JP3818102B2 - 放熱基板とその製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置に有用な放熱基板、特に主成分がアルミニウムである第一の成分と、主成分が炭化珪素及び/又は珪素である第二の成分とを含む複合材料で構成された放熱基板、その製造方法、及びそれを用いた半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年における半導体素子の集積度の増大は目を見張るものがあり、それに伴って半導体素子から発生する熱量も急激に増加しつつある。そのため、半導体素子が搭載されている放熱基板には、優れた放熱性と、半導体素子並びに半導体装置用部材との熱膨張係数の整合性が強く求められている。
【0003】
また、半導体装置自体についても、より一層の軽量化と薄型化・小型化が進み、これに伴って放熱基板に対しても薄型化・小型化が要求されている。同時に、放熱基板の形状も多様化・複雑化する傾向にあり、高い寸法精度に加え、低コスト化が望まれている。
【0004】
従来、かかる放熱基板の材料としては、タングステン(以下、Wとも記述する)、モリブデン(以下、Moとも記述する)などの低い熱膨張係数と高い熱伝導率を兼ね備えた金属と、高い熱伝導率を有する銅(以下、Cuとも記述する)とを組み合わせた複合材料が用いられてきた。しかしながら、このW−Cu又はMo−Cuの複合材料は、高価であると共に重量が嵩むため、特にプラスチック製のマザーボード上への搭載は同ボードやボールグリッドの変形・損傷を引起こし易い。
【0005】
そこで、高熱伝導性で軽い窒化アルミニウム(以下、AlNとも記述する)、炭化珪素(以下、SiCとも記述する)などのセラミックス材料が、放熱基板材料として開発されてきた。しかし、セラミックスは難加工性であるため、加工コストが高いという問題がある。また、熱伝導率が高く且つ軽量のアルミニウム(以下、Alとも記述する)又はその合金を使うことも考えられるが、柔らか過ぎるため損傷を受け易いという欠点がある。
【0006】
そこで、Alをベースにした合金や複合材料が検討された結果、例えば珪素(以下、Siとも記述する)とAlの複合材料や、熱伝導率の高いセラミックスとAlとの複合材料が、放熱基板として使われるようになってきた。例えば、AlとSiとの複合材料(以下、Al−Siとも記述する)は、特公昭63−16458号公報などに開示されている。また、AlとSiCとの複合材料(以下、Al−SiCとも記述する)については、特開平1−501489号、特開平2−243729号、特開平9−157773号、特開平10−280082号及び特開平10−335538号の各公報にそれぞれ開示されており、これらの中間組成のAl、Si及びSiCを含む複合材料も知られている。
【0007】
しかしながら、これらいずれの複合材料も硬質のSiCやSiの粒子を含むため、通常行われる切削又は研削による仕上げ加工に手間がかかると共に、工具に高い負荷がかかり、その消耗が早い。そのことは同時に、複合材料の表面にも加工後かなりの応力が残り、反り等の変形を起こす原因となっている。特に最近では上述のように薄型化が進でいるため、反り等の変形の影響は益々大きくなっている。また、加工面には軟質のAlとSiC等の硬質の粒子が混在しているため、硬い粒子が工具によって毟り取られて欠落し易く、加工中にその部分を延びたAlが目潰しした形態になり易い。更に、工具の磨耗が進むと加工面には肌荒れが生じ易く、高い寸法精度を得ることも難い。
【0008】
そのため、切削又は研削などの加工を行なわずに所定形状のAl−SiC複合材料を得る方法が、例えば上記した特開平10−280082号公報に提案されている。この方法は、予め焼成前に最終形状と相似形の成形体を作製した後、その各面にSiの酸化物などからなる特定の層を形成して、焼成後のAlの溶出を抑えるものである。しかし、この方法では、予め成形体の各面に特定の層を形成する必要があるため、作業が非常に面倒である。
【0009】
尚、CuやAlなどの金属の薄いベース基板では、半導体素子搭載用の浅い凹部を形成する場合に、化学腐食(以下、化学エッチングとも記述する)が広く利用されている。例えば、WO99/0959には、マルチチップモジュール作製のための応用例が載っている。しかしながら、この例のように、化学腐食による加工方法は軟質の金属材料に適用された例が殆どである。
【0010】
因に、全く異なった分野への適用であるが、Al−SiやAl−SiCなどにエッチング加工を施した例が、特開平10−42579号公報に記載されている。これは摺動材料に関するもので、表面を切削又は研磨にて仕上げ加工した後、Al部分を浅くエッチングして硬質粒子の頭を2μm以下突き出させることによって、耐磨耗性の改善を図ろうとするものである。しかし、この場合もエッチング前の切削や研磨による材料の変形が予想されるが、摺動材料自体が半導体装置とは全く異なる用途であるため、その点全く考慮がなされてない。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
