JP3719904B2

JP3719904B2 - Method for chamfering glass substrate of liquid crystal display device and heater used in the method

Info

Publication number: JP3719904B2
Application number: JP2000112247A
Authority: JP
Inventors: 昌弘山田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2000-04-13
Filing date: 2000-04-13
Publication date: 2005-11-24
Anticipated expiration: 2020-04-13
Also published as: JP2001294437A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、液晶表示装置およびその製造装置に関するものであり、特に液晶表示パネルの外周エッジの角部の加工に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、液晶表示装置は、液晶をはさんで互いに対向する一対のガラス基板からなる液晶表示パネルと、液晶表示パネルの表示制御を行うドライバＩＣにより構成されている。
【０００３】
この液晶表示装置の主要な構成要素である液晶表示パネルは、制御信号を入力するための入力用電極を形成した一対の対向するガラス基板内に液晶を注入し、この入力用電極に外部ドライバＩＣから電気信号を加えて、外部からの入射光の偏光成分を制御することにより光の透過量を制御して情報を表示するものである。
【０００４】
このような液晶表示パネルは、コスト面で有利とするために、大きなガラス基板から多数個取りすることにより製造されることが多い。
この種の製造方法として、まず大きな一対のガラス基板上に透明電極などからなる表示回路を形成し、対向する一対のガラス基板を貼り合わせた後、分断することにより複数の液晶表示パネルを製造する場合と、表示回路の形成途中にガラス基板の分断を実施した後、貼り合わせる場合との２種類がある。
【０００５】
また、小型の機種を中心として、検査を簡便に済ますために、複数個の液晶パネルがつながった状態で液晶を注入し、検査後個々の液晶表示パネルに分断する方法も行われている。
【０００６】
いずれの場合もガラス基板の分断には、超鋼合金製またはダイヤモンド製のカッターを用いてガラス表面にスクライブ（深さ数十〜数百μｍの傷）を入れた後、物理的応力によりガラスを分断する。
このような分断方法の場合、その分断面は、スクライブに起因する微小な割れや欠け、すなわちクラックが発生する。また、切断したままの状態の分断面は鋭角に切り立っていることが多い。
【０００７】
このような状態のまま、ガラス基板を分断した後に何も処理を施さない場合、ガラス基板の分断面は構造的にもろく、機械的衝撃を受けると分断面からクラックを生じたり、微小なガラス屑（カレット）が生じる等の問題がある。
また、外部のドライバＩＣ等を搭載した表示制御用回路をＴＣＰ（Ｔａｐｅ
ＣａｒｒｉｅｒＰａｃｋａｇｅ）等のフィルム状基板にてガラス基板の入力用電極に接続する場合、分断面を含む外周エッジの角部で切断が生じやすくなる問題もある。
【０００８】
また、カレットが発生した場合、カレットが液晶表示装置の表示エリアに入り込んで表示品位を下げたり、表示制御用回路をガラス基板の入力用電極に取り付ける際の接触不良の原因となる問題もある。
【０００９】
このため、通常は液晶表示パネルの外周エッジの角部に面取り加工を施し、クラックや鋭角に切り立った角を除去している。この面取り方法としては、従来より、砥石による研磨が知られており、広く実施されている。
また、砥石による研磨以外に、レーザー光線により熱処理を行い、外周エッジの角部に発生するクラックを熔融、消滅させる方法も提案されている（例えば、特開平１０−１１１４９７号公報参照）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
砥石による面取りの場合、ガラスを研磨することにより結果としてカレットが発生するので、その除去のために後工程での洗浄が必要となる。
また、研磨を行うために切削水が必要となるので、この切削水により表示回路面が汚染されてしまう。
このため、汚染を極力避けなければならない貼り合わせ前のガラス基板や、液晶注入前の液晶表示パネルに対する面取り処理が困難であり、クラックやカレットを防止する上で最も効果的なガラス基板分断直後に面取りを実施することができなかった。
