JP3753629B2 - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3753629B2
JP3753629B2 JP2001175269A JP2001175269A JP3753629B2 JP 3753629 B2 JP3753629 B2 JP 3753629B2 JP 2001175269 A JP2001175269 A JP 2001175269A JP 2001175269 A JP2001175269 A JP 2001175269A JP 3753629 B2 JP3753629 B2 JP 3753629B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting element
package
light
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001175269A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002033518A (ja
Inventor
雅裕 岡村
哲也 花本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2001175269A priority Critical patent/JP3753629B2/ja
Publication of JP2002033518A publication Critical patent/JP2002033518A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3753629B2 publication Critical patent/JP3753629B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の発光装置としては、例えば特開平1−283883号のような発光装置があった。図6(A)(B)(C)において、1は被メッキ性を有する熱可塑性樹脂製の反射ケース(パッケージ)であり、その表面に凹部2が形成されている。
【0003】
また、3,4,5に示す部分はCu/Ni/Agメッキが施されており、該メッキ3,4,5はスルーホールを通して6,7の電極用メッキ端子と接続されている。
【0004】
メッキランド3では、発光素子としての発光ダイオードチップ8がAgペースト9により固定され、Au線11によりメッキランド4と結線されている。
【0005】
なお、メッキランド3,4の間には、約0.3mmの幅で下地の熱可塑性樹脂が露出されている。この部分が立体絶縁パターンとなっている。
【0006】
反射ケース1の凹部2は、発光ダイオードの保護、光の取り出し効率の向上のために透明エポキシ樹脂12で封止される。
【0007】
使用時には、電極用メッキ端子6から7へ数10mAの電流を流すことにより、発光ダイオードチップ8が発光し、可視発光ランプとして作動する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
従来の発光装置においては、発光ダイオードチップ8と裏面電極用メッキ端子6,7との間の電気的接続は、反射ケース1の表面に形成された立体配線のメッキ層3,4,5を通して行われる。このメッキ層3,4,5をメッキ法で立体配線形成するには、全面にメッキした後に、必要なパターン形成部分にレジストでマスキングを行い、フォトリソ工程、エッチング工程を順次経ることでパターンを残して不要部分、すなわち絶縁ラインとなる部分のメッキを除去する、パターン形成部分のみを、触媒等を塗布することでメッキ可能な状態にする、といった方法のいずれかを採るのが一般的である。しかし、いずれの手法においてもパターンを立体的に形成するためには、マスキングを立体的に行わなければならず、高度な技術が要求される。
【0009】
本発明は、上記課題に鑑み、製造工程を簡略化し得る発光装置の提供を目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明による発光装置は、発光素子と、パッケージと、該パッケージの上面に位置して前記発光素子の電極に接続されるランド部と、前記パッケージの裏面に位置して外部接続に用いられる裏面端子と、前記発光素子を封止する透光性樹脂と、を備えた発光装置において、
前記ランド部と、前記裏面端子との電気的導通がパッケージにてなされてなることにより上記目的を達成する。
【0011】
