JP3796069B2

JP3796069B2 - Solar cell module

Info

Publication number: JP3796069B2
Application number: JP20175499A
Authority: JP
Inventors: 伸松見; 武志山本
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1999-07-15
Filing date: 1999-07-15
Publication date: 2006-07-12
Anticipated expiration: 2019-07-15
Also published as: JP2001036102A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、非晶質半導体からなる太陽電池モジュールに係り、特に耐衝撃性の向上した太陽電池モジュールを提供する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、太陽電池を用いた太陽光発電システムはクリーンな電源システムであることから、住宅用の電源システム等への普及が進んでいる。太陽電池を構成する材料としては、単結晶シリコンや多結晶シリコン等の結晶系半導体材料、非晶質シリコンや非晶質シリコンゲルマニウム等の非晶質半導体材料、或いはＧａＡｓ，ＣｄＴｅ等の化合物半導体材料が検討されている。このうち、非晶質半導体材料を用いた太陽電池は、基板の選択自由度や出力設計における自由度が高く、且つ安価に製造することができる、という特徴を有している。
【０００３】
斯かる非晶質半導体を用いた従来の太陽電池モジュールの構造を、図７に示す断面図を参照して説明する。
【０００４】
同図において、１はガラスからなる基板であり、光は図中矢印で示す如く該基板１の受光面Ａ側から入射する。基板１の光透過面Ｂ上には、非晶質半導体からなる光起電力素子２が形成されている。光起電力素子２は、基板１の光透過面Ｂ上にＳｎＯ₂，ＩＴＯ或いはＺｎＯ等の透光性を有する導電性材料からなる第１電極１１と、非晶質半導体からなり内部にｐｉｎ接合を有する光電変換層１２と、Ａｇ，Ａｌ等の高反射性材料からなる第２電極１３と、がこの順に積層されて構成されている。また、第２電極１３が相隣接する光電変換層１２間の分離部に埋設されて第１電極１１と接することにより、隣接する光起電力素子２が電気的に直列接続されている。
【０００５】
さらに、３は、後工程において作業中に光起電力素子２の表面に引っかき傷等が付くことを防止するために該光起電力素子２の表面を覆って設けられた被覆層であり、通常エポキシ樹脂を用いて形成されている。また、光起電力素子２で発生した起電力は、両端に位置する光起電力素子２の第１電極及び第２電極からリード線（図示せず）を介して外部に取出される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
斯かる構成の太陽電池モジュールは通常家屋の屋根上やビルの屋上等の屋外に設置されて使用される。従って、最も受光面側に配される基体１には霰や雹等の落下物に対する耐衝撃性が要求され、このため従来は上記基体１として強化ガラスを用いる、或いは基体１の厚みを厚くする等の方法が用いられている。然し乍ら、斯かる方法は、いずれもコストの増大を招くと共に、重量が重くなることから設置の際の作業性が著しく低下する、等の問題があった。
【０００７】
本発明は、斯かる従来の課題を解決し、軽量で耐衝撃性の向上した太陽電池モジュールを低コストで提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明太陽電池モジュールは、ガラスからなる基体の光透過面上に非晶質半導体からなる光起電力素子を備え、且つ前記基体の受光面に保護層を備えた太陽電池モジュールであって、前記保護層は、前記基体の受光面領域に錫が添加されてなることを特徴とする。
【００１０】
また、前記保護層の厚みが、１０Å以上、１０００Å以下の範囲であることを特徴とする。この保護層の厚みは、１００Å以上、１０００Å以下の範囲とすることがさらに好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について、図１に示す断面図を参照して説明する。尚、同図において、図７と同一の機能を呈する部分には、同一の符号を付している。