半導体素子のパッケージにも、高性能化・高機能化に伴って各種の形態があるが、入出力端子数の増大に対応するパッケージ構造として、図7及び図8に示すフリップチップ(Flip Chip)実装型のものがある。図において、1a、1bは放熱基板、2は放熱基板に搭載された半導体素子、3はマルチチップ状の配線層、4は半田などのボールグリッド(接続端子)である。また、図7は放熱基板1aが蓋(Lid)型であり、その外周枠部が配線層3と直接接合される。一方、図8は放熱基板1bが平板形状であり、放熱基板1bと配線層3の間はスティフナー5で気密封止される。
【0012】
かかるフリップチップ型のパッケージにおいても、高性能化に伴って配線層3が多くなる(厚くなる)一方、パッケージ全体の厚みはJEDEC規格で定められているため、放熱基板1a、1bを薄くする必要が生じている。しかしながら、上述した高熱伝導率で放熱性に優れたAl−SiC又はAl−Siからなる放熱基板は、切削又は研削による仕上げ加工により薄くするほど反り等の変形がおこり易く、特に図7に示すLid型の放熱基板1aでは、高い寸法精度を維持しながら現在以上の薄型化を図ることは困難な状況にある。
【0013】
また、放熱基板に要求される特性として、パッケージとなったとき、その製品名や製造番号などを印字するため、これの印字が鮮明に見えるような表面状態が必要である。しかしながら、Al−SiC又はAl−Siからなる複合材料は、構成する成分の組成割合によっても幾分異なるが、通常は金属光沢のある黒に近い暗い灰色を呈するため、印字が識別し難いという欠点があった。
【0014】
本発明は、このような従来の事情に鑑み、Al−SiCやAl−Si等のAlをベースにした複合材料からなる放熱基板において、反り等の変形をおこすことなく従来よりも一層の薄型化を可能にすると共に、製品名や製造番号などの印字を鮮明に認識できる表面状態を備えた放熱基板を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明が提供する放熱基板は、主成分がアルミニウムである第一の成分と、主成分が炭化珪素若しくは珪素又はその両方である第二の成分とを含む複合材料で構成された放熱基板であって、その片方の主面に凹部を有し、該凹部を除いた両方の主面の表面に形成された微細な凹凸の深さ方向の最大振幅が、同じ表面に露呈した第一の成分と第二の成分とからなる複合粒子か、又は第二の成分からなる粒子の深さ方向の最大長さよりも小さいことを特徴とする。
【0016】
上記本発明の放熱基板においては、前記凹部を除いた両方の主面の表面粗さが、JISに規定されたRaで0.2〜2μmの範囲にあることを特徴とする。また、前記凹部を除いた両方の主面の表面は、金属光沢を有しない灰色ないし淡灰色を呈する。
【0017】
また、本発明が提供する放熱基板の製造方法は、主成分がアルミニウムである第一の成分と、主成分が炭化珪素若しくは珪素又はその両方である第二の成分とを含む複合材料の素材を準備する工程と、該複合材料素材の片方の主面に化学エッチングにより凹部を形成する第1のエッチング工程と、該凹部を除いた両方の主面に化学エッチングにより、深さ方向の最大振幅が同じ表面に露呈した第一の成分と第二の成分とからなる複合粒子か、又は第二の成分からなる粒子の深さ方向の最大長さよりも小さい微細な凹凸を形成する第2のエッチング工程とを含むことを特徴とするものである。
【0018】
上記本発明の放熱基板の製造方法においては、腐食剤として、前記第1のエッチング工程では腐食物質濃度が30〜50質量%のアルカリ又は酸の水溶液を用い、前記第2のエッチング工程においては腐食物質濃度が3〜30質量%のアルカリ又は酸の水溶液を用いて化学エッチングすることを特徴とする。前記アルカリ又は酸の水溶液に、別の腐食剤である銅の無機塩又は塩化物を腐食物質の合計濃度3〜50質量%の範囲で添加することができる。また、前記アルカリ又は酸の水溶液に、弗化水素を添加することもできる。
【0019】
【発明の実施の形態】
本発明の放熱基板を構成する複合材料は、主成分がAlである第一の成分、即ち純Al又はAl合金と、主成分がSiC及び/又はSiからなる第二の成分(即ち、SiCを主成分とするもの、Siを主成分とするもの、及びその両者を主成分とするもの)とを含んでいる。第一の成分に含まれるAlの合金元素としては、Mg、SiなどJISに規定された通常のものであればよい。
【0020】
尚、純Al、SiC、及びSiの熱伝導率と熱膨張係数を下記表1に示す。第一の成分及び第二の成分のいずれも、熱伝導性を低下させないためには、第一の成分は純Alが、第二の成分は純度の高いSiC又はSiが望ましい。特にSiCについては、熱伝導性に優れた結晶型のものが望ましい。
【0021】
【表1】
【0022】
本発明における放熱基板10は、図1に示すように、片方の主面10aに一つ又は複数の種々の形状の凹部11が設けてある。ここで、主面とは、半導体素子が搭載される面及びその反対側の面を言う。尚、個々の凹部の形状は単純な平底状の底面を有する通常の蓋(Lid)型のほか、起伏のある底面であってもよく、パッケージのデザインに応じて基板の所望の部分に所望の形態の凹部を形成することができる。片方の主面10aの凹部11を除く部分は、配線層その他の部材と接合される接合枠部12であり、反対側(裏側)の主面10bには製品名や製造番号などが印字される。
【0023】
本発明の放熱基板10では、後述するように化学エッチングにより凹部11を形成すると共に、凹部11を除いた両方の主面10a、10bの表面は、別の化学エッチングにより特定形状の微細な凹凸が形成されている。その微細な凹凸を有する表面を図3に模式的な断面図で示す。図3において、15は放熱基板の主面、16は主面15の表面に露呈した硬質の粒子、即ち第一の成分と第二の成分とからなる複合粒子又は第二の成分からなる粒子、17は第一の成分からなる部分である。尚、微視的には、この第一の成分からなる部分17の表面及び粒子16の上端にも微細な凹凸17a及び16aがあり、第一の成分からなる部分17と粒子16との界面にも微細な凹部が存在する。
【0024】
そして、放熱基板の主面15に直角な方向の任意の断面を採って観察した場合、図1に示す凹部11を除いた両方の主面10a、10bの表面の微視的な凹凸を描いた断面曲線は図4のようになる。この図4の断面曲線において、本発明の放熱基板では、その視野内における深さ方向の凹凸の最大振幅Amaxは、図3に示す同じ深さ方向の粒子16の最大長さDmaxよりも小さくなっている。
【0025】
このような表面状態を有することによって、本発明の放熱基板10の凹部11を除いた両方の主面10a、10bの表面は、金属光沢が無く灰色ないし淡い灰色を呈する。また同時に、放熱基板10に隣接配置される他の部材との接合面である接合枠部12も、凹部11を除いた片方の主面10aの一部であるから上記の表面状態を有し、そのため接合強度の向上が得られ、接続の信頼性においても優れている。
【0026】
尚、凹部11を除いた両方の主面10a、10bの表面粗さは、JISに規定された表面粗さRaで0.2〜2μmの範囲内に収めるのが望ましい。Raが0.2μm未満では金属光沢が残り、印字の鮮明さに欠けると共に、他の部材との接続強度が下がる傾向にある。また、Raが2μmを超えると、表面の凹凸が大きくなり過ぎて生地が黒色を増す傾向にあり、やはり印字の鮮明さが得られないからである。より好ましいRaの範囲は0.5〜1.2μmである。
【0027】
また、本発明の放熱基板を構成する複合材料の組成範囲は、第一の成分が55〜96質量%、残部が第二の成分及び不可避的不純物であることが望ましい。第一の成分が55質量%より少ないと、エッチング速度が低下して凹部形成の効率が低下する傾向にあり、96質量%を越えると実用上第一の成分であるAl又はAl合金との性能の違いが無くなり、工業上の利用価値が低くなるからである。尚、同じ理由で、第二の成分がSiCのみの場合には、第一の成分は60〜95質量%の範囲が好ましく、第二の成分がSiのみの場合には、第一の成分は55〜88質量%の範囲が好ましい。
【0028】
更に、第一の成分と第二成分とからなる複合粒子又は第二の成分からなる粒子の平均粒径は、5〜40μmの範囲内が好ましく、10〜20μmの範囲が更に好ましい。その平均粒径が5μm未満では、第二の成分を多く含む粒子の表面積が大きくなるため、エッチング速度が低下して凹部形成の効率が低下し易い。逆に平均粒径が40μmを越えると、上記した凹部を除く両方の主面の表面に形成される凹凸の振幅が大きくなり、その結果所望の表面色を得ることが難くなるからである。
【0029】
本発明の放熱基板は、以上の構成を有すると同時に、比較的高い寸法精度を維持すると同時に、従来に比べて更なる薄型化が可能である。例えば、主面(片方)の面積A(mm2)に対する両方の主面間の最大厚みt(mm)の比t/Aが0.002(mm−1)以下のものでも、反りの発生を抑えることができるため、主面方向の反り量を0.08mm以下にでき、更に特定仕上げ条件を選べば反り量を0.05mm以下に抑えることも可能である。
【0030】
なお、本発明の放熱基板は、高い放熱性と寸法精度に加え、剛性にも優れているため、図8に示した平板状のものは言うまでもなく、図7に示した接合枠部が一体化された蓋(Lid)型のもの、更には薄型でより複雑な形状のものにも適用することができる。
【0031】
次に、本発明の放熱基板の製造方法について説明する。本発明の放熱基板の製造方法では、まず、放熱基板の素材となる複合材料を公知の方法により作製して準備する。即ち、Al−SiC又はAl−Si等からなる複合材料の素材は、溶浸法、焼結法及び鋳造法を基本とし、それぞれの方法か又はこれらの方法を組み合わせた方法によって作製することができる。得られた複合材料は、その表面の汚れや酸化皮膜などをバレル研磨やショットブラストなどの手段で除去して、放熱基板用の素材とする。
【0032】
上記複合材料の製造方法のうち、溶浸法の場合には、第二の成分の粉末を、必要により有機質バインダーを添加し、更にこれを顆粒状に造粒した後、所望の形状に成形して成形体とする。その後、第一の成分の含浸量に見合う体積の空孔量を確保するために、必要に応じて、非酸化性雰囲気中にて焼成を行なうなどして成形体の空孔量を調整することができる。その後、この多孔体を第一の成分と接触させた状態で、非酸化性雰囲気中にて第一の成分を加熱溶融し、多孔体の空孔内に含浸充填させて複合材料を得る。
【0033】
焼結法の場合には、第一の成分と第二の成分の粉末を最終組成割合に混合し、必要に応じて有機質バインダーを添加し、更にこれを顆粒状に造粒してもよい。この原料粉末を所望の形状に成形し、成形体を非酸化性雰囲気中にて、第一の成分の融点以上の温度で加熱することにより、液相焼結されて複合材料が得られる。
【0034】
尚、上記の溶浸法及び燒結法とも、第一の成分が外周面に溶出するのを未然に防ぐため、多孔体又は成形体の表面に溶出防止のための層を形成しておけば、複合化後に簡単な仕上げ工程のみでネットシェイブな放熱基板を得ることができる。
【0035】
また、鋳造法の場合には、第一の成分を非酸化性雰囲気中で容器内にて溶融させ、これに予め用意された第二の成分の粉末を所望量だけ投入し、均一に混合分散した後、所定の形状に鋳込み成形し、冷却して複合材料を得る。尚、上記した溶浸法では、第二の成分の多孔体の空孔量が大きくなると、その形状維持が難しくなるため、第一の成分の量が50質量%以下の組成のものが通常である。従って、本発明における複合材料の作製方法としては、組成に制約のない焼結法及び鋳造法を基本とすることが有利である。
【0036】
また、複合材料がAl−Siの場合には、所望の組成物の溶湯から噴霧急冷凝固した粉末を製造した後、これを熱間押出しする方法もある。この他にも基板素材の組成や形状によっては、焼結をホットプレス、熱間鋳造、熱間静水圧成形によって行なう方法、及び上記の手順を経た後更に熱間で塑性加工する方法、等々種々の手法が考えられる。
【0037】
第一の成分の原料は、焼結法の場合は粉末状であるが、溶浸法及び鋳造法ではそれ以外の形態、例えば塊状でもよい。尚、最終的な熱伝導性を考慮すれば、第一の成分として純Al又は合金元素の少ないAl合金を用いることが望ましい。第二の成分の原料は粉末状とし、SiC、Siとも優れた熱伝導性を得るため可能な限り高純度なものを用いる。特にSiCは6H型のような基本的に高い熱伝導性の結晶型のものを用いた方がよい。
【0038】
これら第二の成分の原料粉末の平均粒径は、5〜40μmの範囲、望ましくは10〜20μmの範囲に制御することが望ましい。既に述べたように、この平均粒径が5μm未満になると、複合材料素材のエッチング工程での腐食速度が低下し、凹部形成の効率が低下し易くなるからである。また、平均粒径が40μmを越えると、最終的に基板の凹部を除く両方の主面の表面に形成される凹凸の振幅が大きくなり、所望の生地色を得ることが難しくなるからである。
【0039】
次いで、得られた複合材料素材に2度の化学エッチングを施し、凹部の形成と、凹部を除く両方の主面の表面状態を制御する。即ち、第1のエッチング工程では、片方の主面の一部に所望のパターンの凹部を形成するための化学エッチングを行なう。また、第2のエッチング工程においては、凹部を除く両方の主面に、その表面状態を制御して生地の外観色を改善するための化学エッチングを行なう。これら第1及び第2のエッチング工程は、どちらを先に行なってもよい。また、化学エッチングの際のマスキングは、通常行われるフォトリソグラフィ法などにより、所望のパターンに応じて施すことができる。
【0040】
Al−SiCやAl−Siなどからなる複合材料の化学エッチングにおいては、最初にAl成分が選択的に腐食除去され、更にAl成分の除去が進むと、Alによる結合を解かれたSiC等の粒子が除去され、このような過程を繰返し経ることによりエッチングが進行する。Alは両性金属であり、酸及びアルカリのいずれでも腐食作用を受ける。従って、化学エッチングに用いる腐食剤としては、基本的に、硫酸、硝酸、塩酸などの酸、若しくは水酸化ナトリウムなどのアルカリを使用する。腐食剤は、工程管理や取り扱いの点で水溶液が好ましいが、塩化水素ガスのようなガス状であってもよい。
【0041】
腐食剤が酸やアルカリの水溶液の場合、エッチング処理が行ないやすい時間(例えば10〜1000秒)に制御するため、一般的には腐食物質の濃度を3〜50質量%の範囲内に調整することが好ましい。また、通常は常温で処理するが、腐食剤中の腐食物質の濃度が低い場合や腐食性が低い場合には昇温下で行なうことができ、特に気体状態の腐食剤を用いるときは素材表面を昇温してエッチングすることもできる。
【0042】
具体的には、本発明方法の第1のエッチング工程では、Alの腐食と共に粒子の除去により凹部を形成するため、腐食速度を速めて効率よく腐食する必要がある。そのため、酸やアルカリの腐食剤水溶液中における腐食物質濃度を30〜50質量%とする。一方、第2のエッチング工程は、主にAlの腐食により表面状態を整えるものであり、粒子の除去は必ずしも必要としないので、腐食剤水溶液中の腐食物質濃度を3〜30質量%、好ましくは3〜10質量%の範囲として、Alが徐々に除去されるようにする。
【0043】
腐食速度を調整するために、酸やアルカリとは別の腐食物質として、Alよりも貴な金属の塩や塩化物、例えば硫酸銅(以下、CuSO4とも記述する)を、質量比で腐食物質全体の50%以上加えることができる。かかる金属塩などを腐食剤水溶液に加える場合、腐食物質の合計濃度は3〜50質量%の範囲内が好ましいが、金属塩などを加えない場合に比べて多めにすることが望ましい。更に、上記の金属塩の代りに、腐食剤水溶液と逆性を呈する物質(腐食剤水溶液が酸性であればアルカリ性物質、アルカリ性であれば酸性物質)を加えることができ、その添加によって直ちに金属塩を生成する物質であってもよい。
【0044】
尚、特に第2のエッチング工程では、所望の表面状態を得るために、適切な腐食物質濃度や腐食時間などの条件を予め実験的に定めておくことが望ましい。例えば、鋳造法により作製したAl−20%SiCの複合材料の場合、腐食剤水溶液としてNaOH5質量%溶液を用いて液温40℃で30〜120秒の条件、あるいはNaOH20質量%溶液を用いて液温20℃で40〜180秒の条件でエッチングすることにより、それぞれ所望の表面状態とすることができる。図5は、Al−20%SiCの複合材料を、NaOH5質量%溶液を用いて液温40℃で60秒エッチングした場合の表面の凹凸曲線である。
【0045】
原料となるAl、SiC、Siの各粉末表面には必ず酸素が存在するため、これらを高温処理して得られた複合材料にはAlやSiの酸化物及びAlの珪酸塩の極薄い皮膜が形成されている。これらの酸化物皮膜は、放熱基板としたとき他の部材との接合強度を弱め、あるいは表面での熱抵抗を高める結果となるため、除去することが好ましい。そのためには、上記した液体状又は気体状の腐食剤中に弗化水素(以下、HFとも記述する)を微量添加することが好ましい。しかし、特に第2のエッチング工程では、HFの添加量が質量比で1%以上になると、所望の表面状態を安定して得ることが難しくなるため注意を要する。
【0046】
また、上記の第1及び第2のエッチング工程は、1個の放熱基板に対応する個々の複合材料ごとに行なうこともできるが、シート状の複合材料素材にエッチングを施して、同時に多数固の放熱基板を製造することもできる。例えば、図2に示すように、複合材料の素材を準備する工程で放熱基板10が多数個取り可能なシート状の複合材料素材を作製し、第1のエッチング工程で凹部11を形成する際に個々の放熱基板10となる部分の外周に薄肉の枠状部分13を残し、凹部11を除く主面に第2のエッチング工程を施した後、この枠状部分13を切断することによって、同時に多数の放熱基板10を製造することができる。
【0047】
上記した第1のエッチング工程では、Alが選択的に腐食されると共にSiC、Si、又はSiC−Siの粒子が除去されてエッチングが進行し、半導体素子搭載のための凹部をはじめ、あらゆる形状の凹部を効率的に高い精度で形成することができる。この第1のエッチング工程で形成される凹部は、黒灰色を呈している。この凹部が黒灰色を呈するのは、多くの粒子が脱落しているため、表面に形成された凹凸の深さ方向における振幅が粒子の深さ方向の最大長よりも大きくなり、表面の凹凸の起伏が大きくなっているためと考えられる。
【0048】
また、この第1のエッチング工程では、Alを主成分とする第一の成分の質量比とSiC等の粒子のサイズが、エッチング後の基板全体の形状に影響を与える。即ち、第一の成分が55質量%以上であって、SiCなどの粒子の平均粒径が5〜40μm、好ましくは10〜20μmであれば、薄い放熱基板であっても主面方向の反り量を0.08mm以下に抑えることができる。第一の成分の質量比や粒子のサイズが上記範囲以外では、エッチング速度が低下して凹部形成に時間がかかり過ぎ、基板の厚みに部分的な差異が生じるため、基板の微小な変形が助長されるものと考えられる。
【0049】
放熱基板の素材である複合材料は、焼結法、鋳造法、溶浸法などの作製方法に拘わらず、Alによる金属光沢を有すると共に黒い灰色を呈している。ところが、本発明方法の第2のエッチング工程によって、凹部を除いた両方の主面が金属光沢を有しない灰色ないし淡灰色を呈する表面状態となる。これは、その表面に形成された微細な凹凸の深さ方向の最大振幅が、同じ表面に露呈した硬質粒子の深さ方向の最大長さよりも小さくなるように制御されているためである。そのため、この表面部分に製品名や製造番号等を、レーザー照射や黒色系インクでの印字によって、直接且つ鮮明に表示することができる。
【0050】
また、凹部を設けた主面の凹部の周囲に残る接合枠部も、本発明方法の第2のエッチング工程によって上記の特長を備えた微細な凹凸が形成されている。しかも、前記のごとく主面方向の反り量も小さく維持できるため、この接合枠部に他の部品や部材を接合する場合に高い接合強度が得られ、且つ接合強度のバラツキも小さくなり、実用上高い信頼性のパッケージを作製することができる。
【0051】
第2のエッチング工程で得られる凹部を除いた両方の主面の表面状態は、JISに規定された表面粗さRaで0.2〜2μmであることが好ましい。Raが0.2μm未満では金属光沢が残り、印字の鮮明さに欠けると共に、他の部材との接続強度が低下しやすくなる。また、Raが2μmを越えると、表面の凹凸が大きくなり過ぎるため、やはり印字の鮮明さが得られない。
【0052】
尚、このような表面状態は、第2のエッチング工程だけでなく、これとサンドブラストやバレル研磨等の表面仕上げ加工とを組合わせることにより、又は微細な凹凸を設けたロールを押し付ける加圧又は圧延を組合わせることによっても得ることができる。これらの場合、通常は第2のエッチング工程を後で行なうことが望ましい。しかし、これらの工程を組合わせた方法では、最大厚みが2.0mm以下の薄い放熱基板の場合、基板全体に反りが発生しやすく、その結果基板の主面方向における反り量が0.08mmを超えることがあるので注意を要する。
【0053】
これに対して、本発明の第1及び第2のエッチング工程により製造した放熱基板では、最大厚みが2.0mm以下の薄い放熱基板でも、基板全体の反りの発生を0.08mm以下に抑制することができる。特に、実際の製品に要求される0.05mm以下の反り量を、主面(片方)の面積A(mm2)に対する両方の主面間の最大厚みt(mm)の比t/Aが0.002(mm−1)以下の薄い放熱基板において、実現することが可能である。
【0054】
更に、本発明は、上記のごとく第1及び第2のエッチング工程を含む方法により製造され、その主面の片方に凹部を有すると共に、その凹部を除いた主面の表面に特定の表面状態を有する微細な凹凸を設けた放熱基板を用いた半導体装置(パッケージを含む)を提供するものである。
【0055】
【実施例】
実施例1
第一の成分となる粉末として、いずれも純度が99.4質量%で平均粒径40μmの純Al粉末(Al粉末▲1▼)、5質量%のSiを含む溶湯噴霧(アトマイズ)Al合金粉末(Al粉末▲2▼)、5質量%のMgを含む溶湯噴霧Al合金粉末(Al粉末▲3▼)を準備した。また、第二の成分となる粉末として、純度が99.8質量%で下記表2に記載した平均粒径を有するSiC又はSi粉末を準備した。
【0056】
これらの原料粉末を、下記表2の「原料粉末組成」欄に示す質量割合で混合し、長さ及び幅が50mm、厚みが10mmの平板状に成形した。この成形体を窒素雰囲気のベルト炉にて665℃まで昇温し、30分保持して焼結して複合材料を得た後、熱間圧延機を用いて厚み1.0mmまでシート状に圧延した。
【0057】
【表2】
【0058】
得られた各試料の複合材料素材は、いずれも表面が金属光沢を有する黒灰色であり、第一の成分の増加に伴って金属光沢が増す傾向が認められた。これらの各試料の複合材料素材について、素材表面粗さRaを測定すると共に、素材から試片を切り出して、レーザーフラッシュ法による熱伝導率と、差動トランス法による熱膨張係数を測定し、それらの結果を下記表3の「素材の特性」欄に示した。
【0059】
次に、各複合材料素材を濃度10質量%のNaOH水溶液に、液温30℃で60秒間浸漬して化学エッチング(本発明の第2のエッチング工程)を行なった。得られたエッチング後の表面粗さRaを測定し、得られた結果を表面の色と共に、下記表3の「エッチング後」欄に示した。尚、この時点での表面状態が、請求項1に規定する凹部を除いた両方の主面の表面状態に対応する。
【0060】
更に、各複合材料素材に図2に点線で示すパターンに沿って化学エッチング(本発明の第1のエッチング工程に相当する)を行ない、各放熱基板10を切り取ると共に、その中央部に凹部11を形成した。即ち、まず凹部11以外の部分をフォトリソグラフィ法によりマスキングした後、濃度30質量%のNaOH水溶液を用い、液温30℃で30〜60秒間浸漬してエッチングして、長さ及び幅が15mmで深さ0.5mmの凹部11を形成した。次に、枠状部分13以外の部分を同様にマスキングし、同じNaOH水溶液を用い液温30℃で更に30〜60秒間エッチングした。
【0061】
このようにして得られた各試料12枚の蓋(Lid)型の放熱基板は、いずれも凹部は黒色に近い灰色であるが、それ以外の表面は表3に示すごとく当初の金属光沢が失われると同時に、白さが増して灰色ないし淡い灰色を呈しており、この表面にレーザー照射又は黒色インクで施した印字を鮮明に確認できることが分かった。尚、得られた各放熱基板の外寸は縦横30mm、最大厚み1mm、凹部の厚み0.5mmであった。
【0062】
また、各試料の放熱基板について、反り量を測定し、その結果を表3の「エッチング後」欄に示した。反り量の測定は、図6に示すように、試料となる放熱基板20の凹部が形成されている主面を下にして定盤21上に載せ、上側の主面の2つの対角線方向に光源22からのレーザービーム22aを照射して、その主面の表面からの距離を測る方法によって行なった。対角線方向に測定した光源2から主面までの最少距離をL(mm)及び最大距離をL0(mm)とし、対角線方向の走査距離をD(mm)としたとき、(L0−L)/Dを求め、2方向での大きい方の値を反り量とした。尚、別途本実施例の厚み1mmの圧延されたシートから縦横30mmの試片を機械切断と研磨仕上げで外寸(縦横30mmで厚み1mm)を確保した後、前記と同じ条件で凹部と主面のエッチングを行なった試料も、表3と同じ分だけ作製した。これらの試料の反り量を上記と同様に測定したところ、全て1.0mmを超えていた。
【0063】
【表3】
【0064】
更に、各試料の放熱基板について、−60℃で30分保持後、+150℃で30分保持を1サイクルとし、これを500サイクル繰り返す冷熱サイクルを施した後、上記と同様にして反り量を測定した。本発明による試料の放熱基板は、この冷熱サイクル前後において反り量に殆ど変化はなかった。
【0065】
実施例2
上記実施例1と同じ原料粉末を用い、前記表2と同じ成分・組成で鋳造法により複合材料を製造した。即ち、第一の成分の粉末を窒素雰囲気中にて680℃で溶解し、この溶湯中に第二の成分のSiC又はSi粉末を投入し、均一に分散混合した後、予め用意した寸法200×100×20mmの鋳型に流し込み、冷却して複合材料を製作した。得られた複合材料を、実施例1と同様に厚み2.0mmになるまで圧延してシート状とした。
【0066】
得られた各試料の複合材料素材は、いずれも表面が金属光沢を有する黒灰色であり、第一の成分の増加に伴って金属光沢が増す傾向が認められた。また、各複合材料素材の密度は全ての試料でほぼ100%であったが、熱伝導率は前記表2、表3に示した対応する組成の焼結法による試料に比べ全体的に若干低下(8%程度まで)し、熱膨張係数は表2、表3に示した対応する組成の焼結法による試料に比べ全体的に若干大きめ(5%程度まで)となった。
【0067】
その後、濃度10質量%のNaOH水溶液を用い実施例1と同じ条件で化学エッチング(本発明の第2のエッチング工程)を行なったところ、表面の金属光沢が失われ、白さが増して灰色ないし淡い灰色を呈し、印字が鮮明に確認できることが分った。
【0068】
上記シート状の複合材料素材の大きさは、いずれの試料もほぼ200×1000×2mmであり、この素材から縦横30mm、厚み2mmの基板180個が得られるようにマスキングした。その後、実施例1と同様に化学エッチングして、長さ及び幅が15mmで深さ1mmの凹部の形成と、シート状の複合材料素材からの蓋型放熱基板の分離を行なった。得られた各試料180個の放熱基板は、その一部について実施例1と同様に冷熱サイクル前後の反り量を測定したところ、前記表2、表3に示す焼結法によるものと大差なく、冷熱サイクル前後での変化も殆どなかった。
【0069】
実施例3
前記実施例1の表2における試料10と同じ原料・組成で、実施例1と同様の焼結法と圧延法により複合材料素材(縦横30mm×厚み1.0mm)を作製し、その表面状態と化学エッチング条件との関係を確認した。化学エッチング条件については表4に示すように変化させ、エッチング後の表面の呈色を観察すると共に、その表面粗さRaを測定し、得られた結果を下記表5に示した。尚、エッチング前の試料10の複合材料素材は、表面が金属光沢を有する黒灰色であった。
【0070】
【表4】
【0071】
次に、上記各条件でのエッチング後の複合材料素材(縦横30mm×厚み1.0mm)について、実施例1と同様に化学エッチングにより凹部を形成した後、得られた放熱基板と他の半導体装置用部材との接合性の良否を評価した。
【0072】
まず、基板の凹部を形成した主面と反対側の主面にAu−Sn系半田のメタライズ層を形成した試片Aを用意し、その主面上に5mm径の半球状のAu−Sn系半田層を介して直径1mmの銅線を垂直方向に固定した。この試片Aの5個について、基板を固定した状態で銅線を基板に対して直角方向上方に5mm/秒で引張り、15分間保持したとき銅線が基板主面から剥離するか否かを確認した。その結果、いずれの試料についても銅線は剥離しなかったが、試料10−15ではメタライズ層に微細な亀裂が生じていた。
【0073】
また、基板の凹部を形成した主面に、タングステンメタライズ層とニッケルメッキ層を施し、その上に基板と同じ縦横30mmの積層回路(窒化アルミニウムセラミックスにタングステンパターン回路を形成し、5層に積層したもの)をAu−Sn系半田で接合して試片B(パッケージ)とした。この試片Bについて、実施例1と同じ冷熱サイクルを負荷し、その前後での反り量を測定した。測定方法は、実施例1及び図6に述べた方法を用いた。得られた結果を表5に併せて示した。
【0074】
【表5】
【0075】
以上の結果から分かるように、表面状態を制御するための本発明方法における第2の化学エッチング工程では、鮮明な印字を得るために表面が黒色を帯びないよう、腐食物質の濃度を30質量%以下とする必要がある。また、腐食物質の濃度を10質量%以下にすれば、淡い灰色を呈するようになり、より鮮明な印字が得られることが分かる。
【0076】
尚、腐食剤である酸又はアルカリの水溶液にAlより貴な金属の塩を添加すれば、酸又はアルカリの濃度が10質量%を超えても、淡い灰色の生地色が得られることが分かる。また、腐食剤として硝酸を用いる場合には、0.5質量%程度のHFを添加すれば、エッチング時間の短縮を図ることができる。
【0077】
実施例4
前記実施例1の表2における試料4及び試料9と同じ原料・組成で、実施例1と同様の焼結法と圧延法により厚みを下記表6のごとく変えた複合材料素材を作製した。得られた各複合材料素材について、濃度10質量%のNaOH水溶液を用いて実施例1と同じ条件で表面状態を制御するための化学エッチング(本発明の第2のエッチング工程)を行い、続いて濃度30質量%のNaOH水溶液を用い実施例1と同様に化学エッチング(本発明の第1のエッチング工程)を行い、凹部の形成と基板ごとの切り離しを行なって、縦横30mm(主面の面積(A)900mm2)で厚み(t)の異なる放熱基板を作製した。
【0078】
その後、基板の凹部を形成した主面と反対側の主面に、タングステンメタライズ層とニッケルメッキ層を施し、その上に積層回路(窒化アルミニウムセラミックスにタングステンパターン回路を形成し、5層に積層したもの)をAu−Sn系半田で接合した。得られた各試料について、実施例1と同様の冷熱サイクルを負荷し、その前後での反り量を実施例1及び図6に述べた方法を用いて測定した。得られた結果を下記表6に示した。尚、表中のt/Aは、主面の面積A(900mm2)に対する両方の主面間の最大厚みt(mm)の比である。
【0079】
【表6】
【0080】
表6の結果から分かるように、基板の厚みが1.5mm以下でt/Aが0.002未満になるとエッチング後の反り量は若干大きくなるが、実用上全く問題にならない程度であり、冷熱サイクルによっても反り量は増加しなかった。更に、上記焼結法の代りに、実施例2と同じ鋳造法で複合材料素材を作製し、上記と同じ試験を行なったところ、上記表6とほぼ同じ結果が得られた。
【0081】
実施例5
前記実施例1の表2における試料2〜5、試料8〜11及び試料24〜25の10種類の組成にて、実施例1と同じ焼結法及び実施例2と同じ鋳造法によって複合材料のシートを作製した。これらに実施例1と同じ化学エッチングを行ない、縦横30mm及び厚み1mmで、その片方の主面に縦横15mm及び深さ0.5mmの凹部を有する放熱基板を作製した。これらの基板の凹部を有する側の主面に、縦横30mmの窒化アルミニウム積層回路を実施例4で述べた手順に従って接合し、それぞれパッケージを作製した。
【0082】
得られた各パッケージについて、実施例1の単サイクルプログラムで1000回の冷熱サイクルを負荷し、その前後における基板側主面(凹部形成側主面の反対側の主面)の反り量、及び凹部形成主面の冷熱サイクル負荷後における積層回路接合部の損傷状況を確認(拡大目視)した。その結果、全ての試料で反り量の変化は殆ど見られず、上記接合部にも損傷は認められなかった。この結果から、本発明の方法で得られた放熱基板を用いた半導体装置は、高い信頼性を有することが分かる。
【0083】
【発明の効果】
本発明によれば、Al−SiCやAl−Si等のAlをベースにした複合材料からなる放熱基板について、2種の化学エッチングにより、反り等の変形を抑え、高い寸法精度を維持しながら凹部を形成して、従来よりも一層の薄型化を可能にすると共に、パッケージの名称や製造番号などの印字を鮮明に認識できる表面状態を備えた放熱基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の放熱基板を示す概略の断面図である。
【図2】多数個の放熱基板の製造が可能なシート状の複合材料素材を示す概略の平面図である。
【図3】本発明の放熱基板における凹部を除く主面の微細な凹凸の表面状態を模式的に示す断面図である。
【図4】図3の表面状態における微視的な凹凸を描いた断面曲線である。
【図5】特定組成のAl−SiC複合材料において、凹部を除く主面の表面を測定した断面曲線である。
【図6】基板の反り量の測定方法を模式的に示す説明図である。
【図7】蓋(Lid)型の放熱基板を用いたパッケージの具体例を示す概略の断面図である。
【図8】平板形状の放熱基板を用いたパッケージの具体例を示す概略の断面図である。
【符号の説明】
1a、1b、10、20 放熱基板
2 半導体素子
3 配線層
4 ボールグリッド
5 スティフナー
10a、10b、15 主面
11 凹部
12 接合枠部
16 粒子
17 第一の成分からなる部分
21 定盤
22 光源
Claims (13)
- 主成分がアルミニウムである第一の成分と、主成分が炭化珪素若しくは珪素又はその両方である第二の成分とを含む複合材料で構成された放熱基板であって、その片方の主面に凹部を有し、該凹部を除いた両方の主面の表面に形成された微細な凹凸の深さ方向の最大振幅が、同じ表面に露呈した第一の成分と第二の成分とからなる複合粒子か、又は第二の成分からなる粒子の深さ方向の最大長さよりも小さいことを特徴とする放熱基板。
- 前記凹部を除いた両方の主面の表面が金属光沢を有しない灰色ないし淡灰色を呈することを特徴とする、請求項1に記載の放熱基板。
- 前記第一の成分の含有量が55〜96質量%であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の放熱基板。
- 前記第一の成分と第二の成分とからなる複合粒子又は第二の成分からなる粒子の平均粒径が、5〜40μmの範囲にあることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の放熱用基板。
- 前記主面の面積A(mm 2 )に対する両方の主面間の最大厚みt(mm)の比t/Aが、0 . 002以下であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の放熱基板。
- 主面方向の反り量が0 . 05mm以下であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の放熱基板。
- 主成分がアルミニウムである第一の成分と、主成分が炭化珪素若しくは珪素又はその両方である第二の成分とを含む複合材料の素材を準備する工程と、該複合材料素材の片方の主面に化学エッチングにより凹部を形成する第1のエッチング工程と、該凹部を除いた両方の主面に化学エッチングにより、深さ方向の最大振幅が同じ表面に露呈した第一の成分と第二の成分とからなる複合粒子か、又は第二の成分からなる粒子の深さ方向の最大長さよりも小さい微細な凹凸を形成する第2のエッチング工程とを含むことを特徴とする放熱基板の製造方法。
- 前記複合材料の素材を準備する工程において、放熱基板が多数個取り可能なシート状の複合材料素材を準備し、前記第1のエッチング工程において凹部を形成する際に、個々の放熱基板部分の外周に薄肉の枠状部分を残し、その後該枠状部分を切断することを特徴とする、請求項7に記載の放熱基板の製造方法。
- 前記第1のエッチング工程において、腐食剤として、腐食物質濃度が30〜50質量%のアルカリ又は酸の水溶液を用いて化学エッチングすることを特徴とする、請求項7又は8に記載の放熱基板の製造方法。
- 前記第2のエッチング工程において、腐食剤として、腐食物質濃度が3〜30質量%のアルカリ又は酸の水溶液を用いて化学エッチングすることを特徴とする、請求項7又は8に記載の放熱基板の製造方法。
- 前記アルカリ又は酸の水溶液に、別の腐食剤である銅の無機塩又は塩化物を腐食物質の合計濃度が3〜50質量%の範囲で添加することを特徴とする、請求項9又は10に記載の放熱基板の製造方法。
- 前記アルカリ又は酸の水溶液に、弗化水素を添加することを特徴とする、請求項9〜11のいずれか1項に記載の放熱基板の製造方法。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の放熱基板を用いた半導体装置。
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