JP3827520B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造技術に関し、特に半導体装置の実装温度サイクル性、リフロー性および実装性の向上に適用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路が形成された半導体チップを有する半導体装置(半導体パッケージ)において、外部端子として半田などからなるバンプ電極(半田ボール)が設けられ、かつ半導体チップを支持するチップ支持基板を備えたものの一例として、BGA(Ball Grid Array)と呼ばれる半導体装置が知られている。
【0003】
BGAのうち薄形化を図ったものは、半導体チップを支持するチップ支持基板にテープ基板(配線基板)が用いられている。
【0004】
なお、BGAの組み立てでは、テープ基板の一方の面すなわちチップ支持面に半導体チップを絶縁性の接着剤によって搭載し、ワイヤボンディング後、樹脂封止を行って封止部を形成する。
【0005】
さらに、テープ基板の裏面において外部端子搭載電極であるバンプランドに半田ボール(外部端子)を搭載する(半田ペースト印刷後、リフローなどによって溶融してもよい)。
【0006】
したがって、半導体チップの内側エリアと外側エリアとに半田ボールが配置される構造のBGAの場合、BGAを実装基板に実装して温度サイクル時に、半導体チップとテープ基板と実装基板との熱膨張係数の差によって半導体チップの周縁部付近に配置された半田ボールの接合部に応力がかかり易い構造となる。
【0007】
なお、半導体チップとチップ支持基板との間の応力を緩和するものとして、特開2000−114424号公報に、半導体チップとチップ支持基板との間の基板側(下層側)に比較的硬い接着層を配置し、この接着層の上側であるチップ側(上層側)に前記接着層よりヤング率が低い低ヤング率層を配置して半導体チップとチップ支持基板の間の応力を緩和する技術が記載されている。
【0008】
また、特開平11−224912号公報には、低弾性率の層で応力緩和構造を維持しつつ、高弾性率の層で配線基板に接着する際のテント状の張り状態確保することで、配線、配線基板、高弾性率の層によって囲まれる空間を通気管路(ventline) として利用し、耐パッケージクラック特性を確保しようとする技術が開示されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前記した技術の特開2000−114424号公報に記載された半導体パッケージでは、半導体チップとチップ支持基板との間において、下層側(基板側)に硬い接着層が配置され、かつ上層側(チップ側)に低ヤング率層が設けられているため、樹脂モールド時の樹脂注入圧によって半導体チップにその上方から圧力がかかると、半導体チップが沈んで座屈し、その結果、チップクラックが発生することが問題となる。
【0010】
さらに、内部のエアーを外部に逃がすエアー抜き部についての記載が無く、仮に、チップ支持基板にエアー抜き部が設けられていても、硬い接着層が下層側に配置されているため、エアーが外部に抜けにくく、したがって、半田バンプのリフローなど、半導体装置を実装基板上に実装する際の熱処理によって発生する水蒸気やアウトガスによってパッケージ内部圧が上昇し、パッケージクラック、剥離、膨れ、ポップコーン現象などの不良が発生しやすいため、リフロー(実装)時の信頼性(リフロー性)が悪いことが問題となる。
【0011】
また、特開平11−224912号公報に記載された半導体パッケージでは、前記通気管路は、例えば、封止樹脂中のフィラーの径(〜3μm)よりも直径の大きな管状の構造を有するため、樹脂封止時にモールド樹脂が通気管路中に入り込んでしまう。モールド樹脂が通気管路に入り込んでしまうと、通気管路としての機能を失うばかりか、複雑な構造の通気管路にモールド樹脂が入る過程で、未充填領域が樹脂中に残る可能性がある。樹脂中に取り残された未充填領域は、リフロー時に内部圧が上昇し、ポップコーン現象の原因となり得る。
【0012】
また、チップ支持基板にテープ基板を用いたBGAの場合、モールド樹脂と半導体チップとテープ基板との間の熱膨張係数の不整合やテープ基板の剛性不足により、モールド樹脂硬化時の収縮によるパッケージ反りが発生する。
【0013】
その結果、実装性が低下することが問題となる。
【0014】
さらに、半導体チップの周縁部付近に配置された半田ボールにおけるパッケージ側および実装基板側の接合部に応力が集中し易く、実装温度サイクル試験において接続不良が発生することが問題となる。
【0015】
本発明の目的は、実装温度サイクル性の向上を図る半導体装置を提供することにある。
【0016】
また、本発明のその他の目的は、リフロー性の向上を図る半導体装置を提供することにある。
【0017】
また、本発明のその他の目的は、実装性の向上を図る半導体装置を提供することにある。
【0018】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【0019】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【0020】
すなわち、本発明の半導体装置は、表面と前記表面と反対側の裏面とを有する配線基板であって、前記表面に複数の接続端子が形成された配線基板と、複数の表面電極を有し、前記配線基板の表面に絶縁性の接着剤層を用いて接着された半導体チップと、前記半導体チップの前記表面電極と前記配線基板の前記複数の接続端子とを接続する複数のワイヤと、前記配線基板の表面側に形成され、前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する樹脂封止部と、前記配線基板の前記裏面に設けられた複数のバンプ電極とを有し、前記絶縁性の接着剤層は、前記配線基板の表面上に供給されたペースト状の接着剤層と、前記ペースト状の接着剤層の上部に積層するように形成され、かつ、前記半導体チップの裏面に接触するように供給されたシート状の接着剤層を有し、前記半導体チップは、前記ペースト状の接着剤層と前記シート状の接着剤層の両方により、前記配線基板に固定されているものである。
【0036】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【0037】
図1は本発明の実施の形態の半導体装置(BGA)の構造の一例を示す外観図であり、(a)は平面図、(b)は底面図、図2は図1(b)に示すBGAのA−A線に沿う断面の構造を示す断面図、図3は(a) は図1に示すBGAの組み立てに用いられる配線基板(テープ基板)の構造の一例を示す平面図であり、(b)は(a)の配線基板を用いた組み立てにおけるダイボンディング後の構造の一例を示す平面図、図4は図1に示す本実施の形態のBGAにおけるパッケージ反り改善状態を示す断面図、図5は図1に示す本実施の形態のBGAの実装基板への実装時の温度サイクル性の改善状態を示す拡大部分断面図、図6は図1に示す本実施の形態のBGAのダイボンディング層の接着性改善状態を示す断面図、図7は図1に示すBGAに対する変形例のBGAの構造を示す拡大断面図、図8は図1に示すBGAに対する変形例のBGAの構造を示す断面図、図9は図1に示す本実施の形態のBGAと図13に示す比較例のBGAのそれぞれの組み立て手順におけるダイボンディングまでの一例を示すプロセスフロー図、図10は図1に示す本実施の形態のBGAと図13に示す比較例のBGAのそれぞれの組み立て手順におけるダイボンディング以降の手順の一例を示すプロセスフロー図、図11は図9と図10に示す本実施の形態のBGAの組み立て手順のシート貼り付け方式のシート貼り付けからダイボンディングまでの詳細手順を示すプロセスフロー図、図12は図9と図10に示す本実施の形態のBGAの組み立て手順のダイシングテープ併用方式のウェハマウントからダイボンディングまでの詳細手順を示すプロセスフロー図、図13は図1に示すBGAに対する比較例のBGAの構造を示す断面図、図14は図13に示す比較例のBGAにおけるパッケージ反り状態を示す断面図、図15は図13に示す比較例のBGAの実装基板への実装時の温度サイクル性劣化のメカニズムを示す断面図、図16は図15に示す温度サイクル性劣化のメカニズムを拡大して示す拡大部分断面図、図17は図16に示す温度サイクル性劣化によるバンプ電極接合部の破断の状態を示す拡大部分断面図であり、(a)はバンプ電極の接合部の破断前の状態、(b)はバンプ電極の接合部の破断後の状態、図18は図13に示す比較例のBGAにおけるチップクラック状態を示す部分断面図、図19は図13に示す比較例のBGAにおけるダイボンディング材の非接着状態を示す断面図である。
【0038】
図1〜図2に示す本実施の形態の半導体装置は、半導体チップ1を支持するチップ支持基板が薄膜のテープ基板(配線基板)2であり、このテープ基板2のチップ支持面2a側において半導体チップ1がモールドによって樹脂封止された半導体パッケージである。
【0039】
また、テープ基板2のチップ支持面2aと反対側の面(以降、裏面2bという)には、図1(b)に示すように、外部端子として、半田などからなる複数の半田ボール(バンプ電極)3が中央部を除いてマトリクス配置で設けられており、このような構造の半導体装置をエリアアレイタイプの半導体装置と呼び、本実施の形態の半導体装置は、半導体チップ1の内側と外側に対応した領域に複数の半田ボール3が配置されたFan−In/Fan−OutタイプのBGA9である。
【0040】
図1〜図3を用いて本実施の形態のBGA9の構造を説明すると、半導体チップ1を支持するテープ基板2と、半導体チップ1とテープ基板2との間でテープ基板2に接合して配置された絶縁性の第1層である絶縁性接着層5aと、半導体チップ1とテープ基板2との間で絶縁性接着層5aに積層して配置されるとともに半導体チップ1に接合し、かつ絶縁性接着層5aより硬く形成された絶縁性の第2層である絶縁性シート部材5bと、半導体チップ1のパッド(表面電極)1aとこれに対応するテープ基板2の接続端子2cとを接続する導通部材である金線などのボンディング用のワイヤ4と、半導体チップ1およびワイヤ4を樹脂封止して形成された封止部6と、テープ基板2の裏面2bに設けられた外部端子である複数の半田ボール3とからなり、絶縁性接着層5aの水分透過性が絶縁性シート部材5bより高いものである。
【0041】
すなわち、BGA9は、半導体チップ1を固定する図5に示すダイボンディング層5を、下側(テープ基板側)に配置される第1層である絶縁性接着層5aと、その上側に積層配置され、かつ絶縁性接着層5aより硬く形成された第2層である絶縁性シート部材5bとによって構成するものであり、ダイボンディング層5を多層化(本実施の形態では、2層化)することにより厚く形成し、これによって、BGA9の半導体チップ1の表裏面側の絶縁性の部材のバランスいわゆるレジンバランスを良くしてパッケージ反りを防止するとともに、実装温度サイクル性やリフロー性、さらに実装性の向上を図るものである。
【0042】
なお、ダイボンディング層5を構成する絶縁性接着層5aは、BGA組み立て時に、プレポリマーを含有するペースト状の接着剤(図11に示す第1層である絶縁性ペースト層5c)を塗布してこれを熱硬化させたエポキシ樹脂を主成分とする物である。
【0043】
また、エポキシ樹脂は硬化時に架橋反応することで多孔質化し、水分やガスに対する非常に高い透過性と、低弾性率化による応力吸収性を得る。本発明でいう多孔質体とは、内部に微細な空隙を多数有する連続気泡構造体や3次元網目構造体である。特にエポキシ樹脂によって形成した多孔質体は、微細な構造と高い耐熱性、耐薬品性を持つことにより、半導体装置への適用上非常に好適である。
【0044】
また、この際に絶縁性シート部材5bが絶縁性接着層5aより硬い構造を採用することにより、図18に記載されているレジン注入圧力、レジン硬化収縮時の内部応力による半導体チップ1の座屈を防ぐことができる。ここでいう硬い物とは、例えば、弾性率(the modulus of elasticity)、弾性限界(elastic limit)、または降伏点(yield point)が高い物であって、一般に応力に対する変形が小さく、半導体チップ1を座屈から防ぐ能力が高い物である。
【0045】
また、BGA9のテープ基板2には、BGA9内で発生するエアー7を外部に送り出す貫通孔であるベントホール(エアー抜き部)2eがチップ搭載領域に設けられている。
【0046】
なお、BGA9では、テープ基板2にベントホール2eが、1つ設けられており、さらに、このベントホール2eが、図1(b)、図3(a)に示すように、テープ基板2の中心からややずれて1つ設けられている。
【0047】
これは、ベントホール2eを中心からずらして設けることにより、テープ基板2のインデックスを兼ねるものである。
【0048】
ただし、ベントホール2eの数は、1つに限らず、複数設けられていてもよく、さらに、テープ基板2の中心に設けられていてもよい。
【0049】
また、BGA9では、図2、図3(a)に示すように、テープ基板2に設けられたベントホール2eの周囲に円筒状の絶縁性ダム2fが設けられている。
