JP2003273305A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
- Publication number
- JP2003273305A JP2003273305A JP2002066992A JP2002066992A JP2003273305A JP 2003273305 A JP2003273305 A JP 2003273305A JP 2002066992 A JP2002066992 A JP 2002066992A JP 2002066992 A JP2002066992 A JP 2002066992A JP 2003273305 A JP2003273305 A JP 2003273305A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- plating layer
- lead frame
- layer
- multilayer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
含まないめっき皮膜が形成されたリードフレームを提供
する。 【解決手段】銅またはＡ４２材からなる基材の表面に、
下地めっきとしてニッケルめっき層を形成する。そし
て、該ニッケルめっき層の表面に、Ａｇの割合が異なる
複数のＡｕ−Ａｇめっき層を、基材側から表面側にかけ
てＡｇの割合が増加するように積層し、多層Ａｕ−Ａｇ
めっき層を形成する。
Description
関し、特に、鉛を含まないめっきが施されたリードフレ
ームに関する。 【０００２】 【従来の技術】リードフレームには、通常、ワイヤボン
ディング性や半導体チップの接合性を向上させるため、
金、銀、ニッケル、パラジウムなどの金属めっきがアイ
ランドやインナーリードなどに部分的に施されている。 【０００３】そして、半導体チップをアイランド上に搭
載し、樹脂封止が施されたリードフレームには、さらに
外装半田めっきが施される。 【０００４】ところで、近年、環境保護の立場から多く
の化学物質の規制が強化されている。 【０００５】外装鉛半田めっきを施したリードフレーム
は、半田めっきを施す時に使用された鉛の処理問題や、
鉛が回収されることなく廃棄された製品から環境への流
出問題など、様々な課題を有している。 【０００６】また、ＩＣ組立工程での工程簡素化の流れ
で、外装半田めっきが必要ない、ＰＰＦ（ Pre Plated
Lead-Frame ）が注目されている。 【０００７】外装半田めっきを必要とせず、かつ鉛フリ
ーの半導体装置用ＰＰＦとしてのリードフレームには、
ワイヤボンディング性、半田濡れ性、耐食性、及び封止
樹脂との密着性等の機能が同時に要求されている。 【０００８】また、商品として製造コスト及び環境影響
をも考えなければならない。 【０００９】 【発明が解決しようとする課題】しかし、現在実用化さ
れているＰＰＦでこのような諸条件を満足することは非
常に困難である。 【００１０】例えば、Ｎｉ／Ｐｄの２層またはＮｉ／Ｐ
ｄ／Ａｕの３層めっきのＰＰＦは、高周波特性が悪いな
どの欠点があり、また、耐食性に難点があるためＡ４２
材には使用できない。 【００１１】また、Ｐｄの価格変動が大きいため、コス
ト面でも不安定である。 【００１２】そして、スポットＡｇめっきとスポット鉛
フリーの半田めっきの２色めっきのＰＰＦは、ワイヤボ
ンディング温度が制限されている。 【００１３】そこで本発明では、優れた特性を有しかつ
鉛を含まないめっき皮膜が形成されたリードフレームを
提供することを目的とする。 【００１４】 【課題を解決するための手段】本発明に係るリードフレ
ームは、表面にＡｕ−Ａｇめっきが形成されたリードフ
レームにおいて、Ａｕ−Ａｇめっきは、Ａｇの割合が異
なる複数のＡｕ−Ａｇめっき層が積層された多層Ａｕ−
Ａｇめっき層からなり、多層Ａｕ−Ａｇめっき層は、基
材側から最表面にかけてＡｇの割合が増加する傾斜組成
構造を有する。 【００１５】また、Ａｕ−Ａｇめっきは、銅からなる基
材表面に施されたニッケルめっき層上に形成されてい
る。 【００１６】また、Ａｕ−Ａｇめっきは、Ａ４２材から
なる基材表面に施されたニッケルめっき層上に形成され
ている。 【００１７】 【発明の実施の形態】図１は、本発明に係るリードフレ
ームの構成を示す断面図である。 【００１８】図１において、本発明に係るリードフレー
ム１０には、基材である銅材１の表面に下地めっきであ
るニケッルめっき層２が形成され、さらにニッケルめっ
き層２の表面に複数のＡｕ−Ａｇめっき層３、４、５が
積層された多層めっき層６を形成している。 【００１９】ここで、多層Ａｕ−Ａｇめっき層６を形成
する各Ａｕ−Ａｇめっき層の組成は異なり、図２に示す
ように、下地めっきであるニッケルめっき側から外表面
側にかけて各Ａｕ−Ａｇめっき層中のＡｇの割合が徐々
に高くなるように構成され、総合的には深さ方向の合金
組成が傾斜構造となる。 【００２０】なお、下地めっき表面に形成されたＡｕ−
Ａｇめっき層と外表面のＡｕ−Ａｇめっき層との組成の
傾斜量は、９０ｗｔ％Ａｇ以下とし、また、各Ａｕ−Ａ
ｇめっき層の平均組成は、２０〜７０ｗｔ％Ａｇとす
る。 【００２１】また、各めっき層の厚みは、完全な層を得
るため０.００１μｍ以上の厚みであることが好まし
く、また、多層化したＡｕ−Ａｇめっき層の厚みは合計
して０.２μｍ以下であることが好ましい。 【００２２】以下、図３を用いて、本発明に係るリード
フレームの製造方法について説明する。 【００２３】まず、図３（ａ）に示すように、リードフ
レームの基材である銅材１の表面に下地めっきであるニ
ッケルめっき層２を形成し、図３（ｂ）に示すように、
下地めっき層２の表面に第１のＡｕ−Ａｇめっき層３を
形成する。 【００２４】そして、図３（ｃ）に示すように、第１の
Ａｕ−Ａｇめっき層３よりもＡｇの割合が高い第２のＡ
ｕ−Ａｇめっき層４を第１のＡｕ−Ａｇめっき層３の表
面に形成し、さらに、図３（ｄ）に示すように、第２の
Ａｕ−Ａｇめっき層４よりもＡｇの割合が高い第３のＡ
ｕ−Ａｇめっき層５を第２のＡｕ−Ａｇめっき層４の表
面に形成して、多層Ａｕ−Ａｇめっき層６を形成する。 【００２５】ここで、基材や下地めっき表面にめっきを
施す方法としては、めっき用整流器の電流波形や電圧波
形の制御する方法や２セル以上の多セルで分段めっきす
る方法、またこれらの方法を同時に用いた方法や、他の
ドライプレーティング法（真空蒸着法など）など、既知
のめっき方法を適宜用いることができる。 【００２６】また、リードフレームの基材は銅に限られ
るものではなく、Ａ４２材など、他の材料を用いること
もできる。 【００２７】そして、多層Ａｕ−Ａｇめっき層を構成す
るＡｕ−Ａｇめっき層は、３層に限られるものではな
く、必要に応じてＡｇの割合が異なる少なくとも２層以
上のＡｕ−Ａｇ合金めっき膜を用いて形成することがで
きる。 【００２８】以下、実施例を用いてさらに詳細に説明す
る。 【００２９】 【実施例１】本実施例では、多段セル（２段）めっき法
を用い、次の工程に従って多層Ａｕ−Ａｇめっき層を形
成した。 【００３０】１）まず、ＡｕイオンとＡｇイオンとの濃
度比が異なる２種類のＡｕ−Ａｇ合金めっき溶液を２つ
のめっきセルに用意する。 ２）次に、板厚０.１２５ｍｍのリードフレーム用銅材
を脱脂・酸洗した後、厚さが１μｍのニッケルめっき層
を下地めっきとして表面に形成する。 ３）そして、まず、Ａｇ濃度が低いＡｕ−Ａｇ合金めっ
き溶液から順番に下地めっきが施されたリードフレーム
用銅材を浸漬させ、同じ電流密度でＡｕ−Ａｇめっき層
を形成し、多層Ａｕ−Ａｇめっき層を形成する。 【００３１】上記工程を用いることにより、平均組成２
５.４ｗｔ％Ａｇ、組成の傾斜量２８.９ｗｔ％、２層構
造の多層Ａｕ−Ａｇめっき層を持つリードフレームが得
られた。 【００３２】 【実施例２】本実施例では、めっき用整流器の電流波形
を制御し、次の工程に従って多層Ａｕ−Ａｇめっき層を
形成した。 【００３３】１）まず、一定濃度比のＡｕイオン及びＡ
ｇイオンを含有し、低い電流密度でＡｕの割合が高いＡ
ｕ−Ａｇ合金膜が形成されるＡｕ−Ａｇめっき溶液を用
意する。 ２）次に、板厚０.１２５ｍｍリードフレーム用銅材を
脱脂・酸洗した後、厚さが１μｍのニッケルめっき層を
下地めっきとして表面に形成する。 ３）そして、下地めっきが施されたリードフレームを先
ほど用意したＡｕ−Ａｇめっき溶液に浸漬し、図４に示
すように、通電時間（ＯＮ）０.５秒間、休み時間（Ｏ
ＦＦ）２秒間、最初の通電時の電流密度（Ｉｐ）が０.
１Ａ／ｄｍ２で、以後２０％ずつ上昇する電流波形によ
り多層Ａｕ−Ａｇめっき層を形成する。 【００３４】上記工程を用いることにより、平均組成２
５.４ｗｔ％Ａｇ、組成の傾斜量２８.９ｗｔ％、１３層
構造の多層Ａｕ−Ａｇめっき層を持つリードフレームが
得られた。 【００３５】 【実施例３】本実施例では、多段セル（４段）分段めっ
き法を用い、次の工程に従って多層Ａｕ−Ａｇめっき層
を形成した。 【００３６】１）まず、ＡｕイオンとＡｇイオンとの濃
度比が異なる４種類のＡｕ−Ａｇ合金めっき溶液を４つ
のめっきセルに用意する。 ２）次に、板厚０.１２５ｍｍのリードフレーム用銅材
を脱脂・酸洗した後、厚さが１μｍのニッケルめっき層
を下地めっきとして表面に形成する。 ３）そして、Ａｇ濃度が最も低いＡｕ−Ａｇ合金めっき
溶液から順番にＡｇ濃度が高いＡｕ−Ａｇ合金めっき溶
液に下地めっきが施されたリードフレーム用銅材を浸漬
させ、同じ電流密度を用いてＡｕ−Ａｇめっき層を形成
する。 【００３７】上記工程を用いることにより、平均組成４
９.０ｗｔ％Ａｇ、組成の傾斜量６３.７ｗｔ％、４層構
造の多層Ａｕ−Ａｇめっき層を持つリードフレームが得
られた。 【００３８】 【実施例４】本実施例では、多段セル（２段）分段めっ
き法を用い、次の工程に従って多層Ａｕ−Ａｇめっき層
を形成した。 【００３９】１）まず、ＡｕイオンとＡｇイオンとの濃
度比が異なる２種類のＡｕ−Ａｇ合金めっき溶液を２つ
のめっきセルに用意する。 ２）次に、板厚０.１２５ｍｍのリードフレーム用銅材
を脱脂・酸洗した後、厚さが１μｍのニッケルめっき層
を下地めっきとして表面に形成する。 ３）そして、Ａｇ濃度が低いＡｕ−Ａｇ合金めっき溶液
に下地めっきが施されたリードフレーム用銅材を浸漬さ
せ、直流整流器を用いてＡｕ−Ａｇめっき層を形成す
る。 ４）その後、Ａｇ濃度が高いＡｕ−Ａｇめっき溶液に浸
漬し、実施例２と同様に、図４に示すように、通電時間
（ＯＮ）０.５秒間、休み時間（ＯＦＦ）２秒間、最初
の通電時の電流密度（Ｉｐ）が０.１Ａ／ｄｍ２で、以
後２０％ずつ上昇する電流波形により多層Ａｕ−Ａｇめ
っき層を形成する。 【００４０】上記工程を用いることにより、平均組成６
９.３ｗｔ％Ａｇ、組成の傾斜量８７.４ｗｔ％、１４層
構造の多層Ａｕ−Ａｇめっき層を持つリードフレームが
得られた。 【００４１】 【実施例５】本実施例では、多段セル（４段）分段めっ
き法を用い、次の工程に従って多層Ａｕ−Ａｇめっき層
を形成した。 【００４２】１）まず、ＡｕイオンとＡｇイオンとの濃
度比が異なる４種類のＡｕ−Ａｇ合金めっき溶液を４つ
のめっきセルに用意する。 ２）次に、板厚０.１２５ｍｍのリードフレーム用Ａ４
２材を脱脂・酸洗した後、厚さが１μｍのニッケルめっ
き層を下地めっきとして表面に形成する。 ３）そして、実施例３と同様に、Ａｇ濃度が最も低いＡ
ｕ−Ａｇ合金めっき溶液から順番にＡｇ濃度が高いＡｕ
−Ａｇ合金めっき溶液に下地めっきが施されたリードフ
レーム用Ａ４２材を浸漬させ、同じ電流密度を用いてＡ
ｕ−Ａｇめっき層を形成する。 【００４３】上記工程を用いることにより、Ａ４２材上
に、実施例３と同様に、平均組成４９.０ｗｔ％Ａｇ、
組成の傾斜量６３.７ｗｔ％、４層構造の多層Ａｕ−Ａ
ｇめっき層を持つリードフレームが得られた。 【００４４】 【比較例１】本比較例では、直流電源を用いてＡｕ−Ａ
ｇめっき層を形成した。 【００４５】１）まず、Ａｕ−Ａｇ合金めっき溶液を１
つのめっきセルに用意する。 ２）次に、板厚０.１２５ｍｍのリードフレーム用銅材
を脱脂・酸洗した後、厚さが１μｍのニッケルめっき層
を下地めっきとして表面に形成する。 ３）そして、Ａｕ−Ａｇ合金めっき溶液に下地めっきが
施されたリードフレーム用銅材を浸漬させ、Ａｕ−Ａｇ
めっき層を形成する。 【００４６】上記工程を用いることにより、組成２７.
６ｗｔ％Ａｇの単層のＡｕ−Ａｇめっき膜を持つリード
フレームが得られた。 【００４７】 【比較例２】本比較例では、定電流パルス電源を用いて
Ａｕ−Ａｇめっき層を形成した。 【００４８】１）まず、Ａｕ−Ａｇ合金めっき溶液を１
つのめっきセルに用意する。 ２）次に、板厚０.１２５ｍｍのリードフレーム用銅材
を脱脂・酸洗した後、厚さが１μｍのニッケルめっき層
を下地めっきとして表面に形成する。 ３）そして、Ａｕ−Ａｇ合金めっき溶液に下地めっきが
施されたリードフレーム用銅材を浸漬させ、Ａｕ−Ａｇ
めっき層を形成する。 【００４９】上記工程を用いることにより、組成２５.
１ｗｔ％Ａｇの単層のＡｕ−Ａｇ合金膜を持つリードフ
レームが得られた。 【００５０】ここで、実施例１乃至５及び比較例１及び
２で形成されたリードフレームに対して、次の方法で耐
食性テスト及び半田濡れ性テストを行った。 【００５１】耐食性テスト：５％ＮａＣｌ溶液を３５℃
の環境で２４時間噴霧する塩水噴霧加速テストを行い、
錆の発生を観察する。半田濡れ性テスト：３３０℃で３
０分間加熱後、Ｓｎ−３７Ｐｂを２３０℃で５秒間接触
させ、半田の濡れを観測した。 【００５２】耐食性テスト及び半田濡れ性テストの結果
を表１に示す。 【００５３】 【表１】 【００５４】ここで、濡れ率は、９５％を超えると○
で、耐食性は、錆が観察されない場合は、○で示してい
る。 【００５５】表１に示すように、実施例１乃至５では、
比較例１及び２に比べて薄い膜厚（０.１μｍ未満）で
半田濡れ性及び耐食性に優れた特性を得ている。 【００５６】このように、本発明に係るリードフレーム
は、耐食性及び半田濡れ性に優れたリードフレームを薄
く形成することが可能となる。 【００５７】また、外装半田めっきなど鉛を用いる必要
がないため、環境にやさしく、廃液処理などのコストを
押さえることができる。 【００５８】さらに、単層のＡｕ−Ａｇめっき層を形成
する場合に比べて低コストで優れた特性を得ることがで
きる。 【００５９】また、Ａｕ−Ａｇめっきを用いるため、パ
ラジウムめっきなどを用いた場合と比べて、高周波特性
に優れたリードフレームを形成することができる。 【００６０】加えて、Ｎｉ／Ｐｄの２層またはＮｉ／Ｐ
ｄ／Ａｕの３層めっきでは、耐食性に難点があるため基
材として持ちいることができなかったＡ４２材を基材と
して用いることができる。 【００６１】 【発明の効果】本発明では、優れた特性を有するめっき
皮膜が鉛を用いることなく薄く形成されたリードフレー
ムを得ることができる。
図 【図２】本発明に係るリードフレームの製造方法を示す
断面図 【図３】多層Ａｕ−Ａｇめっき層のＡｇ含有量の変化を
示す概念図 【図４】実施例２における電流波形の制御を示す概略図 【符号の説明】 １…銅材 ２…ニッケルめっき層 ３…第１のＡｕ−Ａｇめっき層 ４…第２のＡｕ−Ａｇめっき層 ５…第３のＡｕ−Ａｇめっき層 ６…多層Ａｕ−Ａｇめっき層 １０…リードフレーム
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 表面にＡｕ−Ａｇめっきが形成されたリ
ードフレームにおいて、 前記Ａｕ−Ａｇめっきは、Ａｇの割合が異なる複数のＡ
ｕ−Ａｇめっき層が積層された多層Ａｕ−Ａｇめっき層
からなり、 前記多層Ａｕ−Ａｇめっき層は、基材側から最表面にか
けてＡｇの割合が増加することを特徴とするリードフレ
ーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002066992A JP3707548B2 (ja) | 2002-03-12 | 2002-03-12 | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002066992A JP3707548B2 (ja) | 2002-03-12 | 2002-03-12 | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003273305A true JP2003273305A (ja) | 2003-09-26 |
| JP3707548B2 JP3707548B2 (ja) | 2005-10-19 |
Family
ID=29198538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002066992A Expired - Fee Related JP3707548B2 (ja) | 2002-03-12 | 2002-03-12 | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3707548B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004049415A1 (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | 半導体用合金材料、該合金材料を用いた半導体チップ及びその製造方法 |
-
2002
- 2002-03-12 JP JP2002066992A patent/JP3707548B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004049415A1 (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | 半導体用合金材料、該合金材料を用いた半導体チップ及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3707548B2 (ja) | 2005-10-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0183645B1 (ko) | 다층 구조의 도금층을 구비한 반도체 리드 프레임 | |
| KR900000865B1 (ko) | 구리-크롬-폴리이미드 복합체 및 그의 제조방법 | |
| US20140011046A1 (en) | Housing having coating | |
| JP4406420B2 (ja) | 薄膜キャパシタが内蔵された印刷回路基板及びその製造方法 | |
| JP2006040938A (ja) | 固体電解コンデンサ、それを用いた積層コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2001130986A (ja) | 銅メッキセラミックス基板、及びそれを用いたペルチィエ素子、並びに銅メッキセラミックス基板の製造方法 | |
| US9870930B2 (en) | Method for producing substrate for mounting semiconductor element | |
| JP2009293119A (ja) | メッキ層の形成方法 | |
| WO2019011456A1 (de) | Optoelektronische vorrichtung mit auf einer rahmen-tragstruktur oberflächenmontiertem bauelement sowie reflektierendes verbundmaterial für eine derartige vorrichtung | |
| JP3918424B2 (ja) | 熱電変換モジュールの製造方法 | |
| JP2003273305A (ja) | リードフレーム | |
| JP2000077593A (ja) | 半導体用リードフレーム | |
| JP6134485B2 (ja) | 液晶ポリマーと接合させるための表面を有する金属材料、金属−液晶ポリマー複合体及びその製造方法、並びに、電子部品 | |
| JP3276765B2 (ja) | チップ固定抵抗器の電極端子形成方法 | |
| JP2000174191A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2001111126A (ja) | 圧電素子 | |
| KR100833934B1 (ko) | 다층도금 리드프레임 및 이 리드프레임의 제조방법 | |
| JP2000303186A (ja) | 無電解めっき方法、電極構造体、及びそれに用いる導電ペースト | |
| JPH08293654A (ja) | セラミックへの金属被膜形成方法及び金属被覆セラミック構造体 | |
| JP2811752B2 (ja) | 銀めっき液及び銀めっき方法 | |
| JPS61169166A (ja) | スパツタリング用クロムタ−ゲツトの製造方法 | |
| JPH11300471A (ja) | はんだコーティング材およびはんだコーティング材の製造方法 | |
| WO2008072845A1 (en) | Heat sink and method of manufacturing the same | |
| KR20170108892A (ko) | 저온 접합용 박막소재 | |
| JPS6138187Y2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040514 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050126 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050208 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050401 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050426 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050531 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050628 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050726 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080812 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090812 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090812 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100812 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110812 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110812 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120812 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120812 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130812 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |