JP3751162B2 - モータの回転速度制御回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、回転速度が変えられるモータが低速で回転しているときに発生するスイッチングノイズ及び振動を抑制するモータの回転速度制御回路に関するものであり、特にファンとして用いられるファンモータの回転速度制御回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
パーソナルコンピュータやコピー機等の各種のOA機器には、冷却用のファンが使用されている。この種のファンでは、機器の温度が高いときには、モータを高速回転させて機器の温度を迅速に低下させ、機器の温度が低下した後はモータを低速回転させる回転速度制御が行われている。
【0003】
モータが高速回転しているときには、ファンから出る送風音または風切り音が大きい。そのためモータの励磁巻線に流れる励磁電流を制御する励磁電流制御用半導体スイッチ(一般的にはトランジスタスイッチ)がオフ状態になったときに発生するいわゆるスイッチングノイズまたは電磁音は、気にならない。しかしながらモータの回転速度が下がって低速回転になると、送風音が低下するために、スイッチングノイズまたは電磁音の存在が気になってくる。またスイッチングに伴うモータの振動も気になってくる。
【0004】
そこで従来、励磁電流制御用半導体スイッチとして用いられるトランジスタスイッチのコレクタ・エミッタ回路間にコンデンサを常時接続しておく、回路構成が提案されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
このようなコンデンサを配置すると、モータの低速回転領域においてスイッチングノイズの発生と振動の発生とをある程度抑制できることが分かっている。しかしながらモータの高速回転領域では、励磁電流制御用半導体スイッチとして用いられるトランジスタスイッチにおける損失が大きくなり、また励磁電流が大きくなって励磁巻線の発熱量が増大する問題が生じる。
【0006】
本発明の目的は、モータの高速回転に影響を与えることなく、モータが低速回転しているときに発生するスイッチングノイズ及び振動の発生を抑制できるモータまたはファンモータの回転速度制御回路を提供することにある。
【0007】
本発明の他の目的は、モータが低速回転しているときのみ、励磁電流制御用半導体スイッチのターンオフ時間を長くすることにより、スイッチングノイズ及び振動の発生を抑制するモータの回転速度制御回路を提供することにある。
【0008】
本発明の更に他の目的は、モータが高速回転しているときに、励磁電流制御用半導体スイッチで発生する損失を少なくして、しかも励磁電流を増大させることなく、モータが低速回転しているときに発生するスイッチングノイズ及び振動の発生を簡単な構成で抑制できるモータの回転速度制御回路を提供することにある。
【0009】
本発明の別の目的は、モータが低速で回転している期間の判定を簡単に行えるモータの回転速度制御回路を提供することにある。
【0010】
本発明の他の目的は、励磁電流制御用半導体スイッチとして用いられるトランジスタスイッチを励磁巻線に発生する逆起電圧から保護することができるモータの回転速度制御回路を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は、二相以上の励磁巻線を有するモータの回転速度を制御するモータの回転速度制御回路を改良の対象とする。本発明のモータの回転速度制御回路は、二相以上の励磁巻線に対してそれぞれ接続され、制御端子に制御信号が入力されている間オン状態になって対応する励磁巻線に励磁電流を流す2以上の励磁電流制御用半導体スイッチと、速度指令に応じてデューティ比が変わる制御信号を2以上の励磁電流制御用半導体スイッチにそれぞれ出力する制御信号発生回路とを具備している。
【0012】