【0050】
これは、絶縁性接着層5aの形成時に、テープ基板2のチップ支持面2aにペースト状の接着剤(図11に示す絶縁性ペースト層5c)を塗布した際に、ベントホール2eからの前記接着剤の流出(漏れ)を防ぐものであり、例えば、テープ基板2上の配線と同層で形成された円筒状の導電体膜2iと、前記円筒状の導電体膜2iの上に形成されたソルダレジスト2dと同層の絶縁体膜2jによって構成されている。このように、導電体膜2iと絶縁体膜2jの積層構造によって絶縁性ダム2fを形成することによって、十分な高さの絶縁性ダム2fを形成することができ、ベントホール2eへの流出が無い条件で、塗布できる接着材層の厚みを大きくすることができる。
【0051】
なお、絶縁性ダム2fは、必ずしも設けられていなくてもよく、その形状や高さについても種々変更可能である。
【0052】
また、テープ基板2において、そのチップ支持面2aに配置された外部端子搭載電極であるバンプランド2gと接続端子2cとには金めっきが施され、かつそのうちチップ搭載領域に配置されたバンプランド2gのチップ支持面2a側への露出箇所は、図2、図3(a)に示すように、薄膜の絶縁性部材であるソルダレジスト2dによって覆われて、それぞれが絶縁されている。
【0053】
ただし、図3(b)に示すように、半導体チップ1の外側周囲に配置された接続端子2cは、ワイヤ4と接続するため、前記ソルダレジスト2dには覆われずに露出している。
【0054】
また、BGA9では、図4に示すように、第1層である絶縁性接着層5aと第2層である絶縁性シート部材5bとを合わせたダイボンディング層5(図5参照)の厚さ(L)と、封止部6における半導体チップ1の主面1bを覆ったチップ封止部6aの厚さ(M)とがほぼ同じに形成されている。
【0055】
すなわち、絶縁性シート部材5bを介在させることにより、ダイボンディング層5を容易に厚く形成でき、かつダイボンディング層5の厚さを絶縁性シート部材5bによって調節できる。
【0056】
したがって、半導体チップ1の表裏面側の絶縁性の部材のバランスいわゆるレジンバランスを良くできる。
【0057】
なお、絶縁性接着層5aと絶縁性シート部材5bとからなるダイボンディング層5の厚さ(L)は、BGA9の高さ(厚さ)などによって異なるが、例えば、半導体チップ1の厚さ(例えば、280μm)や、テープ基板2の厚さ(例えば、80μm)、ワイヤ4のループ高さなどを考慮すると、(L)≒(M)≧50μmであり、好ましくは、50μm≦(L)≒(M)≦100μmである。
【0058】
したがって、テープ基板2の厚さが、約80μmの場合、絶縁性接着層5aと絶縁性シート部材5bとからなるダイボンディング層5の厚さ(L)は、テープ基板2の厚さと略等しくしてもよい。
【0059】
ここで、ダイボンディング層5における第1層である絶縁性接着層5aは、例えば、エポキシ系のペースト状の接着剤(図11に示す絶縁性ペースト層5c)を用いてこれを熱硬化させたものであり、樹脂密度が低く、多孔質層であり、その厚さは、例えば、20〜30μm程度である。
【0060】
また、ダイボンディング層5における絶縁性接着層5aの上層の第2層である絶縁性シート部材5bは、例えば、エポキシ系の絶縁性樹脂をローラなどによって薄くシート状に押し固めた接着層、あるいは、ポリイミド系樹脂からなるシート状の絶縁性単層などである。
【0061】
したがって、絶縁性シート部材5bは、第1層である絶縁性接着層5aよりも硬い層として形成される。しかし、このように硬い層は一般的に密度が高く、水分やガスの透過率も低い。したがって、このような硬い層を半導体チップ1直下にあまり厚く形成してしまうと、半導体チップ1と絶縁性シート部材5bとの界面や、半導体チップ1と封止部6との界面と外部との通気性を阻害してしまい、たとえ下部に多孔質の絶縁性接着層5aを設けたとしても、接着力の低いチップ周囲の界面から発生する剥離やポップコーン現象を防ぐことができなくなる。
【0062】
したがって、絶縁性シート部材5bの厚さは、チップ座屈を防ぐことができる範囲でなるべく薄く、例えば、20〜30μmで形成するのが好適である。
【0063】
なお、第2層である絶縁性シート部材5bには、図11に示す紫外線11が照射されると硬化して粘着性が弱まる紫外線硬化剤を含有するものと、含有しないものとがある。
【0064】
また、半導体チップ1を搭載可能なチップ支持基板であるテープ基板2は、例えば、耐熱性の高いポリイミドテープなどによって形成された薄膜の配線基板であり、そのチップ支持面2a側の周縁部の接続端子2c以外の箇所(チップ搭載領域)は、絶縁性のソルダレジスト2dによって覆われている。
【0065】
また、半導体チップ1は、例えば、シリコンによって形成されるとともに、図5に示すように、ダイボンディング層5によってテープ基板2のチップ支持面2aに固定されている。
【0066】
さらに、図1(a)に示す封止部6は、図2に示すように、半導体チップ1の主面1bを覆うチップ封止部6aと、半導体チップ1の外側周囲を覆う外周封止部6bとからなり、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂などのモールド樹脂10(図18参照)によってチップ封止部6aと外周封止部6bとが一体となって形成されている。
【0067】
また、半導体チップ1のパッド1aと、これに対応するテープ基板2の接続端子2cとを接続するボンディング用のワイヤ4は、例えば、金線である。
【0068】
なお、半導体チップ1(Si単結晶)とモールド樹脂10(例えば、エポキシ樹脂)の熱膨張係数は、それぞれ、Siの単結晶=2.6〜3.6(×10-6/℃)であり、エポキシ樹脂=10〜70(×10-6/℃)である。
【0069】
また、図4に示すように、BGA9を実装する実装基板8は、例えば、ガラス入りエポキシ樹脂などによって形成され、その熱膨張係数は、20〜26(×10-6/℃)程度である。
【0070】
ただし、それぞれの部材の熱膨張係数の数値は、これらに限定されるものではない。
【0071】
例えば、モールド樹脂10の硬化収縮を考慮した上でパッケージ全体の反りを低減させようとする場合には、モールド樹脂10には、配線基板を形成するガラス入りエポキシ樹脂よりも熱膨張係数の小さい物を採用するのが適当である。
【0072】
次に、本実施の形態の半導体装置であるBGA9の製造方法を、図9、図10、図11および図12に示す製造プロセスフロー図にしたがって説明する。
【0073】
