JP3784312B2 - 塗布膜形成装置及びその方法 - Google Patents
塗布膜形成装置及びその方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3784312B2 JP3784312B2 JP2001370266A JP2001370266A JP3784312B2 JP 3784312 B2 JP3784312 B2 JP 3784312B2 JP 2001370266 A JP2001370266 A JP 2001370266A JP 2001370266 A JP2001370266 A JP 2001370266A JP 3784312 B2 JP3784312 B2 JP 3784312B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- unit
- coating
- supply nozzle
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は例えば半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用のガラス基板、またはフォトマスク用のレチクル基板といった各種基板に塗布液の供給を行い、その基板の表面に塗布液の液膜を形成する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスやLCDの製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィと呼ばれる技術により被処理基板へのレジスト処理が行われている。この技術は、例えば半導体ウエハ(以下ウエハという)にレジスト液を塗布して当該表面に液膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行うことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行われるものである。この工程を行うにあたっては、従来から例えば塗布ユニット、現像ユニット、及びこれらユニットの処理に対する前後の処理を行うための加熱ユニット、冷却ユニット、並びにこれら各ユニットの間で被処理基板の受け渡しを行うためのメインアームを備えたパターン形成装置が用いられている。
【0003】
パターン形成装置におけるレジスト液の塗布ユニットとしては、例えば図16に示すようなレールRに沿って移動自在な基板保持部11により、被塗布基板であるウエハWを裏面側から吸着保持すると共に、この保持されたウエハWの上方に、レジスト液の吐出口が当該ウエハWと対向するようにノズル12を設け、このノズル12を図示しないガイド部材に沿ってX方向に往復させると共にウエハWをY方向に間欠送りし、いわゆる一筆書きの要領でウエハWの表面全体にレジスト液を供給していくものが知られている。このような塗布装置では、例えばレジスト液がウエハWの外縁にこぼれ落ちると、当該部位に付着したレジスト液がパーティクルとなって飛散するおそれがあることから、ウエハWにおけるデバイス形成が行われる被塗布領域以外の部分にレジスト液が付着することを極力抑える必要があり、例えば図17及び図18に示すような一対の液受け部13(13a,13b)が用いられている。
【0004】
液受け部13(13a,13b)は、図示するようにノズル12の移動領域における両端部にX方向に進退自在に設けられており、塗布処理時にはウエハWの被塗布領域14の幅に応じて移動するように制御部15から制御される構成とされている。この進退制御について具体的に説明すると、先ず基板保持部12には既述の図示しないメインアームから当該基板保持部11の上に載置される。制御部15には、基板保持部11のY座標の位置と液受け部13(13a,13b)の離間距離αとを対応付けたテーブルが記憶されており、そのテーブルは例えば(Y=−99mm,α=○○mm),(Y=−98.5mm,α=△△mm),(Y=−98.0mm,α=□□mm)…といった具合に記述されている。Y=−100mmは、ウエハWの先端が例えば液受け部13aの中央と液受け部13bの中央とを結ぶ線に位置しているときの基板保持部11の位置であり、ウエハWが図18中の矢印の方向に前進するにつれてYの値が例えば0.5mmずつ少なくなる。このように基板保持部11のY座標位置に応じて液受け部13a,13bの離間距離αがX方向に対称に変化し、これによりウエハW上のデバイス形成領域にレジスト液が塗布される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ここで基板保持部11にウエハWを受け渡すメインアームは、例えばウエハWの周縁を囲む馬蹄形状をなしていて、ウエハWの周縁を規制するように構成されており、例えばウエハWが直径300mmサイズのものであればサイズのばらつきの範囲内で最大のウエハW例えば直径300.5mmのウエハWが保持できるように構成される。従ってウエハWの周縁とメインアームの内周部分との間には通常僅かな隙間があり、ばらつきあるウエハの中でもサイズの小さなものほど前記隙間が大きくなる。
【0006】
このようにメインアームはウエハWの周縁を規制しているため、ウエハWは加熱ユニット或いは冷却ユニットのプレート上の予定としている位置にほぼ正確に載置され、また塗布ユニットの基板保持部11においても同様である。従って図18に示すようにウエハWの中心線βは液受け部13a,13b間のほぼ中央に位置するのでウエハWの周縁よりも少し内方に寄った位置までレジスト液を塗布することができる。
