JP3783648B2 - 配線板及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線板及びその製造方法、ならびに配線板を用いた半導体装置に関し、特に、外部接続端子が表面に露出した状態の半導体装置を製造するための配線板に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＬＧＡ（Land Grid Array）型の半導体装置を製造するときには、例えば、ポリイミドテープなどの絶縁基板の両面に配線を設けた配線板が用いられている。
【０００３】
前記配線板は、例えば、前記絶縁基板の第１主面に、半導体チップの外部電極と接続される配線が設けられている。また、前記絶縁基板の前記第１主面の裏面（第２主面）には、実装基板の配線（端子）と接続するための外部接続端子（ランド）が設けられている。このとき、前記絶縁基板の第１主面の配線と第２主面のランドとは、例えば、ビアにより電気的に接続されている。
【０００４】
しかしながら、前記絶縁基板の両面に配線を形成する場合、製造コストがかかる。また、前記配線板が厚くなり、半導体装置の小型化が難しい。
【０００５】
そこで、近年では、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、テープ状の基板１の表面に配線２を設けた配線板を用いて、前記ＬＧＡ型の半導体装置を製造する方法が提案されている。
【０００６】
このとき、前記基板１は、例えば、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）型の半導体装置を製造するときに、封止用絶縁体の漏れを防ぐために用いられる基板であり、例えば、図１１に示すように、ポリイミドテープなどの絶縁基材１０１の表面に再剥離材１０２が設けられている。ここで、前記再剥離剤１０２は、例えば、熱可塑性接着剤のように、後の工程で前記配線２をはがすことができる接着材料である。また、前記配線２の表面には、例えば、錫めっき、錫合金めっき、金めっきなどの第１機能めっき４０１が設けられている。
【０００７】
またこのとき、前記配線２の外部接続端子２Ａは、例えば、図１０（ａ）のようにアレイ状に配置されており、前記配線２の一端は、半導体チップが搭載される領域ＡＲ１の外周を囲むように配置されている。
【０００８】
また、前記基板１は、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）に用いられる配線板の絶縁基板と同様に、一方向に長尺なテープ状であり、図１０（ａ）に示したような領域ＡＲ２内のパターンが繰り返し設けられている。
【０００９】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示したような配線板は、例えば、前記基板１上に、銅箔などの導体膜を接着した後、前記導体膜をパターニングして前記配線２を形成する。その後、必要に応じて前記配線２の表面に前記第１機能めっき４０１を形成する。
【００１０】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示したような配線板を用いて半導体装置を製造するときには、まず、図１２（ａ）に示すように、前記配線板の配線２上に、例えば、熱硬化性樹脂からなる熱硬化性接着剤５を用いて半導体チップ６を接着する。そして、前記半導体チップ６の外部電極６０１と前記配線２をボンディングワイヤ７で接続する。
【００１１】
次に、図１２（ｂ）に示すように、前記半導体チップ６、前記配線２、及び前記ボンディングワイヤ７の周囲を封止用絶縁体８で封止する。このとき、前記封止用絶縁体８は、例えば、トランスファモールドで形成する。
【００１２】
次に、例えば、前記基板１を加熱して、前記再剥離材１０２の接着力を低下させた状態で前記基板１をはがすと、図１３（ａ）に示したように、前記配線２が、前記熱硬化性接着剤５及び前記封止用絶縁体８の表面に露出した状態の半導体装置を得ることができる。このとき、前記再剥離材１０２の種類によっては、前記基板１を加熱しなくてもはがすことができる。
【００１３】
このとき、前記半導体装置は、図１３（ａ）に示したように、前記配線２が露出した状態になっている。そのため、必要に応じて、図１３（ｂ）に示すように、前記配線２の露出した面に、接合材などの第２機能めっき４０２を形成する。前記第２機能めっき４０２は、例えば、錫めっき、錫合金めっき、金めっきなどで形成する。このとき、前記第２機能めっき４０２は、前記第１機能めっき４０１と同じ材料で形成してもよいし、異なる材料で形成してもよい。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の技術では、前記半導体装置を実装基板に実装したときに、図１４に示すように、前記半導体装置の配線２と前記実装基板９の配線（端子）９０１との接続部の高さｈが低い。そのため、前記半導体装置と前記実装基板の隙間ＳＰが狭く、前記隙間ＳＰに封止樹脂を流し込むのが難しいという問題があった。
【００１５】
また、前記半導体装置と前記実装基板の隙間ＳＰに封止樹脂を流し込むのが難しいので、前記半導体装置の配線２と前記実装基板９の配線（端子）９０１との接続部を封止せずに、空気中に露出させた状態にすることが多い。そのため、前記半導体装置の配線２と前記実装基板９の配線（端子）９０１との接続部の酸化、あるいは空気中の水分による腐食などで、前記接続部の接続信頼性や電気的特性が劣化しやすいという問題があった。
【００１６】
本発明の目的は、基板の表面に配線が設けられた配線板を用い、前記配線上に半導体チップを実装した後、前記基板をはがして前記配線を露出させた半導体装置において、前記半導体装置を実装基板に実装したときに、前記半導体装置と前記実装基板の間を絶縁体で封止しやすくすることが可能な技術を提供することにある。
【００１７】
本発明の目的は、基板の表面に配線が設けられた配線板を用い、前記配線上に半導体チップを実装した後、前記基板をはがして前記配線を露出させた半導体装置において、前記半導体装置を実装基板に実装するときの接続信頼性や電気的特性の劣化を防ぐことが可能な技術を提供することにある。
【００１８】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明において開示される発明の概要を説明すれば、以下の通りである。
【００２０】
（１）基板の表面に配線（導体パターン）が設けられており、前記基板の前記配線が設けられた面に半導体チップを実装した後、前記基板をはがして半導体装置を形成するための配線板であって、前記基板は、前記配線の一部と重なる領域が開口しており、前記開口部内に、突起状の導体（バンプ）が設けられている配線板である。
【００２１】
前記（１）の手段によれば、前記基板の開口部内に、前記突起状の導体が設けられていることにより、前記配線板上に半導体チップを実装し、封止した後、前記基板をはがしたときに、前記配線の露出面に前記突起状の導体が設けられた半導体装置を得ることができる。そのため、前記配線板を用いて形成した半導体装置を実装基板に実装するときに、前記突起状の導体の高さ分だけ、前記半導体装置と前記実装基板の隙間を広くすることができる。このとき、前記突起状の導体は、例えば、銅、ニッケル、金、銀、錫、もしくはこれらの合金を用いて設けることが好ましい。
