JP3820918B2 - 演算増幅回路、駆動回路、及び駆動方法 - Google Patents

演算増幅回路、駆動回路、及び駆動方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、演算増幅回路、駆動回路、及び駆動方法に関する。
【0002】
【背景技術及び発明が解決しようとする課題】
従来より、携帯電話機などの電子機器に用いられる液晶パネル(電気光学装置)として、単純マトリクス方式の液晶パネルと、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下、TFTと略す)などのスイッチング素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶パネルとが知られている。
【0003】
単純マトリクス方式は、アクティブマトリクス方式に比べて低消費電力化が容易であるという利点がある反面、多色化や動画表示が難しいという不利点がある。このような単純マトリクス方式における低消費電力化技術に関しては、例えば特開平7−98577号に開示される従来技術がある。
【0004】
一方、アクティブマトリクス方式は、多色化や動画表示に適しているという利点がある反面、低消費電力化が難しいという不利点がある。
【0005】
そして、近年、携帯電話機などの携帯型電子機器では、高品質な画像の提供のために、多色化、動画表示への要望が強まっている。このため、これまで用いられてきた単純マトリクス方式の液晶パネルに代えて、アクティブマトリクス方式の液晶パネルが用いられるようになってきた。
【0006】
ところが、携帯型電子機器に用いられるアクティブマトリクス方式の液晶パネルでは、液晶の交流駆動や電源の低電圧化の要望から、画素電極に対向する対向電極(コモン電極)の電圧レベルを例えば走査期間毎に反転させている。このため、液晶パネルの充放電が大きいことやアナログ電圧を駆動する演算増幅回路の動作電流などが原因となって、今ひとつ低消費電力化を実現できないという課題があった。
【0007】
本発明は以上のような技術的課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、簡素な回路構成で電気光学装置の低消費電力化を実現できる演算増幅回路、これを用いた駆動回路、及び駆動方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明は、複数の走査線と複数のデータ線と走査線及びデータ線により特定される画素電極とを有する電気光学装置の各データ線を駆動するための演算増幅回路であって、画素電極と電気光学物質を挟んで対向する対向電極の電圧レベルが第1の電圧レベルになる第1の期間と、対向電極の電圧レベルが第2の電圧レベルになる第2の期間との切り替わりの際の所与の期間において、演算増幅回路の出力がハイインピーダンス状態に設定されることを特徴とする。
【0009】
本発明によれば、対向電極が第1、第2の電圧レベルになる第1、第2の期間の切り替わりの際の所与の期間(切り替わりのタイミングを含む期間)において、演算増幅回路の出力がハイインピーダンス状態(非駆動状態)に設定される。このようにすれば、例えば、対向電極・データ線間の寄生容量を有効利用して、データ線の駆動前にデータ線を所望の電圧レベルに変化させたり、対向電極の電圧レベルの変化により演算増幅回路の出力側に流れ込んできた電荷を、電源側に戻すことなどが可能になり、低消費電力化等の実現が可能になる。
【0010】
また本発明は、対向電極の電圧レベルが第1の電圧レベルになる第1の期間において、データ線を駆動する第1の演算増幅器と、対向電極の電圧レベルが第2の電圧レベルになる第2の期間において、データ線を駆動する第2の演算増幅器とを含むことを特徴とする。
【0011】
このようにすれば、対向電極の電圧レベルの変化(極性反転)に応じた最適な演算増幅器でデータ線を駆動できるようになり、低消費電力化等の実現が可能になる。
【0012】
また本発明は、前記第1の演算増幅器が、差動部と、前記差動部の出力に基づきゲート電極が制御される第1導電型の第1の駆動トランジスタを有する出力部とを含み、前記第2の演算増幅器が、差動部と、前記差動部の出力に基づきゲート電極が制御される第2導電型の第2の駆動トランジスタを有する出力部とを含むことを特徴とする。
【0013】
このようにすれば、例えば、第1の期間においては第1導電型の第1の駆動トランジスタでデータ線を駆動し、第2の期間においては第2導電型の第2の駆動トランジスタでデータ線を駆動できるようになる。従って、適正な駆動トランジスタでデータ線を駆動できるようになり、演算増幅回路の低消費電力化等の実現が可能になる。
【0014】
また本発明は、対向電極の電圧レベルが第1の電源側の第2の電圧レベルから第2の電源側の第1の電圧レベルに変化する際の所与の期間において、演算増幅回路の出力がハイインピーダンス状態に設定されることで、対向電極とデータ線との間の寄生容量による容量結合により、演算増幅回路の出力に接続されるデータ線の電圧レベルが第2の電源側に変化し、対向電極の電圧レベルが第2の電源側の第1の電圧レベルから第1の電源側の第2の電圧レベルに変化する際の所与の期間において、演算増幅回路の出力がハイインピーダンス状態に設定されることで、対向電極とデータ線との間の寄生容量による容量結合により、演算増幅回路の出力に接続されるデータ線の電圧レベルが第1の電源側に変化することを特徴とする。
【0015】
このようにすれば、対向電極・データ線間の寄生容量を有効利用して、データ線の駆動前にデータ線の電圧レベルを、所与の方向(第2の電源側又は第1の電源側)に予め変化させておくことが可能になる。従って、データ線の駆動時における電圧レベルの変化方向を1つの方向に決めることができるようになり、演算増幅回路の低消費電力化等の実現が可能になる。
【0016】
また本発明は、第2の電源側に変化したデータ線の電圧レベルを第1の電源側に変化させ、階調レベルに対応した電圧レベルに設定する第1の演算増幅器と、第1の電源側に変化したデータ線の電圧レベルを第2の電源側に変化させ、階調レベルに対応した電圧レベルに設定する第2の演算増幅器とを含むことを特徴とする。
【0017】
このようにすれば、第1、第2の演算増幅器として、第1、第2の電源側のいずれか一方の方向においてだけ駆動能力が高い演算増幅器を使用できるようになり、消費電力の小さい演算増幅器が使用可能になる。これにより、演算増幅回路の低消費電力化を図れる。
【0018】
また本発明は、演算増幅回路の出力を、演算増幅回路の第1、第2の電源間の電圧範囲と同一又は広い範囲の電圧範囲にクランプするクランプ回路を含むことを特徴とする。
【0019】
このようにすれば、対向電極の電圧レベルの変化により演算増幅回路の出力側に流れ込んできた電荷を、電源側に戻すことが可能になり、余剰電荷の有効利用を図れる。
【0020】
また本発明は、前記クランプ回路の電源が、演算増幅回路の第1、第2の電源よりも電圧範囲が狭い第3、第4の電源に設定されることを特徴とする。
【0021】
このようにすれば、電源側に戻る電荷の量を増やすことが可能になり、更なる低消費電力化を実現できる。
【0022】
また本発明は、複数の走査線と複数のデータ線と走査線及びデータ線により特定される画素電極とを有する電気光学装置を駆動するための駆動回路であって、各データ線毎に設けられた上記のいずれかの演算増幅回路と、各データ線毎に設けられ、前記演算増幅回路によりインピーダンス変換されるデータ電圧を生成するデータ電圧生成回路とを含むことを特徴とする。
【0023】
また本発明は、複数の走査線と複数のデータ線と走査線及びデータ線により特定される画素電極とを有する電気光学装置を駆動するための駆動方法であって、画素電極と電気光学物質を挟んで対向する対向電極の電圧レベルが第1の電圧レベルになる第1の期間と、対向電極の電圧レベルが第2の電圧レベルになる第2の期間との切り替わりの際の所与の期間において、データ線をハイインピーダンス状態に設定することを特徴とする。
【0024】
また本発明は、対向電極の電圧レベルが第1の電源側の第2の電圧レベルから第2の電源側の第1の電圧レベルに変化する際の所与の期間において、データ線をハイインピーダンス状態に設定することで、対向電極とデータ線との間の寄生容量による容量結合により、データ線の電圧レベルを第2の電源側に変化させ、対向電極の電圧レベルが第2の電源側の第1の電圧レベルから第1の電源側の第2の電圧レベルに変化する際の所与の期間において、データ線をハイインピーダンス状態に設定することで、対向電極とデータ線との間の寄生容量による容量結合により、データ線の電圧レベルを第1の電源側に変化させることを特徴とする。
【0025】
また本発明は、第2の電源側に変化したデータ線の電圧レベルを第1の電源側に変化させ、階調レベルに対応した電圧レベルに設定し、第1の電源側に変化したデータ線の電圧レベルを第2の電源側に変化させ、階調レベルに対応した電圧レベルに設定することを特徴とする。
【0026】
また本発明は、データ線の電圧レベルを、第1、第2の電源間の電圧範囲と同一又は広い範囲の電圧範囲にクランプすることを特徴とする。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、本実施形態について図面を用いて詳細に説明する。
【0028】
なお、以下に説明する本実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を何ら限定するものではない。また本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。
【0029】
1.液晶装置
図1に本実施形態の演算増幅回路を適用した液晶装置のブロック図の例を示す。
【0030】
この液晶装置10(広義には表示装置)は、表示パネル12(狭義にはLCD(Liquid Crystal Display)パネル)、データ線駆動回路20(狭義にはソースドライバ)、走査線駆動回路30(狭義にはゲートドライバ)、コントローラ40、電源回路42を含む。なお、液晶装置10にこれらの全ての回路ブロックを含める必要はなく、その一部の回路ブロックを省略する構成にしてもよい。
【0031】
ここで表示パネル12(広義には電気光学装置)は、複数の走査線(狭義にはゲート線)と、複数のデータ線(狭義にはソース線と)と、走査線及びデータ線により特定される画素電極を含む。この場合、データ線に薄膜トランジスタTFT(Thin Film Transistor、広義にはスイッチング素子)を接続し、このTFTに画素電極を接続することで、アクティブマトリクス型の液晶装置を構成できる。
【0032】
より具体的には、表示パネル12はアクティブマトリクス基板(例えばガラス基板)に形成される。このアクティブマトリクス基板には、図1のY方向に複数配列されそれぞれX方向に伸びる走査線G1〜GM(Mは2以上の自然数)と、X方向に複数配列されそれぞれY方向に伸びるデータ線S1〜SN(Nは2以上の自然数)とが配置されている。また、走査線GK(1≦K≦M、Kは自然数)とデータ線SL(1≦L≦N、Lは自然数)との交差点に対応する位置に、薄膜トランジスタTFTKL(広義にはスイッチング素子)が設けられている。
【0033】
TFTKLのゲート電極は走査線GKに接続され、TFTKLのソース電極はデータ線SLに接続され、TFTKLのドレイン電極は画素電極PEKLに接続されている。この画素電極PEKLと、画素電極PEKLと液晶素子(広義には電気光学物質)を挟んで対向する対向電極VCOM(コモン電極)との間には、液晶容量CLKL(液晶素子)及び補助容量CSKLが形成されている。そして、TFTKL、画素電極PEKL等が形成されるアクティブマトリクス基板と、対向電極VCOMが形成される対向基板との間に液晶が封入され、画素電極PEKLと対向電極VCOMの間の印加電圧に応じて液晶素子の透過率が変化するようになっている。
【0034】
なお、対向電極VCOMに与えられる電圧レベル(第1、第2の電圧レベル)は、電源回路42により生成される。また、対向電極VCOMを対向基板上にベタに形成せずに、各走査線に対応するように帯状に形成してもよい。
【0035】
データ線駆動回路20は、画像データに基づいて表示パネル12のデータ線S1〜SNを駆動する。一方、走査線駆動回路30は、表示パネル12の走査線G1〜GMを順次走査駆動する。
【0036】
コントローラ40は、図示しない中央処理装置(Central Processing Unit:以下、CPUと略す)等のホストにより設定された内容に従って、データ線駆動回路20、走査線駆動回路30及び電源回路42を制御する。より具体的には、コントローラ40は、データ線駆動回路20及び走査線駆動回路30に対しては、例えば動作モードの設定や内部で生成した垂直同期信号や水平同期信号の供給を行い、電源回路42に対しては、対向電極VCOMの電圧レベルの極性反転タイミングの制御を行う。
【0037】
電源回路42は、外部から供給される基準電圧に基づいて、表示パネル12の駆動に必要な各種の電圧レベル(階調電圧)や、対向電極VCOMの電圧レベルを生成する。
【0038】
このような構成の液晶装置10は、コントローラ40の制御の下、外部から供給される画像データに基づいて、データ線駆動回路20、走査線駆動回路30及び電源回路42が協調して表示パネル12を駆動する。
【0039】
なお、図1では、液晶装置10がコントローラ40を含む構成になっているが、コントローラ40を液晶装置10の外部に設けてもよい。或いは、コントローラ40と共にホストを液晶装置10に含めるようにしてもよい。また、データ線駆動回路20、走査線駆動回路30、コントローラ40、電源回路42の一部又は全部を表示パネル12上に形成してもよい。
【0040】
1.1 データ線駆動回路
図2に、図1のデータ線駆動回路20の構成例を示す。
【0041】
データ線駆動回路20は、シフトレジスタ22、ラインラッチ24、26、DAC28(ディジタル・アナログ変換回路。広義にはデータ電圧生成回路)、出力バッファ29(演算増幅回路)を含む。
【0042】
シフトレジスタ22は、各データ線に対応して設けられ、順次接続された複数のフリップフロップを含む。このシフトレジスタ22は、クロック信号CLKに同期してイネーブル入出力信号EIOを保持すると、順次クロック信号CLKに同期して隣接するフリップフロップにイネーブル入出力信号EIOをシフトする。
【0043】
ラインラッチ24には、コントローラ40から例えば18ビット(6ビット(階調データ)×3(RGB各色))単位で画像データ(DIO)が入力される。ラインラッチ24は、この画像データ(DIO)を、シフトレジスタ22の各フリップフロップで順次シフトされたイネーブル入出力信号EIOに同期してラッチする。
【0044】
ラインラッチ26は、コントローラ40から供給される水平同期信号LPに同期して、ラインラッチ24でラッチされた1水平走査単位の画像データをラッチする。
【0045】
DAC28は、各データ線に供給すべきアナログのデータ電圧を生成する。具体的にはDAC28は、ラインラッチ26からのデジタルの画像データに基づいて、図1の電源回路42からの階調電圧のいずれかを選択し、デジタルの画像データに対応するアナログのデータ電圧を出力する。
【0046】
出力バッファ29は、DAC28からのデータ電圧をバッファリングしてデータ線に出力し、データ線を駆動する。具体的には、出力バッファ29は、各データ線毎に設けられたボルテージフォロワ接続の演算増幅回路OPCを含み、これらの各演算増幅回路OPCが、DAC28からのデータ電圧をインピーダンス変換して、各データ線に出力する。
【0047】
なお、図2では、デジタルの画像データをデジタル・アナログ変換して、出力バッファ29を介してデータ線に出力する構成にしているが、アナログの映像信号をサンプル・ホールドして、出力バッファ29を介してデータ線に出力する構成にすることもできる。
【0048】
1.2 走査線駆動回路
図3に、図1の走査線駆動回路30の構成例を示す。
【0049】
走査線駆動回路30は、シフトレジスタ32、レベルシフタ34、出力バッファ36を含む。
【0050】
シフトレジスタ32は、各走査線に対応して設けられ、順次接続された複数のフリップフロップを含む。このシフトレジスタ32は、クロック信号CLKに同期してイネーブル入出力信号EIOをフリップフロップに保持すると、順次クロック信号CLKに同期して隣接するフリップフロップにイネーブル入出力信号EIOをシフトする。ここで入力されるイネーブル入出力信号EIOは、コントローラ40から供給される垂直同期信号である。
【0051】
レベルシフタ34は、シフトレジスタ32からの電圧レベルを、表示パネル12の液晶素子とTFTのトランジスタ能力とに応じた電圧レベルにシフトする。この電圧レベルとしては、例えば20V〜50Vの高い電圧レベルが必要とされるため、他のロジック回路部とは異なる高耐圧プロセスが用いられる。
【0052】
出力バッファ36は、レベルシフト34によってシフトされた走査電圧をバッファリングして走査線に出力し、走査線を駆動する。
【0053】
2.演算増幅回路
2.1 ライン反転駆動
さて、液晶素子には、直流電圧を長時間印加すると劣化するという性質がある。このため、液晶素子に印加する電圧の極性を所定期間毎に反転させる駆動方式が必要になる。このような駆動方式としては、図4に示すように、フレーム反転駆動、走査(ゲート)ライン反転駆動、データ(ソース)ライン反転駆動、ドット反転駆動などがある。
【0054】
このうち、フレーム反転駆動は、消費電力は低いが、画質がそれほど良くないという不利点がある。また、データライン反転駆動、ドット反転駆動は、画質は良いが、表示パネルの駆動に高い電圧が必要になるという不利点がある。
【0055】
そこで本実施形態では、図4の走査ライン反転駆動を採用している。この走査ライン反転駆動では、液晶素子に印加される電圧が走査期間毎(走査線毎)に極性反転される。例えば、第1の走査期間(走査線)では正極性の電圧が液晶素子に印加され、第2の走査期間では負極性の電圧が印加され、第3の走査期間では正極性の電圧が印加される。一方、次のフレームにおいては、今度は、第1の走査期間では負極性の電圧が液晶素子に印加され、第2の走査期間では正極性の電圧が印加され、第3の走査期間では負極性の電圧が印加されるようになる。
【0056】
そして、この走査ライン反転駆動では、対向電極VCOMの電圧レベルが走査期間毎に極性反転される。
【0057】
より具体的には図5に示すように、正極の期間T1(第1の期間)では対向電極VCOMの電圧レベルはVC1(第1の電圧レベル)になり、負極の期間T2(第2の期間)ではVC2(第2の電圧レベル)になる。
【0058】
ここで、正極の期間T1は、データ線S(画素電極)の電圧レベルが対向電極VCOMの電圧レベルよりも高くなる期間である。この期間T1では液晶素子に正極性の電圧が印加されることになる。一方、負極の期間T2は、データ線Sの電圧レベルが対向電極VCOMの電圧レベルよりも低くなる期間である。この期間T2では液晶素子に負極性の電圧が印加されることになる。また、VC2は、所与の電圧レベルを基準としてVC1を極性反転した電圧レベルである。
【0059】
このようにVCOMを極性反転することで、表示パネルの駆動に必要な電圧を低くすることができる。これにより、駆動回路の耐圧を低くでき、駆動回路の製造プロセスの簡素化、低コスト化を図れる。
【0060】
しかしながら、このようにVCOMを極性反転する手法では、回路の低消費電力化という観点から、以下に説明するような課題があることが判明した。
【0061】
例えば図5のA1、A2に示すように、期間T1から期間T2に切り替わった場合に、データ線Sの電圧レベルは低電位側に変化する場合(A1)があると共に、高電位側に変化する場合(A2)もある。同様に、図5のA3、A4に示すように、期間T2から期間T1に切り替わった場合にも、データ線Sの電圧レベルは高電位側に変化する場合(A3)もあると共に、低電位側に変化する場合(A4)もある。
【0062】
例えば、期間T1でのデータ線Sの階調が63であり、期間T2での階調も63である場合には、図5のA1に示すようにデータ線Sの電圧レベルは低電位側に変化する。一方、期間T1でのデータ線Sの階調が0であり、期間T2での階調も0である場合には、データ線Sの電圧レベルは高電位側に変化することになる。
【0063】
このように、アクティブマトリクス型液晶装置においてVCOMを極性反転する場合には、データ線Sの電圧レベルの変化の方向が、階調レベルに依存してしまう。このため、特開平7−98577号公報に開示されるような単純マトリクス型液晶装置の低消費電力化技術をそのまま採用できないという課題があった。
【0064】
このため、従来のアクティブマトリクス型液晶装置では、データ線の駆動のための演算増幅回路(図2の出力バッファ29が含むOPC)として、図6に示すようなAB級(プッシュプル方式)の演算増幅回路が用いられていた。
【0065】
このAB級の演算増幅回路は、差動部300と、P型(広義には第1導電型)の駆動トランジスタPT53及びN型(広義には第2導電型)の駆動トランジスタNT55を有する出力部310を含む。
【0066】
ここで差動部300は、ゲート電極が差動部300の出力DQに共通接続されたP型トランジスタPT51、PT52と、ゲート電極が差動部300の入力I、XIに接続されたN型トランジスタNT51、NT52と、電流源IS51を含む。
【0067】
出力部310は、ゲート電極が差動部300の出力XDQ(反転出力)に接続されたN型トランジスタNT53及び電流源IS52からなる反転回路を含む。また、ゲート電極が差動部300の出力XDQに接続されたP型駆動トランジスタPT53と、ゲート電極が上記反転回路の出力BQに接続されたN型駆動トランジスタNT55と、ゲート電極がVSSに接続されたN型トランジスタNT54と、位相補償用の容量CCを含む。
【0068】
