JP3705995B2 - 勾配コイル製造方法および勾配コイル並びに磁気共鳴撮影装置 - Google Patents

勾配コイル製造方法および勾配コイル並びに磁気共鳴撮影装置 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、勾配コイル(coil)製造方法および勾配コイル並びに磁気共鳴撮影装置に関し、特に、静磁場マグネット(magnet)の磁極面に設けられる勾配コイルおよびその製造方法、並びに、そのような勾配コイルを有する磁気共鳴撮影装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
磁気共鳴撮影(MRI:Magnetic Resonance Imaging)装置では、マグネットシステム(magnet system)の内部空間すなわち静磁場を形成した空間に撮影する対象を搬入し、勾配磁場および高周波磁場を印加して対象内に磁気共鳴信号を発生させ、その受信信号に基づいて断層像を生成(再構成)する。
【0003】
静磁場を発生するのに永久磁石を用いるマグネットシステムでは、互いに対向する1対の永久磁石の先端に静磁場空間の磁束分布を均一化するための磁極片をそれぞれ設け、勾配磁場発生用の勾配コイルはこの磁極片の磁極面に設けられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記のようなマグネットシステムでは、勾配コイルが磁極片に近接しているので勾配磁場により磁極片が磁化され、その残留磁化が形成する残留勾配磁場により、スピン(spin)の位相が、あたかも時定数が極めて長い渦電流が存在するかのような影響を受ける。このため、精密な位相制御が要求される例えばファースト・スピンエコー(FSE:Fast Spin Echo)法等による撮影に支障を生じる。
【0005】
そこで、本発明の課題は、磁極片に対する磁化力が小さい勾配コイルおよびその製造方法、並びに、そのような勾配コイルを有する磁気共鳴撮影装置を実現することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
(1)上記の課題を解決するための1つの観点での発明は、底板部と前記底板部の板面に垂直な方向に突出した周縁部を有し前記突出した周縁部が空間を隔てて互いに対向する1対の磁極片の前記周縁部の内側の前記底板部の面に沿ってそれぞれ設けられ、同心円状の複数の経路を流れる電流により前記空間に勾配磁場を生じる1対の勾配コイルを製造するにあたり、予め定めた許容範囲内の磁場誤差を持つ勾配磁場を発生する範囲内で前記勾配コイルの経路の最大半径を最小値とする、ことを特徴とする勾配コイル製造方法である。
【0007】
この観点での発明では、勾配コイルの経路の最大半径を、予め定めた許容範囲内の磁場誤差を持つ勾配磁場が発生可能な最小値とするので、最外側の経路と磁極片の突出した周縁部との間の距離が開く。このため、突出した周縁部に対する磁化力が小さく残留磁化が小さい。
【0008】
(2)上記の課題を解決するための他の観点での発明は、前記複数の経路の半径を下記の手順で決めることを特徴とする(1)に記載の勾配コイル製造方法である。
【0009】

(イ)撮影領域内に想定した最大球面上に測定点Pi(i=1〜N)を設定する。
【0010】
(ロ)前記勾配コイルが発生すべき前記測定点における磁界Bit(i=1〜N)を計算する。
(ハ)磁界に対する誤差の許容値αtを設定する。
【0011】
(ニ)前記勾配コイルの経路の最大半径の許容値r0を、制限値r00を超えない範囲で設定する。
(ホ)前記複数の経路の半径をr1,r2,・・・,rMとし、
【0012】
【数16】
Figure 0003705995
【0013】
の制約条件の下で、
【0014】
【数17】
Figure 0003705995
【0015】
をパラメータとして、
【0016】
【数18】
Figure 0003705995
【0017】
となるように、2次計画法を用いてrj(j=1〜M)の最適値を求める。なお、
【0018】
【数19】
Figure 0003705995
【0019】
はビオ・サバールの法則を用いて計算する。
(ヘ)測定点Piにおける磁界の誤差を次式によって計算する。