【0007】
ところで、これまではウエハWの周縁から5mm程度の位置までを被塗布領域としていたため、ウエハWの中心線βと液受け部13a,13b間の中心とが概ね一致していれば支障はなかったが、今後ウエハWをできるだけ無駄なく使用するために被塗布領域をウエハWの周縁から例えば2mm程度の位置まで形成しようとすると、マスク領域16の長さが極めて短くなる。ウエハWの周縁から定められた寸法分内側までレジスト液を塗布しようとする場合、液受け部13の離間距離αはウエハWの中心線βが一対の液受け部13a,13bのの中間点から偏位したときのことを見込んで、ウエハWのY方向位置に応じた被塗布領域の長さよりも若干マージンをとって大きくする必要があるが、このマージンを大きくするとウエハWが寄った側と反対側の液受け部13がウエハWの周縁よりも外側に位置してしまう。このためウエハWの周縁から例えば2mmの位置までレジスト液を塗布しようとすると、メインアームでウエハWを保持したときにおけるウエハWのサイズのばらつきに起因した保持位置のばらつきが、ウエハWの周縁にレジスト液が付着する要因となってしまうことがある。ウエハWの周縁に付着したレジスト液はパーティクルの発生要因となりやすく、歩留まりに大きな影響を与えてしまう。従ってウエハWの周縁に近づけてレジスト液を塗布することができないという課題があった。
【0008】
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、基板に対して塗布液を線状にスキャン塗布して当該基板の表面に塗布液の液膜を形成するにあたり、被塗布領域を基板の周縁に近付けることで基板をより有効に利用できる技術を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る塗布膜形成装置は、半導体ウエハである基板の表面に塗布液の液膜を形成する塗布膜形成装置において、
前記基板を水平に保持する基板保持部と、
この基板保持部をX方向に移動させかつ鉛直軸まわりに回転させるための第1の駆動部と、
前記基板保持部に保持された基板と対向して設けられ、該基板に塗布液を吐出しながらX方向に往復移動する供給ノズルと、
前記供給ノズルの移動領域の両端部において前記供給ノズルからの塗布液を受け止めて被塗布領域を規制することができるように、互いにX方向に対称に進退自在に設けられる一対の液受け部と、
前記供給ノズルをX方向に移動させて基板上に塗布液を直線状に塗布した後、この直線状の塗布領域がY方向に並べられるように基板保持部を供給ノズルに対して相対的にY方向に間欠移動させるための第2の駆動部と、
前記基板保持部に保持された基板を回転させたときに各回転位置における基板の周縁を検出し、その検出データに基づき基板の中心位置を検出する位置検出手段と、
この位置検出手段の検出結果に基づいて、基板の中心のX座標位置と前記一対の液受け部の離間距離の中間点のX座標位置とが一致するように前記第1の駆動部を介して基板保持部をX方向に移動させる位置合わせ手段と、を備えたことを特徴とする。
【0010】
このような構成によれば、基板に対して塗布液の供給を開始するのに先立ち、基板保持部に保持された基板の中心位置が、例えば所定の塗布開始位置にくるように予め位置の調整を行っておくことができる。従って、これまで基板上の被塗布領域と実際の塗布液の供給範囲との誤差を考慮し、余裕をもたせていた液受け部による被塗布領域の規制範囲を狭めることができ、結果として基板の有効なデバイス領域を広げることが可能となる。
【0011】
また他の発明に係る塗布膜形成装置は、複数の半導体ウエハである基板を収納した基板カセットが載置されるカセットステーションと、
前記基板の表面に塗布液の液膜を形成する塗布ユニットと、
この塗布ユニットにて行われる塗布処理の前処理または後処理を行う複数の処理ユニットと、
前記カセットステーション内の基板カセットから取り出された基板に対し、基板の周縁を規制した状態で保持することにより前記処理ユニットにおける処理に対しては影響が生じない程度に基板の中心の位置合わせを行うと共に、塗布ユニット及び処理ユニットの間で搬送する搬送アームを備えた基板搬送手段と、を備え、
前記塗布ユニットは、前記基板を水平に保持する基板保持部と、
この基板保持部をX方向に移動させかつ鉛直軸まわりに回転させるための第1の駆動部と、
前記基板保持部に保持された基板と対向して設けられ、該基板に塗布液を吐出しながらX方向に往復移動する供給ノズルと、
前記供給ノズルの移動領域の両端部において前記供給ノズルからの塗布液を受け止めて被塗布領域を規制することができるように、互いにX方向に対称に進退自在に設けられる一対の液受け部と、
前記供給ノズルをX方向に移動させて基板上に塗布液を直線状に塗布した後、この直線状の塗布領域がY方向に並べられるように基板保持部を供給ノズルに対して相対的にY方向に間欠移動させるための第2の駆動部と、
前記基板保持部に保持された基板を回転させたときに各回転位置における基板の周縁を検出し、その検出データに基づき基板の中心位置を検出する位置検出手段と、
この位置検出手段の検出結果に基づいて、基板の中心のX座標位置と前記一対の液受け部の離間距離の中間点のX座標位置とが一致するように前記第1の駆動部を介して基板保持部をX方向に移動させる位置合わせ手段と、を備えたことを特徴とする。