なお、図6の演算増幅回路では、出力部310の出力Qが差動部300の入力XI(反転入力)に接続されており、ボルテージフォロワ接続になっている。
【0069】
また、電流源IS51、IS52は、例えばゲート電極が基準電圧(定電圧)に接続されたN型トランジスタで構成できる。
【0070】
図6に示すAB級の演算増幅回路では、出力部310が、P型の駆動トランジスタPT53とN型の駆動トランジスタNT55の両方を有する。従って、図5のA1、A4の場合には、N型駆動トランジスタNT55が働くことで、データ線Sの電圧レベルを低電位側に速やかに引き下げることが可能になる。一方、図5のA2、A3の場合には、P型駆動トランジスタPT53が働くことで、データ線Sの電圧レベルを高電位側に速やかに引き上げることが可能になる。従って、対向電極VCOMを極性反転させながら走査ライン反転駆動を行う液晶装置では、データ線駆動回路の出力バッファが含む演算増幅回路として、ほとんどの場合、図6のAB級の演算増幅回路が用いられていた。
【0071】
しかしながら、この図6のAB級の演算増幅回路では、電流の流れる経路が電流I51、I52、I53の経路というように3本あるため、無駄に消費される電流が多く、消費電力が大きいという欠点がある。特にこの種のAB級の演算増幅回路では、駆動トランジスタPT53、NT55のゲート電極を適正に制御するために、電流経路が4本以上になる構成の回路も多く、このような回路構成の場合には消費電力は更に大きくなる。また、消費電力を低減すべく、電流I51、I52、I53を絞ると、今度は、応答速度の低下や周波数特性の悪化などの事態を招く。
【0072】
そして、この図6の演算増幅回路は、図2に示すように各データ線に対応して多数設けられている。このため、各演算増幅回路の消費電力が増えると、液晶装置の消費電力は、演算増幅回路の個数の分だけ増えてしまい、低消費電力化の大きな妨げになるという課題があった。
【0073】
そこで本実施形態では、このような課題を解決するために、以下に説明するような手法を採用している。
【0074】
2.2 演算増幅器の切り替え
まず本実施形態では、対向電極VCOMの電圧レベルの切り替えに応じて、データ線を駆動する演算増幅器を切り替えている。
【0075】
より具体的には、図7(A)に示すように、対向電極VCOMの電圧レベルがVC1(第1の電圧レベル)になる期間T1(第1の期間、図5の正極期間)においては、演算増幅器OP1を用いてデータ線を駆動する。一方、VCOMの電圧レベルがVC2(VC1を極性反転した第2の電圧レベル)になる期間T2(第2の期間、図5の負極期間)では、OP1とは異なる演算増幅器OP2を用いてデータ線を駆動する。
【0076】
このような駆動方法を実現できる演算増幅回路の構成例を図7(B)に示す。この演算増幅回路は、演算増幅器OP1(P型の第1の演算増幅器)と、演算増幅器OP2(N型の第2の演算増幅器)と、選択回路70を含む。
【0077】
ここで演算増幅器OP1(P型)は、例えば図7(B)に示すように、差動部50と、P型の駆動トランジスタPT13及び電流源IS12を有する出力部52を含む。ここでP型駆動トランジスタPT13は、差動部50の出力(反転出力)によりゲート電極が制御される。
【0078】
また演算増幅器OP2(N型)は、例えば図7(B)に示すように、差動部60と、N型の駆動トランジスタNT23及び電流源IS22を有する出力部62を含む。ここでN型駆動トランジスタNT23は、差動部60の出力(反転出力)によりゲート電極が制御される。
【0079】
なお電流源IS12、IS22は、定電流を流すためのものであり、ゲート電極に基準電圧が接続されたN型トランジスタや、デプレッション型トランジスタや、或いは抵抗素子などで構成できる。また、図7(B)において電流源IS12やIS22を設けない構成にすることも可能である。
【0080】
選択回路70は、対向電極VCOMがVC1の場合(期間T1の場合)に、演算増幅器OP1の出力Q1を選択してデータ線Sに接続する。一方、VCOMがVC2の場合(期間T2の場合)に、演算増幅器OP2の出力Q2を選択してデータ線Sに接続する。このようにすることで、期間T1では演算増幅器OP1によりデータ線Sを駆動し、期間T2では演算増幅器OP2によりデータ線Sを駆動することが可能になる。
【0081】
図8に演算増幅器OP1の構成例を示す。このOP1は、出力部52が、P型駆動トランジスタPT13を含む一方でN型駆動トランジスタを含まないP型の演算増幅器である。
【0082】
演算増幅器OP1の差動部50は、ゲート電極が差動部50の出力DQ1に共通接続されたP型トランジスタPT11、PT12と、ゲート電極が差動部50の入力I1、XI1に接続されたN型トランジスタNT11、NT12と、VSS(第2の電源)側に設けられた電流源IS11を含む。
【0083】
演算増幅器OP1の出力部52は、ゲート電極が差動部50の出力XDQ1(反転出力)に接続されたP型トランジスタPT13と、VSS側に設けられた電流源IS12と、位相補償用の容量CC1を含む。
【0084】
なお、図8の演算増幅器OP1では、その出力Q1が差動部50の入力XI1(反転入力)に接続されており、ボルテージフォロワ接続になっている。
【0085】
図9に演算増幅器OP2の構成例を示す。このOP2は、出力部62が、N型駆動トランジスタNT23を含む一方でP型駆動トランジスタを含まないN型の演算増幅器である。
【0086】
演算増幅器OP2の差動部60は、VDD(第1の電源)側に設けられた電流源IS21と、ゲート電極が差動部60の入力I2、XI2に接続されたP型トランジスタPT21、PT22と、ゲート電極が差動部60の出力DQ2に共通接続されたN型トランジスタNT21、NT22を含む。
【0087】
演算増幅器OP2の出力部62は、VDD側に設けられた電流源IS22と、ゲート電極が差動部60の出力XDQ2(反転出力)に接続されたN型トランジスタNT23と、位相補償用の容量CC2を含む。
【0088】
なお、図9の演算増幅器OP2では、その出力Q2が差動部60の入力XI2(反転入力)に接続されており、ボルテージフォロワ接続になっている。
【0089】
図8の演算増幅器OP1では、電流の流れる経路がI11、I12の経路というように2本だけとなる。同様に図9の演算増幅器OP2でも、電流の流れる経路がI21、I22の経路というように2本だけとなる。従って、これらのOP1、OP2は、電流経路が3本以上になる図6のようなAB級の演算増幅回路に比べて、無駄に流れる電流を少なくでき、低消費電力化を図れる。
【0090】
また図6のAB級の演算増幅回路では、駆動トランジスタPT53、NT55の電流供給能力を小さくすると、データ線の駆動能力が低下してしまう。このため、これらのPT53、NT55の経路に流れる電流I53を、それほど小さくすることができない。
【0091】
これに対して図8の演算増幅器OP1では、出力Q1の電圧レベルを低電位側に引き下げる必要がそれほど無い状況(後述する図17のB15)においては、電流源IS12に流れる電流I12を非常に小さくできる。同様に、図9の演算増幅器OP2では、出力Q2の電圧レベルを高電位側に引き上げる必要がそれほど無い状況(後述する図17のB5)においては、電流源IS22に流れる電流I22を非常に小さくできる。従って、出力部310での電流I53をそれほど小さくできない図6のAB級の演算増幅回路に比べて、図8、図9の演算増幅器OP1、OP2は、出力部52、62に流れる電流をI12、I22を十分に小さくでき、消費電力を非常に小さくできる。
【0092】
そして本実施形態では図7(A)に示すように、期間T1では、上記のように消費電力が非常に少ない演算増幅器OP1だけが使用され、期間T2では、同じく消費電力が非常に少ない演算増幅器OP2だけが使用される。従って、低消費電力の多い図6のAB級の演算増幅回路を全ての期間(T1及びT2)において使用する従来の手法に比べて、液晶装置の消費電力を格段に小さくできる。
【0093】
しかも、図7(B)に示す本実施形態の演算増幅回路は、図2に示すように各データ線に対応して設けられており、データ線の本数分だけあるため、その数は非常に多い。従って、各演算増幅回路の消費電力を小さくできると、液晶装置の消費電力を演算増幅回路の個数分だけ減らすことができ、液晶装置の消費電力を格段に小さくできる。
【0094】
2.3 演算増幅回路の出力のハイインピーダンス設定
また本実施形態では、演算増幅回路の出力をハイインピーダンス状態に設定できるようになっている。
【0095】
より具体的には図10に示すように、対向電極VCOMの電圧レベルがVC1(第1の電圧レベル)になる期間T1(第1の期間)と、VCOMがVC2(第2の電圧レベル)になる期間T2(第2の期間)との切り替わりの際の所与の期間(切り替わりのタイミングを含む所与の期間)において、演算増幅回路の出力をハイインピーダンス状態(HIZ)に設定する駆動方法を採用している。
【0096】
このような駆動方法を実現できる演算増幅回路の構成例を図11(A)に示す。この演算増幅回路は、演算増幅器OP1(P型)と、演算増幅器OP2(N型)と、選択回路70を含む。そして、この選択回路70の出力が、期間T1、T2の切り替わりの際の所与の期間においてハイインピーダンス状態に設定されるようになる。
【0097】
より具体的には、選択回路70は、P型トランジスタとN型トランジスタが並列接続されるトランスファー・ゲートTG1、TG2(パストランジスタ、広義にはスイッチング素子)を含む。そしてTG1は信号SEL1によりオン・オフ制御され、TG2は信号SEL2によりオン・オフ制御される。
【0098】
図11(B)に、SEL1、SEL2を用いたTG1、TG2のオン・オフ制御のタイミング波形図を示す。
【0099】
図11(B)に示すように、VCOMがVC1になる期間T1においてSEL1がアクティブ(Hレベル)になると、TG1がオン(導通状態)になる。すると、演算増幅器OP1が選択され、OP1の出力Q1がデータ線Sに接続される。これによりデータ線SはP型の演算増幅器OP1により駆動されることになる。
【0100】
一方、VCOMがVC2になる期間T2においてSEL2がアクティブになると、TG2がオンになる。すると、演算増幅器OP2が選択され、OP2の出力Q2がデータ線Sに接続される。これによりデータ線SはN型の演算増幅器OP2により駆動されることになる。
【0101】
そして、SEL1、SEL2が共に非アクティブ(Lレベル)になると、TG1及びTG2が共にオフ(非導通状態)になる。すると、データ線Sが演算増幅器OP1、OP2のいずれによっても駆動されなくなり、データ線Sはハイインピーダンス状態(HIZ)になる。これにより、期間T1、T2の切り替え時にデータ線Sをハイピーダンス状態に設定できるようになる。
【0102】
このように本実施形態では、期間T1又はT2でアクティブになり、且つ、アクティブになる期間が互いにノンオーバラップとなる信号SEL1、SEL2を用いて、トランスファー・ゲートTG1、TG2(スイッチング素子)のオン・オフ制御を行っている。このようにすることで、演算増幅器OP1、OP2によるデータ線Sの切り替え駆動と、データ線Sのハイインピーダンス設定とを、簡素な回路構成と簡素な回路制御で実現できるようになる。
