JP3791898B2 - ラミネート方法 - Google Patents

Description

【０００１】
本発明は、回路付サスペンション基板の最終工程の基材上にフィルムをラミネートするラミネート方法、詳しくは、回路付サスペンション基板の最終工程の基材上にドライフィルムレジストなどをラミネートするラミネート方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、フレキシブル配線回路基板や回路付サスペション基板などの配線回路基板の製造工程の途中において、例えば、ステンレス箔などからなる金属支持層、ポリイミドフィルムなどからなる絶縁層、または、銅箔などからなる導体層などが、単層または多層として積層されている各種の基材に、めっきにより導体回路パターンを形成する場合や、エッチングにより所定のパターンを形成する場合には、めっきレジストやエッチングレジストなどのドライフィルムレジストを、基材上にラミネートして、そのラミネートされたドライフィルムレジストを所定のパターンに加工することによって、めっきやエッチングをしないその他の部分を被覆するようにした後、そのドライフィルムレジストをレジストとして、めっきを行なったり、基材をエッチングしたりしている。
【０００３】
このようなドライフィルムレジストを基材上にラミネートする工程においては、ラミネートしたドライフィルムレジストと基材との間に、気泡溜まりが生じて、パターンの形状不良を生じる場合がある。
【０００４】
そのため、そのような気泡溜まりが生じないように、ドライフィルムレジストを基材上にラミネートする方法として、従来より、例えば、ヒートロールを備える真空ラミネータを用いて、減圧雰囲気下において、ヒートロールによって、加熱しつつ加圧する方法、例えば、複数のヒートロールを備える多段ラミネータを用いて、常圧雰囲気下において、複数のヒートロールによって、多段で、加熱しつつ加圧する方法、例えば、基材上にドライフィルムレジストをラミネートした後、オートクレーブを用いて、高温高圧雰囲気下で一定時間保持する方法などが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ヒートロールを備える真空ラミネータを用いる方法では、気泡溜まりの発生を低減することはできるが、パターンによっては、大きな気泡溜まりを生じる場合がある。また、多段ラミネータを用いる方法では、確かに１段目よりも２段目の方が気泡溜まりが低減するが、その効果は小さい。さらに、オートクレーブを用いる方法では、気泡溜まりをかなり減少させることができるが、処理に時間がかかり、また、一度に処理できる量が少ない。
【０００６】
一方、近年においては、配線回路基板の高密度化や小型化が進み、それに伴なって、金属支持層、絶縁層または導体層などからなる基材も、様々の仕様のものが要求されるようになってきており、例えば、数十μｍを超える段差を有する基材に、ドライフィルムレジストをラミネートしなければならない場合も多く、そのような場合には、その段差の部分において、ドライフィルムレジストが基材上に良好に密着せずに気泡溜まりを生じてしまい、上記した方法では、そのような気泡溜まりを効率的に低減することがきわめて困難な場合も多い。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであって、その目的とするところは、回路付サスペンション基板の最終工程の基材上にフィルムをラミネートする工程において、簡易な構成によって、フィルムと基材との間に生じる気泡溜まりを低減して、良好なラミネートを実現し得る、ラミネート方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、回路付サスペンション基板の最終工程の基材上にフィルムをラミネートするラミネート方法であって、前記基材は、金属支持層の上にベース絶縁層が形成され、前記ベース絶縁層の上に導体層が形成され、前記導体層がカバー絶縁層によって被覆され、前記金属支持層の上面と前記カバー絶縁層の上面との間には、１０〜５０μｍの段差が形成されており、減圧雰囲気下において、前記フィルムを、少なくとも前記段差上に重ねて、前記段差に対して直交する方向にラミネートするように、加熱しつつ押圧する第１の工程、および、前記第１の工程においてフィルムが重ねられた基材を、前記第１の工程におけるフィルムの積層後、２００秒以内に、常圧雰囲気下において、前記段差に対して直交する方向に、加熱しつつ押圧する、または、加熱する第２の工程を含んでいることを特徴としている。