【００１１】
その上、砥石による面取りでは、液晶表示パネルの入力用電極の上部に位置するガラス基板の外周エッジの角部に対して面取りを実施することが困難であった。
このため、この部分からクラックおよびカレットが発生することを防ぐことができず、不十分な防止効果しか得られなかった。
【００１２】
また、熱源にレーザー光線を用いて、外周エッジの角部のクラックを熔融、消滅させる方法の場合、照射されたレーザー光がガラス面を透過する際に屈折し、基板内の表示回路に当たると、表示回路が破壊されて表示不良の原因となる可能性があった。
【００１３】
この発明は以上のような事情を考慮してなされたものであり、ガラス基板を汚染することなくガラス基板分断直後にガラス基板の全ての外周エッジの角部に対して面取りでき、更にはガラス基板に設けられた表示回路等に損傷を与えることもない液晶表示装置のガラス基板の面取り方法およびその方法に用いる加熱器を提供するものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この発明は、液晶をはさんで互いに対向するガラス基板からなる液晶表示装置において、複数の液晶表示装置に対応する複数の表示回路が形成された一対のガラス基板を樹脂を用いて貼り合わせ、各液晶表示装置に対応する領域毎に分断することにより得られた作製途中の液晶表示装置のガラス基板の外周エッジの角部に加熱器を接触させ、前記角部を加熱し溶融させて面取りすることを特徴とする液晶表示装置のガラス基板の面取り方法およびその方法に用いる加熱器を提供するものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
この発明において、ガラス基板としては、例えば、ホウ珪酸ガラス、ソーダ・ライムガラス、低アルカリガラス、無アルカリガラス、シリカガラスなどからなるものを用いることができる。
【００１６】
対向するガラス基板にはさまれる（注入される）液晶としては、スメクティック液晶やネマティック液晶など、公知の液晶を広く用いることができ、特に限定されない。
【００１７】
ガラス基板の外周エッジの角部を熔融させて面取りする際、加熱器は前記角部を、そのガラス基板のひずみ点温度よりも高く、かつ軟化温度よりも低い温度に加熱する。
ガラス基板の外周エッジの角部をこのような温度に加熱することにより、この角部に表面流動が発生して面取りが行われる。
例えば、ガラス基板にホウ珪酸ガラスを用いた場合、好適な加熱温度は約６５０℃〜８００℃程度である。
【００１８】
この発明の液晶表示装置の面取り方法に用いる加熱器は、細長い熱伝導体と、熱伝導体に設けられる熱源とを備え、熱伝導体の先端にはガラス基板の外周エッジの角部に対応する溝が形成されていてもよい。
【００１９】
熱伝導体の溝は、ガラス基板の角部をこの溝の形状に沿うように熔融させて面取りするために形成されるものである。
また、加熱器の幅がガラス基板の外周エッジの長さよりも短い場合は、加熱器を外周エッジに接触させながら角部に沿って移動させる必要があるが、熱伝導体の溝は加熱器を移動させる際のガイド的な役割も果たす。
このため、熱伝導体の溝の形状は特に限定されるものではないが、例えば、Ｕ状やＶ状などを挙げることができる。
【００２０】
例えば、熱伝導体の溝の形状をＵ状にした場合は、面取りしたガラス基板の外周エッジの断面を弧状又は半円状（以下、この明細書においてＲ形状と称する）とすることができる。
【００２１】
加熱器の熱源としては電熱線や水素ガスバーナを用いることができる。水素ガスバーナは、水素ガス供給ノズルと、酸素ガス供給ノズルと、排気管とから構成することができる。
これらの熱源は、周囲の雰囲気を汚染することがないので、汚染を極力避けなければならない液晶表示装置製造工場での使用に適している。
【００２２】
また、この発明では、大きなガラス基板を分断して多数個取りすることにより複数の液晶表示パネルを製造する場合、分断した直後に上記加熱器を用いてガラス基板を面取りすることもできる。
このようにすると、後の工程でガラス基板の外周エッジの角部からクラックが生ずることを防止できるようになるため、液晶表示装置の製造工程中におけるガラス基板の面取り実施タイミングとしては最も好ましい。
【００２３】
上記タイミングで面取りが行えるのは、この発明による面取り方法が従来の砥石による面取り方法と異なり、面取りの際にガラス基板を汚染しないからである。また、ガラス基板を汚染しないため、面取り後の洗浄工程も不要となる。
【００２４】