【0103】
なお図11(A)、(B)では、演算増幅回路の出力のハイインピーダンス制御を、選択回路70の出力をハイインピーダンス状態に設定する手法で実現しているが、演算増幅器OP1、OP2の出力Q1、Q2をハイインピーダンス状態に設定する手法等で実現してもよい。
【0104】
3.低消費電力化の原理
次に本実施形態の低消費電力化手法の原理について説明する。
【0105】
液晶装置では、非選択期間での画素電極の電圧レベルを保持して高画質化を図るために、液晶容量を補助するための補助容量が画素電極に接続される。このような補助容量の形成方式として、図12(A)に示す蓄積容量方式と、図12(B)に示す付加容量方式がある。
【0106】
図12(A)の蓄積容量方式では、画素電極とVCOMとの間に補助容量CSを形成する。これは、例えばアクティブマトリクス基板にVCOMの配線を別に設けることで実現できる。一方、図12(B)の付加容量方式では、画素電極と前段の走査線(ゲート線)との間に補助容量CSを形成する。これは、画素電極のパターンと前段の走査線のパターンとをオーバラップさせてレイアウトすることで実現できる。
【0107】
本実施形態の低消費電力化手法は、図12(A)の蓄積容量方式の場合にも、図12(B)の付加容量方式の場合にも適用であるが、以下では、説明を簡単にするために、図12(A)の蓄積容量方式に適用した場合について例にとり説明する。
【0108】
なお、図12(A)の蓄積容量方式では、TFTのゲート・ドレイン間の寄生容量やゲート・ソース間の寄生容量が、データ線の電圧レベルの変化を抑制する方向に働く。これに対して、図12(B)の付加容量方式では、VCOMの電圧レベルの変化時に前段の走査線の電圧レベルも変化する。従って、この走査線の電圧レベルの変化が、データ線の電圧レベルの変化を助ける方向に働く。従って、VCOMの電圧レベルの変化によりデータ線の電圧レベルを変化させ、このデータ線の電圧レベルの変化を利用して低消費電力化を図る本実施形態の手法では、図12(B)の付加容量方式の方が、より効果的となる。
【0109】
図13に、蓄積容量方式の場合での、データ線S、対向電極VCOM、走査線Gの信号波形の一例を概念的に示す。
【0110】
図13に示すように、データ線S及びVCOMの電圧レベルは、走査期間毎に所与の電圧レベルを基準に極性反転される。そして、データ線Sの方がVCOMよりも高電位の場合には、液晶素子の印加電圧が正極性になり、VCOMの方がデータ線Sよりも高電位の場合には、液晶素子の印加電圧が負極性になる。このように液晶素子の印加電圧の極性を走査期間毎に反転させることで、液晶素子に長時間直流電圧が印加されるのを防止でき、液晶素子の長寿命化を図れる。
【0111】
さて、図13に示すようにVCOMが極性反転し、その電圧レベルがVC1からVC2或いはVC2からVC1というように変化すると、VCOMとデータ線Sとの間の寄生容量による容量結合により、VCOMの電圧レベルの変化がデータ線Sに伝達される。
【0112】
ここで、図14に示すように、VCOMとデータ線Sとの間の1画素当たりの寄生容量CPAPIXは、下式のようになる。
【0113】
CPAPIX={1/CDS+1/(CL+CS)}-1 (1)
上式(1)において、CDSはTFTのドレイン・ソース間の寄生容量であり、CLは液晶容量であり、CSは補助容量である。なお、上式(1)では、TFTのゲート・ドレイン間の寄生容量やゲート・ソース間の寄生容量については無視している。
【0114】
そして図15に示すように、VCOMとデータ線Sとの間の1データ線当たりの寄生容量CPAは、下式にようになる。
【0115】
CPA=CPAPIX×(M−1) (2)
上式(2)においてMは走査線の本数である。上式(2)においてCPAPIX×Mではなく、CPAPIX×(M−1)となっているのは、走査線により選択されている画素に関しては、寄生容量CPAPIXの影響がないからである。
【0116】
例えば上式(1)、(2)において、CL+CS=0.1pf(ピコ・ファラッド)、CDS=0.05pf、走査線数M=228とすると、1画素当たりの寄生容量CPAPIXは約0.33pfとなり、1データ線当たりの寄生容量CPAは約7.6pfになる。
【0117】
このようにVCOMとデータ線の間には無視できないほどの寄生容量CPAがついている。従って図16に示すように、データ線Sが非駆動状態の時にVCOMの電圧レベルが変化すると、寄生容量CPAによる容量結合により、データ線Sの電圧レベルも変化する。
【0118】
例えば図16に示すように、VCOMの電圧レベルがVC1からVC2或いはVC2からVC1に変化すると、データ線Sの電圧レベルもVS1からVS2或いはVS2からVS1に変化する。この場合、データ線Sに他の寄生容量がついていないような理想的な場合には、VS2−VS1=VC2−VC1になる。しかしながら、実際には、データ線Sと基板との間やデータ線Sと大気との間などにも寄生容量が存在するため、VS2−VS1<VC2−VC1になる。
【0119】
本実施形態では、このような寄生容量CPAによるデータ線Sの電圧レベルの変化を積極利用して、液晶装置の低消費電力化を実現している。
【0120】
例えば図17のタイミング波形図のB1では、対向電極VCOMの電圧レベルがVSS(第2の電源)側のVC1からVDD(第1の電源)側のVC2に変化している。この場合に本実施形態では、この電圧レベルの切り替わりのタイミングで、B2に示すようにデータ線S(演算増幅回路の出力)をハイインピーダンス状態に設定している(図10〜図11(B)参照)。
【0121】
このようにデータ線Sをハイインピーダンス状態に設定すると、データ線Sは非駆動状態になる。従って、VCOMとデータ線Sとの間の寄生容量CPA(図14〜図16参照)により、図17のB3に示すようにデータ線Sの電圧レベルがVDD側(高電位側)に変化する。
【0122】
そして本実施形態では図17のB4に示すように、VCOMがVC2になる期間T2においては、N型の演算増幅器OP2によりデータ線Sを駆動している(図7(A)〜図9参照)。従って、図17のB3に示すようにVDD側に変化したデータ線の電圧レベルが、B5に示すように演算増幅器OP2の駆動によりVSS側(低電位側)に変化して、階調レベル(図5参照)に対応したB6に示す電圧レベルに設定されることになる。
【0123】
この場合に、OP2は、図9に示すようにN型の駆動トランジスタNT23を有するN型の演算増幅器である。従って、このVSS側に設けられた駆動トランジスタNT23の駆動能力を利用して、図17のB5に示すようにデータ線Sの電圧レベルをVSS側(低電位側)に容易に変化させることができる。逆に言えば、データ線Sの電圧レベルをVDD側(高電位側)に変化させる必要がないため、図9の電流源IS22に流れる電流を少なくできる(或いは無くすことができる)。従って、演算増幅回路の低消費電力化を図れ、液晶装置の低消費電力化も図れるようになる。
【0124】
一方、図17のB11では、VCOMの電圧レベルがVDD側のVC2からVSS側のVC1に変化している。この場合に本実施形態では、この電圧レベルの切り替わりのタイミングで、B12に示すようにデータ線Sをハイインピーダンス状態に設定している。
【0125】
このようにデータ線Sをハイインピーダンス状態に設定すると、データ線Sは非駆動状態になる。従って、VCOMとデータ線Sとの間の寄生容量CPAにより、図17のB13に示すように、データ線Sの電圧レベルがVSS側に変化する。
【0126】
そして本実施形態では図17のB14に示すように、VCOMがVC1になる期間T1においては、P型の演算増幅器OP1によりデータ線Sを駆動している。従って、図17のB13に示すようにVSS側に変化したデータ線の電圧レベルが、B15に示すように演算増幅器OP1の駆動によりVDD側に変化して、階調レベルに対応したB16に示す電圧レベルに設定されることになる。
【0127】
この場合に、OP1は、図8に示すようにP型の駆動トランジスタPT13を有するP型の演算増幅器である。従って、このVDD側に設けられた駆動トランジスタPT13の駆動能力を利用して、図17のB15に示すようにデータ線Sの電圧レベルをVDD側に容易に変化させることができる。逆に言えば、データ線Sの電圧レベルをVSS側に変化させる必要がないため、図8の電流源IS12に流れる電流を少なくできる(或いは無くすことができる)。従って、演算増幅回路の低消費電力化を図れ、液晶装置の低消費電力化も図れるようになる。
【0128】
例えば、VCOMの電圧レベルの切り替え時にデータ線Sをハイインピーダンス状態に設定しない手法では、演算増幅回路によりデータ線Sは常に駆動状態になる。従って、VCOMの電圧レベルが変化しても、寄生容量CPAによる容量結合では、データ線Sの電圧レベルは図17のB3やB13に示すようには変化しない。従って、図5のA1〜A4で説明したように、データ線Sの電圧レベルを変化させる方向が、階調レベルに依存してしまい、1つの方向に特定できない。このため、データ線Sの電圧レベルをVDD側にもVSS側にも同じ駆動力で変化させることができる図6のAB級の演算増幅回路を使用せざるを得なかった。そして、このAB級の演算増幅回路は消費電力が大きいため、液晶装置の低消費電力化を実現できなかった。
【0129】
これに対して本実施形態では、VCOMとデータ線Sの間の寄生容量CPAを積極的に利用することで、図17のB3やB13に示すようにデータ線Sの電圧レベルをデータ線Sの駆動の前にVDD側やVSS側に変化させることに成功している。
【0130】
そして、図17のB3に示すようにデータ線Sの電圧レベルがその駆動の前にVDD側に変化した場合には、その後にデータ線Sの電圧レベルを変化させる方向は、階調レベルに依存せずVSS側になる。従って、データ線Sを駆動する演算増幅器として、VDD側の駆動力は弱いがVSS側の駆動力が強いN型の演算増幅器OP2を使用できるようになる。
【0131】
一方、図17のB13に示すようにデータ線Sの電圧レベルがその駆動の前にVSS側に変化した場合には、その後にデータ線Sの電圧レベルを変化させる方向は、階調レベルに依存せずVDD側になる。従って、データ線Sを駆動する演算増幅器として、VSS側の駆動力は弱いがVDD側の駆動力が強いP型の演算増幅器OP1を使用できるようになる。
【0132】
そしてこれらのP型、N型の演算増幅器OP1、OP2は共に消費電力が小さい。従って本実施形態によれば、図6のAB級の演算増幅回路を使用する手法に比べて格段に低消費電力化を図れる。
【0133】
なお、図17のB3、B13でのデータ線Sの電圧レベルの変化幅は、CPA以外の他の寄生容量(例えば大気との間の寄生容量)が大きいと、小さくなってしまう。そして、データ線Sの電圧レベルの変化幅が小さいと、階調レベルによっては、図17のB5においてデータ線Sの電圧レベルを逆のVDD側に変化させたり、B15において逆のVSS側に変化させなければならない事態も生じる。