【００２２】
またこのとき、前記突起状の導体の表面に接合材が設けられていると、前記配線板を用いて半導体装置を形成したときに、前記基板をはがした後、前記配線の露出面に接合材を形成する工程が省略することができる。このとき、前記接合材としては、例えば、錫めっき、錫合金めっき、金めっきを設けることが好ましい。
【００２３】
また、前記基板として、例えば、特定の条件のもとで、前記配線との接着力が低下する材料を用いると、前記配線板を形成する工程及び前記半導体チップを実装する工程、ならびにその間の搬送工程などで前記配線が前記基板からはがれるのを防ぐことができる。また、特定の条件のもとで、前記配線との接着力を低下させた状態で前記基板をはがすことができるので、前記基板をはがした後、前記配線の表面に前記基板の残りが生じるのを防ぐことができる。
【００２４】
このとき、前記基板としては、例えば、加熱することにより軟化し、接着力が低下する熱可塑性樹脂を用いた基板が挙げられる。また、例えば、光を照射することにより接着力が変化する材料を用いた基板を用いることも可能である。
【００２５】
またこのとき、前記基板は、単一の材料である必要はなく、例えば、平板状の基材の表面に熱可塑性樹脂を設けたものを用い、前記基板の前記熱可塑性樹脂上に前記配線を設けてもよい。
【００２６】
（２）基板の表面に配線（導体パターン）が形成された配線板上に半導体チップを接着し、前記半導体チップの外部電極と前記配線とを電気的に接続し、前記半導体チップの周囲を絶縁体で封止した後、前記基板をはがして前記配線を露出させる半導体装置の製造方法であって、前記配線板の前記基板は、前記配線の一部と重なる領域が開口しており、前記開口部内に、突起状の導体（バンプ）が形成されている半導体装置の製造方法である。
【００２７】
前記（２）の手段によれば、前記基板の前記配線の一部と重なる領域が開口しており、前記開口部内に突起状の導体（バンプ）が形成されている配線板を用いて半導体装置を製造することにより、前記基板をはがした後、前記配線の露出面上に前記突起状の導体が設けられた半導体装置を容易に得ることができる。
【００２８】
また、前記配線板を用いて製造した半導体装置は、前記配線の露出面上に前記突起状の導体が形成されているため、前記半導体装置を実装基板に実装するときに、前記突起状の導体と前記実装基板の配線（端子）を接続させることにより、前記半導体装置と前記実装基板の間の隙間を広くすることができる。そのため、前記半導体装置と前記実装基板の間に絶縁体を流し込みやすくすることができ、前記突起状の導体と前記実装基板の配線（端子）の接続部の封止が容易になる。
【００２９】
また、前記突起状の導体と前記実装基板の配線（端子）の接続部が封止になるため、前記突起状の導体と前記実装基板の配線（端子）の接続部の酸化や腐食を防ぐことができ、接続信頼性や電気的特性の劣化を防ぐことができる。
【００３０】
またこのとき、前記突起状の導体の表面に接合材が形成されている配線板を用いると、従来の半導体装置の製造方法のように、前記基板をはがした後で前記接合材を形成する必要がない。そのため、前記半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００３１】
また、前記基板として、例えば、特定の条件のもとで、前記配線との接着力が低下する材料を用いると、前記配線板を形成する工程及び前記半導体チップを実装する工程、ならびにその間の搬送工程などで前記配線が前記基板からはがれるのを防ぐことができる。また、特定の条件のもとで、前記配線との接着力を低下させた状態で前記基板をはがすことができるので、前記基板をはがした後、前記配線の表面に前記基板の残りが生じるのを防ぐことができる。
【００３２】
このとき、前記基板としては、例えば、加熱することにより軟化し、接着力が低下する熱可塑性樹脂を用いた基板が挙げられる。また、例えば、光を照射することにより接着力が変化する材料を用いた基板を用いることも可能である。
【００３３】
またこのとき、前記基板は、単一の材料である必要はなく、例えば、平板状の基材の表面に熱可塑性樹脂を形成したものを用い、前記基板の前記熱可塑性樹脂上に前記配線が形成されていてもよい。
【００３４】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
【００３５】
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００３６】
【発明の実施の形態】
（実施例）
図１及び図２は、本発明による一実施例の配線板の概略構成を示す模式図であり、図１（ａ）は配線板の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線での断面図、図２は図１（ｂ）の部分拡大断面図である。
【００３７】
図１（ａ）及び図１（ｂ）、ならびに図２において、１は基板、１０１は絶縁基材、１０２は再剥離材（熱可塑性接着剤）、１Ａは基板の開口部、２は配線、２Ａは配線のランド（外部接続端子）、３は突起状の導体（バンプ）、４０１は第１機能めっき、４０２は第２機能めっきである。
【００３８】
本実施例の配線板は、図１（ａ）及び図１（ｂ）、ならびに図２に示すように、基板１の表面に配線２が設けられている。このとき、前記配線２の一端には、ランド２Ａが設けられており、前記ランド２Ａがアレイ状に配置されている。
【００３９】
また、前記基板１は、前記配線２のランド２Ａの下部に開口部１Ａが設けられており、前記開口部内に、前記配線２と接続された突起状の導体３が設けられている。このとき、前記突起状の導体３は、例えば、銅めっきやニッケルめっきなどからなり、高さが数μｍから数十μｍになるように設けられている。
【００４０】
また、本実施例の配線板は、半導体チップを実装し、前記半導体チップの周囲を封止した後、前記基板をはがして半導体装置を製造するための配線板であって、前記基板１は、例えば、図２に示したように、絶縁基材１０１の表面に再剥離材１０２が設けられている。ここで、前記再剥離材１０２は、例えば、熱可塑性接着剤のように、後の工程で前記配線２をはがすことのできる接着材料である。
【００４１】
また、図１（ｂ）では省略しているが、前記配線２の表面、言い換えると露出した面には、例えば、金めっき、錫めっき、錫合金めっきなどの第１機能めっき４０１が設けられている。また、前記突起状の導体３の表面にも、例えば、錫めっき、錫合金めっき、金めっきなどの第２機能めっき４０２が設けられている。
【００４２】
また、本実施例の配線板では、半導体チップは、例えば、図１（ａ）に示した領域ＡＲ１上に搭載される。また、前記基板１は、一方向に長尺なテープ状であり、図１（ａ）に示した領域ＡＲ２内のパターンが繰り返し設けられている。
【００４３】
図３は、本実施例の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図３（ａ）は基板に開口部を形成する工程の断面図、図３（ｂ）は基板に導体膜を張り合わせる工程の断面図、図３（ｃ）は突起状の導体を形成する工程の断面図、図３（ｄ）は導体膜をパターニングする工程の断面図である。
【００４４】
本実施例の配線板を製造するときには、まず、例えば、図３（ａ）に示したように、前記絶縁基材１０１の表面に前記再剥離材１０２が形成された基板１に開口部１Ａを形成する。このとき、前記開口部１Ａは、例えば、金型を用いた打ち抜き加工で形成する。
【００４５】
次に、図３（ｂ）に示すように、前記開口部１Ａが形成された基板１と導体膜２’を張り合わせる。このとき、前記導体膜２’は、例えば、電解銅箔や圧延銅箔などを用い、前記基板１の前記再剥離材１０２が形成された面に張り合わせる。またこのとき、前記再剥離材１０２には、例えば、熱可塑性接着剤を用い、前記基板１の温度を、例えば、２００℃から２６０℃に加熱して張り合わせる。
【００４６】
次に、図３（ｃ）に示すように、前記基板１の開口部１Ａ内に、突起状の導体３を形成する。このとき、前記突起状の導体３は、例えば、電気銅めっきや電気ニッケルめっきなどで、高さが数μｍから数十μｍになるように形成する。またこのとき、前記突起状の導体３は、前記基板１からはがれやすくするために、前記基板１との接触面積を小さくするのが好ましく、図３（ｃ）に示したように、ドーム状に形成する。
【００４７】
次に、図３（ｄ）に示すように、前記導体膜２’をパターニングして配線２を形成する。このとき、前記配線２は、例えば、サブトラクティブ法やセミアディティブ法などを用いて形成する。
【００４８】
その後、前記配線２の露出した面に、第１機能めっき４０１を形成するとともに、前記突起状の導体３の表面に第２機能めっき４０２を形成すると、図２に示したような配線板を得ることができる。このとき、前記第１機能めっき４０１と前記第２機能めっき４０２は、同じ材料を用いて形成してもよいし、異なる材料を用いて、それぞれの機能に最適なめっきを形成してもよい。
【００４９】
図４及び図５は、本実施例の配線板を用いた半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図４（ａ）は半導体チップを実装する工程の断面図、図４（ｂ）は半導体チップを封止する工程の断面図、図５は基板をはがした後の半導体装置の断面図である。
【００５０】
本実施例の配線板を用いて半導体装置を製造するときには、まず、図４（ａ）に示すように、前記配線板の配線２上に、例えば、熱硬化性接着剤５を用いて半導体チップ６を接着する。そして、前記半導体チップ６の外部電極６０１と前記配線２をボンディングワイヤ７で電気的に接続する。このとき、図４（ａ）では省略しているが、前記配線２の表面には、前記第１機能めっき４０１が形成されており、前記突起状の導体３の表面には、前記第２機能めっき４０２が形成されている。
【００５１】
次に、図４（ｂ）に示すように、前記半導体チップ６及び前記配線２、ならびに前記ボンディングワイヤ７の周囲に封止用絶縁体８を形成して封止する。このとき、前記封止用絶縁体８は、例えば、トランスファモールドで形成する。
【００５２】
その後、例えば、全体を１７０℃から２００℃に加熱し、前記再剥離材（熱可塑性接着剤）１０２の接着力を低下させた状態で前記基板１をはがすと、図５に示すように、前記配線２が前記封止用絶縁体８及び前記熱硬化性接着剤５の表面に露出し、且つ前記配線２のランド（外部接続端子）２Ａ上に、前記突起状の導体３が形成された半導体装置を得ることができる。またこのとき、前記再剥離材１０２の種類によっては、加熱することなく前記基板１をはがすことができる。
【００５３】
図６は、本実施例の作用効果を説明するための模式断面図である。
【００５４】
本実施例の配線板を用いて製造した半導体装置は、前記基板１をはがしたときに、図５に示したように、前記配線２のランド２Ａ上に、前記突起状の導体３が形成されている。すなわち、前記半導体装置を実装基板に実装したときに、図６に示すように、前記半導体装置の配線２（ランド２Ａ）と前記実装基板９の配線（端子）９０１の間に前記突起状の導体３が介在している。そのため、前記突起状の導体３の高さｈの分だけ、前記半導体装置と前記実装基板の隙間ＳＰを広くすることができる。
【００５５】
また、前記半導体装置と前記実装基板９の隙間を広くすることにより、封止樹脂を流し込みやすくなるため、前記半導体装置の配線２（ランド２Ａ）と前記実装基板９の配線（端子）９０１との接続部の酸化や腐食を防ぐことができる。そのため、前記半導体装置を実装したときの接続信頼性や電気的特性の劣化を防ぐことができる。
【００５６】
以上説明したように、本実施例の配線板によれば、前記基板１に開口部１Ａを設け、前記開口部１Ａ内に前記突起状の導体３を設けることにより、外部接続端子（ランド）２Ａ上に突起状の導体３が設けられた半導体装置を容易に得ることができる。
【００５７】
また、前記半導体装置の外部接続端子（ランド）２Ａ上に前記突起状の導体３が設けられるため、前記半導体装置を実装基板９に実装したときに、前記突起状導体３の高さｈの分だけ、前記半導体装置と前記実装基板９の隙間を広くすることができる。
【００５８】
また、前記半導体装置と前記実装基板９の隙間を広くすることにより、封止樹脂を流し込みやすくなるため、前記半導体装置の配線２（ランド２Ａ）と前記実装基板９の配線（端子）９０１との接続部の酸化や腐食を防ぐことができる。そのため、前記半導体装置を実装したときの接続信頼性や電気的特性の劣化を防ぐことができる。
【００５９】
また、前記突起状の導体３及びその表面の第２機能めっき４０２が設けられた配線板を用いて半導体装置を製造することにより、前記基板をはがした後で、前記配線２の外部接続端子（ランド）２Ａ上に、バンプを形成したり、接合材を形成したりする工程を省略することができる。そのため、半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００６０】
また、本実施例では、前記基板１は、絶縁基材１０１上に再剥離材（熱可塑性接着剤）を形成したものを用いているが、これに限らず、例えば、熱可塑性樹脂からなる単一の基板を用いてもよいことは言うまでもない。
【００６１】
また、前記再剥離材１０２も、前記熱可塑性接着剤に限らず、例えば、光を照射することにより接着力が変化する材料を用いてもよい。
【００６２】
図７は、前記実施例の変形例を説明するための模式図であり、図７（ａ）及び図７（ｂ）は配線板の製造方法を説明するための断面図である。
【００６３】
前記実施例では、前記配線板の製造方法として、前記開口部１Ａが形成された基板１に導体膜２’を張り合わせる例を説明したが、これに限らず、種々の方法で製造することができる。例えば、まず、図７（ａ）に示すように、前記基板１と前記導体膜２’を張り合わせておき、図７（ｂ）に示すように、前記基板１の前記導体膜２’が接着された面の裏面から開口部１Ａを形成してもよい。このとき、前記開口部１Ａは、例えば、炭酸ガスレーザなどのレーザ光を照射して形成する。
【００６４】
図８及び図９は、前記実施例の応用例を説明するための模式図であり、図８（ａ）は配線板の概略構成を示す平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＢ−Ｂ’線での断面図、図９（ａ）は図８（ａ）に示した配線板を用いて製造した半導体装置の平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＣ−Ｃ’線での断面図である。
【００６５】
前記実施例では、図１（ａ）に示したように、配線２の外部接続端子（ランド）２Ａがアレイ状に配置された、ＬＧＡ型の半導体装置を製造するための配線板を例に挙げて説明したが、これに限らず、例えば、ＱＦＮ型の半導体装置を製造する配線板としても用いることができる。
【００６６】
前記実施例で説明したような配線板を、前記ＱＦＮ型の半導体装置の製造に用いるときには、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、前記基板１上の、半導体チップを実装する領域ＡＲ１の外周を囲むように前記配線２を設ける。また、前記半導体チップを実装する領域ＡＲ１には、例えば、アイランド２Ｂを設けておく。
【００６７】
このときも、図８（ｂ）に示すように、前記基板１の、前記配線２の下部に開口部を設け、前記開口部内に突起状の導体３を設けておく。
【００６８】
図８（ａ）及び図８（ｂ）に示したような配線板を用い、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、前記アイランド２Ｂ上に半導体チップ６を接着し、前記半導体チップ６の外部電極６０１と前記配線２とをボンディングワイヤ７で電気的に接続し、封止用絶縁体８で封止した後、前記基板１をはがせば、前記配線２上に前記突起状の導体３が形成された半導体装置を得ることができる。
【００６９】
また、ＱＦＮ型の半導体装置を製造するときに用いる配線板は、前記実施例で説明したような手順に限らず、例えば、銅板を打ち抜いてリードを形成したリードフレームを前記基板１に張り合わせてもよい。この場合も、前記リードフレームを張り合わせる前、もしくは貼り合わせた後に、前記基板１に開口部１Ａを形成し、前記開口部１Ａ内に前記突起状の導体３を形成することにより、配線２上に突起状の導体３が形成された半導体装置を容易に得ることができる。
【００７０】
以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。
【００７１】
【発明の効果】
本発明において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下の通りである。
【００７２】
（１）基板の表面に配線が設けられた配線板を用い、前記配線上に半導体チップを実装した後、前記基板をはがして前記配線を露出させた半導体装置において、前記半導体装置を実装基板に実装したときに、前記半導体装置と前記実装基板の間を絶縁体で封止しやすくすることができる。
【００７３】
（２）基板の表面に配線が設けられた配線板を用い、前記配線上に半導体チップを実装した後、前記基板をはがして前記配線を露出させた半導体装置において、前記半導体装置を実装基板に実装するときの接続信頼性や電気的特性の劣化を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による一実施例の配線板の概略構成を示す模式図であり、図１（ａ）は配線板の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線での断面図である。
【図２】本実施例の配線板の概略構成を示す模式図であり、図１（ｂ）の部分拡大断面図である。
【図３】本実施例の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図３（ａ）は基板に開口部を形成する工程の断面図、図３（ｂ）は基板に導体膜を張り合わせる工程の断面図、図３（ｃ）は突起状の導体を形成する工程の断面図、図３（ｄ）は導体膜をパターニングする工程の断面図である。
【図４】本実施例の配線板を用いた半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図４（ａ）は半導体チップを実装する工程の断面図、図４（ｂ）は半導体チップを封止する工程の断面図である。
【図５】本実施例の配線板を用いた半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、基板をはがした後の半導体装置の断面図である。
【図６】本実施例の作用効果を説明するための模式断面図である。
【図７】前記実施例の変形例を説明するための模式図であり、図７（ａ）及び図７（ｂ）は、配線板の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】前記実施例の応用例を説明するための模式図であり、図８（ａ）は配線板の概略構成を示す平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【図９】前記実施例の応用例を説明するための模式図であり、図９（ａ）は図８（ａ）に示した配線板を用いた半導体装置の概略構成を示す平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＣ−Ｃ’線での断面図である。
【図１０】従来の配線板の概略構成を示す模式図であり、図１０（ａ）は配線板の平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＤ−Ｄ’線での断面図である。
【図１１】従来の配線板の概略構成を示す模式図であり、図１０（ｂ）の拡大断面図である。
【図１２】本実施例の配線板を用いた半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図１２（ａ）は半導体チップを実装する工程の断面図、図１２（ｂ）は半導体チップを封止する工程の断面図である。
【図１３】本実施例の配線板を用いた半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図１３（ａ）は基板をはがした後の半導体装置の断面図、図１３（ｂ）は配線の表面に機能めっきを形成する工程の断面図である。
【図１４】課題を説明するための模式断面図である。
【符号の説明】
１ 基板
１０１ 絶縁基材
１０２ 再剥離材（熱可塑性接着剤）
１Ａ 基板の開口部
２ 配線
２Ａ ランド（外部接続端子）
２Ｂ アイランド
３ 突起状の導体
４０１ 第１機能めっき
４０２ 第２機能めっき
５ 熱硬化性接着剤
６ 半導体チップ
６０１ 半導体チップの外部電極
７ ボンディングワイヤ
８ 封止用絶縁体
９ 実装基板
９０１ 実装基板の配線（端子）
ＳＰ 半導体装置と実装基板の隙間
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線板及びその製造方法、ならびに配線板を用いた半導体装置に関し、特に、外部接続端子が表面に露出した状態の半導体装置を製造するための配線板に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＬＧＡ（Land Grid Array）型の半導体装置を製造するときには、例えば、ポリイミドテープなどの絶縁基板の両面に配線を設けた配線板が用いられている。
【０００３】
前記配線板は、例えば、前記絶縁基板の第１主面に、半導体チップの外部電極と接続される配線が設けられている。また、前記絶縁基板の前記第１主面の裏面（第２主面）には、実装基板の配線（端子）と接続するための外部接続端子（ランド）が設けられている。このとき、前記絶縁基板の第１主面の配線と第２主面のランドとは、例えば、ビアにより電気的に接続されている。
【０００４】
しかしながら、前記絶縁基板の両面に配線を形成する場合、製造コストがかかる。また、前記配線板が厚くなり、半導体装置の小型化が難しい。
【０００５】
そこで、近年では、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、テープ状の基板１の表面に配線２を設けた配線板を用いて、前記ＬＧＡ型の半導体装置を製造する方法が提案されている。
【０００６】
このとき、前記基板１は、例えば、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）型の半導体装置を製造するときに、封止用絶縁体の漏れを防ぐために用いられる基板であり、例えば、図１１に示すように、ポリイミドテープなどの絶縁基材１０１の表面に再剥離材１０２が設けられている。ここで、前記再剥離剤１０２は、例えば、熱可塑性接着剤のように、後の工程で前記配線２をはがすことができる接着材料である。また、前記配線２の表面には、例えば、錫めっき、錫合金めっき、金めっきなどの第１機能めっき４０１が設けられている。
【０００７】
またこのとき、前記配線２の外部接続端子２Ａは、例えば、図１０（ａ）のようにアレイ状に配置されており、前記配線２の一端は、半導体チップが搭載される領域ＡＲ１の外周を囲むように配置されている。
【０００８】
また、前記基板１は、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）に用いられる配線板の絶縁基板と同様に、一方向に長尺なテープ状であり、図１０（ａ）に示したような領域ＡＲ２内のパターンが繰り返し設けられている。
【０００９】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示したような配線板は、例えば、前記基板１上に、銅箔などの導体膜を接着した後、前記導体膜をパターニングして前記配線２を形成する。その後、必要に応じて前記配線２の表面に前記第１機能めっき４０１を形成する。
【００１０】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示したような配線板を用いて半導体装置を製造するときには、まず、図１２（ａ）に示すように、前記配線板の配線２上に、例えば、熱硬化性樹脂からなる熱硬化性接着剤５を用いて半導体チップ６を接着する。そして、前記半導体チップ６の外部電極６０１と前記配線２をボンディングワイヤ７で接続する。
【００１１】
次に、図１２（ｂ）に示すように、前記半導体チップ６、前記配線２、及び前記ボンディングワイヤ７の周囲を封止用絶縁体８で封止する。このとき、前記封止用絶縁体８は、例えば、トランスファモールドで形成する。
【００１２】
次に、例えば、前記基板１を加熱して、前記再剥離材１０２の接着力を低下させた状態で前記基板１をはがすと、図１３（ａ）に示したように、前記配線２が、前記熱硬化性接着剤５及び前記封止用絶縁体８の表面に露出した状態の半導体装置を得ることができる。このとき、前記再剥離材１０２の種類によっては、前記基板１を加熱しなくてもはがすことができる。
【００１３】
このとき、前記半導体装置は、図１３（ａ）に示したように、前記配線２が露出した状態になっている。そのため、必要に応じて、図１３（ｂ）に示すように、前記配線２の露出した面に、接合材などの第２機能めっき４０２を形成する。前記第２機能めっき４０２は、例えば、錫めっき、錫合金めっき、金めっきなどで形成する。このとき、前記第２機能めっき４０２は、前記第１機能めっき４０１と同じ材料で形成してもよいし、異なる材料で形成してもよい。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の技術では、前記半導体装置を実装基板に実装したときに、図１４に示すように、前記半導体装置の配線２と前記実装基板９の配線（端子）９０１との接続部の高さｈが低い。そのため、前記半導体装置と前記実装基板の隙間ＳＰが狭く、前記隙間ＳＰに封止樹脂を流し込むのが難しいという問題があった。
【００１５】
また、前記半導体装置と前記実装基板の隙間ＳＰに封止樹脂を流し込むのが難しいので、前記半導体装置の配線２と前記実装基板９の配線（端子）９０１との接続部を封止せずに、空気中に露出させた状態にすることが多い。そのため、前記半導体装置の配線２と前記実装基板９の配線（端子）９０１との接続部の酸化、あるいは空気中の水分による腐食などで、前記接続部の接続信頼性や電気的特性が劣化しやすいという問題があった。
【００１６】
本発明の目的は、基板の表面に配線が設けられた配線板を用い、前記配線上に半導体チップを実装した後、前記基板をはがして前記配線を露出させた半導体装置において、前記半導体装置を実装基板に実装したときに、前記半導体装置と前記実装基板の間を絶縁体で封止しやすくすることが可能な技術を提供することにある。
【００１７】
本発明の目的は、基板の表面に配線が設けられた配線板を用い、前記配線上に半導体チップを実装した後、前記基板をはがして前記配線を露出させた半導体装置において、前記半導体装置を実装基板に実装するときの接続信頼性や電気的特性の劣化を防ぐことが可能な技術を提供することにある。
【００１８】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明において開示される発明の概要を説明すれば、以下の通りである。
【００２０】
（１）基板の表面に配線（導体パターン）が設けられており、前記基板の前記配線が設けられた面に半導体チップを実装した後、前記基板をはがして半導体装置を形成するための配線板であって、前記基板は、前記配線の一部と重なる領域が開口しており、前記開口部内に、突起状の導体（バンプ）が設けられている配線板である。
【００２１】
前記（１）の手段によれば、前記基板の開口部内に、前記突起状の導体が設けられていることにより、前記配線板上に半導体チップを実装し、封止した後、前記基板をはがしたときに、前記配線の露出面に前記突起状の導体が設けられた半導体装置を得ることができる。そのため、前記配線板を用いて形成した半導体装置を実装基板に実装するときに、前記突起状の導体の高さ分だけ、前記半導体装置と前記実装基板の隙間を広くすることができる。このとき、前記突起状の導体は、例えば、銅、ニッケル、金、銀、錫、もしくはこれらの合金を用いて設けることが好ましい。
【００２２】
またこのとき、前記突起状の導体の表面に接合材が設けられていると、前記配線板を用いて半導体装置を形成したときに、前記基板をはがした後、前記配線の露出面に接合材を形成する工程が省略することができる。このとき、前記接合材としては、例えば、錫めっき、錫合金めっき、金めっきを設けることが好ましい。
【００２３】
また、前記基板として、例えば、特定の条件のもとで、前記配線との接着力が低下する材料を用いると、前記配線板を形成する工程及び前記半導体チップを実装する工程、ならびにその間の搬送工程などで前記配線が前記基板からはがれるのを防ぐことができる。また、特定の条件のもとで、前記配線との接着力を低下させた状態で前記基板をはがすことができるので、前記基板をはがした後、前記配線の表面に前記基板の残りが生じるのを防ぐことができる。
【００２４】
このとき、前記基板としては、例えば、加熱することにより軟化し、接着力が低下する熱可塑性樹脂を用いた基板が挙げられる。また、例えば、光を照射することにより接着力が変化する材料を用いた基板を用いることも可能である。
【００２５】
またこのとき、前記基板は、単一の材料である必要はなく、例えば、平板状の基材の表面に熱可塑性樹脂を設けたものを用い、前記基板の前記熱可塑性樹脂上に前記配線を設けてもよい。
【００２６】
（２）基板の表面に配線（導体パターン）が形成された配線板上に半導体チップを接着し、前記半導体チップの外部電極と前記配線とを電気的に接続し、前記半導体チップの周囲を絶縁体で封止した後、前記基板をはがして前記配線を露出させる半導体装置の製造方法であって、前記配線板の前記基板は、前記配線の一部と重なる領域が開口しており、前記開口部内に、突起状の導体（バンプ）が形成されている半導体装置の製造方法である。
【００２７】
前記（２）の手段によれば、前記基板の前記配線の一部と重なる領域が開口しており、前記開口部内に突起状の導体（バンプ）が形成されている配線板を用いて半導体装置を製造することにより、前記基板をはがした後、前記配線の露出面上に前記突起状の導体が設けられた半導体装置を容易に得ることができる。
【００２８】
また、前記配線板を用いて製造した半導体装置は、前記配線の露出面上に前記突起状の導体が形成されているため、前記半導体装置を実装基板に実装するときに、前記突起状の導体と前記実装基板の配線（端子）を接続させることにより、前記半導体装置と前記実装基板の間の隙間を広くすることができる。そのため、前記半導体装置と前記実装基板の間に絶縁体を流し込みやすくすることができ、前記突起状の導体と前記実装基板の配線（端子）の接続部の封止が容易になる。
【００２９】
また、前記突起状の導体と前記実装基板の配線（端子）の接続部が封止になるため、前記突起状の導体と前記実装基板の配線（端子）の接続部の酸化や腐食を防ぐことができ、接続信頼性や電気的特性の劣化を防ぐことができる。
【００３０】
またこのとき、前記突起状の導体の表面に接合材が形成されている配線板を用いると、従来の半導体装置の製造方法のように、前記基板をはがした後で前記接合材を形成する必要がない。そのため、前記半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００３１】
また、前記基板として、例えば、特定の条件のもとで、前記配線との接着力が低下する材料を用いると、前記配線板を形成する工程及び前記半導体チップを実装する工程、ならびにその間の搬送工程などで前記配線が前記基板からはがれるのを防ぐことができる。また、特定の条件のもとで、前記配線との接着力を低下させた状態で前記基板をはがすことができるので、前記基板をはがした後、前記配線の表面に前記基板の残りが生じるのを防ぐことができる。
【００３２】
このとき、前記基板としては、例えば、加熱することにより軟化し、接着力が低下する熱可塑性樹脂を用いた基板が挙げられる。また、例えば、光を照射することにより接着力が変化する材料を用いた基板を用いることも可能である。
【００３３】
またこのとき、前記基板は、単一の材料である必要はなく、例えば、平板状の基材の表面に熱可塑性樹脂を形成したものを用い、前記基板の前記熱可塑性樹脂上に前記配線が形成されていてもよい。
【００３４】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
【００３５】
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００３６】
【発明の実施の形態】
（実施例）
図１及び図２は、本発明による一実施例の配線板の概略構成を示す模式図であり、図１（ａ）は配線板の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線での断面図、図２は図１（ｂ）の部分拡大断面図である。
【００３７】
図１（ａ）及び図１（ｂ）、ならびに図２において、１は基板、１０１は絶縁基材、１０２は再剥離材（熱可塑性接着剤）、１Ａは基板の開口部、２は配線、２Ａは配線のランド（外部接続端子）、３は突起状の導体（バンプ）、４０１は第１機能めっき、４０２は第２機能めっきである。
【００３８】
本実施例の配線板は、図１（ａ）及び図１（ｂ）、ならびに図２に示すように、基板１の表面に配線２が設けられている。このとき、前記配線２の一端には、ランド２Ａが設けられており、前記ランド２Ａがアレイ状に配置されている。
【００３９】
また、前記基板１は、前記配線２のランド２Ａの下部に開口部１Ａが設けられており、前記開口部内に、前記配線２と接続された突起状の導体３が設けられている。このとき、前記突起状の導体３は、例えば、銅めっきやニッケルめっきなどからなり、高さが数μｍから数十μｍになるように設けられている。
【００４０】
また、本実施例の配線板は、半導体チップを実装し、前記半導体チップの周囲を封止した後、前記基板をはがして半導体装置を製造するための配線板であって、前記基板１は、例えば、図２に示したように、絶縁基材１０１の表面に再剥離材１０２が設けられている。ここで、前記再剥離材１０２は、例えば、熱可塑性接着剤のように、後の工程で前記配線２をはがすことのできる接着材料である。
【００４１】
また、図１（ｂ）では省略しているが、前記配線２の表面、言い換えると露出した面には、例えば、金めっき、錫めっき、錫合金めっきなどの第１機能めっき４０１が設けられている。また、前記突起状の導体３の表面にも、例えば、錫めっき、錫合金めっき、金めっきなどの第２機能めっき４０２が設けられている。
【００４２】
また、本実施例の配線板では、半導体チップは、例えば、図１（ａ）に示した領域ＡＲ１上に搭載される。また、前記基板１は、一方向に長尺なテープ状であり、図１（ａ）に示した領域ＡＲ２内のパターンが繰り返し設けられている。
【００４３】
図３は、本実施例の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図３（ａ）は基板に開口部を形成する工程の断面図、図３（ｂ）は基板に導体膜を張り合わせる工程の断面図、図３（ｃ）は突起状の導体を形成する工程の断面図、図３（ｄ）は導体膜をパターニングする工程の断面図である。
【００４４】
本実施例の配線板を製造するときには、まず、例えば、図３（ａ）に示したように、前記絶縁基材１０１の表面に前記再剥離材１０２が形成された基板１に開口部１Ａを形成する。このとき、前記開口部１Ａは、例えば、金型を用いた打ち抜き加工で形成する。
【００４５】
次に、図３（ｂ）に示すように、前記開口部１Ａが形成された基板１と導体膜２’を張り合わせる。このとき、前記導体膜２’は、例えば、電解銅箔や圧延銅箔などを用い、前記基板１の前記再剥離材１０２が形成された面に張り合わせる。またこのとき、前記再剥離材１０２には、例えば、熱可塑性接着剤を用い、前記基板１の温度を、例えば、２００℃から２６０℃に加熱して張り合わせる。
【００４６】
次に、図３（ｃ）に示すように、前記基板１の開口部１Ａ内に、突起状の導体３を形成する。このとき、前記突起状の導体３は、例えば、電気銅めっきや電気ニッケルめっきなどで、高さが数μｍから数十μｍになるように形成する。またこのとき、前記突起状の導体３は、前記基板１からはがれやすくするために、前記基板１との接触面積を小さくするのが好ましく、図３（ｃ）に示したように、ドーム状に形成する。
【００４７】
次に、図３（ｄ）に示すように、前記導体膜２’をパターニングして配線２を形成する。このとき、前記配線２は、例えば、サブトラクティブ法やセミアディティブ法などを用いて形成する。
【００４８】
その後、前記配線２の露出した面に、第１機能めっき４０１を形成するとともに、前記突起状の導体３の表面に第２機能めっき４０２を形成すると、図２に示したような配線板を得ることができる。このとき、前記第１機能めっき４０１と前記第２機能めっき４０２は、同じ材料を用いて形成してもよいし、異なる材料を用いて、それぞれの機能に最適なめっきを形成してもよい。
【００４９】
図４及び図５は、本実施例の配線板を用いた半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図４（ａ）は半導体チップを実装する工程の断面図、図４（ｂ）は半導体チップを封止する工程の断面図、図５は基板をはがした後の半導体装置の断面図である。
【００５０】
本実施例の配線板を用いて半導体装置を製造するときには、まず、図４（ａ）に示すように、前記配線板の配線２上に、例えば、熱硬化性接着剤５を用いて半導体チップ６を接着する。そして、前記半導体チップ６の外部電極６０１と前記配線２をボンディングワイヤ７で電気的に接続する。このとき、図４（ａ）では省略しているが、前記配線２の表面には、前記第１機能めっき４０１が形成されており、前記突起状の導体３の表面には、前記第２機能めっき４０２が形成されている。
【００５１】
次に、図４（ｂ）に示すように、前記半導体チップ６及び前記配線２、ならびに前記ボンディングワイヤ７の周囲に封止用絶縁体８を形成して封止する。このとき、前記封止用絶縁体８は、例えば、トランスファモールドで形成する。
【００５２】
その後、例えば、全体を１７０℃から２００℃に加熱し、前記再剥離材（熱可塑性接着剤）１０２の接着力を低下させた状態で前記基板１をはがすと、図５に示すように、前記配線２が前記封止用絶縁体８及び前記熱硬化性接着剤５の表面に露出し、且つ前記配線２のランド（外部接続端子）２Ａ上に、前記突起状の導体３が形成された半導体装置を得ることができる。またこのとき、前記再剥離材１０２の種類によっては、加熱することなく前記基板１をはがすことができる。
【００５３】
図６は、本実施例の作用効果を説明するための模式断面図である。
【００５４】
本実施例の配線板を用いて製造した半導体装置は、前記基板１をはがしたときに、図５に示したように、前記配線２のランド２Ａ上に、前記突起状の導体３が形成されている。すなわち、前記半導体装置を実装基板に実装したときに、図６に示すように、前記半導体装置の配線２（ランド２Ａ）と前記実装基板９の配線（端子）９０１の間に前記突起状の導体３が介在している。そのため、前記突起状の導体３の高さｈの分だけ、前記半導体装置と前記実装基板の隙間ＳＰを広くすることができる。
【００５５】
また、前記半導体装置と前記実装基板９の隙間を広くすることにより、封止樹脂を流し込みやすくなるため、前記半導体装置の配線２（ランド２Ａ）と前記実装基板９の配線（端子）９０１との接続部の酸化や腐食を防ぐことができる。そのため、前記半導体装置を実装したときの接続信頼性や電気的特性の劣化を防ぐことができる。
【００５６】
以上説明したように、本実施例の配線板によれば、前記基板１に開口部１Ａを設け、前記開口部１Ａ内に前記突起状の導体３を設けることにより、外部接続端子（ランド）２Ａ上に突起状の導体３が設けられた半導体装置を容易に得ることができる。
【００５７】
また、前記半導体装置の外部接続端子（ランド）２Ａ上に前記突起状の導体３が設けられるため、前記半導体装置を実装基板９に実装したときに、前記突起状導体３の高さｈの分だけ、前記半導体装置と前記実装基板９の隙間を広くすることができる。
【００５８】
また、前記半導体装置と前記実装基板９の隙間を広くすることにより、封止樹脂を流し込みやすくなるため、前記半導体装置の配線２（ランド２Ａ）と前記実装基板９の配線（端子）９０１との接続部の酸化や腐食を防ぐことができる。そのため、前記半導体装置を実装したときの接続信頼性や電気的特性の劣化を防ぐことができる。
【００５９】
また、前記突起状の導体３及びその表面の第２機能めっき４０２が設けられた配線板を用いて半導体装置を製造することにより、前記基板をはがした後で、前記配線２の外部接続端子（ランド）２Ａ上に、バンプを形成したり、接合材を形成したりする工程を省略することができる。そのため、半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００６０】
また、本実施例では、前記基板１は、絶縁基材１０１上に再剥離材（熱可塑性接着剤）を形成したものを用いているが、これに限らず、例えば、熱可塑性樹脂からなる単一の基板を用いてもよいことは言うまでもない。
【００６１】
また、前記再剥離材１０２も、前記熱可塑性接着剤に限らず、例えば、光を照射することにより接着力が変化する材料を用いてもよい。
【００６２】
図７は、前記実施例の変形例を説明するための模式図であり、図７（ａ）及び図７（ｂ）は配線板の製造方法を説明するための断面図である。
【００６３】
前記実施例では、前記配線板の製造方法として、前記開口部１Ａが形成された基板１に導体膜２’を張り合わせる例を説明したが、これに限らず、種々の方法で製造することができる。例えば、まず、図７（ａ）に示すように、前記基板１と前記導体膜２’を張り合わせておき、図７（ｂ）に示すように、前記基板１の前記導体膜２’が接着された面の裏面から開口部１Ａを形成してもよい。このとき、前記開口部１Ａは、例えば、炭酸ガスレーザなどのレーザ光を照射して形成する。
【００６４】
図８及び図９は、前記実施例の応用例を説明するための模式図であり、図８（ａ）は配線板の概略構成を示す平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＢ−Ｂ’線での断面図、図９（ａ）は図８（ａ）に示した配線板を用いて製造した半導体装置の平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＣ−Ｃ’線での断面図である。
【００６５】
前記実施例では、図１（ａ）に示したように、配線２の外部接続端子（ランド）２Ａがアレイ状に配置された、ＬＧＡ型の半導体装置を製造するための配線板を例に挙げて説明したが、これに限らず、例えば、ＱＦＮ型の半導体装置を製造する配線板としても用いることができる。
【００６６】
前記実施例で説明したような配線板を、前記ＱＦＮ型の半導体装置の製造に用いるときには、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、前記基板１上の、半導体チップを実装する領域ＡＲ１の外周を囲むように前記配線２を設ける。また、前記半導体チップを実装する領域ＡＲ１には、例えば、アイランド２Ｂを設けておく。
【００６７】
このときも、図８（ｂ）に示すように、前記基板１の、前記配線２の下部に開口部を設け、前記開口部内に突起状の導体３を設けておく。
【００６８】
図８（ａ）及び図８（ｂ）に示したような配線板を用い、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、前記アイランド２Ｂ上に半導体チップ６を接着し、前記半導体チップ６の外部電極６０１と前記配線２とをボンディングワイヤ７で電気的に接続し、封止用絶縁体８で封止した後、前記基板１をはがせば、前記配線２上に前記突起状の導体３が形成された半導体装置を得ることができる。
【００６９】
また、ＱＦＮ型の半導体装置を製造するときに用いる配線板は、前記実施例で説明したような手順に限らず、例えば、銅板を打ち抜いてリードを形成したリードフレームを前記基板１に張り合わせてもよい。この場合も、前記リードフレームを張り合わせる前、もしくは貼り合わせた後に、前記基板１に開口部１Ａを形成し、前記開口部１Ａ内に前記突起状の導体３を形成することにより、配線２上に突起状の導体３が形成された半導体装置を容易に得ることができる。
【００７０】
以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。
【００７１】
【発明の効果】
本発明において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下の通りである。
【００７２】
（１）基板の表面に配線が設けられた配線板を用い、前記配線上に半導体チップを実装した後、前記基板をはがして前記配線を露出させた半導体装置において、前記半導体装置を実装基板に実装したときに、前記半導体装置と前記実装基板の間を絶縁体で封止しやすくすることができる。
【００７３】
（２）基板の表面に配線が設けられた配線板を用い、前記配線上に半導体チップを実装した後、前記基板をはがして前記配線を露出させた半導体装置において、前記半導体装置を実装基板に実装するときの接続信頼性や電気的特性の劣化を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による一実施例の配線板の概略構成を示す模式図であり、図１（ａ）は配線板の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線での断面図である。
【図２】本実施例の配線板の概略構成を示す模式図であり、図１（ｂ）の部分拡大断面図である。
【図３】本実施例の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図３（ａ）は基板に開口部を形成する工程の断面図、図３（ｂ）は基板に導体膜を張り合わせる工程の断面図、図３（ｃ）は突起状の導体を形成する工程の断面図、図３（ｄ）は導体膜をパターニングする工程の断面図である。
【図４】本実施例の配線板を用いた半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図４（ａ）は半導体チップを実装する工程の断面図、図４（ｂ）は半導体チップを封止する工程の断面図である。
【図５】本実施例の配線板を用いた半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、基板をはがした後の半導体装置の断面図である。
【図６】本実施例の作用効果を説明するための模式断面図である。
【図７】前記実施例の変形例を説明するための模式図であり、図７（ａ）及び図７（ｂ）は、配線板の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】前記実施例の応用例を説明するための模式図であり、図８（ａ）は配線板の概略構成を示す平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【図９】前記実施例の応用例を説明するための模式図であり、図９（ａ）は図８（ａ）に示した配線板を用いた半導体装置の概略構成を示す平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＣ−Ｃ’線での断面図である。
【図１０】従来の配線板の概略構成を示す模式図であり、図１０（ａ）は配線板の平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＤ−Ｄ’線での断面図である。
【図１１】従来の配線板の概略構成を示す模式図であり、図１０（ｂ）の拡大断面図である。
【図１２】本実施例の配線板を用いた半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図１２（ａ）は半導体チップを実装する工程の断面図、図１２（ｂ）は半導体チップを封止する工程の断面図である。
【図１３】本実施例の配線板を用いた半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図１３（ａ）は基板をはがした後の半導体装置の断面図、図１３（ｂ）は配線の表面に機能めっきを形成する工程の断面図である。
【図１４】課題を説明するための模式断面図である。
【符号の説明】
１ 基板
１０１ 絶縁基材
１０２ 再剥離材（熱可塑性接着剤）
１Ａ 基板の開口部
２ 配線
２Ａ ランド（外部接続端子）
２Ｂ アイランド
３ 突起状の導体
４０１ 第１機能めっき
４０２ 第２機能めっき
５ 熱硬化性接着剤
６ 半導体チップ
６０１ 半導体チップの外部電極
７ ボンディングワイヤ
８ 封止用絶縁体
９ 実装基板
９０１ 実装基板の配線（端子）
ＳＰ 半導体装置と実装基板の隙間
Claims (6)
- 基板の表面に配線が設けられており、前記基板の前記配線が設けられた面に半導体チップを実装した後、前記基板をはがして半導体装置を形成するための配線板であって、
前記基板は、前記配線の一部と重なる領域が開口しており、
前記開口部内に、突起状の導体が設けられていることを特徴とする配線板。 - 前記突起状の導体の表面に、接合材が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の配線板。
- 前記基板は、平板状の基材の表面に、加熱若しくは光の照射によって接着力が低下する再剥離材が設けられており、前記配線は、前記再剥離材上に設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線板。
- 基板の表面に配線が形成された配線板上に半導体チップを接着し、前記半導体チップの外部電極と前記配線とを電気的に接続し、前記半導体チップの周囲を絶縁体で封止した後、
前記基板をはがして前記配線を露出させる半導体装置の製造方法であって、
前記配線板の前記基板は、前記配線の一部と重なる領域が開口しており、
前記開口部内に、突起状の導体が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記配線板は、前記突起状の導体の表面に接合材が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記配線板の前記基板は、平板状の基材の表面に、加熱若しくは光の照射によって接着力が低下する再剥離材が形成されていることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
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