JPH11186170A - 成膜方法及び成膜装置 - Google Patents
成膜方法及び成膜装置Info
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- JPH11186170A JPH11186170A JP35273597A JP35273597A JPH11186170A JP H11186170 A JPH11186170 A JP H11186170A JP 35273597 A JP35273597 A JP 35273597A JP 35273597 A JP35273597 A JP 35273597A JP H11186170 A JPH11186170 A JP H11186170A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 成膜後に残留する副生成物により排出経路が
詰ってしまうことのない成膜方法及び成膜装置を提供す
る。 【解決手段】 成膜対象を石英ボート１４に搭載し、こ
の石英ボート１４が搬入された反応炉１３内に反応ガス
を導入し、成膜対象に成膜処理を行う成膜装置におい
て、反応炉１３の外に設置され、成膜処理後に石英ボー
ト１４を反応炉１３の外で加熱してこの石英ボート１４
に付着する反応副生成物を気化させる電熱ヒータ１７を
備えた。
詰ってしまうことのない成膜方法及び成膜装置を提供す
る。 【解決手段】 成膜対象を石英ボート１４に搭載し、こ
の石英ボート１４が搬入された反応炉１３内に反応ガス
を導入し、成膜対象に成膜処理を行う成膜装置におい
て、反応炉１３の外に設置され、成膜処理後に石英ボー
ト１４を反応炉１３の外で加熱してこの石英ボート１４
に付着する反応副生成物を気化させる電熱ヒータ１７を
備えた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
成膜方法及び成膜装置に関し、特に、成膜処理後に成膜
対象物の支持手段を反応容器の外で加熱し、支持手段に
付着する反応副生成物を気化させて、成膜後に残留する
副生成物により排出経路が詰ってしまうことのない成膜
方法及び成膜装置に関するものである。
成膜方法及び成膜装置に関し、特に、成膜処理後に成膜
対象物の支持手段を反応容器の外で加熱し、支持手段に
付着する反応副生成物を気化させて、成膜後に残留する
副生成物により排出経路が詰ってしまうことのない成膜
方法及び成膜装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、半導体デバイスを形成する場合の
絶縁膜として、ＬＰ−ＳｉＮ膜が多用されている。この
ＬＰ−ＳｉＮ膜は、縦型減圧ＣＶＤ装置を用い、反応ガ
スとしてＮＨ3 ガスとＳｉＨ2 Ｃｌ2 ガスを使用して成
膜するのが一般的である。この場合、成膜の反応は、２
ＮＨ3 ＋ＳｉＨ2 Ｃｌ2 →Ｓｉ＋２ＮＨ4 Ｃｌとなり、
反応副生成物であるＮＨ4 Ｃｌ（塩化アンモニウム）が
発生する。この塩化アンモニウムは、温度が約１００℃
以下になると白い粉状になってパーティクル発生或いは
配管詰りの原因となる。従って、この減圧ＣＶＤ装置に
おいてＬＰ−ＳｉＮ膜を成膜する場合には、反応炉内に
塩化アンモニウムを入り込ませないようにすることがパ
ーティクル低減のために重要である。
絶縁膜として、ＬＰ−ＳｉＮ膜が多用されている。この
ＬＰ−ＳｉＮ膜は、縦型減圧ＣＶＤ装置を用い、反応ガ
スとしてＮＨ3 ガスとＳｉＨ2 Ｃｌ2 ガスを使用して成
膜するのが一般的である。この場合、成膜の反応は、２
ＮＨ3 ＋ＳｉＨ2 Ｃｌ2 →Ｓｉ＋２ＮＨ4 Ｃｌとなり、
反応副生成物であるＮＨ4 Ｃｌ（塩化アンモニウム）が
発生する。この塩化アンモニウムは、温度が約１００℃
以下になると白い粉状になってパーティクル発生或いは
配管詰りの原因となる。従って、この減圧ＣＶＤ装置に
おいてＬＰ−ＳｉＮ膜を成膜する場合には、反応炉内に
塩化アンモニウムを入り込ませないようにすることがパ
ーティクル低減のために重要である。
【０００３】ところで、一般のＬＰ−ＣＶＤ装置におい
ては、成膜処理後の待機状態（スタンバイ状態）で、処
理対象である半導体ウェーハが収納される石英ボートは
反応炉内に挿入されず反応炉外に引き出されているが、
このＬＰ−ＳｉＮを形成するＣＶＤ装置において、石英
ボートを反応炉外に引き出して待機させた場合、ＬＰ−
ＳｉＮ膜の成膜後に残留し石英ボート下部の石英ボート
台等の形状が複雑な部分に付着したままの塩化アンモニ
ウムが、反応炉外で冷却されて粉状になる。この粉状に
なった塩化アンモニウムは、次の処理工程において反応
炉内に持込まれパーティクル発生源となってしまう。そ
のため、ＬＰ−ＳｉＮを形成するＣＶＤ装置では、石英
ボート下部等に反応副生成物を付着させないようにする
ため、待機時には石英ボートを反応炉内に挿入したまま
にする。
ては、成膜処理後の待機状態（スタンバイ状態）で、処
理対象である半導体ウェーハが収納される石英ボートは
反応炉内に挿入されず反応炉外に引き出されているが、
このＬＰ−ＳｉＮを形成するＣＶＤ装置において、石英
ボートを反応炉外に引き出して待機させた場合、ＬＰ−
ＳｉＮ膜の成膜後に残留し石英ボート下部の石英ボート
台等の形状が複雑な部分に付着したままの塩化アンモニ
ウムが、反応炉外で冷却されて粉状になる。この粉状に
なった塩化アンモニウムは、次の処理工程において反応
炉内に持込まれパーティクル発生源となってしまう。そ
のため、ＬＰ−ＳｉＮを形成するＣＶＤ装置では、石英
ボート下部等に反応副生成物を付着させないようにする
ため、待機時には石英ボートを反応炉内に挿入したまま
にする。
【０００４】図６に示すように、ＬＰ−ＳｉＮを形成す
る従来のＣＶＤ装置１は、アウタチューブ２ａとインナ
チューブ２ｂからなる反応炉２と、アウタチューブ２ａ
の周囲に配置されたヒータ３と、アウタチューブ２ａと
インナチューブ２ｂのそれぞれ下端を接続するフランジ
４に設けられた排気管５とを有している。反応炉２内で
成膜処理される複数枚のウェーハ（図示しない）が複数
段に積み重ねて搭載支持される石英ボート６は、石英ボ
ート台７の上に保温筒７ａを介して搭載され、成膜処理
時、下端開口を石英ボート台７に閉鎖された反応炉２内
に保温筒７ａと共に挿入される。排気管５には、排気用
の真空ポンプ８が接続されている。そして、この石英ボ
ート６を反応炉２内に挿入したままの待機時に、反応炉
２内において大気圧の下Ｎ2 フローによるパージが行わ
れる。
る従来のＣＶＤ装置１は、アウタチューブ２ａとインナ
チューブ２ｂからなる反応炉２と、アウタチューブ２ａ
の周囲に配置されたヒータ３と、アウタチューブ２ａと
インナチューブ２ｂのそれぞれ下端を接続するフランジ
４に設けられた排気管５とを有している。反応炉２内で
成膜処理される複数枚のウェーハ（図示しない）が複数
段に積み重ねて搭載支持される石英ボート６は、石英ボ
ート台７の上に保温筒７ａを介して搭載され、成膜処理
時、下端開口を石英ボート台７に閉鎖された反応炉２内
に保温筒７ａと共に挿入される。排気管５には、排気用
の真空ポンプ８が接続されている。そして、この石英ボ
ート６を反応炉２内に挿入したままの待機時に、反応炉
２内において大気圧の下Ｎ2 フローによるパージが行わ
れる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、石英ボ
ート６を反応炉２内に挿入したままの待機時に、反応炉
２内において大気圧の下Ｎ2 フローによるパージが行わ
れると、反応副生成物である塩化アンモニウムによって
排気管５に連通する排出経路が詰ってしまう。即ち、図
７に示すように、Ｎ2 ガスによるパージの際、真空ポン
プ８に通じる排気経路の弁が閉じられて反応炉２内は常
圧となり、反応炉２内に送り込まれたＮ2ガスと待機時
に気化した塩化アンモニウムガスは共に排気ガスとし
て、パージ圧力により排気管５からベントライン９を経
てＬＰ−ＣＶＤ装置１の外に排出される。その途中、細
い排気配管からなるベントライン９で塩化アンモニウム
による詰りが生じてしまう。
ート６を反応炉２内に挿入したままの待機時に、反応炉
２内において大気圧の下Ｎ2 フローによるパージが行わ
れると、反応副生成物である塩化アンモニウムによって
排気管５に連通する排出経路が詰ってしまう。即ち、図
７に示すように、Ｎ2 ガスによるパージの際、真空ポン
プ８に通じる排気経路の弁が閉じられて反応炉２内は常
圧となり、反応炉２内に送り込まれたＮ2ガスと待機時
に気化した塩化アンモニウムガスは共に排気ガスとし
て、パージ圧力により排気管５からベントライン９を経
てＬＰ−ＣＶＤ装置１の外に排出される。その途中、細
い排気配管からなるベントライン９で塩化アンモニウム
による詰りが生じてしまう。
【０００６】これは、ＬＰ−ＳｉＮ膜の成膜後に反応副
生成物として残留する塩化アンモニウムが石英ボート台
７等の形状が複雑な部分に付着し、それが排気途中で冷
却され粉状になってしまうためである。ベントライン９
が詰ってしまった場合、詰りを解消するために装置のメ
ンテナンスが必要となり、装置のダウンタイムが増加し
て稼働率が低下してしまう。
生成物として残留する塩化アンモニウムが石英ボート台
７等の形状が複雑な部分に付着し、それが排気途中で冷
却され粉状になってしまうためである。ベントライン９
が詰ってしまった場合、詰りを解消するために装置のメ
ンテナンスが必要となり、装置のダウンタイムが増加し
て稼働率が低下してしまう。
【０００７】一方、加熱処理中に石英ボート下部等への
反応生成物の付着防止を図った熱処理装置が、特開平５
−２９１１５８号公報に開示されている。この熱処理装
置は、「被処理体を水平に複数枚支持する支持体を下方
から挿入する開口部を有し導入される反応ガスにより前
記被処理体の処理が行われる筒状反応容器と、前記筒状
反応容器内を気密に保持する前記開口部の蓋体と、前記
筒状反応容器を包囲して設けられる加熱部とを備えた熱
処理装置において、前記蓋体の前記筒状反応容器内側面
を加熱して反応生成物の付着を防止する加熱装置を設
け」ている。この熱処理装置においては、反応容器の内
側面に設けた加熱装置により反応容器内に支持体（石英
ボート）が搬入されたまま蓋体が加熱され、反応容器の
下方及び蓋体に反応生成物が付着することがないため、
被処理体である半導体ウェーハの汚染源を発生させな
い。
反応生成物の付着防止を図った熱処理装置が、特開平５
−２９１１５８号公報に開示されている。この熱処理装
置は、「被処理体を水平に複数枚支持する支持体を下方
から挿入する開口部を有し導入される反応ガスにより前
記被処理体の処理が行われる筒状反応容器と、前記筒状
反応容器内を気密に保持する前記開口部の蓋体と、前記
筒状反応容器を包囲して設けられる加熱部とを備えた熱
処理装置において、前記蓋体の前記筒状反応容器内側面
を加熱して反応生成物の付着を防止する加熱装置を設
け」ている。この熱処理装置においては、反応容器の内
側面に設けた加熱装置により反応容器内に支持体（石英
ボート）が搬入されたまま蓋体が加熱され、反応容器の
下方及び蓋体に反応生成物が付着することがないため、
被処理体である半導体ウェーハの汚染源を発生させな
い。
【０００８】しかしながら、この公報記載の熱処理装置
は、反応容器内に装着された石英ボートの下部を加熱し
てボート下部への反応生成物の付着を防止するものであ
り、加熱されたボート下部のガスは反応容器の配管を通
して外部に排出される。従って、排気途中で冷却され粉
状に固化して配管を詰らせるという上記技術的課題を示
唆せず、その解決策は開示されない。
は、反応容器内に装着された石英ボートの下部を加熱し
てボート下部への反応生成物の付着を防止するものであ
り、加熱されたボート下部のガスは反応容器の配管を通
して外部に排出される。従って、排気途中で冷却され粉
状に固化して配管を詰らせるという上記技術的課題を示
唆せず、その解決策は開示されない。
【０００９】本発明は、上記従来技術を考慮してなされ
たものであって、成膜後に残留する副生成物により排出
経路が詰ってしまうことのない成膜方法及び成膜装置の
提供を目的とする。
たものであって、成膜後に残留する副生成物により排出
経路が詰ってしまうことのない成膜方法及び成膜装置の
提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明においては、成膜対象を支持手段に搭載し、
この支持手段が搬入された反応容器内に反応ガスを導入
し、前記成膜対象に成膜処理を行う成膜方法において、
成膜処理後に前記支持手段を前記反応容器の外で加熱
し、この支持手段に付着する反応副生成物を気化させる
ことを特徴とする成膜方法を提供する。
め、本発明においては、成膜対象を支持手段に搭載し、
この支持手段が搬入された反応容器内に反応ガスを導入
し、前記成膜対象に成膜処理を行う成膜方法において、
成膜処理後に前記支持手段を前記反応容器の外で加熱
し、この支持手段に付着する反応副生成物を気化させる
ことを特徴とする成膜方法を提供する。
【００１１】上記構成によれば、成膜終了後、反応容器
から成膜対象を搭載した支持手段が引き出されて反応容
器の外で支持手段の下端が加熱され、支持手段に付着す
る反応副生成物の気化が反応容器の外で行われる。これ
により、成膜後に残留する反応副生成物により反応容器
の排出経路が詰ってしまうことがない。
から成膜対象を搭載した支持手段が引き出されて反応容
器の外で支持手段の下端が加熱され、支持手段に付着す
る反応副生成物の気化が反応容器の外で行われる。これ
により、成膜後に残留する反応副生成物により反応容器
の排出経路が詰ってしまうことがない。
【００１２】また、上記成膜方法を実現するため、本発
明においては、成膜対象を支持手段に搭載し、この支持
手段が搬入された反応容器内に反応ガスを導入し、前記
成膜対象に成膜処理を行う成膜装置において、前記反応
容器の外に設置され、成膜処理後に前記支持手段を前記
反応容器の外で加熱してこの支持手段に付着する反応副
生成物を気化させる加熱手段を備えたことを特徴とする
成膜装置を提供する。
明においては、成膜対象を支持手段に搭載し、この支持
手段が搬入された反応容器内に反応ガスを導入し、前記
成膜対象に成膜処理を行う成膜装置において、前記反応
容器の外に設置され、成膜処理後に前記支持手段を前記
反応容器の外で加熱してこの支持手段に付着する反応副
生成物を気化させる加熱手段を備えたことを特徴とする
成膜装置を提供する。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は、本発明の実施の形態に係
るＬＰ−ＳｉＮを形成する減圧ＣＶＤ装置の概略説明図
である。図２は、図１の反応炉に挿入された石英ボート
と電熱ヒータを示す説明図である。図３は、図２の電熱
ヒータの加熱による反応副生成物の気化状態の説明図で
ある。
に基づいて説明する。図１は、本発明の実施の形態に係
るＬＰ−ＳｉＮを形成する減圧ＣＶＤ装置の概略説明図
である。図２は、図１の反応炉に挿入された石英ボート
と電熱ヒータを示す説明図である。図３は、図２の電熱
ヒータの加熱による反応副生成物の気化状態の説明図で
ある。
【００１４】図１に示すように、縦型のＬＰ−ＣＶＤ装
置１０は、装置ケース１１内の上部に、ヒータ１２に覆
われた反応炉（反応容器）１３を有し、この反応炉１３
の下方に、石英ボート（支持手段）１４が配置されてい
る。石英ボート１４は、成膜処理対象の半導体ウェーハ
（図示しない）を水平状態に複数枚搭載可能に形成さ
れ、その下端に、保温筒１５を介して石英ボート台１６
が一体的に装着されている。石英ボート台１６は、昇降
機構及び回転機構（図示しない）により自在に昇降及び
回転が可能であり、石英ボート台１６の昇降により石英
ボート１４は保温筒１５とともに反応炉１３内に挿入さ
れ或いは反応炉１３から引き出される。石英ボート１４
及び石英ボート台１６は、例えば石英ガラス或いはＳｉ
Ｃ等により形成される。
置１０は、装置ケース１１内の上部に、ヒータ１２に覆
われた反応炉（反応容器）１３を有し、この反応炉１３
の下方に、石英ボート（支持手段）１４が配置されてい
る。石英ボート１４は、成膜処理対象の半導体ウェーハ
（図示しない）を水平状態に複数枚搭載可能に形成さ
れ、その下端に、保温筒１５を介して石英ボート台１６
が一体的に装着されている。石英ボート台１６は、昇降
機構及び回転機構（図示しない）により自在に昇降及び
回転が可能であり、石英ボート台１６の昇降により石英
ボート１４は保温筒１５とともに反応炉１３内に挿入さ
れ或いは反応炉１３から引き出される。石英ボート１４
及び石英ボート台１６は、例えば石英ガラス或いはＳｉ
Ｃ等により形成される。
【００１５】装置ケース１１内の底部には、反応炉１３
から引き出されてヒータ１２の下方に位置する石英ボー
ト１４下端の石英ボート台１６を取り囲むように、反応
炉１３の外に円環状の電熱ヒータ（加熱手段）１７が設
置されている。電熱ヒータ１７の側方には、半導体ウェ
ーハを石英ボート１４に搭載し或いは石英ボート１４か
ら取り出すウェーハ搬送機１８が設置されている。装置
ケース１１の下部外表面には、操作パネル１９が設けら
れている。
から引き出されてヒータ１２の下方に位置する石英ボー
ト１４下端の石英ボート台１６を取り囲むように、反応
炉１３の外に円環状の電熱ヒータ（加熱手段）１７が設
置されている。電熱ヒータ１７の側方には、半導体ウェ
ーハを石英ボート１４に搭載し或いは石英ボート１４か
ら取り出すウェーハ搬送機１８が設置されている。装置
ケース１１の下部外表面には、操作パネル１９が設けら
れている。
【００１６】図２に示すように、ヒータ１２に囲まれた
反応炉１３は、アウタチューブ２０とインナチューブ２
１のそれぞれ下端がフランジ２２に接続され、下端が開
口する二重構造の円筒状に形成される。フランジ２２に
は、アウタチューブ２０とインナチューブ２１の間隙を
介して反応炉１３内の反応空間に連通する排気管２３が
取付けられている。この排気管２３は、途中、ベントラ
イン２４（図３参照）に分岐後、排気用の真空ポンプ２
５（図３参照）に接続される。
反応炉１３は、アウタチューブ２０とインナチューブ２
１のそれぞれ下端がフランジ２２に接続され、下端が開
口する二重構造の円筒状に形成される。フランジ２２に
は、アウタチューブ２０とインナチューブ２１の間隙を
介して反応炉１３内の反応空間に連通する排気管２３が
取付けられている。この排気管２３は、途中、ベントラ
イン２４（図３参照）に分岐後、排気用の真空ポンプ２
５（図３参照）に接続される。
【００１７】石英ボート１４の上昇時、保温筒１５とと
もに石英ボート１４が反応炉１３内に挿入状態となり、
フランジ２２の下端に石英ボート台１６の上面が当接し
て反応炉１３の下端開口を閉鎖する。石英ボート１４の
下降時、反応炉１３の下方に移動した石英ボート１４
は、その下端の石英ボート台１６が電熱ヒータ１７に囲
まれ、電熱ヒータ１７への通電により石英ボート台１６
が加熱される。
もに石英ボート１４が反応炉１３内に挿入状態となり、
フランジ２２の下端に石英ボート台１６の上面が当接し
て反応炉１３の下端開口を閉鎖する。石英ボート１４の
下降時、反応炉１３の下方に移動した石英ボート１４
は、その下端の石英ボート台１６が電熱ヒータ１７に囲
まれ、電熱ヒータ１７への通電により石英ボート台１６
が加熱される。
【００１８】図３に示すように、ＬＰ−ＳｉＮ膜の成膜
終了後、反応炉１３から石英ボート１４が引き出される
とともに、反応炉１３内において大気圧の下Ｎ2 フロー
によるパージが行われる。石英ボート１４が反応炉１３
の外に出ると、反応炉１３の下端開口は、反応炉１３に
備えられた蓋（図示しない）により塞がれる。石英ボー
ト１４が反応炉１３の外に出て電熱ヒータ１７に囲まれ
た石英ボート台１６は、電熱ヒータ１７により１００℃
以上に加熱された状態で待機する。
終了後、反応炉１３から石英ボート１４が引き出される
とともに、反応炉１３内において大気圧の下Ｎ2 フロー
によるパージが行われる。石英ボート１４が反応炉１３
の外に出ると、反応炉１３の下端開口は、反応炉１３に
備えられた蓋（図示しない）により塞がれる。石英ボー
ト１４が反応炉１３の外に出て電熱ヒータ１７に囲まれ
た石英ボート台１６は、電熱ヒータ１７により１００℃
以上に加熱された状態で待機する。
【００１９】Ｎ2 ガスによるパージの際、真空ポンプ２
５に通じる排気経路の弁が閉じられて反応炉１３内は常
圧となる。このため、石英ボート１４の下降中、Ｎ2 ガ
スはパージ圧力で反応炉１３の下端から反応炉１３外に
排出されるが、下端開口が塞がれる石英ボート１４の待
機中は、Ｎ2 ガスは同様にパージ圧力で排気管２３から
ベントライン２４へと送り出されＬＰ−ＣＶＤ装置１０
外へと排出される。
５に通じる排気経路の弁が閉じられて反応炉１３内は常
圧となる。このため、石英ボート１４の下降中、Ｎ2 ガ
スはパージ圧力で反応炉１３の下端から反応炉１３外に
排出されるが、下端開口が塞がれる石英ボート１４の待
機中は、Ｎ2 ガスは同様にパージ圧力で排気管２３から
ベントライン２４へと送り出されＬＰ−ＣＶＤ装置１０
外へと排出される。
【００２０】石英ボート台１６が加熱されることによ
り、ＬＰ−ＳｉＮ膜の成膜後に反応副生成物として残留
し石英ボート台１６等の形状が複雑な部分に付着した塩
化アンモニウム（ＮＨ4 Ｃｌ）が、塩化アンモニウムガ
スとなって気化・拡散する。この気化・拡散する塩化ア
ンモニウムガスは、石英ボート台１６の加熱が反応炉１
３の外で行われるため、反応炉１３に連通する排気管２
３に流れ込むことはなく、排気管２３を通って排気され
る途中で冷却され粉状になることがない。従って、粉状
になった塩化アンモニウムにより、細い排気配管からな
るベントライン２４が詰ることもない。
り、ＬＰ−ＳｉＮ膜の成膜後に反応副生成物として残留
し石英ボート台１６等の形状が複雑な部分に付着した塩
化アンモニウム（ＮＨ4 Ｃｌ）が、塩化アンモニウムガ
スとなって気化・拡散する。この気化・拡散する塩化ア
ンモニウムガスは、石英ボート台１６の加熱が反応炉１
３の外で行われるため、反応炉１３に連通する排気管２
３に流れ込むことはなく、排気管２３を通って排気され
る途中で冷却され粉状になることがない。従って、粉状
になった塩化アンモニウムにより、細い排気配管からな
るベントライン２４が詰ることもない。
【００２１】図４は、電熱ヒータの代りに加熱体を用い
た図２と同様の説明図であり、図５は、図４の加熱体の
加熱による反応副生成物の気化状態の説明図である。こ
の例では、加熱手段として電熱ヒータの代りに加熱流体
を循環させる加熱体が用いられる。
た図２と同様の説明図であり、図５は、図４の加熱体の
加熱による反応副生成物の気化状態の説明図である。こ
の例では、加熱手段として電熱ヒータの代りに加熱流体
を循環させる加熱体が用いられる。
【００２２】図４に示すように、加熱体２６は、石英ボ
ート台１６を埋設状態に載置可能な凹形状に形成され、
導入管２７から導入されて排出管２８から排出される加
熱流体の循環により石英ボート台１６の底面及び側面を
加熱することができる。図５に示すように、ＬＰ−Ｓｉ
Ｎ膜の成膜終了後、石英ボート１４が下降して石英ボー
ト１４が反応炉１３の外に出るとともに石英ボート台１
６が加熱体２６に載置され、石英ボート台１６は加熱体
２６により１００℃以上に加熱される。
ート台１６を埋設状態に載置可能な凹形状に形成され、
導入管２７から導入されて排出管２８から排出される加
熱流体の循環により石英ボート台１６の底面及び側面を
加熱することができる。図５に示すように、ＬＰ−Ｓｉ
Ｎ膜の成膜終了後、石英ボート１４が下降して石英ボー
ト１４が反応炉１３の外に出るとともに石英ボート台１
６が加熱体２６に載置され、石英ボート台１６は加熱体
２６により１００℃以上に加熱される。
【００２３】このように、反応炉１３の外で石英ボート
台１６が加熱されることにより、ＬＰ−ＳｉＮ膜の成膜
後に反応副生成物として残留し石英ボート台１６等の形
状が複雑な部分に付着した塩化アンモニウムが、塩化ア
ンモニウムガスとなって気化・拡散する際に、反応炉１
３に連通する排気管２３に流れ込むことがない。その他
の構成及び作用効果は前記図２及び図３の実施の形態と
同様である。
台１６が加熱されることにより、ＬＰ−ＳｉＮ膜の成膜
後に反応副生成物として残留し石英ボート台１６等の形
状が複雑な部分に付着した塩化アンモニウムが、塩化ア
ンモニウムガスとなって気化・拡散する際に、反応炉１
３に連通する排気管２３に流れ込むことがない。その他
の構成及び作用効果は前記図２及び図３の実施の形態と
同様である。
【００２４】以上、電熱ヒータ１７或いは加熱体２６に
より、石英ボート台１６は反応炉１３の外でしか加熱さ
れず、ＬＰ−ＳｉＮ膜の成膜後に反応副生成物として残
留し石英ボート台１６等に付着した塩化アンモニウム
は、反応炉１３の外で塩化アンモニウムガスとなって気
化・拡散する。従って、パーティクル発生源である塩化
アンモニウムが反応炉１３内に入り込まないので、パー
ティクルの低減が可能となり半導体デバイスの品質向上
をもたらす。また塩化アンモニウムにより反応炉１３の
排出経路であるベントライン２４が詰ることがないの
で、詰りを解消するためのＬＰ−ＳｉＮを形成するＣＶ
Ｄ装置１０のメンテナンス頻度が低減し、装置の稼働率
が向上する。
より、石英ボート台１６は反応炉１３の外でしか加熱さ
れず、ＬＰ−ＳｉＮ膜の成膜後に反応副生成物として残
留し石英ボート台１６等に付着した塩化アンモニウム
は、反応炉１３の外で塩化アンモニウムガスとなって気
化・拡散する。従って、パーティクル発生源である塩化
アンモニウムが反応炉１３内に入り込まないので、パー
ティクルの低減が可能となり半導体デバイスの品質向上
をもたらす。また塩化アンモニウムにより反応炉１３の
排出経路であるベントライン２４が詰ることがないの
で、詰りを解消するためのＬＰ−ＳｉＮを形成するＣＶ
Ｄ装置１０のメンテナンス頻度が低減し、装置の稼働率
が向上する。
【００２５】なお、本発明においては、上述した縦型減
圧ＣＶＤ装置に限らず、横型減圧ＣＶＤ装置においても
同様の効果が得られる。また、電熱ヒータ１７或いは加
熱体２６に限らず他の加熱方法により石英ボート台１６
を加熱してもよい。
圧ＣＶＤ装置に限らず、横型減圧ＣＶＤ装置においても
同様の効果が得られる。また、電熱ヒータ１７或いは加
熱体２６に限らず他の加熱方法により石英ボート台１６
を加熱してもよい。
【００２６】また、ＳｉＮ膜の成膜に限らず、他の各種
反応ガスを用いた成膜プロセスに適用可能である。ま
た、ＣＶＤ装置に限らず、アニールや拡散処理等のため
の加熱炉に対しても適用可能である。
反応ガスを用いた成膜プロセスに適用可能である。ま
た、ＣＶＤ装置に限らず、アニールや拡散処理等のため
の加熱炉に対しても適用可能である。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る成膜
方法によれば、成膜終了後、反応容器から成膜対象を搭
載した支持手段が引き出されて反応容器の外で支持手段
の下端が加熱され、支持手段に付着する反応副生成物の
気化が反応容器の外で行われるので、パーティクル発生
源である反応副生成物が反応容器内に入り込まず、パー
ティクルの低減が可能となり半導体デバイスの品質向上
をもたらす。また、反応副生成物により反応容器の排出
経路が詰ることがないので、詰りを解消するための装置
のメンテナンス頻度が低減し、装置の稼働率が向上す
る。
方法によれば、成膜終了後、反応容器から成膜対象を搭
載した支持手段が引き出されて反応容器の外で支持手段
の下端が加熱され、支持手段に付着する反応副生成物の
気化が反応容器の外で行われるので、パーティクル発生
源である反応副生成物が反応容器内に入り込まず、パー
ティクルの低減が可能となり半導体デバイスの品質向上
をもたらす。また、反応副生成物により反応容器の排出
経路が詰ることがないので、詰りを解消するための装置
のメンテナンス頻度が低減し、装置の稼働率が向上す
る。
【００２８】また、本発明に係る成膜装置によれば、上
記成膜方法を実施してその効果を得ることができる。
記成膜方法を実施してその効果を得ることができる。
【図１】 本発明の実施の形態に係るＬＰ−ＳｉＮを形
成する減圧ＣＶＤ装置の概略説明図。
成する減圧ＣＶＤ装置の概略説明図。
【図２】 図１の反応炉に挿入された石英ボートと電熱
ヒータを示す説明図。
ヒータを示す説明図。
【図３】 図２の電熱ヒータの加熱による反応副生成物
の気化状態の説明図。
の気化状態の説明図。
【図４】 電熱ヒータの代りに加熱体を用いた図２と同
様の説明図。
様の説明図。
【図５】 図４の加熱体の加熱による反応副生成物の気
化状態の説明図。
化状態の説明図。
【図６】 従来のＬＰ−ＣＶＤ装置の概略説明図。
【図７】 図６のＬＰ−ＣＶＤ装置における気化した反
応副生成物の流れを示す説明図。
応副生成物の流れを示す説明図。
１０：ＬＰ−ＣＶＤ装置、１１：装置ケース、１２：ヒ
ータ、１３：反応炉、１４：石英ボート、１５：保温
筒、１６：石英ボート台、１７：電熱ヒータ、１８：ウ
ェーハ搬送機、１９：操作パネル、２０：アウタチュー
ブ、２１：インナチューブ、２２：フランジ、２３：排
気管、２４：ベントライン、２５：真空ポンプ、２６：
加熱体、２７：導入管、２８：排出管。
ータ、１３：反応炉、１４：石英ボート、１５：保温
筒、１６：石英ボート台、１７：電熱ヒータ、１８：ウ
ェーハ搬送機、１９：操作パネル、２０：アウタチュー
ブ、２１：インナチューブ、２２：フランジ、２３：排
気管、２４：ベントライン、２５：真空ポンプ、２６：
加熱体、２７：導入管、２８：排出管。
Claims (4)
- 【請求項１】成膜対象を支持手段に搭載し、この支持手
段が搬入された反応容器内に反応ガスを導入し、前記成
膜対象に成膜処理を行う成膜方法において、 成膜処理後に前記支持手段を前記反応容器の外で加熱
し、この支持手段に付着する反応副生成物を気化させる
ことを特徴とする成膜方法。 - 【請求項２】成膜対象を支持手段に搭載し、この支持手
段が搬入された反応容器内に反応ガスを導入し、前記成
膜対象に成膜処理を行う成膜装置において、 前記反応容器の外に設置され、成膜処理後に前記支持手
段を前記反応容器の外で加熱してこの支持手段に付着す
る反応副生成物を気化させる加熱手段を備えたことを特
徴とする成膜装置。 - 【請求項３】前記加熱手段は、電熱ヒータであることを
特徴とする請求項２に記載の成膜装置。 - 【請求項４】前記加熱手段は、加熱流体を循環させる加
熱体であることを特徴とする請求項２に記載の成膜装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35273597A JP3690095B2 (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35273597A JP3690095B2 (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186170A true JPH11186170A (ja) | 1999-07-09 |
| JP3690095B2 JP3690095B2 (ja) | 2005-08-31 |
Family
ID=18426084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35273597A Expired - Fee Related JP3690095B2 (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3690095B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005531623A (ja) * | 2002-06-28 | 2005-10-20 | マックス−プランク−ゲゼルシャフト・ツア・フェルデルング・デア・ヴィッセンシャフテン・エー・ファオ | 窒素架橋機能を有する分子一成分前駆体の統合された連続的製造方法 |
| WO2012086728A1 (ja) | 2010-12-21 | 2012-06-28 | 株式会社渡辺商行 | 気化器 |
| WO2012118019A1 (ja) | 2011-02-28 | 2012-09-07 | 株式会社渡邊商行 | 気化器および気化器に用いられるセンターロッド、ならびにキャリアガスに同伴される原料などの気化方法 |
-
1997
- 1997-12-22 JP JP35273597A patent/JP3690095B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005531623A (ja) * | 2002-06-28 | 2005-10-20 | マックス−プランク−ゲゼルシャフト・ツア・フェルデルング・デア・ヴィッセンシャフテン・エー・ファオ | 窒素架橋機能を有する分子一成分前駆体の統合された連続的製造方法 |
| WO2012086728A1 (ja) | 2010-12-21 | 2012-06-28 | 株式会社渡辺商行 | 気化器 |
| KR20140034123A (ko) | 2010-12-21 | 2014-03-19 | 가부시키가이샤 와타나베 쇼코 | 기화기 |
| WO2012118019A1 (ja) | 2011-02-28 | 2012-09-07 | 株式会社渡邊商行 | 気化器および気化器に用いられるセンターロッド、ならびにキャリアガスに同伴される原料などの気化方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3690095B2 (ja) | 2005-08-31 |
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