【０００９】
このような方法では、第１の工程において、減圧雰囲気下で、基材の少なくとも段差上にフィルムが重ねられた後、その段差に対して直交する方向にラミネートするように、加熱しつつ押圧されるので、フィルムと基材との間に気泡溜まりが生じると、その気泡溜まりの内部は引圧状態となる。そして、第２の工程において、第１の工程におけるフィルムの積層後、２００秒以内に、常圧雰囲気下で、その段差に対して直交する方向に、加熱しつつ押圧するか、または、加熱すれば、その気泡溜まりを被覆するフィルムが流動して、基材に良好に密着される。したがって、このラミネート方法では、たとえ、フィルムと基材との間に気泡溜まりが生じても、その気泡溜まりを、簡易な方法によって、効率的に低減することができ、良好なラミネートを実現することができる。
【００１１】
基材に段差が形成されていると、その基材上にフィルムを重ねて加熱しつつ押圧しても、その段差の低い部分において、フィルムが基材上に良好に密着せず、どうしても気泡溜まりを生じる場合があるが、そのような場合においても、本発明のラミネート方法によれば、第２の工程において、フィルムを基材に密着させて、そのような気泡溜まりを効率的に低減することができる。そのため、本発明のラミネート方法では、１０〜５０μｍの段差が形成されている回路付サスペンション基板の最終工程の基材であっても、その段差部分においてフィルムを良好にラミネートすることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明のラミネート方法に用いるラミネート装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【００１７】
図１において、このラミネート装置には、真空ラミネータ１と、第２ヒートロール２と、上側フィルム５および下側フィルム７がラミネートされる基材１０を巻き取るための巻取ロール３とが、基材１０の巻取方向おける上流側から下流側に沿って、順次、設けられている。
【００１８】
真空ラミネータ１は、真空槽４と、その真空槽４内に、上側フィルム５が巻回されている上側巻回ロール６と、下側フィルム７が巻回されている下側巻回ロール８と、第１ヒートロール９とを備えている。
【００１９】
真空槽４は、槽内が減圧されるように、図示しない真空ポンプなどが接続されるとともに、基材１０を通過させるための上流側通過口１１および下流側通過口１２が、本体の前壁および後壁に、それぞれ開口形成されている。また、上流側通過口１１の上流側近傍および下流側通過口１２の下流側近傍には、真空槽４内の真空度を保持するための上流側真空シールロール１３および下流側真空シールロール１４がそれぞれ設けられている。
【００２０】
上側巻回ロール６および下側巻回ロール８は、真空槽４内を通過する基材１０を挟んで、所定の間隔を隔てて上下方向に対向配置されている。上側巻回ロール６には、基材１０の上側をラミネートするための上側フィルム５が巻回されており、また、下側巻回ロール８には、基材１０の下側をラミネートするための下側フィルム７が巻回されている。
【００２１】
第１ヒートロール９は、互いに対向する１対の上側ロール１５および下側ロール１６からなり、真空槽４内における上流側通過口１１および下流側通過口１２を結ぶ直線上に配置されている。上側ロール１５および下側ロール１６は、図示しないヒータによって加熱されており、その加熱された状態で、基材１０を挟み込んで、その基材１０を送りながら、加熱しつつ押圧するように構成されている。
【００２２】
また、上側ロール１５には、その上方に配置される上側巻回ロール６からの上側フィルム５が引き出されており、また、下側ロール１６には、その下方に配置される下側巻回ロール８からの下側フィルム７が引き出されている。そして、上側ロール１５で、上側フィルム５を基材１０の上側に重ね合わせた状態で押圧するとともに、下側ロール１６で、下側フィルム７を基材１０の下側に重ね合わせた状態で押圧するように構成されている。
【００２３】
第２ヒートロール２は、真空ラミネータ１に対して、基材１０の巻取方向おける下流側に配置され、互いに対向する１対の上側ロール１７および下側ロール１８を備えている。上側ロール１７および下側ロール１８は、図示しないヒータによって加熱されており、その加熱された状態で、上側フィルム５および下側フィルム７が積層された基材１０を挟み込んで、その基材１０を送りながら、加熱しつつ押圧するように構成されている。
【００２４】
また、巻取ロール３は、第２ヒートロール２に対して、基材１０の巻取方向おける下流側に配置され、真空ラミネータ１によって、上側フィルム５および下側フィルム７が積層され、第２ヒートロール２によって、それらが加熱しつつ押圧された基材１０を巻き取るようにしている。
【００２５】
次に、このようなラミネート装置を用いて、基材１０に、上側フィルム５および下側フィルム７をラミネートする方法について説明する。
【００２６】
基材１０としては、回路付サスペンション基板の最終工程の基材が用いられる。
【００２７】
また、上側フィルム５および下側フィルム７としては、例えば、基材１０上にめっきにより導体回路パターンを形成するためのめっきレジストや、基材１０にエッチングによりパターン化するためのエッチングレジストなどのドライフィルムレジストなどが用いられる。このようなドライフィルムレジストは、例えば、軟化点が、８０〜１３０℃、好ましくは、１００〜１１５℃の感光性のホットメルト樹脂によって形成されており、後の工程において、露光および現像するフォトリソグラフ法によって、所定のパターンに加工できるものが用いられる。
【００２８】
また、上側フィルム５および下側フィルム７としては、ドライフィルムレジストの他に、例えば、後述するベース絶縁層３２やカバー絶縁層３４を形成するための絶縁フィルムや、基材１０の各層を接合するための粘着フィルムなど、基材１０を構成する各種のフィルムであってもよい。
【００２９】
また、この方法は、図２（ａ）に示すように、回路付サスペンション基板を製造する最終工程において、適用することができる。すなわち、図２（ａ）において、この基材１０は、回路付サスペンション基板の最終工程の基材であって、金属支持層３１上に所定のパターンでベース絶縁層３２が形成され、そのベース絶縁層３２上に導体層３３が所定の導体回路パターンとして形成され、さらに、その導体層３３がカバー絶縁層３４によって被覆されており、金属支持層３１の上面とカバー絶縁層３４の上面との間には、ベース絶縁層３２、導体層３３およびカバー絶縁層３４の厚さ分の１０〜５０μｍの大きな段差３６が形成されている。
【００３０】
そして、この回路付サスペンション基板の最終工程では、図２（ｂ）に示すように、ドライフィルムレジストからなる上側フィルム５および下側フィルム７をこの基材１０の両面にラミネートした後、図２（ｃ）に示すように、上側フィルム５および下側フィルム７を、露光および現像するフォトリソグラフ法によって、所定のパターンに加工した後、図２（ｄ）に示すように、上側フィルム５および下側フィルム７をレジストとして、金属支持層３１を所定のパターンにエッチングする。
【００３１】
そして、まず、この方法では、第１の工程として、真空ラミネータ１の真空槽４内を、例えば、１０ＫＰａ以下、好ましくは、１．５ＫＰａ以下の減圧雰囲気とした後、例えば、約９０〜１３０℃、好ましくは、約１００〜１１０℃に加熱された上側ロール１５で、上側フィルム５を基材１０の上側の少なくとも段差上に重ね合わせた状態で、段差に対して直交する方向にラミネートするように、加熱しつつ押圧するとともに、同じく、例えば、約８０〜１２０℃、好ましくは、約１００〜１１０℃に加熱された下側ロール１６で、下側フィルム７を基材１０の下側に重ね合わせた状態で加熱しつつ押圧することにより、基材１０の上側および下側に、上側フィルム５および下側フィルム７を重ね合わせて積層する。なお、この第１ヒートロール９の押圧力は、例えば、０．２〜０．５ＭＰａとなるように設定されている。
【００３２】
また、このようにして上側フィルム５および下側フィルム７が重ね合わされた基材１０において、とりわけ、図２（ａ）に示すような、１０〜５０μｍの大きな段差３６を有する基材１０では、第１ヒートロール９によって、上側フィルム５を基材１０上に加熱しつつ押圧しても、その段差３６の近傍の低い部分である金属支持層３１の表面には、上側フィルム５が良好に密着せず、図２（ｂ）に示すように、気泡溜まり３５を生じやすくなる。
【００３３】
すなわち、このような気泡溜まり３５は、例えば、図３（ａ）に示すように、積層時において、第１ヒートロール９が段差３６を乗り上げる時に、第１ヒートロール９の硬度や、段差３６に対する上側フィルム５のラミネート方向３７などに起因して、上側フィルム５が段差３６の角部まで十分に充填されず、その結果、段差３６の近傍にその段差３６に沿った線状の隙間４２が残り、次いで、図３（ｂ）に示すように、第１ヒートロール９が段差３６に乗り上がった時に、その上側フィルム５が押し戻されるとともに、表面張力の作用によって、その直線状の隙間が丸状となることにより形成される。そして、段差３６に積層された上側フィルム５は、第１ヒートロール９から送り出されるとすぐに冷えてしまうので、上側フィルム５は、その内部が引圧状態となる気泡溜まり３５を生じたまま流動性を失って、その気泡溜まり３５を被覆する部分において残留応力が生じるようになる。
【００３４】
このようにして生じた気泡溜まり３５は、例えば、図２（ｃ）に示すように、上側フィルム５および下側フィルム７を所定のパターンに加工して、下側フィルム７に金属支持層３１のエッチング部分３８を形成した時に、そのエッチング部分３８に重なっていると、エッチング部分３８の周りも上側フィルム５によって被覆されない状態となるため、図２（ｄ）に示すように、金属支持層３１を所定のパターンにエッチングする時においては、そのエッチング部分３８の周りもエッチングされてしまい、パターンの形状不良を生じる。
【００３５】
また、このような気泡溜まり３５は、上記したように、第１ヒートロール９が段差３６を乗り上げる時に生じるので、例えば、図４に示すような回路付サスペンション３０においては、そのラミネート方向３７に対して直交する部分３９において、特に発生しやすく、その他のラミネート方向３７に沿う部分４０や、ラミネート方向３７に対して傾斜する部分４１においては、発生しにくい。
【００３６】
次いで、この方法では、第２の工程として、常圧雰囲気において、上側フィルム５および下側フィルム７の軟化点以上、例えば、約９０〜１３０℃、好ましくは、約１００〜１１０℃に加熱された第２ヒートロール２の上側ロール１７および下側ロール１８で、上側フィルム５および下側フィルム７が積層された基材１０を挟み込んで、その基材１０を送りながら、段差に対して直交する方向に、加熱しつつ押圧する。なお、この第２ヒートロール２の押圧力は、例えば、０．２〜０．５ＭＰａとなるように設定されている。
【００３７】
このように、常圧雰囲気下において、上側フィルム５および下側フィルム７の軟化点以上に加熱しつつ押圧すれば、上側フィルム５および下側フィルム７が熱によって再び流動するので、段差３６の近傍に発生した気泡溜まり３５は、その内部が引圧状態となっていることから、残留応力の緩和によって押しつぶされて、例えば、図３（ｃ）に示すように、パターンの形成に影響がない程度に収縮される。
【００３８】
そのため、このようなラミネート方法によれば、たとえ、上側フィルム５および下側フィムル７と基材１０との間、とりわけ、段差３６の近傍に、気泡溜まり３５が生じても、その気泡溜まり３５を、簡易な方法によって、効率的に低減することができ、良好なラミネートを実現することができる。したがって、めっき時やエッチング時において、良好なパターンを形成することができる。
【００３９】
また、このようなラミネート方法では、第２の工程において、とりわけ、上側フィルム５を流動させて、気泡溜まり３５を収縮させればよいため、例えば、第２ヒートロール２に代えて、図５に示すように、加熱手段および温風加熱ヒータとしてブロワ１９を用い、圧力をかけずに、段差に対して直交する方向に加熱するのみでもよい。すなわち、図５に示すラミネート装置では、ブロワ１９が、真空ラミネータ１に対して、基材１０の巻取方向おける下流側において、基材１０の上方に配置されている。このブロワ１９は、温風の吹出口２０が下向きとされ、上側フィルム５に向けて温風を吹き出すように構成されている。
【００４０】
そのため、図５に示すラミネート装置を用いた場合には、第２の工程では、常圧雰囲気において、ブロワ１９によって、上側フィルム５の軟化点以上、例えば、約１５０〜２００℃、好ましくは、約１６０〜１８０℃に加熱された温風が、その吹出口２０から、基材１０の上側フィルム５に吹き付けられる。そうすると、上側フィルム５が熱によって再び流動するので、段差３６の近傍に発生した気泡溜まり３５は、その内部が引圧状態となっていることから、残留応力の緩和によって押しつぶされて、上記と同様に、例えば、図３（ｃ）に示すように、パターンの形成に影響がない程度に収縮される。
【００４１】
さらに、例えば、第２ヒートロール２に代えて、図６に示すように、加熱手段として赤外線または遠赤外線のヒータ２１を用いてもよい。すなわち、図６に示すラミネート装置では、ヒータ２１が、真空ラミネータ１に対して、基材１０の巻取方向おける下流側において、基材１０の上方に配置されている。このヒータ２１は、赤外線または遠赤外線の放射面２２が下向きとされ、上側フィルム５に向けて赤外線または遠赤外線を放射するように構成されている。
【００４２】
そのため、図６に示すラミネート装置を用いた場合には、第２の工程では、常圧雰囲気において、ヒータ２１によって、赤外線または遠赤外線が、基材１０の上側フィルム５に照射される。そうすると、上側フィルム５が、熱によって軟化点以上になると再び流動するので、段差３６の近傍に発生した気泡溜まり３５は、その内部が引圧状態となっていることから、残留応力の緩和によって押しつぶされて、上記と同様に、例えば、図３（ｃ）に示すように、パターンの形成に影響がない程度に収縮される。
【００４３】
なお、この方法では、真空ラミネータ１において、基材１０の上側および下側に、上側フィルム５および下側フィルム７を重ね合わせて積層した後、なるべく早く、第２ヒートロール２によって加熱しつつ押圧する（または、ブロワ１９やヒータ２１によって加熱する）ことが好ましい。基材１０の上側および下側に、上側フィルム５および下側フィルム７を重ね合わせて積層した後、一定時間が経過すると、大気から上側フィルム５を浸透して気泡溜まり３５に空気が入り、第２ヒートロール２で加熱しつつ押圧（または、ブロワ１９やヒータ２１によって加熱）しても、気泡溜まり３５が良好に収縮されない場合がある。
【００４４】
そのため、より具体的には、真空ラミネータ１において、基材１０の上側および下側に、上側フィルム５および下側フィルム７を重ね合わせて積層した後、２００秒以内に、第２ヒートロール２によって、段差に対して直交する方向に、加熱しつつ押圧（または、ブロワ１９やヒータ２１によって加熱）する。
【００４５】
また、第２の工程においては、ブロワ１９や赤外線または遠赤外線のヒータ２１を用いて加熱のみを行なうよりも、第２ヒートロール２を用いて、段差に対して直交する方向に、加熱しつつ加圧する方が、より気泡溜まり３５を収縮させることができるが、ブロワ１９や、赤外線または遠赤外線のヒータ２１を用いた場合には、それらの装置は、基材と接触しないのでメンテナンスが容易となる。
【００４７】
また、上記の説明では、基材１０の両面に上側フィルム５および下側フィルム７をラミネートしたが、その目的および用途によって、上側フィルム５のみをラミネートしてもよく、また、このラミネート装置において、基材１０は、真空ラミネータ１および第２ヒートロール２（または、ブロワ１９やヒータ２１）を通過できればよく、巻取ロール３によって巻き取る構成に代えて、その他の基材１０の搬送手段を用いて、基材１０を、真空ラミネータ１および第２ヒートロール２（または、ブロワ１９やヒータ２１）に搬送するようにしてもよい。
【００４８】
【実施例】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
【００４９】
実施例１
厚さ２５μｍのステンレス箔上に、ポリアミック酸樹脂の溶液を塗工し、乾燥後、３５０℃でイミド化させることにより、厚さ１０μｍのポリイミドからなるベース絶縁層を形成した。次いで、ベース絶縁層上に、厚さ１０μｍの銅からなる導体層を、セミアディティブ法により所定の導体回路パターンとして形成した後、その導体層上に、ポリアミック酸樹脂の溶液を塗工し、乾燥後、３５０℃でイミド化させることにより、厚さ４μｍのポリイミドからなるカバー絶縁層を形成した。この基材は、図２（ａ）に示す基材に相当し、２４μｍの段差が形成された。
【００５０】
次いで、この基材の両面に、図１に示すラミネート装置を用いて、ドライフィルムレジストをラミネートした。すなわち、まず、真空ラミネータにおいて、減圧雰囲気下、基材の両面に、ドライフィルムレジストを積層した。この時のラミネート条件は、下記の通りである。
【００５１】
ドライフィルムレジスト：軟化点１００〜１１５℃のホットメルト樹脂系ドライフィルムレジスト
真空槽内の真空度：１．５ＫＰａ
第１ヒートロールの表面温度：約１１０℃
第１ヒートロールの圧力：０．４ＭＰａ
巻取ロールの搬送速度：０．５ｍ／分
その後、ドライフィルムレジストが積層された基材中に発生した気泡溜まりを光学顕微鏡で観察した。その気泡溜まりの直径は、約１４０μｍであった。また、この基材を水中に沈めて、ドライフィルムレジストにおける気泡溜まりの部分に孔を開けたところ、その内部に水が充填されたので、これによって、気泡溜まりが引圧状態となっていることを確認することができた。
【００５２】
次いで、第２ヒートロールによって、ドライフィルムレジストが積層された基材を、下記の条件で加熱しつつ押圧した。
【００５３】
第２ヒートロールの表面温度：約１１０℃
第２ヒートロールの圧力：０．４ＭＰａ
巻取ロールの搬送速度：０．５ｍ／分
その後、ドライフィルムレジストが積層された基材中の気泡溜まりを光学顕微鏡で観察した。その気泡溜まりの直径は、約３０μｍで、約１／５まで収縮していることが確認された。
【００５４】
なお、この第２ヒートロールによる加熱および押圧は、別途、真空ラミネータでの積層に連続して行ない、真空ラミネータから送り出された後、約２００秒後に第２ヒートロールによって加熱しつつ押圧した。
【００５５】
実施例２
図５に示すラミネート装置を用いた以外は、実施例１と同様の操作により、ドライフィルムレジストを基材にラミネートした。なお、ブロワの熱風温度は、約１７０℃で、その処理時間は、約６０秒であった。また、実施例１と同様に、ドライフィルムレジストが積層された基材中の気泡溜まりを光学顕微鏡で観察した。その気泡溜まりの直径は、約３７μｍであった。
【００５６】
実施例３
図６に示すラミネート装置を用いた以外は、実施例１と同様の操作により、ドライフィルムレジストを基材にラミネートした。なお、ヒータは、赤外線ヒータを用い、その処理時間は、約６０秒であった。また、実施例１と同様に、ドライフィルムレジストが積層された基材中の気泡溜まりを光学顕微鏡で観察した。その気泡溜まりの直径は、約３７μｍであった。
【００５７】
比較例１
市販の多段ラミネータ装置を用いて、実施例１と同様の基材の両面に、ドライフィルムレジストをラミネートした。なお、この多段ラミネータは、２つのヒートロールを備えており、ラミネートは、常圧雰囲気下において、それぞれのヒートロールで加熱しつつ押圧することを、２回繰り返すことにより行なった。その後、実施例１と同様に、ドライフィルムレジストが積層された基材中の気泡溜まりを光学顕微鏡で観察した。その気泡溜まりは、多数箇所にあり、中には直径２００μｍを越えるものもあった。
【００５８】
比較例２
市販のラミネータ装置を用いて、実施例１と同様の基材の両面に、ドライフィルムレジストをラミネートした後、市販のオートクレーブを用いて、５０℃、０．５ＭＰａで保持した。そして、実施例１と同様に、ドライフィルムレジストが積層された基材中の気泡溜まりを光学顕微鏡で観察したところ、気泡溜まりが消失するまでに、１時間以上の長い時間を要した。
【００５９】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明のラミネート装置を用いて、本発明のラミネート方法を行なうと、たとえ、フィルムと基材との間に気泡溜まりが生じても、その気泡溜まりを、簡易な方法によって、効率的に低減することができ、良好なラミネートを実現することができる。そのため、１０〜５０μｍの段差が形成されている回路付サスペンション基板の最終工程の基材であっても、その段差部分においてフィルムを良好にラミネートすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のラミネート方法に用いるラミネート装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【図２】 回路付サスペンション基板を製造する最終工程を説明するための工程図であって、
（ａ）は、回路付サスペンション基板の最終工程の基材を示す要部断面図、
（ｂ）は、上側フィルムおよび下側フィルムを、基材の両面にラミネートする工程を示す要部断面図、
（ｃ）は、上側フィルムおよび下側フィルムを、所定のパターンに加工する工程を示す要部断面図、
（ｄ）は、上側フィルムおよび下側フィルムをレジストとして、金属支持層を所定のパターンにエッチングする工程を示す要部断面図である。
【図３】 図２に示す回路付サスペンション基板を製造する最終工程において、気泡溜まりが発生する過程を説明するための要部平面図であって、
（ａ）は、段差に沿った線状の隙間が生じた状態を示す要部平面図、
（ｂ）は、直線状の隙間が丸状の気泡溜まりとなった状態を示す要部断面図、
（ｃ）は、気泡溜まりが収縮された状態を示す要部断面図である。
【図４】 回路付サスペンション基板における気泡溜まりが発生する部分と、ラミネート方向との関係を説明するための要部平面図である。
【図５】 図１と異なる実施形態のラミネート装置（第２ヒートロールに代えてブロワを備える）を示す概略構成図である。
【図６】 図１と異なる実施形態のラミネート装置（第２ヒートロールに代えて赤外線または遠赤外線ヒータを備える）を示す概略構成図である。
【符号の説明】
２ 第２ヒートロール
４ 真空槽
５ 上側フィルム
７ 下側フィルム
９ 第１ヒートロール
１０ 基材
１９ ブロワ
２１ 赤外線または遠赤外線ヒータ
３６ 段差

Claims (1)

1. 回路付サスペンション基板の最終工程の基材上にフィルムをラミネートするラミネート方法であって、
   前記基材は、金属支持層の上にベース絶縁層が形成され、前記ベース絶縁層の上に導体層が形成され、前記導体層がカバー絶縁層によって被覆され、前記金属支持層の上面と前記カバー絶縁層の上面との間には、１０〜５０μｍの段差が形成されており、
   減圧雰囲気下において、前記フィルムを、少なくとも前記段差上に重ねて、前記段差に対して直交する方向にラミネートするように、加熱しつつ押圧する第１の工程、および、
   前記第１の工程においてフィルムが重ねられた基材を、前記第１の工程におけるフィルムの積層後、２００秒以内に、常圧雰囲気下において、前記段差に対して直交する方向に、加熱しつつ押圧する、または、加熱する第２の工程を含んでいることを特徴とする、ラミネート方法。

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