JP3745828B2 - 光半導体素子用パッケージ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信装置などに用いられる光半導体素子を収容する光半導体素子用パッケージに関する。
【0002】
【従来の技術】
内部に半導体レーザ素子やフォトダイオードなどを搭載し、光通信装置などに用いられる光半導体素子用パッケージの一例を図7に示す。通常、この光半導体素子用パッケージ1は主要構成部材として、金属枠体2、セラミック端子3、金属底板4、リード5、シールリング6および光ファイバが取り付けられる窓枠7からなっている。
【0003】
金属枠体2は、光半導体素子用パッケージ1の外形を形づくり、内部部品格納およびセラミック端子3や光ファイバを接合する基材としての役割を有している。この金属枠体2は、通常、Fe−Ni−Co合金(通称、コバール)で構成されている。
【0004】
金属底板4は、光半導体素子用パッケージ1の底部を形づくり、光半導体素子用パッケージ1の内部で発生した熱を効率よく外部へ放熱する機能を有している。この機能は、搭載する光半導体素子の特性が温度依存性をもつため、光半導体素子を一定の温度に保つ必要があるので、極めて重要である。
この金属底板4は通常、放熱性のよい銅−タングステン合金からなり、上面中央部に配置される光半導体素子を冷却するための冷却素子が搭載される載置部4aを有する。また、金属底板4の両端には、光半導体素子用パッケージ1を外部部材に取り付けるためのネジ穴8が設けられている。
この金属底板4を金属枠体2にろう付け、一般には銀ろう付けして、光半導体素子用パッケージ1を組み立てると、熱膨張率の差により金属底板4の底面に反りが発生する。この状態で、光半導体素子用パッケージ1を外部部材にネジ穴8を利用してネジで固定すると、この反りが矯正されて、例えば半導体レーザ素子の光軸と窓枠7に取り付けられた光ファイバ(図示せず)との相対位置がずれてしまい、レーザ光の結合効率の低下につながる。
そこで、図8(a)〜(c)に示すように、金属底板4のネジ穴8近傍の板厚を金属枠体2との接合部よりも薄くして、金属枠体2内の金属底板4が変形しないようにしている。さらに、外形の薄型化の要求に応えるために、載置部4aの板厚を他の部分よりも薄くして、光半導体素子用パッケージ1全体の高さを低く抑えるようにしている。
【0005】
セラミック端子3は、通常多層のアルミナセラミックスなどからなり、金属枠体2に銀ろうなどのろう材によって接合される。
【0006】
光半導体素子用パッケージ1の組み立ては、以下のようにして行う。即ち、金属底板4の載置部4aに冷却素子を取り付け、その上部に光半導体素子などを取り付け、セラミック端子3と各素子間をボンディングワイヤで接続し、シールリング6に蓋をつけて気密に封止する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の金属底板4を形成するためには、反りが小さい厚い板材を加工して載置部4aを薄くし、また、板厚を薄くしてネジ穴8を加工するという、高精度でかつ様々な加工を施す必要がある。ところが、金属底板4を構成する銅−タングステン合金は高価な材料であり、また、難削材として知られており、その加工費は非常に高くなる。このように材料費および加工費が非常に高いため、銅−タングステン合金製の金属底板4は、光半導体素子用パッケージのコスト低減に対して大きな障壁になるという問題があった。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記問題点を解決すべくなされたもので、光半導体素子を搭載する金属底板と、前記金属底板と異なる材料からなる金属枠体とを有し、前記金属枠体が前記金属底板上に接合されて形成された光半導体素子用パッケージにおいて、金属底板は平板状をなし、金属枠体は、該金属枠体と一体に、かつ前記金属枠体の前記光半導体素子の光軸に平行な側壁の内側に突出して形成された補強部を有し、該補強部を含む金属枠体の下部において前記金属底板と接合されていることを特徴とするものである。
【0009】
上述のように、金属枠体の金属底板との接合部分の内側に補強部を設けると、この光半導体素子用パッケージを金属底板部分で外部部材にネジ止めし、このネジ止め部分の金属底板の反りが矯正されても、金属枠体内部分の金属底板が変形することがないので、金属底板を薄い平坦な板で構成することができる。
従って、金属底板の材料として銅タングステン合金などの難削材を用いても、切削加工に多くの時間を要しないため、加工費を抑制することができる。一方、コバールなどからなる金属枠体には補強部を設けるため、加工費が増加するが、その程度は僅かである。例えば、金属枠体は公知の金属射出成形によりニアネットシェイプで形成すれば、比較的安価に作製できる。
なお、金属枠体に補強部を設けると、射出成形後の焼結時に変形が小さくなり、仕上げ加工が容易になるという利点もある。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を詳細に説明する。
(第1の実施形態)
図1(a)〜(e)はそれぞれ、本発明にかかる光半導体素子用パッケージの第1の実施形態の金属枠体の平面図、正面断面図、正面図、側面断面図、側面図である。また、図2(a)、(b)はそれぞれ、同実施形態の金属底板の側面図および平面図である。さらに、図3(a)、(b)はそれぞれ、同実施形態の側面図および正面断面図である。