なお、本実施の形態では、複数のテープ基板2が繋がって形成された多数個取り基板から個々のBGA9を製造する場合を説明する。
【0074】
さらに、本実施の形態では、第2層の絶縁性シート部材5bが、ポリイミド系樹脂からなるシート状の絶縁性単層の場合(ここでは、この絶縁性シート部材5bを用いた組み立て方式をシート貼り付け方式と呼ぶ)と、エポキシ系の絶縁性樹脂をローラなどによって薄くシート状に押し固めた接着層の場合(ここでは、この絶縁性シート部材5bを用いた組み立て方式をダイシングテープ併用方式と呼ぶ)とに分けて説明する。
【0075】
まず、図11に示す前記シート貼り付け方式から説明する。
【0076】
最初に、それぞれに所望の半導体集積回路が形成された複数の半導体チップ領域12cを有する半導体ウェハ12を準備する。
【0077】
その後、半導体ウェハ12の主面12aと反対側の面である裏面12bに、後述する第1層である絶縁性接着層5aより硬い第2層である絶縁性シート部材5bを仮接合させる図9に示すステップS1のシート貼り付けを行う。
【0078】
ここでの前記仮接合は、前記シート貼り付け方式で用いる絶縁性シート部材5bが、ポリイミド系樹脂からなるシート状の絶縁性単層であるため、前記仮接合は、熱硬化による仮止め(例えば、生焼け処理)である。
【0079】
また、前記シート貼り付け方式で用いる絶縁性シート部材5bは、図11に示す紫外線11が照射されると硬化して粘着性が弱まる紫外線硬化する材料を含有しないものである。
【0080】
その後、半導体ウェハ12の裏面12bに仮接合された絶縁性シート部材5bと、図11に示す紫外線硬化形の粘着層13aおよび基材13cからなるダイシングテープ13の粘着層13aとを接合して図9のステップS2および図11に示すウェハマウントを行う。
【0081】
すなわち、紫外線硬化剤を含有する粘着層13aを有したダイシングテープ13を用いて、このダイシングテープ13の粘着層13a上に半導体ウェハ12の裏面12bの絶縁性シート部材5bを貼り付ける。
【0082】
その後、ステップS3と図11に示すダイシングを行って、半導体ウェハ12を個々の半導体チップ1に個片化する。
【0083】
なお、前記ダイシングは、図9に示すように、ブレード14を用いたフルダイシング(フルカット)であり、ダイシングテープ13以外の部材、すなわち半導体ウェハ12とこれの裏面12bに貼り付けられた第2層である絶縁性シート部材5bとをブレード14によって切断する。
【0084】
個片化された複数の半導体チップ1は、ばらけることなく、それぞれダイシングテープ13上に固着されている。
【0085】
その後、図9のステップS4および図11に示すダイボンディングを行う。
【0086】
その際、まず、図11に示す紫外線11の照射であるUV照射を行う。
【0087】
ここでは、ダイシングテープ13の裏面13b側からそれぞれの半導体チップ1に対して紫外線11を照射する。すると、ダイシングテープ13の粘着層13aに含まれる紫外線硬化剤が硬化し、粘着層13aの粘着性が低下する。
【0088】
この状態で、図11に示すピックアップを行う。
【0089】
前記ピックアップでは、ダイシングテープ13の裏面13b側から突き上げ針15によって半導体チップ1を突き上げることにより、ダイシングテープ13の粘着層13aの粘着性が低下しているため、図11に示すように、半導体チップ1の裏面1cに貼り付けられた絶縁性シート部材5bと、ダイシングテープ13の粘着層13aとが分離する。
【0090】
つまり、半導体チップ1の裏面1cに第2層である絶縁性シート部材5bを残留させた状態でダイシングテープ13から半導体チップ1を離脱させる。
【0091】
一方、テープ基板2の第1の面であるチップ支持面2aに、硬化して第1層の絶縁性接着層5aとなる図11に示す絶縁性ペースト層5cを配置(ペースト塗布)しておき、この絶縁性ペースト層5c上に、裏面1cに絶縁性シート部材5bが残留した半導体チップ1を積層させる。
【0092】
すなわち、図11に示すダイボンディングのように、テープ基板2と半導体チップ1との間に絶縁性ペースト層5cと絶縁性シート部材5bとを介在させてテープ基板2のチップ支持面2aに半導体チップ1を配置する。
【0093】
なお、絶縁性ペースト層5cは、例えば、熱硬化性のエポキシ系のペースト状の接着剤である。
【0094】
その後、図11に示す加熱を行う。ここでは、絶縁性ペースト層5cと絶縁性シート部材5bとを加熱してテープ基板2と半導体チップ1とを接合する。つまり、絶縁性ペースト層5cが硬化して絶縁性接着層5aになるとともに、絶縁性シート部材5bも加熱溶融されて絶縁性接着層5aと半導体チップ1とを接合する。
【0095】
これによって、第1層である絶縁性接着層5aとその上層の第2層である絶縁性シート部材5bとからなるダイボンディング層5によって半導体チップ1がテープ基板2に取り付けられた状態となり、図9に示すステップS4のダイボンディングを終了する。
【0096】
その後、図10のステップS5に示すワイヤボンディングを行い、半導体チップ1のパッド1aと、これに対応するテープ基板2の接続端子2cとをワイヤ4(導通部材)によって接続する。
【0097】
ワイヤボンディング後、ステップS6に示すモールドを行い、半導体チップ1およびワイヤ4を図18に示すモールド樹脂10によって樹脂封止する。
【0098】
これによって、チップ封止部6aと外周封止部6bとからなる封止部6を一体で形成する。
【0099】
なお、モールドにおいては、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂などのモールド樹脂10を用い、トランスファモールドによって樹脂封止を行う。
【0100】
その後、モールド済みのテープ基板2の裏面2b(チップ支持面2aと反対側の面)を上方に向け、裏面2bの各バンプランド2gに半田ボール供給を行った後、リフロー炉などに通して半田ボール3を溶かして外部端子である半田ボール3の取り付けである図10のステップS7に示すボールマウントを行う。
【0101】
その後、多連のテープ状の多数個取り基板においてそれぞれのBGA領域の切断を行って個々のBGA9に分離するステップS7のテープカットを行う。
【0102】
その結果、図1および図2に示すようなBGA9を製造することができる。
【0103】
このように、絶縁性シート部材5bとは別体で紫外線硬化形の粘着層13aを設けることによって、絶縁性シート部材5bの材料選択性が向上する。特に、本実施の形態においては、紫外線硬化材を含まないポリイミド系樹脂からなるシートを絶縁性シート部材5bとして用いることで、絶縁性シート部材5bの吸湿性を低く抑えることができ、BGA9のリフロー性を向上できる。
【0104】
次に、BGA9の製造を、図12に示すダイシングテープ併用方式によって行う場合を説明する。
【0105】
なお、ダイシングテープ併用方式は、第2層の絶縁性シート部材5bが、エポキシ系の絶縁性樹脂をローラなどによって薄くシート状に押し固めた接着層であり、前記接着層は、予めダイシングテープ13の表面に形成されている。
【0106】
つまり、ダイシングテープ併用方式で用いられるダイシングテープ13は、図12に示すように、基材13cと前記接着層である絶縁性シート部材5bとからなり、ここで用いられるこの絶縁性シート部材5bは、粘着材とダイボンディング用接着材とを含んでいる。
【0107】
さらに、絶縁性シート部材5bは、紫外線11が照射されると硬化して粘着性が弱まる紫外線硬化する材料を含有している。
【0108】
まず、それぞれに所望の半導体集積回路が形成された複数の半導体チップ領域12cを有する半導体ウェハ12を準備する。
【0109】
その後、半導体ウェハ12の裏面12bと、ダイシングテープ13の表面に形成され、かつ後述する第1層である絶縁性接着層5aより硬い第2層である絶縁性シート部材5bとを接合して図9のステップS2および図12に示すウェハマウントを行う。
【0110】
すなわち、紫外線硬化剤を含有する接着層である絶縁性シート部材5bが表面に形成されたダイシングテープ13を用いて、このダイシングテープ13の絶縁性シート部材5b上に半導体ウェハ12の裏面12bを貼り付ける。
【0111】
その後、図9のステップS3および図12に示すダイシングを行って、半導体ウェハ12を個々の半導体チップ1に個片化する。
【0112】
その際、まず、図12に示す紫外線11の照射であるUV照射を行う。
【0113】
ここでは、ダイシングテープ13の裏面13b側からそれぞれの半導体チップ領域12cに対して紫外線11を照射する。すると、ダイシングテープ13の絶縁性シート部材5bに含まれる紫外線硬化剤が硬化し、絶縁性シート部材5bの粘着性が低下する。
【0114】
なお、絶縁性シート部材5bにおいては、紫外線硬化剤の濃度を低くして紫外線に対する硬化反応性を低くすることにより、ダイシングテープ13の裏面13b側から紫外線11を照射した際に絶縁性シート部材5bの基材側に配置された部分のみが硬化するようにすることが可能である。
【0115】
また、このように絶縁性シート部材5bの未硬化部分を残すことにより、絶縁性シート部材5bと、絶縁性接着層5aとの接着力を高めることができる。これは、後のダイボンディング工程の中で、絶縁性ペースト層5cの硬化のための熱処理工程において、絶縁性シート部材5bも溶融、硬化するため、絶縁性ペースト層5cと絶縁性シート部材5bの界面部分での密着性を向上することができるためである。
【0116】
その後、図12に示すダイシングを行う。ここで、前記ダイシングは、図9に示すブレード14を用いたフルダイシング(フルカット)であり、半導体ウェハ12とこれの裏面12bに貼り付けられた絶縁性シート部材5bとをブレード14によって切断する。
【0117】
個片化された複数の半導体チップ1は、ばらけることなく、それぞれダイシングテープ13上に固着されている。
【0118】
ダイシング後、この状態で、図12に示すピックアップを行う。
【0119】
前記ピックアップでは、ダイシングテープ13の絶縁性シート部材5bの基材13c側の粘着性が低下している(紫外線硬化層5dが形成されている)ため、ダイシングテープ13の裏面13b側から突き上げ針15によって半導体チップ1を突き上げることにより、図12に示すように、ダイシングテープ13の絶縁性シート部材5bと基材13cとが分離する。
【0120】
つまり、半導体チップ1の裏面1cに第2層である絶縁性シート部材5bを配置させて(残留させて)、絶縁性シート部材5bと基材13cとを分離する。
【0121】
その際、絶縁性シート部材5bの露出面側には、紫外線硬化層5dが形成されている。
【0122】
その後、図9のステップS4および図12に示すダイボンディングを行う。
【0123】
まず、テープ基板2の第1の面であるチップ支持面2aに、硬化して第1層の絶縁性接着層5aとなる図12に示す絶縁性ペースト層5cを配置(ペースト塗布)しておき、この絶縁性ペースト層5c上に、裏面1cに絶縁性シート部材5bが残留した半導体チップ1を積層させる。
【0124】
すなわち、図12に示すダイボンディングのように、テープ基板2と半導体チップ1との間に絶縁性ペースト層5cと絶縁性シート部材5bとを介在させてテープ基板2のチップ支持面2aに半導体チップ1を配置する。
【0125】
なお、絶縁性ペースト層5cは、例えば、熱硬化性のエポキシ系のペースト状の接着剤である。
【0126】
その後、図12に示す加熱を行う。ここでは、絶縁性ペースト層5cと絶縁性シート部材5bとを加熱してテープ基板2と半導体チップ1とを接合する。その際、絶縁性シート部材5bの紫外線硬化層5dが溶け出し、これと絶縁性ペースト層5cとの両者の接着性により、絶縁性ペースト層5cと絶縁性シート部材5bとが接合する。
【0127】
さらに、絶縁性ペースト層5cは硬化して多孔質の絶縁性接着層5aになり、第1層である絶縁性接着層5aの上層にこれより硬い第2層である絶縁性シート部材5bが配置された状態となる。
【0128】
したがって、第1層である絶縁性接着層5aとその上層の第2層である絶縁性シート部材5bとからなるダイボンディング層5によって半導体チップ1がテープ基板2に取り付けられた状態となり、図9に示すステップS4のダイボンディングを終了する。
【0129】
なお、ダイシングテープ併用方式の製造におけるBGA9のダイボンディング以降の組み立てについては、シート貼り付け方式と同じであるため、その重複説明は省略する。
【0130】
本実施の形態の半導体装置(BGA9)およびその製造方法によれば、以下のような作用効果が得られる。
【0131】
すなわち、本実施の形態のBGA9は、半導体チップ1とテープ基板2との間の絶縁性のダイボンディング層5を多層化して厚くすることにより、図4に示すように、半導体チップ1の表裏面側の樹脂バランスいわゆるレジンバランスを向上できる(L≒Mにできる)。
【0132】
また、多孔質の絶縁性接着層5aは、リフロー時の水分、ガスを外部に放出する機能を持つだけでなく、直径が非常に小さく、また複雑な構造の空隙を持つことによって、多孔質部分へのモールド樹脂10の浸入を防ぐことができる。
【0133】
ここで、図13に示す比較例のBGA16は、従来構造のものであり、半導体チップ1を固定するダイボンディング材17が1層構造のものである。
【0134】
なお、比較例のBGA16の組み立ては、図9および図10に示すように、まず、半導体ウェハ12をダイシングテープ13に接合するウェハマウントを行い、その後、ブレード14によるダイシング、ダイボンディング、ワイヤボンディング、モールドおよびボールマウント・テープカットを順次行うものである。
【0135】
本実施の形態の図4に示すBGA9では、半導体チップ1とテープ基板2との間に、ダイボンディング層5として、絶縁性の2つの層である絶縁性接着層5a(第1層)とこれより硬い絶縁性シート部材5b(第2層)とを配置したことにより、半導体チップ1とテープ基板2との間の絶縁性接着層5aと絶縁性シート部材5bとからなる絶縁性のダイボンディング層5を容易に厚くすることができる。
【0136】
したがって、半導体チップ1の裏面側のダイボンディング層5を厚く形成できるため、半導体チップ1の表裏面側の樹脂バランスいわゆるレジンバランスを向上できる。
【0137】
その結果、半導体チップ1の上部のチップ封止部6aと半導体チップ1とダイボンディング層5と実装基板8とにおける収縮率の不整合を緩和することができる。
【0138】
すなわち、図5に示すように、チップ封止部6aと実装基板8の収縮は、収縮量大18であるのに対して、半導体チップ1の収縮は、収縮量小19である。
【0139】
そこで、本実施の形態の図5に示すBGA9では、半導体チップ1の裏面1c側の絶縁性接着層5aと絶縁性シート部材5bとからなるダイボンディング層5を厚く形成できるため、半田ボール3のパッケージ側の接合部3aと実装基板8側の接合部3aとへの応力集中20を低減(緩和)することができ、その結果、温度サイクル試験などにおける半田ボール3の接続不良を低減できる。
【0140】
これにより、実装温度サイクル性(寿命)を向上できる。
【0141】
特に、半導体チップ1の周縁部付近に配置された半田ボール3(応力集中20の矢印が付された半田ボール3)の接合部3aへの応力集中20を低減でき、これにより、温度サイクル性を向上できる。
【0142】
ここで、図15、図16および17(a),(b)は、比較例のBGA16における半田ボール3の接合部3aの応力集中20の状態を示したものであり、半導体チップ1と実装基板8の熱膨張差によって半田ボール3の接合部3aに応力集中20が発生し、図17(b)に示すように破断21に至る。
【0143】
しかしながら、本実施の形態のBGA9では、図5に示すように、絶縁性接着層5aと絶縁性シート部材5bとからなるダイボンディング層5を厚く形成できるため、半田ボール3の接合部3aへの応力集中20を緩和でき、その結果、実装温度サイクル性(寿命)を向上できる。
【0144】
また、本実施の形態のBGA9では、ダイボンディング層5の絶縁性接着層5aと絶縁性シート部材5bのうち、下側に配置される絶縁性接着層5aがペースト材(絶縁性ペースト層5c)を硬化させて形成した多孔質層であることにより、BGA9内で発生するガスなどのエアーを絶縁性接着層5aを通して外部に逃がすことができる。
【0145】
したがって、BGA9のリフロー性を向上できる。
【0146】
また、テープ基板2にエアー抜き部としてベントホール2eを設けることにより、さらにリフロー性を向上できる。
【0147】
すなわち、ペースト材(絶縁性ペースト層5c)を硬化させて形成した多孔質層が下側に配置されるため、ベントホール2eの効果を損なうことなくリフロー性を向上できる。
【0148】
また、半導体チップ1の裏面1c側に絶縁性のダイボンディング層5を厚く形成でき、半導体チップ1の表裏面側のレジンバランスを向上できるため、モールド樹脂硬化時のパッケージ反りを低減できる。
【0149】
つまり、図4に示すように、BGA9において反り量小22とすることができる。
【0150】
したがって、半田ボール3の取り付け面の平坦度を向上でき、これにより、実装基板8に実装した際の半田ボール3の接続不良を低減することができる。
【0151】
その結果、BGA9の実装性を向上できる。
【0152】
なお、図14に示すように、比較例のBGA16では、ダイボンディング材17による1層構造であるため、反り量大23となり、実装基板8に実装した際に半田ボール3の接続不良が発生している。
【0153】
また、比較例のBGA16のモールド工程において、図18に示すように、モールド金型24のキャビティ24aにモールド樹脂10を充填する際に、半導体チップ1の裏面1c側の接着層がダイボンディング材17のみの厚塗り(多段塗りも含む)では、その弾性率が小さく、したがって、樹脂注入時の注入圧力25によって半導体チップ1が沈み込み、その変位量が大きくなるため、チップクラック26に至る。
【0154】
しかしながら、本実施の形態のBGA9は、ダイボンディング層5が多層構造であり、その際、絶縁性接着層5aの弾性率が、絶縁性シート部材5bより小さいことにより、モールド時にモールド樹脂10の注入圧力25が半導体チップ1にかかっても第2層である絶縁性シート部材5bが硬いため、半導体チップ1の沈み量を減らすことができ、その結果、半導体チップ1が座屈することを防止できる。
【0155】
これにより、BGA9の製造においては、レジン注入圧力またはレジンの硬化収縮による内部応力による半導体チップ1のクラックの発生を防止できる。
【0156】
また、図13に示す比較例のBGA16において、ダイボンディング材17をシート状部材とすると、図19に示すように、テープ基板2のチップ支持面2aの凹凸を吸収することができず、ダイボンディング材17とテープ基板2との間に非接着部27が形成され、これにより、ダイボンディング面の平坦度が低下する。
【0157】
しかしながら、本実施の形態のBGA9では、下側に配置される第1層を、ペースト材(絶縁性ペースト層5c)を硬化させて形成する絶縁性接着層5aとすることにより、図6に示すように、テープ基板2のチップ支持面2aの凹凸を絶縁性接着層5aによって吸収することができ、したがって、絶縁性接着層5aとテープ基板2との接着性を向上できるとともに、ダイボンディング面の平坦度を確保することができる。
【0158】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【0159】
例えば、前記実施の形態のBGA9では、半導体チップ1を固定するダイボンディング層5が、ペースト材を硬化して形成した絶縁性接着層5aと絶縁性シート部材5bとからなる場合を説明したが、図7に示す変形例のBGA9のように絶縁性ペースト層5cを硬化させることによって得られた絶縁性接着層5aの代わりに、柔軟な多孔質シート部材5eに、熱硬化性の接着材を含浸させた物を使用してもよい。つまり、ダイボンディングの際に絶縁性ペースト層5cを塗布する代わりに、多孔質シート部材5eを貼り付けた後、裏面1cに絶縁性シート部材5bを有する半導体チップ1を配置し、熱処理によって半導体チップ1を接着するようにしてもよい。
【0160】
このような構造または製造方法においては、ベントホール2eから接着材が漏れ出す恐れが少ないため、多孔質の層をより厚く形成することができ、リフロー性、実装温度サイクル性、実装性をより向上し、さらには半導体チップ1に掛かる応力もより低減することができる。
【0161】
また、多孔質シート部材5eに予め含浸させる接着材の量を、多孔質シート部材5eの全体に含浸しない程度に調節することによって、多孔質シート部材5eの水分やガスの透過性を損なうことのないようにすることができる。
【0162】
また、多孔質シート部材5eをテープ基板2に貼り付ける工程において、テープ基板2側の接着材含浸層5fにおける含浸接着材の量を、半導体チップ1側の接着材含浸層5fにおける含浸接着材の量よりも多くすることで、テープ基板2の配線間の凹部に接着材が接着材染み出し部5gのように染み出し、配線間に空隙が残らないようにすることができる。
【0163】
なお、前記実施の形態および図7に示す変形例では、ダイボンディング層5が、絶縁性の2層構造の場合について説明したが、ダイボンディング層5は、2層以上であれば何層であってもよい。
【0164】
また、前記実施の形態では、テープ基板2のチップ支持面2a側において、ワイヤ4と接続する接続端子2c以外のバンプランド2gはソルダレジスト2dによって覆われて絶縁されている場合を説明したが、絶縁性シート部材5bおよび多孔質シート部材5eによって、半導体チップ1とテープ基板2上の配線やバンプランド2gとの絶縁が十分に確保でき、また、円筒状の導電体膜2iによって十分な高さのダム2hを形成することができる場合には、ソルダレジスト2dを設けずに、図8に示す変形例のように、多孔質シート部材5eをチップ支持面2aと直接接着するような構成にしてもよい。
【0165】
この場合には、テープ基板2上の配線間の凹部の深さが浅くなるために、多孔質シート部材5eに含浸させる接着材の量を少なくしても、接着材染み出し部5gのように染み出した接着材によってより有効に配線間の間隙を埋めこむことができる。
【0166】
すなわち、図8に示す変形例のBGA9は、テープ基板2のチップ支持面2aに配置されたバンプランド2gと接続端子2cとに金めっきが施され、そのうちバンプランド2g(配線も含む)がチップ支持面2a側において第1層である絶縁性接着層5aによって覆われているものである。
【0167】
この場合、第1層の絶縁性接着層5aが薄くなっても、その上側の第2層が、シート状の絶縁性シート部材5bであるため、各バンプランド2g間および半導体チップ1との絶縁は確保できる。
【0168】
これにより、ソルダレジスト2dを廃止でき、かつ、ダイボンディング層5に使用する材料の標準化を図ることができるため、BGA9のコスト低減を図ることができる。
【0169】
また、前記実施の形態では、半導体チップ1を支持する基板がポリイミドなどからなるテープ基板2(配線基板)の場合を説明したが、前記テープ基板2は、例えば、ガラス入りエポキシ樹脂など、ポリイミド以外の材料からなる基板であってもよい。
【0170】
さらに、前記実施の形態では、複数のテープ基板2を有した多連の多数個取り基板から個々の半導体装置(BGA9)を製造する場合について説明したが、前記多連の多数個取り基板は必ずしも使用しなくてもよく、予めBGA9の1個分に切断分離されたテープ基板2を準備して、このテープ基板2を用いてBGA9を製造してもよい。
【0171】
また、前記実施の形態では、半導体装置が、半導体チップ1の内側と外側に対応した領域に複数の半田ボール3が配置されたFan−In/Fan−OutタイプのBGA9の場合について説明したが、前記半導体装置は、Fan−InタイプあるいはFan−Outタイプのものであってもよく、さらに、チップサイズのCSP(Chip Scale Package) などの他の半導体装置であってもよい。
【0172】
また、前記実施の形態では、テープ基板2の裏面2b上に半田ボール3を有するBGAタイプの半導体装置について記載したが、外部電極として半田ボール3を有さないLGA(Land Grid Array)タイプの半導体装置に本発明を適用してもよい。
【0173】
特に、LGAタイプの半導体装置においては、外部電極の高さが低いため、実装基板8との間に生じる応力の緩和が重大な問題であり、本発明の適用は実装性、実装温度サイクル性の向上に対して非常に有効な手段である。
【0174】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【0175】
(1).半導体チップと配線基板との間の絶縁性のダイボンディング層を多層化して厚くすることにより、半導体チップの表裏面側の樹脂バランスいわゆるレジンバランスを向上できる。その結果、半導体チップの上部のチップ封止部と半導体チップとダイボンディング層と実装基板とにおける収縮率の不整合を緩和することができる。
【0176】
(2).半導体チップの裏面側の第1層と第2層とからなるダイボンディング層を厚く形成できるため、バンプ電極のパッケージ側の接合部と実装基板側の接合部とへの応力集中を低減することができ、その結果、温度サイクル試験などにおけるバンプ電極の接続不良を低減できる。これにより、実装温度サイクル性を向上できる。特に、半導体チップの周縁部付近に配置されたバンプ電極の接合部への応力集中を低減でき、その結果、温度サイクル性を向上できる。
【0177】
(3).ダイボンディング層の第1層と第2層のうち、下側に配置される第1層がペースト材を硬化させて形成した多孔質層であることにより、半導体装置内で発生するエアーを第1層を通して外部に逃がすことができる。したがって、リフロー性を向上できる。
【0178】
(4).配線基板にエアー抜き部としてベントホールを設けることにより、さらにリフロー性を向上できる。すなわち、ペースト材を硬化させて形成した多孔質層が下側に配置されるため、ベントホールの効果を損なうことなくリフロー性を向上できる。
【0179】
