JP3829594B2 - 素子実装方法と光伝送装置 - Google Patents

素子実装方法と光伝送装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3829594B2
JP3829594B2 JP2000199985A JP2000199985A JP3829594B2 JP 3829594 B2 JP3829594 B2 JP 3829594B2 JP 2000199985 A JP2000199985 A JP 2000199985A JP 2000199985 A JP2000199985 A JP 2000199985A JP 3829594 B2 JP3829594 B2 JP 3829594B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light emitting
different
elements
light receiving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000199985A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002026440A (ja
Inventor
貴幸 近藤
達也 下田
淳史 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2000199985A priority Critical patent/JP3829594B2/ja
Priority to US09/895,824 priority patent/US6599769B2/en
Publication of JP2002026440A publication Critical patent/JP2002026440A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3829594B2 publication Critical patent/JP3829594B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/26—Optical coupling means
    • G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
    • G02B6/293—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means
    • G02B6/29346—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means operating by wave or beam interference
    • G02B6/29361—Interference filters, e.g. multilayer coatings, thin film filters, dichroic splitters or mirrors based on multilayers, WDM filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/43—Arrangements comprising a plurality of opto-electronic elements and associated optical interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015—Shape
    • H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
    • H01L2924/10158—Shape being other than a cuboid at the passive surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
    • H01S5/423—Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、素子を基体（基板）に実装する素子実装方法とそれによって各素子が実装された光伝送装置に関し、例えばワンチップコンピュータのように、積層したＩＣチップ間での光インターコネクション装置に好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
コンピュータの更なる高速化を図るため、ＣＰＵやＤＲＡＭ等のＩＣチップを積層し、チップ間のデータのやりとりを光信号で行うワンチップコンピュータが考えられている。このようなワンチップコンピュータの光インターコネクション装置は、例えば或るＩＣチップの発光素子と、他のＩＣチップの受光素子とが対向するようにして各ＩＣチップを積層すれば、一方の発光素子の発光を他のＩＣチップで直接的に受光することができる。従って、この光にデータを乗せれば、ＩＣチップ間でデータの伝送を高速に行うことができる。また、受光素子が設けられたＩＣチップを更に積層すれば、一つの発光素子の信号を複数の受光素子で受光することができる、つまり一つのＩＣチップのデータを同時に複数の他のＩＣチップに伝送することができるため、非常に高速な光バスを形成することもできる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、チップ間で並列データ伝送を行うためには、光信号経路は、夫々独立している必要がある。しかし、ＩＣチップは非常に小さいので、複数の光信号経路の光が漏れて、所謂クロストークが生じる可能性が高い。これを防止するため、積層したＩＣチップ間に光導波路を形成することは非常に困難で、非現実的である。従って、チップ間並列データ伝送のためには、各光信号経路の信号形態、つまり光の波長を変える方法が有効である。
【０００４】
発光素子として挙げられる発光ダイオードや後述する面発光レーザ、受光素子として挙げられるフォトダイオード等は、何れも半導体基板上に形成されるが、同一基板内で光学特性を変え、しかも所定の部位にのみ、それらを製造することは不可能である。そのため、受発光素子は、ＩＣチップに直接実装する必要が生じる。
【０００５】
前記ＩＣチップに実装する発光素子としては、例えば出射口の口径が小さい垂直共振器型面発光レーザ等が挙げられる。この面発光レーザならば、ＩＣチップに実装する発光素子としても十分に小さいし、また垂直方向に発光することから、ＩＣチップ基板上に実装できれば、それだけで、積層された他のＩＣチップに対して発光することができる。また、フォトダイオードなどの受光素子も、ＩＣチップに実装する受光素子として十分に小さい。
【０００６】
しかしながら、このような小さな発光素子や受光素子をＩＣチップ等の基体に高集積に実装するのは困難である。しかも、積層されたＩＣチップ間に光バスを形成するためには、各ＩＣチップの所定の位置に受発光素子を正確に実装しなければならないが、これらの素子を、前述のように高密度に、しかも正確に実装するのは、より一層困難である。
【０００７】
本発明は前記諸問題を解決すべく開発されたものであり、例えば積層されたＩＣチップ間の光インターコネクション装置にも適用可能な光素子の実装方法及びそれによって実装された光伝送装置を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記諸問題を解決するため、本発明のうち請求項１に係る素子実装方法は、基体の上面の所定の部位に形態の異なる凹部を形成し、上面に異なる機能の素子が設けられ且つ前記凹部の形態と同形態で且つ互いに形態の異なる微小構造体を形成し、
（Ａ）微小構造体を流体に混入してスラリとし、
（Ｂ）前記スラリを、前記基体の上面で流動し、前記微小構造体を、対応する形態の凹部に嵌合する素子実装方法であって、
前記互いに形態の異なる微小構造体のうち形態の大きな順に前記（Ａ）工程及び前記（Ｂ）工程を行うことを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明のうち請求項２に係る素子実装方法は、前記請求項１の素子実装方法において、前記異なる機能の素子は、互いに波長の異なる複数の発光素子を含むことを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明のうち請求項３に係る素子実装方法は、前記請求項１の素子実装方法において、前記異なる機能の素子は、互いに感受する波長の異なる複数の受光素子を含むことを特徴とするものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施形態の積層ＩＣチップ間の光インターコネクション装置の概略構成図であり、ここでは、ＣＰＵやＤＲＡＭ等のＩＣチップ（ＬＳＩ）１ａ〜１ｃを三層積層している。この実施形態では、図示する最下層のＩＣチップ１ｃの発光素子２ａの光を中層及び最上層のＩＣチップ１ｂ、１ａの受光素子３ａで受光し、最上層のＩＣチップ１ａの発光素子２ｂの光を中層及び最下層のＩＣチップ１ｂ、１ｃの受光素子３ｂで受光するように構成されている。そのため、一方の発光素子２ａは他方の発光素子２ｂと発光波長が異なり、また一方の受光素子３ｂは他方の受光素子３ｂと感受する受光波長帯域が異なる。なお、この実施形態では、各ＩＣチップ１ａ〜１ｃの基板（基体）４ａ〜４ｃ及び微小構造体７ａ〜８ｂをＳｉで作製した。そのため、各発光素子の光として１．０μｍ以上、好ましくは１．１μｍ以上の波長を選んでいる。Ｓｉは１．０μｍの波長に対して約１００ｃｍ-1と吸収係数が大きく、相応の損失がある。一方、波長が１．１μｍ以上では、吸収係数は１０ｃｍ-1以下と小さい。そこで、本実施形態では、各発光素子の光の波長を１．０μｍ以上、好ましくは１．１μｍ以上とした。この波長の光ならば、Ｓｉを容易に透過することができるため、対向する受発光素子間の光信号の伝達が良好にできる。勿論、後述する接着層２１も、この波長帯域の光に対して透明である。
【００１３】
前記各ＩＣチップ１ａ〜１ｃの各基板４ａ〜４ｃのうち、前記各発光素子２ａ、２ｂ及び受光素子３ａ、３ｂを実装すべき部位には、例えば図２に示すような凹部５ｂ（５ａ）、６ａ（６ｂ）が形成されている。図２は、このうち最上層のＩＣチップ１ａに形成されている凹部５ｂ、６ａを代表して示しているが、各凹部５ｂ、６ａは、上方形面より下方形面が小さく、且つ側面が台形状の凹部である。これらの凹部５ｂ、６ａは、Ｓｉを異方性エッチングすることによって、特に側面の傾きなど、極めて精度よく、形成することができる。なお、図２からも明らかなように、少なくとも同じ基板４ａ上の発光素子用凹部５ｂと受光素子用凹部６ａとは、大きさ等の形態が異なる。また、本実施形態では、図１に示すように、その他の凹部、例えば中層のＩＣチップ１ｂの基板４ｂの受光素子用凹部６ａ、６ｂ同士も、最下層のＩＣチップ１ｃの基板４ｃの受光素子用凹部６ｂと発光素子用凹部５ａとも大きさ等の形態が異なっている。つまり、例えば６ａや６ｂのように、同じ符号を付している凹部同士は大きさ等の形態が同じであるが、符号の異なる凹部同士は、互いに大きさ等の形態が異なる。換言すれば、同じ機能の素子が必要な部位の凹部は形態が同じであるが、異なる機能の素子用の凹部は形態が異なるのである。
【００１４】
図２には、前記発光素子２ｂ（２ａ）が上面に設けられた微小構造体７ｂ（７ａ）と、受光素子３ａ（３ｂ）が上面に設けられた微小構造体８ａ（８ｂ）も示している。微小構造体７ｂ（７ａ）、８ａ（８ｂ）はＳｉで構成される。各微小構造体７ｂ（７ａ）、８ａ（８ｂ）の形態は、何れも前記凹部５ｂ（５ａ）、６ａ（６ｂ）と同様に、上方形面より下方形面が小さく、側面が台形なブロック状である。但し、ここに示す前記他方の発光素子２ｂを実装する部位の発光素子用凹部５ｂと当該他方の発光素子２ｂが設けられている微小構造体７ｂとは同形態であり、前記一方の受光素子３ａを実装する部位の受光素子用凹部６ａと当該一方の受光素子３ａが設けられている微小構造体８ａとは同形態である。同様に、前記一方の発光素子２ａを実装する部位の発光素子用凹部５ａと当該一方の発光素子２ａが設けられている微小構造体７ａとは同形態であり、前記他方の受光素子３ｂを実装する部位の受光素子用凹部６ｂと当該他方の受光素子３ｂが設けられている微小構造体８ｂとは同形態である。即ち、夫々、機能の異なる素子が上面に設けられている微小構造体同士は互いに大きさ等の形態が異なるが、当該素子が実装されるべき部位の凹部とは同形態である。
【００１５】