更には、加熱器をガラス基板の外周エッジの角部に直接接触させて加熱することにより面取りするので、従来のレーザ光を用いた面取り方法のようにガラス基板に形成された表示回路に損傷を与えることもない。
【００２５】
【実施例】
以下に図面に示す実施例に基づいてこの発明を詳述する。なお、この実施例によってこの発明が限定されるものではない。
【００２６】
この発明の実施例について図１〜図９に基づいて説明する。
まず、図１（ａ）に示されるように、ホウ珪酸ガラスからなるガラス基板１ａ、１ｂを用意する。ガラス基板１ａ、１ｂは、共にｄ１が約５５０ｍｍ、ｗ１が約６５０ｍｍ、ｔが約１．１ｍｍである。
ガラス基板１ａ、１ｂはそれぞれ片面にＩＴＯからなる表示回路２とアルミニウムからなる入力用電極３が形成されている。
【００２７】
次に、直径約５μｍのシリカからなるスペーサ（図示せず）を散布してから、図１（ｂ）に示されるように、ガラス基板１ａの表示回路２の周囲に熱硬化型エポキシ樹脂（図示せず）を約１ｍｍの幅で塗布し、ガラス基板１ｂと位置合わせを行った後、図１（ｃ）に示されるように重ね合わせる。
重ね合わせた後、温度約１６０℃で約３時間程度圧着し、ガラス基板１ａ、１ｂの貼り合わせを完了させる。
【００２８】
次に、図１（ｄ）に示されるように、ダイヤモンドからなるカッター４を用いて破線で示す所定ライン５に深さ約２００μｍ程度の傷を付ける。
傷を付けた後、所定ライン５に沿って力を加え、所定ライン５に沿ってガラス基板１ａ、１ｂを４つに分断する。
【００２９】
分断されたガラス基板１ａ、１ｂのうちの１つを図２に示す。また、図２に示すガラス基板１ａ、１ｂのＡ部拡大図を図３に示す。
図３に示されるようにガラス基板１ａ、１ｂの外周エッジの角部６にはクラック７が発生している。
【００３０】
このため、図４に示すように、加熱器８の熱伝導体１２の先端に形成されたＵ状溝１４をガラス基板１ａ、１ｂの外周エッジの角部６に接触させながら外周エッジの角部６の長手方向に沿って移動させて面取りを行う。
具体的には、図５に示すように、加熱器移動装置２１を用い、ステージ２２に載置されたガラス基板１ａ、１ｂの外周エッジの角部６に沿って加熱器８を移動させるようにしてもよい。
加熱器移動装置２１は、第１、第２および第３駆動軸（図示せず）を備えており、図に矢印で示す方向、すなわち上下、左右および前後方向へ自在に移動できる。
第１、第２および第３駆動軸は、スピードコントロール機能を備えたモーター（図示せず）で駆動され、ガラス基板１ａ、１ｂと加熱器８との接触時間、加熱器８の移動速度等を精度良く制御できるようになっている。
【００３１】
この時、加熱器８はガラス基板１ａ、１ｂの外周エッジの角部６が約６５０℃〜８００℃となるように加熱している。というのは、ホウ珪酸ガラスのひずみ点温度は約６００℃であり、軟化温度は約８５０℃だからである。
【００３２】
また、図３に示すクラック７は、深いものでは約１００μｍ〜１５０μｍ程度の深さがある。
このため、図４に示すようにガラス基板１ａ、１ｂの外周エッジの角部６は図４に示すｒが約１５０μｍ〜２００μｍ程度となるＲ形状に面取りされている。
【００３３】
また、図４に示すように入力用電極３の上部に位置するガラス基板１ｂの外周エッジの角部６も面取りされている。
ガラス基板１ｂの外周エッジの角部６は、従来の砥石による面取り方法では面取りしずらかった箇所である。
【００３４】
このように面取りを行った後は、従来の製造方法と同様にベルジャー等を用いて液晶の注入を行い、液晶表示装置を完成させる。
【００３５】
次に、図６〜図８に基づいて上述の実施例に係る液晶表示装置の製造方法で用いた加熱器８について説明する。図６は、加熱器８の概略構成を示す説明図である。
図６に示すように加熱器８は、細長い熱伝導体１２と熱源１３とを備え、細長い熱伝導体１２の先端にはＵ状溝１４が形成されている。
熱伝導体１２と熱源１３は、熱絶縁体からなる本体１５に収容されている。
熱伝導体１２はセラミックで形成され、ｄ２は約２ｍｍである。また、熱伝導体１２の基板１ａ又は１ｂと接触する幅、つまり、図４に示すｗ２は約１０ｍｍである。
なお、図４中のｗ２の寸法は特に限定されないが、約３ｍｍ〜５０ｍｍ程度とすることができる。また、熱伝導体１２は表面が電気的に絶縁された銅金属などの金属から形成されてもよい。
【００３６】
熱伝導体１２の先端の拡大図を図７に示す。図７に示すように、熱伝導体１２の先端に形成されたＵ状溝１４は、図７に示すｄ３が４００μｍ、ｄ４が１５０μｍの寸法で形成されている。
【００３７】
一方、図６に示される熱源１３はニクロム線であり、熱伝導体１２の周囲に巻き付けられている。加熱器８に求められる発熱量は約１１Ｊ／ｓである。
この値は次のようにして求めることができる。
