KR101511133B1 - Device for processing substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 기판 가공 장치는 경사부가 형성되어 있는 본체, 그리고 상기 경사부에 부착되어 있으며, 기판에 열을 가하여 상기 기판의 모서리의 일부를 제거하는 절삭부를 포함한다.The substrate processing apparatus according to the present invention includes a main body having an inclined portion and a cutting portion attached to the inclined portion to remove a part of a corner of the substrate by applying heat to the substrate.

Description

기판 가공 장치{DEVICE FOR PROCESSING SUBSTRATE}[0001] DEVICE FOR PROCESSING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판 가공 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus.

평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 기판을 포함한다. 이러한 기판은 대면적의 모기판에 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극과 같이 표시 장치에서 필요로 하는 부분을 형성하고 스크라이빙(scribing) 공정 등을 거쳐 단위 기판으로 나뉘어 진다. One of the flat panel display devices includes a substrate on which an electric field generating electrode such as a pixel electrode and a common electrode is formed. Such a substrate is divided into a unit substrate through a scribing process and the like on a large-sized mother substrate by forming a portion required for a display device such as a pixel electrode and a common electrode, such as an electric field generating electrode.

이러한 과정 중에서 기판의 표면 마무리를 위하여 모서리를 가공하는 작업이 수행되는데, 이러한 작업을 모따기 또는 면취라고 한다.In this process, the edge is machined to finish the surface of the substrate. Such a work is called a chamfer or a chamfer.

종래 기술에 따르면, 기판의 모서리를 갈아내는 방식으로 모서리 가공을 진행할 수 있었다. 그러나 이러한 방법은 모서리를 갈아내는 과장에서 발생된 입자들이 이후 진행되는 공정에서 불량의 원인이 될 수 있다. 또한 모서리를 갈아내는 과정에서 발생된 입자들이 기판 표면의 오염원이 될 수 있어 발생된 입자를 제거하는 과정이 요구된다. 즉 발생된 입자를 위하여 세정 및 건조 과정이 필요하므로, 공정에 들이는 비용과 노력이 증가한다. 또한 종래 기술은 모서리를 갈아내는 과정에서 모서리를 따라 미세 크랙이 생성되어 기판의 강도가 저하될 수 있다.According to the prior art, edge machining can be carried out in such a manner that the edge of the substrate is ground. However, this method can cause defects in the subsequent process of the particles generated in the exothermic edge changing process. In addition, the particles generated during the edge grinding process may become a contamination source on the substrate surface, and a process of removing generated particles is required. That is, cleaning and drying processes are required for the generated particles, which increases cost and effort for the process. Also, in the prior art, fine cracks may be generated along corners in the course of edge grinding, and the strength of the substrate may be lowered.

또 다른 종래 기술에 따르면, 레이저를 이용하여 비접촉 방식으로 모서리를 가공하거나 또는 전극에서 발생하는 스파크를 이용하여 모서리 가공을 수행할 수 있다. 그러나 이러한 방식에 따르면, 가공된 부분에 미세 크랙이 발생하여 기판의 강도가 저하될 수 있다. 또한 가공 시간이 상대적으로 많이 소요되며, 모서리 가공량에 대한 정확도가 떨어지며 기판의 재질에 따라 기판의 변형 가능성이 있다.According to another conventional technique, a corner can be processed by using a laser in a non-contact manner or by using a spark generated in an electrode. However, according to this method, micro-cracks are generated in the processed portion, and the strength of the substrate may be lowered. In addition, the machining time is relatively long, the accuracy with respect to the corner machining amount is low, and the substrate may be deformed depending on the substrate material.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 분진 발생 없이 빠르게 모서리 가공을 진행하되, 가공량을 제어하여 정확도를 확보할 수 있는 기판 가공 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of quickly performing corner machining without dust generation and controlling the amount of processing to ensure accuracy.

본 발명의 한 실시예에 따른 기판 가공 장치는 경사부가 형성되어 있는 본체, 그리고 상기 경사부에 부착되어 있으며, 기판에 열을 가하여 상기 기판의 모서리의 일부를 제거하는 절삭부를 포함한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a main body having an inclined portion and a cutting portion attached to the inclined portion to remove a portion of a corner of the substrate by applying heat to the substrate.

상기 본체가 부착되어 있는 지지부를 더 포함할 수 있다.And a support portion to which the main body is attached.

상기 절삭부는 상기 본체 또는 상기 지지부로부터 열을 전달받을 수 있다.The cutting portion may receive heat from the main body or the support portion.

상기 절삭부는, 상기 모서리의 일부를 제거하여 상기 기판의 수평면 및 수직면과 접하는 깍인면이 노출되게 할 수 있다.The cutting portion may remove a part of the corner to expose a horizontal surface and a cut surface contacting the vertical surface of the substrate.

상기 절삭부가 상기 본체의 기둥 방향과 이루는 각은 상기 깍인면과 상기 수평면이 이루는 각에 대응될 수 있다.The angle formed by the cutting part with the column direction of the main body may correspond to the angle formed by the cut surface and the horizontal surface.

상기 절삭부는 전기 발열체를 포함할 수 있다.The cutting portion may include an electric heating element.

상기 절삭부의 온도는, 상기 모서리를 제거하고자 하는 가공량, 상기 기판의 재질, 상기 절삭부와 상기 모서리와의 접촉 압력 및 가공 속도 중 적어도 하나에 따라 결정될 수 있다.The temperature of the cutting portion may be determined according to at least one of a machining amount to remove the edge, a material of the substrate, a contact pressure between the cutting portion and the edge, and a machining speed.

상기 절삭부와 상기 모서리와의 접촉 압력은 접촉 압력은, 상기 기판의 재질, 상기 절삭부의 온도, 상기 모서리를 제거하고자 하는 가공량 및 가공 속도 중 적어도 하나에 따라 결정될 수 있다.The contact pressure between the cutting portion and the edge may be determined according to at least one of a material of the substrate, a temperature of the cutting portion, a processing amount of the edge to be removed, and a machining speed.

상기 기판 가공 장치의 가공 속도는 상기 기판의 모서리를 제거하고자 하는 가공량, 상기 기판의 재질 및 상기 절삭부의 온도 중 적어도 하나에 따라 결정될 수 있다.The processing speed of the substrate processing apparatus may be determined according to at least one of a processing amount for which the edge of the substrate is to be removed, a material of the substrate, and a temperature of the cutting section.

상기 가공 속도는 상기 기판의 이동 속도 및 상기 절삭부의 이동 속도 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The processing speed may include at least one of a moving speed of the substrate and a moving speed of the cutting portion.

본 발명에 따르면 열을 이용하여 기판의 모서리를 분진 발생없이 가공할 수 있으며, 기판에 전달되는 열에 대한 조절 가능성을 높여서, 가공 과정을 정확하고 세밀하게 수행할 수 있다.According to the present invention, the edge of the substrate can be processed without generating dust by using heat, and the controllability against heat transmitted to the substrate is enhanced, so that the processing can be performed accurately and precisely.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 기판 가공 장치의 정면도이다.
도 2는 도 1에 도시한 기판 가공 장치를 Ⅱ-Ⅱ 선을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 기판 가공 장치의 동작을 설명하는 도면이다.
도 4는 도 3에 도시한 도면을 Ⅳ-Ⅳ 선을 따라 잘라 도시한 단면도와 본 발명의 한 실시예에 따른 기판 가공 장치를 함께 도시하는 도면이다.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 기판 가공 장치의 동작을 설명하는 다른 도면이다.1 is a front view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 taken along line II-II.
3 is a view for explaining the operation of the substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention.
Fig. 4 is a cross-sectional view cut along the line IV-IV in Fig. 3, and a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
5 is another drawing for explaining the operation of the substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by like reference characters throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서에 기재된 "…부", "…기", "모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.Throughout the specification, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without excluding other elements unless specifically stated otherwise. Also, the terms " part, "" module," and " module ", etc. in the specification mean a unit for processing at least one function or operation and may be implemented by hardware or software or a combination of hardware and software have.

이제 도면을 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 기판 가공 장치를 설명한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will now be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 기판 가공 장치의 정면도이며, 도 2는 도 1에 도시한 기판 가공 장치를 Ⅱ-Ⅱ 선을 따라 자른 단면도이다.FIG. 1 is a front view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II of the substrate processing apparatus shown in FIG.

도 1 및 도 2를 참고하면, 기판 가공 장치(200)는 평판 표시 장치의 표시판(panel)으로 사용되는 기판의 모서리를 가공하는 장치로서, 지지부(210) 및 본체(220)를 포함한다.1 and 2, a substrate processing apparatus 200 is an apparatus for processing a corner of a substrate used as a panel of a flat panel display, and includes a support portion 210 and a main body 220.

지지부(210)는 본체(220)를 부착하고 있으며, 본체(220)를 지지한다. 지지부(210)는 본체(220)에 열을 전달할 수 있으며, 본체(220) 및 본체(220)의 일부의 온도를 일정시간 일정하게 유지하게 한다. 예를 들어 지지부(210)의 양단에 전류가 인가되어 본체(220)의 온도를 조절할 수 있다.The support part 210 attaches the main body 220 and supports the main body 220. The support 210 can transfer heat to the body 220 and maintain the temperature of the body 220 and a portion of the body 220 constant for a certain period of time. For example, current may be applied to both ends of the support portion 210 to control the temperature of the main body 220.

본체(220)는 본체(220)는 봉의 형상일 수 있으며, 기둥 방향과 소정의 각도(θ1)를 가지고 형성되어 있는 경사부(230)를 포함한다.The main body 220 may include a slope 230 formed in a shape of a bar and having a predetermined angle? 1 with respect to the column direction.

경사부(230)에는 절삭부(231)가 세로 방향으로 부착되어 있는데, 절삭부는 기판과 접촉면을 최소화하기 위한 형상으로서 블레이드(blade)나 예각의 타원과 같은 형상일 수 있다. 절삭부(231)는 기판의 모서리와 접촉하여 열을 전달하는 부분으로서 열로서 기판의 모서리를 가공한다. 즉 절삭부(231)는 모서리 일부분을 제거함으로써 모서리를 가공한다.The cut portion 231 is attached to the slope portion 230 in the longitudinal direction. The cut portion may have a shape such as a blade or an acute angle ellipse to minimize the contact surface with the substrate. The cutting portion 231 contacts the edge of the substrate to transmit heat, and processes the edge of the substrate as heat. That is, the cutting portion 231 processes the edge by removing a part of the edge.

본체(220) 및 절삭부(231)는 동일한 재질로 이루어질 수 있으며, 일정한 온도를 유지할 수 있도록 전기 발열체를 포함할 수 있다. 그러나 이와 달리 본체(220) 및 절삭부(231)는 서로 다른 재질로 이루어질 수도 있으며, 이때 절삭부(231)는 기판에 열을 전달할 수 있는 재질로 이루어져 있다. 또한 이때 절삭부(231)는 본체(220)에 부착만 되어 있고 본체(220)의 내부를 통하여 지지부(210)에 연결되어서 지지부(210)로부터 직접 열을 전달 받을 수도 있다.The main body 220 and the cutting portion 231 may be made of the same material and may include an electric heating element to maintain a constant temperature. Alternatively, the main body 220 and the cutting portion 231 may be made of different materials. In this case, the cutting portion 231 is made of a material capable of transmitting heat to the substrate. The cutting portion 231 is only attached to the main body 220 and may be connected to the supporting portion 210 through the inside of the main body 220 to receive heat directly from the supporting portion 210.

절삭부(231)의 온도는 기판의 모서리를 제거하고자 하는 가공량, 기판의 재질, 절삭부(231)와 모서리와의 접촉 압력 및 가공 속도 중 적어도 하나에 따라 결정될 수 있다.The temperature of the cutting portion 231 may be determined according to at least one of an amount of processing to remove the edge of the substrate, a material of the substrate, a contact pressure between the cutting portion 231 and the edge, and a processing speed.

또한 절삭부(231)와 기판의 모서리와의 접촉 압력은 접촉 압력은, 기판의 재질, 절삭부(231)의 온도, 기판의 모서리를 제거하고자 하는 가공량 및 가공 속도 중 적어도 하나에 따라 결정될 수 있다.Further, the contact pressure between the cutting portion 231 and the edge of the substrate can be determined according to at least one of the material of the substrate, the temperature of the cutting portion 231, the processing amount of the substrate to be removed, have.

이제 도 3 내지 도 5를 참고하여, 본 발명의 한 실시예에 따른 기판 가공 장치의 동작에 대하여 상세하게 설명한다.3 to 5, the operation of the substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention will be described in detail.

도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 기판 가공 장치의 동작을 설명하는 도면이며, 도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 기판 가공 장치의 동작을 설명하는 다른 도면이다.Fig. 3 is a view for explaining the operation of the substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention, and Fig. 4 is another drawing for explaining the operation of the substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention.

도 3을 참고하면, 기판(110)은 평판 표시 장치의 표시판으로 사용되며, 적어도 하나의 모서리(11)를 포함한다. 기판(110)은 평판 표시 장치의 종류에 따라 유리, 실리콘 또는 고분자 물질로 이루어질 수 있으며, 재료에 따라 가요성(flexible)을 가질 수 있다. 고분자 물질은 절연성 유기물인 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있다.Referring to FIG. 3, the substrate 110 is used as a display panel of a flat panel display, and includes at least one edge 11. The substrate 110 may be made of glass, silicon, or a polymer material depending on the type of the flat panel display device, and may be flexible depending on the material. Polymeric materials can be classified into insulating organic materials such as polyethersulphone (PES), polyacrylate (PAR), polyetherimide (PEI), polyethyelenenaphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET) polyethlyeneterephthalate, polyphenylene sulfide (PPS), polyallylate, polyimide, polycarbonate (PC), cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate propionate CAP). ≪ / RTI >

기판(110)은 기판 가공 장치(200)와 접촉되며, 기판 가공 장치(200)에서 전달되는 열로 모서리(11)가 가공된다. 이때 기판(110)은 스테이지(120)에 배치되어 가공이 진행될 수 있다. 스테이지(120)의 크기는 기판(110)의 크기와 실질적으로 동일하지만 가공 환경에 따라 더 크거나 작을 수도 있다. 스테이지(120)는 흡착구(도시하지 않음)가 내부에 형성되어 진공을 이용하여 기판(110)을 고정할 수 있다.The substrate 110 is brought into contact with the substrate processing apparatus 200 and the corners 11 are processed by heat transferred from the substrate processing apparatus 200. At this time, the substrate 110 may be disposed on the stage 120 and processed. The size of the stage 120 is substantially the same as the size of the substrate 110, but may be larger or smaller depending on the processing environment. The stage 120 may have a suction port (not shown) formed therein to fix the substrate 110 using vacuum.

기판(110)의 모서리(11)는 기판 가공 장치(200)의 절삭부(231)와의 접촉에 따라 절삭부(231)에서 전달되는 열로 인하여 일부(111)가 벗겨지면서 깍인면(13)이 생성된다. 기판(110)의 깍인면(13)은 수평면(12) 및 수직면(14)과 접한다. 이때 기판의 일부(111)는 스트립 형태로 벗겨질 수 있다.The corners 11 of the substrate 110 are peeled off due to the heat transmitted from the cutting portion 231 due to the contact with the cutting portion 231 of the substrate processing apparatus 200, do. The cut surface 13 of the substrate 110 is in contact with the horizontal surface 12 and the vertical surface 14. At this time, the portion 111 of the substrate may be stripped.

절삭부(231)가 본체(230)의 기둥 방향과 이루는 각도(θ1)는 기판(110)의 수평면(12)과 깍인면(13)이 이루는 각도(θ2)에 대응된다. 즉 절삭부(231)가 부착되는 본체(230)의 형태를 제작할 때, 각도(θ1)는 기판(110)의 모서리(11) 가공에서 원하는 각도(θ2)에 따라 일정 범위 이내에서 결정될 수 있다.The angle? 1 formed by the cutting portion 231 with the columnar direction of the main body 230 corresponds to the angle? 2 formed by the horizontal surface 12 and the cut surface 13 of the substrate 110. The angle? 1 can be determined within a certain range according to a desired angle? 2 in machining the edge 11 of the substrate 110 when the shape of the main body 230 to which the cutting portion 231 is attached is manufactured.

이와 같이 본 발명의 한 실시예에 따르면, 기판 가공 장치(200)의 본체(220) 자체를 기판(110)에 접촉시키는 것이 아니라 본체(220)에 부착된 절삭부(231)를 기판(110)에 접촉시킴으로써 기판(110)에 접촉되는 면적을 최소화할 수 있다. 이로써 기판(110)에 전달되는 열에 대한 조절 가능성을 높일 수 있으며, 가공 과정을 정확하고 세밀하게 수행할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the main body 220 of the substrate processing apparatus 200 itself is not brought into contact with the substrate 110, but the cutting portion 231 attached to the main body 220 is mounted on the substrate 110, The area of contact with the substrate 110 can be minimized. As a result, the controllability against heat transmitted to the substrate 110 can be enhanced, and the machining process can be performed accurately and precisely.

도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 기판 가공 장치의 동작을 설명하는 또 다른 도면이다.Fig. 5 is another diagram illustrating the operation of the substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention.

기판 가공 과정은 기판 가공 장치(200)는 고정된 상태에서 기판(110)이 부착되어 있는 스테이지(120)가 이동하면서 이루어질 수도 있고, 기판(110)은 고정되어 있으면서 기판 가공 장치(200)가 이동하면서 이루어질 수도 있다. 또한 기판(110) 및 기판 가공 장치(200)가 서로 상대적인 속도를 유지하면서 동시에 이동하면서 가공이 이루어질 수도 있다.The substrate processing process may be performed while the substrate processing apparatus 200 is stationary and the stage 120 having the substrate 110 attached thereto is moved while the substrate 110 is fixed and the substrate processing apparatus 200 moves . In addition, the substrate 110 and the substrate processing apparatus 200 may be processed while moving at the same relative speed.

이때 기판 가공 장치(200) 및 기판(110) 각각의 이동 속도에 따라 결정되는 가공 속도는 기판(110)의 모서리(11)를 제거하고자 하는 가공량, 기판(110)의 재질 및 절삭부(231)의 온도 등에 따라 결정될 수 있다.The processing speed determined according to the moving speed of each of the substrate processing apparatus 200 and the substrate 110 is determined by the processing amount to remove the edge 11 of the substrate 110, the material of the substrate 110, And the like.

이러한 과정에서 도 5와 같이 모서리 가공 동작은 기판(110)의 시작점(50)에서부터 시작하여 네 개의 모서리(11)를 모두 가공하고 시작점(50) 근처로 돌아와 종료점(51)에서 마무리 된다. 이때 시작점(50)과 종료점(51)을 정확히 일치시키는 것은 모서리 가공의 품질에 중요한 요소이다. In this process, as shown in FIG. 5, the cornering operation starts from the starting point 50 of the substrate 110, processes all the four edges 11, returns to the vicinity of the starting point 50, and finishes at the end point 51. It is important to precisely match the starting point 50 and the ending point 51 to the quality of edge machining.

본 발명의 한 실시예와 같이 기판 가공 장치(200)의 본체(220)에 부착되어 있는 절삭부(231)을 이용하여 가공을 하는 경우에는, 최소한의 영역을 기판(110)의 모서리(11)에 접촉시킴으로써 가공 과정을 더욱 세밀하게 제어하므로, 시작점(50)과 종료점(51)의 일치에 대한 가능성을 높일 수 있다.A minimum area is formed at the edge 11 of the substrate 110 when the substrate is machined by using the cutting portion 231 attached to the main body 220 of the substrate processing apparatus 200 as in the embodiment of the present invention. So that the possibility of matching the starting point 50 and the ending point 51 can be increased.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It belongs to the scope of right.

Claims (10)

경사부가 형성되어 있는 본체, 그리고
상기 경사부에 부착되어 있으며, 기판에 열을 가하여 상기 기판의 모서리의 일부를 제거하는 절삭부
를 포함하고,
상기 절삭부는,
상기 모서리의 일부를 제거하여 상기 기판의 수평면 및 수직면과 접하는 깍인면이 노출되게 하며,
상기 절삭부가 상기 본체의 기둥 방향과 이루는 각은 상기 깍인면과 상기 수평면이 이루는 각에 대응되는
기판 가공 장치.A body formed with an inclined portion, and
A cutting part attached to the inclined part to remove a part of a corner of the substrate by applying heat to the substrate,
Lt; / RTI >
The cutting portion
A portion of the corner is removed to expose a cut surface contacting the horizontal surface and the vertical surface of the substrate,
Wherein an angle formed by the cutting part with the column direction of the main body corresponds to an angle formed by the cut surface and the horizontal surface
Substrate processing apparatus. 제1항에서,
상기 본체가 부착되어 있는 지지부
를 더 포함하는 기판 가공 장치.The method of claim 1,
The supporting body
Further comprising: 제2항에서,
상기 절삭부는 상기 본체 또는 상기 지지부로부터 열을 전달받는 기판 가공 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the cutting portion receives heat from the main body or the support portion. 삭제delete 삭제delete 제1항에서,
상기 절삭부는 전기 발열체를 포함하는 기판 가공 장치.The method of claim 1,
Wherein the cutting portion includes an electric heating element. 제1항에서,
상기 절삭부의 온도는,
상기 모서리를 제거하고자 하는 가공량, 상기 기판의 재질, 상기 절삭부와 상기 모서리와의 접촉 압력 및 가공 속도 중 적어도 하나에 따라 결정되는
기판 가공 장치.The method of claim 1,
The temperature of the cutting portion is,
The machining amount to be removed from the edge, the material of the substrate, the contact pressure between the cutting portion and the edge, and the machining speed
Substrate processing apparatus. 제1항에서,
상기 절삭부와 상기 모서리와의 접촉 압력은,
상기 기판의 재질, 상기 절삭부의 온도, 상기 모서리를 제거하고자 하는 가공량 및 가공 속도 중 적어도 하나에 따라 결정되는
기판 가공 장치.The method of claim 1,
The contact pressure between the cutting portion and the edge may be,
Is determined according to at least one of a material of the substrate, a temperature of the cutting portion, a processing amount of the edge to be removed and a machining speed
Substrate processing apparatus. 제1항에서,
상기 기판 가공 장치의 가공 속도는 상기 기판의 모서리를 제거하고자 하는 가공량, 상기 기판의 재질 및 상기 절삭부의 온도 중 적어도 하나에 따라 결정되는
기판 가공 장치.The method of claim 1,
Wherein the processing speed of the substrate processing apparatus is determined according to at least one of a processing amount for which the edge of the substrate is to be removed, a material of the substrate, and a temperature of the cutting portion
Substrate processing apparatus. 제9항에서,
상기 가공 속도는 상기 기판의 이동 속도 및 상기 절삭부의 이동 속도 중 적어도 하나를 포함하는 기판 가공 장치.The method of claim 9,
Wherein the machining speed includes at least one of a moving speed of the substrate and a moving speed of the cutting portion.
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