JP3732610B2 - 光変調器制御回路 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、MZ型外部変調器の出力光信号を安定化する光変調器制御回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
図9は、先願(特願平8−271018)の光変調器制御回路の構成例を示す。
図において、レーザ光源31の出力光は、MZ型外部変調器32に入力される。MZ型外部変調器32の一方の駆動入力には、“0”と“π”に対応する2値の入力信号がコンデンサ33を介して印加される。MZ型外部変調器32の他方の駆動入力には、バイアスT34および終端抵抗35が接続され、バイアス電圧がバイアスT34を介して印加される。このバイアス電圧には、低周波発振器36から出力される低周波信号が加算器37を介して重畳される。その結果、MZ型外部変調器32は、入力信号に低周波信号が重畳された信号によって駆動され、振幅変調された光信号が出力される。
【0003】
この出力光信号は光カプラ38で分岐され、光電変換器39で電気信号に変換される。光電変換器39から出力される電流I(t) は、“0”と“π”の2値をとる入力信号をs(t) 、バイアス電圧の動作点からのずれを2α、低周波信号の振幅を2βおよび角周波数をωm とすると、
Figure 0003732610
と表される。この電気信号の直流成分をコンデンサ40を介して除去し、その交流成分を2乗回路41で2乗することにより、電気信号の包絡線成分が検出される。この包絡線成分I2(t)は、
Figure 0003732610
と表される。ここでは、βは十分に小さいと仮定している。
【0004】
重畳した低周波成分は、乗算器42で包絡線成分を低周波信号で同期検波することにより検出される。その検波出力の直流成分には、包絡線成分と低周波信号の位相を示す電圧−4βsin(4α) が現れる。これは、最適動作点で零となり、最適動作点からのずれの方向によりその符号が逆転する。また、最適動作点付近では、最適動作点からのずれ量に応じてその出力が大きくなる。
【0005】
以上の動作原理について図10を参照して説明する。
MZ型外部変調器32には、入力信号と周波数f0 の低周波信号が足し算されて入力される。いま、▲1▼に示すようにバイアス電圧の直流成分が動作点より高い場合には、MZ型外部変調器32から▲3▼で示される光信号が出力される。この出力光信号▲3▼の振幅変調周波数はf0 であり、マーク時の包絡線▲4▼の位相が重畳信号とは逆になっている。一方、▲2▼に示すようにバイアス電圧の直流成分が動作点より低い場合には、MZ型外部変調器32から▲5▼で示される光信号が出力される。この出力光信号▲5▼の振幅変調周波数もf0 であり、マーク時の包絡線▲6▼の位相が重畳信号と同位相になっている。したがって、MZ型外部変調器32の出力光信号の包絡線の位相により、最適動作点に対するバイアス電圧の相対位置を知ることができる。乗算器42から出力される検波出力は、▲1▼の場合には負、▲2▼の場合には正となる。
【0006】
したがって、この検波出力を積分器43で積分することにより、
dα/dt=−4βsin(4α) …(3)
のようにバイアス電圧を修正し、MZ型外部変調器32のバイアス電圧が最適動作点に一致するように制御することができる。すなわち、MZ型外部変調器32の動作点が変動した場合でも、バイアス電圧を最適動作点に一致させ、安定した光信号を送出させることができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図9に示す先願の光変調器制御回路では、MZ型外部変調器32のバイアス電圧に低周波信号を重畳することにより振幅変調された光信号を発生させ、その光信号の受信信号の交流成分を2乗回路41で2乗している。また、入力信号s(t) は、“0”と“π”の2値しかとらない理想的な信号として扱っている。また、2乗回路41では、入力信号の2乗の信号のみが出力される理想的な場合についてのみ考慮している。
【0008】
しかし、実際の入力信号s(t) は、“0”と“π”の2値以外に、立ち上がりおよび立ち下がり時間に中間の値をとる。また、MZ型外部変調器32の帯域も無限大ではない。そのため、MZ型外部変調器32の出力光信号には、バイアス電圧に重畳した低周波信号による振幅変調成分と、入力信号の有限帯域とMZ型外部変調器32の有限帯域の平均値の強度変調成分が重畳される。この様子を図11に示す。 (1)は振幅変調効果のみが現れた理想的な出力波形であり、 (2)は平均値変調効果による出力波形であり、 (3)は振幅変調効果と平均値変調効果が合わさった出力波形を示す。それぞれ左から順に、図10に示す▲1▼の動作点における出力、最適動作点における出力、図10に示す▲2▼の動作点における出力を示す。
【0009】
図12は、MZ型外部変調器32の入力信号(駆動信号)が有限の場合にバイアス電圧が変化したときの出力光信号の波形を示す。 (1)は入力信号波形、(2),(3) は出力光信号波形を示す。(2) では、丸で囲った部分の影響で平均パワーが上がり、図10に示す▲2▼にドリフトした場合に相当する。 (3)では、丸で囲った部分の影響で平均パワーが下がり、図10に示す▲1▼にドリフトした場合に相当する。このように、MZ型外部変調器32のバイアス電圧の変化により平均パワーが変化することがわかる。したがって、バイアス電圧に低周波信号を重畳することにより、帯域が有限の場合にはその低周波信号で図11(2) に示すように平均値が強度変調される。
【0010】
図13は、MZ型外部変調器32の出力光信号の光電変換後の周波数スペクトルを示す。 (1)は理想的な変調器および入力信号による出力波形を示し、振幅変調スペクトルのみが現れる。 (2)は変調器帯域および入力信号帯域が有限の場合の出力波形を示し、平均値の強度変調成分が現れている。
また、2乗回路の入出力特性は、y=ax+bx2 (xは入力、yは出力)のように表され、入力信号の2乗成分だけでく、入力信号そのものも出力側に洩れ込んでしまう。そのため、低周波信号で強度変調された信号成分が2乗回路の出力に現れ、動作点制御の安定点がずれてしまうことが考えられる。
【0011】
本発明は、光変調器のバイアス電圧に低周波信号を重畳して出力光信号の制御を行う構成において、入力信号の有限帯域と光変調器の有限帯域による平均値の強度変調成分の影響を受けずに制御することができる光変調器制御回路を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
図1は、本発明の光変調器制御回路の基本構成を示す(請求項1)。
図において、レーザ光源31から出力されるCW光はMZ型外部変調器32に入力される。MZ型外部変調器32の一方の駆動入力にはコンデンサ33を介して入力信号が印加され、他方の駆動入力にはバイアスT34および終端抵抗35が接続され、バイアス電圧がバイアスT34を介して印加される。このバイアス電圧には、加算手段11を介して低周波発生手段12から出力される低周波信号が重畳される。
【0013】
MZ型外部変調器32から出力される低周波信号によって振幅変調された光信号は、光カプラ38で分岐されて光電気変換手段13で電気信号に変換される。直流・低周波除去手段14は、この電気信号から直流成分および低周波信号の周波数成分を除去する。これにより、低周波信号による振幅変調信号成分のみが検出される。すなわち、図11(1) に示すような理想的な信号が得られる。
【0014】
包絡線検波手段15は、直流・低周波除去手段14の出力信号を包絡線検波する。同期検波手段16は、包絡線検波手段15の出力信号と低周波発生手段11から出力される低周波信号の位相を比較する。積分手段17は、同期検波手段16の出力信号を積分し、加算手段12を介してMZ型外部変調器32に印加するバイアス電圧を修正する。
【0015】
【発明の実施の形態】
(第1の実施形態−請求項2)
図2は、本発明の光変調器制御回路の第1の実施形態を示す。
本実施形態の特徴は、図9に示す先願の光変調器制御回路の構成において、光電気変換器39の出力信号の直流成分を除去するコンデンサ40に代えて、バイアス電圧に重畳された低周波信号の周波数成分以上の周波数を通過させるハイパスフィルタ21を備えたところにある。その他の構成は、図9に示す各部と同じである。
【0016】
このハイパスフィルタ21により、2乗回路41には低周波信号による振幅変調信号成分のみが入力され、入力信号の有限帯域とMZ型外部変調器32の有限帯域による平均値の強度変調成分の影響を受けずに、バイアス電圧の変動制御が可能になる。
ここで、本実施形態の各部と図1に示す基本構成との対応関係を示す。低周波発振器36と低周波発生手段11、加算器37と加算手段12、光電変換器39と光電気変換手段13、ハイパスフィルタ21と直流・低周波除去手段14、2乗回路41と包絡線検波手段15、乗算器42と同期検波手段16、積分器43と積分手段17がそれぞれ対応する。また、同一符号のものはそのまま対応する。
【0017】
(第2の実施形態−請求項2)
図3は、本発明の光変調器制御回路の第2の実施形態を示す。
本実施形態では、“−π”,“0”,“π”の3値をとるデュオバイナリ信号を送信するために、プッシュプルタイプのMZ型外部変調器51を用いる。デュオバイナリ信号は、入力信号1とその逆相の入力信号2が、デュオバイナリ変換器52−1,52−2と、デュオバイナリフィルタ53−1,53−2を通過することにより生成される。生成された各デュオバイナリ信号は、コンデンサ33−1,33−2を介してMZ型外部変調器51の各一方の駆動入力に印加される。その他の構成は第1の実施形態と同様である。
【0018】
光デュオバイナリ信号は、光の位相では“−π”,“0”,“π”の3値をとるが、光電気変換した場合には光強度を“1”,“0”で変調した場合と同じように2値になる。したがって、本実施形態の構成においても、バイアス電圧のオフセット(包絡線と低周波信号の位相)に比例してバイアス電圧を修正していくことができる。
【0019】
(第3の実施形態−請求項3)
図4は、本発明の光変調器制御回路の第3の実施形態を示す。
本実施形態の特徴は、第1の実施形態において包絡線検波手段15として用いた2乗回路41に代えて、ダイオードを用いた整流機能により振幅変調信号の包絡線を検出する直線検波回路22を用いるところにある。2乗回路41は、MZ型外部変調器32の入力信号の変調速度に対応する比較的広帯域なものが必要であるが、ダイオードは重畳した低周波信号の帯域を有すればよく、光変調器制御回路を安価に構成することができる。
【0020】
(第4の実施形態−請求項3)
図5は、本発明の光変調器制御回路の第4の実施形態を示す。
本実施形態の特徴は、第2の実施形態において包絡線検波手段15として用いた2乗回路41に代えて、ダイオードを用いた整流機能により振幅変調信号の包絡線を検出する直線検波回路22を用いるところにある。2乗回路41は、MZ型外部変調器32の入力信号の変調速度に対応する比較的広帯域なものが必要であるが、ダイオードは重畳した低周波信号の帯域を有すればよく、光変調器制御回路を安価に構成することができる。
【0021】
(第5の実施形態−請求項5)
図6は、本発明の光変調器制御回路の第5の実施形態を示す。
本実施形態の特徴は、第1の実施形態の構成において、入力信号のマーク率を検出するマーク率検出手段23と、検出されたマーク率に応じて乗算器42(同期検波手段16)の出力信号の利得を調整する利得調整手段24とを備えたところにある。
【0022】
実際の伝送システムでは、伝送信号の“1”と“0”の比率(マーク率)が変動することがある。本発明の光変調器制御回路において、入力信号のマーク率が変動すると同期検波信号が変化する。したがって、入力信号のマーク率の変動をマーク率検出手段23で検出し、利得調整手段24がマーク率の変動に対する乗算器42の出力レベルの変動をキャンセルして積分器43に入力させる。
【0023】
なお、マーク率検出手段23は、低域通過フィルタを用いて入力信号の平均電圧を検出する構成である。利得調整手段24は、マーク率検出手段23の出力に応じて増幅度を変化させる構成である。
本実施形態で示した入力信号のマーク率変動に対処する構成は、第2の実施形態から第4の実施形態にも同様に適用することができる。
【0024】
(第6の実施形態−請求項6)
図7は、本発明の光変調器制御回路の第6の実施形態を示す。
本実施形態の特徴は、第3の実施形態において直流・低周波除去手段14として用いたハイパスフィルタ21に代えて、クランプ回路25を用いるところにある。クランプ回路25を用いることにより、入力信号のマーク率に関係なく一定の振幅レベルの信号を直線検波回路22に入力することができるので、マーク率によらない制御動作が可能である。本実施形態の構成は、第4の実施形態にも同様に適用することができる。
【0025】
(第7の実施形態−請求項4)
図8は、本発明の光変調器制御回路の第7の実施形態を示す。
本実施形態の特徴は、第3の実施形態の構成において、乗算器42(同期検波手段16)の出力信号の極性を反転する極性反転回路26と、入力信号の極性を反転する極性反転回路27とを備えたところにある。
【0026】
極性反転回路26で乗算器42の出力信号の極性を反転すると、MZ型外部変調器32の動作点が半波長電圧分ほどシフトする。これにより、MZ型外部変調器32の出力光の極性が切り替わる。また、動作点のシフトに伴い、MZ型外部変調器32の固有の性質である強度変調に伴う位相変調(以下「チャーピング」という。)の位相が反転するので、使用する光伝送路の特性に応じたチャーピングの極性を設定することができる。
【0027】
さらに、極性反転回路26と同時に極性反転回路27で入力信号の極性を反転することにより、MZ型外部変調器32の出力光の極性を変えることなく、容易にチャーピングの極性のみを反転することができる。
本実施形態の構成は、第4の実施形態にも同様に適用することができる。また、第5の実施形態に示した入力信号のマーク率変動に対処する構成を付加してもよい。
【0028】
以上示した実施形態のうち2乗回路41を用いた構成では、正負のどちらのチャーピングを与える動作点においても安定化できるので、正または負のどちらかのチャーピングを選択して安定化させるために、予め動作点の近くにMZ型外部変調器32のバイアス点を設定しておく必要がある。この場合には、加算器36に初期バイアスを設定する手段を接続し、制御を開始する前にバイアスを初期設定する。また、シーケンス回路により、予め設定されたバイアス電圧に達した後に制御を開始するようにしてもよい。
【0029】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の光変調器制御回路は、MZ型外部変調器に動作点の変動がある場合に、入力信号およびMZ型外部変調器の帯域が有限の場合でも、バイアス電圧を動作点に一致させるバイアス電圧制御を行うことができる。また、MZ型外部変調器のチャーピングの極性を出力光の極性と独立に設定することができる。また、入力信号のマーク率の変動に関わりなく安定にバイアス電圧制御を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光変調器制御回路の基本構成を示すブロック図。
【図2】本発明の光変調器制御回路の第1の実施形態を示すブロック図。
【図3】本発明の光変調器制御回路の第2の実施形態を示すブロック図。
【図4】本発明の光変調器制御回路の第3の実施形態を示すブロック図。
【図5】本発明の光変調器制御回路の第4の実施形態を示すブロック図。
【図6】本発明の光変調器制御回路の第5の実施形態を示すブロック図。
【図7】本発明の光変調器制御回路の第6の実施形態を示すブロック図。
【図8】本発明の光変調器制御回路の第7の実施形態を示すブロック図。
【図9】先願の光変調器制御回路の構成例を示すブロック図。
【図10】先願の光変調器制御回路の動作原理を説明する図。
【図11】MZ型外部変調器の出力波形を示す図。
【図12】MZ型外部変調器の入力信号が有限の場合にバイアス電圧が変化したときの出力波形を示す図。
【図13】MZ型外部変調器の出力光信号の光電変換後の周波数スペクトルを示す図。
【符号の説明】
11 低周波発生手段
12 加算手段
13 光電気変換手段
14 直流・低周波除去手段
15 包絡線検波手段
16 同期検波手段
17 積分手段
21 ハイパスフィルタ
22 直線検波回路
23 マーク率検出手段
24 利得調整手段
25 クランプ回路
26,27 極性反転回路
31 レーザ光源
32 MZ型外部変調器
33 コンデンサ
34 バイアスT
35 終端抵抗
36 加算器
37 低周波発振器
38 光カプラ
39 光電変換器
40 コンデンサ
41 2乗回路
42 乗算器
43 積分器
51 MZ型外部変調器(プッシュプルタイプ)
52 デュオバイナリ変換器
53 デュオバイナリフィルタ

Claims (6)

  1. CW光を入力信号により変調するマッハツェンダ型外部変調器(以下「MZ型外部変調器」という)の出力光信号を安定化する光変調器制御回路において、
    所定の周波数の低周波信号を発生する低周波発生手段と、
    前記低周波信号を前記MZ型外部変調器のバイアス電圧に重畳して印加する加算手段と、
    前記MZ型外部変調器の出力光信号を電気信号に変換する光電気変換手段と、
    前記電気信号から直流成分および前記低周波信号の周波数成分を除去する直流・低周波除去手段と、
    前記直流・低周波除去手段の出力信号を包絡線検波する包絡線検波手段と、
    前記包絡線検波手段の出力信号と前記低周波信号の位相を比較する同期検波手段と、
    前記同期検波手段の出力信号に比例して前記MZ型外部変調器に印加するバイアス電圧を修正する積分手段と
    を備えたことを特徴とする光変調器制御回路。
  2. 請求項1に記載の光変調器制御回路において、
    包絡線検波手段は、直流・低周波除去手段の出力信号を2乗して包絡線の周波数成分を検出する2乗回路である
    ことを特徴とする光変調器制御回路。
  3. 請求項1に記載の光変調器制御回路において、
    包絡線検波手段は、直流・低周波除去手段の出力信号を整流して平滑化する直線検波回路である
    ことを特徴とする光変調器制御回路。
  4. 請求項3に記載の光変調器制御回路において、
    同期検波手段の出力信号の極性を反転する第1の極性反転回路と、
    入力信号の極性を反転する第2の極性反転回路と
    を備えたことを特徴とする光変調器制御回路。
  5. 請求項1から請求項4のいずれかに記載の光変調器制御回路において、
    入力信号のマーク率を検出するマーク率検出手段と、
    前記マーク率検出手段で検出されたマーク率の変動に対して、同期検波手段の出力信号が一定レベルになるように利得を調整して積分手段に与える利得調整手段と
    を備えたことを特徴とする光変調器制御回路。
  6. 請求項3に記載の光変調器制御回路において、
    直流・低周波除去手段は、入力信号のマーク率に関係なく一定の振幅レベルの信号を出力するクランプ回路である
    ことを特徴とする光変調器制御回路。
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