【0020】
【数20】
Figure 0003705995
【0021】
(ト)αi≦αtを満足するときはrjを確定する。
(チ)αi≦αtを満足しないときは、許容値r0を制限値r00を超えない範囲で増加させ、(ホ)以降の手順を繰り返す。
【0022】
この観点での発明では、勾配コイルの経路の最大半径を、予め定めた許容範囲内の磁場誤差を持つ勾配磁場が発生可能な最小値とするので、最外側の経路と磁極片の突出した周縁部との間の距離が開く。このため、突出した周縁部に対する磁化力が小さく残留磁化が小さい。
【0023】
(3)上記の課題を解決するための他の観点での発明は、底板部と前記底板部の板面に垂直な方向に突出した周縁部を有し前記突出した周縁部が空間を隔てて互いに対向する1対の磁極片の前記周縁部の内側の前記底板部の面に沿ってそれぞれ設けられ、同心円状の複数の経路を流れる電流により前記空間に勾配磁場を生じる1対の勾配コイルであって、予め定めた許容範囲内の磁場誤差を持つ勾配磁場を発生する範囲内で前記勾配コイルの経路の最大半径を最小値とした、ことを特徴とする勾配コイルである。
【0024】
この観点での発明では、勾配コイルの経路の最大半径を、予め定めた許容範囲内の磁場誤差を持つ勾配磁場が発生可能な最小値とするので、最外側の経路と磁極片の突出した周縁部との間の距離が開く。このため、突出した周縁部に対する磁化力が小さく残留磁化が小さい。
【0025】
(4)上記の課題を解決するための他の観点での発明は、前記複数の経路は下記の手順で決めた半径を有することを特徴とする(3)に記載の勾配コイルである。
【0026】

(イ)撮影領域内に想定した最大球面上に測定点Pi(i=1〜N)を設定する。
【0027】
(ロ)前記勾配コイルが発生すべき前記測定点における磁界Bit(i=1〜N)を計算する。
(ハ)磁界に対する誤差の許容値αtを設定する。
【0028】
(ニ)前記勾配コイルの経路の最大半径の許容値r0を、制限値r00を超えない範囲で設定する。
(ホ)前記複数の経路の半径をr1,r2,・・・,rMとし、
【0029】
【数21】
Figure 0003705995
【0030】
の制約条件の下で、
【0031】
【数22】
Figure 0003705995
【0032】
をパラメータとして、
【0033】
【数23】
Figure 0003705995
【0034】
となるように、2次計画法を用いてrj(j=1〜M)の最適値を求める。なお、
【0035】
【数24】
Figure 0003705995
【0036】
はビオ・サバールの法則を用いて計算する。
(ヘ)測定点Piにおける磁界の誤差を次式によって計算する。
【0037】
【数25】
Figure 0003705995
【0038】
(ト)αi≦αtを満足するときはrjを確定する。
(チ)αi≦αtを満足しないときは、許容値r0を制限値r00を超えない範囲で増加させ、(ホ)以降の手順を繰り返す。
【0039】
この観点での発明では、勾配コイルの経路の最大半径を、予め定めた許容範囲内の磁場誤差を持つ勾配磁場が発生可能な最小値とするので、最外側の経路と磁極片の突出した周縁部との間の距離が開く。このため、突出した周縁部に対する磁化力が小さく残留磁化が小さい。
【0040】
(5)上記の課題を解決するための他の観点での発明は、静磁場、勾配磁場および高周波磁場を用いて獲得した磁気共鳴信号に基づいて画像を構成する磁気共鳴撮影装置であって、前記勾配磁場を発生する勾配コイルとして、底板部と前記底板部の板面に垂直な方向に突出した周縁部を有し前記突出した周縁部が空間を隔てて互いに対向する1対の磁極片の前記周縁部の内側の前記底板部の面に沿ってそれぞれ設けられ、同心円状の複数の経路を流れる電流により前記空間に勾配磁場を生じる1対の勾配コイルであって、予め定めた許容範囲内の磁場誤差を持つ勾配磁場を発生する範囲内で前記経路の最大半径を最小値とした勾配コイル、を具備することを特徴とする磁気共鳴撮影装置である。
【0041】
この観点での発明では、勾配コイルの経路の最大半径を、予め定めた許容範囲内の磁場誤差を持つ勾配磁場が発生可能な最小値とするので、最外側の経路と磁極片の突出した周縁部との間の距離が開く。このため、突出した周縁部に対する磁化力が小さく残留磁化が小さい。これによって、残留磁化の影響が小さい撮影を行うことができる。
【0042】
(6)上記の課題を解決するための他の観点での発明は、前記複数の経路は下記の手順で決めた半径を有することを特徴とする(5)に記載の磁気共鳴撮影装置である。
【0043】

(イ)撮影領域内に想定した最大球面上に測定点Pi(i=1〜N)を設定する。
【0044】
(ロ)前記勾配コイルが発生すべき前記測定点における磁界Bit(i=1〜N)を計算する。
(ハ)磁界に対する誤差の許容値αtを設定する。
【0045】
(ニ)前記勾配コイルの経路の最大半径の許容値r0を、制限値r00を超えない範囲で設定する。
(ホ)前記複数の経路の半径をr1,r2,・・・,rMとし、
【0046】
【数26】
Figure 0003705995
【0047】
の制約条件の下で、
【0048】
【数27】
Figure 0003705995
【0049】
をパラメータとして、
【0050】
【数28】
Figure 0003705995
【0051】
となるように、2次計画法を用いてrj(j=1〜M)の最適値を求める。なお、
【0052】
【数29】
Figure 0003705995
【0053】
はビオ・サバールの法則を用いて計算する。
(ヘ)測定点Piにおける磁界誤差を次式によって計算する。
【0054】
【数30】
Figure 0003705995
【0055】
(ト)αi≦αtを満足するときはrjを確定する。
(チ)αi≦αtを満足しないときは、許容値r0を制限値r00を超えない範囲で増加させ、(ホ)以降の手順を繰り返す。
【0056】
この観点での発明では、勾配コイルの経路の最大半径を、予め定めた許容範囲内の磁場誤差を持つ勾配磁場が発生可能な最小値とするので、最外側の経路と磁極片の突出した周縁部との間の距離が開く。このため、突出した周縁部に対する磁化力が小さく残留磁化が小さい。これによって、残留磁化の影響が小さい撮影を行うことができる。
【0057】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、本発明は実施の形態に限定されるものではない。図1に磁気共鳴撮影装置のブロック(block)図を示す。本装置は本発明の実施の形態の一例である。本装置の構成によって、本発明の装置に関する実施の形態の一例が示される。
【0058】
図1に示すように、本装置はマグネットシステム100を有する。マグネットシステム100は、主磁場マグネット部102、勾配コイル部106およびRF(radio frequency)コイル部108を有する。これら主磁場マグネット部102および各コイル部は、いずれも空間を挟んで互いに対向する1対のものからなる。また、いずれも概ね円板状の形状を有し中心軸を共有して配置されている。マグネットシステム100の内部空間(ボア:bore)に、対象300がクレードル(cradle)500に搭載されて図示しない搬送手段により搬入および搬出される。
【0059】
主磁場マグネット部102はマグネットシステム100の内部空間に静磁場を形成する。静磁場の方向は概ね対象300の体軸方向と直交する。すなわちいわゆる垂直磁場を形成する。主磁場マグネット部102は例えば永久磁石等を用いて構成される。なお、永久磁石に限らず超伝導電磁石あるいは常伝導電磁石等を用いて構成しても良いのはもちろんである。
【0060】
勾配コイル部106は静磁場強度に勾配を持たせるための勾配磁場を生じる。発生する勾配磁場は、スライス(slice)勾配磁場、リードアウト(read out)勾配磁場およびフェーズエンコード(phase encode)勾配磁場の3種であり、これら3種類の勾配磁場に対応して勾配コイル部106は図示しない3系統の勾配コイルを有する。
【0061】
3系統の勾配コイルは、互いに直交する3方向において静磁場にそれぞれ勾配を付与するための3つの勾配磁場をそれぞれ発生する。3方向のうちの1つは静磁場の方向(垂直方向)であり、通常これをz方向とする。他の1つは水平方向であり、通常これをy方向とする。残りの1つはz,y方向に垂直な方向であり、通常これをx方向とする。x方向は垂直面内でz方向に垂直であり、水平面内でy方向に垂直である。以下、x,y,zを勾配軸ともいう。
【0062】
x,y,zはいずれもスライス勾配の軸とすることができる。いずれか1つをスライス勾配の軸としたとき、残り2つのうちの1つをフェーズエンコード勾配の軸とし、他をリードアウト勾配の軸とする。3系統の勾配コイルについては後にあらためて説明する。
【0063】
RFコイル部108は静磁場空間に対象300の体内のスピンを励起するためのRF励起信号を送信する。RFコイル部108は、また、励起されたスピンが生じる磁気共鳴信号を受信する。RFコイル部108は図示しない送信用のコイルおよび受信用のコイルを有する。送信用のコイルおよび受信用のコイルは、同じコイルを兼用するかあるいはそれぞれ専用のコイルを用いる。
【0064】
勾配コイル部106には勾配駆動部130が接続されている。勾配駆動部130は勾配コイル部106に駆動信号を与えて勾配磁場を発生させる。勾配駆動部130は、勾配コイル部106における3系統の勾配コイルに対応して、図示しない3系統の駆動回路を有する。
【0065】
RFコイル部108にはRF駆動部140が接続されている。RF駆動部140はRFコイル部108に駆動信号を与えてRF励起信号を送信し、対象300の体内のスピンを励起する。
【0066】
RFコイル部108には、また、データ(data)収集部150が接続されている。データ収集部150はRFコイル部108が受信した受信信号を取り込み、それをビューデータ(view data)として収集する。
【0067】
勾配駆動部130、RF駆動部140およびデータ収集部150には制御部160が接続されている。制御部160は、勾配駆動部130ないしデータ収集部150をそれぞれ制御して撮影を遂行する。
【0068】
データ収集部150の出力側はデータ処理部170に接続されている。データ処理部170は、例えばコンピュータ(computer)等を用いて構成される。データ処理部170は図示しないメモリ(memory)を有する。メモリはデータ処理部170用のプログラムおよび各種のデータを記憶している。本装置の機能は、データ処理部170がメモリに記憶されたプログラムを実行することによりを実現される。
【0069】
データ処理部170は、データ収集部150から取り込んだデータをメモリに記憶する。メモリ内にはデータ空間が形成される。データ空間は2次元フ−リエ(Fourier)空間を構成する。データ処理部170は、これら2次元フ−リエ空間のデータを2次元逆フ−リエ変換して対象300の画像を生成(再構成)する。2次元フ−リエ空間をkスペース(k−space)ともいう。
【0070】
データ処理部170は制御部160に接続されている。データ処理部170は制御部160の上位にあってそれを統括する。データ処理部170には、また、表示部180および操作部190が接続されている。表示部180は、グラフィックディスプレー(graphic display)等で構成される。操作部190はポインティングデバイス(pointing device)を備えたキーボード(keyboard)等で構成される。
【0071】
表示部180は、データ処理部170から出力される再構成画像および各種の情報を表示する。操作部190は、操作者によって操作され、各種の指令や情報等をデータ処理部170に入力する。操作者は表示部180および操作部190を通じてインタラクティブ(interactive)に本装置を操作する。
【0072】
図2に、本装置で撮影を行うときのパルスシーケンス(pulse sequence)の一例を示す。このパルスシーケンスは、グラディエントエコー(GRE:Gradient Echo)法のパルスシーケンスである。
【0073】
すなわち、(1)はGRE法におけるRF励起用のα°パルスのシーケンスであり、(2)、(3)、(4)および(5)は、同じくそれぞれ、スライス勾配Gs、リードアウト勾配Gr、フェーズエンコード勾配GpおよびグラディエントエコーMRのシーケンスである。なお、α°パルスは中心信号で代表する。パルスシーケンスは時間軸tに沿って左から右に進行する。
【0074】
同図に示すように、α°パルスによりスピンのα°励起が行われる。フリップアングル(flip angle)α°は90°以下である。このときスライス勾配Gsが印加され所定のスライスについての選択励起が行われる。
【0075】
α°励起後、フェーズエンコード勾配Gpによりスピンのフェーズエンコードが行われる。次に、リードアウト勾配Grにより先ずスピンをディフェーズ(dephase)し、次いでスピンをリフェーズ(rephase)して、グラディエントエコーMRを発生させる。グラディエントエコーMRの信号強度は、α°励起からエコータイム(echo time)TE後の時点で最大となる。グラディエントエコーMRはデータ収集部150によりビューデータとして収集される。
【0076】
このようなパルスシーケンスが周期TR(repetition time)で64〜512回繰り返される。繰り返しのたびにフェーズエンコード勾配Gpを変更し、毎回異なるフェーズエンコードを行う。これによって、kスペースを埋める64〜512ビューのビューデータが得られる。
【0077】
磁気共鳴撮影用パルスシーケンスの他の例を図3に示す。このパルスシーケンスは、スピンエコー(SE:Spin Echo)法のパルスシーケンスである。
【0078】
すなわち、(1)はSE法におけるRF励起用の90°パルスおよび180°パルスのシーケンスであり、(2)、(3)、(4)および(5)は、同じくそれぞれ、スライス勾配Gs、リードアウト勾配Gr、フェーズエンコード勾配GpおよびスピンエコーMRのシーケンスである。なお、90°パルスおよび180°パルスはそれぞれ中心信号で代表する。パルスシーケンスは時間軸tに沿って左から右に進行する。
【0079】
同図に示すように、90°パルスによりスピンの90°励起が行われる。このときスライス勾配Gsが印加され所定のスライスについての選択励起が行われる。90°励起から所定の時間後に、180°パルスによる180°励起すなわちスピン反転が行われる。このときもスライス勾配Gsが印加され、同じスライスについての選択的反転が行われる。
【0080】
90°励起とスピン反転の間の期間に、リードアウト勾配Grおよびフェーズエンコード勾配Gpが印加される。リードアウト勾配Grによりスピンのディフェーズが行われる。フェーズエンコード勾配Gpによりスピンのフェーズエンコードが行われる。
【0081】
スピン反転後、リードアウト勾配GrでスピンをリフェーズしてスピンエコーMRを発生させる。スピンエコーMRの信号強度は、90°励起からTE後の時点で最大となる。スピンエコーMRはデータ収集部150によりビューデータとして収集される。このようなパルスシーケンスが周期TRで64〜512回繰り返される。繰り返しのたびにフェーズエンコード勾配Gpを変更し、毎回異なるフェーズエンコードを行う。これによって、kスペースを埋める64〜512ビューのビューデータが得られる。
【0082】
なお、撮影に用いるパルスシーケンスはGRE法またはSE法に限るものではなく、例えば、FSE(Fast Spin Echo)法、ファーストリカバリFSE(Fast Recovery Fast Spin Echo)法、エコープラナー・イメージング(EPI:Echo Planar Imaging)等、他の適宜の技法のものであって良い。
【0083】
データ処理部170は、kスペースのビューデータを2次元逆フ−リエ変換して対象300の断層像を再構成する。再構成した画像はメモリに記憶し、また、表示部180で表示する。
【0084】
図4に、勾配コイル部106付近のマグネットシステム100の構造を断面図により模式的に示す。同図において、Oは静磁場の中心すなわちマグネットセンター(magnet center)であり、x,y,zは前述した3方向である。
【0085】
マグネットセンターOを中心とする半径Rの球形領域SV(spheric volume)が撮影領域であり、マグネットシステム100はこのSVにおいて静磁場および勾配磁場が所定の精度を持つように構成される。
【0086】
1対の主磁場マグネット部102は互いに対向する1対の磁極片(ポールピース:pole piece)202を有する。磁極片202は例えば軟鉄等の高透磁率の磁性材料で構成され、静磁場空間における磁束分布を均一化する働きをする。
【0087】
磁極片202は概ね円板形状を成すが、周縁部が板面に垂直な方向(z方向)、すなわち、磁極片202同士が互いに対向する方向に突出している。これにより、磁極片202は底板部と突出した周縁部を有するものとなる。突出した周縁部は磁極片202の周縁における磁束密度の低下を補う働きをする。
【0088】
突出した周縁部の内側に形成される磁極片202の凹部に、勾配コイル部106が設けられる。勾配コイル部106は、Xコイル204、Yコイル206およびZ208コイルを有する。
【0089】
このうち、Zコイル208は本発明の勾配コイルの実施の形態の一例である。各コイルはいずれも概ね円板形状を成し、磁極片202の磁極面に、図示しない適宜の取り付け手段により、順次に層を成すように取り付けられている。
【0090】
図5に、Xコイル204、Yコイル206およびZ208コイルの電流経路のパターン(pattern)を略図によって示す。同図に示すように、Xコイル204は、円の中心に近い部分ではy方向に平行な直線状の複数の主電流経路(メインパス:main pass)を有する。これらメインパスは円の中心を通るy軸に関して対称である。メインパスの帰路(リターンパス:return pass)は円周に沿って形成される。最外側のリターンパスの半径すなわちXコイル204の外径はr00である。
【0091】
Yコイル206は、円の中心に近い部分ではx方向に平行な直線状の複数のメインパスを有する。これらメインパスは円の中心を通るx軸に関して対称である。メインパスのリターンパスは円周に沿って形成される。最外側のリターンパスの半径すなわちYコイル206の外径はr00である。
【0092】
Zコイル208は同心円を成す複数の電流経路を有する。これら電流経路は全てがメインパスである。各メインパスの半径は内側から順にr1,r2,・・・,rMである。rMはZコイル208の外径となる。
【0093】
Zコイル208は、リターンパスを持たないことにより、Xコイル204およびYコイル206のようにリターンパスを持つものに比べて、直線性の良い勾配磁場を発生することが容易である。
【0094】
したがって、Zコイル208の外径rMをXコイルおよびYコイル206の外径r0より小さくしても、XコイルおよびYコイル206と同等の直線性を持った勾配磁場を発生することが可能である。
【0095】
Zコイル208の外径rMを小さくすると、Zコイル208の外周から磁極片202の周辺の突出部までの距離が開くので、Zコイル208による突出部の磁化力が距離の2乗に比例して弱くなる。したがって、Zコイル208の外径rMを小さくすることにより、磁極片202の残留磁化を小さくすることができる。
【0096】
なお、Xコイル204およびYコイル206による突出部の磁化は、メインパスとリターンパスによる磁化が互いに逆極性に作用するので、Zコイルによるものよりも影響が小さい。
【0097】
このような残留磁化の小さいマグネットシステムを用いることにより、スピンの精密な位相制御が要求される例えばFSE法等による撮影も正しく行うことができる。
【0098】
次に、このようなZコイル208の製造方法を説明する。Zコイル208を製造するにあたり、メインパスすなわち同心円を成す複数の電流経路の半径r1,r2,・・・,rMを決める。
【0099】
図6に、メインパスの半径を決める手順のフロー(flow)図を示す。同図に示すように、ステップ(step)602で、イメージング領域の最大球面、すなわち、例えば図4に示したSVの表面上に、N個の測定点P1(x1,y1,z1),P2(x2,y2,z2),・・・,PN(xN,yN,zN)を設定する。
【0100】
次に、ステップ604で、測定点P1,P2,・・・,PNにおいてZコイル208が発生するべき磁界B1t,B2t,・・・,BNtを計算する。磁界の計算には次式を用いる。
【0101】
【数31】
Figure 0003705995
【0102】
ここで、
g:磁場勾配
次に、ステップ606で、磁界に対する誤差の許容値αtを設定する。αtはXコイル204およびYコイル206に対する誤差の許容値と同等にする。
【0103】
次に、ステップ608で、Zコイル208の外径の許容値r0を設定する。r0は、制限値r00を超えない範囲で設定する。制限値r00はXコイル204およびYコイル206の外径である。
【0104】