【００１３】
同図を参照して、本発明が従来と異なる点は、ガラスからなる基体１の受光面Ａに保護層１０を備えた点にある。本発明にあっては、この保護層１０が錫を含有した層から構成されている。斯かる保護層１０を形成するにあたっては、基体１中に受光面Ａ側から錫を拡散させ、基体１中における受光面Ａ側の受光面領域に錫を添加することにより形成することができる。或いは、基体１の受光面Ａ上にスパッタ法或いは蒸着法等の方法により錫膜を形成し、この錫膜を保護層１０としても良い。斯かる構成によれば、基体１の強度を増大させることが可能となり、耐衝撃性に優れた太陽電池モジュールを提供することができる。また、斯かる保護層１０を設けることにより基体１の受光面Ａでの紫外線の反射率が増大し、紫外線による基体１の強度劣化も抑制することができる。
【００１４】
（第１実施例）
以下に、本発明の第１実施例について、図２に示す工程別断面図を参照して説明する。
【００１５】
まず、同図（Ａ）に示す第１工程においては、１ｍ×１ｍで厚みが４ｍｍのガラス板からなる基体１の受光面Ａ上に、蒸着法を用いて厚さ約２０００〜３０００Åの錫膜２０を形成した。
【００１６】
次に、同図（Ｂ）に示す第２工程においては、受光面Ａ上に錫膜２０が形成された基体１を約７００℃にまで加熱し、その状態で５〜１０分間程度維持した後に徐冷することにより基体１中に錫を熱拡散させ、基体１の受光面領域に錫が添加されてなる保護層１０を形成した。そして、錫膜２０をエッチングにより除去した。
【００１７】
次いで、同図（Ｃ）に示す第３工程においては、基体１の光透過面Ｂ上に、熱ＣＶＤ法を用いて膜厚約８０００ÅのＳｎＯ₂膜を形成し、レーザスクライブ法によりこのＳｎＯ₂膜を複数の領域に分割して複数の第１電極１１を形成した。
【００１８】
さらに、同図（Ｄ）に示す第４工程においては、第１電極１１上を含んで基体１の光透過面Ｂ上の全面に、プラズマＣＶＤ法を用いてｐ型の非晶質シリコンカーバイドからなる膜厚約１００Åのｐ型層、真性の非晶質シリコンからなる膜厚約４０００Åのｉ型層及びｎ型の非晶質シリコンからなる膜厚約２００Åのｎ型層をこの順に形成した。そして、レーザスクライブ法によりこれらの積層膜を複数の領域に分割して複数の光電変換層１２を形成した。
【００１９】
そして、同図（Ｅ）に示す第５工程においては、光電変換層１２上を含んで基体１の光透過面Ｂ上の全面に、スパッタ法を用いて銀膜を形成し、レーザスクライブ法により銀膜を複数の領域に分割して複数の第２電極１３を形成した。
【００２０】
最後に、第２電極１３上を含んで基体１の光透過面Ｂ上の全面にエポキシ樹脂を塗布して被覆層３を形成し、図１に示す太陽電池モジュールを製造した。
【００２１】
そして、上記第１工程における基体１の受光面Ａ上に形成する錫膜２０の膜厚、或いは第２工程における熱拡散の時間等を制御することにより保護層１０の厚みを変化させた太陽電池モジュールを複数個製造し、これらの太陽電池モジュールについて耐衝撃性の試験を行った。耐衝撃性の試験は製造直後のもの及び屋外に１年間暴露後のもの２種類について行った。
【００２２】
尚、ここで耐衝撃性の試験は、ＪＩＳ規格Ｃ８９３８で規定される降雹試験（簡易試験方法）を用いて行った。即ち、基体１の受光面Ａを上側として水平に固定し、この基体１の中央に、質量２２７±２ｇ、直径約３８ｍｍの表面が滑らかな鋼球を１ｍの高さから力を加えずに落下させて破損の有無を調べ、破損の生じなかったものを良品、破損が生じたものを不良品とした。
【００２３】
図３は斯かる耐衝撃性試験の結果を示す特性図であり、縦軸は良品の歩留、横軸は保護層の膜厚である。また、製造直後の太陽電池モジュールに対して試験を行った結果を実線で示し、屋外に１年間暴露後の太陽電池モジュールに対して試験を行った結果を破線で示す。
【００２４】
同図に実線で示すように、製造直後の太陽電池モジュールにおいては保護層の膜厚を１０Å以上とすることで、歩留を９５％以上に向上できることがわかる。また、破線で示すように１年間屋外で暴露した太陽電池モジュールについても、保護層の膜厚が１０Å未満の場合には製造直後のものに比べて歩留が大きく低下するのに対し、保護層の膜厚を厚くすることにより歩留が向上し、保護層の膜厚を１００Å以上とすることにより１年間屋外暴露後でも歩留を９５％以上に向上することができた。斯様に保護層を備えることにより屋外暴露後でも歩留が向上した理由は、保護層を設けることにより基体の受光面での紫外線の反射率が増大し、紫外線による基体の強度低下を抑制することができたことによるものと考えられる。
【００２５】
また、図４は耐衝撃性試験に用いた製造直後の太陽電池モジュールの光電変換特性を示す特性図であり、縦軸は光電変換効率の相対値、横軸は保護層の膜厚を示す。同図に示す如く、光電変換効率は保護層の膜厚を大きくするにつれ次第に減少し、保護層の膜厚が１０００Åよりも大きくなると光電変換効率は保護層を備えない場合の９５％以下にまで低下することがわかる。斯様に光電変換効率が保護層の膜厚を大きくすると低下する理由は、基体中に錫が添加されることにより次第にその光透過特性が低下するためと考えられる。従って、図３及び図４の結果から、保護層の膜厚は１０Å以上１０００Å以下の範囲が好ましく、１００Å以上１０００Å以下の範囲がより好ましい。
【００２６】
（第２実施例）
次に、本発明の第２実施例について説明する。本実施例が第１実施例と異なる点は、上述した第１実施工程において基体１の受光面Ａ上にスパッタ法を用いて形成した錫膜を保護層１０とした点であり、他の工程は実施例１と同一である。
【００２７】
本実施例においてもスパッタ時の条件を制御することにより保護層１０の膜厚を変化させた太陽電池モジュールを製造し、製造直後と１年間屋外暴露後の２種類について、耐衝撃性の試験を行った。その結果を図５の特性図に示す。
【００２８】
同図に示す如く、本実施例にあっては実線で示すように、保護層の膜厚を５Å以上とすることで製造直後の太陽電池モジュールの歩留を９５％以上に向上できることがわかった。また、破線で示す１年間屋外暴露後の太陽電池モジュールにおいては、保護層の膜厚を５０Å以上とすることで歩留を９５％以上に向上できることがわかった。
【００２９】
また、本実施例太陽電池モジュールについても光電変換特性の測定を行った。その結果を図６の特性図に示す。同図から、本実施例の場合においては保護層の膜厚が５００Åより大きくなると、光電変換効率が保護層を備えない場合の９５％未満にまで低下することがわかった。
【００３０】
従って、図５及び図６の結果から、本実施例においては保護層の膜厚を５Å以上５００Å以下の範囲とすることが好ましく、５０Å以上５００Å未満とすることがより好ましい。
【００３１】
【発明の効果】
以上説明した如く、本発明によれば基体の受光面に保護層を設けることで、耐衝撃性に優れた太陽電池モジュールを提供することができ、紫外線による基体の強度低下も抑制することができる。
【００３２】
さらに、保護層の膜厚は薄いので重量が増大することがなく、軽量の太陽電池モジュールを提供することができると共に、コストの増大を抑制することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る太陽電池モジュールの断面図である。
【図２】本発明太陽電池モジュールの製造工程を説明するための工程別断面図である。
【図３】第１実施例に係る太陽電池モジュールの耐衝撃性と保護層の膜厚との関係を示す特性図である。
【図４】第１実施例に係る太陽電池モジュールの光電変換特性と保護層の膜厚との関係を示す特性図である。
【図５】第２実施例に係る太陽電池モジュールの耐衝撃性と保護層の膜厚との関係を示す特性図である。
【図６】第２実施例に係る太陽電池モジュールの光電変換特性と保護層の膜厚との関係を示す特性図である。
【図７】従来の太陽電池モジュールの断面図である。
【符号の説明】
１…基体、２…光起電力素子、３…被覆層、１０…保護層[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a solar cell module made of an amorphous semiconductor, and more particularly to a technique for providing a solar cell module with improved impact resistance.
[0002]
[Prior art]
At present, a solar power generation system using solar cells is a clean power supply system, and is therefore widely used in residential power supply systems. As a material constituting the solar cell, a crystalline semiconductor material such as single crystal silicon or polycrystalline silicon, an amorphous semiconductor material such as amorphous silicon or amorphous silicon germanium, or a compound semiconductor material such as GaAs or CdTe Is being considered. Among these, a solar cell using an amorphous semiconductor material has a feature that it has a high degree of freedom in substrate selection and output design and can be manufactured at low cost.
[0003]
The structure of a conventional solar cell module using such an amorphous semiconductor will be described with reference to a cross-sectional view shown in FIG.
[0004]
In the figure, reference numeral 1 denotes a substrate made of glass, and light enters from the light receiving surface A side of the substrate 1 as indicated by an arrow in the figure. A photovoltaic element 2 made of an amorphous semiconductor is formed on the light transmission surface B of the substrate 1. The photovoltaic element 2 includes a first electrode 11 made of a light-transmitting conductive material such as SnO ₂ , ITO or ZnO on the light transmission surface B of the substrate 1, and an amorphous semiconductor made of a pin junction. And a second electrode 13 made of a highly reflective material such as Ag and Al are laminated in this order. Moreover, the adjacent photovoltaic element 2 is electrically connected in series by the 2nd electrode 13 being embed | buried in the isolation | separation part between the adjacent photoelectric converting layers 12, and the 1st electrode 11 being contacted.
[0005]
Furthermore, 3 is a coating layer provided so as to cover the surface of the photovoltaic element 2 in order to prevent the surface of the photovoltaic element 2 from being scratched or the like during work in a post process, It is formed using an epoxy resin. Further, the electromotive force generated in the photovoltaic element 2 is taken out from the first electrode and the second electrode of the photovoltaic element 2 located at both ends via lead wires (not shown).
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
The solar cell module having such a configuration is usually used by being installed outdoors on the roof of a house or the roof of a building. Therefore, the substrate 1 arranged closest to the light receiving surface is required to have impact resistance against falling objects such as wrinkles and wrinkles. For this reason, conventionally, tempered glass is used as the substrate 1 or the thickness of the substrate 1 is increased. Etc. are used. However, each of these methods has problems such as an increase in cost and an increase in weight, which significantly reduces workability during installation.
[0007]
An object of the present invention is to solve such a conventional problem and to provide a solar cell module that is lightweight and has improved impact resistance at a low cost.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The solar cell module of the present invention is a solar cell module comprising a photovoltaic element made of an amorphous semiconductor on a light transmitting surface of a substrate made of glass, and a protective layer on the light receiving surface of the substrate , The protective layer is characterized in that tin is added to the light receiving surface region of the substrate .
[0010]
The thickness of the pre-Symbol protective layer, 10 Å or more, characterized in that it is a less range 1000 Å. The thickness of the protective layer is more preferably in the range of 100 to 1000 mm.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described with reference to a cross-sectional view shown in FIG. In the figure, parts having the same functions as those in FIG. 7 are denoted by the same reference numerals.
[0013]
Referring to the figure, the present invention is different from the prior art in that a protective layer 10 is provided on a light receiving surface A of a substrate 1 made of glass. In the present invention, the protective layer 10 is composed of a layer containing tin. The protective layer 10 can be formed by diffusing tin from the light receiving surface A side into the substrate 1 and adding tin to the light receiving surface region on the light receiving surface A side in the substrate 1. Alternatively, a tin film may be formed on the light receiving surface A of the substrate 1 by a method such as sputtering or vapor deposition, and this tin film may be used as the protective layer 10. According to such a configuration, the strength of the substrate 1 can be increased, and a solar cell module excellent in impact resistance can be provided. Further, by providing such a protective layer 10, the reflectance of ultraviolet rays at the light receiving surface A of the substrate 1 is increased, and the strength deterioration of the substrate 1 due to ultraviolet rays can be suppressed.
[0014]
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to cross-sectional views according to processes shown in FIG.
[0015]
First, in the first step shown in FIG. 1A, a tin film having a thickness of about 2000 to 3000 mm is formed on the light-receiving surface A of the substrate 1 made of a glass plate having a size of 1 m × 1 m and a thickness of 4 mm by using a vapor deposition method. 20 was formed.
[0016]
Next, in the second step shown in FIG. 5B, after heating the substrate 1 having the tin film 20 formed on the light receiving surface A to about 700 ° C. and maintaining that state for about 5 to 10 minutes. By slowly cooling, tin was thermally diffused in the substrate 1 to form a protective layer 10 in which tin was added to the light receiving surface region of the substrate 1. Then, the tin film 20 was removed by etching.
[0017]
Next, in the third step shown in FIG. 3C, an SnO ₂ film having a thickness of about 8000 mm is formed on the light transmission surface B of the substrate 1 by using a thermal CVD method, and this SnO ₂ film is formed by a laser scribing method. The film was divided into a plurality of regions to form a plurality of first electrodes 11.
[0018]
Further, in the fourth step shown in FIG. 4D, the p-type amorphous silicon carbide is formed on the entire surface of the light transmission surface B of the substrate 1 including the first electrode 11 by using the plasma CVD method. A p-type layer having a thickness of about 100 mm, an i-type layer having a thickness of about 4000 mm made of intrinsic amorphous silicon, and an n-type layer having a thickness of about 200 mm made of n-type amorphous silicon were formed in this order. Then, these stacked films were divided into a plurality of regions by a laser scribing method to form a plurality of photoelectric conversion layers 12.
[0019]
Then, in the fifth step shown in FIG. 5E, a silver film is formed on the entire surface of the light transmission surface B of the substrate 1 including the photoelectric conversion layer 12 by sputtering, and laser scribe is used. A plurality of second electrodes 13 were formed by dividing the silver film into a plurality of regions.
[0020]
Finally, an epoxy resin was applied to the entire surface of the substrate 1 including the second electrode 13 on the light transmission surface B to form the coating layer 3, and the solar cell module shown in FIG. 1 was manufactured.
[0021]
And the solar cell which changed the thickness of the protective layer 10 by controlling the film thickness of the tin film 20 formed on the light-receiving surface A of the base 1 in the first step or the time of thermal diffusion in the second step, etc. A plurality of modules were produced, and impact resistance tests were performed on these solar cell modules. The impact resistance test was carried out on two types immediately after production and one after outdoor exposure for one year.
[0022]
Here, the impact resistance test was carried out using a falling test (simple test method) defined in JIS standard C8938. That is, the light receiving surface A of the base 1 is fixed horizontally and the steel ball with a mass of 227 ± 2 g and a diameter of about 38 mm is dropped from the height of 1 m without applying force to the center of the base 1. Then, the presence or absence of breakage was examined, and those that did not break were regarded as non-defective products and those that broke were regarded as defective.
[0023]
FIG. 3 is a characteristic diagram showing the results of such an impact resistance test. The vertical axis represents the yield of good products and the horizontal axis represents the film thickness of the protective layer. Moreover, the result of having tested with respect to the solar cell module immediately after manufacture is shown as a continuous line, and the result of having tested with respect to the solar cell module after being exposed outdoors for 1 year is shown with a broken line.
[0024]
As shown by the solid line in the figure, in the solar cell module immediately after manufacture, it can be seen that the yield can be improved to 95% or more by setting the thickness of the protective layer to 10 mm or more. Also, as shown by the broken line, the solar cell module exposed outdoors for one year also has a significantly lower yield when the protective layer thickness is less than 10 mm, compared to that immediately after manufacture. The yield was improved by increasing the thickness of the film, and the yield was improved to 95% or more even after outdoor exposure for one year by setting the thickness of the protective layer to 100 mm or more. The reason why the yield is improved even after outdoor exposure by providing the protective layer in this way is to increase the reflectance of the ultraviolet ray on the light receiving surface of the substrate by providing the protective layer, and suppress the decrease in the strength of the substrate due to the ultraviolet ray. It is thought that it was due to being able to.
[0025]
FIG. 4 is a characteristic diagram showing the photoelectric conversion characteristics of the solar cell module immediately after production used in the impact resistance test. The vertical axis shows the relative value of photoelectric conversion efficiency, and the horizontal axis shows the film thickness of the protective layer. As shown in the figure, the photoelectric conversion efficiency gradually decreases as the thickness of the protective layer is increased, and when the protective layer thickness exceeds 1000 mm, the photoelectric conversion efficiency reaches 95% or less when the protective layer is not provided. It turns out that it falls. The reason why the photoelectric conversion efficiency decreases as the thickness of the protective layer is increased in this way is considered to be that its light transmission characteristics are gradually decreased by adding tin to the substrate. Therefore, from the results of FIGS. 3 and 4, the thickness of the protective layer is preferably in the range of 10 to 1000 mm, and more preferably in the range of 100 to 1000 mm.
[0026]
(Second embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described. This embodiment differs from the first embodiment in that a tin film formed by sputtering on the light receiving surface A of the substrate 1 in the first embodiment described above is used as the protective layer 10. Is the same as in Example 1.
[0027]
Also in this example, a solar cell module in which the thickness of the protective layer 10 is changed by controlling the sputtering conditions is manufactured, and impact resistance tests are performed on two types immediately after manufacture and after outdoor exposure for one year. went. The result is shown in the characteristic diagram of FIG.
[0028]
As shown in the figure, in the present example, as indicated by the solid line, it was found that the yield of the solar cell module immediately after manufacture can be improved to 95% or more by setting the thickness of the protective layer to 5 mm or more. . Moreover, in the solar cell module after outdoor exposure for 1 year shown with a broken line, it turned out that a yield can be improved to 95% or more by making the film thickness of a protective layer into 50 mm or more.
[0029]
Moreover, the photoelectric conversion characteristic was measured also about the present Example solar cell module. The result is shown in the characteristic diagram of FIG. From the figure, it was found that in the case of this example, when the thickness of the protective layer is larger than 500 mm, the photoelectric conversion efficiency is reduced to less than 95% in the case where the protective layer is not provided.
[0030]
Therefore, from the results of FIGS. 5 and 6, in this embodiment, the thickness of the protective layer is preferably in the range of 5 to 500 mm, and more preferably in the range of 50 to 500 mm.
[0031]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, by providing a protective layer on the light-receiving surface of the substrate, it is possible to provide a solar cell module with excellent impact resistance and to suppress a decrease in strength of the substrate due to ultraviolet rays. .
[0032]
Furthermore, since the protective layer is thin, the weight does not increase, a lightweight solar cell module can be provided, and an increase in cost can be suppressed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a solar cell module according to the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view for each process for explaining a manufacturing process of the solar cell module of the present invention.
FIG. 3 is a characteristic diagram showing the relationship between the impact resistance of the solar cell module according to the first example and the film thickness of the protective layer.
FIG. 4 is a characteristic diagram showing the relationship between the photoelectric conversion characteristics of the solar cell module according to the first example and the film thickness of the protective layer.
FIG. 5 is a characteristic diagram showing the relationship between the impact resistance of the solar cell module according to the second example and the thickness of the protective layer.
FIG. 6 is a characteristic diagram showing the relationship between the photoelectric conversion characteristics of the solar cell module according to the second example and the film thickness of the protective layer.
FIG. 7 is a cross-sectional view of a conventional solar cell module.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base | substrate, 2 ... Photovoltaic element, 3 ... Covering layer, 10 ... Protective layer

Claims

ガラスからなる基体の光透過面上に非晶質半導体からなる光起電力素子を備え、且つ前記基体の受光面に保護層を備えた太陽電池モジュールであって、
前記保護層は、前記基体の受光面領域に錫が添加されてなることを特徴とする太陽電池モジュール。 A solar cell module comprising a photovoltaic element made of an amorphous semiconductor on a light transmission surface of a substrate made of glass, and a protective layer on the light receiving surface of the substrate ,
The solar cell module , wherein the protective layer is formed by adding tin to a light receiving surface region of the substrate .

前記保護層の厚みが、１０Å以上、１０００Å以下の範囲であることを特徴とする請求項１記載の太陽電池モジュール。 2. The solar cell module according to claim 1, wherein the thickness of the protective layer is in a range of 10 to 1000 mm.