(5).半導体チップの裏面側に絶縁性のダイボンディング層を厚く形成でき、半導体チップの表裏面側のレジンバランスを向上できるため、モールド樹脂硬化時のパッケージ反りを低減できる。したがって、バンプ電極の取り付け面の平坦度を向上でき、これにより、実装基板に実装した際のバンプ電極の接続不良を低減することができる。その結果、実装性を向上できる。
【0180】
(6).ダイボンディング層のうち第1層である絶縁性接着層の弾性率が、第2層である絶縁性シート部材より小さいことにより、モールド時にモールド樹脂の注入圧力が半導体チップにかかっても半導体チップの沈み量を減らすことができ、したがって、半導体チップが座屈することを防止できる。これにより、レジン注入圧力によるチップクラックの発生を防止できる。
【0181】
(7).ダイボンディング層のうち下側に配置される第1層を、ペースト材を硬化させて形成することにより、配線基板のチップ支持面の凹凸を前記ペースト材によって吸収することができ、したがって、第1層と配線基板との接着性を向上でき、かつダイボンディング面の平坦度を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a),(b)は本発明の実施の形態の半導体装置(BGA)の構造の一例を示す外観図であり、(a)は平面図、(b)は底面図である。
【図2】図1(b)に示すBGAのA−A線に沿う断面の構造を示す断面図である。
【図3】(a) は図1に示すBGAの組み立てに用いられる配線基板(テープ基板)の構造の一例を示す平面図であり、(b)は(a)の配線基板を用いた組み立てにおけるダイボンディング後の構造の一例を示す平面図である。
【図4】図1に示す本実施の形態のBGAにおけるパッケージ反り改善状態を示す断面図である。
【図5】図1に示す本実施の形態のBGAの実装基板への実装時の温度サイクル性の改善状態を示す拡大部分断面図である。
【図6】図1に示す本実施の形態のBGAのダイボンディング層の接着性改善状態を示す断面図である。
【図7】図1に示すBGAに対する変形例のBGAの構造を示す拡大断面図である。
【図8】図1に示すBGAに対する変形例のBGAの構造を示す断面図である。
【図9】図1に示す本実施の形態のBGAと図13に示す比較例のBGAのそれぞれの組み立て手順におけるダイボンディングまでの一例を示すプロセスフロー図である。
【図10】図1に示す本実施の形態のBGAと図13に示す比較例のBGAのそれぞれの組み立て手順におけるダイボンディング以降の手順の一例を示すプロセスフロー図である。
【図11】図9と図10に示す本実施の形態のBGAの組み立て手順のシート貼り付け方式におけるシート貼り付けからダイボンディングまでの詳細手順を示すプロセスフロー図である。
【図12】図9と図10に示す本実施の形態のBGAの組み立て手順のダイシングテープ併用方式におけるウェハマウントからダイボンディングまでの詳細手順を示すプロセスフロー図である。
【図13】図1に示すBGAに対する比較例のBGAの構造を示す断面図である。
【図14】図13に示す比較例のBGAにおけるパッケージ反り状態を示す断面図である。
【図15】図13に示す比較例のBGAの実装基板への実装時の温度サイクル性劣化のメカニズムを示す断面図である。
【図16】図15に示す温度サイクル性劣化のメカニズムを拡大して示す拡大部分断面図である。
【図17】(a),(b)は図16に示す温度サイクル性劣化によるバンプ電極接合部の破断の状態を示す拡大部分断面図であり、(a)はバンプ電極の接合部の破断前の状態、(b)はバンプ電極の接合部の破断後の状態である。
【図18】図13に示す比較例のBGAにおけるチップクラック状態を示す部分断面図である。
【図19】図13に示す比較例のBGAにおけるダイボンディング材の非接着状態を示す断面図である。
【符号の説明】
1 半導体チップ
1a パッド(表面電極)
1b 主面
1c 裏面(反対側の面)
2 テープ基板(配線基板)
2a チップ支持面
2b 裏面(反対側の面)
2c 接続端子
2d ソルダレジスト(絶縁性部材)
2e ベントホール(エアー抜き部)
2f 絶縁性ダム
2g バンプランド(外部端子搭載電極)
2h ダム
2i 導電体膜
2j 絶縁体膜
3 半田ボール(バンプ電極)
3a 接合部
4 ワイヤ(導通部材)
5 ダイボンディング層
5a 絶縁性接着層(第1層)
5b 絶縁性シート部材(第2層)
5c 絶縁性ペースト層(第1層)
5d 紫外線硬化層
5e 多孔質シート部材(第1層)
5f 接着材含浸層
5g 接着材染み出し部
6 封止部
6a チップ封止部
6b 外周封止部
7 エアー
8 実装基板
9 BGA(半導体装置)
10 モールド樹脂
11 紫外線
12 半導体ウェハ
12a 主面
12b 裏面(反対側の面)
12c 半導体チップ領域
13 ダイシングテープ
13a 粘着層
13b 裏面
13c 基材
14 ブレード
15 突き上げ針
16 BGA
17 ダイボンディング材
18 収縮量大
19 収縮量小
20 応力集中
21 破断
22 反り量小
23 反り量大
24 モールド金型
24a キャビティ
25 注入圧力
26 チップクラック
27 非接着部
Claims (2)
- 表面と前記表面と反対側の裏面とを有する配線基板であって、前記表面に複数の接続端子が形成された配線基板と、
複数の表面電極を有し、前記配線基板の表面に絶縁性の接着剤層を用いて接着された半導体チップと、
前記半導体チップの前記表面電極と前記配線基板の前記複数の接続端子とを接続する複数のワイヤと、
前記配線基板の表面側に形成され、前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する樹脂封止部と、
前記配線基板の前記裏面に設けられた複数のバンプ電極とを有し、
前記絶縁性の接着剤層は、前記配線基板の表面上に供給されたペースト状の接着剤層と、前記ペースト状の接着剤層の上部に積層するように形成され、かつ、前記半導体チップの裏面に接触するように供給されたシート状の接着剤層を有し、
前記半導体チップは、前記ペースト状の接着剤層と前記シート状の接着剤層の両方により、前記配線基板に固定されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、前記ペースト状の接着剤層は、エポキシ系接着剤であり、前記シート状の接着剤層は、ポリイミド系接着剤であることを特徴とする半導体装置。
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