JPH1140631A - パターン検査装置及び検査方法 - Google Patents
パターン検査装置及び検査方法Info
- Publication number
- JPH1140631A JPH1140631A JP9196748A JP19674897A JPH1140631A JP H1140631 A JPH1140631 A JP H1140631A JP 9196748 A JP9196748 A JP 9196748A JP 19674897 A JP19674897 A JP 19674897A JP H1140631 A JPH1140631 A JP H1140631A
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- JP
- Japan
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- region
- inspection
- pattern
- scanning
- electron beam
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- Pending
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】絶縁物のパターン検査を正確に行う。
【解決手段】検査領域に蓄積された電荷が解放された後
に隣り合うパターンを検査するように、走査偏向器５に
よる電子線走査及びＸ−Ｙステージ１１の移動を制御部
１０３が制御して検査パターンの二次元走査を行い、検
査パターンの電荷蓄積を軽減して絶縁物試料を検査す
る。
に隣り合うパターンを検査するように、走査偏向器５に
よる電子線走査及びＸ−Ｙステージ１１の移動を制御部
１０３が制御して検査パターンの二次元走査を行い、検
査パターンの電荷蓄積を軽減して絶縁物試料を検査す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体の検査装置及
び検査方法に係り、特に絶縁物試料を安定に検査するこ
とができるウェハ上のパターン検査装置及び検査方法に
関する。
び検査方法に係り、特に絶縁物試料を安定に検査するこ
とができるウェハ上のパターン検査装置及び検査方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】電子線を用いてウェハの回路パターンを
検査する回路パターン検査装置においては、レジスト等
の絶縁物から構成されるパターンを電子線で検査する
と、絶縁物内の電荷蓄積により検査が困難になってい
た。電子線を走査して検査する順序は、例えば特開平5
−258703 号で開示される電子線検査方法では、図３に
示すようにまず領域において、Ｙ方向に電子線走査す
るとともにステージはＸ方向に連続移動して、Ｘ方向の
終端まで連続的に二次元走査を行う。次に、ステージは
Ｙ方向にＸ方向の走査幅だけ移動して、次の領域の二
次元走査を行う。このように、Ｙ方向に隣り合った検査
領域を順番に分析しているのが従来方式である。
検査する回路パターン検査装置においては、レジスト等
の絶縁物から構成されるパターンを電子線で検査する
と、絶縁物内の電荷蓄積により検査が困難になってい
た。電子線を走査して検査する順序は、例えば特開平5
−258703 号で開示される電子線検査方法では、図３に
示すようにまず領域において、Ｙ方向に電子線走査す
るとともにステージはＸ方向に連続移動して、Ｘ方向の
終端まで連続的に二次元走査を行う。次に、ステージは
Ｙ方向にＸ方向の走査幅だけ移動して、次の領域の二
次元走査を行う。このように、Ｙ方向に隣り合った検査
領域を順番に分析しているのが従来方式である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、隣り合ったパ
ターン領域を順番に走査すると、電子線照射によって絶
縁物に蓄積された電荷が放電しないうちに隣り合ったパ
ターン領域を照射することになり、特に走査領域の端部
の電荷蓄積が多くなり表面電位が変化することになる。
その結果、電子線照射により得られる二次電子，反射電
子などの発生量，エネルギー分布が変化し、検出器で検
出される信号に影響を及ぼすという現象が生じ、正確な
検査ができなくなるという問題が生じていた。
ターン領域を順番に走査すると、電子線照射によって絶
縁物に蓄積された電荷が放電しないうちに隣り合ったパ
ターン領域を照射することになり、特に走査領域の端部
の電荷蓄積が多くなり表面電位が変化することになる。
その結果、電子線照射により得られる二次電子，反射電
子などの発生量，エネルギー分布が変化し、検出器で検
出される信号に影響を及ぼすという現象が生じ、正確な
検査ができなくなるという問題が生じていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、あるパターン
領域を検査した直後はそのパターン領域と隣り合わない
パターン領域を検査し、検査領域に蓄積された電荷が解
放された後に隣り合うパターンを検査することを特徴と
するものである。
領域を検査した直後はそのパターン領域と隣り合わない
パターン領域を検査し、検査領域に蓄積された電荷が解
放された後に隣り合うパターンを検査することを特徴と
するものである。
【０００５】本発明によりパターン端部の電荷蓄積が軽
減される結果、二次電子，反射電子等の検出信号に影響
を及ぼさずにパターンの検査をすることができるので、
レジスト，酸化膜などの絶縁物から構成されるパターン
に対しても正確な検査を行うことができる。
減される結果、二次電子，反射電子等の検出信号に影響
を及ぼさずにパターンの検査をすることができるので、
レジスト，酸化膜などの絶縁物から構成されるパターン
に対しても正確な検査を行うことができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施例を図１，図
２および図４により説明する。半導体装置の製造プロセ
スは図１に示すように、多数のパターン形成工程を繰り
返している。パターン形成工程は大まかに、成膜，感光
レジスト塗布，感光，現像，エッチング，レジスト除
去，洗浄の各ステップにより構成されている。この各ス
テップにおいて製造条件が最適化されていないと、基板
上に形成する半導体装置の回路パターンが正常に形成さ
れない。
２および図４により説明する。半導体装置の製造プロセ
スは図１に示すように、多数のパターン形成工程を繰り
返している。パターン形成工程は大まかに、成膜，感光
レジスト塗布，感光，現像，エッチング，レジスト除
去，洗浄の各ステップにより構成されている。この各ス
テップにおいて製造条件が最適化されていないと、基板
上に形成する半導体装置の回路パターンが正常に形成さ
れない。
【０００７】例えば、図１の成膜工程で異常が発生する
とパーティクルが発生し、ウェハ表面に付着し、孤立欠
陥などが生じる。また、レジスト感光時に焦点や露光時
間などの条件が最適でないと、レジストに照射する光の
量や強さが多すぎる箇所，足りない箇所が発生し、ショ
ートや断線，パターン細りを伴う。露光時のマスク，レ
チクル上に欠陥があると、同様のパターンの形状異常が
発生しやすい。また、エッチング量が最適化されていな
い場合やエッチング途中に生成された薄膜やパーティク
ルにより、ショートや突起，孤立欠陥を始め、開口不良
等も発生する。洗浄時には、乾燥時の水切れ条件により
パターン角部等に異常酸化を発生しやすい。
とパーティクルが発生し、ウェハ表面に付着し、孤立欠
陥などが生じる。また、レジスト感光時に焦点や露光時
間などの条件が最適でないと、レジストに照射する光の
量や強さが多すぎる箇所，足りない箇所が発生し、ショ
ートや断線，パターン細りを伴う。露光時のマスク，レ
チクル上に欠陥があると、同様のパターンの形状異常が
発生しやすい。また、エッチング量が最適化されていな
い場合やエッチング途中に生成された薄膜やパーティク
ルにより、ショートや突起，孤立欠陥を始め、開口不良
等も発生する。洗浄時には、乾燥時の水切れ条件により
パターン角部等に異常酸化を発生しやすい。
【０００８】従って、ウェハ製造プロセスではこれらの
不良が発生しないように加工条件を最適化する必要があ
るとともに、異常発生を早期に検出し、当該工程にフィ
ードバックする必要がある。そこで、本実施例ではｎ番
目のパターン形成工程におけるレジスト感光，現像後に
検査を適用する例について記載する。
不良が発生しないように加工条件を最適化する必要があ
るとともに、異常発生を早期に検出し、当該工程にフィ
ードバックする必要がある。そこで、本実施例ではｎ番
目のパターン形成工程におけるレジスト感光，現像後に
検査を適用する例について記載する。
【０００９】本発明の基本概念は、レジスト等の絶縁物
試料を高精度に検査することを目的に、同一箇所が短時
間に繰り返し電子線などの荷電粒子線照射をうけないよ
うに検査領域の測定順序を定めることである。これによ
り、絶縁物試料の電荷蓄積による測定精度の低下を未然
に防ぐことができる。
試料を高精度に検査することを目的に、同一箇所が短時
間に繰り返し電子線などの荷電粒子線照射をうけないよ
うに検査領域の測定順序を定めることである。これによ
り、絶縁物試料の電荷蓄積による測定精度の低下を未然
に防ぐことができる。
【００１０】以下、実施例を詳細に説明する。図２に第
１の実施例の構成図を示す。検査装置は大別して、電子
光学系１０１，試料室１０２，制御部１０３，画像処理
部１０４より構成されている。電子光学系１０１は電子
銃１，電子線引き出し電極２，コンデンサレンズ３，ブ
ランキング用偏向器４，走査偏向器５，絞り６，シール
ドパイプ７，ＥｘＢ偏向器８，対物レンズ９により構成
されている。
１の実施例の構成図を示す。検査装置は大別して、電子
光学系１０１，試料室１０２，制御部１０３，画像処理
部１０４より構成されている。電子光学系１０１は電子
銃１，電子線引き出し電極２，コンデンサレンズ３，ブ
ランキング用偏向器４，走査偏向器５，絞り６，シール
ドパイプ７，ＥｘＢ偏向器８，対物レンズ９により構成
されている。
【００１１】試料室１０２はＸ−Ｙステージ１１，回転
ステージ１２，光学式高さ測定器２６，位置モニタ用測
長器２７より構成されており、また、二次電子検出器１
３が対物レンズ９の上方にあり、二次電子検出器１３の
出力信号はプリアンプ２１で増幅されＡＤ変換器２２に
よりデジタルデータとなる。画像処理部１０４は画像記
憶部３０ａ，３０ｂ，演算部３３，欠陥判定部３４より
構成されている。取り込まれた電子線画像及び光学画像
は、モニタ３２に表示される。検査装置各部の動作命令
及び動作条件は、制御部１０３から入出力される。予め
制御部１０３に電子線発生時の加速電圧，電子線偏向
幅，偏向速度，試料台移動速度，検出器の信号取り込み
タイミング等の条件が入力されている。また、光学式高
さ測定器２６，位置モニタ用測長器２７の信号から補正
信号を生成し、電子線が常に正しい位置に照射されるよ
う対物レンズ電源２５や走査信号発生器２４に補正制御
回路に２８から補正信号を送る。
ステージ１２，光学式高さ測定器２６，位置モニタ用測
長器２７より構成されており、また、二次電子検出器１
３が対物レンズ９の上方にあり、二次電子検出器１３の
出力信号はプリアンプ２１で増幅されＡＤ変換器２２に
よりデジタルデータとなる。画像処理部１０４は画像記
憶部３０ａ，３０ｂ，演算部３３，欠陥判定部３４より
構成されている。取り込まれた電子線画像及び光学画像
は、モニタ３２に表示される。検査装置各部の動作命令
及び動作条件は、制御部１０３から入出力される。予め
制御部１０３に電子線発生時の加速電圧，電子線偏向
幅，偏向速度，試料台移動速度，検出器の信号取り込み
タイミング等の条件が入力されている。また、光学式高
さ測定器２６，位置モニタ用測長器２７の信号から補正
信号を生成し、電子線が常に正しい位置に照射されるよ
う対物レンズ電源２５や走査信号発生器２４に補正制御
回路に２８から補正信号を送る。
【００１２】電子銃１には拡散補給型の熱電界放出電子
源を用いる。これにより明るさ変動の少ない比較検査画
像が得られ、且つ電子線電流を大きくすることが可能な
ことから、高速な検査が可能となる。電子線２０１は引
き出し電極２に電圧を印加することで、電子銃１から引
き出される。電子線２０１の加速は電子銃に高圧の負の
電圧を印加することでなされる。これにより、電子線２
０１はその電位に相当するエネルギー、たとえば４.５
ｋＶ で試料台１１方向に進み、コンデンサレンズ３で
集束され、さらに対物レンズ９により細く絞られＸ−Ｙ
ステージ１１の上に搭載された被検査基板１０（ウェハ
あるいはチップ等）に照射される。被検査基板１０には
高圧電源２３により負の電圧を印加できるようになって
いる。この高圧電源２３を調節することにより、被検査
基板１０への電子線照射エネルギーを最適な値に調節す
ることが容易になる。
源を用いる。これにより明るさ変動の少ない比較検査画
像が得られ、且つ電子線電流を大きくすることが可能な
ことから、高速な検査が可能となる。電子線２０１は引
き出し電極２に電圧を印加することで、電子銃１から引
き出される。電子線２０１の加速は電子銃に高圧の負の
電圧を印加することでなされる。これにより、電子線２
０１はその電位に相当するエネルギー、たとえば４.５
ｋＶ で試料台１１方向に進み、コンデンサレンズ３で
集束され、さらに対物レンズ９により細く絞られＸ−Ｙ
ステージ１１の上に搭載された被検査基板１０（ウェハ
あるいはチップ等）に照射される。被検査基板１０には
高圧電源２３により負の電圧を印加できるようになって
いる。この高圧電源２３を調節することにより、被検査
基板１０への電子線照射エネルギーを最適な値に調節す
ることが容易になる。
【００１３】被検査基板１０の画像を取得するために
は、細く絞った電子線２０１を被検査基板１０に照射
し、二次電子を発生させ、これらを電子線２０１の走査
及びステージの移動と同期して検出することで被検査基
板表面の画像を得る。本発明で述べるような自動検査に
は検査速度が速いことが必須となる。従って、通常のSE
MのようにｐＡオーダーのビーム電流を低速で照射した
りしない。そこで、通常のＳＥＭに比べ約１００倍以上
の例えば１００ｎＡの大電流電子線の１回のみあるいは
数回の走査により画像を形成する構成とした。例えば、
１枚の画像は1000×１０００画素で１０ｍsec で取得す
るようにした。画像信号には１画像分の遅延をかけて次
の画像の取り込みと同期させて画像比較評価を行い、回
路基板上の欠陥探索を行う構成としている。
は、細く絞った電子線２０１を被検査基板１０に照射
し、二次電子を発生させ、これらを電子線２０１の走査
及びステージの移動と同期して検出することで被検査基
板表面の画像を得る。本発明で述べるような自動検査に
は検査速度が速いことが必須となる。従って、通常のSE
MのようにｐＡオーダーのビーム電流を低速で照射した
りしない。そこで、通常のＳＥＭに比べ約１００倍以上
の例えば１００ｎＡの大電流電子線の１回のみあるいは
数回の走査により画像を形成する構成とした。例えば、
１枚の画像は1000×１０００画素で１０ｍsec で取得す
るようにした。画像信号には１画像分の遅延をかけて次
の画像の取り込みと同期させて画像比較評価を行い、回
路基板上の欠陥探索を行う構成としている。
【００１４】次に、本発明によるパターン検査手順につ
いて説明する。制御部１０３には被検査基板１０の検査
パターンの材質等に基づいて、予め測定順序のデータが
入力されている。例えば、被検査パターンの電荷蓄積の
放電時間をａ秒、Ｘ方向の測定時間とすると、制御部１
０３に設定される隣り合う検査領域の測定順序は、少な
くとも（ａ／ｂ）回後が選択される。
いて説明する。制御部１０３には被検査基板１０の検査
パターンの材質等に基づいて、予め測定順序のデータが
入力されている。例えば、被検査パターンの電荷蓄積の
放電時間をａ秒、Ｘ方向の測定時間とすると、制御部１
０３に設定される隣り合う検査領域の測定順序は、少な
くとも（ａ／ｂ）回後が選択される。
【００１５】例えば、図４には二次元走査領域の検査の
順番を一つおきに設定する例を示すが、隣り合った領域
の検査が少なくとも２回後になる条件にしている。制御
部１０３は走査偏向器５によりＹ方向に電子線を走査さ
せるとともに、Ｘ−Ｙステージ１１をＸ方向に連続移動
させて電子線２０１を被検査基板１０に二次元走査する
命令を行う。まず、領域において二次元走査すること
により、パターン検査を開始する。Ｘ−Ｙステージ１１
がＸ方向の終端まで達したら、ステージはＸ方向の走査
幅の２倍だけＹ方向に移動して、次の領域のパターン
検査を開始する。領域の検査後は、再びステージはＸ
方向の走査幅の２倍だけＹ方向に移動して領域の検査
を行う。Ｙ方向の終端である領域の検査後、ステージ
はすでに検査した領域の隣の領域、すなわち、領域と
領域の間の領域に移動する。互いに隣り合う領域
と領域の検査間隔は３回後、領域と領域の検査間
隔は２回後となる。このように、制御部１０３は前回走
査領域と常に隣り合わないように領域の検査順序を定め
ている。この検査方法を用いれば、電子線照射により絶
縁物内に蓄積された電荷が放電するような時間間隔の
後、隣り合った領域を検査することができるので、走査
領域端部の電荷蓄積を防ぐことができる。
順番を一つおきに設定する例を示すが、隣り合った領域
の検査が少なくとも２回後になる条件にしている。制御
部１０３は走査偏向器５によりＹ方向に電子線を走査さ
せるとともに、Ｘ−Ｙステージ１１をＸ方向に連続移動
させて電子線２０１を被検査基板１０に二次元走査する
命令を行う。まず、領域において二次元走査すること
により、パターン検査を開始する。Ｘ−Ｙステージ１１
がＸ方向の終端まで達したら、ステージはＸ方向の走査
幅の２倍だけＹ方向に移動して、次の領域のパターン
検査を開始する。領域の検査後は、再びステージはＸ
方向の走査幅の２倍だけＹ方向に移動して領域の検査
を行う。Ｙ方向の終端である領域の検査後、ステージ
はすでに検査した領域の隣の領域、すなわち、領域と
領域の間の領域に移動する。互いに隣り合う領域
と領域の検査間隔は３回後、領域と領域の検査間
隔は２回後となる。このように、制御部１０３は前回走
査領域と常に隣り合わないように領域の検査順序を定め
ている。この検査方法を用いれば、電子線照射により絶
縁物内に蓄積された電荷が放電するような時間間隔の
後、隣り合った領域を検査することができるので、走査
領域端部の電荷蓄積を防ぐことができる。
【００１６】実施例２は連続的に移動する試料ステージ
を用いた実施例であり、試料ステージの移動方向と直交
方向の電子線走査幅が検査領域の幅の整数倍である場合
である。例えば、電子線のＸ方向の走査幅が検査領域の