【0134】
しかしながら、このような事態が生じた場合でも、B3での電圧レベルの変化は、N型の演算増幅器OP2の駆動の助けになる。即ち、演算増幅器OP2の電流源IS22(図9参照)がデータ線Sの電圧レベルをVDD側に変化させる時間を短縮できる。同様に、B13での電圧レベルの変化も、P型の演算増幅器OP1の駆動の助けになる。即ち、演算増幅器OP1の電流源IS12(図8参照)がデータ線Sの電圧レベルをVSS側に変化させる時間を短縮できる。
【0135】
なお、図17では演算増幅回路の出力をハイインピーダンス状態に設定することで、B3、B13に示すようにデータ線Sの電圧レベルを変化させているが、例えば電圧レベルを変化させるための付加的なトランジスタ(例えばプリチャージ用トランジスタ)を用いた他の手法により、VCOMの切り替え時にデータ線Sの電圧レベルを変化させてもよい。
【0136】
但し、図17のように演算増幅回路の出力をハイインピーダンス状態に設定する手法によれば、VCOMによる表示パネルの充放電を有効利用して、データ線Sの電圧レベルをB3、B13に示すように変化させることができる。従って、付加的なトランジスタを用いる上記手法に比べて、より低消費電力化を図れる。
【0137】
4.演算増幅回路の詳細例
図18に、演算増幅回路の詳細な構成例を示す。
【0138】
図18の演算増幅回路が図7(A)〜図11(B)で説明した演算増幅回路と異なるのは、演算増幅器OP1がN型トランジスタNT14、NT16、P型トランジスタPT14を含み、演算増幅器OP2がP型トランジスタPT24、PT26、N型トランジスタNT24を含む点である。
【0139】
なお図18において、基準電圧(バイアス電圧)VB1がゲート電極に接続されたN型トランジスタNT13、NT15、基準電圧VB2がゲート電極に接続されたP型トランジスタPT23、PT25は、各々、図8、図9の電流源IS11、IS12、IS21、IS22に相当するものである。また、RPは、演算増幅回路の出力の静電気保護のための抵抗である。
【0140】
4.1 電流源のオン・オフ制御
本実施形態では、図18のトランジスタNT14、NT16、PT24、PT26を用いて、演算増幅器OP1、OP2の電流源IS11(NT13)、IS12(NT15)、IS21(PT23)、IS22(PT25)のオン・オフ制御を行い、演算増幅器の動作のオン・オフ制御を実現している。
【0141】
ここで、N型トランジスタNT14、NT16のゲート電極には信号OFF1D、OFF1Qが接続され、P型トランジスタPT24、PT26のゲート電極には信号XOFF2D、XOFF2Qが接続されている。そして、これらのOFF1D、OFF1Q、XOFF2D、XOFF2Qは、例えば図19(A)のタイミング波形図に示されるように信号制御される。なお、XOFF2D、XOFF2Qの’X’は、負論理という意味である。
【0142】
例えば、対向電極VCOMがVC1になる期間T1(第1の期間)では、OFF1D、OFF1QがHレベル(アクティブ)になり、図18のN型トランジスタNT14、NT16がオンになる。これにより、演算増幅器OP1の電流源IS11(NT13)、IS12(NT15)に流れる電流がオンになり、演算増幅器OP1が動作状態になる。
【0143】
また、この期間T1においては、XOFF2D、XOFF2QがHレベル(非アクティブ)になり、P型トランジスタPT24、PT26がオフになる。これにより、演算増幅器OP2の電流源IS21(PT23)、IS22(PT25)に流れる電流がオフになり、演算増幅器OP2が非動作状態になる。
【0144】
このように、期間T1においては、演算増幅器OP1を動作状態に設定する一方で、演算増幅器OP2を非動作状態に設定することで、低消費電力化を図れる。即ち、OP1、OP2が共に動作状態になる場合に比べて、消費電力を半分に抑えることができる。そして、期間T1では、選択回路70により演算増幅器OP1の出力だけが選択されており、データ線SはこのOP1により駆動される。従って、この期間T1において演算増幅器OP2が非動作状態になっても、データ線Sの駆動に支障はない。
【0145】
対向電極VCOMがVC2になる期間T2(第2の期間)では、OFF1D、OFF1QがLレベル(非アクティブ)になり、図18のN型トランジスタNT14、NT16がオフになる。これにより、演算増幅器OP1の電流源IS11、IS12に流れる電流がオフになり、演算増幅器OP1が非動作状態になる。
【0146】
また、この期間T2においては、XOFF2D、XOFF2QがLレベル(アクティブ)になり、P型トランジスタPT24、PT26がオンになる。これにより、演算増幅器OP2の電流源IS21、IS22に流れる電流がオンになり、演算増幅器OP2が動作状態になる。
【0147】
このように、期間T2においては、演算増幅器OP2を動作状態に設定する一方で、演算増幅器OP1を非動作状態に設定することで、低消費電力化を図れる。即ち、OP1、OP2が共に動作状態になる場合に比べて、消費電力を半分に抑えることができる。そして、期間T2では、選択回路70により演算増幅器OP2の出力だけが選択されており、データ線SはこのOP2により駆動される。従って、この期間T2において演算増幅器OP1が非動作状態になっても、データ線Sの駆動に支障はない。
【0148】
このように本実施形態では、信号OFF1D、OFF1Q、XOFF2D、XOFF2Qにより制御されるトランジスタNT14、NT16、PT24、PT26を設けることで、使用してない方の演算増幅器の電流源をオフにし、演算増幅回路の低消費電力化に成功している。
【0149】
なお、図19(B)に示すタイミング波形図のように、OFF1D、OFF1Q、XOFF2D、XOFF2Qを信号制御してもよい。
【0150】
即ち図19(B)では、期間T1、T2の切り替えに応じてOFF1D、XOFF2Dは変化するが、OFF1Q、XOFF2Qは変化しない。そしてOFF1QはHレベルに固定される一方で、XOFF2QはLレベルに固定される。
【0151】
そして、OFF1D、XOFF2Dを変化させることで、図18の演算増幅器OP1、OP2の差動部が含む電流源IS11、IS21がオン・オフ制御されるようになる。
【0152】
一方、OFF1Q、XOFF2QをHレベル、Lレベルに固定することで、演算増幅器OP1、OP2の出力部が含む電流源IS12、IS22は常にオン状態になる。
【0153】
例えば、演算増幅器の差動部の電流源IS11、IS21に流れる電流が大きいと、演算増幅器の応答速度や周波数特性を向上できるため、これらの電流は大きいのが一般的である。従って、電流源IS11、IS21に流れる電流をオン・オフ制御することで、より効果的な低消費電力化を実現できる。
【0154】
一方、図17のB5、B15で説明したように、本実施形態では、演算増幅器の出力部の電流源IS12、IS22については、それほど電流供給能力(駆動能力)が要求されない。従って、これらの電流源IS12、IS22に流れる電流については、オン・オフ制御せずに、常にオンにするようにしても、信号SEL1、SEL2によりPT14、NT24を介してPT13、NT23がオフするので、それほど消費電力は増えない。そして、電流源IS12、IS22に常に電流を流すようにすれば、演算増幅器OP1、OP2の出力Q1、Q2の電圧レベルを安定化でき、駆動トランジスタPT13、NT23のオフ時に出力Q1、Q2の電圧レベルをLレベル(VSS)、Hレベル(VDD)に設定できるようになる。これにより、後述するように、出力Q1、Q2の電圧レベルが不定になることで生じる不具合を効果的に防止できる。
【0155】
なお、図19(A)、(B)では、電流源IS11、IS12、IS21、IS22に流れる電流をオフにする制御を行っているが、これらの電流を完全にはオフにせずに、電流が少なくなるように制限するようにしてもよい。
【0156】
4.2 駆動トランジスタのオン・オフ制御
本実施形態では、図18のトランジスタPT14、NT24を用いて、演算増幅器OP1、OP2の駆動トランジスタPT13、NT23のオン・オフ制御を行い、OP1、OP2の出力Q1、Q2が不定状態になるのを防止している。
【0157】
ここで、P型トランジスタPT14のゲート電極には信号SEL1が接続される。このSEL1は、トランスファー・ゲートTG1のオン・オフ制御にも使用され、演算増幅器OP1の選択・非選択を指示する信号である(図11(A)、(B)参照)。
【0158】
また、N型トランジスタNT24のゲート電極には信号SEL2の反転信号が接続される。このSEL2は、トランスファー・ゲートTG2のオン・オフ制御にも使用され、演算増幅器OP2の選択・非選択を指示する信号である。
【0159】
これらのSEL1、SEL2は、例えば図20のタイミング波形図に示されるように信号制御される。
【0160】
例えば、対向電極VCOMがVC1になる期間T1では、SEL1がHレベル(アクティブ)になり、図18のトランスファー・ゲートTG1がオンになる。従って、演算増幅器OP1が選択されて、その出力Q1がデータ線Sに接続されることになる。
【0161】
一方、この期間T1においては、SEL2がLレベル(非アクティブ)になり、このSEL2の反転信号が入力されるN型トランジスタNT24がオンになる。これにより、駆動トランジスタNT23のゲート電極に接続されるXDQ2がLレベルになり、NT23がオフになる。従って、演算増幅器OP2の出力Q2の電圧レベルは、電流源IS22によりVDD側に引っ張られ、Hレベルに設定される。即ち、演算増幅器OP2が非動作状態になる期間T1において、OP2の出力Q2の電圧レベルが不定になる事態を防止できる。
【0162】
また、対向電極VCOMがVC2になる期間T2では、SEL2がHレベル(アクティブ)になり、図18のトランスファー・ゲートTG2がオンになる。従って、演算増幅器OP2が選択されて、その出力Q2がデータ線Sに接続されることになる。
【0163】
一方、この期間T2においては、SEL1がLレベル(非アクティブ)になり、このSEL1が入力されるP型トランジスタPT14がオンになる。これにより、駆動トランジスタPT13のゲート電極に接続されるXDQ1がHレベルになり、PT13がオフになる。従って、演算増幅器OP1の出力Q1の電圧レベルは、電流源IS12によりVSS側に引っ張られ、Lレベルに設定される。即ち、演算増幅器OP1が非動作状態になる期間T2において、OP1の出力Q1の電圧レベルが不定になる事態を防止できる。
【0164】
以上のように本実施形態では、演算増幅器OP2が選択されて、OP2がデータ線Sを駆動する前の期間においては、図20のE1に示すように、OP2が含む駆動トランジスタNT23のゲート電極がLレベルになり、NT23がオフになる。この時に電流源IS22は常時オンになっているため、演算増幅器OP2の出力Q2の電圧レベルはVDD側に変化して、Hレベルになる。
【0165】