前記二種類の発光素子２ａ、２ｂは、互いに発光波長の異なる面発光レーザによって構成される。また、前記二種類の受光素子３ａ、３ｂは、互いに感受する受光波長帯域の異なるフィルタ付きフォトダイオードで構成される。まず、面発光レーザからなる発光素子２ａ（２ｂ）が上面に設けられている微小構造体７ａ（７ｂ）の製造方法について説明する。ここでは、図３ａに示すように、面発光レーザ素子となるエピタキシャル層１１を、ｐコンタクト層１３を挟んで、Ｓｉ基板１２に貼付ける。エピタキシャル層１１の反対の面には、予めｎコンタクト層１４が設けられている。また、エピタキシャル層１１をＳｉ基板１２に貼付る技術としては、周知のＩｎＰ−Ｓｉ直接接合や、金属膜介装接合、半田接合、接着剤接合などが用いられる。
【００１６】
次に、図３ｂに示すように、前記エピタキシャル層１１にドライエッチングを施して、面発光レーザの発光部となる柱状部１５を形成する。次に、図３ｃに示すように、残っているエピタキシャル層１１にドライエッチングを施してコンタクトホール１６を形成し、共通電極として、前記ｐコンタクト層１３を露出する。次に、図３ｄに示すように、前記柱状部１５の周囲に、ポリイミドを埋め込んで、絶縁層１７を形成する。次に、図３ｅに示すように、前記ｎコンタクト層１４の上面にリング状上部電極１８を形成し、前記コンタクトホール１６内のｐコンタクト層１３の上面に下部電極１９を形成する。そして、最後に、図３ｆに示すように、前記Ｓｉ基板１２に異方性エッチングを施して、前述した微小構造体７ａ（７ｂ）を形成する。
【００１７】
また、前記受光素子３ａ、３ｂには、通常のフォトダイオード９の上下面に、通過する光の波長帯域が異なる多層膜コーティング１０ａ、１０ｂを施したものを用いる。即ち、例えばＳｉ基板と、多層膜コーティング１０ａ、１０ｂが施されたフォトダイオード９を接合し、当該多層膜コーティング１０ａ、１０ｂとフォトダイオード９をエッチング法などにより、所定の形状に成形した後、Ｓｉ基板に異方性エッチングを施して、前記微小構造体８ａ、８ｂを形成する。つまり、これらの多層膜コーティング１０ａ、１０ｂが通過する光の波長を規制するバンドパスフィルタをなし、全体で、特定の波長帯域の光だけを感受する受光素子３ａ、３ｂが構成される。ここでは、前記一方の受光素子３ａの多層膜コーティング１０ａは、前記一方の発光素子２ａの面発光レーザが発光する波長の光を透過するが、前記他方の発光素子２ｂの面発光レーザが発光する波長の光を遮断する特性を備えるように構成されている。それに対して、前記他方の受光素子３ｂの多層膜コーティング１０ｂは、前記他方の発光素子２ｂの面発光レーザが発光する波長の光を透過するが、前記一方の発光素子２ａの面発光レーザが発光する波長の光を遮断する特性を備えるように構成されている。
【００１８】
そして、例えばUnited States Patent 5904545に記載されるように、前記発光素子２ｂ（２ａ）が設けられた微小構造体７ｂ（７ａ）や、受光素子３ａ（３ｂ）が設けられた微小構造体８ａ（８ｂ）を、所定の流体に混入してスラリを作り、このスラリを前記各基板４ａ（４ｂ、４ｃ）の上面で流動する。すると、微小構造体７ｂ（７ａ）、８ａ（８ｂ）は、図２に示すように、同じ形態の凹部５ｂ（５ａ）、６ａ（６ｂ）に重力によって嵌合する。つまり、例えば前記最上層のＩＣチップ１ａの基板４ａにおいて、前記他方の発光素子２ｂを実装すべき部位の発光素子用凹部５ｂには、当該他方の発光素子２ｂが上面に設けられた微小構造体７ｂが嵌合し、前記一方の受光素子３ａを実装すべき部位の受光素子用凹部６ａには、当該一方の受光素子３ａが上面に設けられた微小構造体８ａが嵌合する。従って、例えば図４に示すように、前記最上層のＩＣチップ１ａの基板４ａに、前記四つの異なる凹部５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂを形成し、前記二つの異なる発光素子２ａ、２ｂが設けられた微小構造体７ａ、７ｂ及び二つの異なる受光素子３ａ、３ｂが設けられた微小構造体８ａ、８ｂを流体に混入してスラリを作り、それを前記基板４ａの上面で流動すれば、該当する凹部５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂに、夫々同形態の微小構造体７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂが嵌合し、所望の部位に所望の素子を実装することができる。
【００１９】
但し、このように大きさの異なる微小構造体７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂを用いて各受発光素子を実装する際には、形態の大きい微小構造体（ここでは微小構造体８ｂ）から形態の小さい微小構造体（ここでは微小構造体８ａ）といったように、形態の大きい順、つまり微小構造体８ｂ、８ａ、７ｂ、７ａの順で、夫々の微小構造体並びに各受発光素子が混入したスラリを基板４ａ（４ｂ、４ｃ）の上面で流動し、各受発光素子を実装するのが望ましい。これにより、例えば形態の小さい微小構造体７ｂが形態の大きい凹部６ａに誤って嵌合するのを防止することができる。つまり、形態の大きい凹部６ａには、既に形態の大きい微小構造体８ａが嵌合して、当該凹部６ａは閉塞されているからである。
【００２０】
このようにして各基板４ａ〜４ｃに各受発光素子２ａ、２ｂ、３ａ、３ｂが実装されたら、被膜処理やコンタクトホール形成、配線等の必要な処理を施し、それら基板４ａ〜４ｃからなるＩＣチップ１ａ〜１ｃを所定の状態に積層する。本実施形態では、ＩＣチップ１ａ〜１ｃの積層に際し、透明な接着剤２１を用いた。これにより、前記発光素子２ａ、２ｂの光は、各基板４ａ〜４ｃ及び接着剤２１層を通過して、各受光素子３ａ、３ｂに到達する。そして、各受光素子３ａ、３ｂは、夫々、感受対象となる発光素子２ａ、２ｂの光だけを受光する。従って、各光信号経路から光が漏れても、異なる光信号経路の受光素子が、その光を誤って受光する、つまりクロストークの恐れがなく、完全に独立した光バスを形成することができる。
【００２１】
このように、本実施形態の素子実装方法では、機能の異なる素子を、極めて高密度に且つ正確に実装することができる。しかも、前記Ｓｉ異方性エッチングで形成される凹部５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂ及び微小構造体７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂは、極めて形状精度が高いので、非常に小さな微小構造体も、確実に同形態の凹部に嵌合し、従って極めて高い精度で、所望の部位に所望の素子を実装することができる。
【００２２】
次に、本発明の素子実装方法及び光伝送装置を波長多重型光インターコネクション装置に適用した実施形態を示す。波長多重型光インターコネクション装置は、例えば図５のように構成される。この例は、例えば特開平１１−２８９３１７号公報に記載されるものと同等であり、波長の異なる複数の発光素子２が実装されている発光素子アレイ１１１と、光導波路となる光ファイバ１１０と、前記発光素子２の夫々の波長の光を抽出するフィルタ素子２２が実装されているフィルタアレイ１１２と、このフィルタアレイ１１２で抽出された各波長の光を受光する受光素子３が実装されている受光素子アレイ１１３とで構成される。なお、図では、理解を容易にするために、各構成要素を分離しているが、実質的に各構成要素は、光学的に直接接合されている。
【００２３】
このような波長多重型光インターコネクション装置では、前記発光素子アレイ１１１の各発光素子２から波長の異なる複数の光を発光し、その夫々の光を媒体として光ファイバ１１０内を伝送し、当該光ファイバ１１０から出射する光の中から、該当する波長の光を抽出して、それを受光素子アレイ１１３の各受光素子３で受光することにより、当該光に乗せられたデータを伝送することができる。
【００２４】
しかしながら、この場合も、異なる機能、つまり受発光する光の波長特性が異なる発光素子２や受光素子３を用いることから、夫々の素子は、夫々のアレイ上に実装しなければならない。しかも、大径のプラスチック光ファイバを用いても、光を伝送するコアの径は小さいので、このコア径の内部に、前記発光素子２や受光素子３を高密度且つ正確に実装するのは非常に困難である。
【００２５】
そこで、本実施形態では、前記積層ＩＣチップ間光インターコネクション装置に用いた発光素子付きの微小構造体及び受光素子付きの微小構造体を用いて、これらの各受発光素子を実装する。但し、前記受光素子は、所定の波長の光だけを受光するフィルタ機能が付加されているので、実質的に前記フィルタアレイ１１２は不要である。
【００２６】
そこで、図６ａに示すように、前記発光素子アレイ１１１の基板に、互いに異なる形態の凹部５ｃ〜５ｆを形成し、夫々の凹部の形態と同形態で且つ上面に発光素子２ｃ〜２ｆが設けられた前記微小構造体７ｃ〜７ｆを流体に混入してスラリを作り、このスラリを、当該基板の上面で流動して、同じ形態の凹部５ｃ〜５ｆに微小構造体７ｃ〜７ｆを嵌合し、当該発光素子アレイ１１１の基板に発光素子２ｃ〜２ｆを実装する。また、図６ｂに示すように、前記受光素子アレイ１１３の基板に、互いに異なる形態の凹部６ｃ〜６ｆを形成し、夫々の凹部の形態と同形態で且つ上面に受光素子３ｃ〜３ｆが設けられた前記微小構造体８ｃ〜８ｆを流体に混入してスラリを作り、このスラリを、当該基板の上面で流動して、同じ形態の凹部６ｃ〜６ｆに微小構造体８ｃ〜８ｆを嵌合し、当該受光素子アレイ１１３の基板に受光素子３ｃ〜３ｆを実装する。
【００２７】
このように、前述と同様、機能の異なる素子を、極めて高密度に且つ正確に実装することができる。しかも、前記Ｓｉ異方性エッチングで形成される凹部及び微小構造体は、極めて形状精度が高いので、非常に小さな微小構造体も、確実に同形態の凹部に嵌合し、従って極めて高い精度で、所望の部位に所望の素子を実装することができる。
【００２８】
なお、前記各実施形態では、微小構造体を、全て上下面が正方形で、側面が台形のものとしたが、微小構造体の形態は、これに限定されるものではなく、例えば上下面が長方形であったり、平行四辺形或いは菱形のようなものであってもよい。
【００２９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のうち請求項１に係る素子実装方法によれば、基体の上面の所定の部位に形態の異なる凹部を形成すると共に、上面に異なる機能の素子が設けられ且つ前記凹部の形態と同形態で且つ互いに形態の異なる微小構造体を形成し、この素子が設けられた微小構造体を流体に混入してスラリとし、このスラリを、前記基体の上面で流動し、前記微小構造体を、対応する形態の凹部に嵌合することとしたため、凹部の形態と微小構造体とが同形態であれば、異なる機能の素子を極めて高密度に実装することができ、しかも凹部の形態と部位が正確であれば、素子を基体に対して極めて正確に実装することができる。
【００３０】
また、前記形態の異なる微小構造体のうち、微小構造体の形態が大きな順に、それぞれの微小構造体が混入したスラリを、基体の上面で流動させることとしたため、形態の小さな微小構造体が、それより大きな形態の凹部に嵌合する可能性が小さくなり、その分だけ、素子を正確に実装することができる。
【００３１】
また、本発明のうち請求項２に係る素子実装方法によれば、互いに波長の異なる複数の発光素子を含むこととしたため、積層ＩＣチップ間の光インターコネクション装置にも適用可能な発光素子実装済みＩＣチップを製造することができる。
また、本発明のうち請求項３に係る素子実装方法によれば、互いに感受する波長の異なる複数の受光素子を含むこととしたため、積層ＩＣチップ間の光インターコネクション装置にも適用可能な受光素子実装済みＩＣチップを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態を示す積層ＩＣチップ間光インターコネクション装置の概略構成図である。
【図２】素子を各基板の凹部に嵌合する説明図である。
【図３】発光素子が上面に設けられている微小構造体の製造方法の説明図である。
【図４】形態の異なる微小構造体により機能の異なる素子を基板に実装した説明図である。
【図５】本発明の実施形態を示す波長多重型光インターコネクション装置の概略構成図である。
【図６】形態の異なる微小構造体により機能の異なる素子を基板に実装した説明図である。
【符号の説明】
１ａ、１ｂ、１ｃはＩＣチップ
２（２ａ、２ｂ）は発光素子
３（３ａ、３ｂ）は受光素子
４ａ、４ｂ、４ｃは基板
５（５ａ、５ｂ）は凹部
６（６ａ、６ｂ）は凹部
７（７ａ、７ｂ）は微小構造体
８（８ａ、８ｂ）は微小構造体
９はフォトダイオード
１０（１０ａ、１０ｂ）は多層膜コーティング（バンドパスフィルタ）
１０は光ファイバ
１１は発光素子アレイ
１２はフィルタ素子アレイ
１３は受光素子アレイ