次に、ステップ610で、Zコイル208の複数のメインパスの半径r1,r2,・・・,rMの最適値を求める。
すなわち、
【0105】
【数32】
Figure 0003705995
【0106】
の制約条件の下で、
【0107】
【数33】
Figure 0003705995
【0108】
をパラメータとして、
【0109】
【数34】
Figure 0003705995
【0110】
となるように、2次計画法を用いてrj(j=1〜M)の最適値を求める。なお、
【0111】
【数35】
Figure 0003705995
【0112】
はビオ・サバール(Biot−Savart)の法則を用いて計算する。
次に、ステップ612で、測定点Piにおける磁界の誤差を次式によって計算する。
【0113】
【数36】
Figure 0003705995
【0114】
次に、ステップ614で、αi≦αtを満足するか否かを調べる。
否である場合はは、ステップ616で許容値r0を制限値r00を超えない範囲でΔrだけ増加させ、ステップ610以降の手順を繰り返す。
【0115】
αi≦αtを満足するときは、ステップ618でr1,r2,・・・,rMを確定する。そして、確定した半径の同心円を成す複数のメインパスを持つZコイル208を製造する。
【0116】
磁界に対する誤差の許容値を、Xコイル204およびYコイル206に対する許容値と同じにしたので、上記の手順で得られる最大半径rMは、許容範囲の精度を持つ磁界を発生しうる最小の値となる。この値はXコイル204およびYコイル206の外径r00より小さなものとなる。
【0117】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、磁極片に対する磁化力が小さい勾配コイルおよびその製造方法、並びに、そのような勾配コイルを有する磁気共鳴撮影装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の一例の装置のブロック図である。
【図2】図1に示した装置が実行するパルスシーケンスの一例を示す図である。
【図3】図1に示した装置が実行するパルスシーケンスの一例を示す図である。
【図4】図1に示した装置におけるマグネットシステムの勾配コイル部付近の構成を示す模式図である。
【図5】勾配コイルの電流経路のパターンを示す略図である。
【図6】電流経路の半径を決める手順のフロー図である。
【符号の説明】
100 マグネットシステム
102 主磁場マグネット部
106 勾配コイル部
108 RFコイル部
130 勾配駆動部
140 RF駆動部
150 データ収集部
160 制御部
170 データ処理部
180 表示部
190 操作部
202 磁極片
204 Xコイル
206 Yコイル
208 Zコイル
300 対象
500 クレードル

Claims (3)

  1. 底板部と前記底板部の板面に垂直な方向に突出した周縁部を有し前記突出した周縁部が空間を隔てて互いに対向する1対の磁極片の前記周縁部の内側の前記底板部の面に沿ってそれぞれ設けられ、同心円状の複数の経路を流れる電流により前記空間に勾配磁場を生じる1対の勾配コイルを製造するにあたり、
    予め定めた許容範囲内の磁場誤差を持つ勾配磁場を発生する範囲内で前記勾配コイルの経路の最大半径を最小値とするとともに、
    前記複数の経路の半径を下記の手順で決めることを特徴とする勾配コイル製造方法。

    (イ)撮影領域内に想定した最大球面上に測定点Pi(i=1〜N)を設定する。
    (ロ)前記勾配コイルが発生すべき前記測定点における磁界Bit(i=1〜N)を計算する。
    (ハ)磁界に対する誤差の許容値αtを設定する。
    (ニ)前記勾配コイルの経路の最大半径の許容値r0を、制限値r00を超えない範囲で設定する。
    (ホ)前記複数の経路の半径をr1,r2,・・・,rMとし、
    Figure 0003705995
    の制約条件の下で、
    Figure 0003705995
    をパラメータとして、
    Figure 0003705995
    となるように、2次計画法を用いてrj(j=1〜M)の最適値を求める。なお、
    Figure 0003705995
    はビオ・サバールの法則を用いて計算する。
    (ヘ)測定点Piにおける磁界の誤差を次式によって計算する。
    Figure 0003705995
    (ト)αi≦αtを満足するときはrjを確定する。
    (チ)αi≦αtを満足しないときは、許容値r0を制限値r00を超えない範囲で増加させ、(ホ)以降の手順を繰り返す。
  2. 底板部と前記底板部の板面に垂直な方向に突出した周縁部を有し前記突出した周縁部が空間を隔てて互いに対向する1対の磁極片の前記周縁部の内側の前記底 板部の面に沿ってそれぞれ設けられ、同心円状の複数の経路を流れる電流により前記空間に勾配磁場を生じる1対の勾配コイルであって、
    予め定めた許容範囲内の磁場誤差を持つ勾配磁場を発生する範囲内で前記勾配コイルの経路の最大半径を最小値とするとともに、
    前記複数の経路は下記の手順で決めた半径を有することを特徴とする勾配コイル。

    (イ)撮影領域内に想定した最大球面上に測定点Pi(i=1〜N)を設定する。
    (ロ)前記勾配コイルが発生すべき前記測定点における磁界Bit(i=1〜N)を計算する。
    (ハ)磁界に対する誤差の許容値αtを設定する。
    (ニ)前記勾配コイルの経路の最大半径の許容値r0を、制限値r00を超えない範囲で設定する。
    (ホ)前記複数の経路の半径をr1,r2,・・・,rMとし、
    Figure 0003705995
    の制約条件の下で、
    Figure 0003705995
    をパラメータとして、
    Figure 0003705995
    となるように、2次計画法を用いてrj(j=1〜M)の最適値を求める。なお、
    Figure 0003705995
    はビオ・サバールの法則を用いて計算する。
    (ヘ)測定点Piにおける磁界の誤差を次式によって計算する。
    Figure 0003705995
    (ト)αi≦αtを満足するときはrjを確定する。
    (チ)αi≦αtを満足しないときは、許容値r0を制限値r00を超えない範囲で増加させ、(ホ)以降の手順を繰り返す。
  3. 静磁場、勾配磁場および高周波磁場を用いて獲得した磁気共鳴信号に基づいて画像を構成する磁気共鳴撮影装置であって、
    前記勾配磁場を発生する勾配コイルとして、底板部と前記底板部の板面に垂直な方向に突出した周縁部を有し前記突出した周縁部が空間を隔てて互いに対向する1対の磁極片の前記周縁部の内側の前記底板部の面に沿ってそれぞれ設けられ、同心円状の複数の経路を流れる電流により前記空間に勾配磁場を生じる1対の勾配コイルであって、予め定めた許容範囲内の磁場誤差を持つ勾配磁場を発生する範囲内で前記経路の最大半径を最小値とした勾配コイルを具備しており、
    前記複数の経路は下記の手順で決めた半径を有することを特徴とする磁気共鳴撮影装置。

    (イ)撮影領域内に想定した最大球面上に測定点Pi(i=1〜N)を設定する。
    (ロ)前記勾配コイルが発生すべき前記測定点における磁界Bit(i=1〜N)を計算する。
    (ハ)磁界に対する誤差の許容値αtを設定する。
    (ニ)前記勾配コイルの経路の最大半径の許容値r0を、制限値r00を超えない範囲で設定する。
    (ホ)前記複数の経路の半径をr1,r2,・・・,rMとし、
    Figure 0003705995
    の制約条件の下で、
    Figure 0003705995
    をパラメータとして、
    Figure 0003705995
    となるように、2次計画法を用いてrj(j=1〜M)の最適値を求める。なお、
    Figure 0003705995
    はビオ・サバールの法則を用いて計算する。
    (ヘ)測定点Piにおける磁界の誤差を次式によって計算する。
    Figure 0003705995
    (ト)αi≦αtを満足するときはrjを確定する。
    (チ)αi≦αtを満足しないときは、許容値r0を制限値r00を超えない範囲で増加させ、(ホ)以降の手順を繰り返す。
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