従って、その後に、図20のE2に示すように演算増幅器OP2の選択のためにトランスファー・ゲートTG2がオンになった場合にも、電荷再分配の悪影響を最小限に抑えることができる。
【0166】
即ち本実施形態では、演算増幅器OP2によるデータ線駆動の前に、図20のE3に示すようにデータ線S(演算増幅回路の出力)がハイインピーダンス状態に設定される。そして、この状態でVCOMをVC1からVC2に変化させることで、図17のB3で説明したようにデータ線Sの電圧レベルが上昇する。
【0167】
ところが、その後に図18のトランスファー・ゲートTG2がオンになった時に、演算増幅器OP2の出力Q2がLレベルになっていると、せっかく図17のB3に示すように上昇したデータ線Sの電圧レベルが、電荷の再分配により低下してしまう。これにより、その後の演算増幅器OP2によるデータ線駆動が妨げられる事態が生じる。
【0168】
本実施形態によれば、演算増幅器OP2によるデータ線駆動の前の期間において、図20のE1に示すようにOP2の駆動トランジスタNT23がオフになり、OP2の出力Q2がHレベルになるため、電荷再分配による悪影響を最小限に抑えることができ、上記のような事態を防止できる。
【0169】
同様に本実施形態では、演算増幅器OP1が選択されて、OP1がデータ線Sを駆動する前の期間においては、図20のE11に示すように、OP1が含む駆動トランジスタPT13のゲート電極がHレベルになり、PT13がオフになる。この時に電流源IS12は常時オンになっているため、演算増幅器OP1の出力Q1の電圧レベルはVSS側に変化して、Lレベルになる。
【0170】
従って、その後に、図20のE12に示すように演算増幅器OP1の選択のためにトランスファー・ゲートTG1がオンになった場合にも、電荷再分配の悪影響を最小限に抑えることができる。
【0171】
即ち本実施形態では、演算増幅器OP1によるデータ線Sの駆動の前に、図20のE13に示すようにデータ線Sがハイインピーダンス状態に設定される。そして、この状態でVCOMをVC2からVC1に変化させることで、図17のB13で説明したようにデータ線Sの電圧レベルが低下する。
【0172】
ところが、その後に図18のトランスファー・ゲートTG1がオンになった時に、演算増幅器OP1の出力Q1がHレベルになっていると、せっかく図17のB13に示すように低下したデータ線Sの電圧レベルが、電荷の再分配により上昇してしまう。これにより、その後の演算増幅器OP1によるデータ線駆動が妨げられる事態が生じる。
【0173】
本実施形態によれば、演算増幅器OP1によるデータ線駆動の前の期間において、図20のE11に示すようにOP1の駆動トランジスタPT13がオフになり、OP1の出力Q1がLレベルになるため、電荷再分配による悪影響を最小限に抑えることができ、上記のような事態を防止できる。
【0174】
5.クランプ回路
さて、本実施形態では液晶装置の更なる低消費電力化を図るため、図21(A)に示すように、演算増幅回路の出力Qのハイインピーダンス制御を行うと共に、この出力Qにクランプ回路80を設けている。このクランプ回路80により、演算増幅回路の出力Q(データ線S)は、演算増幅回路の電源VDD、VSS間の電圧範囲と同一又は広い範囲の電圧範囲にクランプされるようになる。これにより、余剰電荷を電源VDD又はVSS側に戻すことができ、液晶装置の低消費電力化を図れる。
【0175】
図21(A)に示すように、このクランプ回路80は、VSS(第2の電源)とデータ線Sの間に設けられたダイオードDI1(クランプ素子)と、データ線SとVDD(第1の電源)と間に設けられたダイオードDI2を含む。ここで、DI1は、VSSからデータ線Sへと向かう方向を順方向とするダイオードであり、DI2は、データ線SからVDDへと向かう方向を順方向とするダイオードである。
【0176】
図21(B)にVSS側に設けられるダイオードDI1の素子構造の例を示す。図21(B)に示すように、このダイオードDI1は、アクティブ領域p+を介してVSSに接続されるpウェル領域p-を正極側電極とし、アクティブ領域n+を負極側電極としている。
【0177】
図21(C)にVDD側に設けられるダイオードDI2の素子構造の例を示す。図21(C)に示すように、このダイオードDI2は、アクティブ領域p+を正極側電極とし、アクティブ領域n+を介してVDDに接続されるnウェル領域n-を負極側電極としている。
【0178】
これらのダイオードDI1、DI2は、演算増幅回路の保護回路としても使用されるものである。より具体的には、これらのダイオードDI1、DI2は、演算増幅回路(駆動回路)が形成される半導体デバイス(半導体チップ)のI/O回路(I/Oパッド)に含ませることができる。
【0179】
なお、ダイオードをVDD側、VSS側の両方には設けず、一方側にのみ設けてもよい。また、演算増幅回路の出力トランジスタ(例えば図18のTG1、TG2)を、ダイオードDI1、DI2(クランプ回路)として用いるようにしてもよい。
【0180】
次に、図21(A)のようなクランプ回路80を設けることによる低消費電力化手法の原理について説明する。なお、以下では説明を簡素化するため、VSS、VDDが0V、5Vであり、VCOMのVC1、VC2も0V、5Vであると仮定して説明を行う。
【0181】
例えば図22(A)のF1に示すようにVCOMが0Vの時のデータ線Sの書き込み電圧VS(階調電圧)が3Vであったとする。そして、この状態で、図22(A)のF1、F2に示すように、VCOMが0V(VC1)から5V(VC2)に変化したとする。この時、本実施形態では、演算増幅回路の出力がハイインピーダンス状態に設定されているため(図10〜図11(B)参照)、VCOMとデータ線Sの間の寄生容量CPAにより(図16参照)、データ線Sは3V(VS)からVS+VC2=8Vに変化しようとする。
【0182】
ところが本実施形態では、図21(A)に示すように演算増幅回路の出力にクランプ回路80が設けられている。従って、データ線Sが8Vに変化しようとしても、この8Vの電圧はクランプ回路80によりクランプされて、VDD+0.6V=5.6Vになる。ここで0.6VはダイオードのPN接合の順方向電圧である。
【0183】
そして、このように8Vの電圧がクランプされて5.6Vになると、EQ1=(8V−5.6V)×CPAの電荷が電源VDD側に戻され、駆動回路が含む演算増幅回路などの動作に再利用される。即ち、表示パネルのVCOMを変化させるのに使用されたエネルギーが捨てられずに電源に戻され、再利用されるようになるため、低消費電力化を図れる。
【0184】
そして、データ線S(演算増幅回路の出力Q)の電圧レベルが、8Vから5.6Vに低下したとしても、階調電圧(0〜5V)よりは十分に高い。従って、図17のB3、B5、B13、B15で説明した本実施形態のデータ線駆動手法の妨げにもならない。
【0185】
次に、図22(A)のF3に示すようにVCOMが5Vの状態で、2Vの書き込み電圧VS(階調電圧)がデータ線Sの書き込まれたとする。そして、図22(A)のF3、F4に示すように、VCOMが5V(VC2)から0V(VC1)に変化したとする。この時、本実施形態では、演算増幅回路の出力がハイインピーダンス状態に設定されているため、VCOMとデータ線Sの間の寄生容量CPAにより、データ線Sは2Vから−3Vに変化しようとする。
【0186】
ところが本実施形態では、図21(A)に示すように演算増幅回路の出力にクランプ回路80が設けられている。従って、データ線Sが−3Vに変化しようとしても、この−3Vの電圧はクランプ回路80によりクランプされて、VSS−0.6V=−0.6Vになる。
【0187】
そして、このように−3Vの電圧がクランプされて−0.6Vになると、EQ2={−0.6−(−3V)}×CPAの電荷が電源VSS側に戻され、再利用されるため、低消費電力化を図れるようになる。
【0188】
以上のように本実施形態では、寄生容量CPAによりデータ線Sの電圧レベルが変化するように、VCOMの切り替え時に演算増幅回路の出力をハイインピーダンス状態に設定している。そして図22(B)に示すように、演算増幅回路の電源VDD、VSS間の電圧範囲(5V〜0V)と同一又は広い範囲の電圧範囲(5.6V〜−0.6V)に、演算増幅回路の出力をクランプしている。従って、このクランプにより余剰となった電荷EQ1=2.4V×CPA、EQ2=2.4V×CPAが電源VDD、VSSに戻され、液晶装置の低消費電力化を図れる。
【0189】
さて、クランプ時に電荷を戻りやすくするためには、演算増幅回路の電源とクランプ回路の電源を異ならせることが望ましい。
【0190】
より具体的には、図22(C)のF5に示すように、演算増幅回路の電源をVDD、VSS(第1、第2の電源)とし、クランプ回路の電源をVDD’、VSS’(第3、第4の電源)とした場合に、VDD−VSS>VDD’−VSS’になるようにする。即ち、クランプ回路の電源VDD’、VSS’の電圧範囲を、演算増幅回路の電源VDD、VSSの電圧範囲よりも狭くする。例えばVDD、VSSの電圧範囲が5V〜0Vの場合には、VDD’、VSS’の電圧範囲を4.4V〜0.6Vにする。
【0191】
このようにすれば図22(C)のF6に示すように、図22(B)に比べて、より多くの電荷を電源側に戻せるようになる。例えば図22(B)ではEQ1=EQ2=2.4V×CPAの電荷が戻るのに対して、図22(C)では、EQ1=EQ2=3.0V×CPAの電荷が電源側に戻る。従って、より多くの電荷が電源側に戻されるようになり、液晶装置の更なる低消費電力化を実現できる。
【0192】
なお、クランプ回路の電源VDD’、VSS’は、図1の電源回路42の電圧生成機能(階調電圧の生成機能)を利用して生成できる。
【0193】
また、ダイオードの順方向電圧をVBDとした場合に、VDD’≧VDD−VBD、VSS’≦VSS+VBDの関係が成り立つことが望ましい。例えば、VDDが5V、VSSが0Vの場合には、VDD’>4.4V、VSS’<0.6Vにする。
【0194】
このようにすれば、演算増幅回路によるデータ線駆動の際に、演算増幅回路の駆動電流がクランプ回路の電源VDD’やVSS’に流れ込んでしまう事態を防止できる。これにより、演算増幅回路の適正なデータ線駆動を実現できる。
【0195】
なお、VCOMの切り替え時に演算増幅回路の出力をハイインピーダンス状態に設定すると共に演算増幅回路の出力にクランプ回路を設ける低消費電力化手法は、図6に示すようなAB級の演算増幅回路にも有効である。即ち、このようなAB級の演算増幅回路においても、余剰電荷を電源側に戻すことで、その戻した電荷の分だけ消費電力を節約できる。
【0196】
6.仮想走査期間
さて、図4で説明した走査(ゲート)ライン反転駆動では、図23に示すように、液晶素子の印加電圧の極性を、走査期間(走査線)毎に極性反転すると共に、フレーム毎に極性反転する。このようにすることで、液晶素子に直流電圧が長時間印加される事態が防止され、液晶素子の劣化を防止できる。
【0197】
そして、このような走査ライン反転駆動において、走査線の本数Mが偶数(例えば228本)である場合には、図23のJ1及びJ2、J3及びJ4に示すように、最終の第Mの走査期間での印加電圧極性と、次のフレームの最初の第1の走査期間での印加電圧極性とが等しくなってしまう。例えば図23のJ1、J2ではこれらの極性が共に負極性となり、J3、J4では共に正極性になる。
【0198】
従って、走査線の本数Mが偶数である表示パネルを、図17に示すような本実施形態の駆動方法で駆動すると、次のような問題が生じることが判明した。
【0199】
例えば図24の第M−1の走査期間(第M−1の走査線が選択される期間)は、VCOMがVC1になっており、VC1は階調電圧よりも低いため、液晶素子の印加電圧が正極性の期間T1になる。また、最終の第Mの走査期間(第Mの走査線が選択される期間)は、VCOMがVC2になっており、VC2は階調電圧よりも高いため、液晶素子の印加電圧が負極性の期間T2になる。また、次のフレームの最初の第1の走査期間(第1の走査線が選択される期間)は、VCOMがVC1になっているため、液晶素子の印加電圧が負極性の期間T2になる。
【0200】
即ち図24では、第Mの走査期間と次のフレームの第1の走査期間は、共に負極性の期間T2になっており、第Mの走査期間から次の第1の走査期間に切り替わっても、K1に示すようにVCOMはVC2のままであり、極性反転されない。また、第Mの走査期間でも第1の走査期間でも、データ線はN型の演算増幅器OP2で駆動されることになる。
【0201】
このように図24のK1では、VCOM自体が極性反転されないため、K2に示すように演算増幅回路の出力がハイインピーダンス状態なっても、データ線Sの電圧レベルは変化しないことになる。即ち図17のB11ではVCOMが極性反転されることで、B13に示すようにデータ線の電圧レベルがVSS側に変化したが、図24のK1の場合にはデータ線の電圧レベルは変化しない。
【0202】
従って、その後の第1の走査期間においては、データ線の電圧レベルを変化させる方向が階調レベルに依存してしまい(図5のA1〜A4参照)、1つの方向に特定できない。このため、この第1の走査期間において、図24のK3に示すようにN型の演算増幅器OP2でデータ線を駆動すると、階調レベルに応じた電圧レベルに設定するまでに長時間を要してしまう事態が生じる。即ち、データ線の電圧レベルを変化させる方向がVDD側であった場合には、電流供給能力が低い図9の電流源IS22でデータ線を駆動しなければならないからである。
【0203】
そこで本実施形態では、第Mの走査期間と第1の走査期間の間に、仮想(ダミー)走査期間を挿入する手法を採用している。
【0204】
より具体的には、まず前提として、図23に示すような走査ライン反転駆動(当該走査期間でのVCOMの電圧レベルを、前の走査期間とは異なる電圧レベルに設定する反転駆動)により表示パネル(電気光学装置)を駆動する。
【0205】
そして図25のL1に示すように、第M(Mは偶数)の走査期間においては、VCOMをVC2(広義には、VC1、VC2のいずれか一方の電圧レベル)に設定して駆動を行う。
【0206】
次に図25のL2に示すように、第Mの走査期間の次に仮想(ダミー)走査期間を設け、この仮想走査期間では、VCOMをVC1(広義には、前記一方とは異なる他方の電圧レベル)に設定して駆動を行う。即ちVCOMを極性反転する。
【0207】
次に図25のL3に示すように、仮想走査期間の次の第1の走査期間においては、VCOMをVC2(広義には、前記一方の電圧レベル)に設定して駆動を行う。
【0208】
また、このようなVCOMの電圧レベルの切り替えに応じて、図25のL4、L5、L6に示すように、演算増幅器もOP1(P型)からOP2(N型),OP2からOP1、OP1からOP2というように順次切り替える。即ち前の走査期間とは異なる演算増幅器を用いて、当該走査期間での駆動を行う。
【0209】
更に、VCOMの電圧レベルの切り替えの際に、演算増幅回路の出力(データ線)をハイインピーダンス状態に設定する。
【0210】
このようにすれば、図24では、K1でVCOMが極性反転しなかったのに対して、図25では、L1、L2、L3に示すようにVCOMが常に極性反転するようになる。従って、図17のB3、B13に示すように、寄生容量CPAを積極利用してデータ線の電圧レベルを駆動前に変化させることが可能になる。この結果、図17のB5、B15に示すように、階調レベルに依存せずに、電圧レベルの変化方向が1つの方向に特定されるようになり、消費電力の少ないA級の演算増幅器OP1、OP2を使用できるようになる。この結果、液晶装置の低消費電力化を図れる。
【0211】
なお図25の仮想走査期間においては、その期間の極性に応じた演算増幅器でデータ線を駆動することになる。例えば図25のL2では、正極性の期間T1であるため、VDD側に電圧レベルを変化させる能力が高いP型の演算増幅器OP1でデータ線を駆動する。逆に、仮想走査期間が負極性の期間T2である場合には、VSS側に電圧レベルを変化させる能力が高いN型の演算増幅器OP2でデータ線を駆動することになる。
【0212】
また、仮想走査期間においては、図1の走査線駆動回路30は、走査線G1〜GMの駆動は行わず、仮想的な走査線を仮想駆動することになる。
【0213】
より具体的には、例えば走査線の本数Mが228本の場合には、図1のコントローラ30が、図3のイネーブル入出力信号EIOを、228走査期間毎ではなく、229走査期間毎にシフトレジスタ32に入力する。このようにすれれば、第Mの走査期間の次の仮想走査期間においては、シフトレジスタ32内にはEIOが存在しなくなり、実体的な走査線の駆動は行われないようになる。
【0214】
なお、図25のように仮想走査期間を設ける手法は、1フレームが複数の駆動フィールドに分割されているような駆動方法にも適用可能である。
【0215】
また図25の手法は、演算増幅回路の出力に付加的なトランジスタ(例えばプリチャージ用トランジスタ)を設けて、駆動前にデータ線の電圧レベルを変化させる駆動方法にも適用可能である。
【0216】
なお、本発明は本実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
【0217】
例えば本実施形態では、TFTを用いたアクティブマトリクス型液晶装置に本発明を適用した場合について説明したが、本発明が適用される液晶装置はこれに限定されない。
【0218】
また、演算増幅回路の構成も本実施形態で説明した構成に限定されるものではない。
【0219】
また、本発明は、液晶装置(LCDパネル)に限らず、エレクトロルミネッセンス(EL)装置、有機EL装置、プラズマディスプレイ装置にも適用可能である。
【0220】
また、本発明は、走査ライン反転駆動に限らず、他の反転駆動方式にも適用可能である。
【0221】
また、本発明のうち従属請求項に係る発明においては、従属先の請求項の構成要件の一部を省略する構成とすることもできる。また、本発明の1の独立請求項に係る発明の要部を、他の独立請求項に従属させることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】液晶装置の構成例を示すブロック図である。
【図2】データ線駆動回路の構成例を示すブロック図である。
【図3】走査線駆動回路の構成例を示すブロック図である。
【図4】液晶装置における種々の反転駆動方式について説明するための図である。
【図5】対向電極、データ線の電圧レベルの変化について示すタイミング波形図である。
【図6】AB級の演算増幅回路の構成例を示す図である。
【図7】図7(A)、(B)は、VCOMの切り替えに応じて演算増幅器を切り替える手法について説明するための図である。
【図8】P型の演算増幅器の構成例を示す図である。
【図9】N型の演算増幅器の構成例を示す図である。
【図10】VCOMの切り替え時に演算増幅回路の出力をハイインピーダンス状態に設定する手法について説明するための図である。
【図11】図11(A)、(B)も、VCOMの切り替え時に演算増幅回路の出力をハイインピーダンス状態に設定する手法について説明するための図である。
【図12】図12(A)、(B)は、蓄積容量方式、付加容量方式について説明するための図である。
【図13】対向電極、データ線、走査線の電圧レベルの変化について示すタイミング波形図である。
【図14】対向電極とデータ線の間の寄生容量について説明するための図である。
【図15】対向電極とデータ線の間の寄生容量について説明するための図である。
【図16】寄生容量によるデータ線の電圧レベルの変化について説明するための図である。
【図17】本実施形態の駆動方法について説明するためのタイミング波形図である。
【図18】演算増幅回路の詳細な構成例について示す図である。
【図19】図19(A)、(B)は、演算増幅回路の電流源をオン・オフ制御する手法について説明するためのタイミング波形図である。
【図20】駆動トランジスタをオン・オフ制御する手法について説明するためのタイミング波形図である。
【図21】図21(A)、(B)、(C)は、演算増幅回路の出力にクランプ回路を設ける手法について説明するための図である。
【図22】図22(A)、(B)、(C)は、クランプ回路を設けることによる低消費電力化手法について説明するための図である。
【図23】走査ライン反転駆動について説明するための図である。
【図24】仮想走査期間を設けない場合の問題点について説明するためのタイミング波形図である。
【図25】仮想走査期間を設ける手法について説明するためのタイミング波形図である。
【符号の説明】
G 走査線(ゲート線)
S データ線(ソース線)
TFT 薄膜トランジスタ(スイッチング素子)
PE 画素電極
CL 液晶容量
CS 補助容量
VCOM 対向電極
OPC 演算増幅回路
OP1 第1の演算増幅器
OP2 第2の演算増幅器
T1 第1の期間
T2 第2の期間
CPA 寄生容量(対向電極、データ線間)
VC1 第1の電圧レベル
VC2 第2の電圧レベル
HIZ ハイインピーダンス状態
VDD 第1の電源
VSS 第2の電源
PT13、NT23 駆動トランジスタ
IS11、IS12、IS21、IS22 電流源
10 液晶装置(表示装置)
12 表示パネル(電気光学装置)
20 データ線駆動回路(ソースドライバ)
22 シフトレジスタ
24 ラインラッチ
26 ラインラッチ
28 DAC(データ電圧生成回路)
29 出力バッファ(演算増幅回路)
30 走査線駆動回路(ゲートドライバ)
32 シフトレジスタ
34 レベルシフタ
36 出力バッファ
40 コントローラ
42 電源回路
50 差動部
52 出力部
60 差動部
62 出力部
70 選択回路
80 クランプ回路

Claims (14)

  1. 複数の走査線と複数のデータ線と走査線及びデータ線により特定される画素電極とを有する電気光学装置の各データ線を駆動するための演算増幅回路であって、
    第1及び第2の電源間の電圧範囲で動作する前記演算増幅回路の出力から第3の電源へと向かう方向を順方向とする第1のダイオードと、第4の電源から前記演算増幅回路の出力へと向かう方向を順方向とする第2のダイオードとを有し、前記演算増幅回路の出力を、前記電圧範囲より広い範囲の電圧範囲にクランプするクランプ回路を含み、
    画素電極と電気光学物質を挟んで対向する対向電極の電圧レベルが第1の電圧レベルになる第1の期間と、対向電極の電圧レベルが第2の電圧レベルになる第2の期間との切り替わりの際の所与の期間において、演算増幅回路の出力がハイインピーダンス状態に設定され、
    前記第1の電源をVDD、前記第2の電源をVSS、前記第3の電源をVDD´、前記第4の電源をVSS´、前記第1及び第2のダイオードの順方向電圧をVBDとした場合に、VDD>VDD´>VDD−VBD、且つVSS<VSS´<VSS+VBDであり、
    前記第3の電源に流れ込んだ電荷を前記第1の電源に戻すように、或いは前記第4の電源に流れ込んだ電荷を前記第2の電源に戻すように、前記第1〜第4の電源が生成されることを特徴とする演算増幅回路。
  2. 請求項1において、
    対向電極の電圧レベルが第1の電圧レベルになる第1の期間において、データ線を駆動する第1の演算増幅器と、
    対向電極の電圧レベルが第2の電圧レベルになる第2の期間において、データ線を駆動する第2の演算増幅器とを含むことを特徴とする演算増幅回路。
  3. 請求項2において、
    前記第1の演算増幅器が、
    差動部と、
    前記差動部の出力に基づきゲート電極が制御される第1導電型の第1の駆動トランジスタを有する出力部とを含み、
    前記第2の演算増幅器が、
    差動部と、
    前記差動部の出力に基づきゲート電極が制御される第2導電型の第2の駆動トランジスタを有する出力部とを含むことを特徴とする演算増幅回路。
  4. 請求項1乃至3のいずれかにおいて、
    対向電極の電圧レベルが第1の電源側の第2の電圧レベルから第2の電源側の第1の電圧レベルに変化する際の所与の期間において、演算増幅回路の出力がハイインピーダンス状態に設定されることで、対向電極とデータ線との間の寄生容量による容量結合により、演算増幅回路の出力に接続されるデータ線の電圧レベルが第2の電源側に変化し、
    対向電極の電圧レベルが第2の電源側の第1の電圧レベルから第1の電源側の第2の電圧レベルに変化する際の所与の期間において、演算増幅回路の出力がハイインピーダンス状態に設定されることで、対向電極とデータ線との間の寄生容量による容量結合により、演算増幅回路の出力に接続されるデータ線の電圧レベルが第1の電源側に変化することを特徴とする演算増幅回路。
  5. 請求項4において、
    第2の電源側に変化したデータ線の電圧レベルを第1の電源側に変化させ、階調レベルに対応した電圧レベルに設定する第1の演算増幅器と、
    第1の電源側に変化したデータ線の電圧レベルを第2の電源側に変化させ、階調レベルに対応した電圧レベルに設定する第2の演算増幅器とを含むことを特徴とする演算増幅回路。
  6. 請求項1において、
    画素電極と電気光学物質を挟んで対向する対向電極の電圧レベルが第1の電圧レベルになる第1の期間において、データ線を駆動する第1の演算増幅器と、
    対向電極の電圧レベルが第2の電圧レベルになる第2の期間において、データ線を駆動する第2の演算増幅器と、
    前記第1の期間では前記第1の演算増幅器の出力を選択してデータ線に接続し、前記第2の期間では前記第2の演算増幅器の出力を選択してデータ線に接続する選択回路とを含み、
    前記第1の演算増幅器の出力部が、
    第1の電源側に設けられた第1導電型の第1の駆動トランジスタと、
    第2の電源側に設けられた第1の電流源とを含み、
    前記第2の演算増幅器の出力部が、
    前記第2の電源側に設けられた第2導電型の第2の駆動トランジスタと、
    前記第1の電源側に設けられた第2の電流源とを含み、
    前記選択回路の出力が前記第1、第2の期間の切り替わりの際の所与の期間においてハイインピーダンス状態に設定された状態で、対向電極の電圧レベルが第1の電源側の第2の電圧レベルから第2の電源側の第1の電圧レベルに変化し、対向電極とデータ線との間の寄生容量による容量結合によりデータ線の電圧レベルが第2の電源側に変化した場合に、
    前記選択回路が前記第1の演算増幅器の出力を前記データ線に接続し、前記第1の駆動トランジスタがオンにされた該第1の演算増幅器が階調レベルに対応した電圧レベルに基づいて該データ線を駆動し、
    前記選択回路の出力が前記所与の期間においてハイインピーダンス状態に設定された状態で、対向電極の電圧レベルが第2の電源側の第1の電圧レベルから第1の電源側の第2の電圧レベルに変化し、対向電極とデータ線との間の寄生容量による容量結合によりデータ線の電圧レベルが第1の電源側に変化した場合に、
    前記選択回路が前記第2の演算増幅器の出力を前記データ線に接続し、前記第2の駆動トランジスタがオンにされた該第2の演算増幅器が階調レベルに対応した電圧レベルに基づいて該データ線を駆動することを特徴とする演算増幅回路。
  7. 請求項6において、
    前記選択回路の出力が前記第1、第2の期間の切り替わりの際の所与の期間においてハイインピーダンス状態に設定された状態で、対向電極の電圧レベルが第1の電源側の第2の電圧レベルから第2の電源側の第1の電圧レベルに変化し、対向電極とデータ線との間の寄生容量による容量結合によりデータ線の電圧レベルが第2の電源側に変化した場合に、
    前記第1の駆動トランジスタがオフにされ前記第1の電流源により前記第1の演算増幅器の出力の電圧レベルを第2の電源側に変化させた後に、前記選択回路が前記第1の演算増幅器の出力を前記データ線に接続し、前記第1の駆動トランジスタがオンにされた該第1の演算増幅器が階調レベルに対応した電圧レベルに基づいて該データ線を駆動し、
    前記選択回路の出力が前記所与の期間においてハイインピーダンス状態に設定された状態で、対向電極の電圧レベルが第2の電源側の第1の電圧レベルから第1の電源側の第2の電圧レベルに変化し、対向電極とデータ線との間の寄生容量による容量結合によりデータ線の電圧レベルが第1の電源側に変化した場合に、
    前記第2の駆動トランジスタがオフにされ前記第2の電流源により前記第2の演算増幅器の出力の電圧レベルを第1の電源側に変化させた後に、前記選択回路が前記第2の演算増幅器の出力を前記データ線に接続し、前記第2の駆動トランジスタがオンにされた該第2の演算増幅器が階調レベルに対応した電圧レベルに基づいて該データ線を駆動することを特徴とする演算増幅回路。
  8. 請求項6又は7において、
    前記第1の演算増幅器が、
    差動部と、
    前記差動部の出力に基づきゲート電極が制御される前記第1の駆動トランジスタを有する出力部とを含み、
    前記第2の演算増幅器が、
    差動部と、
    前記差動部の出力に基づきゲート電極が制御される前記第2の駆動トランジスタを有する出力部とを含むことを特徴とする演算増幅回路。
  9. 請求項6乃至8のいずれかにおいて、
    前記第1の期間では、
    前記第2の演算増幅器の差動部が含む電流源に流れる電流が制限又はオフにされる一方で、前記第2の演算増幅器の出力部が含む電流源に流れる電流は制限又はオフにされず、
    前記第2の期間では、
    前記第1の演算増幅器の差動部が含む電流源に流れる電流が制限又はオフにされる一方で、前記第1の演算増幅器の出力部が含む電流源に流れる電流は制限又はオフにされないことを特徴とする演算増幅回路。
  10. 請求項6乃至9のいずれかにおいて、
    前記第1の演算増幅器がデータ線を駆動する前の所与の期間において、該第1の演算増幅器の出力部が含む前記第1の駆動トランジスタのゲート電極の電圧レベルが、該第1の駆動トランジスタをオフにする電圧レベルに設定され、
    前記第2の演算増幅器がデータ線を駆動する前の所与の期間において、該第2の演算増幅器の出力部が含む前記第2の駆動トランジスタのゲート電極の電圧レベルが、該第2の駆動トランジスタをオフにする電圧レベルに設定されることを特徴とする演算増幅回路。
  11. 複数の走査線と複数のデータ線と走査線及びデータ線により特定される画素電極とを有する電気光学装置を駆動するための駆動回路であって、
    各データ線毎に設けられた請求項1乃至10のいずれかの演算増幅回路と、
    各データ線毎に設けられ、前記演算増幅回路によりインピーダンス変換されるデータ電圧を生成するデータ電圧生成回路とを含むことを特徴とする駆動回路。
  12. 複数の走査線と複数のデータ線と走査線及びデータ線により特定される画素電極とを有する電気光学装置を駆動するための駆動方法であって、
    画素電極と電気光学物質を挟んで対向する対向電極の電圧レベルが第1の電圧レベルになる第1の期間と、対向電極の電圧レベルが第2の電圧レベルになる第2の期間との切り替わりの際の所与の期間において、データ線をハイインピーダンス状態に設定し、
    第1及び第2の電源間の電圧範囲で動作する前記演算増幅回路の出力から第3の電源へと向かう方向を順方向とする第1のダイオードと第4の電源から前記演算増幅回路の出力へと向かう方向を順方向とする第2のダイオードとを有するクランプ回路により、前記演算増幅回路の出力を、前記電圧範囲より広い範囲の電圧範囲にクランプし、
    前記第1の電源をVDD、前記第2の電源をVSS、前記第3の電源をVDD´、前記第4の電源をVSS´、前記第1及び第2のダイオードの順方向電圧をVBDとした場合に、VDD>VDD´>VDD−VBD、且つVSS<VSS´<VSS+VBDであり、
    前記第3の電源に流れ込んだ電荷を前記第1の電源に戻すように、或いは前記第4の電源に流れ込んだ電荷を前記第2の電源に戻すように、前記第1〜第4の電源が生成されることを特徴とする駆動方法。
  13. 請求項12において、
    対向電極の電圧レベルが第1の電源側の第2の電圧レベルから第2の電源側の第1の電圧レベルに変化する際の所与の期間において、データ線をハイインピーダンス状態に設定することで、対向電極とデータ線との間の寄生容量による容量結合により、データ線の電圧レベルを第2の電源側に変化させ、
    対向電極の電圧レベルが第2の電源側の第1の電圧レベルから第1の電源側の第2の電圧レベルに変化する際の所与の期間において、データ線をハイインピーダンス状態に設定することで、対向電極とデータ線との間の寄生容量による容量結合により、データ線の電圧レベルを第1の電源側に変化させることを特徴とする駆動方法。
  14. 請求項13において、
    第2の電源側に変化したデータ線の電圧レベルを第1の電源側に変化させ、階調レベルに対応した電圧レベルに設定し、
    第1の電源側に変化したデータ線の電圧レベルを第2の電源側に変化させ、階調レベルに対応した電圧レベルに設定することを特徴とする駆動方法。
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