例えば、図４に示すｒが２００μｍ（０．０２ｃｍ）となるように外周エッジの角部６を１ｃｍにわたって面取りすると仮定する。また、面取りの対象となるガラス基板の材質はホウ珪酸ガラスであり、加熱器８やガラス基板１ａ、１ｂでの熱的ロスはないものと仮定する。
ホウ珪酸ガラスの熱伝導度ｋ＝０．０１５Ｊ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃とし、縁部６を深さ０．０２ｃｍまで８００℃に加熱するとすると、必要な発熱量Ｃは次の式で表される。
Ｃ＝（Ｔ₁−Ｔ₀）／（Ｌ／ｋＡ）
【００３８】
なお、ここでＴ₁は到達温度（８００℃）、Ｔ₀は初期の温度（ここでは２５℃とする）、Ｌは熱を加える深さ（０．０２ｃｍ）、ｋは熱伝導度（０．０１５）、Ａは熱を加える面積（１ｃｍ×０．０２ｃｍ＝０．０２ｃｍ²）である。
従って加熱器に必要となる発熱量Ｃは、
Ｃ＝７７５／（０．０２／０．０００３）＝７７５／６６．６＝１１．７
となる。
【００３９】
つまり、加熱器８が約１１Ｊ／ｓの発熱量を備える場合、加熱器８をガラス基板１ａ、１ｂの外周エッジの角部６に沿って約１ｃｍ／ｓの速さで移動させれば、ガラス基板１ａ、１ｂの外周エッジの角部６を熔融させて面取りすることができる。
また、ガラス基板１ａ、１ｂの材質が変更された場合には、上記の式に基づいて、加熱器８に必要な発熱量を算出し、加熱器の仕様変更又は出力の調整を行うとよい。
【００４０】
また、熱源１３を水素ガスバーナとした例を図８に示す。
図８に示すように熱源１３は、水素ガス供給ノズル１６と、酸素ガス供給ノズル１７と、排気管１８とから構成された水素ガスバーナである。
その他の構成や各部の寸法は図６及び図７に示す加熱器と同一であるので説明を省略する。
【００４１】
この発明の液晶表示装置の製造方法に用いる加熱器８では、上述のように熱源１３にニクロム線や水素ガスバーナを用いるが、これらの熱源１３は工場内の雰囲気を汚染しないので、汚染を極力避けなければならない液晶表示装置製造工場での使用に適している。
【００４２】
【発明の効果】
この発明によれば、ガラス基板の外周エッジの角部へ加熱器を接触させ、前記エッジ部を前記角部を熔融させて面取りするので、ガラス基板を汚染することなくガラス基板分断直後にガラス基板の全ての外周エッジの角部に対して面取りでき、更にはガラス基板に設けられた表示回路等に損傷を与えることもない液晶表示装置のガラス基板の面取方法およびその方法に用いられる加熱器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明による液晶表示装置のガラス基板の面取方法を利用する液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。
【図２】図１（ｄ）に示される分断されたガラス基板のうちの１つを示す斜視図である。
【図３】図２に示されるガラス基板のＡ部拡大図である。
【図４】図３に示されるガラス基板に加熱器を用いて面取りしているところを示す斜視図である。
【図５】加熱器移動装置を用いて面取りしているところを示す斜視図である。
【図６】熱源にニクロム線を用いた加熱器の概略構成を示す説明図である。
【図７】図６に示す加熱器の先端部の拡大図である。
【図８】熱源に水素ガスバーナを用いた加熱器の概略構成を示す説明図である。
【符号の説明】
１ａ、１ｂ・・・ガラス基板
３・・・入力用電極
６・・・外周エッジの角部
８・・・加熱器
１２・・・熱伝導体
１４・・・Ｕ状溝[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a liquid crystal display device and an apparatus for manufacturing the same, and more particularly to processing of corner portions of an outer peripheral edge of a liquid crystal display panel.
[0002]
[Prior art]
In general, a liquid crystal display device includes a liquid crystal display panel composed of a pair of glass substrates facing each other across a liquid crystal, and a driver IC that performs display control of the liquid crystal display panel.
[0003]
A liquid crystal display panel, which is a main component of this liquid crystal display device, injects liquid crystal into a pair of opposed glass substrates on which input electrodes for inputting control signals are formed, and an external driver IC is applied to the input electrodes. The information is displayed by controlling the amount of transmitted light by controlling the polarization component of the incident light from the outside by adding an electrical signal.
[0004]
Such a liquid crystal display panel is often manufactured by taking a large number of large glass substrates in order to be advantageous in terms of cost.
As a manufacturing method of this type, first, a display circuit composed of a transparent electrode or the like is formed on a large pair of glass substrates, a pair of opposing glass substrates are bonded together, and then a plurality of liquid crystal display panels are manufactured by dividing. There are two types of cases: a case where the glass substrate is divided during the formation of the display circuit, and then the glass substrate is bonded.
[0005]
In order to simplify the inspection mainly on small-sized models, there is also a method in which liquid crystal is injected in a state where a plurality of liquid crystal panels are connected and divided into individual liquid crystal display panels after the inspection.
[0006]
In any case, the glass substrate is divided by scribing the surface of the glass (scratches with a depth of several tens to several hundreds μm) using a super steel alloy or diamond cutter, and then applying the glass by physical stress. Divide.
In the case of such a dividing method, a minute crack or chipping caused by scribe, that is, a crack is generated in the section. Further, in many cases, the cut section in a cut state stands at an acute angle.
[0007]
In this state, when the glass substrate is cut and no treatment is performed, the glass substrate has a structurally fragile cross section. There are problems such as (caret).
In addition, a display control circuit equipped with an external driver IC or the like is connected to a TCP (Tape
In the case of connecting to an input electrode of a glass substrate with a film-like substrate such as Carrier Package), there is a problem that cutting is likely to occur at the corner of the outer peripheral edge including the dividing surface.
[0008]
In addition, when the cullet is generated, the cullet may enter the display area of the liquid crystal display device to lower the display quality, or may cause a contact failure when the display control circuit is attached to the input electrode of the glass substrate.
[0009]
For this reason, the corners of the outer peripheral edge of the liquid crystal display panel are usually chamfered to remove cracks and sharp corners. As this chamfering method, grinding with a grindstone is conventionally known and widely practiced.
In addition to polishing with a grindstone, a method has also been proposed in which heat treatment is performed with a laser beam to melt and eliminate cracks generated at the corners of the outer peripheral edge (see, for example, JP-A-10-111497).
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
In the case of chamfering with a grindstone, cullet is generated as a result of polishing the glass, so that cleaning in a subsequent process is necessary for its removal.
Further, since cutting water is required for polishing, the display circuit surface is contaminated by this cutting water.
For this reason, it is difficult to chamfer the glass substrate before bonding and the liquid crystal display panel before liquid crystal injection that must avoid contamination as much as possible, immediately after cutting the glass substrate, which is the most effective in preventing cracks and cullet. The chamfer could not be carried out.
[0011]
In addition, it has been difficult to chamfer the corners of the outer peripheral edge of the glass substrate located above the input electrodes of the liquid crystal display panel by chamfering with a grindstone.
For this reason, it was not possible to prevent the occurrence of cracks and cullet from this portion, and only an insufficient prevention effect was obtained.
[0012]
Also, in the method of using a laser beam as the heat source to melt and extinguish cracks at the corners of the outer edge, when the irradiated laser light is refracted when passing through the glass surface and hits the display circuit in the substrate, display There was a possibility that the circuit would be destroyed and cause display defects.
[0013]
The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and can chamfer all corners of the outer peripheral edge of the glass substrate immediately after cutting the glass substrate without contaminating the glass substrate. The present invention provides a method for chamfering a glass substrate of a liquid crystal display device that does not damage a display circuit or the like provided in the apparatus and a heater used in the method.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
The present invention relates to a liquid crystal display device composed of glass substrates facing each other across a liquid crystal, and a pair of glass substrates on which a plurality of display circuits corresponding to the plurality of liquid crystal display devices are formed are bonded using a resin, A heater is brought into contact with a corner portion of the outer peripheral edge of a glass substrate of a liquid crystal display device in the process of being obtained by dividing into regions corresponding to the liquid crystal display device, and the corner portion is heated and melted to be chamfered. A method for chamfering a glass substrate of a liquid crystal display device and a heater used for the method are provided.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
In this invention, as a glass substrate, what consists of borosilicate glass, soda lime glass, low alkali glass, non-alkali glass, silica glass etc. can be used, for example.
[0016]
As the liquid crystal sandwiched (injected) between the opposing glass substrates, known liquid crystals such as smectic liquid crystals and nematic liquid crystals can be widely used, and are not particularly limited.
[0017]
When melting and chamfering the corner portion of the outer peripheral edge of the glass substrate, the heater heats the corner portion to a temperature higher than the strain point temperature of the glass substrate and lower than the softening temperature.
By heating the corner portion of the outer peripheral edge of the glass substrate to such a temperature, surface flow is generated at the corner portion and chamfering is performed.
For example, when borosilicate glass is used for the glass substrate, a suitable heating temperature is about 650 ° C to 800 ° C.
[0018]
The heater used for the chamfering method of the liquid crystal display device according to the present invention includes an elongated heat conductor and a heat source provided on the heat conductor, and corresponds to a corner of the outer peripheral edge of the glass substrate at the tip of the heat conductor. A groove may be formed.
[0019]
The grooves of the heat conductor are formed in order to melt and chamfer the corners of the glass substrate along the shape of the grooves.
In addition, when the width of the heater is shorter than the length of the outer peripheral edge of the glass substrate, it is necessary to move the heater along the corner while contacting the outer peripheral edge. It also serves as a guide when moving.
For this reason, although the shape of the groove | channel of a heat conductor is not specifically limited, For example, U shape, V shape, etc. can be mentioned.
[0020]
For example, when the shape of the groove of the heat conductor is U-shaped, the cross-section of the outer peripheral edge of the chamfered glass substrate can be arc-shaped or semicircular (hereinafter referred to as R-shape in this specification).
[0021]
A heating wire or a hydrogen gas burner can be used as a heat source of the heater. The hydrogen gas burner can be composed of a hydrogen gas supply nozzle, an oxygen gas supply nozzle, and an exhaust pipe.
Since these heat sources do not pollute the surrounding atmosphere, they are suitable for use in a liquid crystal display device manufacturing factory where contamination must be avoided as much as possible.
[0022]
Moreover, in this invention, when manufacturing a some liquid crystal display panel by dividing a large glass substrate and taking many, a glass substrate can also be chamfered using the said heater immediately after dividing | segmenting.
If it does in this way, it will become possible to prevent that a crack arises from the corner | angular part of the outer periphery edge of a glass substrate at a subsequent process, Therefore The chamfering timing of a glass substrate in the manufacturing process of a liquid crystal display device is the most preferable.
[0023]
The chamfering can be performed at the above timing because the chamfering method according to the present invention does not contaminate the glass substrate during chamfering, unlike the conventional chamfering method using a grindstone. Further, since the glass substrate is not contaminated, a cleaning process after chamfering is not necessary.
[0024]
Furthermore, since the chamfering is performed by heating the heater directly in contact with the corner of the outer peripheral edge of the glass substrate, the display circuit formed on the glass substrate is damaged as in the conventional chamfering method using laser light. I don't give it.
[0025]
【Example】
The present invention will be described in detail below based on embodiments shown in the drawings. The present invention is not limited to the embodiments.
[0026]
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
First, as shown in FIG. 1A, glass substrates 1a and 1b made of borosilicate glass are prepared. In the glass substrates 1a and 1b, d1 is about 550 mm, w1 is about 650 mm, and t is about 1.1 mm.
The glass substrates 1a and 1b are each provided with a display circuit 2 made of ITO and an input electrode 3 made of aluminum on one side.
[0027]
Next, after spacers (not shown) made of silica having a diameter of about 5 μm are sprayed, as shown in FIG. 1B, a thermosetting epoxy resin (see FIG. 1) is formed around the display circuit 2 of the glass substrate 1a. (Not shown) is applied with a width of about 1 mm, aligned with the glass substrate 1b, and then superposed as shown in FIG. 1 (c).
After the overlapping, pressure bonding is performed at a temperature of about 160 ° C. for about 3 hours to complete the bonding of the glass substrates 1a and 1b.
[0028]
Next, as shown in FIG. 1 (d), a scratch having a depth of about 200 μm is made on a predetermined line 5 indicated by a broken line using a cutter 4 made of diamond.
After scratching, a force is applied along the predetermined line 5, and the glass substrates 1 a and 1 b are divided into four along the predetermined line 5.
[0029]
One of the divided glass substrates 1a and 1b is shown in FIG. FIG. 3 is an enlarged view of a portion A of the glass substrates 1a and 1b shown in FIG.
As shown in FIG. 3, cracks 7 are generated at the corners 6 of the outer peripheral edges of the glass substrates 1a and 1b.
[0030]
For this reason, as shown in FIG. 4, the U-shaped groove 14 formed at the tip of the heat conductor 12 of the heater 8 is brought into contact with the corner 6 of the outer edge of the glass substrates 1a and 1b, and the corner of the outer edge. 6 is chamfered by moving along the longitudinal direction.
Specifically, as shown in FIG. 5, a heater moving device 21 is used to move the heater 8 along the corners 6 of the outer peripheral edges of the glass substrates 1a and 1b placed on the stage 22. May be.
The heater moving device 21 includes first, second, and third drive shafts (not shown), and can freely move in the directions indicated by arrows in the drawing, that is, up and down, left and right, and front and rear directions.
The first, second and third drive shafts are driven by a motor (not shown) having a speed control function, and the contact time between the glass substrates 1a, 1b and the heater 8, the moving speed of the heater 8, etc. It can be controlled with high accuracy.
[0031]
At this time, the heater 8 is heating so that the corner | angular part 6 of the outer periphery edge of glass substrate 1a, 1b may be about 650 to 800 degreeC. This is because the borosilicate glass has a strain point temperature of about 600 ° C. and a softening temperature of about 850 ° C.
[0032]
Moreover, the crack 7 shown in FIG. 3 has a depth of about 100 μm to 150 μm in the deep case.
For this reason, as shown in FIG. 4, the corner | angular part 6 of the outer periphery edge of glass substrate 1a, 1b is chamfered by the R shape from which r shown in FIG. 4 becomes about 150 micrometers-about 200 micrometers.
[0033]
Further, as shown in FIG. 4, the corner portion 6 of the outer peripheral edge of the glass substrate 1b located above the input electrode 3 is also chamfered.
The corner portion 6 of the outer peripheral edge of the glass substrate 1b is a portion that is difficult to chamfer by the conventional chamfering method using a grindstone.
[0034]
After chamfering in this way, liquid crystal is injected using a bell jar or the like in the same manner as the conventional manufacturing method to complete the liquid crystal display device.
[0035]
Next, the heater 8 used in the method for manufacturing the liquid crystal display device according to the above-described embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of the heater 8.
As shown in FIG. 6, the heater 8 includes an elongated heat conductor 12 and a heat source 13, and a U-shaped groove 14 is formed at the tip of the elongated heat conductor 12.
The heat conductor 12 and the heat source 13 are accommodated in a main body 15 made of a heat insulator.
The heat conductor 12 is made of ceramic and d2 is about 2 mm. Moreover, the width | variety which contacts the board | substrate 1a or 1b of the heat conductor 12, ie, w2 shown in FIG. 4, is about 10 mm.
In addition, the dimension of w2 in FIG. 4 is not particularly limited, but can be about 3 mm to 50 mm. The heat conductor 12 may be formed of a metal such as copper metal whose surface is electrically insulated.
[0036]
An enlarged view of the tip of the heat conductor 12 is shown in FIG. As shown in FIG. 7, the U-shaped groove 14 formed at the tip of the heat conductor 12 is formed with a dimension of d3 of 400 μm and d4 of 150 μm shown in FIG.
[0037]
On the other hand, the heat source 13 shown in FIG. 6 is a nichrome wire and is wound around the heat conductor 12. The calorific value required for the heater 8 is about 11 J / s.
This value can be obtained as follows.
For example, it is assumed that the corner 6 of the outer peripheral edge is chamfered over 1 cm so that r shown in FIG. 4 is 200 μm (0.02 cm). Further, it is assumed that the material of the glass substrate to be chamfered is borosilicate glass, and there is no thermal loss in the heater 8 and the glass substrates 1a and 1b.
When the thermal conductivity of the borosilicate glass is k = 0.015 J / cm · sec · ° C. and the edge 6 is heated to 800 ° C. to a depth of 0.02 cm, the necessary calorific value C is expressed by the following equation. .
C = (T ₁ −T ₀ ) / (L / kA)
[0038]
Here, T ₁ is the ultimate temperature (800 ° C.), T ₀ is the initial temperature (here, 25 ° C.), L is the depth to which heat is applied (0.02 cm), and k is the thermal conductivity (0. 015), A is the area to which heat is applied (1 cm × 0.02 cm = 0.02 cm ² ).
Therefore, the calorific value C required for the heater is:
C = 775 / (0.02 / 0.0003) = 775 / 66.6 = 11.7
It becomes.
[0039]
That is, when the heater 8 has a calorific value of about 11 J / s, if the heater 8 is moved at a speed of about 1 cm / s along the corner 6 of the outer peripheral edge of the glass substrates 1a and 1b, the glass The corners 6 of the outer peripheral edges of the substrates 1a and 1b can be melted and chamfered.
Moreover, when the material of glass substrate 1a, 1b is changed, based on said formula, it is good to calculate the emitted-heat amount required for the heater 8, and to perform the specification change or adjustment of an output of a heater.
[0040]
An example in which the heat source 13 is a hydrogen gas burner is shown in FIG.
As shown in FIG. 8, the heat source 13 is a hydrogen gas burner including a hydrogen gas supply nozzle 16, an oxygen gas supply nozzle 17, and an exhaust pipe 18.
Other configurations and dimensions of each part are the same as those of the heater shown in FIGS.
[0041]
In the heater 8 used in the manufacturing method of the liquid crystal display device of the present invention, the nichrome wire or the hydrogen gas burner is used as the heat source 13 as described above. It is suitable for use in a liquid crystal display manufacturing factory that must be.
[0042]
【The invention's effect】
According to this invention, the heater is brought into contact with the corner portion of the outer peripheral edge of the glass substrate, and the edge portion is chamfered by melting the corner portion, so that the glass substrate is immediately after cutting the glass substrate without contaminating the glass substrate. Chamfering method for glass substrate of liquid crystal display device which can be chamfered to corners of all outer peripheral edges of liquid crystal display and does not damage display circuit provided on glass substrate, and heater used in the method Can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a process diagram showing a method of manufacturing a liquid crystal display device using a method for chamfering a glass substrate of a liquid crystal display device according to the present invention.
FIG. 2 is a perspective view showing one of the divided glass substrates shown in FIG. 1 (d).
3 is an enlarged view of part A of the glass substrate shown in FIG. 2. FIG.
4 is a perspective view showing the glass substrate shown in FIG. 3 being chamfered using a heater.
FIG. 5 is a perspective view showing a chamfer using a heater moving device.
FIG. 6 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of a heater using a nichrome wire as a heat source.
7 is an enlarged view of a tip portion of the heater shown in FIG. 6. FIG.
FIG. 8 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of a heater using a hydrogen gas burner as a heat source.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1a, 1b ... Glass substrate 3 ... Input electrode 6 ... Corner | angular part 8 of outer periphery edge ... Heater 12 ... Thermal conductor 14 ... U-shaped groove | channel

Claims

液晶をはさんで互いに対向するガラス基板からなる液晶表示装置において、複数の液晶表示装置に対応する複数の表示回路が形成された一対のガラス基板を樹脂を用いて貼り合わせ、各液晶表示装置に対応する領域毎に分断することにより得られた作製途中の液晶表示装置のガラス基板の外周エッジの角部に加熱器を接触させ、前記角部を加熱し溶融させて面取りすることを特徴とする液晶表示装置のガラス基板の面取り方法。In a liquid crystal display device composed of glass substrates facing each other with a liquid crystal sandwiched between them, a pair of glass substrates on which a plurality of display circuits corresponding to the plurality of liquid crystal display devices are formed are bonded using a resin, and each liquid crystal display device is bonded. A heater is brought into contact with a corner portion of the outer peripheral edge of a glass substrate of a liquid crystal display device in the process of being obtained by dividing each corresponding region , and the corner portion is heated and melted to be chamfered. A method for chamfering a glass substrate of a liquid crystal display device.

請求項１に記載の液晶表示装置の面取り方法に用いる加熱器であって、細長い熱伝導体と、熱伝導体に設けられる熱源とを備え、熱伝導体の先端にはガラス基板の外周エッジの角部に対応する溝が形成されていることを特徴とする加熱器。A heater for use in the chamfering method for a liquid crystal display device according to claim 1, comprising: an elongated heat conductor; and a heat source provided on the heat conductor, wherein the tip of the heat conductor has an outer peripheral edge of the glass substrate. A heater having grooves corresponding to corner portions.

熱源が、電熱線である請求項２に記載の加熱器。The heater according to claim 2, wherein the heat source is a heating wire.

熱源が、水素ガスバーナである請求項２に記載の加熱器。The heater according to claim 2, wherein the heat source is a hydrogen gas burner.

水素ガスバーナが、水素ガス供給ノズルと、酸素ガス供給ノズルと、排気管とを備える請求項４に記載の加熱器。The heater according to claim 4, wherein the hydrogen gas burner includes a hydrogen gas supply nozzle, an oxygen gas supply nozzle, and an exhaust pipe.