JP3699716B2 - 磁気ヘッド及びその製造方法、並びに、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置 - Google Patents
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Description
2 TMR素子
3 誘導型磁気変換素子
4a 保護膜
4b 下地層
4c 変化低減層
21 下部電極(下部磁気シールド層)
22 下部金属層
24 ピン層
25 ピンド層
26 トンネルバリア層(酸化物層)
27 フリー層
28 上部金属層
29 上部金属層
30,34 絶縁層
31 上部電極(上部磁気シールド層)
32 縦バイアス層
50 GMR素子
51,52 非磁性金属層
53 電流経路制御層(酸化物層)
Claims (14)
- 基体と、
前記基体の一方の面側に形成され酸化物層を含む磁気抵抗効果層を有する磁気抵抗効果素子と、
磁気記録媒体に対向する側の前記基体の面の少なくとも一部及び前記磁気記録媒体に対向する側の前記磁気抵抗効果素子の端面の上に、形成された保護膜及びその下地層と、
を備え、
前記磁気記録媒体に対向する側の前記酸化物層の端面は、前記磁気記録媒体に対向する側の前記磁気抵抗効果素子の前記端面の一部を形成し、
前記下地層と前記磁気抵抗効果素子の前記端面との間に、少なくとも前記酸化物層の前記端面を覆うように1つ以上の層が介在され、
前記下地層は、酸化物でない材料で構成され、
前記1つ以上の層のうちの最も前記磁気抵抗効果素子の前記端面の側の層は、金属又は半導体の酸化物で構成されたことを特徴とする磁気ヘッド。 - 前記磁気抵抗効果層は、トンネルバリア層と、該トンネルバリア層の一方の面側に形成されたフリー層と、前記トンネルバリア層の他方の面側に形成されたピンド層と、前記ピンド層の前記トンネルバリア層とは反対の側に形成されたピン層と、を含み、
前記酸化物層が前記トンネルバリア層であることを特徴とする請求項1記載の磁気ヘッド。 - 前記磁気抵抗効果層における磁気検出に有効に関与する有効領域が、前記磁気抵抗効果層において膜面と略々垂直な方向に電流が流れる領域であり、
前記磁気抵抗効果層は、非磁性金属層と、前記非磁性金属層の一方の面側に形成されたフリー層と、前記非磁性金属層の他方の面側に形成されたピンド層と、前記ピンド層の前記非磁性金属層とは反対の側に形成されたピン層と、少なくとも前記有効領域と実質的に重なる領域に渡って任意の2つの層間に形成された絶縁領域中に部分的に金属領域を有する電流経路制御層と、を含み、
前記酸化物層が前記電流経路制御層であることを特徴とする請求項1記載の磁気ヘッド。 - 前記保護膜がDLC膜であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の磁気ヘッド。
- 前記下地層がSi又はSiCからなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の磁気ヘッド。
- 前記酸化物は、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Ni、Co、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta及びWからなる群より選ばれた材料の酸化物であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の磁気ヘッド。
- 前記磁気抵抗効果層は、前記酸化物層に隣接して積層された金属層を含み、
前記磁気記録媒体に対向する側の前記金属層の端面は、前記磁気記録媒体に対向する側の前記磁気抵抗効果素子の前記端面の一部を形成し、
前記1つ以上の層は、前記金属層の前記端面を覆うように形成され、
前記1つ以上の層のうちの最も前記磁気抵抗効果素子の前記端面の側の前記層は、前記酸化物層を構成する元素と同じ元素で構成され前記酸化物層の前記端面を覆う部分と、前記金属層を構成する金属と同じ金属の酸化物で構成され前記金属層の前記端面を覆う部分と、を含むことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の磁気ヘッド。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載の磁気ヘッドを製造する製造方法であって、
前記保護膜を形成する前に、前記磁気記録媒体に対向する側の前記磁気抵抗効果素子の前記端面を含む領域に、前記1つ以上の層のうちの最も前記磁気抵抗効果素子の前記端面の側の前記層を、形成する段階を備え、
前記段階は、金属又は半導体を成膜する第1の段階と、該第1の段階により成膜された前記金属又は半導体を酸化させる第2の段階と、を含むことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載の磁気ヘッドを製造する製造方法であって、
前記保護膜を形成する前に、前記磁気記録媒体に対向する側の前記磁気抵抗効果素子の前記端面を含む領域に、前記1つ以上の層のうちの最も前記磁気抵抗効果素子の前記端面の側の前記層を、形成する段階を備え、
前記段階は、金属又は半導体の酸化物をターゲットとして用い、プロセスガスに酸素を用いることなくイオンビームデポジション又はスパッタを行う段階を含むことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 請求項7記載の磁気ヘッドを製造する製造方法であって、
前記保護膜を形成する前に、前記磁気記録媒体に対向する側の前記磁気抵抗効果素子の前記端面を含む領域に、前記1つ以上の層のうちの最も前記磁気抵抗効果素子の前記端面の側の前記層を、形成する段階を備え、
前記段階は、前記磁気抵抗効果素子を構成するべく形成された層の端部を酸化させる段階を含むことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 基体と、前記基体の一方の面側に形成され互いに隣接して積層された酸化物層及び金属層を含む磁気抵抗効果層を有する磁気抵抗効果素子と、磁気記録媒体に対向する側の前記基体の面の少なくとも一部及び前記磁気記録媒体に対向する側の前記磁気抵抗効果素子の端面の上に、形成された保護膜と、を備え、前記磁気記録媒体に対向する側の前記酸化物層及び前記金属層の端面は、前記磁気記録媒体に対向する側の前記磁気抵抗効果素子の前記端面の一部を形成し、前記保護膜と前記磁気抵抗効果素子の前記端面との間に、少なくとも前記酸化物層及び前記金属層の前記端面を覆うように1つ以上の層が介在され、前記1つ以上の層のうちの最も前記磁気抵抗効果素子の前記端面の側の層は、金属又は半導体の酸化物からなり、前記1つ以上の層のうちの最も前記磁気抵抗効果素子の前記端面の側の前記層は、前記酸化物層を構成する元素と同じ元素で構成され前記酸化物層の前記端面を覆う部分と、前記金属層を構成する金属と同じ金属の酸化物で構成され前記金属層の前記端面を覆う部分と、を含む磁気ヘッドを製造する製造方法であって、
前記保護膜を形成する前に、前記磁気記録媒体に対向する側の前記磁気抵抗効果素子の前記端面を含む領域に、前記1つ以上の層のうちの最も前記磁気抵抗効果素子の前記端面の側の前記層を、形成する段階を備え、
前記段階は、前記磁気抵抗効果素子を構成するべく形成された層の端部を酸化させる段階を含むことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 前記保護膜の形成後に、当該保護膜が形成された部材に熱処理を施す段階を備えたことを特徴とする請求項8乃至11のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
- 磁気ヘッドと、該磁気ヘッドが先端部付近に搭載され前記磁気ヘッドを支持するサスペンションと、を備え、前記磁気ヘッドが請求項1乃至7のいずれかに記載の磁気ヘッドであるかあるいは請求項12又は13に記載の製造方法により製造された磁気ヘッドであることを特徴とするヘッドサスペンションアセンブリ。
- 請求項13記載のヘッドサスペンションアセンブリと、該アセンブリを支持するアーム部と、該アーム部を移動させて磁気ヘッドの位置決めを行うアクチュエータと、を備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。
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