幅の５倍であるとする。Ｙ方向の検査順序を一つおき、
すなわち図５の番号の様に検査順序を選べ
ば、前回走査領域と常に隣り合わない順番でパターンを
検査することができる。なお、ステージはＸ方向の終端
まで達した後に、Ｘ方向の走査幅あるいはそれより大き
く、例えば２倍だけＹ方向に移動して、次の二次元走査
領域の検査を開始する。
を用いた実施例であり、試料ステージの移動方向と直交
方向の電子線走査幅が検査領域の幅の整数倍である場合
である。例えば、電子線のＸ方向の走査幅が検査領域の
幅の５倍であるとする。Ｙ方向の検査順序を一つおき、
すなわち図５の番号の様に検査順序を選べ
ば、前回走査領域と常に隣り合わない順番でパターンを
検査することができる。なお、ステージはＸ方向の終端
まで達した後に、Ｘ方向の走査幅あるいはそれより大き
く、例えば２倍だけＹ方向に移動して、次の二次元走査
領域の検査を開始する。
【００１７】実施例３は区画単位で移動し、静止して検
査するステップアンドリピート方式の試料ステージを用
いた実施例である。区画内の検査領域が１６個に分割さ
れる場合を図６に示すが、図中の丸数字の順に検査順序
を選べば、前回走査領域と常に隣り合わない順番でパタ
ーンを検査することができる。なお、ステージはＸ方向
の終端まで達した後に、Ｘ方向の走査幅あるいはそれよ
り大きく、例えば２倍だけＹ方向に移動して、次の二次
元走査領域の検査を開始する。
査するステップアンドリピート方式の試料ステージを用
いた実施例である。区画内の検査領域が１６個に分割さ
れる場合を図６に示すが、図中の丸数字の順に検査順序
を選べば、前回走査領域と常に隣り合わない順番でパタ
ーンを検査することができる。なお、ステージはＸ方向
の終端まで達した後に、Ｘ方向の走査幅あるいはそれよ
り大きく、例えば２倍だけＹ方向に移動して、次の二次
元走査領域の検査を開始する。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のパターン
検査装置では試料への二次元走査を分散させることによ
り絶縁物の特定箇所の電荷蓄積を抑えることができるの
で、絶縁物から構成されるパターンに対しても、正確に
検査をすることができる。
検査装置では試料への二次元走査を分散させることによ
り絶縁物の特定箇所の電荷蓄積を抑えることができるの
で、絶縁物から構成されるパターンに対しても、正確に
検査をすることができる。
【図１】半導体装置製造プロセスフローの説明図。
【図２】本発明の実施例１の装置構成の説明図。
【図３】従来技術の検査順序の説明図。
【図４】本発明の実施例１の検査順序の説明図。
【図５】本発明の実施例２の検査順序の説明図。
【図６】本発明の実施例３の検査順序の説明図
１…電子銃、２…引き出し電極、３…コンデンサレン
ズ、４…ブランキング用偏向器、５…走査偏向器、６…
絞り、７…シールドパイプ、８…ＥｘＢ偏向器、９…対
物レンズ、１０…被検査基板、１１…Ｘ−Ｙステージ、
１２…回転ステージ、１３…二次電子検出器、１４…吸
引電極、２１…プリアンプ、２２…ＡＤ変換器、２３…
高圧電源、２４…走査信号発生器、２５…対物レンズ電
源、２６…光学式試料高さ測定器、２７…位置モニタ用
測長器、３０ａ，３０ｂ…画像記憶部、３１…遅延回
路、３２…モニタ、３３…演算部、３４…欠陥判定部、
１０１…電子光学系、１０２…試料室、１０３…制御
部、１０４…画像処理系、２０１…一次電子線、２０２
…第１の二次電子、２０３…第２の二次電子、３００…
反射板、３０１…接地電極。
ズ、４…ブランキング用偏向器、５…走査偏向器、６…
絞り、７…シールドパイプ、８…ＥｘＢ偏向器、９…対
物レンズ、１０…被検査基板、１１…Ｘ−Ｙステージ、
１２…回転ステージ、１３…二次電子検出器、１４…吸
引電極、２１…プリアンプ、２２…ＡＤ変換器、２３…
高圧電源、２４…走査信号発生器、２５…対物レンズ電
源、２６…光学式試料高さ測定器、２７…位置モニタ用
測長器、３０ａ，３０ｂ…画像記憶部、３１…遅延回
路、３２…モニタ、３３…演算部、３４…欠陥判定部、
１０１…電子光学系、１０２…試料室、１０３…制御
部、１０４…画像処理系、２０１…一次電子線、２０２
…第１の二次電子、２０３…第２の二次電子、３００…
反射板、３０１…接地電極。
フロントページの続き (72)発明者 矢島 裕介 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 長谷川 正樹 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 梅村 馨 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 ▲高▼藤 敦子 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】回路パターンが形成された基板に電子線を
二次元走査する手段と、該回路パターンから発生する二
次電子を画像化する手段と、上記画像を比較して上記回
路パターンの欠陥判定をするパターン検査装置におい
て、二次元走査した走査領域と隣り合う領域の二次元走
査を上記走査領域に蓄積した電荷が十分放電した後に行
うことを特徴とするパターン検査装置。 - 【請求項２】回路パターンが形成された基板に電子線を
二次元走査する工程と、上記回路パターンから発生する
二次電子を画像化する工程と、上記画像を比較して上記
回路パターンの欠陥判定をするパターン検査方法におい
て、二次元走査した走査領域と隣り合う領域の二次元走
査を上記走査領域に蓄積した電荷が十分放電した後に行
うことを特徴とするパターン検査方法。 - 【請求項３】回路パターンが形成された基板に電子線を
二次元走査する手段と、上記回路パターンから発生する
二次電子を画像化する手段と、上記画像を比較して上記
回路パターンの欠陥判定をするパターン検査装置におい
て、二次元走査した走査領域と次に二次元走査する走査
領域との間隔を上記二次元走査の幅より大きくすること
を特徴とするパターン検査装置。 - 【請求項４】回路パターンが形成された基板に電子線を
二次元走査する工程と、上記回路パターンから発生する
二次電子を画像化する工程と、上記画像を比較して上記
回路パターンの欠陥判定をするパターン検査方法におい
て、二次元走査した走査領域と次に二次元走査する走査
領域との間隔を上記二次元走査の幅より大きくすること
を特徴とするパターン検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9196748A JPH1140631A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | パターン検査装置及び検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9196748A JPH1140631A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | パターン検査装置及び検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140631A true JPH1140631A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16362960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9196748A Pending JPH1140631A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | パターン検査装置及び検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1140631A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7256400B2 (en) | 2004-04-09 | 2007-08-14 | Hitachi High-Technologies Corporation | Electron beam inspection apparatus |
| JP2014163775A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Nuflare Technology Inc | パターン検査方法及びパターン検査装置 |
-
1997
- 1997-07-23 JP JP9196748A patent/JPH1140631A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7256400B2 (en) | 2004-04-09 | 2007-08-14 | Hitachi High-Technologies Corporation | Electron beam inspection apparatus |
| US7504627B2 (en) | 2004-04-09 | 2009-03-17 | Hitachi High-Technologies Corporation | Electron beam inspection apparatus |
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