Claims (3)

  1. 基体の上面の所定の部位に形態の異なる凹部を形成し、上面に異なる機能の素子が設けられ且つ前記凹部の形態と同形態で且つ互いに形態の異なる微小構造体を形成し、
    （Ａ）微小構造体を流体に混入してスラリとし、
    （Ｂ）前記スラリを、前記基体の上面で流動し、前記微小構造体を、対応する形態の凹部に嵌合する素子実装方法であって、
    前記互いに形態の異なる微小構造体のうち形態の大きな順に前記（Ａ）工程及び前記（Ｂ）工程を行うことを特徴とする素子実装方法。
  2. 前記異なる機能の素子は、互いに波長の異なる複数の発光素子を含むことを特徴とする請求項１に記載の素子実装方法。
  3. 前記異なる機能の素子は、互いに感受する波長の異なる複数の受光素子を含むことを特徴とする請求項１に記載の素子実装方法。
JP2000199985A 2000-06-30 2000-06-30 素子実装方法と光伝送装置 Expired - Fee Related JP3829594B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000199985A JP3829594B2 (ja) 2000-06-30 2000-06-30 素子実装方法と光伝送装置
US09/895,824 US6599769B2 (en) 2000-06-30 2001-06-29 Process for mounting device and optical transmission apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000199985A JP3829594B2 (ja) 2000-06-30 2000-06-30 素子実装方法と光伝送装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002026440A JP2002026440A (ja) 2002-01-25
JP3829594B2 true JP3829594B2 (ja) 2006-10-04

Family

ID=18697925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000199985A Expired - Fee Related JP3829594B2 (ja) 2000-06-30 2000-06-30 素子実装方法と光伝送装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6599769B2 (ja)
JP (1) JP3829594B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11469132B2 (en) 2020-08-13 2022-10-11 Samsung Electronics Co.. Ltd. Method of aligning micro light emitting element and display transferring structure

Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6391005B1 (en) 1998-03-30 2002-05-21 Agilent Technologies, Inc. Apparatus and method for penetration with shaft having a sensor for sensing penetration depth
US8641644B2 (en) 2000-11-21 2014-02-04 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Blood testing apparatus having a rotatable cartridge with multiple lancing elements and testing means
US9795747B2 (en) 2010-06-02 2017-10-24 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Methods and apparatus for lancet actuation
US7316700B2 (en) 2001-06-12 2008-01-08 Pelikan Technologies, Inc. Self optimizing lancing device with adaptation means to temporal variations in cutaneous properties
US7025774B2 (en) 2001-06-12 2006-04-11 Pelikan Technologies, Inc. Tissue penetration device
EP1404235A4 (en) 2001-06-12 2008-08-20 Pelikan Technologies Inc METHOD AND DEVICE FOR A LANZETTING DEVICE INTEGRATED ON A BLOOD CARTRIDGE CARTRIDGE
DE60238119D1 (de) 2001-06-12 2010-12-09 Pelikan Technologies Inc Elektrisches betätigungselement für eine lanzette
US9427532B2 (en) 2001-06-12 2016-08-30 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Tissue penetration device
US7981056B2 (en) 2002-04-19 2011-07-19 Pelikan Technologies, Inc. Methods and apparatus for lancet actuation
US9226699B2 (en) 2002-04-19 2016-01-05 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Body fluid sampling module with a continuous compression tissue interface surface
US8337419B2 (en) 2002-04-19 2012-12-25 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Tissue penetration device
JP3844061B2 (ja) * 2002-01-16 2006-11-08 ソニー株式会社 電子部品の配置方法及びその装置
JP4082031B2 (ja) * 2002-01-17 2008-04-30 ソニー株式会社 素子の配列方法、及び表示装置
US8221334B2 (en) 2002-04-19 2012-07-17 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Method and apparatus for penetrating tissue
US9795334B2 (en) 2002-04-19 2017-10-24 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Method and apparatus for penetrating tissue
US7297122B2 (en) 2002-04-19 2007-11-20 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for penetrating tissue
US9314194B2 (en) 2002-04-19 2016-04-19 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Tissue penetration device
US9248267B2 (en) 2002-04-19 2016-02-02 Sanofi-Aventis Deustchland Gmbh Tissue penetration device
US8579831B2 (en) 2002-04-19 2013-11-12 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Method and apparatus for penetrating tissue
US7901362B2 (en) 2002-04-19 2011-03-08 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for penetrating tissue
US8372016B2 (en) 2002-04-19 2013-02-12 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Method and apparatus for body fluid sampling and analyte sensing
US7331931B2 (en) 2002-04-19 2008-02-19 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for penetrating tissue
US7232451B2 (en) 2002-04-19 2007-06-19 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for penetrating tissue
US7892183B2 (en) 2002-04-19 2011-02-22 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for body fluid sampling and analyte sensing
US7491178B2 (en) 2002-04-19 2009-02-17 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for penetrating tissue
US7229458B2 (en) 2002-04-19 2007-06-12 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for penetrating tissue
US8267870B2 (en) 2002-04-19 2012-09-18 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Method and apparatus for body fluid sampling with hybrid actuation
US7976476B2 (en) 2002-04-19 2011-07-12 Pelikan Technologies, Inc. Device and method for variable speed lancet
US7909778B2 (en) 2002-04-19 2011-03-22 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for penetrating tissue
US8360992B2 (en) 2002-04-19 2013-01-29 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Method and apparatus for penetrating tissue
US8784335B2 (en) 2002-04-19 2014-07-22 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Body fluid sampling device with a capacitive sensor
US7547287B2 (en) 2002-04-19 2009-06-16 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for penetrating tissue
US7175642B2 (en) 2002-04-19 2007-02-13 Pelikan Technologies, Inc. Methods and apparatus for lancet actuation
US8702624B2 (en) 2006-09-29 2014-04-22 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Analyte measurement device with a single shot actuator
US7226461B2 (en) 2002-04-19 2007-06-05 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for a multi-use body fluid sampling device with sterility barrier release
US7674232B2 (en) 2002-04-19 2010-03-09 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for penetrating tissue
US6927382B2 (en) * 2002-05-22 2005-08-09 Agilent Technologies Optical excitation/detection device and method for making same using fluidic self-assembly techniques
JP3870848B2 (ja) 2002-06-10 2007-01-24 セイコーエプソン株式会社 半導体集積回路、電気光学装置、電子機器および半導体集積回路の製造方法
JP2004022901A (ja) * 2002-06-18 2004-01-22 Seiko Epson Corp 光インターコネクション集積回路、光インターコネクション集積回路の製造方法、電気光学装置および電子機器
US8574895B2 (en) 2002-12-30 2013-11-05 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Method and apparatus using optical techniques to measure analyte levels
JP2004272014A (ja) 2003-03-10 2004-09-30 Seiko Epson Corp 光通信モジュールの製造方法、光通信モジュール、及び電子機器
DE602004028463D1 (de) 2003-05-30 2010-09-16 Pelikan Technologies Inc Verfahren und vorrichtung zur injektion von flüssigkeit
US7850621B2 (en) 2003-06-06 2010-12-14 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for body fluid sampling and analyte sensing
WO2006001797A1 (en) 2004-06-14 2006-01-05 Pelikan Technologies, Inc. Low pain penetrating
US7540080B2 (en) * 2003-09-22 2009-06-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for mounting component by suction nozzle
EP1671096A4 (en) 2003-09-29 2009-09-16 Pelikan Technologies Inc METHOD AND APPARATUS FOR PROVIDING IMPROVED SAMPLE CAPTURING DEVICE
WO2005037095A1 (en) 2003-10-14 2005-04-28 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for a variable user interface
EP1706026B1 (en) 2003-12-31 2017-03-01 Sanofi-Aventis Deutschland GmbH Method and apparatus for improving fluidic flow and sample capture
US7822454B1 (en) 2005-01-03 2010-10-26 Pelikan Technologies, Inc. Fluid sampling device with improved analyte detecting member configuration
US8828203B2 (en) 2004-05-20 2014-09-09 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Printable hydrogels for biosensors
US9775553B2 (en) 2004-06-03 2017-10-03 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Method and apparatus for a fluid sampling device
WO2005120365A1 (en) 2004-06-03 2005-12-22 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for a fluid sampling device
BRPI0519478A2 (pt) * 2004-12-27 2009-02-03 Quantum Paper Inc display emissivo endereÇÁvel e imprimÍvel
US8652831B2 (en) 2004-12-30 2014-02-18 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Method and apparatus for analyte measurement test time
US7880161B2 (en) 2007-02-16 2011-02-01 Mears Technologies, Inc. Multiple-wavelength opto-electronic device including a superlattice
US9425357B2 (en) 2007-05-31 2016-08-23 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Diode for a printable composition
US8395568B2 (en) * 2007-05-31 2013-03-12 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US9534772B2 (en) 2007-05-31 2017-01-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting diodes
US8674593B2 (en) 2007-05-31 2014-03-18 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8415879B2 (en) 2007-05-31 2013-04-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8809126B2 (en) 2007-05-31 2014-08-19 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8846457B2 (en) 2007-05-31 2014-09-30 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8877101B2 (en) 2007-05-31 2014-11-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, power generating or other electronic apparatus
US9343593B2 (en) 2007-05-31 2016-05-17 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8852467B2 (en) 2007-05-31 2014-10-07 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US9419179B2 (en) 2007-05-31 2016-08-16 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8889216B2 (en) * 2007-05-31 2014-11-18 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing addressable and static electronic displays
US8133768B2 (en) * 2007-05-31 2012-03-13 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US9018833B2 (en) 2007-05-31 2015-04-28 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting or absorbing diodes
EP2265324B1 (en) 2008-04-11 2015-01-28 Sanofi-Aventis Deutschland GmbH Integrated analyte measurement system
US7992332B2 (en) 2008-05-13 2011-08-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Apparatuses for providing power for illumination of a display object
US8127477B2 (en) 2008-05-13 2012-03-06 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Illuminating display systems
DE102008030815A1 (de) * 2008-06-30 2009-12-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen
US9375169B2 (en) 2009-01-30 2016-06-28 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Cam drive for managing disposable penetrating member actions with a single motor and motor and control system
DE102009036022B4 (de) 2009-08-04 2014-04-03 Northrop Grumman Litef Gmbh Optischer Transceiver und Faseroptischer Kreisel
US8965476B2 (en) 2010-04-16 2015-02-24 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Tissue penetration device
RU2678321C2 (ru) * 2013-09-02 2019-01-28 Филипс Лайтинг Холдинг Б.В. Прозрачная вычислительная конструкция
US10312731B2 (en) 2014-04-24 2019-06-04 Westrock Shared Services, Llc Powered shelf system for inductively powering electrical components of consumer product packages
US9892944B2 (en) * 2016-06-23 2018-02-13 Sharp Kabushiki Kaisha Diodes offering asymmetric stability during fluidic assembly
US10418527B2 (en) * 2014-10-31 2019-09-17 eLux, Inc. System and method for the fluidic assembly of emissive displays
US10446728B2 (en) * 2014-10-31 2019-10-15 eLux, Inc. Pick-and remove system and method for emissive display repair
TWI697035B (zh) * 2017-11-27 2020-06-21 日商尼康股份有限公司 發光元件與顯示裝置及其製造方法
CN109300887B (zh) * 2018-09-30 2024-03-01 武汉华星光电技术有限公司 背光装置及其制造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61108186A (ja) * 1984-11-01 1986-05-26 Seiko Epson Corp 電気光学装置
JPH03231475A (ja) * 1990-02-06 1991-10-15 Nec Corp 光検出素子
JP2576692B2 (ja) * 1993-07-14 1997-01-29 日本電気株式会社 波長多重用光デバイスの製造方法
US5824186A (en) 1993-12-17 1998-10-20 The Regents Of The University Of California Method and apparatus for fabricating self-assembling microstructures
US5904545A (en) 1993-12-17 1999-05-18 The Regents Of The University Of California Apparatus for fabricating self-assembling microstructures
US5545291A (en) 1993-12-17 1996-08-13 The Regents Of The University Of California Method for fabricating self-assembling microstructures
US5513203A (en) * 1995-04-05 1996-04-30 At&T Corp. Surface emitting laser having improved pumping efficiency
JPH11289317A (ja) 1998-04-02 1999-10-19 Hitachi Ltd 波長多重光インタコネクション装置
JP4258860B2 (ja) * 1998-09-04 2009-04-30 セイコーエプソン株式会社 光伝達手段を備えた装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11469132B2 (en) 2020-08-13 2022-10-11 Samsung Electronics Co.. Ltd. Method of aligning micro light emitting element and display transferring structure
US11676848B2 (en) 2020-08-13 2023-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of aligning micro light emitting element and display transferring structure

Also Published As

Publication number Publication date
US20020055200A1 (en) 2002-05-09
JP2002026440A (ja) 2002-01-25
US6599769B2 (en) 2003-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3829594B2 (ja) 素子実装方法と光伝送装置
KR101955060B1 (ko) 광학 인터포저 및 그 제조 방법
US7058247B2 (en) Silicon carrier for optical interconnect modules
US6828606B2 (en) Substrate with embedded free space optical interconnects
KR100810665B1 (ko) 광전변환모듈 및 그 제조방법
US6788836B2 (en) Multi-level waveguide
US9348088B2 (en) Systems and methods for passive alignment of opto-electronic components
TWI624705B (zh) 包含矽光晶片和耦合器晶片的光學模組
JP3731542B2 (ja) 光モジュール及び光モジュールの実装方法
US9671578B2 (en) Structured substrate for optical fiber alignment
TW201530205A (zh) 積體模組及其形成方法
EP1676160A1 (en) Electro-optical circuitry having integrated connector and methods for the production thereof
US6879423B2 (en) Printed circuit board assembly with multi-channel block-type optical devices packaged therein
US20050207693A1 (en) Optical structures and methods for connecting optical circuit board components
JP2005532592A (ja) 真位置ベンチ
JP4668049B2 (ja) 光配線モジュール
JP2008129385A (ja) 光部品搭載用基板及び光モジュール
JP2004286835A (ja) 光学素子搭載装置及びその製造方法、光学素子搭載装置付き配線基板
US7945127B2 (en) Electrically pluggable optical interconnect
US11119280B2 (en) Grating couplers and methods of making same
JP2002026397A (ja) 素子実装方法と光伝送装置
US20030202751A1 (en) Lithographically defined optic array
KR20040106674A (ko) 광도파로 적층 인쇄회로기판 및 광연결 블록의 구조와 그광도파로층 제작 방법
JP2004006871A (ja) 取り外し可能な基板を利用する高速な電子相互接続
KR20240014497A (ko) 광자 집적 회로 기반 다중기능 자가 지속 호스팅 장치 및 관련 양방향 광학 서브 어셈블리

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051101

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060228

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060403

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060509

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060530

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060620

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060703

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100721

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110721

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110721

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120721

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120721

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130721

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees