JP3694828B2 - フォトリソグラフマスク修復のためのレーザ投射システム及び方法 - Google Patents
フォトリソグラフマスク修復のためのレーザ投射システム及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3694828B2 JP3694828B2 JP2001050391A JP2001050391A JP3694828B2 JP 3694828 B2 JP3694828 B2 JP 3694828B2 JP 2001050391 A JP2001050391 A JP 2001050391A JP 2001050391 A JP2001050391 A JP 2001050391A JP 3694828 B2 JP3694828 B2 JP 3694828B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- laser
- repair
- emitting device
- support structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
- B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
- B23K26/0624—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses using ultrashort pulses, i.e. pulses of 1ns or less
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
本発明は、レーザシステムに関し、特に、表面粒子及び薄膜アブレーションのためのシステム及び方法に関する。
【0002】
集積回路の製造においては、例えば、まず初めに、フォトマスクの像が、シリコンウエハ等上に塗布されたフォトレジスト材すなわちフォトレジスト層上に投影される。これは、一般に、露光ステップとして知られている。フォトマスクは、回路が動作するのに必要な構造に相当するパターン情報を有している。このステップの結果は、レジスト層が、フォトマスク上のマスターパターンに相当するパターンへ、選択的に変化することである。次いで、引き続き行われるプロセス工程を用いて、ウエハを選択的に変化させ、レジスト上に印されたマスク像に対応する回路層を生成する。一連のマスクを用いてウエハ上でこのプロセスを繰り返すことによって、集積回路が形成される。
【0003】
集積回路の小型化、特にフォトマスク形状(features)の寸法の縮小化が絶えず進展するのに伴い、フォトリソグラフ処理のさらなる精緻化の要求も止むことはない。この目的のため、従来のマイクロスコープの能力を高めることが、視認を確実にするのみならず、フォトリソグラフマスク上の欠陥の分析および修正のためにも、望ましい。
【0004】
従来のフォトマスクパターンは、レーザビーム或いは電子ビームの直接描画によって作成される。特に、レジスト材を塗布したブランクマスクは、レーザビーム或いは電子ビームによって走査される。このビームは変調され、オンオフされて、走査ラスタ内の各ポイントにおいてレジスト材を露光しあるいは露光しない。走査または描画が完了すると、レジスト材は現像される。換言すると、ビーム露光されたレジスト材の存在する箇所では、レジスト材は化学的作用によって取り除かれる。このことにより、フォトマスク上に転写したいパターンのイメージがレジスト内に残される。そして、フォトマスクは、湿式プロセスや、酸浴や、RF励起プラズマによるドライエッチングのいずれかを用いてエッチングされる。エッチングが完了すると、レジスト材が取り除かれた箇所では、クロムも取り除かれる。最後に、余剰レジスト材が剥がされ、それにより、たとえば、「クロム層付ガラス板(chrome on glass)」フォトマスクが製造され、検査に回される。
【0005】
この工程は有用であるとみられていたが、フォトマスク製造中にイメージ欠陥がしばしば形成される。これらの欠陥は、一般に、(i)誤配置パターン欠陥、(ii)パターン欠損欠陥、(iii)異物すなわち汚染欠陥として知られている。
【0006】
一般に、誤配置パターン欠陥は、パターニング工程で基板から除去し損なった物質、例えば、もともと存在する物質のしみである。このような欠陥は、マスクパターン上における作用により分類され名づけられている。すなわち、孤立スポット(isolated spots)、エッジ拡張(edge extension)、ブリッジ(bridge)欠陥である。
【0007】
ひるがえって、パターン欠損欠陥は、通常、もともと存在する物質が基板から意図せずに除去されてできたスポットとしてあらわれる。これらの欠陥は、その外観によって分類される。すなわち、ピンホール、エッジ後退(edge intrusion)、断線欠陥である。
【0008】
汚染欠陥すなわちFMについては、マスク表面上にみられる汚染物質の種類によって分類される。厳密な洗浄及び処理手順を適用した場合でも、通常、FM欠陥は残る。さらに、洗浄プロセスは、結局、効果低減(diminishing returns)の犠牲となる。すなわち、1つのFM欠陥を取り除くために用いられるフォトマスクの追加洗浄サイクルは、しばしば、あらたな欠陥を加えることになる。
【0009】
一般に、欠陥密度と欠陥サイズは相反する関係にある。すなわち、欠陥密度が高くなると、欠陥のサイズは減少する。比較的小さなサイズの欠陥は許容される場合もあるが、小型で高速な装置の要求が益々高まるに伴い、最小欠陥の許容誤差はそれに応じて小さくなっている。
【0010】
したがって、誤配置パターンや異物欠陥などを含む、ただしそれらに限定されないが、フォトリソグラフマスク上の比較的小さな欠陥を観察し、分析し、除去するための装置および局所レーザ法が求められている。
【0011】
本発明の一態様によれば、
処理すべきマスクを支持するための構造体と、
マスク修復を実行するためのレーザ放射装置と、
支持構造体に隣接した、マスクの選択的照射のための光源と、
レーザ放射装置から出射するレーザビームの連続的角度操作を実行するためのレーザプロセッサであって、オフアクシスレーザ照射を実行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増的マスク修復を容易にするための電動アパーチャと、像縮小のための光学系と、修復中にマスクを観察するための装置とを含むレーザプロセッサと、
ビームのほぼ完全な波形を獲得し、ターゲット領域に均一な表面露光を生じるように、連続的角度操作を制御するためのコンピュータ装置と、
マスクに対するビームの誘導中におけるマスクの多視点観察のためのマイクロスコープとを備えたことを特徴とするフォトリソグラフマスク修復システムが得られる。
【0012】
本発明の別の態様によれば、
処理すべきマスクを支持するための構造体と、
マスク修復を実行するためのレーザ放射装置と、
支持構造体に隣接した、マスクの選択的照射のための光源と、
レーザ放射装置から出射するレーザビームの連続的角度操作を実行するためのレーザプロセッサであって、オフアクシスレーザ照射を実行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増的マスク修復を容易にするための電動アパーチャと、像縮小のための光学系と、修復中にマスクを観察するための装置とを含むレーザプロセッサと、
ビームのほぼ完全な波形を獲得し、ターゲット領域内に均一な表面露光を生じるように、連続的角度操作を制御するためのコンピュータ装置と、
マスクに対するビームの誘導中におけるマスクの多視点観察のためのマイクロスコープとを備え、コンピュータ装置は、ビームの操作と同時に、ビームの動きの精密制御と、連続的角度操作を実行するための電動アパーチャの制御された動きと、支持構造体の制御された動きと、イメージデータ処理とを実行することを特徴とするフォトリソグラフマスク修復システムが得られる。
【0013】
本発明のさらなる態様によれば、処理すべきマスクを支持するための構造体と、
マスク修復を実行するためのレーザ放射装置と、
支持構造体に隣接した、マスクの選択的照射のための光源と、
レーザ放射装置から出射されるレーザビームの連続的角度操作を実行するためのレーザプロセッサと、
ビームのほぼ完全な波形を獲得し、ターゲット領域内に均一な表面露光を生じるように、連続的角度操作を制御するためのコンピュータ装置と、
マスクに対するビームの誘導中におけるマスクの多視点観察のためのマイクロスコープであって、比較的低倍率のビデオカメラと、比較的高倍率のビデオカメラと、DUV画像化及び透過測定装置とを含むマイクロスコープとを備えたことを特徴とするフォトリソグラフマスク修復システムが得られる。
【0014】
本発明のさらに別の態様によれば、処理すべきマスクを支持するための構造体と、
マスク修復を実行するためのレーザ放射装置と、
支持構造体に隣接した、マスクの選択的照射のための光源と、
レーザ放射装置から出射するレーザビームの連続的角度操作を実行するためのレーザプロセッサと、
ビームのほぼ完全な波形を獲得し、ターゲット領域内に均一な表面露光を生じるように、連続的角度操作を制御するためのコンピュータ装置と、
マスクに対するビームの誘導中におけるマスクの多視点観察のためのマイクロスコープとを備えたことを特徴とするフォトリソグラフマスク修復システムが得られる。
【0015】
本発明のさらに別の態様によれば、
処理すべきマスクと、
レーザ放射装置と、
レーザ放射装置から出射するレーザビームの連続的角度操作を実行するためのレーザプロセッサであって、オフアクシスレーザ照射を実行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増的マスク修復を容易にするための電動アパーチャと、像縮小のための光学系と、修復中にマスクを観察するための装置とを含むレーザプロセッサと、
ビームのほぼ完全な波形を獲得し、ターゲット領域内に均一な表面露光を生じるように、連続的角度操作を制御するためのコンピュータ装置と、
マスクに対するビームの誘導中におけるマスクの多視点観察のためのマイクロスコープとを備えたことを特徴とするフォトリソグラフマスク修復システムが得られる。
【0017】
本発明の別の実施態様は、
i.相対的に静止し、隔離された支持構造体上にフォトマスクを載置するステップと、
ii.マスク修復を実行するためのレーザ放射装置を活性化するステップと、
iii.支持構造体に隣接した、マスクの選択的照射のための光源を駆動するステップと、
iv.レーザ放射装置から出射するレーザビームに、レーザビームの連続的角度操作を実行するためのレーザプロセッサであって、レーザビームオフアクシス照射を実行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増的マスク修復を容易にするための電動アパーチャと、像縮小のための光学系と、修復中にマスクを観察するための装置とを含むレーザプロセッサを通過させるステップと、
v.ビームのほぼ完全な波形を獲得し、ターゲット領域内に均一な表面露光を生じるように、連続的角度操作を制御するステップと、
vi.連続的角度操作と同時に、マスクに対するビームの誘導中におけるマスクの多視点観察を行ない、ビームの動きの精密制御と、連続的角度操作を実行するための電動アパーチャの制御された動きと、支持構造体の制御された動きと、イメージデータ処理とを実行するステップとを有することを特徴とするフォトリソグラフマスク修復方法に関する。
【0018】
本発明のさらなる実施態様は、
i.マスク修復を実行するためのレーザ放射装置を活性化するステップと、
ii.相対的に静止し、隔離された支持構造体上にフォトマスクを載置するステップと、
iii.支持構造体に隣接した、マスクの選択的照射のための光源を駆動するステップと、
iv.レーザ放射装置から出射されたレーザビームに、レーザビームの連続的角度操作を実行するためのレーザプロセッサであって、レーザビームのオフアクシス照射を実行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増的マスク修復を容易にするための電動アパーチャと、像縮小のための光学系と、修復中にマスクを観察するための装置とを含むレーザプロセッサを通過させるステップと、
v.ビームのほぼ完全な波形を獲得し、ターゲット領域内に均一な表面露光を生じるように、連続的角度操作を制御するステップと、
vi.連続的角度操作と同時に、マスクに対するビームの誘導中におけるマスクの多視点観察を行ない、ビームの動きの精密制御と、連続的角度操作を実行するための電動アパーチャの制御された動きと、支持構造体の制御された動きと、イメージデータ処理とを実行するステップとを有することを特徴とするフォトリソグラフマスク修復方法である。
【0019】
本発明の別の実施態様は、
i.マスク修復を実行するためのレーザ放射装置を活性化させるステップと、
ii.支持構造体に隣接した、マスクの選択的照射のための光源を駆動するステップと、
iii.相対的に静止し、隔離された支持構造体上にフォトマスクを載置するステップと、
iv.レーザ放射装置から出射するレーザビームに、レーザビームの連続的角度操作を実行するためのレーザプロセッサであって、レーザビームのオフアクシス照射を実行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増的マスク修復を容易にするための電動アパーチャと、像縮小のための光学系と、修復中にマスクを観察するための装置とを含むレーザプロセッサを通過させるステップと、
v.ビームのほぼ完全な波形を獲得し、ターゲット領域内に均一な表面露光を生じるように、連続的角度操作を制御するステップと、
vi.連続的角度操作と同時に、マスクに対するビームの誘導中におけるマスクの多視点観察を行ない、ビームの動きの精密制御と、連続的角度操作を実行するための電動アパーチャの制御された動きと、支持構造体の制御された動きと、イメージデータ処理とを実行するステップとを有することを特徴とするフォトリソグラフマスク修復方法である。
【0020】
したがって、本発明の目的は、フォトリソグラフマスク修復のための改良されたシステムおよび方法を提供することである。
【0021】
本発明の別の目的は、フォトリソグラフマスク修復における精度を向上させることである。
【0022】
本発明のさらなる目的は、フォトリソグラフマスク修復に用いられるレーザビームの解像度を高めることである。
【0023】
本発明のさらに別の目的は、フォトリソグラフマスクの表面欠陥を観察し、分析し、除去するためのシステムを提供するとである。
【0024】
本発明のさらに別の目的は、マスク修復中にフォトリソグラフマスクをリアルタイムで観察するためのシステムを提供することである。
【0025】
本発明のさらに別の目的は、フォトリソグラフマスクの多視点観察とそれに対する誘導のためのシステムを提供することである。
【0026】
本発明のさらなる目的は、上面基準(top reference)を保ちながら、種々の厚さのフォトマスクを装填するための方法を提供することである。
【0027】
本発明のさらに別の目的は、フォトリソグラフマスク上のパターンの観察と同時にレーザ修復を行なうに適した照射を提供することである。
【0028】
本発明の別の目的は、像倍率と、照射波長と、照射角度及び/または偏光(polarization)を変更することにより、ユーザに提示されるフォトリソグラフマスクの像を改善し制御するためのシステムを提供することである。
【0029】
本発明のさらに別の目的は、オフアクシスレーザ照射を用いてフォトリソグラフマスクの欠陥観察を向上させることである。
【0030】
本発明のさらに別の目的は、機械視覚(machine vision)を用いた欠陥修復プロセスにおいて、フォトリソグラフマスクの繰り返し制御を提供することである。
【0031】
本発明のさらなる目的は、バックラッシュのないフォーカスメカニズムを駆動とオートフォーカスを備えた、フォトリソグラフマスクを修復するためのシステムを提供することである。
【0032】
本発明の別の目的は、ガラス基板から不透明な膜を、フォトマスクから異物を、優先的に除去するためのレーザ加工プロセスの選択性を向上させることである。
【0033】
本発明のさらに別の目的は、ペリクル化したフォトマスク上の不透明欠陥及び異物を排除するとともに、フォトマスク修復の近傍における除去物質の堆積を排除することである。
【0034】
以下、本発明を、図面を参照して説明するが、これは、添付の請求項を限定することを意図したものではない。
【0035】
図面全体において、同一の番号は、同様の要素を示すために用いられる。本発明のその他の目的及び利点は、以下の好ましい実施の形態の説明から明らかになろう。
【0036】
【好ましい実施の形態】
さて、図面、特に図1〜図19を参照すると、本発明の種々の態様による、レーザ照射システム10及びフォトリソグラフマスク修復方法の例が概略的に示されている。図1に示されているように、このシステムは、処理すべきフォトマスク11を支持するためのステージシステム20と、マスク修復を実行するためのレーザ放射装置30と、支持構造に隣接した、マスクの選択的照射のための光源50とを含んでいる。レーザビームプロセッサ60は、レーザ放射装置から出射されるレーザビーム31の連続的角度操作を実行する。プロセッサは、オフアクシスレーザ照射を実行するための調節可能なビームスプリッタ70と、漸増的マスク修復を容易にするための電動アパーチャアセンブリ80と、像拡大のための光学系90と、修復中のマスクを観察するための装置100とを含んでいる。
【0037】
コンピュータ装置110は、ビームのほぼ完全な波形を獲得し、ターゲット領域内により均一な表面露光を生じるように、連続的角度操作を制御する。コンピュータ装置110は、ビームの操作と同時に、ビームの動きの精密制御と、連続的角度操作を実行するための電動アパーチャの制御された動きと、支持構造体の制御された動きと、イメージデータ処理とを実行する。マイクロスコープ120は、マスクに対するビームの誘導中におけるマスクの多視点観測を行う。
【0038】
一般に、アパーチャの通過時の回折パターンを生成するために、単色コヒーレント光源が必要とされる。しかしながら、光学イメージシステムに用いられる従来のマイクロスコープは、光の一部分のみを集めるにすぎない。最適な視認を達成するためには、回折パターンが生成されるか、アパーチャの像に完全に変換されなくてはならない。この点において、回折の次数が高くなるほど、含まれる空間周波数成分の数が多くなる。したがって、イメージ品質は、主に、回折パターンの部分、すなわちフリンジ数を、どのくらい多く集めるかによって支配される。
【0039】
図2及び図3に示されているように、本発明は、ビームプロセッサ60が、レーザビーム31の一連の連続的角度ショット(及び各ビームの対応する波形)を、フォトマスクにおける単一の合成像に統合するという革新的な照射手法を提供する。これにより、アパーチャ像の均一性が大きく向上し、フォトマスク修復のスケール(scale)に対する精度を増すだけでなく、フォトマスク上に投影される像の精度をも増加させる。
【0040】
図4及び図5に概略的に示される、本発明の動作要素について、マスク装填部20Aは、3次元の、前端開放箱型構造体21を含んでいる。構造体内部には、対向する側壁上に水平に配置されたレール23及び24が形成され、使用中でないフォトマスクホルダすなわちカセット26を、スライド可能に収容し、保持し、保管する。構造体の上面25に載っているのは、カセット26であり、これは、システム上にフォトマスク11を繰り返し、上面基準を保ちながら、装填するために用いられるマスク受入ステーション22を備えている。
【0041】
取り外し可能な「ピック」28を用いて、各フォトマスクは、カセットに載置され、修復のためにそこに固定される。すなわち、図4Aに最も良く示されているように,フォトマスクの端部がマスク受入ステーションのコーナーにあるタブ/リフトばね装置(lift spring)27a、27bに係合し、フォトマスクの反対側の端部で中央に位置するラッチアセンブリ27cと係合しているとき、フォトリソグラフ修復が実行可能である。構造体上面は、作業中の振動や他の機械的干渉を最小限に抑えるために、例えば花崗岩などの、硬質で、重く、稠密で、並外れた制動品質をもつ物質から構成されることが望ましい。
【0042】
図5Aに最もよく示されているように、空気制動装置、すなわちステージブレーキ装置29が、構造体とカセットの係合或いは離脱のために、構造体上面とカセットの間に設けられている。係合時には、レーザ発生源と、レーザ処理光学系と、マイクロスコープと、サブステージ照射器と、フォトマスクとを搭載するために、硬い静止したプラットフォームが形成される。このプラットフォームは、フォトマスク観察及び修復中の振動による干渉を最小限にする。
【0043】
図5Bに示されているように、収納(stowed)状態では、カセットはステージ構造体から離されている。ステージブレーキ29a、29b及びサーボは「オフ」状態にあり、構造体は、例えば摩擦力などの、機械的干渉によりその位置を維持することが好ましい。一方、カセットが動作位置にある場合、ブレーキは「オン」で、カセットは構造体に係合している。この状態は図5Cに示されている。望ましくは、ステージ構造体は、サーボ動作によって適正な位置にカセットを保持する。図5B及び図5Cに示されているように、最適な画像のために、本発明によれば、レーザ及び画像化システムが、フォトマスク表面及びカセット上方に選択された距離をおいて配置されることが好ましい。
【0044】
図6を参照して、レーザ放射装置30は、好ましくは、増幅されたチタンサファイアすなわちTi:Sレーザ32を備えた従来の工業用レーザシステム31を含んでいる。本発明の一態様によれば、システム31は、約82MHz、約100フェムト秒パルスで作動する発振器33を有している。発振器は信号34を発生し、これは、一対の第1の回転ミラー35a、35bによって、適正なパルスレートを選択するためのパルス選択器36に導かれる。そして、信号は、各パルスの持続期間を効果的に延伸する光学パルスストレッチャ37を通過する。その後、信号は第2の回転ミラー38a、38bに導かれてTi:Sレーザ32を通過し、次に、第3の回転ミラー39により導かれてマルチパス増幅器40に向かい、第2の回転ミラー38bに戻り、Ti:Sレーザ源などを通過する。十分に増幅されると、第4の回転ミラー41はレーザビームをレーザビームパルス圧縮器42に導く。
【0045】
図6Aに示されているように、ビームパルス圧縮器を通過後、ビームは回転ミラーによって曲げられ、モータ駆動される(即ち電動の)半波長板43と、例えばλ1800nm〜λ2400nmの第2高調波発生用のLBO44を連続して通過する。次に、このビームはビームスプリッタ/高調波セパレータ45を通過する。このビームスプリッタによって導かれるビーム成分は、その後、ビーム強度を約50%削減するビームスプリッタ46に結合する。最後に、ビームスプリッタ46により導かれる成分は、その目的地であるSHG出力エネルギーメータ47Cに到達する。ビームスプリッタ45を通過したビームの分離された成分の方は、増幅器エネルギーメータ47bに到達する。ビームスプリッタ46を通過したビームの分離された成分は、適宜散逸される。
【0046】
上記と代替的にあるいは同時に、レーザ放出装置は、ヘリウムカドミウムすなわちHe:Cdレーザビーム48を含んでいる。ビーム48は、レーザ放射装置の外部に設けた装置により出射されることが好ましい。回転ミラー38aから38bへ、そしてTi:Sレーザ32へビームを導くと、第1のビーム成分は、上述したようにレーザ32を通過する。レーザ入口に隣接したビームスプリッタにより、第2のビーム成分が分離される。すなわち、レーザへの導入前に分離される。第2の成分は、外部装置とレーザとの間に位置するポンプエネルギーメータ47aに導かれる。他の代替的実施例においては、当業者であれば理解されるように、ネオジム、イットリウムアルミニウムガーネット、すなわちNd:Yagレーザビームが同様に用いられる。
【0047】
本発明を、増幅されたTi:Sレーザや、He:Cdレーザや、Nd:Yagレーザに関して説明したが、本発明の目的を考慮して、他の高強度単色光源を用いてもよいことは言うまでもない。さらに、これらの基本レーザの高調波も、本発明の趣旨及び範囲内にあるものと考えられる。
【0048】
さて、光源50について、好ましくは、サブステージ照射器51が、フォトマスク11の選択的照射のために、ステージシステム20に隣接してその下側に設けられている。この概略説明の装置が、図1、図7及び図8に概略的に示されている。図7及び図8に最もよく示されているように、支持構造体53の上に搭載されたランプハウス52は、光源として機能する。やはり構造体53に搭載された回転ミラー54a、54bは、ランプハウス52から出射された光を減衰器55と波長選択器56を介して、回転ミラー57に導き、この回転ミラー57は、フォトマスクの所望の照射のために光を導き位置づける。回路基板58は照度(degree of illumination)や、減衰の程度(extent of attenuation)や、選択される波長や、回転ミラー57の位置づけの制御を可能にする。上述したサブステージ照射器はケーラー照明器として知られており従来のものと考えられる。
【0049】
図1に示されているように、サブステージ照明器は、光、例えば水銀キセノンすなわちHgXeアークランプによって得られる光のスペクトルから照射波長を選択するための電動選択器62内に設けた一連の、例えば4つの、細線幅光学フィルタ(narrow line width optical filter)61を備えていることが好ましい。サブステージコンデンサ63は、透過照射(transmitted illumination)を提供する。コンデンサ63は、一般には垂直方向、すなわち光学軸に沿って並進移動する可動ステージに搭載される。これにより、マイクロスコープシステムによって集められる照射の強度ならびに照射の円錐角度を変化させることができる。
【0050】
本発明をケーラー照明器を用いて説明したが、本発明の目的を考慮して、他の照明装置を用いることもできることは言うまでもない。
【0051】
図9に示されているように、レーザビームプロセッサ60は、レーザ放射装置30から射出されたレーザビームの連続的角度操作を実行する。ビームプロセッサ60は、オフアクシスレーザ照射を実行するための調節可能なビームスプリッタ70と、漸増的マスク修復を容易にするための電動アパーチャ80と、像拡大のための光学系90と、修復中にマスクを観察するための装置100とを含んでいる。
【0052】
本発明の中核にあるのは、レーザ放射装置からのレーザビーム31を受けるビームスプリッタ70である。ビームスプリッタ70は、例えば3次元の調節可能な傾斜した部分反射鏡或いは研磨ガラス片である「リーキー(漏れ)(leaky)」ミラーなどの第1のプロセッサ回転ミラー71を有している。望ましくは、このミラーは99.9999%の光の透過を許容する。目的とするところは、レーザビーム中に「揺動(wiggle)」を与え、これにより、連続的角度操作に必要なオフセットを生成することである。
【0053】
ミラー71を通過した光は、第2のビームスプリッタすなわち調節可能なプロセッサ回転ミラー72に導かれる。このミラーもまた「リーキー」ミラーであることが好ましい。好ましくは、ミラー72は、動作中には選択された固定位置にあり、レーザビームの第1のスプリット32を電動アパーチャアセンブリ80を通過するように導く。主要なビーム処理機能、特に、漸増的マスク修復は、アパーチャアセンブリによって実行される。図1及び図11〜図13に示されているように、ビーム32は、最初にアセンブリのアパーチャ81を通過し、次に像縮小用のレンズ82を通過する。図13に示されているように、アパーチャは動作状態すなわち全開状態にある。レンズ82は、対応する、例えば約200mmの、焦点距離を有している。その後、ビームは、ビームスプリッタ83に結合し、ビームスプリッタ83はこのビームを一般には下向き方向に導く。
【0054】
上述した構成は、所望のターゲット領域、すなわちフォトマスクへのレーザビームの正確な動きを実行するために特に好適である。レーザ照射されたアパーチャの投影像を、中継レンズをビーム伝播と略直交する方向に並進移動すること(以下「ビーム精密移動」)により、マイクロスコープの対物レンズ視野内に移動させる。並進移動レンズは拡大の前とブレーキの係止中に作動するので、ビーム精密移動により正確度、精密度及び解像度が増す。ビーム位置の微少な変化をなすためには、レンズシステムの比較的大きな移動が必要である。
【0055】
次に、ビームは、選択されたレンズすなわち対物レンズ84、換言すると、対物レンズ85、86、87、88、89のいずれかを通過する。本発明の一態様によれば、対物レンズ85〜89は、それぞれ、5X、10X、40X、50X、100Xの倍率を有している。図15及び図16に示されるように、これらの対物レンズは、好ましくは、選択的電動操作、特に、フォトマスクに対する誘導のための電動レボルバーアセンブリ、すなわちマイクロスコープタレット59に搭載されている。実施に際して、ビーム32は、フォトリソグラフマスク修復のために、フォトマスク(すなわち修復部位)上に導かれる。
【0056】
本発明は、さらに修復領域のレーザ露光の均一化を容易にする。レーザビームは高コヒーレント光源であるので、アパーチャの照射に用いる場合、このコヒーレンスにより、投影像中に顕著なフリンジすなわち強度変動が生じる。その結果、レーザ線量が、露光領域を横切って変化される。修復効果を増加させるためには、修復領域を均一に露光することが望ましい。
【0057】
修復領域の均一な露光は、2つの方法で達成される。その1つは、一連の修復パルス列が出射するごとに、アパーチャに入射するレーザビームの角度あるいは位置を変化させる。これにより、各パルスによって変化したフリンジパターンが生成され、その時間平均した結果として、より均一な露光領域が得られる。この領域を均一に露光する2つめの方法は、修復パルス列の出射につれてアパーチャの大きさを変えることである。この方法もまた、各パルスに対して変化したフリンジパターンを生成する。欠陥を完全に除去するために、アパーチャを通過する最後のパルスについてアパーチャの大きさを増加させる。
【0058】
ビームスプリッタ72によって発生させた他のすなわち第2のビーム33は、像拡大のための光学系90を通過して戻る。図1、図9及び図10に示されているように、光学系90は一連のレンズ91、92、93を有し、各レンズは約30mmの焦点距離をもつ。この構成は、比較的短い距離94で、急速な像拡大を提供する。その後、スポットマーカー(spot marker)照射カメラ101等の装置100が、修復中のフォトマスクを観察するために適宜使用される。カメラ101の光学画像化機能及び画像処理機能は、以下に詳しく述べるようにコンピュータ装置110によって行われる。
【0059】
さて、フォトマスク操作について、ビデオマイクロスコープなどのマイクロスコープ120は、観察機能だけでなく、分析機能も備えている。本発明の一態様によれば、図1に最も良く示されているように、マイクロスコープは、誘導中にフォトマスクを観察し、撮像し、分析するための、少なくとも2つの、好ましくは3つの装置を有している。第1の装置すなわちカメラ121は、標準的な、低倍率の、たとえば、640x480本の、低解像度のビデオカメラであることが望ましい。この目的のため、サブステージ照射器51からマスクを通過して進む光は、対物レンズ85〜89のうちの1つを通過して、最小限の損失で集光される。つぎに、この光は、ビームスプリッタ83を通過する。ビームスプリッタによって方向転換された第1の光ビーム122は、反射光照射器中継レンズアセンブリ123の通過中に集束される。一方、第2のビーム124はレンズ81と、アパーチャ81と、ビームスプリッタ72とを通過して戻り、レンズ91〜93を通過し、主として、修復中のマスクを観察するための装置101に導かれる。
【0060】
第1のカメラ121の動作時には、第1のビームは、ビームスプリッタ125によって第3のビーム126と第4のビーム127に分離される。第3のビームは視野絞り128を介して案内され、つぎに回転ミラー129によって方向転換されてレンズ130を通過する。レンズ130は、徐々に像拡大を実行するために、選択された、例えば約100mmの、焦点距離を有している。レンズ130を通過後、第3のビーム126は、回転ミラー131を介して導かれ別のレンズ132を通過する。このレンズ132は、さらなる像拡大を容易にするために、レンズ130よりも短い焦点距離、例えば約50mmの焦点距離をもつ。得られる像は、カメラ121によって観察することができる。レンズ130、132は、対物レンズの視野全体を画像化するために適宜選択され、調節される。
【0061】
比較的高倍率、高解像度の観察が必要な場合には、マイクロスコープの第2の装置すなわちカメラ132が結合される。その動作時には、ビームスプリッタ125により生成された第4のビームは、第3のビームに代わって観察される。詳細には、第4のビームは(スプリッタ125を通過した後)、視野絞り133及びレンズ134をそれぞれ通過する。レンズ134は、像サイズを縮小するために、例えば約100mmの焦点距離を有している。次に、第4のビームは、このビームを最終的にカメラ132のアパーチャに導くための一連の回転ミラー135、136、137を通過する。カメラ132は、標準的な、高倍率の、例えば、1024x1024のような高解像度のビデオカメラであることが好ましい。
【0062】
上記と代替的にあるいは同時に、第3の装置すなわちDUV画像化及び透過測定装置138が、誘導中にマスクを観察し分析するために備えられる。この装置は、カメラ121及び132と比較して、拡張された分光感度、すなわち、人間の眼で見えるよりも、より短い波長における拡張された性能を提供する。これにより、優れた解像度が得られる。第3の装置は、任意に、カメラ121及び132とともにマイクロスコープ120内に組み込むことができる。この組込みは、ビームスプリッタ139を回転ミラー136と137との間に配置することにより達成され、ビームスプリッタは第4のビームを第5および第6のビーム140及び141に分離する。すなわち、第5のビームは、観察のための第3の装置138に導かれ、第6のビームは、高倍率高解像度の観察が求められる場合にカメラ132に導かれる。
【0063】
さらに、図10には、本発明の1実施例において、マイクロスコープアームアセンブリが示されている。このアセンブリは、たとえば、誘導中にフォトマスクを観察するための第5の装置すなわちカメラ121を搭載するカメラスタンド149を含んでいる。また、レンズ91、92、93をそれぞれ搭載する一連のレンズホルダー130、131、150及び回転ミラー129がさらに設けられている。電動アパーチャアセンブリ80が、サブステージ照射器からの光を受光するために配置されている。バックラッシュ防止zコラム焦点(anti-backlash z-column focusing)システム152が、アームアセンブリの選択的調節のために適宜配置される。さらに、電動波長板が、欠陥を透過した光が受ける位相シフトの結果として、部分的に透過性の欠陥をより見やすくするために備えられている。
【0064】
本発明によれば、バックラッシュ防止zコラム焦点システム152は、図14及び15に最も良く示されている。このシステムは、例えば±0.50インチの範囲の調整誤差をもつ粗動並進ステージ142と、例えば±50μmの範囲の調整誤差を有する微調整動作の微動並進ステージ143とを備えている。粗動ステージは、マイクロスコープタレット59と対物レンズ84をフォトマスクの近傍で移動させるため、ステッパモータ144及び40TPIなどの複巻きステッピングモータリードスクリュー(compound stepping motor lead screw)145を用いている。
【0065】
つぎに、微動調整が、微動並進ステージを用いることによって行われる。このステージは、一般には上下方向、すなわちマスクに近づいたりマスクから遠ざかったりする方向における、マイクロスコープの対物レンズに非常に精密動きを行なわせるために、圧電(PZT)並進器146及びPZT予荷重スプリング147を組み合わせて有している。この構成は、リードスクリュー145の方向の変化の際のバックラッシュやデッドスペースの除去に好適である。この構成は、また、例えば約10nmという選択された許容範囲内に、マイクロスコープの対物レンズを正確に且つ双方向的に位置づけ維持する。
【0066】
マイクロスコープ120ならびに本発明の他の動作要素の動作は、コンピュータ装置110、特に図1、図17、図18に概略的に示されているコンピュータ制御装置111によって監視され制御される。例えば工業的レベルの、ペンティアム(登録商標)2プロセッサ搭載のコンピュータで、例えば21″モニタなどのディスプレイ117やマウス、ジョイスティック、キーボード等の入力装置118を備えたメインコンピュータ112によって、適切なデータ処理機能が得られる。このコンピュータには、画像処理機能113と、モータ制御機能114と、ステージシステム制御機能115と、レーザ操作機能116のために、たとえば、従来のソフトウェアなどをプログラミングするアプリケーションを内蔵している。
【0067】
画像処理機能は、スポットマーカー照射カメラ101及びビデオマイクロスコープのカメラシステム、すなわち低倍率カメラ121と高倍率カメラ132と光学DUV画像化化及び透過測定装置138に対して備えられている。モータ制御機能114は、漸増的マスク修復のための電動アパーチャ80の制御された操作と、回転レーザミラー71の漸増的移動と、ビデオカメラ焦点機能と、同様の移動制御を行う。X−Yステージシステムの移動及び制御を供与する機能115は、操作上、他の機能からは分離区別されることが好ましく、その実用性は、当業者であれば容易に理解されよう。レーザ機能116については、同期したレーザビーム活性化及び制御を行う。
【0068】
一般に、機能113〜116は、ディスプレイスクリーンすなわちオペレータ用モニタ117と、ジョイスティックやマウスやキーボード等の入力装置118とを用いてユーザにより相互作用的な働きをさせることができる。例えば、倍率の変更は、例えばジョイスティックを用いてコンピュータディスプレイメニュ119上で適切なコマンドを選択することにより行われる。同様に、電動アパーチャに対して漸増的移動の大きさの変更が求められる場合には、この変更を実行するための情報がメニュ119を用いて入力される。同様に、レーザビームの連続的角度操作を実行するための増分を、たとえば漸増移動4から10へ、変更するためには、例えばジョイスティックを用いて適切な情報をメニュ上の制御機能へ入力し、これにより対応する変更が行われる。ユーザによって制御可能な別の機能は、フォトマスクに対する誘導中に倍率を変更するためにマイクロスコープタレットを駆動することである。この機能もまたメニュ駆動である。
【0069】
メインコンピュータ112とオペレータ用モニタ117と入力装置118に加えて、コンピュータ制御システム111がエネルギーメータ47a〜c、すなわちポンプエネルギーメータ47aと、増幅器エネルギーメータ47bと、SHG出力エネルギーメータ47cに近接して収容されていることが好ましい。この構成は、図17に示されている。さらに、緊急停止パドル装置153が、レーザ射出装置10の自動シャットダウンのために設けられている。この点において、ユーザの観察及びシステム制御は、サービスモニタ154によって容易に行なわれる。
【0070】
さて、図18を参照して、オペレータによるアクセスを容易にするために、望ましくはシステム後部に圧電並進器(PZT(Piezoelectric Translator)ドライブ)146を配置し、その下方に、修復部増幅器ボックス155(RUAB(Repair Unit Amplifier Box))を設けている。さらに、電源入力をもつ比較的低電圧の電源156が、好ましくは上述したアセンブリに隣接して設けられ、その下に、システム電力分配制御装置157及び電子装置相互接続パネル158が配置される。最後に、レーザ射出装置の性能の最適化を容易にするために、この構成の底部にレーザクーラを配置する。
【0071】
図19に概略的に示されているように、上述した本発明の構成要素すなわち特徴は、選択されたひとつの特徴あるいは特徴の組合せとして、ハウジング160内に任意に設けられる。これは、システム要素を保護し、システムオペレーションのための隔離され制御された環境を提供するだけでなく、システムの実用性及び美観を高めるためになされる。種々のシステム要素の中で、ステージシステム20とオペレータ用モニタ117と入力装置118は、当業者であればわかるように、ユーザが容易にアクセス可能でなければならない。
【0072】
動作においては、本発明のレーザ投射システムは、種々の厚さのフォトマスクを装填し、その上面基準を保つための新規な方法を提供する。この方法は、観察及び修復中にフォトマスク11を保持し操作するステージシステム20によって遂行される。特に、マスクホルダすなわち構造体21の特殊なサブシステム設計により、種々の厚さのマスクを用いることだけでなく、比較的高NAのマイクロスコープ対物レンズ85〜89の、例えば0.0001インチ程度の非常に小さい作業距離内でその作業面の位置決めを繰り返すことが可能となる。
【0073】
本発明の別の実施の形態は、フォトリソグラフマスク修復の方法に関する。最初に、フォトマスクは、相対的に静止しかつ分離された支持構造体上に載置される。つぎに、レーザ放射装置を活性化して、マスク修復を行なう。支持構造体に隣接した光源もまた活性化されて、マスクの選択的照射を行なう。あるいは、光源を最初に活性化し、レーザ放射装置を駆動し、ついでフォトマスクを支持構造体に搭載してもよい。
【0074】
次に、レーザ放射装置から出射されるレーザビームに、レーザビームの連続的角度操作を実行するためにレーザプロセッサを通過させる。このレーザプロセッサは、レーザビームのオフアクシス照射を実行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増的マスク修復を容易にするための電動アパーチャと、像縮小のための光学系と、修復中にマスクを観察するための装置とを含んでいる。その後、連続的角度操作は、ビームのほぼ完全な波形を獲得できるように制御される。連続的角度操作と同時に、マスクに対するビームの誘導中にマスクの多視点観察が行われ、ビームの動きの精密制御が行われ、連続的角度操作を実行するために電動アパーチャの制御された動きが行われ、支持構造体の動きが制御され、イメージデータが処理される。
【0075】
本発明による別の方法は、空気ベアリングステージシステムのロックに関する。一般に、最適な性能を達成するために、レーザ射出システムはステージブレーキシステム29を備えている。例えば、図5Aに示されているように、ステージシステムをロックするために、ステージブレーキ29a、29bの空気圧が解除され、これらのブレーキはステージ構造体の上面と接触する。特に、活性時に、これらのブレーキは、浮上しているステージ要素を構造体上面25(花崗岩ベースとして知られる)にロックする。この構成は、じゅうぶんな摩擦を提供してステージ及びフォトマスクを静止状態に保持する。つぎに、サーボゲインをゼロに設定し、干渉計及びモータを位置決め作業から効果的に切り離す。ステージシステムのロック解除をするためには、上述したステップを逆に行えばよい。すなわち、サーボゲインを最初にゼロに設定し、そして構造体の上面から離れるように、ステージブレーキに圧力を加える。上述した構成は、ステージ位置(X、Y、Z)を乱すことなくフォトマスクを係合したり離したりできるため特に有益である。
【0076】
本発明の別の方法は、像倍率や、照射波長や、照射角度及び/または偏光を変更することにより、フォトマスクパターン中の欠陥をもつ像を改善することに関する。このことは、いくつかの装置を統合することにより達成できる。まず、図16に示されているように、5個の対物レンズ85〜89を備えた電動タレット59を用いることにより、欠陥の大きさに対応する倍率を選択し、所望の観察精度を可能となる。この特徴を、フォトマスクの欠陥を検知可能にするために、4つの狭線幅光学フィルタ、可動サブステージコンデンサ、および電動波長板と組合せる。
【0077】
総体的に言えば、本発明によって、フォトマスクの照射と、観察と、フォトマスク上のパターン修復を同時に行うことができる。そのバックラッシュ防止及び無限遠補正の光学マイクロスコープにより、画像化のために通常用いられるシステム内にレーザエネルギを結合するためのビームスプリットミラーを包含することが可能となる。オフアクシスレーザ照射を用いることにより、欠陥観察もまた、かなり向上した。微小欠陥によって拡散した光の一部は、マイクロスコープシステムにより集光されて、オペレータにより小さな重要部分に注意を払わせる。このようにして、フォトマスクパターン内の非常に小さな欠陥が容易に検出可能となる。
【0078】
本発明はさらに、修復結果のプレビューを可能とする。特に、修復領域をプレビューするためのリアルタイムシステムが、レーザアパーチャの後ろにカメラを配置することにより形成される。カメラは、サブステージ照射器により背後から照らされたアパーチャの像を受け取る。アパーチャは、マイクロスコープ画像と結合した視野平面(field plane)内にあるように定められるため、レーザパルスに露光すべき領域におけるマスクの像も観察可能である。このプレビュー機能は、ビームの動きの精密調整及びステージブレーキシステムの組合せにより、50nm弱(sub 50nm)よりも良好な精度での端部欠陥の修復を可能とする。
【0079】
本発明の別の利点は、修復箇所近傍における被除去物質の付着を除去あるいは分散することである。アブレーションによって取り除かれた少量の物質は、通常、直径約30ミクロンの円形領域内で均一な薄膜としてマスク上に堆積する。堆積した膜は、それに被覆されたマスクパターンのクリア領域における光透過をかなり減少させる。移動気体雰囲気を形成することにより、堆積される膜は、大幅に希釈され、その結果膜はより大きな領域に広がり、修復部位に隣接するクリア領域における光透過を増加させる。
【0080】
あるいは、修復結果は、欠陥物質を集めることにより改善される。例えば、電極が修復箇所の近傍に配置される。イオン化粒子が放出され、表面に堆積する前に集められ、修復部位に隣接するクリア領域における光透過を増加させる。
【0081】
本発明のさらなる利点は、まわりに形成された酸化雰囲気により機械加工効率が高まることである。このことは、500nmを下回る波長のレーザ放射を吸収するハロカーボン(CBr2F2あるいはCF4)ガスによって達成される。ハロカーボン分子は、レーザ放射によって光分解され、レーザ除去速度を向上させる活性化された酸化性フッ素ラジカルを生成する。
【0082】
要するに、本発明のレーザ射出システムは、以下の特徴を提供する。種々の厚さのフォトマスクを装填し上面基準を保持する。フォトマスクの照射と同時にフォトマスク上のパターンを観察しフォトマスクの修復を可能とする。像倍率や、照射波長や、照射角度及び/または偏光を変更することにより画像を向上させる。オフアクシスレーザ照射を用いて欠陥観察を向上させる。機械視覚を用いて欠陥修復工程を繰り返し制御する。バックラッシュなしに焦点メカニズムを駆動する。マイクロスコープシステムを自動焦点合わせする。空気ベアリングステージシステムをロックする。レーザターゲット相互作用領域を定める。ビームをターゲット領域に正確に移動させる。修復結果のプレビューを行なう。ペリクル化したフォトマスク上の不透明欠陥を修復する。ペリクル化したフォトマスク上の異物欠陥を修復する。あるいは、ペリクル化したフォトマスク上の不透明欠陥を修復する。あるいは、フォトマスク上の異物欠陥を修復する。修復領域におけるレーザ露光を均一化する。不透明欠陥を除去する。異物欠陥を除去する。修復箇所近傍の除去された材料の堆積を排除する。あるいは、除去された材料を収集する。酸化性雰囲気を形成することにより機械加工効率を向上させる。ガラス基板から不透明な膜を優先的に取り除くレーザ加工プロセスの選択性を向上させる。フォトマスクからこのような物質を優先的に取り除くレーザ加工工程の選択性を向上させる。
【0083】
本発明の種々の修正や変更は、この開示を読むことに基づいて可能であろう。このような変更や追加は、添付の請求項により規定される本発明の範囲及び趣旨に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施の形態によるフォトリソグラフマスク修復のためのシステム及び方法の概念図である。
【図2】図1に記載のシステムに従って製造されたアパーチャを通過したビームの回折の結果である選択されたビーム強度の側面を表す概念図。
【図3】図1に記載のシステムに従って製造されたアパーチャを通過したビームの回折の結果である多数のビーム強度の側面を表す概念図。
【図4】本発明の1実施の態様による装填ステーション及びカセットをとともにフォトマスクを保持するステージシステムの斜視図。
【図4A】カセットを装填している際の、タブ、リフトスプリング、及びラッチ組立体を示す、図4のラインA−Aに沿って得られる断面図。
【図5】本発明の別の実施の態様による装填ステーション及びカセットをとともにフォトマスクを保持するステージシステムの斜視図。
【図5A】図5に表されたステージシステムのためのステージブレーキの概念平面図。
【図5B】収納状態における、図5Aのステージブレーキの概念側面図。
【図5C】稼動状態における、図5Aのステージブレーキの概念側面図。
【図6】本発明の1実施の形態によるレーザ放射装置の部分概念図。
【図6A】図6に記載の装置の別の部分概念図。
【図7】本発明によるサブステージ照射器の側面図。
【図8】図7に示されているサブステージ照射器の平面図。
【図9】本発明によるレーザビームプロセッサの概念図。
【図10】本発明によるマイクロスコープアーム組立体の側面図。
【図11】図10に記載の電動アパーチャ組立体の断面図。
【図12及び図13】図12はフロントプレート及び移動されたPCB組立体を伴う、図11に示された組立体の平面図、図13はクリア領域または完全開口状態における図12に示されたアパーチャの断面図。
【図14】ステップモータ、圧電精密フォーカス、バックラッシ防止z−コラムを表している本発明のステップモータ組立体の斜視図。
【図15】マイクロスコープレボルバー組立体を表している図14のバックラッシ防止z−コラムの概念、断面図。
【図16】マイクロスコープタレット及びレボルバー組立体を表している図15に記載の組立体の底面図。
【図17】本発明のコンピュータ制御システムの正面図。
【図18】図17の制御システムの背面斜視図。
【図19】本発明の別の実施の形態によるレーザ射出システムの斜視図。
Claims (23)
- 処理すべきマスクを支持するための構造体と、
マスク修復を実行するためのレーザ放射装置と、
前記支持構造体に隣接した、前記マスクの選択的照射のための光源と、
前記レーザ放射装置から出射するレーザビームの連続的角度操作を実行するためのレーザプロセッサであって、オフアクシス(off-axis)レーザ照射を実行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増的マスク修復を容易にするための電動アパーチャと、像縮小のための光学系と、修復中に前記マスクを観察するための装置とを含むレーザプロセッサと、
前記ビームのほぼ完全な波形を獲得できるように、前記連続的角度操作を制御するためのコンピュータ装置と、
前記マスクに対する前記ビームの誘導中における前記マスクの多視点観察のためのマイクロスコープとを備えたことを特徴とするフォトリソグラフマスク修復システム。 - 前記マスク支持構造体は、格納式プラットフォームであることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記レーザ放射装置は、増幅されたTi:Sレーザ光を出射することを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記レーザ放射装置は、He:Cd光を出射することを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記レーザ放射装置は、Nd:Yag光を出射することを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記コンピュータ装置は、前記レーザの操作と同時に、前記ビームの動きの精密制御を実行することを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記コンピュータ装置は、前記ビームの動きの精密制御と同時に、前記連続的角度操作を実行するための前記電動アパーチャの制御された動きを実行することを特徴とする請求項6に記載のシステム。
- 前記コンピュータ装置は、前記電動アパーチャの動きを制御すると同時に、前記支持構造体の制御された動きを実行することを特徴とする請求項7に記載のシステム。
- 前記コンピュータ装置は、前記プラットフォームの動きを制御すると同時に、イメージデータを処理することを特徴とする請求項8に記載のシステム。
- 前記マイクロスコープは、前記マスクを観察し分析するためのビデオマイクロスコープであることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記マイクロスコープは、比較的低倍率のビデオカメラ及び比較的高倍率のビデオカメラを含むことを特徴とする請求項10に記載のシステム。
- 前記マイクロスコープは、DUV(Deep UltraViolet)画像化及び透過測定システムを含むことを特徴とする請求項10に記載のシステム。
- 処理すべきマスクを支持するための構造体と、
マスク修復を実行するためのレーザ放射装置と、
前記支持構造体に隣接した、前記マスクの選択的照射のための光源と、
前記レーザ放射装置から出射するレーザビームの連続的角度操作を実行するためのレーザプロセッサであって、オフアクシスレーザ照射を実行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増的マスク修復を容易にするための電動アパーチャと、像縮小のための光学系と、修復中に前記マスクを観察するための装置とを含むレーザプロセッサと、
前記ビームのほぼ完全な波形を獲得できるように、前記連続的角度操作を制御するためのコンピュータ装置と、
前記マスクに対する前記ビームの誘導中における前記マスクの多視点観察のためのマイクロスコープとを備え、前記コンピュータ装置は、前記ビームの操作と同時に、前記ビームの動きの精密制御と、前記連続的角度操作を実行するための前記電動アパーチャの制御された動きと、前記支持構造体の制御された動きと、イメージデータ処理とを実行することを特徴とするフォトリソグラフマスク修復システム。 - 前記マスク支持構造体は、格納式プラットフォームであることを特徴とする請求項13に記載のシステム。
- 前記レーザ放射装置は、増幅されたTi:S光を出射することを特徴とする請求項13に記載のシステム。
- 前記レーザ放射装置は、He:Cd光を出射することを特徴とする請求項13に記載のシステム。
- 前記レーザ放射装置は、Nd:Yag光を出射することを特徴とする請求項13に記載のシステム。
- 処理すべきマスクを支持するための構造体と、
マスク修復を実行するためのレーザ放射装置と、
前記支持構造体に隣接した、前記マスクの選択的照射のための光源と、
前記レーザ放射装置から出射されるレーザビームの連続的角度操作を実行するためのレーザプロセッサと、
前記ビームのほぼ完全な波形を獲得できるように、前記連続的角度操作を制御するためのコンピュータ装置と、
前記マスクに対する前記ビームの誘導中における前記マスクの多視点観察のためのマイクロスコープであって、比較的低倍率のビデオカメラと、比較的高倍率のビデオカメラと、DUV画像化及び透過測定装置とを含むマイクロスコープとを備えたことを特徴とするフォトリソグラフマスク修復システム。 - 処理すべきマスクを支持するための構造体と、
マスク修復を実行するためのレーザ放射装置と、
前記支持構造体に隣接した、前記マスクの選択的照射のための光源と、
前記レーザ放射装置から出射するレーザビームの連続的角度操作を実行するためのレーザプロセッサと、
前記ビームのほぼ完全な波形を獲得できるように、前記連続的角度操作を制御するためのコンピュータ装置と、
前記マスクに対する前記ビームの誘導中における前記マスクの多視点観察のためのマイクロスコープとを備えたことを特徴とするフォトリソグラフマスク修復システム。 - 処理すべきマスクと、
マスク修復を実行するためのレーザ放射装置と、
前記レーザ放射装置から出射するレーザビームの連続的角度操作を実行するためのレーザプロセッサであって、オフアクシスレーザ照射を実行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増的マスク修復を容易にするための電動アパーチャと、像縮小のための光学系と、修復中に前記マスクを観察するための装置とを含むレーザプロセッサと、
前記ビームのほぼ完全な波形を獲得できるように、前記連続的角度操作を制御するためのコンピュータ装置と、
前記マスクに対する前記ビームの誘導中における前記マスクの多視点観察のためのマイクロスコープとを備えたことを特徴とするフォトリソグラフマスク修復システム。 - i.相対的に静止し、隔離された支持構造体上にフォトマスクを載置するステップと、
ii.マスク修復を実行するためのレーザ放射装置を活性化するステップと、
iii.前記支持構造体に隣接した、前記マスクの選択的照度照射のための光源を駆動するステップと、
iv.前記レーザ放射装置から出射するレーザビームに、前記レーザビームの連続的角度操作を実行するためのレーザプロセッサであって、前記レーザビームオフアクシス照射を実行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増的マスク修復を容易にするための電動アパーチャと、像縮小のための光学系と、修復中に前記マスクを観察するための装置とを含むレーザプロセッサを通過させるステップと、
v.前記ビームのほぼ完全な波形を獲得できるように、前記連続的角度操作を制御するステップと、
vi.前記連続的角度操作と同時に、前記マスクに対するビームの誘導中における前記マスクの多視点観察を行ない、前記ビームの動きの精密制御と、前記連続的角度操作を実行するための前記電動アパーチャの制御された動きと、前記支持構造体の制御された動きと、イメージデータ処理とを実行するステップとを有することを特徴とするフォトリソグラフマスク修復方法。 - i.マスク修復を実行するためのレーザ放射装置を活性化するステップと、
ii.相対的に静止し、隔離された支持構造体上にフォトマスクを載置するステップと、
iii.前記支持構造体に隣接した、前記マスクの選択的照射のための光源を駆動するステップと、
iv.前記レーザ放射装置から出射されたレーザビームに、前記レーザビームの連続的角度操作を実行するためのレーザプロセッサであって、前記レーザビームのオフアクシス照射を実行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増的マスク修復を容易にするための電動アパーチャと、像縮小のための光学系と、修復中に前記マスクを観察するための装置とを含むレーザプロセッサを通過させるステップと、
v.前記ビームのほぼ完全な波形を獲得できるように、前記連続的角度操作を制御するステップと、
vi.前記連続的角度操作と同時に、前記マスクに対するビームの誘導中における前記マスクの多視点観察を行ない、前記ビームの動きの精密制御と、前記連続的角度操作を実行するための前記電動アパーチャの制御された動きと、前記支持構造体の制御された動きと、イメージデータ処理とを実行するステップとを有することを特徴とするフォトリソグラフマスク修復方法。 - i.マスク修復を実行するためのレーザ放射装置を活性化させるステップと、
ii.前記支持構造体に隣接した、前記マスクの選択的照射のための光源を駆動するステップと、
iii.相対的に静止し、隔離された支持構造体上にフォトマスクを載置するステップと、
iv.前記レーザ放射装置から出射するレーザビームに、前記レーザビームの連続的角度操作を実行するためのレーザプロセッサであって、前記レーザビームのオフアクシス照射を実行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増的マスク修復を容易にするための電動アパーチャと、像縮小のための光学系と、修復中に前記マスクを観察するための装置とを含むレーザプロセッサを通過させるステップと、
v.前記ビームのほぼ完全な波形を獲得できるように、前記連続的角度操作を制御するステップと、
vi.前記連続的角度操作と同時に、前記マスクに対するビームの誘導中における前記マスクの多視点観察を行ない、前記ビームの動きの精密制御と、前記連続的角度操作を実行するための前記電動アパーチャの制御された動きと、前記支持構造体の制御された動きと、イメージデータ処理とを実行するステップとを有することを特徴とするフォトリソグラフマスク修復方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/512580 | 2000-02-24 | ||
US09/512,580 US6341009B1 (en) | 2000-02-24 | 2000-02-24 | Laser delivery system and method for photolithographic mask repair |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002023346A JP2002023346A (ja) | 2002-01-23 |
JP3694828B2 true JP3694828B2 (ja) | 2005-09-14 |
Family
ID=24039692
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001050391A Expired - Fee Related JP3694828B2 (ja) | 2000-02-24 | 2001-02-26 | フォトリソグラフマスク修復のためのレーザ投射システム及び方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6341009B1 (ja) |
EP (1) | EP1130465A3 (ja) |
JP (1) | JP3694828B2 (ja) |
CA (1) | CA2338271C (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020170897A1 (en) * | 2001-05-21 | 2002-11-21 | Hall Frank L. | Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser |
KR100740938B1 (ko) * | 2001-08-30 | 2007-07-19 | 삼성전자주식회사 | 레이저 조사 표지를 가지는 박막 트랜지스터 기판 |
DE10297658B4 (de) * | 2002-02-20 | 2013-09-19 | Carl Zeiss Sms Ltd. | Verfahren und System zum Reparieren defekter Photomasken |
DE10230755A1 (de) * | 2002-07-09 | 2004-01-22 | Carl Zeiss Jena Gmbh | Anordnung zur Herstellung von Photomasken |
DE602004015453D1 (de) * | 2003-06-23 | 2008-09-11 | Bridgestone Firestone North Am | Verfahren und system zum markieren von reifen |
US7170030B2 (en) * | 2003-09-12 | 2007-01-30 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for repair of reflective photomasks |
US8084866B2 (en) | 2003-12-10 | 2011-12-27 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic devices and methods for filling vias in microelectronic devices |
US7091124B2 (en) * | 2003-11-13 | 2006-08-15 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming vias in microelectronic devices, and methods for packaging microelectronic devices |
US7486705B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-02-03 | Imra America, Inc. | Femtosecond laser processing system with process parameters, controls and feedback |
US20050247894A1 (en) | 2004-05-05 | 2005-11-10 | Watkins Charles M | Systems and methods for forming apertures in microfeature workpieces |
US7232754B2 (en) | 2004-06-29 | 2007-06-19 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic devices and methods for forming interconnects in microelectronic devices |
US7425499B2 (en) * | 2004-08-24 | 2008-09-16 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming interconnects in vias and microelectronic workpieces including such interconnects |
SG120200A1 (en) | 2004-08-27 | 2006-03-28 | Micron Technology Inc | Slanted vias for electrical circuits on circuit boards and other substrates |
US7300857B2 (en) | 2004-09-02 | 2007-11-27 | Micron Technology, Inc. | Through-wafer interconnects for photoimager and memory wafers |
US20060132544A1 (en) * | 2004-12-21 | 2006-06-22 | Corley Richard E Jr | Laser tacking and singulating method and system |
US7271482B2 (en) | 2004-12-30 | 2007-09-18 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming interconnects in microelectronic workpieces and microelectronic workpieces formed using such methods |
US7795134B2 (en) | 2005-06-28 | 2010-09-14 | Micron Technology, Inc. | Conductive interconnect structures and formation methods using supercritical fluids |
US7262134B2 (en) | 2005-09-01 | 2007-08-28 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpieces and methods for forming interconnects in microfeature workpieces |
US7622377B2 (en) * | 2005-09-01 | 2009-11-24 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpiece substrates having through-substrate vias, and associated methods of formation |
US7863187B2 (en) | 2005-09-01 | 2011-01-04 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpieces and methods for forming interconnects in microfeature workpieces |
US7749899B2 (en) | 2006-06-01 | 2010-07-06 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic workpieces and methods and systems for forming interconnects in microelectronic workpieces |
JP2008016825A (ja) * | 2006-06-09 | 2008-01-24 | Canon Inc | 露光装置、除去方法及びデバイス製造方法 |
US7629249B2 (en) * | 2006-08-28 | 2009-12-08 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpieces having conductive interconnect structures formed by chemically reactive processes, and associated systems and methods |
US7902643B2 (en) | 2006-08-31 | 2011-03-08 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpieces having interconnects and conductive backplanes, and associated systems and methods |
SG150410A1 (en) | 2007-08-31 | 2009-03-30 | Micron Technology Inc | Partitioned through-layer via and associated systems and methods |
US7884015B2 (en) | 2007-12-06 | 2011-02-08 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming interconnects in microelectronic workpieces and microelectronic workpieces formed using such methods |
JP5126547B2 (ja) * | 2009-03-10 | 2013-01-23 | オムロン株式会社 | Cvd薄膜の形成方法及び装置 |
JP4922381B2 (ja) * | 2009-11-06 | 2012-04-25 | 株式会社東芝 | パターン検査装置及びパターン検査方法 |
CN113649687B (zh) * | 2021-08-31 | 2022-10-25 | 西安交通大学 | 一种基于层间差异的激光加工后壁组合防护方法及*** |
Family Cites Families (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1540064A (en) | 1975-07-08 | 1979-02-07 | Atomic Energy Authority Uk | Laser removal of material from workpieces |
JPS5227372A (en) * | 1975-08-27 | 1977-03-01 | Hitachi Ltd | Photo mask processing system and its device |
US4114018A (en) | 1976-09-30 | 1978-09-12 | Lasag Ag | Method for ablating metal workpieces with laser radiation |
US4218142A (en) * | 1978-03-08 | 1980-08-19 | Aerodyne Research, Inc. | Mask analysis |
US4347001A (en) * | 1978-04-03 | 1982-08-31 | Kla Instruments Corporation | Automatic photomask inspection system and apparatus |
US4316074A (en) | 1978-12-20 | 1982-02-16 | Quantronix Corporation | Method and apparatus for laser irradiating semiconductor material |
US4413342A (en) | 1980-11-20 | 1983-11-01 | Quantronix Corporation | Method and apparatus for frequency doubling a laser beam |
US4507789A (en) | 1981-09-30 | 1985-03-26 | Quantronix Corporation | YAG Laser system |
US4509175A (en) | 1982-09-14 | 1985-04-02 | Quantronix Corporation | Segmented YAG laser rods and method of manufacture |
US4507787A (en) | 1982-09-28 | 1985-03-26 | Quantronix Corporation | Segmented YAG laser rods and methods of manufacture |
DE3245939C2 (de) | 1982-12-11 | 1985-12-19 | Fa. Carl Zeiss, 7920 Heidenheim | Vorrichtung zur Erzeugung eines Bildes des Augenhintergrundes |
US4926489A (en) * | 1983-03-11 | 1990-05-15 | Kla Instruments Corporation | Reticle inspection system |
DE3462568D1 (en) | 1983-10-28 | 1987-04-09 | Gretag Ag | Laser device for processing work pieces |
US4729372A (en) | 1983-11-17 | 1988-03-08 | Lri L.P. | Apparatus for performing ophthalmic laser surgery |
US4665913A (en) | 1983-11-17 | 1987-05-19 | Lri L.P. | Method for ophthalmological surgery |
US5207668A (en) | 1983-11-17 | 1993-05-04 | Visx Incorporated | Method for opthalmological surgery |
US5219343A (en) | 1983-11-17 | 1993-06-15 | Visx Incorporated | Apparatus for performing ophthalmogolical surgery |
DE3342531A1 (de) | 1983-11-24 | 1985-06-05 | Max Planck Gesellschaft | Verfahren und einrichtung zum erzeugen von kurz dauernden, intensiven impulsen elektromagnetischer strahlung im wellenlaengenbereich unter etwa 100 nm |
DE3422144A1 (de) | 1984-06-14 | 1985-12-19 | Josef Prof. Dr. 6900 Heidelberg Bille | Geraet zur darstellung flaechenhafter bereiche des menschlichen auges |
DE3422143A1 (de) | 1984-06-14 | 1985-12-19 | Josef Prof. Dr. Bille | Geraet zur wafer-inspektion |
ATE80955T1 (de) * | 1984-06-20 | 1992-10-15 | Gould Inc | Laserverfahren zur photomaskenreparatur. |
DE3424825A1 (de) | 1984-07-06 | 1986-02-06 | Gerd Prof. Dr.-Ing. 6101 Roßdorf Herziger | Verfahren und einrichtung zum bearbeiten von werkstuecken mittels laserstrahl |
DE3427611A1 (de) | 1984-07-26 | 1988-06-09 | Bille Josef | Laserstrahl-lithograph |
IL75998A0 (en) | 1984-08-07 | 1985-12-31 | Medical Laser Research & Dev C | Laser system for providing target tissue specific energy deposition |
US4677286A (en) | 1985-02-14 | 1987-06-30 | Quantronix Corporation | Method and apparatus for autofocusing a microscope |
US4617666A (en) | 1985-04-17 | 1986-10-14 | Quantronix Corporation | Frequency doubling a laser beam by using intracavity type II phase matching |
US4637026A (en) | 1985-04-17 | 1987-01-13 | Quantronix Corporation | Frequency doubling a Q-switched laser beam by using intracavity Type II phase matching |
US4618957A (en) | 1985-04-17 | 1986-10-21 | Quantronix Corporation | Frequency doubling a laser beam by using intracavity type II phase matching |
US5230970A (en) * | 1985-05-20 | 1993-07-27 | At&T Bell Laboratories | Method of forming metal regions |
CA1284823C (en) | 1985-10-22 | 1991-06-11 | Kenneth K. York | Systems and methods for creating rounded work surfaces by photoablation |
US4793694A (en) | 1986-04-23 | 1988-12-27 | Quantronix Corporation | Method and apparatus for laser beam homogenization |
EP0263193A1 (de) | 1986-10-04 | 1988-04-13 | Helmut K. Pinsch GmbH & Co. | Verfahren und Vorrichtung zur Steigerung des Wohlbefindens eines Lebewesens |
US4778693A (en) | 1986-10-17 | 1988-10-18 | Quantronix Corporation | Photolithographic mask repair system |
US4764930A (en) | 1988-01-27 | 1988-08-16 | Intelligent Surgical Lasers | Multiwavelength laser source |
US4901718A (en) | 1988-02-02 | 1990-02-20 | Intelligent Surgical Lasers | 3-Dimensional laser beam guidance system |
US4881808A (en) | 1988-02-10 | 1989-11-21 | Intelligent Surgical Lasers | Imaging system for surgical lasers |
US4848340A (en) | 1988-02-10 | 1989-07-18 | Intelligent Surgical Lasers | Eyetracker and method of use |
US4907586A (en) | 1988-03-31 | 1990-03-13 | Intelligent Surgical Lasers | Method for reshaping the eye |
DE68919328T2 (de) | 1988-10-28 | 1995-05-24 | Ibm | Ultraviolette Laserablation und Ätzen von organischen Feststoffen. |
US5269778A (en) | 1988-11-01 | 1993-12-14 | Rink John L | Variable pulse width laser and method of use |
US5098426A (en) | 1989-02-06 | 1992-03-24 | Phoenix Laser Systems, Inc. | Method and apparatus for precision laser surgery |
US5148445A (en) | 1989-04-24 | 1992-09-15 | Quantronix Corp. | High power Nd:YLF solid state lasers |
US4942586A (en) | 1989-04-25 | 1990-07-17 | Intelligent Surgical Lasers Inc. | High power diode pumped laser |
US4988348A (en) | 1989-05-26 | 1991-01-29 | Intelligent Surgical Lasers, Inc. | Method for reshaping the cornea |
US4988163A (en) | 1989-08-17 | 1991-01-29 | Quantronix Corp. | Infrared laser system for surgical purposes employing compound fiber probe |
US5606534A (en) | 1989-09-01 | 1997-02-25 | Quantronix, Inc. | Laser-based dimensioning system |
US5422861A (en) | 1989-09-01 | 1995-06-06 | Quantronix, Inc. | Measuring method and apparatus |
US5105392A (en) | 1989-09-01 | 1992-04-14 | Quantronix, Inc. | Measuring method and apparatus |
US5220536A (en) | 1989-09-01 | 1993-06-15 | Quantronix, Inc. | Measuring method and apparatus |
US5042015A (en) | 1989-09-01 | 1991-08-20 | Quantronix, Inc. | Measuring method and apparatus |
DE3934587C2 (de) | 1989-10-17 | 1998-11-19 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Herstellen von mittels Laserstrahlung erzeugter, hochpräziser Durchgangsbohrungen in Werkstücken |
US5062702A (en) | 1990-03-16 | 1991-11-05 | Intelligent Surgical Lasers, Inc. | Device for mapping corneal topography |
JP3150322B2 (ja) | 1990-05-18 | 2001-03-26 | 株式会社日立製作所 | レーザによる配線切断加工方法及びレーザ加工装置 |
US5312396A (en) | 1990-09-06 | 1994-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Pulsed laser system for the surgical removal of tissue |
US5164565A (en) * | 1991-04-18 | 1992-11-17 | Photon Dynamics, Inc. | Laser-based system for material deposition and removal |
DE4119024C2 (de) | 1991-06-10 | 1996-04-04 | Technolas Laser Technik Gmbh | Vorrichtung zur schonenden und exakten Photoablation für photorefraktive Chirurgie |
US5289407A (en) | 1991-07-22 | 1994-02-22 | Cornell Research Foundation, Inc. | Method for three dimensional optical data storage and retrieval |
US5235606A (en) | 1991-10-29 | 1993-08-10 | University Of Michigan | Amplification of ultrashort pulses with nd:glass amplifiers pumped by alexandrite free running laser |
US5454902A (en) | 1991-11-12 | 1995-10-03 | Hughes Aircraft Company | Production of clean, well-ordered CdTe surfaces using laser ablation |
US5246435A (en) | 1992-02-25 | 1993-09-21 | Intelligent Surgical Lasers | Method for removing cataractous material |
JP2600096B2 (ja) | 1992-10-06 | 1997-04-16 | 名古屋大学長 | 表面微量欠陥の定量方法 |
US5663569A (en) * | 1993-10-14 | 1997-09-02 | Nikon Corporation | Defect inspection method and apparatus, and defect display method |
US5656186A (en) | 1994-04-08 | 1997-08-12 | The Regents Of The University Of Michigan | Method for controlling configuration of laser induced breakdown and ablation |
US5636028A (en) | 1995-06-29 | 1997-06-03 | Quantronix, Inc. | In-motion dimensioning system for cuboidal objects |
US5720894A (en) | 1996-01-11 | 1998-02-24 | The Regents Of The University Of California | Ultrashort pulse high repetition rate laser system for biological tissue processing |
US6002695A (en) | 1996-05-31 | 1999-12-14 | Dpss Lasers, Inc. | High efficiency high repetition rate, intra-cavity tripled diode pumped solid state laser |
JPH10122817A (ja) * | 1996-10-16 | 1998-05-15 | Nec Corp | レーザマスクリペアでのマスクの位置合せ方法 |
JPH10223512A (ja) * | 1997-02-10 | 1998-08-21 | Nikon Corp | 電子ビーム投影露光装置 |
US5943351A (en) | 1997-05-16 | 1999-08-24 | Excel/Quantronix, Inc. | Intra-cavity and inter-cavity harmonics generation in high-power lasers |
JPH1172905A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-03-16 | Toshiba Corp | フォトマスク修復方法、検査方法、検査装置及びフォトマスク製造方法 |
US6849363B2 (en) * | 1997-06-27 | 2005-02-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for repairing a photomask, method for inspecting a photomask, method for manufacturing a photomask, and method for manufacturing a semiconductor device |
JPH11179579A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-06 | Sony Corp | 光軸補正方法、装置及びそれを利用した露光加工装置 |
-
2000
- 2000-02-24 US US09/512,580 patent/US6341009B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-02-23 EP EP01104638A patent/EP1130465A3/en not_active Withdrawn
- 2001-02-26 CA CA2338271A patent/CA2338271C/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-26 JP JP2001050391A patent/JP3694828B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1130465A2 (en) | 2001-09-05 |
CA2338271A1 (en) | 2001-08-24 |
CA2338271C (en) | 2010-07-20 |
US6341009B1 (en) | 2002-01-22 |
JP2002023346A (ja) | 2002-01-23 |
EP1130465A3 (en) | 2004-09-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3694828B2 (ja) | フォトリソグラフマスク修復のためのレーザ投射システム及び方法 | |
US6951627B2 (en) | Method of drilling holes with precision laser micromachining | |
US4504726A (en) | Pattern generator | |
JP3996135B2 (ja) | リソグラフィー装置およびデバイス製造方法 | |
JP2019536995A (ja) | 検査装置用の照明源、検査装置、及び検査方法 | |
JP2003506828A (ja) | 光電陰極の高開口数照光を用いた電子ビームコラム | |
JP2003524182A (ja) | 基板の断面の画像化装置 | |
US11657492B2 (en) | Reticle backside inspection method | |
JP2016528698A (ja) | 装置及び方法 | |
CN109557653B (zh) | 一种基于算法恢复的差分共聚焦显微成像方法和装置 | |
KR102656123B1 (ko) | 결함 최적화를 위한 레티클 배치의 제어 | |
JP2760802B2 (ja) | 集束イオンビーム処理装置 | |
JP2002014053A (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
KR20010041139A (ko) | 마스크 패턴 이미징 방법, 리쏘그래피 투사 장치 및 리쏘그래피 마스크 | |
JPH0290119A (ja) | レーザ描画機の集光光学装置 | |
JP2541440B2 (ja) | レ―ザプロセス装置 | |
JP2007196275A (ja) | レーザ加工装置 | |
JPH05228671A (ja) | エキシマレーザ加工機 | |
JP2023544485A (ja) | 顕微鏡 | |
KR100700369B1 (ko) | 리소그래피 장치, 조명시스템 및 euv 방사선의투영빔을 제공하는 방법 | |
JP2004226939A (ja) | 欠陥検査装置、欠陥検査方法並びにこれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
CN113137926B (zh) | 一种可用于特种工况下的平面测量*** | |
JPH11304420A (ja) | 光ビーム照射位置検出方法、照射位置検出用プレート、及び異物検出装置 | |
KR100800579B1 (ko) | 면광 발생 장치 및 그를 이용한 면광 발생 방법 | |
JP2005326522A (ja) | 偏光ビームスプリッタ、光分離装置、露光装置、レーザ装置、マスク検査装置、及び高分子結晶の加工装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041001 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041027 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20050124 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20050215 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050426 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050525 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050615 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090708 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100708 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110708 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110708 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120708 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120708 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130708 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |