JP3798588B2 - 発光ダイオード - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 40
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 15
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、波長変換型の発光ダイオードに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、発光ダイオードの素子としては、例えば窒化ガリウム系化合物半導体からなる青色発光の発光ダイオード素子が知られている。この発光ダイオード素子は、蛍光材とを組合せによって、図4に示すような青色発光を白色系発光に波長変換するタイプの発光ダイオード1に利用されている。この発光ダイオード1では、発光ダイオード素子4がメタルステム2に設けた凹部3に載置され、ボンディングワイヤ6によってメタルポスト5に接続されている。これらの発光ダイオード素子4及びボンディングワイヤ6は、砲弾形の透明樹脂体8によって封止されている。また、前記凹部3内には蛍光材を分散した蛍光材含有樹脂7が発光ダイオード素子4の上方を被うようにして充填されている。このような構成からなる発光ダイオード1にあっては、発光ダイオード素子4から発した青色発光が蛍光材含有樹脂7に分散されている蛍光材に当たって蛍光材を励起し、それによって青色発光を白色系発光に変換するものである。(特開平7−99345号参照)
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような発光ダイオード素子4にあっては、該素子と蛍光材含有樹脂7とが別体であるため、波長変換型の発光ダイオード1を製造するに際しては、発光ダイオード素子4の接着工程と蛍光材含有樹脂7の充填工程とを別々に設けなければならなかった。
【0004】
そこで、本発明の目的は、製造工程の簡略化が図られるような波長変換型の発光ダイオードを提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明者は、発光ダイオード素子に蛍光材含有層を一体に設けることで製造工程の簡略化を図るようにした。具体的には、請求項1の発明は、透明ガラス基板と、該透明ガラス基板の上面に透明接着剤を介して固着され素子基板が透明である発光ダイオード素子と、該発光ダイオード素子の上面に設けられた非透光性の遮光電極と、前記透明ガラス基板とは別体で形成され、且つ透明ガラス基板の上部外周を囲う枠体と、該枠体に形成された外部接続用電極と、前記枠体の内部に充填された樹脂封止体とを備え、前記発光ダイオード素子が上面に半導体を成長させた素子基板の下面に蛍光材含有層を貼付することで素子基板と一体に形成されてなる発光ダイオードによって、上述した課題を解決した。
【0006】
この発明によれば、発光ダイオード素子に蛍光材含有層が一体に設けてあるので、発光ダイオードの製造時には発光ダイオード素子を搭載するだけで同時に蛍光材含有層も配置されることになり、従来に比べて発光ダイオードの製造工程を簡略化できる。また、発光ダイオード素子から照射した光が一体形成の蛍光材含有層で波長変換され、そのまま透明ガラス基板を透過するので、信頼性の高い白色発光が得られる。
【0007】
請求項2の発明は、請求項1に記載の発光ダイオードにおいて、前記素子基板がサファイヤ基板であり、その上面に成長させた半導体が窒化ガリウム系化合物半導体であることを特徴とする。
【0008】
この発明によれば、透明のサファイヤガラスを用いたことで発光ダイオード素子の下面側への発光が可能となり、さらにこのサファイヤガラスに蛍光材含有層を一体に設けることによって、発光ダイオード素子の下面側にも波長変換させた後の発光が高輝度で得られる。
【0009】
請求項3の発明は、請求項1に記載の発光ダイオードにおいて、前記素子基板の下面に貼付された蛍光材含有層がイットリウム化合物からなる蛍光材を含有していることを特徴とする。
【0010】
この発明によれば、サファイヤガラスと一体にイットリウム化合物からなる蛍光材を設けたので、発光ダイオード素子の青色発光を効果的に白色系発光に波長変換することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づいて本発明に係る発光ダイオードの実施形態を詳細に説明する。図1乃至図3は本発明の第1の実施形態を示したものであり、図1は発光ダイオード素子の全体構造、図2はこの発光ダイオード素子を用いた表面実装型の発光ダイオードの斜視図、図3は発光ダイオードをマザーボードに実装した状態を示す断面図である。
【0012】
図1に示したように、発光ダイオード素子11は窒化ガリウム系化合物半導体からなる青色発光素子であり、透明ガラスであるサファイヤ基板12の上面にn型半導体13とp型半導体14を成長させた構造である。n型半導体13及びp型半導体14は、それぞれの上面に電極15,16を備えている。この電極15,16は、発光ダイオード素子11の上面側に発光させる場合にはできるだけ小さく形成して発光進路を妨げないようにする一方、サファイヤ基板12を通して発光ダイオード素子11の下面側に発光させる場合には上方を遮光するためにできるだけ大きく形成し、n型半導体13及びp型半導体14の各上面を電極15,16で覆い隠すようにする。電極15,16は、スパッタリングや真空蒸着によって所望の大きさに形成することができる。
【0013】
また、この実施形態では上記発光ダイオード素子11のサファイヤ基板12の下面に蛍光材含有層17が一体に形成されている。この蛍光材含有層17は、無色の透明樹脂の中に適当量の蛍光材18を均一に分散させたものである。蛍光材18は、発光ダイオード素子11の発光エネルギによって励起され短波長の可視光を長波長の可視光に変換するものである。イットリウム化合物からなる蛍光物質を用いた場合には、発光ダイオード素子11で発光した青色発光を白色系発光に変換することができる。なお無色の透明樹脂として、例えばエポキシ樹脂を利用することができる。
【0014】
上述の蛍光材含有層17は、蛍光材18を分散させた透明樹脂を塗料化し、これを前記サファイヤ基板12の下面に所望の厚みに印刷するか、若しくは、蛍光材18を分散させた透明樹脂をシート化し、これをサファイヤ基板12の下面に貼付することでサファイヤ基板12と一体に形成することができる。印刷又はシートの貼付は、半導体ウエハの段階で行なってもよく、又は半導体ウエハを分割した個々のチップにしてから行なうこともできる。