本発明においては、モータの回転速度が予め定めた速度より低くなっている低速期間において、制御信号が励磁電流制御用半導体スイッチをオフ状態にする状態になってから励磁電流制御用半導体スイッチが実際にオフ状態になるまでのターンオフ時間をスイッチングノイズが低減できる程度まで延長させるターンオフ時間延長回路を2以上の励磁電流制御用半導体スイッチに対して設ける。ここで「予め定めた速度」は、モータの用途に応じて任意に定められる。例えばモータが、OA機器に用いられるファンモータの場合には、最高回転速度の50%〜90%の回転速度がこの「予め定めた速度」として用いられる。本発明のようにモータの回転速度が低速になっている低速期間だけ、励磁電流制御用半導体スイッチのターンオフ時間を延長すると、半導体スイッチがターンオフするときの励磁電流の変化率(dI/dt)が小さくなってスイッチングノイズまたは電磁音が小さくなるとともに、振動の発生が抑制される。そしてモータが高速で回転しているときには、ターンオフ時間を延長することは行わないため、半導体スイッチで損失が大きくなったり、励磁電流が必要以上に大きくなって発熱量が増大するといった不具合が発生することがない。
【0013】
ターンオフ時間延長回路の構成は任意であるが、一例としては、低速期間を判定する低速期間判定回路と、2以上の励磁電流制御用半導体スイッチに対してそれぞれ設けられて、低速期間判定回路が低速期間を判定している間、制御信号が励磁電流制御用半導体スイッチをオフ状態にする状態になった後に制御端子にターンオフ時間延長信号を供給する2以上のターンオフ時間延長信号発生回路とを備えた構成を採用することができる。このような構成を採用すると、低速期間におけるターンオフ時間を確実に且つ制御性よく延長することができて、しかも高速回転における損失の発生と発熱量の増加を防止できる。
【0014】
ここでターンオフ時間延長信号発生回路は、低速期間において、励磁電流制御用半導体スイッチがオン状態にあるときに充電され制御信号が励磁電流制御用半導体スイッチをオフ状態にする状態になっているときに制御端子を通して放電するコンデンサを含む構成にするのが好ましい。このような構成にすると、容量の小さなコンデンサの放電によりターンオフ時間延長信号を生成するため、簡単な回路構成でターンオフ時間を延長することができる。
【0015】
コンデンサの充放電を制御する回路の構成は任意である。例えば、コンデンサにコンデンサ充放電制御用スイッチを直列に接続し、このコンデンサ充放電制御用スイッチを低速期間判定回路の出力によって、低速期間の間はオン状態とし、それ以外の期間はオフ状態になるように制御してもよい。このようなコンデンサ充放電制御用スイッチを設ければ、モータの高速回転時にコンデンサを回路から切り離すことができるので、コンデンサをターンオフ時間の延長のために用いたとしても、コンデンサの存在が高速回転時に問題を生じさせることがない。
【0016】
低速期間判定回路は、モータの回転速度を直接検出して低速期間を検出するものの他、モータの回転速度を間接的に検出して低速期間を検出するものでもよい。例えば、速度指令に基づいて間接的に回転速度を検出することができる。その場合には、低速期間判定回路は、速度指令が指令する回転速度に基づいて低速期間を判定するように構成すればよい。そしてその場合には、速度指令と基準レベルとを比較して速度指令が基準レベルを超えているか否かにより間接的に低速期間を判定するように低速期間判定回路を構成することができる。速度指令が電圧信号からなる場合であれば、低速期間判定回路は電圧信号の電圧値が予め定めた電圧レベルを超えているか否かにより低速期間を判定するように構成することができる。このようにすると、低速期間の判定を簡単に行うことができる。この場合、より具体的には、複数のダイオードを直列接続して低速期間判定回路を構成してもよい。
【0017】
この場合には、ダイオードの数により(ダイオードの電圧降下分により)電圧レベルが決まるため、構成が非常に簡単になる利点がある。また電圧レベルの設定範囲を広くするためには、低速期間判定回路を速度指令と電圧レベルとを比較する比較回路から構成すればよい。
【0018】
速度指令の発生態様はモータの制御モードにより決まる。発熱する電子部品や電子機器の冷却に用いられるファンモータなどでは、周囲の温度変化に応じて速度指令を変えるようにしてもよい。例えば、周囲温度が高い場合にはモータの回転速度を上げ、周囲温度が低い場合にはモータの回転速度を下げるように、速度指令を温度に応じて変えてもよい。
【0019】
本発明をファンモータの回転速度制御回路に適用する場合の具体的な構成は次のようにする。二相以上の励磁巻線に対してそれぞれ接続され、制御端子に制御信号が入力されている間オン状態になって対応する励磁巻線に励磁電流を流す2以上の励磁電流制御用トランジスタスイッチと、速度指令に応じてデューティ比が変わる制御信号を2以上の励磁電流制御用トランジスタスイッチにそれぞれ出力する制御信号発生回路とを用いる。そしてファンモータの回転速度が予め定めた速度より低くなっている低速期間を判定する低速期間判定回路と、2以上の励磁電流制御用トランジスタスイッチに対してそれぞれ設けられて、制御信号が励磁電流制御用トランジスタスイッチをオフ状態にする状態になってから励磁電流制御用トランジスタスイッチが実際にオフ状態になるまでのターンオフ時間を延長させる2以上のターンオフ時間延長信号発生回路とを有するターンオフ時間延長回路を用いる。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図1は、二相のブラシレス永久磁石電動機を駆動源とするファンモータの回転速度制御回路1に本発明を適用した実施の形態の回路図を示している。図1において2は、後に詳しく説明する制御信号発生回路であり、3はターンオフ時間延長回路である。二相の励磁巻線W1及びW2は、一端が共通端子COMに共通接続されており、励磁巻線W1及びうW2の他端には励磁電流制御用トランジスタスイッチTR3及びTR4のコレクタ・エミッタ回路が接続されている。なお励磁電流制御用トランジスタスイッチTR3及びTR4がそれぞれ励磁電流制御用半導体スイッチを構成している。共通端子COMは、ダイオードD1を介して直流電源端子Eに接続されており、トランジスタスイッチTR3及びTR4が導通即ちオン状態にある期間励磁巻線W1及びW2には励磁電流が流れる。励磁巻線W1及びW2の一端と他端との間には、トランジスタスイッチTR3及びTR4がオン状態からオフ状態になったときに励磁巻線W1及びW2に逆起電圧が発生すると、励磁巻線W1及びW2にこの逆起電圧に基づく還流電流を流すための還流回路4及び5が接続されている。還流回路4は、カソードを共通端子COM側に向けたダイオードD3と、アノードをダイオードD3側に向けたツェナーダイオードZD1と、電流制限手段としての抵抗体R8の直列回路によって構成されている。還流回路5は、カソードを共通端子COM側に向けたダイオードD4と、アノードをダイオードD4側に向けたツェナーダイオードZD2と、電流制限手段としての抵抗体R9の直列回路によって構成されている。このような還流電流を流す回路を設けると、トランジスタスイッチTR3及びTR4がオフ状態になったときの励磁電流の変化率(dI/dt)が小さくなり、励磁電流の変化が緩やかになる。
【0021】
ツェナーダイオードZD1及びZD2は、還流電流を流す目的のためには必ずしも必要なものではない。しかしながらツェナーダイオードZD1及びZD2を入れることにより、還流回路の損失を軽減できるという利点が得られる。抵抗体R8及びR9は、還流電流を制限してロータの回転にブレーキが掛かるのを抑制している。この例では、トランジスタスイッチTR3及びTR4のコレクタ・エミッタ回路に対してもアノードをエミッタ側に向けたツェナーダイオードZD3及びZD4が並列に接続されている。これらのツェナーダイオードZD3及びZD4は、励磁巻線W1及びW2に発生した逆起電圧からトランジスタスイッチTR3及びTR4を保護する目的で設けられている。
【0022】
制御信号発生回路2は、コントロール端子CTに入力される電圧信号からなる速度指令V ctに応じてデューティ比が変わる制御信号(トランジスタ・オン・オフ制御信号)CS1及びCS2を2つのトランジスタスイッチTR3及びTR4にそれぞれ出力する。制御信号CS1と制御信号C S 2とは、逆位相の関係になっており、トランジスタスイッチTR3とトランジスタスイッチTR4とは交互にオン状態になる。制御信号発生回路2は、市販の回転速度制御用集積回路ICを中心にして構成されている。この例では、三洋電機株式会社がLB1860MまたはLB1861Mの製品番号により販売している市販の集積回路を用いている。図1において、回転速度制御用集積回路ICのブロックの内部に記載した番号は、LB1860MまたはLB1861Mの端子番号である。番号11の端子が、速度指令V ctが入力される速度コントロール端子である。なおこの例では、端子CTがオープン状態になったときにモータが高速で回転するように抵抗体R11及びR12の抵抗値が定められている。その他の番号2と3の端子は、モータのロータ側に配置された永久磁石に対向するように設けられたホール素子Hの出力が入力される端子である。回転速度制御用集積回路ICは、ホール素子Hの出力に同期し且つ速度指令に応じてデューティ比が変わる信号S1及びS2を番号5と9の端子から出力する。信号S1及びS2によって、トランジスタTR1及びTR2のオン・オフが制御される。トランジスタTR1及びTR2がオン状態になっているときには、トランジスタスイッチTR3及びTR4はオフ状態にあり、逆にトランジスタTR1及びTR2がオフ状態になっているときには、トランジスタスイッチTR3及びTR4はオン状態になる。従って信号S1及びS2と制御信号CS1及びCS2とは、位相が逆になっている。いずれにしても、制御信号CS1及びCS2のデューティ比は速度指令Vctに応じて変化する。ちなみに前述の市販のICを使用した場合には、速度指令Vctが0Vのときにはデューティ比が50%になって、モータは最高速度で回転する。そして、速度指令Vctの電圧値が上昇するほど、デューティ比が小さくなって回転速度は低下する。
【0023】
番号4,7,12,14の端子に接続されたコンデンサC1及びC2と抵抗体R2及びR3は、回転速度制御用集積回路ICの他の機能を設定するためのものである。尚図1において、R1,R4,R5,R6,R7,R13,R14は抵抗体であり、C3はコンデンサである。
【0024】
ターンオフ時間延長回路3は、ファンモータの回転速度が予め定めた速度より低くなっている低速期間を判定する低速期間判定回路3Aと、2つのトランジスタスイッチTR3及びTR4に対してそれぞれ設けられて、制御信号CS1及びCS2がトランジスタスイッチTR3及びTR4をオフ状態にする状態になってからトランジスタスイッチTR3及びTR4が実際にオフ状態になるまでのターンオフ時間を延長させる2つのターンオフ時間延長信号発生回路3B及び3Cとを有している。低速期間判定回路3Aは、電圧信号からなる速度指令Vctの電圧値が予め定めた電圧レベルを超えているか否かにより低速期間を判定するように構成されている。具体的には、2つのダイオードD5及びD6を直列接続して低速期間判定回路3Aが構成されている。この場合には、ダイオードの数により(ダイオードの電圧降下分により)電圧レベルが決まるため、低速期間判定回路3Aの構成が非常に簡単になる。ちなみにこの例のように2つのダイオードD5及びD6を直列接続して低速期間判定回路3Aを構成すると、速度指令Vctが概略1.8Vを超えている期間を、モータの回転速度が低速の状態にある期間即ち低速期間と判定する。
【0025】
ターンオフ時間延長信号発生回路3B及び3Cは、低速期間において、トランジスタスイッチTR3,TR4がオン状態にあるときに充電され制御信号CS1,CS2がトランジスタスイッチTR3,TR4をオフ状態にする状態になっているときに制御端子(トランジスタスイッチTR3またはTR4のベース)を通して放電するコンデンサC4,C5と、コンデンサC4,C5に直列に接続され、低速期間判定回路3Aの出力によって制御されて、低速期間の間はオン状態になり、それ以外の期間はオフ状態になるコンデンサ充放電制御用トランジスタスイッチTR5,TR6とを備えている。より具体的には,コンデンサC4,C5の一方の端子は,トランジスタスイッチTR3,TR4のベースに接続され、コンデンサC4,C5の他方の端子がトランジスタスイッチTR5,TR6のコレクタに接続されている。そしてトランジスタスイッチTR5,TR6のエミッタはグランド端子GNDに接続されている。なおトランジスタスイッチTR5,TR6に付随する抵抗体R16〜R19はバイアス抵抗である。
【0026】
制御信号CS1,CS2がトランジスタスイッチTR3,TR4をオン状態にする信号状態にあるときで、低速期間判定回路3Aが低速期間を判定しているときには、トランジスタスイッチTR5,TR6がオン状態にあって、コンデンサC4,C5が制御信号CS1,CS2により充電される。この状態で、制御信号CS1,CS2がトランジスタスイッチTR3,TR4をオフ状態にする信号状態になると、コンデンサC4,C5に充電された電荷は、トランジスタスイッチTR3,TR4のベース・エミッタ回路を通して放電する。この放電により、制御信号CS1,CS2がトランジスタスイッチTR3,TR4をオフ状態にする信号状態になった後にトランジスタスイッチTR3,TR4は、徐々にオン状態からオフ状態へと移行する。コンデンサC4,C5の放電により流れる電流が,ターンオフ時間延長信号を構成する。その結果、制御信号CS1,CS2がトランジスタスイッチTR3,TR4をオフ状態にする信号状態になった後の励磁巻線W1,W2を流れる励磁電流の変化率(dI/dt)は、コンデンサC4,C5を用いなかった場合のそれと比べて小さくなり(励磁電流の変化が緩やかになり)、スイッチングノイズまたは電磁音が小さくなる。ちなみにモータの回転速度が最高回転速度の90%以下になっている期間を低速期間とする場合には、コンデンサC4,C5の容量を1μF程度にすればよい。このような構成にすると、容量の小さなコンデンサC4,C5の放電によりターンオフ時間延長信号を生成するため、簡単な回路構成でターンオフ時間を延長することができる。
【0027】
低速期間以外の期間即ち高速期間においては、速度指令Vctがほぼ1.8Vよりも小さくなるため、トランジスタスイッチTR5,TR6はオフ状態にあり、コンデンサC4,C5は充電されることがなく、トランジスタスイッチTR3,TR4のターンオフ時間が延長されることはない。したがってトランジスタスイッチTR5,TR6からなるコンデンサ充放電制御スイッチを設ければ、モータの高速回転時にコンデンサC4,C5を回路から切り離すことができるので、コンデンサC4,C5をターンオフ時間の延長のために用いたとしても、コンデンサC4,C5の存在が高速回転時に問題を生じさせることがない。
【0028】
図2(A)は、低速期間において1μFのコンデンサC4,C5を用いなかった場合の励磁電流の変化の一例を示す図であり、図2(B)は低速期間において1μFのコンデンサC4,C5を用いた場合の励磁電流の変化の一例を示す図である。これらの図の横軸の1メモリは1msであり、縦軸の1メモリは100mAである。これらの図を対比すると分かるように,コンデンサC4,C5を用いることにより、トランジスタスイッチTR3,TR4がターンオフするときの励磁電流の変化率(dI/dt)が小さくなるのが分かる。
【0029】
図3は,本発明の他の実施の形態の一例の回路図を示している。図3の回路において,図1に示した回路と同じ部分には,図1に付した符号と同じ符号を付してある。図3の実施の形態が,図1の実施の形態と異なるのは、次の点である。まず還流回路4´,5´がダイオードと抵抗体とから構成され、図1の例で用いられているツェナーダイオードZD1及びZD2が図3の例では,用いられていない点である。またターンオフ時間延長回路3´の低速期間判定回路3´Aが、比較器OPから構成されている点が相違する。比較器OPは、電圧信号からなる速度指令Vctを基準電圧レベルと比較し、速度指令Vctが基準電圧レベルよりも大きくなると、モータの回転速度が低速回転領域に入ったと判定して、トランジスタスイッチTR5,TR6をオン状態にする信号を出力する。比較器OPを用いると、基準電圧レベルの設定を任意に行うことができるため、低速期間の設定が容易である。またこの例では、温度変化に応じて速度指令Vctが変わる速度指令発生回路6を備えている点で相違する。速度指令発生回路6は、温度変化により抵抗値が変化する感温抵抗素子としてのサーミスタTHと抵抗体R15の分圧回路と、この分圧回路の分圧点の電圧を増幅する増幅器Ampとから構成されている。サーミスタTHは、例えばファンモータの吸引側の空気の温度を測定するように配置される。増幅器Ampは、空気の温度が高くなってファンモータの回転を高速回転させる必要があるときには、速度指令Vctの電圧値を小さくし、空気の温度が下がってファンモータの回転を低速回転にする必要があるときには、速度指令の電圧値を大きくするように、分圧回路の分圧点の電圧を増幅するように構成されている。その他の点は、図1の例と実質的に同じであり、基本的な回路動作も図1の例と実質的に同じである。
【0030】
上記の例では、速度指令が0Vに近いほどモータの回転速度が上がり、速度指令が大きくなるほどモータの回転速度が低下する構成を採用しているが、これとは逆の構成により、モータの回転速度を可変にする回路にも本発明を適用できるのは勿論である。
【0031】
また上記例は、いずれもファンモータの回転速度の制御に本発明を適用したものであるが、本発明は他のモータの回転速度の制御にも当然にして適用できるものである。
【0032】
【発明の効果】
本発明によれば、モータの回転速度が低速になっている低速期間だけ、励磁電流制御用半導体スイッチのターンオフ時間を延長して、半導体スイッチがターンオフするときの励磁電流の変化率を小さくすることによりスイッチングノイズまたは電磁音を小さくして、しかも振動の発生を抑制するので、低速回転時の騒音の低下と振動の低下を達成できる。そしてモータが高速で回転しているときには、ターンオフ時間を延長することは行わないため、励磁電流制御用半導体スイッチで損失が大きくなったり、励磁電流が必要以上に大きくなって発熱量が増大するといった不具合が発生することがないという利点が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】二相のブラシレス永久磁石電動機を駆動源とするファンモータの回転速度制御回路に本発明を適用した実施の形態の回路図を示している。
【図2】(A)は、図1の例において低速期間において1μFのコンデンサC4,C5を用いなかった場合の励磁電流の変化の一例を示す図であり、(B)は低速期間において1μFのコンデンサC4,C5を用いた場合の励磁電流の変化の一例を示す図である。
【図3】本発明の他の実施の形態の回路図である。
【符号の説明】
1 回転速度制御回路
2 制御信号発生回路
3 ターンオフ時間延長回路
4,5 還流回路
6 速度指令発生回路
R1〜R19 抵抗体
C1〜C5 コンデンサ
D1〜D6 ダイオード
ZD1〜ZD4 ツェナーダイオード
TR1〜TR6 トランジスタスイッチ
Claims (17)
- 二相以上の励磁巻線を有するモータの回転速度を制御するモータの回転速度制御回路であって、
前記二相以上の励磁巻線に対してそれぞれ接続され、制御端子に制御信号が入力されている間オン状態になって対応する前記励磁巻線に励磁電流を流す2以上の励磁電流制御用半導体スイッチと、
速度指令に応じてデューティ比が変わる前記制御信号を前記2以上の前記励磁電流制御用半導体スイッチにそれぞれ出力する制御信号発生回路とを具備し、
前記モータの前記回転速度が予め定めた速度より低くなっている低速期間において、前記制御信号が前記励磁電流制御用半導体スイッチをオフ状態にする状態になってから前記励磁電流制御用半導体スイッチが実際にオフ状態になるまでのターンオフ時間をスイッチングノイズを低減できる程度まで延長させるターンオフ時間延長回路が前記2以上の励磁電流制御用半導体スイッチに対して設けられていることを特徴とするモータの回転速度制御回路。 - 前記ターンオフ時間延長回路は、
前記低速期間を判定する低速期間判定回路と、
前記2以上の励磁電流制御用半導体スイッチに対してそれぞれ設けられて、前記低速期間判定回路が前記低速期間を判定している間、前記制御信号が前記励磁電流制御用半導体スイッチをオフ状態にする状態になった後に前記制御端子にターンオフ時間延長信号を供給する2以上のターンオフ時間延長信号発生回路とを備えていることを特徴とする請求項1に記載のモータの回転速度制御回路。 - 前記ターンオフ時間延長信号発生回路は、前記低速期間において、前記励磁電流制御用半導体スイッチがオン状態にあるときに充電され前記制御信号が前記励磁電流制御用半導体スイッチをオフ状態にする状態になっているときに前記制御端子を通して放電するコンデンサを含んでいる請求項2に記載のモータの回転速度制御回路。
- 前記ターンオフ時間延長信号発生回路は、前記コンデンサに直列に接続され、前記低速期間判定回路の出力によって制御されて、前記低速期間の間はオン状態になり、それ以外の期間はオフ状態になるコンデンサ充放電制御用スイッチ回路を備えている請求項3に記載のモータの回転速度制御回路。
- 前記低速期間判定回路は、前記速度指令が指令する前記回転速度に基づいて前記低速期間を判定するように構成されている請求項2に記載のモータの回転速度制御回路。
- 前記低速期間判定回路は、前記速度指令と基準レベルと比較して前記速度指令が前記基準レベルを超えているか否かにより前記低速期間を判定するように構成されている請求項5に記載のモータの回転速度制御回路。
- 前記速度指令が電圧信号からなり、前記低速期間判定回路は前記電圧信号の電圧値が予め定めた電圧レベルを超えているか否かにより前記低速期間を判定するように構成されている請求項6に記載のモータの回転速度制御回路。
- 前記速度指令が温度の変化に応じて変化することを特徴とする請求項1に記載のモータの回転速度制御回路。
- 二相以上の励磁巻線を有するファンモータの回転速度を制御するファンモータの回転速度制御回路であって、
前記二相以上の励磁巻線に対してそれぞれ接続され、制御端子に制御信号が入力されている間オン状態になって対応する前記励磁巻線に励磁電流を流す2以上の励磁電流制御用トランジスタスイッチと、
速度指令に応じてデューティ比が変わる前記制御信号を前記2以上の前記励磁電流制御用トランジスタスイッチにそれぞれ出力する制御信号発生回路とを具備し、
前記ファンモータの前記回転速度が予め定めた速度より低くなっている低速期間を判定する低速期間判定回路と、前記2以上の励磁電流制御用トランジスタスイッチに対してそれぞれ設けられて、前記制御信号が前記励磁電流制御用トランジスタスイッチをオフ状態にする状態になってから前記励磁電流制御用トランジスタスイッチが実際にオフ状態になるまでのターンオフ時間を延長させる2以上のターンオフ時間延長信号発生回路とを有するターンオフ時間延長回路を更に備えていることを特徴とするファンモータの回転速度制御回路。 - 前記ターンオフ時間延長信号発生回路は、前記低速期間において、前記励磁電流制御用トランジスタスイッチがオン状態にあるときに充電され前記制御信号が前記励磁電流制御用トランジスタスイッチをオフ状態にする状態になっているときに前記制御端子を通して放電するコンデンサと、
前記コンデンサに直列に接続され、前記低速期間判定回路の出力によって制御されて、前記低速期間の間はオン状態になり、それ以外の期間はオフ状態になるコンデンサ充放電制御用トランジスタスイッチとを備えている請求項9に記載のファンモータの回転速度制御回路。 - 前記速度指令が電圧信号からなり、前記低速期間判定回路は前記電圧信号の電圧値が予め定めた電圧レベルを超えているか否かにより前記低速期間を判定するように構成されている請求項10に記載のファンモータの回転速度制御回路。
- 前記低速期間判定回路は、複数のダイオードが直列接続されて構成されている請求項11に記載のファンモータの回転速度制御回路。
- 前記低速期間判定回路は、前記速度指令と前記電圧レベルとを比較する比較回路から構成されている請求項11に記載のファンモータの回転速度制御回路。
- 前記2以上の励磁巻線は一端が共通接続されており、
前記2以上の励磁電流制御用トランジスタスイッチが前記2以上の励磁巻線の他端とグランドとの間にそれぞれ接続されており、
前記2以上の励磁巻線の前記一端と前記他端との間には、前記励磁巻線に逆起電圧が発生したときに前記励磁巻線に還流電流を流す還流回路が接続されている請求項9に記載のファンモータの回転速度制御回路。 - 前記還流回路は、前記励磁巻線に逆起電圧が発生したときに導通するダイオードと電流制限手段とが直列接続されて構成された回路からなる請求項14に記載のファンモータの回転速度制御回路。
- 前記電流制限手段は、抵抗体からなる請求項14に記載のファンモータの回転速度制御回路。
- 前記励磁電流制御用トランジスタスイッチの両端には前記励磁巻線に逆起電圧が発生したときに導通するツェナーダイオードが接続されている請求項9または15に記載のファンモータの回転速度制御回路。
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