JP3845408B2 - メモリモジュール放熱装置 - Google Patents

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Description

本発明は、メモリ基板上に複数のメモリ素子が設けられてなる半導体メモリモジュール（以下「モジュール」と略して呼ぶ場合もある）がマザーボード等の上に複数並列されてモジュール群を形成している場合に、各モジュールのメモリ素子から発生する熱を放熱させて冷却するメモリモジュール放熱装置に関する。ここで、上記半導体メモリモジュールとしては、メモリ基板上に複数のSDRAM （Synchronous Dynamic Access Memory）素子が配置されてなるDIMM(Dual Inline Memory Module)が一例として挙げられる。
図８にモジュール群の一例を示す。図８に示すモジュール群２は、３つのモジュール２a〜２cからなり、各モジュール２a〜２cは、メモリ基板３と、メモリ基板３の表裏両面に、該基板３の長手方向に沿って配列された複数のメモリ素子４を有する（一般的には１６個）。また、各モジュール２a〜２cのメモリ基板３は、マザーボード１の上に一定間隔で設けられたコネクタ５に挿入されている。
図８に示す構成では、各モジュール２a〜２cに設けられているメモリ素子４から発生した熱は、メモリ素子４の表面からの熱放射と対流とによって放熱されると共に、メモリ基板３及びコネクタ５を介してマザーボード１へ伝導し、該マザーボード１の表面からも放熱される。図８では、メモリ素子４の表面からの熱放射を矢印Ｘによって、対流を矢印Ｙによって、マザーボード１を介した放熱を矢印Ｚによってそれぞれ模式的に示してある。尚、特許文献１には、図８に示すメモリ基板３に相当する回路チップもしくはボードの周辺をこれらが収容されているケースの外部にまで突出させて放熱効果を高めた回路モジュールが開示されている。
また、メモリ基板に設けられている複数のメモリ素子が一つずつ動作するRIMM（Rambus In-line Memory Module）では、複数のメモリ素子が同時に動作する他のメモリモジュールに比べて、１つのメモリ素子あたりの負荷が大きく、発熱量も大きくなる。そこで、図９に示すように、メモリ素子４から発生した熱をメモリ基板３の長手方向に逃がすための放熱板６が各モジュール２a〜２cに設けられている。この放熱板６は、各モジュール２a〜２cのメモリ基板３の表裏両面に、そこに設けられているメモリ素子４を取り囲むように配置され、対向するメモリ素子４に接触している。従って、あるモジュールのあるメモリ素子から発生した熱は、該メモリ素子が接触している放熱板を介して該メモリ素子が設けられているメモリ基板の長手方向（図９の紙面に垂直な方向）に分散されると共に、該放熱板６の表面から放熱される。
特開昭６１−９４３９９号公報
図８に示す構成によって実現される放熱では、モジュールの温度を所定値以下に維持することは困難である。特に、図８に示す３つのモジュールのうち、中央のモジュールに関しては、両外側のモジュールが障壁となって対流による放熱効果が低くなる。また、両外側のモジュールに設けられているメモリ素子から熱をもらうため、他に比べて温度が上昇する傾向にある。
また、図９に示す構成では、各モジュール内における温度差は均一化されるかもしれないが、隣接する複数のモジュール間の温度差の均一化は図れない。特に、図９に示す３つのモジュールのうち、中央のモジュールの温度が他に比べて上昇する傾向があることは、上記図８に示す構成と同様である。実際、図９に示す３つのモジュールを同時に動作させ、各モジュールの温度を測定したところ、中央のモジュールの最高温度は67.2℃、両外側のモジュールの最高温度は61.6℃であり、5.0℃以上の温度差があった。
以上のように、マザーボード等の上に複数モジュールが並列されている場合、各モジュール間の温度差が大きくなり、各モジュールのメモリ素子の特性パラメータ（セットアップ・ホールドタイム等）にバラツキが生じ、システム不良が発生することがある。また、メモリ素子の動作周波数は今後さらに増加することが予想され、その場合、メモリ素子が熱破壊を起こす危険性もある。
本発明の目的は、複数のモジュールが隣接して並列されてなるモジュール群から発生した熱を効率的に放熱させると共に、モジュール群を構成する各モジュールの温度を均一化させることが可能なメモリモジュール放熱装置を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明のメモリモジュール放熱装置は、基板の表裏両面にメモリ素子がそれぞれ設けられたメモリモジュールが２つ以上並列されてなるメモリモジュール群から発生する熱を放熱させるメモリモジュール放熱装置であって、各メモリモジュールの基板の表面に設けられているメモリ素子に接触する表面側放熱板と該基板の裏面に設けられているメモリ素子に接触する裏面側放熱板とからなる放熱板対と、メモリモジュール毎に設けられた放熱板対間で熱伝導が行なわれるように、これら放熱板対同士を連結する放熱板対連結部材と、を有する。このため、メモリ素子から発生した熱は、そのメモリ素子が接触する放熱板の表面から放熱されると共に、放熱板対連結部材を介して他の放熱板対にも伝導し、メモリモジュール群全体の温度が均一化される。さらに、並列方向一端のメモリモジュールの基板表面に設けられているメモリ素子に接触する表面側放熱板の上部が、同メモリモジュールの基板裏面に設けられているメモリに素子に接触する裏面側放熱板の上端よりも上方に突出して突出部を形成し、並列方向他端のメモリモジュールの基板裏面に設けられているメモリ素子に接触する裏面側放熱板の上部が、同メモリモジュールの基板表面に設けられているメモリ素子に接触する表面側放熱板の上端よりも上方に突出して突出部を形成している。このため、メモリモジュールの数が増加した際には、前記突出部を利用して、既存の放熱板対に、新たな放熱板対を連結することができる。
本発明のメモリモジュール放熱装置では、上記放熱板対を構成する表面側放熱板及び裏面側放熱板に密着させる固定手段や付勢手段を設けることもできる。
また、放熱板対を構成する表面側放熱板、裏面側放熱板、及び放熱板対連結部材をすべて同一の材質とすることで、熱伝導率のさらなる向上を図ることもできる。
さらに、メモリモジュール群を構成する各メモリモジュールが予め放熱板を供えている場合には、その放熱板の外側に、該放熱板に接触するように上記放熱板対を配置可能な構成とすることもできる。この場合、各メモリモジュールに何らの変更を加えることなく、メモリモジュールが予め備えている放熱板による放熱効果に加えて、本発明のメモリモジュール放熱装置による放熱が得られる。
加えて、上記放熱板対連結部材にスリットに形成して、放熱効果のさらなる向上を図ることもできる。
本発明のメモリモジュール放熱装置は、メモリモジュール群を構成しているメモリモジュール毎に用意された複数の放熱板対と、複数の放熱板対間で熱伝導が行なわれるように、それら放熱板対を連結する放熱板対連結部材とを有している。従って、あるメモリモジュールが備えるメモリ素子から発生した熱がメモリモジュール群全体に分散されるので、複数のメモリモジュール間に大きな温度差が発生することがない。この結果、温度差に起因するメモリ素子の特性パラメータのバラツキが抑制される。
（実施形態１）
以下、本発明のメモリモジュール放熱装置の実施形態の一例を図１及び図２に基づいて説明する。図１は、３つのメモリモジュール２a〜２cからなるメモリモジュール群２に装着された本発明のメモリモジュール放熱装置１０を示す拡大断面図である。図２（ａ）は、メモリモジュール群に装着された本発明のメモリモジュール放熱装置１０を示す平面図、（ｂ）はメモリモジュール群に装着された本発明のメモリモジュール放熱装置１０を示す一部切欠きの側面図である。尚、図２（ｂ）では、図１に示すマザーボード１及びコネクタ５は便宜上省略されている。また、図１に示すメモリモジュール群２及びこのメモリモジュール群２を構成する各メモリモジュール２a〜２cは、図８に示すそれらと同一の構成を有する。そこで、同一の構成については同一の符号を付して説明を省略する。さらに、本例では、メモリ基板３の外面のうち、図１の右側の面を表面、左側の面を裏面と定義して説明をする。もっとも、かかる定義は単なる便宜上の定義に過ぎないことは勿論である。
図１に詳細に示すように、本発明のメモリモジュール放熱装置１０は、一定間隔で対向する表面側放熱板１１と裏面側放熱板１２とから構成される３つの放熱板対１３a〜１３cと、これら３つの放熱板対１３a〜１３cを連結して一体化させる放熱板対連結部材１４とを有する。ここで、各放熱板対１３a〜１３cを構成する表面側放熱板１１及び裏面側放熱板１２は、すべて平坦な金属製の薄板である。但し、放熱板対１３aの表面側放熱板１１は、その幅（Ｗ1）が対向する裏面側放熱板１２の幅（Ｗ2）よりも若干広くなっている。一方、放熱板対１３cの裏面側放熱板１２は、その幅（Ｗ1）が対向する表面側放熱板１１の幅（Ｗ2）よりも若干広くなっている。即ち、放熱板対１３aと放熱板対１３cとは、表面側放熱板１１と裏面側放熱板１２の関係が逆になっている。また、放熱板対１３bの表面側放熱板１１及び裏面側放熱板１２は同一の幅を有し、その幅は放熱板対１３aの裏面側放熱板１２及び放熱板対１３cの表面側放熱板１１の幅（Ｗ2）と同一である。
また、図２（ｂ）に示すように、すべての表面側放熱板１１及び裏面側放熱板１２の長手方向両端の上下２箇所には、当該メモリモジュール放熱装置１０をメモリモジュール群２に装着した際に、対応するメモリ基板３の略四隅に開口されている貫通孔２０と連通する連通孔２１が開口されている。
再び図１を参照すると、放熱板対１３aは、裏面側放熱板１２の上端よりも（Ｗ1−Ｗ2）だけ上方に突出した表面側放熱板１１の上部側面が放熱板対連結部材１４の幅方向一方端面に当接され、上記表面側放熱板１１と所定間隔を置いて対向する裏面側放熱板１２の上端面が上記放熱板対連結部材１４の裏面に当接されている。さらに、裏面側放熱板１２の上端面と放熱板対連結部材１４の裏面とが当接することによって形成された角部にＬ字形の固定部材１５があてがわれ、あてがわれた固定部材１５が留め具（クリップ１６）によって裏面側放熱板１２及び放熱板対連結部材１４に固定されている。また、連通した表面側放熱板１１の連通孔２１、メモリ基板３の貫通孔２０、及び裏面側放熱板１２の連通孔２１にはピン状の固定具２２が挿入され、この固定具２２によって表面側放熱板１１及び裏面側放熱板１２がメモリモジュール２aのメモリ基板３に固定され、メモリ素子４に密着している。
放熱板対１３cは、表面側放熱板１１の上端よりも（Ｗ1−Ｗ2）だけ上方に突出した裏面側放熱板１２の上部側面が放熱板対連結部材１４の幅方向他方端面に当接されている。また、表面側放熱板１１と放熱板対連結部材１４とは、放熱板対１３aと同様に、固定部材１５及びクリップ１６によって固定されている。さらに、表面側放熱板１１及び裏面側放熱板１２は、放熱板対１３a と同様に、固定具２２によってメモリモジュール２cのメモリ基板３に固定されてメモリ素子４に密着している。
放熱板対１３bは、所定間隔を置いて対向する表面側放熱板１１及び裏面側放熱板１２の上端面が上記放熱板対連結部材１４の裏面にそれぞれ当接され、当接された表面側放熱板１１及び裏面側放熱板１２が固定部材１５及びクリップ１６によって放熱板対連結部材１４にそれぞれ固定されている。さらに、表面側放熱板１１及び裏面側放熱板１２は、上記放熱板対１３a及び１３cと同様に、固定具２２によってメモリモジュール２bのメモリ基板３に固定され、メモリ素子４に密着している。
以上のように、当該メモリモジュール放熱装置１０は、メモリモジュール群２に装着されると、各放熱板対１３a〜１３cが対応するメモリモジュール２a〜２cに被さると共に、各放熱板対１３a〜１３cを構成している表面側放熱板１１及び裏面側放熱板１２が連結されて一体化される。さらに、メモリモジュール２a〜２cに被せられた各放熱板対１３a〜１３cの表面側放熱板１１及び裏面側放熱板１２は、対向するメモリ基板３上に配列されているメモリ素子４の表面にそれぞれ面接触して密着する。
以上によって、いずれかのメモリモジュール２a〜２cのいずれかのメモリ素子４から発生した熱は該メモリ素子４に密着している表面側放熱板１１又は裏面側放熱板１２に伝導し、該メモリモジュール２a〜２c内で分散されると共に、放熱板対連結部材１４を介して他の放熱板対１３a〜１３cにも伝導する。この結果、いずれかのメモリモジュール２a〜２cのいずれかのメモリ素子４から発生した熱は、メモリモジュール群２の全体に分散し、各メモリモジュール２a〜２c間に大きな温度差が生じることが抑制される。例えば、メモリモジュール２bのメモリ基板３の表面にあるメモリ素子４から発生した熱は、放熱板対１３bの表面側放熱板１１に伝導し、該放熱板１１の長手方向に分散し、該放熱板１１の表面から放熱される。また、同メモリ基板３の裏面にあるメモリ素子４から発生した熱は、放熱板対１３bの裏面側放熱板１２に伝導し、該放熱板１２の長手方向に分散し、該放熱板１２の表面から放熱される。さらに、表面側放熱板１１に伝導した熱は放熱板対連結部材１４に伝導し、該連結部材１４の表面から放熱されると共に、主に放熱板対１３aに伝導し、メモリモジュール２aにも伝導する。また、裏面側放熱板１２に伝導した熱は放熱板対連結部材１４に伝導し、該連結部材１４の表面から放熱されると共に、主に放熱板対１３cに伝導し、メモリモジュール２cにも伝導する。尚、メモリ素子４から発生した熱がメモリ基板３及びコネクタ５を介してマザーボード１に伝導し、マザーボード１の表面からも放熱されることは従来と同様である。図２に上記熱伝導の様子を一点鎖線の矢印を用いて模式的に示す。
尚、図１に示すように、各放熱板対１３a〜１３cの表面側放熱板１１及び裏面側放熱板１２とメモリ素子４との間にシリコングリス２５を塗布しておくと、表面側放熱板１１及び裏面側放熱板１２とメモリ素子４の表面との密着性が高まり熱伝導効率が向上する。また、表面側放熱板１１及び裏面側放熱板１２、及び放熱板対連結部材１４をすべて同一材質とすることも、熱伝導効率向上の観点からは望ましい。この際に選択する材質としては、なるべく熱伝導率の高い材質が好ましく、例えば銅（Ｃｕ）が好適である。
図１には、放熱板対が３つの場合を図示したが、メモリモジュールの数に応じて放熱板対を適宜増設することもできる。図３に、図１に示す放熱板対１３aの右側に新たな放熱板対１３eを増設した例を示す。この増設用の放熱板対１３eは、放熱板対１３aと同一の表面側放熱板１１及び裏面側放熱板対１２から構成され、図１に示す放熱板対連結部材１４よりも幅が狭い増設用連結部材３０によって放熱板対１３aに連結されている。具体的には、増設用連結部材３０の幅方向一端は上方に向けて折り曲げられており、その屈曲部３１が、放熱板対１３aの表面側放熱板１１の突出部３２（放熱板対連結部材１４よりも上方に突出している部分）に突き合わされ、突き合わされた屈曲部３１と突出部３２とが連結用固定具３３によって固定されている。ここで、増設用連結部材３０よりも上方に突出している放熱板対１３eの表面側放熱板１１の上部は、さらに別の放熱板対を増設する際に、突出部３２と同様に機能する。
尚、増設用の放熱板対１３eを構成する表面側放熱板１１及び裏面側放熱板１２と増設用連結部材３０との固定構造は、放熱板対１３aにおける表面側放熱板１１及び裏面側放熱板１２と放熱板対連結部材１４との固定構造と同一である。また、増設用の放熱板対１３eを構成する表面側放熱板１１及び裏面側放熱板１２とメモリ基板３との固定構造も、放熱板対１３aにおける表面側放熱板１１及び裏面側放熱板１２とメモリ基板３との固定構造と同一である。
（実施形態２）
図４に本発明のメモリモジュール放熱装置の他の実施形態を示す。図４に示すメモリモジュール放熱装置１０の基本構成は、図１に示すメモリモジュール放熱装置１０と同一である。従って、同一の構成には同一の符号を付して説明を省略し、ここでは異なる点についてのみ説明する。
図４に示すメモリモジュール放熱装置１０では、各放熱板対１３a〜１３cを構成する表面側放熱板１１及び裏面側放熱板１２とメモリ基板３とが弾性体（バネ４０）によって連結されている。このため、各表面側放熱板１１及び裏面側放熱板１２は対向するメモリ基板３の側に引き寄せられるように付勢させ、メモリ基板４上のメモリ素子４の表面に密着する。
尚、図１に示すメモリモジュール放熱装置１０では、ピン状の固定具２２を用いて表面側放熱板１１及び裏面側放熱板１２とメモリ基板３とを固定したが、上記構成を有する図４のメモリモジュール放熱装置１０では、固定具２２に相当する固定手段は不要となる。もっとも、図１に示す固定具２２に加えて図４に示すバネ４０を設けてもよい。この場合、連通した表面側放熱板１１の連通孔、メモリ基板３の貫通孔、及び裏面側放熱板１２の連通孔と、そこに挿通された固定具２２とを固定せずにフリーの状態としておけば、固定具２２は、バネ４０の付勢による上記作用を何ら損なうことなく、表面側放熱板１１、裏面側放熱板１２及びメモリ基板３の位置ずれを規制する規制手段として機能する。
（実施形態３）
図５に本発明のメモリモジュール放熱装置の他の実施形態を示す。図５に示すメモリモジュール放熱装置の基本構成は、図１に示すメモリモジュール放熱装置１０と同一である。従って、同一の構成には同一の符号を付して説明を省略し、ここでは異なる点についてのみ説明する。
図５に示すメモリモジュールの主な特徴は、各メモリモジュール２a〜２cが予め放熱板６を備えているメモリモジュール群２に装着可能とするための改良が加えられている点である。具体的には、各メモリモジュール２a〜２cに、それらが備える放熱板６の外側から放熱板対１３a〜１３cをそれぞれ被せることができるように、各放熱板対１３a〜１３cを構成する表面側放熱板１１と裏面側放熱板１２の対向間隔が図１に示す放熱板対１３a〜１３cに比べて必要かつ十分なだけ拡大されている。より具体的には、各放熱板対１３a〜１３cを対応するメモリモジュール２a〜２cに被せたときに、各表面側放熱板１１及び裏面側放熱板１２が各モジュール２a〜２cの放熱板６に密着する間隔とされている。このとき、各表面側放熱板１１及び裏面側放熱板１２と各放熱板６との間にシリコングリス２５を塗布しておくと、密着度が高まり熱伝導性が向上するので好ましい。
（実施形態４）
実施形態１〜３で説明したメモリモジュール放熱装置が備える放熱板対連結部材には、図６に示すようなスリット５０を１つ又は２つ以上設けることができる。かかるスリット５０を設けた場合、主に表面側放熱板１１及び裏面側放熱板１２から放熱された熱が該メモリモジュール放熱装置１０の外部に放出され易くなり、放熱効果がさらに向上する。尚、図６に示す各スリット５０の寸法は、5.0× 10.0mmであるが、スリット５０の形状、寸法、及び配置は図示したものに限られない。
実施形態１では、表面側放熱板、裏面側放熱板、及び放熱板対連結部材の材質としてＣｕを挙げたが、これらの材質はＣｕに限られるものではない。また、これらをすべて同一の材質で形成することも必須の条件ではない。
次に、本発明のメモリモジュール放熱装置の効果を確認すべく行なった試験の一例について説明する。この試験では、次の試料１〜試料３を用意した。
試料１：図１に示す本発明のメモリモジュール放熱装置が装着されたメモリモジュール群
試料２：本発明のメモリモジュールとは異なるメモリモジュール放熱装置が装着されたメモリモジュール群
試料３：放熱装置が装着されていないメモリモジュール群（図８に示すメモリモジュール群）
試料２のメモリモジュール放熱装置の構成を図７に示す。このメモリモジュール放熱装置は、図１に示すメモリモジュール放熱装置１０（本発明のメモリモジュール放熱装置）が備えている放熱板対連結部材１４を備えておらず、各放熱板対１３a〜１３cが独立している点を除いて、図１に示すメモリモジュール放熱装置１０と同一の構成を有する。
試験の条件その他の詳細は次の通りである。
各メモリモジュール２a〜２c：１GB Unb-DIMM
メモリ素子４：DDR SDRAM 512Mbit×８（１６個）
単体パッケージ：TSOP
モジュール数：３（３枚差し）
メモリ素子４の動作周波数：DDR 333[MHz]
環境：自然対流下
コネクタ５間の間隔：11.0mm
モジュール２a〜２cの間隔（DIMM間隔）：5.0mm
放熱板対１３a〜１３c及び放熱板対連結部材１４の材質：銅
メモリ基板３の高さ（マザーボード１から基板３までの距離）：30.48mm
放熱板対１３a〜１３cの高さ：50.8mm（マザーボード１から
放熱板対連結部材１４までの距離）
測定対象：中央のメモリモジュール２bにおけるメモリ素子４の最高温度
（試験１）
試験１では、メモリ基板３の表裏両面に設けられているメモリ素子４のち、表面側又は裏面側の一方のメモリ素子４のみが集中的に動作する場合を想定し、次のように試料１〜試料３の各メモリモジュール２a〜２cの消費電力値を設定した。
メモリモジュール２b：メモリ基板の表面に設けられている8個のメモリ素子 542[mW]
メモリ基板の表面に設けられている8個のメモリ素子 58[mW]
メモリモジュール２a及び２c：16個すべてのメモリ素子 58[mW]
以上の条件で試料１〜試料３のメモリモジュール２bにおけるメモリ素子４の最高温度を測定したところ、次の測定結果が得られた。
試料１：59.8[℃]
試料２：63.3[℃]
試料３：80.5[℃]
以上の通り、試料１（図１に示す本発明のメモリモジュール放熱装置１０）では、各放熱板が独立している試料２のメモリモジュール放熱装置に比べて、約4.0（63.3−59.8）[℃]も冷却効果が高いことが確認された。
（試験２）
試験２では、メモリ基板３の表裏両面に設けられているメモリ素子４が交互に動作する場合を想定し、次のように試料１〜試料３の各メモリモジュール２a〜２cの消費電力値を設定した。
メモリモジュール２b：メモリ基板の表面に設けられている8個のメモリ素子 300[mW]
メモリ基板の表面に設けられている8個のメモリ素子 300[mW]
メモリモジュール２a及び２c：16個すべてのメモリ素子 58[mW]
以上の条件で試料１〜試料３のメモリモジュール２bにおけるメモリ素子４の最高温度を測定したところ、次の測定結果が得られた。
試料１：58.4[℃]
試料２：62.4[℃]
試料３：75.1[℃]
ここでも、試料１（図１に示す本発明のメモリモジュール放熱装置１０）では、各放熱板が独立している試料２のメモリモジュール放熱装置に比べて、約4.0（62.4−58.4）[℃]も冷却効果が高いことが確認された。
さらに、試験２と同一条件下で図６に示す本発明のメモリモジュール放熱装置１０が装着されたメモリモジュール群におけるメモリ素子の最高温度を測定したところ、中央のメモリモジュールに設けられたメモリ素子の最高温度は57.6[℃]であった。すなわち、放熱板対連結部材１４にスリット５０を形成することで、さらに約1.0[℃]の冷却効果があることが確認された。
本発明のメモリモジュール放熱装置の実施形態の一例を示す拡大断面図である。 （ａ）は、図１に示すメモリモジュール放熱装置の平面図、（ｂ）は、図１に示すメモリモジュール放熱装置の一部切欠きの側面図である。 図１に示すメモリモジュール放熱装置に放熱板対が増設された状態を示す拡大断面図である。 本発明のメモリモジュール放熱装置の実施形態の他例を示す拡大断面図である。 本発明のメモリモジュール放熱装置の実施形態の他例を示す拡大断面図である。 本発明のメモリモジュール放熱装置の実施形態の他例を示す平面図である。 本発明のメモリモジュール放熱装置に対する比較対象であるメモリモジュール放熱装置の構成を示す拡大断面図である。 メモリモジュール群の一例を示す拡大断面図である。 放熱板を備えたメモリモジュールからなるメモリモジュール群を示す拡大断面図である。
符号の説明
１ マザーボード
２ メモリモジュール群
３ メモリ基板
４ メモリ素子
５ コネクタ
１０ メモリモジュール放熱装置
１１ 表面側放熱板
１２ 裏面側放熱板
１３ 放熱板対
１４ 放熱板対連結部材
１５ 固定部材
１６ クリップ
２０ 貫通孔
２１ 連通孔
２２ 固定具
２５ シリコングリス
３０ 増設用連結部材
３１ 屈曲部
３２ 突出部
３３ 連結用固定具
４０ バネ
５０ スリット

Claims (6)

  1. 基板の表裏両面にメモリ素子がそれぞれ設けられたメモリモジュールが２つ以上並列されてなるメモリモジュール群から発生する熱を放熱させるメモリモジュール放熱装置であって、
    各メモリモジュールの基板の表面に設けられているメモリ素子に接触する表面側放熱板と、該基板の裏面に設けられているメモリ素子に接触する裏面側放熱板とからなる放熱板対と、
    メモリモジュール毎に設けられた前記放熱板対間で熱伝導が行なわれるように、これら放熱板対同士を連結する放熱板対連結部材と、を有し、
    並列方向一端のメモリモジュールの基板表面に設けられているメモリ素子に接触する表面側放熱板の上部が、同メモリモジュールの基板裏面に設けられているメモリ素子に接触する裏面側放熱板の上端よりも上方に突出して突出部を形成し、
    並列方向他端のメモリモジュールの基板裏面に設けられているメモリ素子に接触する裏面側放熱板の上部が、同メモリモジュールの基板表面に設けられているメモリ素子に接触する表面側放熱板の上端よりも上方に突出して突出部を形成している、メモリモジュール放熱装置。
  2. 前記表面側放熱板及び裏面側放熱板が前記メモリ素子に密着するように、それら表面側放熱板及び裏面側放熱板を前記メモリモジュールに固定する固定手段を有する請求項１記載のメモリモジュール放熱装置。
  3. 前記表面側放熱板及び裏面側放熱板が前記メモリ素子に密着するように、それら前記表面側放熱板及び裏面側放熱板を付勢する付勢手段を有する請求項１記載のメモリモジュール放熱装置。
  4. 基板の表裏両面にメモリ素子及び該メモリ素子が発生する熱を放熱する放熱板がそれぞれ設けられたメモリモジュールが２つ以上並列されてなるメモリモジュール群から発生する熱を放熱させるメモリモジュール放熱装置であって、
    前記基板の表面側に設けられた前記放熱板に接触する表面側放熱板と、前記基板の裏面側に設けられた前記放熱板に接触する裏面側放熱板とからなる放熱板対と、
    メモリモジュール毎に設けられた前記放熱板対間で熱伝導が行なわれるように、これら放熱板対同士を連結する放熱板対連結部材と、を有し、
    並列方向一端のメモリモジュールの基板表面側に設けられている放熱板に接触する表面側放熱板の上部が、同メモリモジュールの基板裏面側に設けられている放熱板に接触する裏面側放熱板の上端よりも上方に突出して突出部を形成し、
    並列方向他端のメモリモジュールの基板裏面側に設けられている放熱板に接触する裏面側放熱板の上部が、同メモリモジュールの基板表面側に設けられている放熱板に接触する表面側放熱板の上端よりも上方に突出して突出部を形成している、メモリモジュール放熱装置。
  5. 前記表面側放熱板、裏面側放熱板、及び放熱板対連結部材が同一材質からなる請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のメモリモジュール放熱装置。
  6. 前記放熱板対連結部材に１つ以上のスリットが形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のメモリモジュール放熱装置。
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