【0015】
従って、上記のような構成からなる発光ダイオード素子11にあっては、n型半導体13とp型半導体14との境界面からの発光は、上方、側方及び下方へ青色光として発光するが、特に下方側へ発光した青色光は蛍光材含有層17の中に分散されている蛍光材18に当たって蛍光材18を励起し、それによって長波長の可視光に波長変換する。この時、蛍光材含有層17の下面に銅箔やアルミ箔など反射率の高い反射膜19が設けてあると、この反射膜19によって上方への発光が強くなる。なお、前述したように、発光ダイオード素子11の上面電極15,16が大きい場合には、上方への発光を遮ることで蛍光材含有層17の下面側を発光させることができる。
【0016】
図2及び図3は、上記の発光ダイオード素子11を用いて構成した波長変換型の表面実装型発光ダイオード41を示したものである。この実施形態に係る表面実装型の発光ダイオード41は、無色の透明ガラス基板42の上面に発光ダイオード素子11を透明接着剤51で固着し、透明ガラス基板42の下面側に発光するよう構成したものである。そのため、この実施形態では発光ダイオード素子11のn型半導体13及びp型半導体14の各上面に設けられる電極も非透光性の遮光電極43,44として上面全体に形成される。この遮光電極43,44によって、発光ダイオード素子11からの青色発光は上方側への発光が略完全に遮られ、その大部分が透明のサファイヤ基板12を透過する。そして、サファイヤ基板12と一体に形成されている蛍光剤含有層17を通過する際、発光ダイオード素子11からの青色発光が可視光の長波長に変換される。
【0017】
また、この実施形態では発光ダイオード素子11の外部接続用電極45,46が、透明ガラス基板42の上部外周を四角に囲うプラスチックの枠体47に形成されている。この枠体47は、透明ガラス基板42とは別工程で作られ、発光ダイオード素子11が搭載された基板上面に接着剤などによって固定される。外部接続用電極45,46は、枠体47の成形時に蒸着などによってパターン形成され、前記発光ダイオード素子11の各遮光電極43,44とボンディングワイヤ48,49によって接続されるカソード電極45a及びアノード電極46aと、マザーボード接続用電極45b,46bとを有する。カソード電極45a及びアノード電極46aは、枠体47の一対の内側底面部47aに所定幅で設けられ、マザーボード接続用電極45b,46bは、それと同じ側の縦壁47bの外側面全体に設けられ、両者はプリント電極45c、46cによって接続されている。
【0018】
この実施形態では上記枠体47の内部に樹脂封止体50が充填される。この充填によって、透明ガラス基板42の上面に搭載された発光ダイオード素子11及びボンディングワイヤ48,49が封止される。樹脂封止体50は、無色透明である必要はない。
【0019】
上述のような構成からなる発光ダイオード41あっては、発光ダイオード素子11のn型半導体13とp型半導体14との境界面から上下方向に青色光が発光するが、上方向へ発光した青色光は発光ダイオード素子11の上面全体に設けられた遮光電極43,44によって遮られるために、樹脂封止体50内への透過が殆どない状態で遮光電極43,44の反射を受ける。これらの反射光及び最初からサファイヤ基板12を透過して下方側に向かう青色発光は、蛍光剤含有層17及び透明接着剤51を介して透明ガラス基板42を透過し、透明ガラス基板42の下面側を照射する。その際、蛍光剤含有層17の中に分散されている蛍光材18が青色発光の短波長によって励起され、青色発光が黄色味がかった長波長の発光に変換される。そして、元々の青色発光と波長変換された黄色発光とが互いに混色することで、透明ガラス基板42の下面側では白色に近い発光が得られることになる。
【0020】
次に、上記構成からなる発光ダイオード41の表面実装方法を説明する。図3は、マザーボード25に発光ダイオード41を表面実装した時の状態を示したものである。この実施形態では、前記発光ダイオード41を上下逆にしてマザーボード25上に載置し、マザーボード25上のプリント配線26,27に枠体47の外側面に形成されたマザーボード接続用電極45b,46bを半田28で固定する。マザーボード接続用電極45b,46bは外側面全体に形成されているので、取付け位置の調整が容易であると共に、半田28による確実な固定が得られる。
【0021】
上述の実装手段では、発光ダイオード41が上下逆に実装されるために、マザーボード25の上面側が発光ダイオード41によって照射されることになる。その際、蛍光材18が分散されている蛍光材含有層17の中で波長変換が行われ、そのまま透明ガラス基板42を透過していくので、信頼性の優れた高輝度の白色発光が長期間に亘って得られることになる。
【0022】
上述した実施形態では、発光ダイオード素子と外部接続用電極とをボンディングワイヤによって接続した場合について説明したが、この発明はこれに限定されるものではなく、例えば半田バンプを用いたフリップチップ実装などの接続方法も含まれるものである。また、発光ダイオード素子の上面に遮光電極を形成した場合について説明したが、樹脂封止体を黒色樹脂で形成するなど、発光ダイオード素子の上面側を遮光できるものであれば、上記実施形態のものに限られないのは勿論である。
【0023】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る発光ダイオードによれば、蛍光材含有層が一体に形成された発光ダイオード素子を透明ガラス基板に搭載したので、発光ダイオードの製造工程を簡略化できる。また、発光ダイオード素子から照射した光が一体形成の蛍光材含有層で波長変換され、そのまま透明ガラス基板を透過するので、信頼性の高い白色発光が得られる。さらに、透明ガラス基板の上部外周を囲う枠体に発光ダイオード素子の外部接続用電極を設けているので、マザーボードとの半田による確実な固定が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に適用される発光ダイオード素子の断面図である。
【図2】上記発光ダイオード素子を用いた発光ダイオードの第1実施形態を示す斜視図である。
【図3】上記発光ダイオードをマザーボードに実装した時の、上記図2におけるB−B線に沿った断面図である。
【図4】従来における波長変換型の発光ダイオードの一例を示す断面図である。
【符号の説明】
11 発光ダイオード素子
12 サファイヤ基板(素子基板)
13 n型半導体
14 p型半導体
17 蛍光材含有層
18 蛍光材
19 反射膜
41 発光ダイオード
42 透明ガラス基板
43,44 遮光電極(非透光部)
45,46 外部接続用電極
47 枠体
50 樹脂封止体
Claims (3)
- 透明ガラス基板と、
該透明ガラス基板の上面に透明接着剤を介して固着され素子基板が透明である発光ダイオード素子と、
該発光ダイオード素子の上面に設けられた非透光性の遮光電極と、
前記透明ガラス基板とは別体で形成され、且つ透明ガラス基板の上部外周を囲う枠体と、
該枠体に形成された外部接続用電極と、
前記枠体の内部に充填された樹脂封止体とを備え、
前記発光ダイオード素子が上面に半導体を成長させた素子基板の下面に蛍光材含有層を貼付することで素子基板と一体に形成されてなることを特徴とする発光ダイオード。 - 前記素子基板がサファイヤ基板であり、その上面に成長させた半導体が窒化ガリウム系化合物半導体であることを特徴とする請求項1記載の発光ダイオード。
- 前記素子基板の下面に貼付された蛍光材含有層がイットリウム化合物からなる蛍光材を含有していることを特徴とする請求項1記載の発光ダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24902099A JP3798588B2 (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24902099A JP3798588B2 (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 発光ダイオード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001077429A JP2001077429A (ja) | 2001-03-23 |
JP3798588B2 true JP3798588B2 (ja) | 2006-07-19 |
Family
ID=17186824
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24902099A Expired - Fee Related JP3798588B2 (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3798588B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100990337B1 (ko) * | 2004-02-19 | 2010-10-29 | 홍-유안 테크놀러지 씨오., 엘티디. | 발광 장치 제조 장비 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3785820B2 (ja) * | 1998-08-03 | 2006-06-14 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP2002314147A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
JP4704628B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2011-06-15 | アーベル・システムズ株式会社 | 発光ダイオード |
JP4122791B2 (ja) * | 2002-02-14 | 2008-07-23 | 松下電工株式会社 | 発光装置 |
JP2007088318A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Taiwan Oasis Technology Co Ltd | 白色発光ダイオード及びその製造工程 |
DE102005046394A1 (de) * | 2005-09-28 | 2007-04-05 | Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. | Weiße Mehrwellenlängen-Leuchtdiode und deren Herstellungsverfahren |
JP2010087292A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子 |
KR102252992B1 (ko) | 2014-12-12 | 2021-05-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 패키지의 제조 방법 |
JP2018186166A (ja) * | 2017-04-25 | 2018-11-22 | 株式会社ディスコ | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ |
-
1999
- 1999-09-02 JP JP24902099A patent/JP3798588B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100990337B1 (ko) * | 2004-02-19 | 2010-10-29 | 홍-유안 테크놀러지 씨오., 엘티디. | 발광 장치 제조 장비 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001077429A (ja) | 2001-03-23 |
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A521 | Written amendment |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060420 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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