【0012】
このような構成によれば、基板搬送手段から塗布ユニット内の基板保持部へ受け渡された基板の中心位置にずれが生じたとしても、その位置のずれを補正して塗布処理を行うことができるため、塗布処理の結果が搬送アームに設けられるあそびの量に左右されることなく基板の有効デバイス領域を広げることができる。
【0013】
また本発明に係る塗布膜形成方法は、半導体ウエハである基板の表面に塗布液の液膜を形成する塗布膜形成方法において、
X方向に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在な基板保持部にて基板を水平に保持する工程と、
前記基板保持部に保持された基板を回転させたときに各回転位置における基板の周縁を検出し、その検出データに基づき基板の中心位置を検出する工程と、
検出された基板の中心位置と一対の液受け部の中間点との間のX方向の誤差を求め、基板の中心位置及び前記中間点の各X座標が一致するように基板保持部を相対的にX方向に移動させる工程と、
その後、前記基板保持部に保持された基板と対向して設けた供給ノズルを、当該基板に向かって塗布液を吐出させながらX方向に往復移動させる工程と、
前記供給ノズルの移動領域の両端部において前記供給ノズルからの塗布液を受け止めて被塗布領域を規制するために前記一対の液受け部を互いにX方向に対称に進退させる工程と、
供給ノズルをX方向に移動させて基板上に塗布液が直線状に塗布された後、この直線状の塗布領域がY方向に並べられるように、基板を供給ノズル及び液受け部に対して相対的にY方向に間欠移動させる工程と、を含むことを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に係る塗布現像装置を、基板に対してレジスト膜を形成し、露光後の基板を現像する塗布・現像装置に適用した実施の形態について説明する。図1及び図2は本実施の形態の全体構造を示すものであり、図中21はカセットステーションであり、例えば25枚の基板であるウエハWを収納したカセットCを載置するカセット載置部22と、載置されたカセットCとの間でウエハWの受け渡しを行うための受け渡しアーム23とが設けられている。この受け渡しアーム23の奥側には筐体24にて周囲を囲まれる処理部S1が接続されている。処理部S1の中央には基板搬送手段をなす主搬送手段3が設けられており、これを取り囲むように例えば奥を見て右側には塗布ユニット4及び現像ユニット25を組合わせてなる液処理ユニットU1が、左側、手前側、奥側には塗布ユニットにて行われる塗布処理の前処理または後処理を行うための処理ユニットや、ウエハWの受け渡しを行うための受け渡し台を備えた受け渡しユニット等を多段に積み重ねて構成される棚ユニットU2,U3,U4が夫々配置されている。
【0015】
棚ユニットU2,U3,U4を構成する処理ユニットには、例えば塗布ユニット4にて塗布液が塗られたウエハWを減圧雰囲気下で乾燥し、該塗布液中に含まれる溶剤を揮発する減圧乾燥ユニット、ウエハWを加熱(ベーク)する加熱ユニット、ウエハWを冷却する冷却ユニット等が含まれる。なお上述した受け渡しユニットは棚ユニットU3及びU4に組み込まれる。また、上述した主搬送手段3は例えば昇降及び前後に移動自在で且つ鉛直軸周りに回転自在な搬送アーム(メインアーム)を備えており、液処理ユニットU1及び棚ユニットU2,U3,U4を構成する各ユニット間でウエハWの受け渡しを行うことが可能となっている。また処理部S1の奥側にはインタ−フェイス部S2が接続されている。インタ−フェイス部S2は例えば昇降自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成された受け渡し手段26により、処理部S1と図示しない露光装置との間でウエハWの受け渡しを行うものである。なお図2では、作図の便宜上受け渡しアーム23及び主搬送手段3を省略している。
【0016】
ここで主搬送手段3の構成について図3〜5を参照しながら説明を行う。図3中31は昇降自在なアーム部であり、ウエハWを保持すると共に複数段例えば3段に設けられる搬送アーム32(32a,32b,32c)と、これらを下方側にて支持する基台33とで構成される。アーム部31の両側方には、当該アーム部31を上下に案内するための一対のガイド部材34が設けられ、その上下端は連結部材35(35a,35b)によって連結されている。また連結部材35bはその下方側を回転台36により支持されており、この回転台36により主搬送手段3は一体的に鉛直軸周りにθ回転できる構成とされている。
【0017】
搬送アーム32(32a,32b,32c)は、夫々がウエハWの周縁部を保持すると共に基台33の長手方向に独立して進退自在に設けられ、その駆動制御は既述の駆動機構37を介して制御部5により行われる。搬送アーム32aを例にとり、その構成について図4(a)を参照して説明すると、先端側には前方側が切欠された馬蹄形状の支持枠p1が形成されており、この支持枠p1の内側にウエハWの周縁を保持及び規制する規制部材をなす支持片p2が複数個例えば3個設けられている。各支持片p2には、図4(b)に図示するように下方内側に傾斜する傾斜面p3が形成され、ウエハWをこの傾斜面p3に沿って上方側から滑り落とし込ませることで、ウエハWの周縁をいつも概ね同じ姿勢で保持及び規制できるようになっている。
【0018】
また搬送アーム32aは、ウエハWを例えば300mm±0.2mmサイズとしたときに、その誤差を考慮して例えば300.5mmまで保持できるように、各支持片p2とウエハWとの間に僅かな遊びをもたせた構成とされている。更にまた、搬送アーム32aは、ウエハWの搬送時において当該搬送アーム32aの中心p4(ウエハWを保持したときのウエハWの中心)がウエハWの受け渡し先におけるウエハWの載置予定位置(例えば後述する塗布ユニット4の基板保持部41の中心q)まで正確に向かうように、予めティーチングによる位置合わせ作業が行われており、こうして得た位置合わせ情報に基づいてウエハWの搬送制御がなされるようになっている。
【0019】
次いで塗布ユニット4について図5及び6を参照しながら説明を行う。図中40は筐体であり、その内部空間は中央にスリット41が形成された仕切り板42にて上下に区画されており、また図示しない気流形成手段により例えば清浄な空気のダウンフローが形成されている。スリット41における長さ方向の幅は、例えばウエハWの被塗布領域の最大幅と略同じとされている。
【0020】
先ず仕切り板42下方側の下部側空間40aから説明すると、43はウエハWを裏面側にて例えば真空吸着して水平保持する基板保持部であり、吸着部44と、吸着部44を昇降自在及び鉛直軸周りに回転自在とするための回転基体45とで構成される。回転基体45はその下端を移動体46によって支持されると共にX方向駆動部47を介して移動体46の上面に設けられるレール47aに沿ってX方向に移動可能とされており、また移動体46はボールネジ機構よりなるY方向駆動部48(作図の便宜上、ボールネジのみを図示)を介して筐体40の底面に設けられるレール48aに沿ってY方向に移動可能とされている。即ち、回転基体45、X方向駆動部47及びレール47aは第1の駆動部に相当し、Y方向駆動部48及びレール48aは第2の駆動部に相当するものであり、夫々の駆動制御は制御部5から行われる。また制御部5は、上記の各駆動部位に設けられる図示しないモータと連結されるパルスエンコーダ等から基板保持部43の位置(座標)及び回転角を把握できるように構成されている。
【0021】
仕切り板42上方の上部側空間40bには、既述のスリット41の一部を覆うことができるように進退駆動部71を介して互いに対称にX方向に進退自在な一対の液受け部72(72a,72b)と、この液受け部72(72a,72b)の移動領域上方においてガイド部材73に沿ってX方向にガイドされる供給ノズル74と、ガイド部材73を介して供給ノズル74をX方向に駆動させるノズル駆動部75とが設けられている。また液受け部72(72a,72b)は上方から落下してくるレジスト液を受け止め、これを回収することができるように例えばトレー状に形成されており、更に図示は省略するが表面に付着したレジスト液を洗い流すための洗浄機構、或いは受けたレジスト液を装置外部に排出するためのドレインラインなどが設けられている。
【0022】
ここで基板保持部43における吸着部44の構造について説明すると、吸着部44の上面44aは図7の平面図に示すように円形をなしており、その表面には周方向に例えば均等間隔となるように4つの吸着手段44bが設けられている。これら吸着手段44bは図8に示すように断面凸状とされており、その先端にはウエハWの裏面側を吸着保持するための吸引口44cが形成されている。各吸引口44cは、吸着部44内部に形成されるは吸引路44dを介して吸引ポンプ44eへと連通し、吸引路44dには例えば制御部5にて開閉制御がなされる開閉バルブV1が介設されている。
【0023】
また下部側空間40aには基板保持部43の移動領域の側方に、主搬送手段3から受け渡されたウエハWの中心p4の位置を把握するための位置検出手段6が設けられており、以下図6及び図9を参照しながらその構成を説明する。この位置検出手段6は、断面コ字型をなすコ字型部61の内面に撮像手段をなすCCDカメラ62と、照明用のLED62とを対向させて設けた構成とされており、例えば図9に示すようにウエハWをこのコ字型部61に進入させると共にLED63から光の照射を行う。
【0024】
制御部5は、CCDカメラ62にて得た画像データを処理する画像処理部5aと、この画像処理部5aで処理された画像データに基づいてウエハWの所定の向きにおける中心p4の位置を求める中心位置演算部5bと、中心位置演算部5bで求めたウエハWの中心p4と基板保持部43の回転中心qとのX方向及びY方向の誤差を求め、その誤差に応じて基板保持部43の位置修正を行う誤差補正部5cと、を備えている。即ち、既述の基板保持部43を駆動させるための各部位及び制御部5の各構成要素は、特許請求の範囲における位置合わせ手段に相当するものであり、これらによって修正されるウエハWの誤差とは、ウエハWの向きをレジスト塗布時と同じにしたときのものである。また制御部5は、基板保持部43の中心qのY座標とこれに対応した液受け部72aから72bまでの間隔とを対応付けたテーブル(図示せず)を格納した記憶部5dを備えており、塗布処理時にはこのテーブルを参照して基板保持部43及び液受け部72(72a,72b)の移動制御を行う構成とされている。
【0025】
以下に本実施の形態の作用を図10に示す工程図に沿って説明する。先ずカセットCがカセットステーション21に搬入されると、受け渡しアーム23によりウエハWがカセットCから取り出され(ステップS1)、棚ユニットU3中の受け渡しユニット100を介して主搬送手段3へと受け渡される。そして棚ユニットU2(U3,U4)に含まれる各処理ユニット内にて例えば疎水化処理が行われ、次いで冷却処理が行われる(ステップS2)。冷却処理を行った処理ユニット(冷却ユニット)から搬送アーム32aへのウエハWの受け渡しについては、先ず図11(a)に示すように例えば冷却プレート101の孔部102に突没自在に設けられる複数の支持ピン103が上昇し、支持ピン103が上昇したままの状態で搬送アーム32aが進入する。そして支持ピン103を下降させることでウエハWは既述のように支持片p2の傾斜面p3に沿って下降し、図11(b)に示すように支持片p2内の所定の位置に収まると共に水平姿勢にて保持される(ステップS3)。
【0026】
そしてウエハWは主搬送手段3の働きにより塗布ユニット4近傍まで搬送され、既述の位置合わせ情報に基づいて搬送アーム32aが基板保持部43上方の所定位置まで進入すると、例えば冷却プレート101にウエハWを受け渡したときと同様の手順、即ち吸着部44が支持枠p1内で上昇してウエハWを受け取り、搬送アーム32aを筐体40から退出させた後にウエハWを所定の高さまで下降させるようにして、受け渡し作業が完了する(ステップS4)。このとき制御部5ではバルブV1の開制御を行うことで各吸引口44cにおける吸引を開始し、こうしてウエハWは吸着部44に固定される。
【0027】
次いで、ウエハWの中心p4と基板保持部43(吸着部44)の中心qとの間のX方向の誤差を補正するため、先ずウエハWの中心位置の検出が行われる(ステップS5)。この工程は先ず基板保持部43を移動させ、ウエハWを位置検出手段6のコ字型部61内に進入させて行われるものであり、以下図12を参照しながら説明する。画像処理部5aでは、最初に例えばCCDカメラ62から送信される画像データに基づき、ウエハW外縁に形成される位置合わせのための指標であるノッチrを認識し、このノッチrにおける一方の角部r1から基板保持部43の中心qまでの距離d(d1)を算出する。そして図12に示すように基板保持部43を回転させ、例えばr1の最初の座標と基板保持部43の中心qとを結ぶ線を基準線Lとしたときの回転角θ(θ1,θ2,θ3,θ4...)毎に、基準線LとウエハW外縁との交点rn(r1,r2,r3,r4...)から前記中心qまでの距離dn(d1,d2,d3,d4...)の記録を行い、基板保持部43が一回転したところで全輪郭の位置が判明するため、ウエハWの中心W1の座標が求まる。
【0028】
こうしてウエハWの中心W1の座標が求まると、ウエハWを所定の向き例えば図18に示すようなノッチrが塗布処理時における当該ウエハWの進行方向の後方側に位置する向きに回転させ、誤差補正部5cはこの状態におけるウエハWの中心W1と基板保持部43の中心qとのX方向及びY方向の誤差を算出する。そして両者の間にX方向の誤差が生じていれば、当該誤差分だけX方向駆動部47を介して基板保持部43をX方向に移動し(ステップS6)、ウエハWの中心W1と例えばスリット41の中心(液受け部72a,72bの中間点)とのX座標を一致させる。またY方向の誤差が生じていれば、当該誤差分を修正し、ウエハWの被塗布領域のY方向における先端部が供給ノズル74の移動領域の下方側となる位置(塗布処理の待機位置)までウエハWを移動させる(ステップS7)。
【0029】
そして図13に示すように供給ノズル74からレジスト液の吐出を行うと共に当該供給ノズル74をX方向にスキャンさせ、これに合わせてウエハWを図中Bの方向に間欠的に移動させていき、こうしてウエハWの一端側から他端側までいわば一筆書きの要領でレジスト液の塗布が行われる(ステップS8)。このとき液受け部72(72a,72b)は記憶部5d内の前記テーブルの内容に基づいて両者共にウエハWの外縁部を正確に同じ幅だけ覆い、且つその間隔をずらしながら移動しており、その一方で供給ノズル74は図14に示すように液受け部72aと液受け部72bとの夫々の上方を移動し、且つX方向の移動範囲を変化させながらレジスト液の供給を行うため、結果としてウエハWの表面には、端部から例えば正確に2mmの領域を残して他の全ての部位にレジスト液が塗布されることとなる。また供給ノズル74からウエハWの被塗布領域以外の部位に供給されたレジスト液は、全て液受け部72(72a,72b)にて受け止められ、図示しないドレインライン等を介して回収される。
【0030】
そして塗布処理が終了すると、ウエハWは主搬送手段3により搬入時とは逆の手順で塗布ユニット4から搬出され、所定の後処理(ステップS9)が行われる。具体的には例えば棚ユニットU2,U3,U4内の各処理ユニットにて冷却或いは減圧乾燥、加熱等の後処理を行った後、ウエハWをインターフェイス部S2を介して例えば図外に設けられる露光装置へ搬送し、ここで当該ウエハWの露光を行う。露光終了後、ウエハWは逆の経路で処理部S1内へと戻され、現像ユニット25にて現像された後(ステップS10)、カセット載置部22に載置されるカセットC内へと戻される(ステップS11)。
【0031】
このように本実施の形態によれば、主搬送手段3により塗布処理の前後処理においては影響が生じない程度にウエハWの位置合わせを行っている塗布膜形成装置において、塗布ユニット4内で更に正確な位置合わせを行うようにしているため、液受け部72(72a,72b)の中間点とウエハWの中心線とを正確に一致させることができ、ウエハWは周縁部の左右において液受け部72a、72bによりバランスよく覆われるので、液受け部72(72a,72b)によるウエハWの被覆範囲を従来より狭めることができる。従ってウエハW表面の被塗布領域であるデバイス領域を広くとることができるため、ウエハWの更なる有効利用が可能となる。
【0032】
また本実施の形態では、基板保持部43におけるウエハWの保持を、基板保持部43に設けた4つの吸着手段44bにて行うようにしているため、少ない接触面積で安定した基板保持を行うことができる。ところで上述実施の形態では基板として半導体ウエハを用いる例を示したが、基板は例えば液晶ディスプレイ用のガラス基板、またはフォトマスク用のレチクル基板といった各種基板を用いることが可能であり、例えばレチクル基板のような外周縁の上下端が傾斜してカットされている基板については、基板保持部43に代えて、図15に示すような断面くの字型をなす進退自在な把持部81を複数基例えば4基設け、各々が当該基板を側方側から挟むようにして水平保持する構成とすることも可能である。このような構成では把持部81の傾斜面82(82a,82b)の夫々が上側のカット面83aと下側のカット面83bの角度に合致し、この部分だけで基板を保持するため、基板と各把持部82との接触面積が小さくて済み、パーティクル発生のおそれが少ない。
【0033】
なお、塗布処理開始に先立って行ったウエハWの向きの調整については、上述実施の形態ではノッチが当該ウエハWの進行方向後ろ側に位置する例を示したが、例えば画像処理部5aにて得たウエハW表面の画像データに基づいて調整を行うようにしてもよい。こうすることで、例えばウエハW表面上の配線パターンに最適な向きでレジスト液の塗布を行うことができる。
【0034】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、基板に対して塗布液を線状にスキャン塗布して当該基板の表面に塗布液の液膜を形成するにあたり、被塗布領域を基板の周縁に近付けることができ、基板をより有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る塗布膜形成装置の実施の形態における全体構造を示す平面図である。
【図2】上記の実施の形態における全体構造を示す斜視図である。
【図3】上記の実施の形態において用いられる基板搬送手段を示す斜視図である。
【図4】上記の基板搬送手段に設けられる搬送アームの一例を示す平面図と縦断面図である。
【図5】上記の実施の形態において用いられる塗布ユニットの構成を示す縦断面図である。
【図6】上記塗布ユニットの構成を示す平面図である。
【図7】上記塗布ユニットに設けられる基板保持部(吸着部)の上面を示す概略平面図である。
【図8】上記吸着部及びその関連部位についての構成を示す概略断面図である。
【図9】上記塗布ユニットに設けられる位置検出手段及びこれに関連する部位の構成を示す説明図である。
【図10】本実施の形態の作用を示す工程図である。
【図11】塗布処理の前処理を行うユニットにおける、当該ユニット内の基板保持部から搬送アームに対して基板の受け渡しの様子を示す作用説明図である。
【図12】位置検出手段による作用を示す作用説明図である。
【図13】塗布処理時における供給ノズル及びウエハWの相対的な移動関係を説明する斜視図である。
【図14】塗布処理時におけるウエハW外縁部近傍の様子を示す作用説明図である。
【図15】本発明に係る他の実施の形態を示す概略説明図である。
【図16】従来の技術における塗布処理の様子を示す斜視図である。
【図17】従来の技術における塗布装置を示す縦断面図である。
【図18】従来の技術における塗布装置を示す平面図である。
【符号の説明】
W 半導体ウエハ
3 主搬送手段
31 アーム部
32a 搬送アーム
43 基板保持部
44 吸着部
44b 吸着手段
45 回転基体
46 移動体
47 X方向駆動部
48 Y方向駆動部
5 制御部
5a 画像処理部
5b 中央位置演算部
5c 誤差補正部
5d 記憶部
6 位置検出手段
72(72a,72b) 液受け部
74 供給ノズル
Claims (6)
- 半導体ウエハである基板の表面に塗布液の液膜を形成する塗布膜形成装置において、
前記基板を水平に保持する基板保持部と、
この基板保持部をX方向に移動させかつ鉛直軸まわりに回転させるための第1の駆動部と、
前記基板保持部に保持された基板と対向して設けられ、該基板に塗布液を吐出しながらX方向に往復移動する供給ノズルと、
前記供給ノズルの移動領域の両端部において前記供給ノズルからの塗布液を受け止めて被塗布領域を規制することができるように、互いにX方向に対称に進退自在に設けられる一対の液受け部と、
前記供給ノズルをX方向に移動させて基板上に塗布液を直線状に塗布した後、この直線状の塗布領域がY方向に並べられるように基板保持部を供給ノズルに対して相対的にY方向に間欠移動させるための第2の駆動部と、
前記基板保持部に保持された基板を回転させたときに各回転位置における基板の周縁を検出し、その検出データに基づき基板の中心位置を検出する位置検出手段と、
この位置検出手段の検出結果に基づいて、基板の中心のX座標位置と前記一対の液受け部の離間距離の中間点のX座標位置とが一致するように前記第1の駆動部を介して基板保持部をX方向に移動させる位置合わせ手段と、を備えたことを特徴とする塗布膜形成装置。 - 複数の半導体ウエハである基板を収納した基板カセットが載置されるカセットステーションと、
前記基板の表面に塗布液の液膜を形成する塗布ユニットと、
この塗布ユニットにて行われる塗布処理の前処理または後処理を行う複数の処理ユニットと、
前記カセットステーション内の基板カセットから取り出された基板に対し、基板の周縁を規制した状態で保持することにより前記処理ユニットにおける処理に対しては影響が生じない程度に基板の中心の位置合わせを行うと共に、塗布ユニット及び処理ユニットの間で搬送する搬送アームを備えた基板搬送手段と、を備え、
前記塗布ユニットは、前記基板を水平に保持する基板保持部と、
この基板保持部をX方向に移動させかつ鉛直軸まわりに回転させるための第1の駆動部と、
前記基板保持部に保持された基板と対向して設けられ、該基板に塗布液を吐出しながらX方向に往復移動する供給ノズルと、
前記供給ノズルの移動領域の両端部において前記供給ノズルからの塗布液を受け止めて被塗布領域を規制することができるように、互いにX方向に対称に進退自在に設けられる一対の液受け部と、
前記供給ノズルをX方向に移動させて基板上に塗布液を直線状に塗布した後、この直線状の塗布領域がY方向に並べられるように基板保持部を供給ノズルに対して相対的にY方向に間欠移動させるための第2の駆動部と、
前記基板保持部に保持された基板を回転させたときに各回転位置における基板の周縁を検出し、その検出データに基づき基板の中心位置を検出する位置検出手段と、
この位置検出手段の検出結果に基づいて、基板の中心のX座標位置と前記一対の液受け部の離間距離の中間点のX座標位置とが一致するように前記第1の駆動部を介して基板保持部をX方向に移動させる位置合わせ手段と、を備えたことを特徴とする塗布膜形成装置。 - 第2の駆動部は、基板保持部をY方向に間欠移動させるように構成され、
基板保持部のY方向の位置と一対の液受け部との離間距離とを対応付けたテーブルを記憶する記憶部と、
この記憶部に記憶されたテーブルを読み出して基板保持部及び液受け部の位置を制御する制御部と、を備えたことを特徴とする請求項1または2記載の塗布膜形成装置。 - 位置合わせ手段は、検出結果に基づいて更に第2の駆動部を介して基板保持部のY方向の位置を制御することを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の塗布膜形成装置。
- 半導体ウエハである基板の表面に塗布液の液膜を形成する塗布膜形成方法において、
X方向に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在な基板保持部にて基板を水平に保持する工程と、
前記基板保持部に保持された基板を回転させたときに各回転位置における基板の周縁を検出し、その検出データに基づき基板の中心位置を検出する工程と、
検出された基板の中心位置と一対の液受け部の中間点との間のX方向の誤差を求め、基板の中心位置及び前記中間点の各X座標が一致するように基板保持部を相対的にX方向に移動させる工程と、
その後、前記基板保持部に保持された基板と対向して設けた供給ノズルを、当該基板に向かって塗布液を吐出させながらX方向に往復移動させる工程と、
前記供給ノズルの移動領域の両端部において前記供給ノズルからの塗布液を受け止めて被塗布領域を規制するために前記一対の液受け部を互いにX方向に対称に進退させる工程と、
供給ノズルをX方向に移動させて基板上に塗布液が直線状に塗布された後、この直線状の塗布領域がY方向に並べられるように、基板を供給ノズル及び液受け部に対して相対的にY方向に間欠移動させる工程と、を含むことを特徴とする塗布膜形成方法。 - 請求項5に記載の各工程は塗布ユニットにて行われるものであり、
この塗布ユニットにて行われる各工程の前に、前処理を行う処理ユニット内に搬送アームにより搬入して前処理を行う工程と、
この前処理の終了した基板を搬送アームにて受け取り、塗布ユニット内の基板保持部に搬送する工程と、
前記塗布ユニットにて塗布液が塗布された基板を搬送アームにて受け取り、後処理を行う処理ユニット内に搬送アームにより搬入して後処理を行う工程と、を含み、
搬送アームは、基板の周縁を規制した状態で基板を保持することにより前記処理ユニットにおける処理に対しては影響が生じない程度に基板の中心の位置合わせを行うことを特徴とする請求項5記載の塗布膜形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001370266A JP3784312B2 (ja) | 2001-12-04 | 2001-12-04 | 塗布膜形成装置及びその方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001370266A JP3784312B2 (ja) | 2001-12-04 | 2001-12-04 | 塗布膜形成装置及びその方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003170105A JP2003170105A (ja) | 2003-06-17 |
JP3784312B2 true JP3784312B2 (ja) | 2006-06-07 |
Family
ID=19179516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001370266A Expired - Fee Related JP3784312B2 (ja) | 2001-12-04 | 2001-12-04 | 塗布膜形成装置及びその方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3784312B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4648056B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-03-09 | 株式会社ディスコ | ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
JP2009212295A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Tokyo Electron Ltd | 薬液の塗布固化装置及び塗布固化方法 |
KR101017889B1 (ko) | 2009-01-05 | 2011-03-04 | (주) 예스티 | 웨이퍼 쉐이커 |
CN107899799A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-04-13 | 重庆黎帆装饰工程有限公司 | 一种喷塑装置 |
CN107899800B (zh) * | 2017-12-21 | 2019-04-26 | 重庆黎帆装饰工程有限公司 | 用于护栏生产的喷塑*** |
-
2001
- 2001-12-04 JP JP2001370266A patent/JP3784312B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003170105A (ja) | 2003-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9477162B2 (en) | Substrate processing method | |
KR101015778B1 (ko) | 기판 처리장치 및 기판 수수 위치의 조정 방법 | |
JP4376116B2 (ja) | 基板受け渡し位置の調整方法 | |
KR100988707B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 반송 장치의 위치 맞춤 방법 | |
JP4843212B2 (ja) | レーザー処理装置及びレーザー処理方法 | |
KR102191741B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 제어 방법, 프로그램을 저장한 기억 매체 | |
JP2021103790A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
CN212136411U (zh) | 接合装置 | |
KR102560788B1 (ko) | 주변 노광 장치, 주변 노광 방법, 프로그램, 및 컴퓨터 기억 매체 | |
JPH07288276A (ja) | 基板の位置決め装置 | |
JP3249309B2 (ja) | 基板の搬送装置及び基板の搬送方法並びに塗布現像処理装置 | |
JPH10163094A (ja) | 露光装置及び露光方法並びに搬送装置 | |
JP3784312B2 (ja) | 塗布膜形成装置及びその方法 | |
JP3276477B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2003243479A (ja) | 搬送手段の停止位置調整機構 | |
JP4064795B2 (ja) | 電子部品実装装置 | |
JP3652559B2 (ja) | 液処理装置及びその方法 | |
JPH07263394A (ja) | 基板端縁処理装置 | |
JP4021560B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP3927758B2 (ja) | 基板搬送装置及び処理装置 | |
JP4113480B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR100706381B1 (ko) | 기판반송장치 | |
JP2003031642A (ja) | 基板搬送装置、それを用いたペースト塗布装置、及びペースト塗布方法 | |
JP2000068696A (ja) | 部品認識装着装置及び部品認識方法 | |
JP2000021709A (ja) | 基板端縁洗浄装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050915 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051004 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060307 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060314 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051205 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120324 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150324 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |