JP3703885B2 - 半導体記憶装置とその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 59
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 38
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 27
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 20
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 13
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 20
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 20
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 16
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
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- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76829—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers
- H01L21/76831—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers in via holes or trenches, e.g. non-conductive sidewall liners
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76829—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers
- H01L21/76834—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers formation of thin insulating films on the sidewalls or on top of conductors
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76897—Formation of self-aligned vias or contact plugs, i.e. involving a lithographically uncritical step
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/01—Manufacture or treatment
- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
- H10B12/033—Making the capacitor or connections thereto the capacitor extending over the transistor
- H10B12/0335—Making a connection between the transistor and the capacitor, e.g. plug
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/48—Data lines or contacts therefor
- H10B12/485—Bit line contacts
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0207—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
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- H10B12/01—Manufacture or treatment
- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
- H10B12/033—Making the capacitor or connections thereto the capacitor extending over the transistor
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/48—Data lines or contacts therefor
- H10B12/482—Bit lines
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えばダイナミックRAM(以下、DRAMと称す)のセル構造に係わり、特に、ビット線の上方にメモリセルキャパシタをビット線に対して自己整合的に形成するSTC(Stacked Capacitor) 型の半導体記憶装置とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近時、半導体記憶装置、特に、DRAMは大規模集積化が進んでいる。それに伴って単位記憶素子の占める割合が一層縮小される傾向にあり、リード・ライトに十分な容量(20fF以上)を得るため、メモリセルキャパシタ及びメモリセルトランジスタの3次元化は必須である。このため、トレンチ型キャパシタ及びSTC型キャパシタを用いたセル構造が一般化している。
【0003】
また、更なる大規模集積化に対して、STC型キャパシタを用いたセルにおいては、メモリセルキャパシタをビット線に対して自己整合的に形成する技術が重要となる。従来のSTC型キャパシタの製造方法は、例えば、M.Fukumoto et al., "Stacked capacitor cell technology for 16M DRAM using double self aligned contacts", ESSDERC 90, pp.461-464, 1990 に記載されたメモリセルが提案されている。図21及び図23はその例を示すものである。
【0004】
図21はメモリセルの平面図を示している。図21において、201はチャネル領域、202はゲート電極パターン、203はビット線コンタクト、204はビット線パターン、205はストレージノードコンタクトパターン、206はストレージノード電極パターンである。
【0005】
図22は図21の22−22線に沿った断面図の製造工程を示している。図22(a)に示すように、半導体基板51上には、素子分離酸化膜52、図示せぬデータ転送用MOSトランジスタ、第1層間絶縁膜53、図示せぬビット線コンタクト、ビット線54、BPSG膜からなる第2層間絶縁膜55が形成される。次に、ビット線54の相互間に位置する第1、第2層間絶縁膜53、55に、周知のリソグラフィ法及びRIE(Reactive Ion Etching)法により、半導体基板51に達するストレージノードコンタクト56が形成される。
【0006】
次に、図22(b)に示すように、全面にHTO(High Temperature Oxide)膜57を堆積し、RIE法によって全面をエッチバックして、図22(c)に示すように、ストレージノードコンタクト56の内部にHTO膜57によるサイドウォールスペーサ58を形成する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図21に示すストレージノードコンタクトパターン205がビット線パターン204に対して合わせずれが生じていた場合、次のような問題が発生する。すなわち、図23(a)に示すように、ストレージノードコンタクト56を形成した際、ビット線54が第1、第2層間絶縁膜53、55から露出する。この状態において、図23(b)に示すように、全面にHTO膜57を堆積し、RIE法によって全面をエッチバックして、図23(c)に示すように、ストレージノードコンタクト56の内部にHTO膜57によるサイドウォールスペーサ58を形成する。すると、ビット線54上及び第2層間絶縁膜55の側壁にサイドウォールスペーサ58が形成される。しかし、ビット線54の一部分はサイドウォールスペーサ58の間隙から露出した状態となるため、後に形成される図示せぬストレージノードとビット線54とが短絡するという問題が発生する。
【0008】
また、HTO膜57の全面をエッチバックする際、HTO膜57と第2層間絶縁膜55が同じ酸化シリコン系であるため、十分な選択比を得ることができず、ビット線54上及び第2層間絶縁膜55の膜厚の制御が困難となる問題がある。
さらに、ストレージノードコンタクト56を形成する際、コンタクト開口部、コンタクト間隔共に微細なため、レジストパターンの形成そのものが困難であるという問題を有していた。また、ストレージノードコンタクト56はパターンの通り方形とはならず、図21に破線で示すように、方形のパターンに内接する最小寸法を直径とする円形となるため、接触面積が減少し、コンタクト抵抗が増加するという問題を有している。さらに、ストレージノードコンタクト56が半導体基板51に達しているため、アスペクト比が大きくなり、コンタクト開口の歩留まりが悪く、ストレージノードの埋め込みが困難となる問題を有していた。
【0009】
この発明は、上記課題を解決するものであり、その目的とするところは、コンタクトと配線との短絡を防止できるとともに、コンタクトを自己整合的に形成することができ、しかも、配線上に形成される膜の膜厚を確実に制御できるとともに、微細なコンタクトが形成でき、コンタクト開口の歩留まりが高く、コンタクトの埋め込みが容易な半導体記憶装置とその製造方法を提供しようとするものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
この発明の半導体記憶装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、素子領域を区画する素子分離絶縁膜と、前記素子領域内に形成され、ゲート絶縁膜と、ワード線に接続されたゲート電極と、ソース/ドレイン領域とを有する複数のMOSトランジスタと、前記素子分離絶縁膜及び前記MOSトランジスタを覆う第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜内に形成され、前記複数のMOSトランジスタの一方のソース/ドレイン領域に達する複数の第1コンタクトホールと、前記第1絶縁膜内に形成され、前記MOSトランジスタの他方のソース/ドレイン領域に達する複数の第2コンタクトホールと、前記複数の第1コンタクトホールを充填する複数の第1導電体プラグと、前記複数の第2コンタクトホールを充填する複数の第2導電体プラグと、前記第1絶縁膜と前記複数の第1、第2導電体プラグを覆う第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜内に形成され、前記複数の第1導電体プラグに達する複数のビット線コンタクトと、前記第2絶縁膜及び複数のビット線コンタクト上に形成され、下部が導電膜、上部が第3絶縁膜で構成される複数のビット線と、前記第2絶縁膜上及び前記複数のビット線の相互間に形成され、前記第3絶縁膜をストッパーとして平坦化された第4絶縁膜と、隣接する前記複数のビット線上の前記第3絶縁膜と、前記複数のビット線と直交され所定間隔で配置されたライン/スペース状のコンタクトホールパターンを用いて形成されたフォトレジストとを用いて前記複数のビット線の間に前記第4絶縁膜及び前記第2絶縁膜を貫通して形成され、前記複数の第2導電体プラグに達する複数のストレージノードコンタクト用コンタクトホールと、前記複数のストレージノードコンタクト用コンタクトホール内部で、少なくとも前記複数のビット線の導電膜の側壁及び前記第2絶縁膜の側壁に形成された第5絶縁膜と、前記複数のストレージノードコンタクト用コンタクトホール内に充填され、前記複数の第2導電体プラグに接続され、前記複数のビット線の導電膜とは前記第5絶縁膜によって電気的に分離された複数の第3導電体プラグと、前記複数の第3導電体プラグに接続された複数のストレージノード電極と、この複数のストレージノード電極上のキャパシタ絶縁膜と、前記キャパシタ絶縁膜上のプレート電極とを有する複数のキャパシタとを具備する。
さらに、この発明の半導体記憶装置は、半導体基板と、前記半導体基板内に形成され、素子領域を区画する素子分離絶縁膜と、前記素子領域内に形成され、ゲート絶縁膜と、ワード線に接続されたゲート電極と、ソース/ドレイン領域とを有する複数のトランジスタと、前記素子分離絶縁膜及び前記複数のトランジスタを覆う第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜内に形成され、前記複数のトランジスタの前記ソース/ドレイン領域の一方の領域に達する複数の第1コンタクトホールと、前記第1絶縁膜内に形成され、前記複数のトランジスタの前記ソース/ドレイン領域の他方の領域に達する複数の第2コンタクトホールと、前記複数の第1コンタクトホールを充填する複数の第1導電体プラグと、前記複数の第2コンタクトホールを充填する複数の第2導電体プラグと、前記第1絶縁膜及び前記複数の第1、第2導電体プラグを覆う第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜内に形成され、前記複数の第1導電体プラグに達する複数のビット線コンタクトと、前記第2絶縁膜及び前記複数のビット線コンタクトの上に形成された導電膜からなる複数のビット線と、前記複数のビット線の上に形成された第3絶縁膜と、前記第2絶縁膜上に形成され、前記第3絶縁膜をストッパーとして平坦化された第4絶縁膜と、隣接する前記複数のビット線上の前記第3絶縁膜と、前記複数のビット線と直交され所定間隔で配置されたライン/スペース状のコンタクトホールパターンを用いて形成されたフォトレジストとを用いて前記複数のビット線の側部に位置し、前記第4絶縁膜及び第2絶縁膜を貫通して形成され、前記複数の第2導電体プラグに達する複数のストレージノードコンタクト用コンタクトホールと、少なくとも前記複数のストレージノードコンタクト用コンタクトホールにより露出される前記複数のビット線の側壁及び前記第2絶縁膜の側壁に形成される第5絶縁膜と、前記複数のストレージノードコンタクト用コンタクトホールを充填し、前記複数の第2導電体プラグに接続され、前記第5絶縁膜により前記ビット線から電気的に分離された複数の第3導電体プラグと、前記複数の第3導電体プラグに接続された複数のストレージノード電極と、この複数のストレージノード電極の上方に設けられたプレート電極と、これらプレート電極とストレージノード電極の相互間に設けられたキャパシタ絶縁膜とを有する複数のキャパシタとを具備する。
また、この発明の半導体記憶装置は、半導体基板と、前記半導体基板の表面領域に形成され、ソース/ドレイン領域及び前記半導体基板の表面から絶縁されたゲート電極を有する複数のトランジスタと、前記複数のトランジスタを覆う第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に所定間隔離間して形成されたビット線としての複数の第1、第2導電膜と、前記複数の第1、第2導電膜の上に形成された第2絶縁膜と、前記第1絶縁膜上及び前記第1、第2導電膜の間に形成され、前記第2絶縁膜をストッパーとして平坦化された第3絶縁膜と、前記複数の第1、第2導電膜上の前記第2絶縁膜と、前記複数の第1、第2導電膜と直交され所定間隔で配置され、ライン/スペース状のコンタクトホールパターンを用いて形成されたフォトレジストとを用いて前記第3絶縁膜に形成された複数のコンタクトホールと、前記複数のコンタクトホール内に充填され、前記トランジスタの前記ソース/ドレイン領域の一方に接続されるストレージノードコンタクトとを具備する。
さらに、この発明の半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板に素子領域を区画する素子分離絶縁膜を形成する工程と、前記素子分離絶縁膜によって区画された素子領域上に、ゲート絶縁膜と、ワード線に接続されたゲート電極と、ソース/ドレイン領域とを有する複数のMOSトランジスタとを形成する工程と、前記複数のMOSトランジスタ及び前記素子分離絶縁膜を覆う第1絶縁膜を形成する工程と、前記第1絶縁膜を局所的にエッチングし、前記素子領域及び前記素子分離絶縁膜上に形成され、前記複数のMOSトランジスタの一方のソース/ドレイン領域に達する複数の第1コンタクトホール、及び前記素子領域上で前記複数のMOSトランジスタの他方のソース/ドレイン領域に達する複数の第2コンタクトホールを前記ゲート電極に対して自己整合的に形成する工程と、前記複数の第1、第2コンタクトホールを充填する複数の第1、第2導電体プラグを形成する工程と、前記第1絶縁膜と前記複数の第1、第2導電体プラグを覆う第2絶縁膜を形成する工程と、前記第2絶縁膜を局所的にエッチングし、前記素子分離絶縁膜の上方で前記複数の第1導電体プラグに達する複数のビット線コンタクトを形成する工程と、前記第2絶縁膜及び前記複数のビット線コンタクト上に、下部が導電膜、上部が第3絶縁膜で構成される複数のビット線を形成する工程と、前記第2絶縁膜上及び前記複数のビット線の相互間に前記第3絶縁膜をストッパーとして平坦化された第4絶縁膜を形成する工程と、前記複数のビット線上の前記第3絶縁膜と、前記複数のビット線と直交され所定間隔で配置された、ライン/スペース状のコンタクトホールパターンを用いて形成されたフォトレジストとをマスクとして前記第4絶縁膜及び第2絶縁膜を局所的にエッチングし、前記複数の第2導電体プラグに達する複数のストレージノードコンタクト用コンタクトホールを、前記複数のビット線に対して自己整合的に形成する工程と、前記複数のストレージノードコンタクト用コンタクトホール内部で、少なくとも前記ビット線の導電膜の側壁及び前記第2絶縁膜の側壁に第5絶縁膜を形成する工程と、前記複数のストレージノードコンタクト用コンタクトホール内を充填し、前記複数の第2導電体プラグに接続され、前記複数のビット線の導電膜とは前記第5絶縁膜によって電気的に分離された複数の第3導電体プラグを形成し、前記複数の第3導電体プラグに接続された複数のストレージノード電極、この複数のストレージノード電極上のキャパシタ絶縁膜、前記キャパシタ絶縁膜上にプレート電極を順次形成し複数のキャパシタを形成する工程とを具備する。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施例について図面を参照して説明する。
【0015】
図1はこの発明の第1の参考例を示すものである。図1(a)に示すように、半導体基板11上に形成された酸化シリコン系の第1絶縁膜1上にタングステン(W)等の導電膜2、酸化シリコン系の第2絶縁膜3、窒化シリコン系の第3絶縁膜4を順次形成する。この後、所定の配線パターンを用いて、第3絶縁膜4、第2絶縁膜3、導電膜2をパターニングすることにより配線Lを形成する。
【0016】
次に、図1(b)に示すように、酸化シリコン系の第4絶縁膜5を堆積し、CMP(Chemical Mechanical Polishing) 法を用いて表面を平坦化する。次に、所定のコンタクトホールパターンを用いて、図1(c)に示すように、フォトレジスト6を形成し、このフォトレジスト6及び第3絶縁膜4に対して選択比の高いエッチング条件を用いて、第4及び第1絶縁膜5、1をRIE法によりエッチングし、コンタクトホールCHを形成する。
【0017】
次に、レジスト6を除去し、全面に第5絶縁膜7を堆積し、これをRIE法によりエッチバックし、図1(d)に示すように、コンタクトホールCH内に第5絶縁膜7からなるサイドウォールスペーサ7aを形成する。このサイドウォールスペーサ7aは第1絶縁膜1、導電膜2、第2絶縁膜3、第3絶縁膜4、第4絶縁膜5の側壁に形成される。
【0018】
このように、導電膜2は第3絶縁膜4によって保護されているため、RIE法によりエッチングする際、マスクに合わせずれが生じていても導電膜2が露出することはない。したがって、その後、コンタクトホールCH内に導電層を形成しても導電膜2と導電層との短絡を防止できる。
【0019】
図2は、この発明の第2の参考例を示すものであり、図1と同一部分には同一符号を付す。所定の配線Lを形成するまでは、第1の実施例と同様である。配線Lを形成した後、全面に酸化シリコン系の第4絶縁膜5を堆積し、CMP法を用いて、図2(a)に示すように、第4絶縁膜5の表面を平坦化する。この際、第3絶縁膜4をCMPのストッパーとして用いることにより、第3絶縁膜4上面に合わせて第4絶縁膜5を平坦化する。
【0020】
次に、所定のコンタクトホールパターンを用いてフォトレジスト6を形成し、フォトレジスト6及び第3絶縁膜4に対して選択比の高いエッチング条件を用いて、図2(b)に示すように、第4及び第1絶縁膜5、1をRIE法によってエッチングし、コンタクトホールCHを形成する。
【0021】
次に、レジスト6を除去した後、第5絶縁膜7を全面に堆積し、全面をRIE法を用いてエッチバックすることにより、図2(c)に示すように、コンタクトホール内に第5絶縁膜7からなるサイドウォールスペーサ7aを形成する。
【0022】
この参考例においても、導電膜2は第3絶縁膜4によって保護されているため、RIE法によりエッチングする際、マスクに合わせずれが生じていても導電膜2が露出することはない。したがって、その後、コンタクトホールCH内に導電層を形成しても導電膜2と導電層との短絡を防止できる。さらに、導電膜2上の絶縁膜の膜厚は、第2、第3絶縁膜の膜厚で規定されているため、制御性が良い利点を有している。
【0023】
尚、第1、第2の参考例において、第5絶縁膜7の材質は、例えば酸化シリコン系の膜、及び窒化シリコン系の膜と酸化シリコン系の膜の複合膜のいずれかであり、窒化シリコン系の膜よりも誘電率が小さく設定されている。
【0024】
図3、図4は、この発明の第3の参考例を示すものであり、第1、第2の参考例と同一部分には同一符号を付す。図3に示すストライプ状の配線パターン8を用いて、図1(a)に示すように、配線Lを形成するまでは、第1、第2の参考例と同様である。この後、全面に酸化シリコン系の第4絶縁膜5を堆積し、CMP法により、図4(a)に示すように、第3絶縁膜4上面に合わせて第4絶縁膜5の表面を平坦化する。尚、図4において、半導体基板は省略している。
【0025】
次に、図3に示すように、前記配線パターン8と直交するライン/スペース状のコンタクトホールパターン9を用いて、図4(b)に示すようなフォトレジスト6を形成する。この後、このフォトレジスト6及び第3絶縁膜4に対して選択比の高いエッチング条件を用いて、第4及び第1絶縁膜5、1をRIE法によりエッチングし、配線の相互間にコンタクトホールを形成する。
【0026】
次に、レジスト6を除去し、第5絶縁膜7を全面に堆積した後、これをRIE法によりエッチバックすることにより、図4(c)に示すように、コンタクトホールCH内にサイドウォールスペーサ7aを形成する。前記配線パターン8及びコンタクトホールパターン9の幅は設計ルールで定められた最小寸法とされている。
【0027】
この参考例においても、導電膜2は第3絶縁膜4によって保護されているため、RIE法によりエッチングする際、マスクに合わせずれが生じていても導電膜2が露出することはない。したがって、その後、コンタクトホールCH内に導電層を形成しても導電膜2と導電層との短絡を防止できる。また、導電膜2上の絶縁膜の膜厚は、第2、第3絶縁膜の膜厚で規定されているため、制御性が良い利点を有している。さらに、コンタクトホールパターン9がライン/スペース状であるため、コンタクトホールを容易に形成できる。しかも、ライン/スペース状のコンタクトホールパターンを使用することにより、コンタクトホールは設計ルールで定められた最小寸法を一辺とする正方形となる。したがって、コンタクトホールは従来のように最小寸法を一辺とする正方形に内接する円形とならないため、接触面積を大きくでき、コンタクト抵抗を減少させることができる。
【0028】
次に、図5乃至図17を参照してこの発明の第1の実施例について説明する。この第1の実施例はこの発明をSTC型DRAMセルに適用した場合の製造方法に関わるものである。
【0029】
ここで、図5は、第1の実施例に適用されるマスクパターンを示す平面図である。
【0030】
図6(a)、(c)は、図5のa−a線、及びc−c線に沿った断面図であり、第1の実施例の第1の工程を示している。
【0031】
図7(a)、(c)は、図5のa−a線、及びc−c線に沿った断面図であり、図6に続く第2の工程を示している。
【0032】
図8(a)、(c)は、図5のa−a線、及びc−c線に沿った断面図であり、図7に続く第3の工程を示している。
【0033】
図9(a)、(c)は、図5のa−a線、及びc−c線に沿った断面図であり、図8に続く第4の工程を示している。
【0034】
図10(a)、(c)は、図5のa−a線、及びc−c線に沿った断面図であり、図9に続く第5の工程を示している。
【0035】
図11(b)、(c)は、図5のb−b線、及びc−c線に沿った断面図であり、図10に続く第6の工程を示している。
【0036】
図12(b)、(c)は、図5のb−b線、及びc−c線に沿った断面図であり、図11に続く第7の工程を示している。
【0037】
図13(a)、(d)は、図5のa−a線、及びd−d線に沿った断面図であり、図12に続く第8の工程を示している。
【0038】
図14(a)、(d)は、図5のa−a線、及びd−d線に沿った断面図であり、図13に続く第9の工程を示している。
【0039】
図15(a)、(d)は、図5のa−a線、及びd−d線に沿った断面図であり、図14に続く第10の工程を示している。
【0040】
図16(a)、(d)は、図5のa−a線、及びd−d線に沿った断面図であり、図15に続く第11の工程を示している。
【0041】
図17(a)、(d)は、図5のa−a線、及びd−d線に沿った断面図であり、図16に続く第12の工程を示している。
【0042】
図5において、101は素子分離を形成するための素子分離パターン、102はゲート電極を形成するためのゲート電極パターン、103はプラグを形成するためのプラグパターン、104はビット線コンタクトを形成するためのビット線コンタクトパターン、105はビット線を形成するためのビット線パターン、106はストレージノードコンタクトを形成するためのストレージノードコンタクトパターン、107はストレージノード電極を形成するためのストレージノード電極パターンである。
【0043】
図6に示すように、半導体基板11上にSTI(Shallow Trench Isolation)技術を用いるとともに、図5に示す素子分離パターン101をマスクとして、素子分離酸化膜12を形成する。
【0044】
次に、半導体基板11上に図示せぬゲート酸化膜を形成し、図7(a)に示すように、この上にN型ポリシリコン膜13、タングステンシリサイド膜14、窒化シリコン膜15を順次堆積する。この後、図5に示すゲート電極パターン102を用いて窒化シリコン膜15、タングステンシリサイド膜14、N型ポリシリコン膜13をパターニングし、MOSFETのゲート電極Gを形成する。次に、As等のN型不純物をイオン注入し、ソース/ドレイン拡散層16を形成する。この後、窒化シリコン膜17を全面に堆積し、これをエッチバックしてゲート電極Gの側壁に、窒化シリコン膜からなるサイドウォールスペーサ17aを形成する。
【0045】
次に、図8に示すように、全面にBPSG膜18を堆積し、窒化シリコン膜15をストッパーとしてCMP法により、BPSG膜18表面を平坦化する。次に、図9に示すように、全面にレジスト19を塗布し、図5に示すプラグパターン103を用いて、リソグラフィ法により、エッチングマスク19aを形成する。次に、BPSG膜18と窒化シリコン膜15の選択比が高いエッチング条件で、エッチングマスク19a、及び窒化シリコン膜15をマスクとして、RIE法によりBPSG膜18をエッチングする。この工程により、コンタクトホール20がゲート電極Gに対して、自己整合的に形成される。
【0046】
次に、レジスト19を除去した後、図10に示すように、全面にN型ポリシリコン膜21を堆積し、窒化シリコン膜15及びBPSG膜18をストッパーとして、CMP法を用いてN型ポリシリコン膜21の表面を平坦化すると同時にコンタクトホール20を埋め込み、N型ポリシリコン膜21によってプラグ21aを形成する。
【0047】
次に、図11に示すように、全面にBPSG膜22を堆積し、図5に示すビット線コンタクトパターン104を用いて、コンタクトホール23を形成する。次に、露出したN型ポリシリコン膜21上にタングステン膜24を選択成長させ、コンタクトホール23をタングステン膜24によって埋め込む。
【0048】
次に、全面に図示せぬグルーレイヤを形成し、この上に図12に示すように、タングステン膜25、酸化シリコン膜26、窒化シリコン膜27を順次堆積し、図5に示すビット線パターン105を用いて、窒化シリコン膜27、酸化シリコン膜26、タングステン膜25、グルーレイヤをパターニングし、前記プラグ21に接続されたビット線BLを形成する。
【0049】
次に、図13に示すように、全面に酸化シリコン膜28を堆積し、窒化シリコン膜27をストッパーとして、CMP法により、酸化シリコン膜28を平坦化する。次に、図14に示すように、全面にレジスト29を塗布し、図5に示すストレージノードコンタクトパターン106を用いて、リソグラフィ法により、エッチングマスク29aを形成する。この後、酸化シリコン膜28と窒化シリコン膜27の選択比が高いエッチング条件で、エッチングマスク29a、及び窒化シリコン膜27をマスクとして、RIE法により酸化シリコン膜28をエッチングする。この工程により、コンタクトホール30がビット線BLに対して、自己整合的に形成される。
【0050】
次に、レジスト29を除去した後、図15に示すように、全面に酸化シリコン膜31を堆積する。この後、エッチバック法を用いてコンタクトホール30の内壁に、酸化シリコン膜31からなるサイドウォールスペーサ31aを形成する。次に、図16に示すように、N型ポリシリコン膜32を全面に堆積し、窒化シリコン膜27及び酸化シリコン膜28をストッパーとして、CMP法によりN型ポリシリコン膜32の表面を平坦化すると同時にコンタクトホール30をN型ポリシリコン膜32によって埋め込み、プラグ32aを形成する。
【0051】
次に、図17に示すよう、全面にスパッタ法により、ルテニウム膜33を堆積し、図5に示すストレージノード電極パターン107を用いてパターニングする。この後、BST膜34等の高誘電体膜、及びルテニウム膜35を全面に順次堆積し、ストレージキャパシタを形成する。続いて、周知の方法により、図示せぬ配線層等を形成し、DRAMが完成される。
【0052】
上記第1の実施例によれば、STC型DRAMセルにおいて、ビット線は窒化シリコン系の絶縁膜によって保護されているため、ストレージノードコンタクトパターンがビット線パターンに対して合わせずれが生じている場合においても、エッチングの際にビット線が露出することを防止できる。また、ビット線上の絶縁膜は、その膜厚で規定されるため、制御性が良好である。
【0053】
さらに、ストレージノードコンタクトパターンがライン/スペース状であるため、ストレージノードコンタクトに丸みが生じることを防止でき、最小寸法を一辺とする正方形とすることができる。したがって、接触面積を大きくすることができ、コンタクト抵抗を減少できる。
【0054】
また、ストレージノードコンタクトが基板に達していず、導電体プラグを介してソース/ドレイン領域に接続しているため、アスペクト比を低減できる。したがって、ストレージノードの埋め込みが容易であり、コンタクト開口の歩留まりを向上できる。
【0055】
さらに、サイドウォールスペーサとして、酸化シリコン系の絶縁膜を用いることにより、ビット線の容量の増大を防止でき、動作速度の高速化及び消費電流の低減を図ることができる。
【0056】
図18は、この発明の第2の実施例を示すものであり、図1乃至図4と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。上記第2乃至第3の参考例において、導電層2の上には第2絶縁膜3、第3絶縁膜4(第1の実施例では酸化シリコン膜26、窒化シリコン膜27)が設けられている。第3絶縁膜4(第1の実施例における窒化シリコン膜27)の材料は、次の条件を備えている。
【0057】
(1) 酸化シリコン膜のRIEを実施する際、酸化シリコン膜との選択比が大きい膜である。
【0058】
(2) 酸化シリコン膜のCMPを実施する際、酸化シリコン膜との選択比が大きい膜である。
【0059】
(3) プラグのCMPを実施する際、プラグとの選択比が大きい膜である。
【0060】
(4) 絶縁膜である。
【0061】
しかし、第3絶縁膜4(第1の実施例における膜27)は前述したように、窒化シリコン膜によって構成されている。この窒化シリコン膜は容量が大く、配線中を伝搬する信号の遅延をもたらすため除去することが望ましい。
【0062】
そこで、第2の実施例では、先ず、第5絶縁膜7をエッチバックする際、エッチング時間を若干長くし、図18(a)に示すように、第3絶縁膜4の側壁に形成された第5絶縁膜7を除去する。この後、例えば熱リン酸によって処理することにより、図18(b)に示すように、第3絶縁膜4を除去する。この実施例によっても第1乃至第3の参考例及び第1の実施例と同様の効果を得ることができ、しかも、配線中を伝搬する信号の遅延を防止できる。このように、第3絶縁膜を除去することで、上記(3)(4)の条件は不要となる。上記実施例では窒化シリコン膜の場合について説明したが、例えばポリシリコンなどの導電膜を用いてもよい。
【0063】
図19は、この発明の第3の実施例を示すものである。第1乃至第3の参考例及び第1、第2の実施例において、第2絶縁膜3の上には第3の絶縁膜4を設けたが、上記条件 (1)(2) を満足すれば、第2絶縁膜3の上に導電性の膜を設けることも可能である。第3の実施例では、第2絶縁膜3の上にポリシリコン膜41が設けられている。このポリシリコン膜41は、酸化シリコン膜との選択比が大きいため、第1乃至第3の参考例及び第1の実施例と同様に酸化シリコン膜5をエッチングする際、配線を保護することができる。しかし、このポリシリコン膜41は導電性を有しているため、他の膜との短絡を回避するため除去する必要がある。
【0064】
そこで、先ず、図19(a)に示すように、ポリシリコン膜41の側壁に形成された第5絶縁膜7を第2の実施例と同様にして除去する。次に、図19(b)に示すように、全面に例えばポリシリコン膜42を堆積する。この後、図19 (c)に示すように、CMP法によりポリシリコン膜41、42を除去するとともに、ポリシリコン膜42によってコンタクトホールを埋め込む。このとき、酸化シリコン膜3はストッパーとして作用する。この実施例によっても、第2の実施例と同様の効果を得ることができる。
【0065】
図20は、この発明の第4の実施例を示すものであり、前記第3の実施例の変形例を示すものである。この実施例において、第2絶縁膜3の上には例えばルテニウム膜43が形成され、この後、全面にルテニウム膜44が堆積される。次に、電極を加工するため、所定のパターンを用いてルテニウム膜44をエッチングし、これとともにルテニウム膜43を除去する。
【0066】
前記第2絶縁膜3の上の膜と全面に堆積される膜は共にルテニウムである。このため、電極を加工する際、パターンが図20に示すように多少ずれた場合においても問題は生じない。
【0067】
また、第2絶縁膜3の上の膜の材質は、ルテニウムに限定されるものではなく、上記条件(1)(2)を満足し、全面に堆積される膜44と同質の例えば金属系の膜であればよい。
【0068】
その他、この発明の要旨を変えない範囲で種々変形実施可能なことは勿論である。
【0069】
【発明の効果】
以上詳述したようにこの発明によれば、コンタクトと配線との短絡を防止できるとともに、コンタクトを自己整合的に形成することができ、しかも、配線上に形成される膜の膜厚を確実に制御できるとともに、微細なコンタクトが形成でき、コンタクト開口の歩留まりが高く、コンタクトの埋め込みが容易な半導体記憶装置とその製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の第1の参考例を示す断面図。
【図2】 この発明の第2の参考例を示す断面図。
【図3】 この発明の第3の参考例に適用されるマスクパターンを示す平面図。
【図4】 この発明の第3の参考例を示すものであり、図3の4−4線に沿った断面図。
【図5】 この発明の第1の実施例に適用されるマスクパターンを示す平面図
【図6】 図5のa−a線、及びc−c線に沿った断面図であり、第1の実施例の第1の工程を示している。
【図7】 図5のa−a線、及びc−c線に沿った断面図であり、図6に続く第2の工程を示している。
【図8】 図5のa−a線、及びc−c線に沿った断面図であり、図7に続く第3の工程を示している。
【図9】 図5のa−a線、及びc−c線に沿った断面図であり、図8に続く第4の工程を示している。
【図10】 図5のa−a線、及びc−c線に沿った断面図であり、図9に続く第5の工程を示している。
【図11】 図5のb−b線、及びc−c線に沿った断面図であり、図10に続く第6の工程を示している。
【図12】 図5のb−b線、及びc−c線に沿った断面図であり、図11に続く第7の工程を示している。
【図13】 図5のa−a線、及びd−d線に沿った断面図であり、図12に続く第8の工程を示している。
【図14】 図5のa−a線、及びd−d線に沿った断面図であり、図13に続く第9の工程を示している。
【図15】 図5のa−a線、及びd−d線に沿った断面図であり、図14に続く第10の工程を示している。
【図16】 図5のa−a線、及びd−d線に沿った断面図であり、図15に続く第11の工程を示している。
【図17】 図5のa−a線、及びd−d線に沿った断面図であり、図16に続く第12の工程を示している。
【図18】 この発明の第2の実施例を示す断面図。
【図19】 この発明の第3の実施例を示す断面図。
【図20】 この発明の第4の実施例を示す断面図。
【図21】 従来のメモリセルを示す平面図。
【図22】 図21の22−22線に沿った断面図。
【図23】 従来のメモリセルの問題点を示す断面図。
【符号の説明】
11…半導体基板、2…導電膜、3…第2絶縁膜、4…第3絶縁膜、5…第4絶縁膜、7…第5絶縁膜、7a…サイドウォールスペーサ、CH…コンタクトホール、8…配線パターン、9…コンタクトホールパターン、13…N型ポリシリコン膜、14…タングステンシリサイド膜、15…窒化シリコン膜、16…ソース/ドレイン拡散層、17…窒化シリコン膜、17a…サイドウォールスペーサ、21…N型ポリシリコン膜、21a…プラグ、30…コンタクトホール、31…酸化シリコン膜、31a…サイドウォールスペーサ、32…N型ポリシリコン膜、32a…プラグ、33…ルテニウム膜、34…BST膜、35…ルテニウム膜、101…素子分離パターン、102…ゲート電極パターン、103…プラグパターン、104…ビット線コンタクトパターン、105…ビット線パターン、106…ストレージノードコンタクトパターン、107…ストレージノード電極パターン、G…ゲート電極、BL…ビット線、L…配線。
Claims (6)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、素子領域を区画する素子分離絶縁膜と、
前記素子領域内に形成され、ゲート絶縁膜と、ワード線に接続されたゲート電極と、ソース/ドレイン領域とを有する複数のMOSトランジスタと、
前記素子分離絶縁膜及び前記MOSトランジスタを覆う第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜内に形成され、前記複数のMOSトランジスタの一方のソース/ドレイン領域に達する複数の第1コンタクトホールと、
前記第1絶縁膜内に形成され、前記MOSトランジスタの他方のソース/ドレイン領域に達する複数の第2コンタクトホールと、
前記複数の第1コンタクトホールを充填する複数の第1導電体プラグと、
前記複数の第2コンタクトホールを充填する複数の第2導電体プラグと、
前記第1絶縁膜と前記複数の第1、第2導電体プラグを覆う第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜内に形成され、前記複数の第1導電体プラグに達する複数のビット線コンタクトと、
前記第2絶縁膜及び複数のビット線コンタクト上に形成され、下部が導電膜、上部が第3絶縁膜で構成される複数のビット線と、
前記第2絶縁膜上及び前記複数のビット線の相互間に形成され、前記第3絶縁膜をストッパーとして平坦化された第4絶縁膜と、
隣接する前記複数のビット線上の前記第3絶縁膜と、前記複数のビット線と直交され所定間隔で配置されたライン/スペース状のコンタクトホールパターンを用いて形成されたフォトレジストとを用いて前記複数のビット線の間に前記第4絶縁膜及び前記第2絶縁膜を貫通して形成され、前記複数の第2導電体プラグに達する複数のストレージノードコンタクト用コンタクトホールと、
前記複数のストレージノードコンタクト用コンタクトホール内部で、少なくとも前記複数のビット線の導電膜の側壁及び前記第2絶縁膜の側壁に形成された第5絶縁膜と、
前記複数のストレージノードコンタクト用コンタクトホール内に充填され、前記複数の第2導電体プラグに接続され、前記複数のビット線の導電膜とは前記第5絶縁膜によって電気的に分離された複数の第3導電体プラグと、前記複数の第3導電体プラグに接続された複数のストレージノード電極と、この複数のストレージノード電極上のキャパシタ絶縁膜と、前記キャパシタ絶縁膜上のプレート電極とを有する複数のキャパシタと
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第3絶縁膜は、窒化シリコン膜、前記第2、第4絶縁膜は酸化シリコン膜であり、前記第5絶縁膜は酸化シリコン膜、及び窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の複合膜の内の1つであり、窒化シリコン膜よりも誘電率が小さいことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 半導体基板と、
前記半導体基板内に形成され、素子領域を区画する素子分離絶縁膜と、
前記素子領域内に形成され、ゲート絶縁膜と、ワード線に接続されたゲート電極と、ソース/ドレイン領域とを有する複数のトランジスタと、
前記素子分離絶縁膜及び前記複数のトランジスタを覆う第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜内に形成され、前記複数のトランジスタの前記ソース/ドレイン領域の一方の領域に達する複数の第1コンタクトホールと、
前記第1絶縁膜内に形成され、前記複数のトランジスタの前記ソース/ドレイン領域の他方の領域に達する複数の第2コンタクトホールと、
前記複数の第1コンタクトホールを充填する複数の第1導電体プラグと、
前記複数の第2コンタクトホールを充填する複数の第2導電体プラグと、
前記第1絶縁膜及び前記複数の第1、第2導電体プラグを覆う第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜内に形成され、前記複数の第1導電体プラグに達する複数のビット線コンタクトと、
前記第2絶縁膜及び前記複数のビット線コンタクトの上に形成された導電膜からなる複数のビット線と、
前記複数のビット線の上に形成された第3絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に形成され、前記第3絶縁膜をストッパーとして平坦化された第4絶縁膜と、
隣接する前記複数のビット線上の前記第3絶縁膜と、前記複数のビット線と直交され所定間隔で配置されたライン/スペース状のコンタクトホールパターンを用いて形成されたフォトレジストとを用いて前記複数のビット線の側部に位置し、前記第4絶縁膜及び第2絶縁膜を貫通して形成され、前記複数の第2導電体プラグに達する複数のストレージノードコンタクト用コンタクトホールと、
少なくとも前記複数のストレージノードコンタクト用コンタクトホールにより露出される前記複数のビット線の側壁及び前記第2絶縁膜の側壁に形成される第5絶縁膜と、
前記複数のストレージノードコンタクト用コンタクトホールを充填し、前記複数の第2導電体プラグに接続され、前記第5絶縁膜により前記ビット線から電気的に分離された複数の第3導電体プラグと、前記複数の第3導電体プラグに接続された複数のストレージノード電極と、この複数のストレージノード電極の上方に設けられたプレート電極と、これらプレート電極とストレージノード電極の相互間に設けられたキャパシタ絶縁膜とを有する複数のキャパシタと
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板の表面領域に形成され、ソース/ドレイン領域及び前記半導体基板の表面から絶縁されたゲート電極を有する複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタを覆う第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に所定間隔離間して形成されたビット線としての複数の第1、第2導電膜と、
前記複数の第1、第2導電膜の上に形成された第2絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上及び前記第1、第2導電膜の間に形成され、前記第2絶縁膜をストッパーとして平坦化された第3絶縁膜と、
前記複数の第1、第2導電膜上の前記第2絶縁膜と、前記複数の第1、第2導電膜と直交され所定間隔で配置され、ライン/スペース状のコンタクトホールパターンを用いて形成されたフォトレジストとを用いて前記第3絶縁膜に形成された複数のコンタクトホールと、
前記複数のコンタクトホール内に充填され、前記トランジスタの前記ソース/ドレイン領域の一方に接続されるストレージノードコンタクトと
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。 - 半導体基板に素子領域を区画する素子分離絶縁膜を形成する工程と、
前記素子分離絶縁膜によって区画された素子領域上に、ゲート絶縁膜と、ワード線に接続されたゲート電極と、ソース/ドレイン領域とを有する複数のMOSトランジスタとを形成する工程と、
前記複数のMOSトランジスタ及び前記素子分離絶縁膜を覆う第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜を局所的にエッチングし、前記素子領域及び前記素子分離絶縁膜上に形成され、前記複数のMOSトランジスタの一方のソース/ドレイン領域に達する複数の第1コンタクトホール、及び前記素子領域上で前記複数のMOSトランジスタの他方のソース/ドレイン領域に達する複数の第2コンタクトホールを前記ゲート電極に対して自己整合的に形成する工程と、
前記複数の第1、第2コンタクトホールを充填する複数の第1、第2導電体プラグを形成する工程と、
前記第1絶縁膜と前記複数の第1、第2導電体プラグを覆う第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜を局所的にエッチングし、前記素子分離絶縁膜の上方で前記複数の第1導電体プラグに達する複数のビット線コンタクトを形成する工程と、
前記第2絶縁膜及び前記複数のビット線コンタクト上に、下部が導電膜、上部が第3絶縁膜で構成される複数のビット線を形成する工程と、
前記第2絶縁膜上及び前記複数のビット線の相互間に前記第3絶縁膜をストッパーとして平坦化された第4絶縁膜を形成する工程と、
前記複数のビット線上の前記第3絶縁膜と、前記複数のビット線と直交され所定間隔で配置された、ライン/スペース状のコンタクトホールパターンを用いて形成されたフォトレジストとをマスクとして前記第4絶縁膜及び第2絶縁膜を局所的にエッチングし、前記複数の第2導電体プラグに達する複数のストレージノードコンタクト用コンタクトホールを、前記複数のビット線に対して自己整合的に形成する工程と、
前記複数のストレージノードコンタクト用コンタクトホール内部で、少なくとも前記ビット線の導電膜の側壁及び前記第2絶縁膜の側壁に第5絶縁膜を形成する工程と、