本発明による発光装置は、発光素子と、パッケージと、該パッケージの上面に位置して前記発光素子の電極に接続されるランド部と、前記パッケージの裏面に位置して外部接続に用いられる裏面端子と、前記発光素子を封止する透光性樹脂と、を備えた発光装置において、
前記パッケージが、絶縁樹脂体と、その上面が前記ランド部をなしかつその裏面が前記裏面端子をなす金属部材と、を備え、
前記絶縁樹脂体に、前記金属部材が露出して埋め込まれてなることにより、上記目的を達成する。
【0012】
本発明による発光装置は、
発光素子と、パッケージと、該パッケージの上面に位置して前記発光素子の電極に接続されるランド部と、前記パッケージの裏面に位置して外部接続に用いられる裏面端子と、前記発光素子を封止する透光性樹脂と、を備えた発光装置において、
前記パッケージが、絶縁樹脂体と、その上面が前記ランド部をなしかつその裏面が前記裏面端子をなす金属部材と、を備え、
前記金属部材により、前記発光素子と前記裏面端子とが電気的導通をなしていることにより上記目的を達成する。
【0013】
本発明による発光装置は、上記発光装置のいずれかにおいて、
前記パッケージは、ランド部と裏面端子と備えた金属部材を複数個を備え、
複数のランド部の少なくとも1つは、ボンディングワイヤを介して、発光素子に結線されてなることにより上記目的を達成する。
【0014】
本発明による発光装置は、少なくとも前記発光素子とボンディングワイヤで結線されるランド部を備えた金属部材は、前記パッケージに露出して埋め込まれていることにより、上記目的を達成する。
【0015】
本発明による発光装置は、上記発光装置のいずれかにおいて、
前記発光素子が、その一方面にのみ電極が形成されて、該電極と、前記ランド部とは、導電バンプを介して接続されてなることにより、上記目的を達成する。
【0016】
本発明による発光装置は、
発光素子と、パッケージと、パッケージ上面に位置して前記発光素子の電極に接続される複数のランド部と、前記パッケージの裏面に位置して外部接続に用いられる複数の裏面端子と、前記発光素子を封止する透光性樹脂と、を備えた発光装置において、
前記発光素子が、複数の電極が並設される面と、該面に対向して、光の放射がなされる面とを備え、かつ前記複数の電極が前記複数のランド部に跨って固定され、前記複数のランド部と前記複数の裏面端子が電気的導通をなしていることにより、上記目的を達成する。
【0017】
本発明による発光装置は、上記発光装置のいずれかにおいて、
前記パッケージの発光素子搭載面が矩形であることにより、上記目的を達成する。
【0018】
本発明は、図1の如く、パッケージ21の上面に、発光素子22を搭載する第一ランド部27と、発光素子22にボンディングワイヤ29を介して結線される第二ランド部31とが形成され、パッケージ21の裏面に、外部接続用の裏面端子28,32が形成され、前記第一ランド部27に発光素子22が搭載され、発光素子22と第二ランド部31とがボンディングワイヤ29にて結線され、発光素子22およびボンディングワイヤ29が透光性樹脂23にて樹脂封止された発光装置において、前記パッケージ21は、上面が第一ランド部27とされかつ裏面が第一裏面端子28とされた高導電性の第一導電樹脂体24と、上面が第二ランド部31とされかつ裏面が第二裏面端子32とされた高導電性の第二導電樹脂体25と、該両導電樹脂体24,25の間に介在される絶縁樹脂体26とからなり、該両導電樹脂体24,25および絶縁樹脂体26は金型成形時に一体形成(二色成形)されたものであってもよい。
【0019】
本発明は、図2(A)〜(C)の如く、上記の発光装置において、パッケージ21の上面に凹部41が形成され、前記第一ランド部27および第二ランド部31は、前記凹部41の底面部に配置され、前記発光素子22の搭載・結線後、凹部41の内部が透光性樹脂23にて樹脂封止されてなるものであってもよい。
【0020】
本発明は、前記第一ランド部27、第二ランド部31および裏面端子28,32に、接続用の金属膜33が形成されたものであってもよい。
【0021】
本発明は、図3の如く、パッケージ21の上面に、発光素子22を搭載する第一ランド部27と、発光素子22にボンディングワイヤ29を介して結線される第二ランド部31とが形成され、パッケージ21の裏面に、外部接続用の裏面端子28,32が形成され、前記第一ランド部27に発光素子22が搭載され、発光素子22と第二ランド部31とがボンディングワイヤ29にて結線され、発光素子22およびボンディングワイヤ29が透光性樹脂23にて樹脂封止された発光装置において、前記パッケージ21は、上面が第一ランド部27とされかつ裏面が第一裏面端子28とされた高導電性の第一樹脂体24と、上面に第二ランド部31とされかつ裏面に第二裏面端子32が形成される第二樹脂体25と、該両樹脂体24,25の間に介在される絶縁樹脂体26とからなり、該樹脂体24,25,26は金型成形時に一体形成され、前記第二樹脂体25に、ボンディングワイヤ29と接続するための金属部材45が露出して埋め込まれたものであってもよい。
【0022】
本発明は、図4,5の如く、パッケージ21の上面に、発光素子22の第一電極46に接続される第一ランド部27と、発光素子22の第二電極47に接続される第二ランド部31とが形成され、パッケージ21の裏面に、外部接続用の裏面端子28,32が形成され、前記第一ランド部27に発光素子22が搭載され、発光素子22と第二ランド部31とがボンディングワイヤ29にて結線され、発光素子22およびボンディングワイヤ29が透光性樹脂23にて樹脂封止された発光装置において、前記パッケージ21は、上面が第一ランド部27とされかつ裏面が第一裏面端子28とされた高導電性の第一導電樹脂体24と、上面が第二ランド部31とされかつ裏面が第二裏面端子32とされた高導電性の第二導電樹脂体25と、該両導電樹脂体24,25の間に介在される絶縁樹脂体26とからなり、該両導電樹脂体24,25および絶縁樹脂体26は金型成形時に一体形成され、前記第一電極46および第二電極47の両方とも発光素子22の裏面に並設され、各電極46,47と各ランド部27,31とは、電極46,47および各ランド部27,31のいずれか一方に予め形成された導電バンプ57を介して接続されたものであってもよい。
【0023】
本発明は、上面が第一ランド部27とされかつ裏面が第一裏面端子28とされた高導電性の第一導電樹脂体24と、上面が第二ランド部31とされかつ裏面が第二裏面端子32とされた高導電性の第二導電樹脂体25と、これらの間に介在される絶縁樹脂体26とを、一体的に金型成形してパッケージ21を形成し、パッケージ21の上面に、発光素子22をその第一電極46が第一ランド部27に接続し、第二電極47が第二ランド部31に接続するよう搭載し、発光素子22の周囲を透光性樹脂23にて樹脂封止するものであってもよい。
【0024】
以下、本発明の作用を記載する。
【0025】
上述のごとく、上面が第一ランド部27とされかつ裏面が第一裏面端子28とされた高導電性の第一導電樹脂体24と、上面が第二ランド部31とされかつ裏面が第二裏面端子32とされた高導電性の第二導電樹脂体25と、これらの間に介在される絶縁樹脂体26とを、たとえば、一体的に金型成形(二色成形)してパッケージ21を形成し、パッケージ21の上面に、発光素子22をその第一電極46が第一ランド部27に接続し、第二電極47が第二ランド部31に接続するよう搭載し、発光素子22の周囲を透光性樹脂23にて樹脂封止する。
【0026】
そうすると、従来のように上面の発光素子22と裏面の裏面端子28,32との電気的接続を確保するために、パッケージのスルーホール等の表面に立体配線を施す必要が無くなり、工程が簡素化、簡略化される。
【0027】
上述のごとく、パッケージ21の成形時に金属部材45をインサートして成形するだけで、上面の発光素子22と裏面の裏面端子28,32との電気的導通を金属部材45にて行うことができる。そうすると、ボンディング用のランド部31に金属メッキ等を施さなくても、ボンディングワイヤの付着が容易(ボンディング性)となる。
【0028】
上述のごとく、発光素子22と各ランド部27,31とを導電バンプ57を用いて接続するため、ボンディングワイヤ等を用いた接続が不要となり、ワイヤー断線等の不良の発生が無くなり、製品の信頼性が向上する。
【0029】
【発明の実施の形態】
(第一実施例)
図1は本発明の第一実施例の発光装置を示す断面図である。本実施例の発光装置は、パッケージとしての樹脂基板21の上面に発光素子22が搭載および結線され、さらに発光素子22の保護と外部量子効率の向上を目的として発光素子22の周囲が透光性樹脂23にて樹脂封止されたものである。
【0030】
前記樹脂基板21は、高導電性樹脂からなる第一導電樹脂体24と、同じく第二導電樹脂体25と、該両導電樹脂体24,25の間に介在される絶縁樹脂体26とが、金型成形時に一体形成(二色成形)されてなる。
【0031】
前記第一導電樹脂体24および第二導電樹脂体25は、金属粉やカーボンなどの導電性物質を樹脂に混入して導電性を持たせたものや、ポリピロール樹脂やポリアニリン等のように樹脂素材自体が導電性を有するものが用いられる。これら導電樹脂体24,25の抵抗率は、発光素子22の駆動電流等を考慮すると、1Ω・cm以下が望ましい。
【0032】
前記第一導電樹脂体24の上面は、発光素子22を搭載する第一ランド部(搭載用ランド部)27とされる。該第一導電樹脂体24の裏面は、外部接続用の第一裏面端子28とされる。
【0033】
前記第二導電樹脂体25の上面は、発光素子22にAu等のボンディングワイヤ29を介して結線される第二ランド部(結線用ランド部)31とされる。該第二導電樹脂体25の裏面は、外部接続用の第二裏面端子32とされる。
【0034】
そして、前記各ランド部27,31および各裏面端子28,32には、金属膜としてのNi/Auメッキ33が施される。該Ni/Auメッキ33は、他の実装基板への実装時の半田付け用パッドとして使用される。
【0035】
前記絶縁樹脂体26は、例えば、液晶ポリマー、ポリエーテルサルフォン等のように、良好な加工性、半田耐熱性を有する機能性高分子材料(エンジニアリングプラスチック)が使用される。
【0036】
樹脂基板21は、多数個取り形状の基板上に一括形成し、後述のような発光素子22の搭載、封止後、スクライブ手法やダイシング手法を用いて個々の単位に分割される。
【0037】
前記発光素子22は、前記第一ランド部27にAgペーストにより固着され、かつボンディングワイヤ29を介して前記第二ランド部31に結線される。
【0038】
前記透光性樹脂23としては、例えば透明エポキシ樹脂が使用される。
【0039】
上記構成の発光装置は、次のように製造される。
【0040】
始めに、樹脂基板21を、多数個取り形状の基板上に一括形成する。
【0041】
この際、まず、高導電性樹脂を用いて第一導電樹脂体24および第二導電樹脂体25、すなわち電気回路となる部分の成形を行う(一次成形)。
【0042】
次に、この部分をインサート側として絶縁樹脂体26の成形を行い(二次成形)、樹脂基板21を一体形成する。この際、各導電樹脂体24,25の上面のランド部27,31および裏面の裏面端子28,32が、それぞれの面において露出するようにする。
【0043】
その後、各ランド部27,31および各裏面端子28,32に、Ni/Auメッキ33を施す。
【0044】
そして、発光素子22を第一ランド部27にAgペーストで固着し、ボンディングワイヤ29を介して第二ランド部31に結線する。
【0045】
しかる後、発光素子22およびボンディングワイヤ29の周囲を透光性樹脂23にて樹脂封止する。
【0046】
その後、樹脂基板21を、スクライブ手法やダイシング手法を用いて個々の単位に分割し、発光装置は完成する。
【0047】
以上の工程にて作成した発光装置は、発光素子22と裏面端子28,32との電気的接続を、各導電樹脂体24を介して行うことができるようになる。そうすると、従来のように発光素子22を接続するための各ランド部(メッキランド)と、裏面端子(電極用メッキ端子)との電気的接続を確保するために、樹脂基板(反射ケース)のスルーホール等を通って立体配線を施す必要が無くなる。したがって、製造工程が簡素化、簡略化される。
【0048】
また、スルーホール不要のため、成形が容易で金型形状も簡単にできる。したがって、金型コストが安くなる。
【0049】
さらに、回路配線の引き回しが不要なので、全体サイズがコンパクトになる。
【0050】
(第二実施例)
図2は本発明の第二実施例の発光装置を示す図であり、(A)は上面図、(B)は断面図、(C)は裏面図である。図2において、21はパッケージとしての樹脂基板であり、その上面に凹部41が形成されている。
【0051】
前記樹脂基板21は、凹部41の底壁を構成する底面部42と、凹部41の側壁を構成する周辺部43とからなる。
【0052】
前記底面部42は、第一実施例と同様に、第一導電樹脂体24と、第二導電樹脂体25と、該両導電樹脂体24,25の間に介在される絶縁樹脂体26とが、金型成形時に一体形成(二色成形)されてなる。
【0053】
前記周辺部43は絶縁性樹脂から形成されている。該周辺部43は、前記底面部42に二色成形法にて金型成形時に一体形成される。
【0054】
前記各導電樹脂体24,25の上面の各ランド部27,31および裏面の各裏面端子28,32には、Ni/Auメッキ33が施されている。
【0055】
そして、発光素子22は、第一ランド部27にAgペースト44により固着され、発光素子22の上部電極と第二ランド部31との間は、Au等のボンディングワイヤ29により結線される。
【0056】
また、前記凹部41の内部全体は、発光素子22の保護と外部量子効率の向上を目的として、透明エポキシ樹脂等の透光性樹脂23により封止される。
【0057】
本実施例によっても、第一実施例と同様の効果を得ることができる。
【0058】
(第三実施例)
図3において、21はパッケージとしての樹脂基板であり、その上面に凹部41が形成されている。
【0059】
前記樹脂基板21は、凹部41の底壁を構成する底面部42と、凹部41の側壁を構成する周辺部43とからなる。
【0060】
前記底面部42は、第一実施例と同様に、第一導電樹脂体24と、第二導電樹脂体25と、該両導電樹脂体24,25の間に介在される絶縁樹脂体26とが、金型成形時に一体形成(二色成形)されてなる。
【0061】
前記周辺部43は絶縁性樹脂から形成されている。該周辺部43は、前記底面部42に二色成形法にて金型成形時に一体形成される。
【0062】
そして、第二導電樹脂体25には、金型成形時に金属製リードピン45(金属部材)が埋め込まれており、ワイヤボンド時のボンディングパッドの役割を果たす。
【0063】
また、樹脂基板21の裏面の各裏面端子28,32には、外部接続用のNi/Auメッキ33が施されている。
【0064】
そして、発光素子22は、第一ランド部27上にAgペーストにより固着され、発光素子22の上部電極と前記金属製リードピン45との間は、Au等のボンディングワイヤ29により結線される。
【0065】
また、前記凹部41の内部全体は、発光素子22の保護と外部量子効率の向上を目的として、透明エポキシ樹脂等の透光性樹脂23により封止される。
【0066】
このように発光装置を形成すると、金属製リードピン45にて電気的導通を果たす。したがって、本実施例では、樹脂基板21の裏面の各裏面端子28,32に外部接続用のNi/Auメッキ33を施していたが、凹部41内に金属膜を一切形成せずにAuワイヤーを直接ケースに接続することも可能である。
(第四実施例)
図4は第四実施例の発光装置の断面図であり、図5は第四実施例の発光素子の構造図である。図4中、21はパッケージとしての樹脂基板であり、該樹脂基板21内に発光素子22が搭載される。
【0067】
前記樹脂基板21は、凹部41の底壁を構成する底面部42と、凹部41の側壁を構成する絶縁性の周辺部43とからなる。
【0068】
前記底面部42は、上面が第一ランド部27とされかつ裏面が第一裏面端子28とされた高導電性の第一導電樹脂体24と、上面が第二ランド部31とされかつ裏面が第二裏面端子32とされた高導電性の第二導電樹脂体25と、該両導電樹脂体24,25の間に介在される絶縁樹脂体26とからなる。これらは、第一実施例ないし第三実施例と同様に、金型成形時に一体形成される。
【0069】
そして、本実施例の発光素子22は、図5のようなフェイスダウンタイプのものが用いられる。すなわち、該発光素子22は、第一電極としてのP電極46と、第二電極としてのN電極47の両方とも、発光素子22の裏面に並設されており、かつ、光の放射が発光素子22の上面からなされるよう構成されている。
【0070】
ここで、図5中、48はPN両電極46,47間の絶縁耐圧性を強化するための空隙、49はSiO2膜、51はp+−GaAs層、52はn−GaAs層、53はn−GaAlAs層、54はp−GaAlAs活性層、55はp−GaAlAs層、56はp−GaAlAs層である。
【0071】
そして、該発光素子22のPN両電極46,47は、前記樹脂基板21の両ランド部27,31に跨がるよう固定されている。この固定方法としては、例えば、発光素子22の各電極46,47部分にAu或いは半田等で導電バンプ57を予め形成しておき、熱或いは超音波圧着等で各ランド部27,31に接続、搭載される。
【0072】
なお、本実施例でも、他の実施例と同じく、凹部41の内部全体が、発光素子22の保護と外部量子効率の向上を目的として、透明エポキシ樹脂23により封止される。
【0073】
このように、発光素子22としてフェイスダウンタイプの上面発光型のものを用いると、光の出力面である上面に電極が存在しないため、従来の上面電極方式に比べて、光利用効率が向上する。
【0074】
なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修正および変更を加え得ることは勿論である。
【0075】
例えば、第三実施例において、金属製リードピン45は、高導電性樹脂からなる第二樹脂体25に埋め込まれていたが、第二樹脂体25の材質として、必ずしも高導電性を要求する必要がないため、これに代えて、絶縁樹脂体26と同様の絶縁性樹脂を用いても構わない。この場合、絶縁樹脂体26と第二樹脂体25とは二色成形する必要がないため、製造段階では単に同時に成形すればよい。
【0076】
また、上記各実施例では、各ランド部27,31や裏面端子28,32に施す金属膜33の材質として、Ni/Auを用いていたが、例えば、Al,Cu,Ag等を用いてもよい。
【0077】
さらに、例えば第一実施例では、第一導電樹脂体24および第二導電樹脂体25の形成後、絶縁樹脂体26を二色成形法にて一体形成していたが、絶縁樹脂体26の形成後、第一導電樹脂体24および第二導電樹脂体25を二色成形法にて一体形成してもよい。
【0078】
【発明の効果】
以上の説明から明らかな通り、本発明によれば、導電樹脂体と絶縁樹脂体とが、たとえば、二色成形されたパッケージに発光素子を搭載し、上面の発光素子と裏面の裏面端子との電気的導通を導電樹脂体にて行うので、従来例のようなスルーホール等の立体配線を施す必要がなくなる。したがって、マスキング工程等の作業工程を省略し、製造作業を簡略化できる。
【0079】
また、スルーホール不要のため、成形が容易で金型形状も簡単にできる。したがって、金型コストが安くなる。
【0080】
さらに、回路配線の引き回しが不要なので、全体サイズがコンパクトになる。
【0081】
本発明によると、金属部材にて、上面の発光素子と裏面の裏面端子との電気的導通を導電樹脂体にて行うので、凹部内部の電極も不要となり、より工程の簡略化が可能である。
【0082】
本発明によると、発光素子としてフェイスダウンタイプの上面発光型のものを用いているので、光の出力面である上面の電極を省略でき、従来の上面電極方式に比べて、光利用効率が向上するといった優れた効果がある。
【0083】
本発明によると、パッケージ、または、パッケージを構成する絶縁樹脂体と該絶縁樹脂体内部に設けられその上面がランド部をなしかつその裏面が裏面端子をなす金属部材により、ランド部を介し、発光素子と前記裏面端子とが電気的導通をなしているので、従来必須であった発光素子を外部接続用の裏面端子との導通を取るためのパッケージ側面のスルーホールでの配線の引き回しが不要となり、発光装置全体のサイズがコンパクトになる。
【0084】
また、スルーホールの形成が不要になるので、多数個取りの基板状の発光装置を個々の発光装置に分割する際のダイシングやスクライブ等の工程にて生じるスルーホール部分でのメッキ層の剥離や、スルーホールの形成不良によるランド部と裏面端子部との導通不良等は発生せず、製造歩留まりや信頼性が向上する。
【0085】
さらに、発光素子と裏面端子との導通はパッケージ自体でなされているため、発光装置をプリント基板等に実装する場合の裏面端子と半田の反応や裏面端子の腐食による影響が発光素子自体に及ぶことを防止でき、高い信頼性を有する発光装置が実現できる。
【0086】
本発明によると、発光素子としてフェイスダウンタイプの上面発光型のものを用いているので、発光素子裏面部分の面積と略同等サイズの面積でのランド部の形成が可能になり、更にランド部から裏面端子迄の導通を最短距離にて行えるので、発光装置のサイズを発光素子のサイズにと略同等サイズ迄、非常にコンパクトにすることが可能になる。
【0087】
また、ボンディングワイヤをパッケージに接続する工程が不要となるため、ボンディングワイヤを接続する工程においてパッケージに導入される機械的な歪みに起因する裏面端子のはがれや、パッケージの割れ、ランド部の剥がれが防止でき、確実に発光素子と裏面端子の電気的導通をとることができ、歩留まりの向上や信頼性の向上が図れる。
【0088】
本発明によると、パッケージは、発光装置を基板形状に一括形成した後にダイシングやスクライブ等の簡便な手法をもちいて矩形状の個々のパッケージに分割することにより、容易に多数個の発光装置を得ることが可能になる。
【0089】
また、他の部品への表面実装が容易に行えると共に、実装用の裏面端子が発光素子サイズに近い非常にコンパクトなサイズで形成されているので、設計の自由度が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一実施例の発光装置を示す断面図である。
【図2】本発明の第二実施例の発光装置を示す図であって、(A)は平面図、(B)は断面図、(C)は裏面図である。
【図3】本発明の第三実施例の発光装置を示す断面図である。
【図4】本発明の第四実施例の発光装置を示す断面図である。
【図5】本発明の第四実施例の発光装置に用いる発光素子の構造図である。
【図6】従来の発光装置を示す図であって、(A)は平面図、(B)は側面図、(C)は断面図である。
【符号の説明】
21 パッケージ
22 発光素子
23 透光性樹脂
24 第一導電樹脂体
25 第二導電樹脂体
26 絶縁樹脂体
27 第一ランド部
28 第一裏面端子
29 ボンディングワイヤ
31 第二ランド部
32 第二裏面端子
33 金属膜
41 凹部
45 金属部材
46 第一電極
47 第二電極
57 導電バンプ

Claims (6)

  1. 発光素子と、該発光素子を搭載する導電性を有したパッケージと、該パッケージの上面に位置して前記発光素子に電気的に接続されるランド部と、前記パッケージの裏面に位置して外部接続に用いられる裏面端子と、前記発光素子を封止する透光性樹脂とを備えた表面実装型の発光装置であって
    前記ランド部と前記裏面端子との電気的導通が前記パッケージ自体でなされたことを特徴とする発光装置。
  2. 前記発光素子は、その一方面にのみ電極が形成されて、該電極と前記ランド部とは、導電バンプを介して接続されてなることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
  3. 発光素子と、該発光素子を搭載する導電性を有したパッケージと、パッケージ上面に位置して前記発光素子の電極に接続される複数のランド部と、前記パッケージの裏面に位置して外部接続に用いられる複数の裏面端子と、前記発光素子を封止する透光性樹脂とを備えた表面実装型の発光装置であって
    前記発光素子は、複数の電極が並設される面と、該面に対向して、光の放射がなされる面とを備え、かつ前記複数の電極が前記複数のランド部に跨って固定され、前記複数のランド部と前記複数の裏面端子との電気的導通が前記パッケージ自体でなされたことを特徴とする発光装置。
  4. 発光素子の電極間に、絶縁耐圧性を強化するための空隙が形成されたことを特徴とする請求項3記載の発光装置。
  5. 前記パッケージは、その発光素子搭載面が矩形であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の発光装置。
  6. 前記パッケージの上面に凹部が形成され、前記パッケージは、発光素子を搭載し、前記凹部の底壁を構成する底面部と、前記凹部の側壁を構成する周辺部とからなり、前記周辺部は、絶縁性樹脂により前記底面部に一体形成されることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の発光装置。
JP2001175269A 2001-06-11 2001-06-11 発光装置 Expired - Fee Related JP3753629B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001175269A JP3753629B2 (ja) 2001-06-11 2001-06-11 発光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001175269A JP3753629B2 (ja) 2001-06-11 2001-06-11 発光装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21129492A Division JP3247436B2 (ja) 1992-08-07 1992-08-07 発光装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002033518A JP2002033518A (ja) 2002-01-31
JP3753629B2 true JP3753629B2 (ja) 2006-03-08

Family

ID=19016441

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001175269A Expired - Fee Related JP3753629B2 (ja) 2001-06-11 2001-06-11 発光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3753629B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130071147A (ko) * 2011-12-20 2013-06-28 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003304000A (ja) * 2002-04-08 2003-10-24 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード用パッケージの製造方法
JP2006313943A (ja) * 2003-02-18 2006-11-16 Sharp Corp 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
JP6182916B2 (ja) * 2013-03-15 2017-08-23 日亜化学工業株式会社 発光装置の封止部材の取り外し方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130071147A (ko) * 2011-12-20 2013-06-28 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR101883342B1 (ko) * 2011-12-20 2018-07-31 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002033518A (ja) 2002-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2755252B2 (ja) 半導体装置用パッケージ及び半導体装置
KR101047683B1 (ko) 와이어 본딩이 불필요한 발광소자 패키징 방법
CN101252096B (zh) 芯片封装结构以及其制作方法
JPH08213660A (ja) 発光デバイスおよびその製造方法
CN112310136B (zh) 亮度均匀的被动式微发光二极管阵列装置
TWM558999U (zh) 發光封裝元件
US20120306064A1 (en) Chip package
JP2018010949A (ja) 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP2015192095A (ja) Led発光装置及びled発光装置の製造方法
JP2019201113A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2017123360A (ja) 半導体モジュール
US8836131B2 (en) Semiconductor module with edge termination and process for its fabrication
JP2014103262A (ja) 発光装置の製造方法、実装基板および発光装置
JPH1050734A (ja) チップ型半導体
JPH09321173A (ja) 半導体装置用パッケージ及び半導体装置とそれらの製造方法
JP3753629B2 (ja) 発光装置
JP3247436B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
CN210182403U (zh) 一种倒装led芯片及其封装器件
JP2805563B2 (ja) 反射型光結合装置およびその製造方法
CN113261120B (zh) 多面发光电路板及其制作方法
JP4030363B2 (ja) 半導体装置
JP3127948B2 (ja) 半導体パッケージ及びその実装方法
KR100779346B1 (ko) 반도체패키지 및 그 제조 방법
JP2016143783A (ja) 電子装置
KR101925315B1 (ko) 라이트 유닛 및 이를 포함하는 발광 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20051213

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091222

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091222

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101222

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101222

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111222

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees