04-29 | 2005-11-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 표시장치용 캐소드 기판, 전자 방출 표시장치및 이의 제조 방법 |
KR20050111706A (ko) * | 2004-05-22 | 2005-11-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계방출 표시소자 및 그 제조방법 |
KR20050111708A (ko) * | 2004-05-22 | 2005-11-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계방출 표시장치 및 그 제조방법 |
US7834530B2 (en) * | 2004-05-27 | 2010-11-16 | California Institute Of Technology | Carbon nanotube high-current-density field emitters |
KR20060009681A (ko) * | 2004-07-26 | 2006-02-01 | 삼성에스디아이 주식회사 | 탄소나노튜브 에미터를 구비하는 전계 방출 디스플레이 및그 제조 방법 |
KR20060012782A (ko) * | 2004-08-04 | 2006-02-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계방출소자와, 이를 적용한 전계방출 표시소자 |
US7736209B2 (en) * | 2004-09-10 | 2010-06-15 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Enhanced electron field emission from carbon nanotubes without activation |
KR20060080728A (ko) * | 2005-01-06 | 2006-07-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 탄소나노튜브 합성을 위한 촉매층의 패터닝 방법 및 이를이용한 전계방출소자의 제조방법 |
KR100590579B1 (ko) * | 2005-02-01 | 2006-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 탄소나노튜브 에미터를 구비한 전계방출소자의 제조방법 |
US7701128B2 (en) * | 2005-02-04 | 2010-04-20 | Industrial Technology Research Institute | Planar light unit using field emitters and method for fabricating the same |
KR20060095318A (ko) * | 2005-02-28 | 2006-08-31 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자와 이의 제조 방법 |
KR20060104655A (ko) * | 2005-03-31 | 2006-10-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자 |
KR100710592B1 (ko) | 2005-07-18 | 2007-04-24 | 일진다이아몬드(주) | 전계 방출 장치 |
KR100723383B1 (ko) * | 2005-08-10 | 2007-05-30 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계방출형 백라이트 유닛 |
US7649665B2 (en) | 2005-08-24 | 2010-01-19 | The Trustees Of Boston College | Apparatus and methods for optical switching using nanoscale optics |
US7995777B2 (en) * | 2005-10-03 | 2011-08-09 | Xun Yu | Thin film transparent acoustic transducer |
KR101082440B1 (ko) * | 2005-10-04 | 2011-11-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자, 이를 구비한 전자 방출 디스플레이 장치및 그 제조 방법 |
TWI333228B (en) * | 2006-01-13 | 2010-11-11 | Ind Tech Res Inst | Method of fabricating field emission display device and cathode plate thereof |
KR100784997B1 (ko) * | 2006-01-14 | 2007-12-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자의 제조방법, 이에 의하여 제조된 전자 방출소자, 이를 적용한 백라이트 장치 및 전자 방출디스플레이 장치 |
JP5102968B2 (ja) * | 2006-04-14 | 2012-12-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 導電性針およびその製造方法 |
KR101118698B1 (ko) * | 2007-05-29 | 2012-03-12 | 전자빔기술센터 주식회사 | 시엔티 팁을 이용한 전자 칼럼 및 시엔티 팁을 정렬하는방법 |
FR2917191B1 (fr) | 2007-06-11 | 2010-06-11 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'eclairage pour ecran a cristal liquide |
KR100881954B1 (ko) * | 2007-11-09 | 2009-02-06 | 한국전자통신연구원 | 반응성 스퍼터링 증착 장치 |
KR100913132B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2009-08-19 | 한국전자통신연구원 | 전계 방출형 백라이트 유닛과 이에 이용되는 캐소드 구조물및 이의 제조 방법 |
US8039380B2 (en) * | 2008-06-27 | 2011-10-18 | Commissariat A L'energie Atomique | Procedure for obtaining nanotube layers of carbon with conductor or semiconductor substrate |
WO2010022203A1 (en) * | 2008-08-22 | 2010-02-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method of making air-fired cathode assemblies in field emission devices |
TW201019370A (en) * | 2008-11-14 | 2010-05-16 | Tatung Co | Field emission cathode plate and method for manufacturing the same |
KR101267277B1 (ko) * | 2011-05-19 | 2013-05-24 | 한국기계연구원 | 유연기판의 금속배선 형성방법 |
US8569121B2 (en) | 2011-11-01 | 2013-10-29 | International Business Machines Corporation | Graphene and nanotube/nanowire transistor with a self-aligned gate structure on transparent substrates and method of making same |
CN103288033B (zh) * | 2012-02-23 | 2016-02-17 | 清华大学 | 碳纳米管微尖结构的制备方法 |
CN103295853B (zh) * | 2012-02-23 | 2015-12-09 | 清华大学 | 场发射电子源及应用该场发射电子源的场发射装置 |
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CN103367073B (zh) * | 2012-03-29 | 2016-09-14 | 清华大学 | 碳纳米管场发射体 |
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Family Cites Families (6)
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