本実施形態において、金属枠体12は厚さ1mmのコバールからなり、金属射出成形法を用いてニアネットシェイプが形成され、機械加工によって図1に示す形状に加工される。金属枠体12の金属底板13との接合部は略直角四辺形をなしている。図中、12aは断面が略直角四辺形の補強部であり、金属枠体12の長手方向の内側、下端に設けられている。また、12bは光ファイバ(図示せず)を固定する窓枠である。なお、図1において、窓枠の詳細は省略した。
また、金属底板13は銅−タングステン合金を機械加工した平板であり、両端に外部部材に取り付けるためのネジ孔13aが設けられており、表面にはNiめっきが施されている。
【0011】
光半導体素子用パッケージ11の組み立ては、先ず、金属枠体12、金属底板13とセラミック端子(図示せず)、シーリング(図示せず)、リード(図示せず)を、接合部分に銀ろう(BAg−8)の箔を挟んでカーボン治具を用いて組み立て、固定保持し、連続式ベルト炉によって約810℃まで加熱し、銀ろう付けして組み立て部材を形成した。その後、表面にAu/Niめっきを施した。
【0012】
(第2の実施形態)
図4(a)〜(e)はそれぞれ、本発明にかかる光半導体素子用パッケージの第2の実施形態の金属枠体の平面図、正面断面図、正面図、側面断面図、側面図である。本実施形態において、金属底板は図2に示した第1の実施形態と同一のものとした。また、図5(a)〜(c)はそれぞれ、同実施形態の側面図、正面断面図および側断面図である。なお、図4において、窓枠の詳細は省略した。
本実施形態の光半導体素子用パッケージ21において、金属枠体22の金属底板13との接合部は略直角四辺形をなしている。この金属枠体22には、長手方向の内側、下端に補強部22aが設けられ、また、幅方向の内側、下端に補強部22bが設けられている。補強部22a、bは断面が略直角四辺形をしている。22cは光ファイバ(図示せず)を固定する窓枠である。その他については第1の実施形態と同一である。
【0013】
(第3の実施形態)
図6(a)、(b)はそれぞれ、本発明にかかる光半導体素子用パッケージ31の第3の実施形態の側面図および正面断面図である。本実施形態において、金属底板は図2に示した第1の実施形態と同一のものとした。
本実施形態において、金属枠体32には、金属枠体32の長手方向の内側、下端に補強部32aが設けられている。この補強部32aは断面が略三角形状をなしている。その他については第1の実施形態と同一である。なお、図6において、窓枠の詳細は省略した。
【0014】
【実施例】
前述の各実施形態について、補強部のサイズを変えて光半導体素子用パッケージのサンプルを製作した。金属枠体は厚さ1mmのコバールから形成し、金属底板は銅タングステン合金から形成した。
(実施例1)
第1の実施形態に相当するものである。
図3に示すように、金属枠体12の補強部12aは、長手方向の内側、下端に設けられている。金属枠体12の長さLは20.83mm、幅Wは12.7mmである。この補強部12aの厚さT、幅X、および銅−タングステン合金からなる金属底板13の厚さtを変えて、表1に示すサンプル1a〜cを作製した。
上記のサンプルを定盤上において、シックネスゲージで底面の反りを測定し、反りが30μm以下であることを確認した。これらのサンプルに光半導体素子や光ファイバを取り付け、試料を外部部材にネジ止めして固定した。そうして、光半導体素子を駆動して光ファイバからの光出力を測定して、ネジ止め前後の光出力の変化を調べた。その結果、上記サンプルはいずれもこの光出力の変化が5%以下であり、良好であった。
なお、本実施例において、補強部12aの断面のサイズは上記サンプルに限定されることはない。例えば、図3に示すように、金属枠体12は厚さf(f≦1.5mm)、長手方向の長さがL(10mm≦L≦30mm)の略方形状をなし、その補強部12aは長手方向に設けられ、厚さT(T≧2tまたはT≧1.5mm)、幅X(X≧0.05L)であればよい。
【0015】
(実施例2)
第2の実施形態に相当するものである。
図5に示すように、金属枠体22の補強部22aは、長手方向の内側、下端に設けられ、補強部22bは幅方向の内側、下端に設けられている。金属枠体12の長さLおよび幅Wは実施例1と同一である。この補強部22aの厚さT、幅X、補強部22bの厚さT、幅Y、および銅−タングステン合金からなる金属底板13の厚さtを変えて、表1に示すサンプル2a〜cを作製した。これらのサンプルについて、実施例1と同様に光出力の変化を調べた。その結果、上記サンプルはいずれもこの光出力の変化が5%以下であり、良好であった。
なお、本実施例において、補強部22aの断面のサイズは上記サンプルに限定されることはない。例えば、図5に示すように、金属枠体22は厚さf(f≦1.5mm)、長手方向の長さがL(10mm≦L≦30mm)、幅がW(5mm≦W≦15mm)の略方形状をなし、その補強部22aは長手方向および幅方向に設けられ、厚さT(T≧2tまたはT≧1.5mm)、長手方向の幅X(X≧0.045L)、幅方向の幅Y(Y≧0.07W)であればよい。
【0016】
(実施例3)
第3の実施形態に相当するものである。
図6に示すように、金属枠体32の補強部32aは断面が三角形であって、長手方向の内側、下端に設けられている。金属枠体32の長さLおよび幅Wは実施例1と同一である。この補強部32aの厚さT、断面積S、および銅−タングステン合金からなる金属底板13の厚さtを変えて、表1に示すサンプル3a〜cを作製した。これらのサンプルについて、実施例1と同様に光出力の変化を調べた。その結果、上記サンプルはいずれもこの光出力の変化が5%以下であり、良好であった。
なお、本実施例において、補強部32aの断面のサイズは上記サンプルに限定されることはない。例えば、金属底板13は厚さtの銅タングステン合金板からなり、金属枠体は厚さf(f≦1.5mm)、長手方向の長さがL(10mm≦L≦30mm)の略方形状をなし、その補強部は長手方向に設けられ、断面積SはS≧0.095・t・Lであればよい。
【0017】
【表1】
【0018】
なお、上記実施例は本発明を具体化した一例であって、本願発明の技術的範囲を限定するものではない。例えば、金属枠体および金属底板の材質は、それぞれコバールおよび銅−タングステン合金に限定されることはない。また、補強部の断面形状も上記実施例に限定されることはない。さらに、光ファイバを取り付ける窓枠には、種種の構造ものを適用できる。
【0019】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、光半導体素子を搭載する金属底板と、前記金属底板と異なる材料からなる金属枠体とを有し、前記金属枠体が前記金属底板上に接合されて形成された光半導体素子用パッケージにおいて、金属底板は平板状をなし、金属枠体は、該金属枠体と一体に、かつ前記金属枠体の前記光半導体素子の光軸に平行な側壁の内側に突出して形成された補強部を有し、該補強部を含む金属枠体の下部において前記金属底板と接合されているため、金属底板に銅−タングステン合金のような難削材を用いても、金属底板の材料費を節減し、その加工費を低減することができるので、それにともない光半導体素子用パッケージのコストを低減することができるという優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(e)はそれぞれ、本発明にかかる光半導体素子用パッケージの第1の実施例における金属枠体の平面図、正面断面図、正面図、側面断面図、側面図である。
【図2】(a)、(b)はそれぞれ、上記第1の実施例における金属底板の側面図および平面図である。
【図3】(a)、(b)はそれぞれ、上記光半導体素子用パッケージの第1の実施例の側面図および正面断面図である。
【図4】(a)〜(e)はそれぞれ、本発明にかかる光半導体素子用パッケージの第2の実施例における金属枠体の平面図、正面断面図、正面図、側面断面図、側面図である。
【図5】(a)〜(c)はそれぞれ、上記光半導体素子用パッケージの第2の実施例の側面図、正面断面図および側断面図である。
【図6】(a)、(b)はそれぞれ、本発明にかかる光半導体素子用パッケージの第3の実施例の側面図および正面断面図である。
【図7】従来の光半導体素子用パッケージの斜視図である。
【図8】(a)〜(c)はそれぞれ、従来の金属枠体と金属底板を接合した状態の側面図、正面断面図および側面断面図である。
【符号の説明】
11、21、31 光半導体素子用パッケージ
12、22、32 金属枠体
12a、22a、22b、32a 補強部
12b、22c 窓枠
13 金属底板
13a ネジ穴
Claims (2)
- 光半導体素子を搭載する金属底板と、前記金属底板と異なる材料からなる金属枠体とを有し、前記金属枠体が前記金属底板上に接合されて形成された光半導体素子用パッケージにおいて、金属底板は平板状をなし、金属枠体は、該金属枠体と一体に、かつ前記金属枠体の前記光半導体素子の光軸に平行な側壁の内側に突出して形成された補強部を有し、該補強部を含む金属枠体の下部において前記金属底板と接合されていることを特徴とする光半導体素子用パッケージ。
- 前記金属枠体は、該金属枠体と一体に、かつ前記金属枠体の前記光半導体素子の光軸に垂直な側壁の内側に突出して形成された補強部をさらに有し、前記光軸に平行な側壁の内側に突出して形成された補強部と前記光軸に垂直な側壁の内側に突出して形成された補強部の下部において前記金属底板と接合されていることを特徴とする請求項1記載の光半導体素子用パッケージ。
Priority Applications (1)
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JP11135096A JP3745828B2 (ja) | 1996-05-02 | 1996-05-02 | 光半導体素子用パッケージ |
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JP11135096A JP3745828B2 (ja) | 1996-05-02 | 1996-05-02 | 光半導体素子用パッケージ |
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1996
- 1996-05-02 JP JP11135096A patent/JP3745828B2/ja not_active Expired - Fee Related
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