前記複数のストレージノードコンタクト用コンタクトホール内を充填し、前記複数の第2導電体プラグに接続され、前記複数のビット線の導電膜とは前記第5絶縁膜によって電気的に分離された複数の第3導電体プラグを形成し、前記複数の第3導電体プラグに接続された複数のストレージノード電極、この複数のストレージノード電極上のキャパシタ絶縁膜、前記キャパシタ絶縁膜上にプレート電極を順次形成し複数のキャパシタを形成する工程と
を具備することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。 - 前記第2絶縁膜上及び前記複数のビット線の相互間に第4絶縁膜を形成する工程は、前記第4絶縁膜を全面に堆積する工程と、
前記第3絶縁膜の上面まで前記第4絶縁膜をエッチング除去し、表面を平坦化する工程と
を具備することを特徴とする請求項5記載の半導体記憶装置の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25421895A JP3703885B2 (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 半導体記憶装置とその製造方法 |
US08/720,032 US6130450A (en) | 1995-09-29 | 1996-09-27 | Stacked capacitor-type semiconductor storage device and manufacturing method thereof |
US09/631,830 US6551894B1 (en) | 1995-09-29 | 2000-08-03 | Stacked capacitor-type semiconductor storage device and manufacturing method thereof |
US10/388,462 US6846733B2 (en) | 1995-09-29 | 2003-03-17 | Stacked capacitor-type semiconductor storage device and manufacturing method thereof |
US10/893,914 US7023044B2 (en) | 1995-09-29 | 2004-07-20 | Stacked capacitor-type semiconductor storage device and manufacturing method thereof |
US11/333,412 US7187027B2 (en) | 1995-09-29 | 2006-01-18 | Stacked capacitor-type semiconductor storage device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25421895A JP3703885B2 (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 半導体記憶装置とその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005136211A Division JP4439429B2 (ja) | 2005-05-09 | 2005-05-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0997880A JPH0997880A (ja) | 1997-04-08 |
JP3703885B2 true JP3703885B2 (ja) | 2005-10-05 |
Family
ID=17261911
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25421895A Expired - Fee Related JP3703885B2 (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 半導体記憶装置とその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US6130450A (ja) |
JP (1) | JP3703885B2 (ja) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006245625A (ja) * | 1997-06-20 | 2006-09-14 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
US5907781A (en) * | 1998-03-27 | 1999-05-25 | Advanced Micro Devices, Inc. | Process for fabricating an integrated circuit with a self-aligned contact |
JP3114864B2 (ja) | 1998-04-16 | 2000-12-04 | 日本電気株式会社 | 半導体基板における微細コンタクトおよびその形成方法 |
KR100300063B1 (ko) * | 1998-12-31 | 2001-09-22 | 김영환 | 반도체 메모리 제조방법 |
KR100280288B1 (ko) * | 1999-02-04 | 2001-01-15 | 윤종용 | 반도체 집적회로의 커패시터 제조방법 |
CN1220257C (zh) * | 1999-07-08 | 2005-09-21 | 株式会社日立制作所 | 半导体器件及其制造方法 |
US6589876B1 (en) | 1999-07-22 | 2003-07-08 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming conductive capacitor plugs, methods of forming capacitor contact openings, and methods of forming memory arrays |
KR100474546B1 (ko) * | 1999-12-24 | 2005-03-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 제조방법 |
KR100331568B1 (ko) * | 2000-05-26 | 2002-04-06 | 윤종용 | 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법 |
KR100338781B1 (ko) * | 2000-09-20 | 2002-06-01 | 윤종용 | 반도체 메모리 소자 및 그의 제조방법 |
KR100388477B1 (ko) * | 2000-12-11 | 2003-06-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법 |
JP4883836B2 (ja) * | 2000-12-27 | 2012-02-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100383325B1 (ko) | 2001-01-19 | 2003-05-12 | 삼성전자주식회사 | 셀프-얼라인 콘택을 형성하기 위한 반도체 장치의 배선 및그 형성방법 |
KR100383760B1 (ko) * | 2001-06-26 | 2003-05-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법 |
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CN100336226C (zh) * | 2001-12-14 | 2007-09-05 | 株式会社日立制作所 | 半导体器件 |
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KR100668833B1 (ko) * | 2004-12-17 | 2007-01-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
JP4848638B2 (ja) * | 2005-01-13 | 2011-12-28 | ソニー株式会社 | 半導体素子の形成方法および半導体素子のマウント方法 |
JP4282646B2 (ja) | 2005-09-09 | 2009-06-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
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JP2010050311A (ja) | 2008-08-22 | 2010-03-04 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
KR101076881B1 (ko) * | 2008-12-26 | 2011-10-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 배선 및 형성 방법 |
JP2010165803A (ja) | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置の製造方法及び半導体記憶装置 |
US8436404B2 (en) | 2009-12-30 | 2013-05-07 | Intel Corporation | Self-aligned contacts |
US9761655B1 (en) | 2016-06-20 | 2017-09-12 | International Business Machines Corporation | Stacked planar capacitors with scaled EOT |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH06120447A (ja) | 1992-10-05 | 1994-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の導電層接続構造およびその構造を備えたdram |
JP2528608B2 (ja) | 1993-05-31 | 1996-08-28 | ミクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド | 記憶セルの埋込ビット線アレイを形成する方法 |
JP3284687B2 (ja) * | 1993-08-31 | 2002-05-20 | ソニー株式会社 | 配線パターンの製造方法 |
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JP2765478B2 (ja) * | 1994-03-30 | 1998-06-18 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US5482894A (en) * | 1994-08-23 | 1996-01-09 | Texas Instruments Incorporated | Method of fabricating a self-aligned contact using organic dielectric materials |
US5466639A (en) * | 1994-10-06 | 1995-11-14 | Micron Semiconductor, Inc. | Double mask process for forming trenches and contacts during the formation of a semiconductor memory device |
JP2720796B2 (ja) | 1994-11-15 | 1998-03-04 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3532325B2 (ja) * | 1995-07-21 | 2004-05-31 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
US5631179A (en) * | 1995-08-03 | 1997-05-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of manufacturing metallic source line, self-aligned contact for flash memory devices |
-
1995
- 1995-09-29 JP JP25421895A patent/JP3703885B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-09-27 US US08/720,032 patent/US6130450A/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-08-03 US US09/631,830 patent/US6551894B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-03-17 US US10/388,462 patent/US6846733B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-07-20 US US10/893,914 patent/US7023044B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-01-18 US US11/333,412 patent/US7187027B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040262771A1 (en) | 2004-12-30 |
US6551894B1 (en) | 2003-04-22 |
JPH0997880A (ja) | 1997-04-08 |
US20060124980A1 (en) | 2006-06-15 |
US7023044B2 (en) | 2006-04-04 |
US20030178686A1 (en) | 2003-09-25 |
US6130450A (en) | 2000-10-10 |
US6846733B2 (en) | 2005-01-25 |
US7187027B2 (en) | 2007-03-06 |
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JP4439429B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040601 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050308 |
|
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050719 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090729 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090729 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100729 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110729 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120729 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130729 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |