JP3683171B2 - 高周波シールド構造 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路基板とシールド部材との間を電気的に確実に導通させる高周波シールド構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、液晶表示装置その他の装置においては、電源や信号回路からノイズが発生する。従来、このノイズを低減するために、回路(主に、回路基板)からシールド部材に電気的な導通をとり、これにより、グラウンド(GND)レベルを安定させていた。
【0003】
回路基板とシールド部材との間の接続は、モジュールの構造上、立体的な接続になる。
【0004】
また、一般に、回路基板とシールド部材とは別工程で実装される。このため、回路基板とシールド部材との間の接続は、回路基板とシールド部材とを実装した後に、行われることになる。
【0005】
例えば、特公平7−63114号公報には、弾性部材からなるシールド部材を介して回路基板と、この回路基板を覆っている金属カバーとを接続することにより、高周波をシールドする装置が提案されている。
【0006】
また、特開平9−138389号公報には、相互に直交する第一の板と第二の板とからなる細長い金属製薄板を介して、回路基板のグランドラインと金属製シールドケースとを半田付けで接続し、ノイズを除去する装置が提案されている。
【0007】
特開平10−62756号公報には、金属製シールドケースに、絞り加工により、回路基板に向かって凸状に突出部を形成し、この突出部を介して、金属製シールドケースと回路基板とを接触させる液晶表示装置が提案されている。
【0008】
特開平7−248481号公報には、電磁シールドケースの一部をアース端子となるソケットとして形成している液晶表示装置を提案している。このソケットは、対応する駆動回路基板に取り付けられたコネクタ端子に接続される。
【0009】
また、特開平7−333638号公報は、プリント基板の電子部品搭載領域及び配線形成領域を被って導電膜が形成された液晶表示装置を提案している。この導電膜の内部には絶縁膜が内包されており、この導電膜により、プリント基板の電子部品搭載領域及び配線形成領域から発生するEMIを防止する。
【0010】
さらに、回路基板とシールド部材との間の接続方法の他の例として、回路基板上に突起を形成し、この突起とシールド部材とを接触させる方法がある。
【0011】
図11は、回路基板とシールド部材との間の従来の接続方法の一例を示す側面図である。
【0012】
図11に示すように、回路基板110の表面上には円錐形状の突起111が形成されており、突起111の先端が回路基板100の上方に配置されているシールド部材112に接触している。突起111の先端とシールド部材112との間は圧力により機械的に接続されるか、あるいは、半田などを用いて金属結合される。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
最近では、モジュールの厚さはより薄いものであることが要求されており、また、厚さが薄いモジュールほど製品としての競争力を持っている。モジュールを薄くするため、モジュールを構成する各部材も薄くなってきている。その反面、最終製品の強度(厚さ方向の曲げ応力)が弱くなってきているという問題が生じている。
【0014】
また、図11に示したように、突起111を介して回路基板110とシールド部材112とを接続させる構造の場合、外的応力によって、この構造を含む液晶表示装置などの最終製品がわずかでもたわんだりすると、突起111とシールド部材112との接触箇所において、ルーズコンタクトが発生し、液晶の表示異常を発生させることがある。
【0015】
このような問題を解決するために、突起111にバネ性を持たせ、この突起111をシールド部材112に接触させる方法が考えられる。この場合、突起111を構成するバネは、シールド部材112と確実に接触させるため、弾性力が強いものが選定される。
【0016】
逆に、このために、最終製品の薄型化のために薄く設計されているシールド部材112が押し上げられ、最終製品が変形し、設計に対して最終製品の厚さが規定値を超えることがある。
【0017】
さらに、液晶パネルの場合には、表示面にかかるストレスがセルギャップに影響を及ぼし、干渉縞が発生することがある。
【0018】
この問題を解決するため、図11に示した突起111を厚み方向(弾性方向)に小さくする方法がある。
【0019】
しかしながら、この場合には、突起111の反発力がより大きくなり、やはり、最終製品の変形を引き起こす原因となる。
【0020】
また、突起111を板バネで構成した場合には、その幅を小さくすると、反発力が弱くなる。反発力が弱くなると、突起111とシールド部材112との間の接触面積が小さくなり、そのコンタクト抵抗が増加し、EMI効果が低減する。
【0021】
上記の方法はいずれも突起111の先端とシールド部材112の金属面との間で接触をとる方法である。このため、突起111とシールド部材112との間の接触は点接触又は線接触となり、最終製品のたわみなどに起因して、接触不良が発生しやすい。
【0022】
突起111とシールド部材112との間の接触面積を増やす方法として、単純に突起111の使用個数を増やし、あるいは、1つの突起111に複数の接触点または線を設ける方法がある。
【0023】
この方法によれば、突起111とシールド部材112とが接触しているときは、接触抵抗値は低いが、最終製品のたわみなどによって発生するルーズコンタクトに対する危険度は上記の場合とあまり変わらない。
【0024】
さらに、図11に示した突起111とシールド部材112との接触構造においては、最終製品の裏面において、一番高い部分がシールド部材112であるため、最終製品の厚さは突起111の高さにより決まることになる。
【0025】
すなわち、突起111の高さをA、シールド部材112の厚みをBとすると、最終製品の裏面における高さは(A+B)となる。
【0026】
上述したような接続に関する問題や厚みに関する問題を解決する手段として、突起111とシールド部材112との半田接続がある。
【0027】
半田接続は接続の信頼性は高いが、作業工数が増加し、さらに、熱膨張係数の異なる金属間の完全固定により、外的熱変形が発生し、採取製品の破損が発生するという問題を伴う。
【0028】
また、半田接続以外の金属接続は高温プロセスを必要とするため、熱に弱い部品を使用している最終製品に悪影響を及ぼす。
【0029】
また、図11に示したように、突起111の先端とシールド部材112とを接触させる構造の場合、組立後、接触箇所はシールド部材112に隠れてしまうため、突起111の先端が実際にシールド部材112に接触しているかどうかを確認することができない。
【0030】
確認を行うには、最終製品(例えば、液晶表示装置)を分解しなければならず、確認終了後に再び組み立てるという作業を必要とする。このように、組立時に突起111に変形が発生し、シールド部材112と接触していなくても、最終製品を解体せずに、接触または非接触の確認を行うことは不可能である。
【0031】
以上のように、図11に示したような突起111とシールド部材112とを機械的に接続させる構造は次のような問題を有していた。
【0032】
突起111の最高点とシールド部材112とを接触させるため、最終製品のたわみなどによって、接触不良が発生する。
【0033】
この接触不良を改善するために、バネ製の突起を使用すると、シールド部材112を押し上げ、最終製品の厚みを増やす方向に変形する。
【0034】
さらに、突起111の先端の上にシールド部材112が重なるため、突起111の高さAとシールド部材112の厚さBとの和がモジュール裏側の最大の高さになる。
【0035】
加えて、突起111とシールド部材112との接触箇所はシールド部材112により覆われているために、最終製品を解体することなく、突起111とシールド部材112とが接触しているか否かを確認することは困難である。
【0036】
また、突起111とシールド部材112との間の接触は点接触であるため、導通抵抗が高く、EMI低減の効果が低い。
【0037】
本発明は、以上のような従来のシールド構造における問題点に鑑みてなされたものであり、回路基板とシールド部材との間の接触不良を起こすことなく、さらに、EMI防止性能を低減させることなく、モジュール全体の厚さを低減することができ、かつ、最終製品を組み立てた後においても、回路基板とシールド部材との間の接触状態を容易に確認することができる高周波シールド構造を提供することを目的とする。
【0038】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため、本発明は、電子部品が実装される回路基板と、前記回路基板を覆うシールド部材と、からなり、前記回路基板と前記シールド部材とを電気的に接続する高周波シールド構造において、前記回路基板の表面には、バネ性材料からなり、パンタグラフの形状を有する突起が形成されており、前記突起の上部の外形形状は、下方から上方に向かって徐々に横断面積が減少する形状とされ、前記シールド部材には、前記突起に対応して開口部が形成されており、前記回路基板を前記シールド部材に対して配置したときに、前記突起が上方に向かって付勢された状態で、前記突起の上部外面が、前記シールド部材の前記開口部の内周に対し線接触するものであることを特徴とする高周波シールド構造を提供する。
【0039】
本高周波シールド構造においては、回路基板上に形成されている突起がシールド部材に設けられている開口部に係合する。このため、突起の外側周囲において、突起と開口部とが接触することになる。図11に示した従来のシールド構造においては、突起111とシールド部材112との間の接触は点接触にすぎなかったが、本高周波シールド構造によれば、図11に示した従来のシールド構造と比較して、突起とシールド部材との間の接触長さを増大させることができ、回路基板とシールド部材との間の接触不良を防止することができる。
【0040】
また、最終製品の組み立て後においても、シールド部材に設けられた開口部を介して、突起とシールド部材との間の接触状態を確認することができ、突起とシールド部材とが確実に接触しているか否かを確認するために最終製品を分解する必要はもはやない。
【0041】
本発明は、さらに、電子部品が実装される回路基板と、前記回路基板を覆うシールド部材と、からなり、前記回路基板と前記シールド部材とを電気的に接続する高周波シールド構造において、前記回路基板の表面には、バネ性材料からなり、パンタグラフの形状を有する突起が形成されており、前記突起の上部の外形形状は、下方から上方に向かって徐々に横断面積が減少する形状とされ、前記シールド部材には、前記突起に対応して開口部が形成されており、前記回路基板を前記シールド部材に対して配置したときに、前記突起が上方に向かって付勢された状態で、前記突起の上部外面が、前記シールド部材の前記開口部の内周に対し線接触しつつ、前記突起の先端が前記開口部から上方に突出するものであることを特徴とする高周波シールド構造を提供する。
【0042】
本高周波シールド構造においては、回路基板上に形成されている突起がシールド部材に設けられている開口部に係合する。このため、突起の外側周囲において、突起と開口部とが接触することになる。図11に示した従来のシールド構造においては、突起111とシールド部材112との間の接触は点接触にすぎなかったが、本高周波シールド構造によれば、図11に示した従来のシールド構造と比較して、突起とシールド部材との間の接触長さを増大させることができ、回路基板とシールド部材との間の接触不良を防止することができる。
【0043】
また、突起の先端が開口部から上方に突出しているので、最終製品の組み立て後においても、突起とシールド部材との間の接触状態を容易に確認することができ、突起とシールド部材とが確実に接触しているか否かを確認するために最終製品を分解する必要はもはやない。
【0044】
さらに、図11に示した従来のシールド構造においては、最終製品の裏面における高さは(A+B)であったが、本高周波シールド構造によれば、シールド部材は突起の先端よりも低位置にあるため、最終製品の裏面における高さはAとなり、図11に示した従来のシールド構造と比較して、最終製品の裏面における高さを低くすることができる。
【0045】
また、前記突起は、上方に向かって付勢された状態で、前記シールド部材に接触するものとして構成されているとともに、バネ性材料からなり、パンタグラフの形状を有するので、突起はシールド部材に対して常に接触している状態を維持することができるとともに、最終製品のたわみなどによりシールド部材が上下方向に変位しても、シールド部材の変位に追従して突起も上下方向に揺動し、シールド部材との接触状態を維持することができる。
【0046】
以上のような高周波シールド構造は各種装置に用いることができ、例えば、液晶表示装置に応用することができる。
【0047】
本発明は、さらに、回路基板の表面に、バネ性材料からなり、パンタグラフの形状を有し、上部の外形形状は、下方から上方に向かって徐々に横断面積が減少する形状である突起を形成する第1の過程と、シールド部材に開口部を形成する第2の過程と、前記突起が上方に向かって付勢された状態で、前記突起の上部外面が前記シールド部材の前記開口部の内周に対し線接触するように、前記回路基板と前記シールド部材とを配置する第3の過程と、からなることを特徴とする高周波シールド構造の組立方法を提供する。
【0048】
本発明は、さらに、回路基板の表面に、バネ性材料からなり、パンタグラフの形状を有し、上部の外形形状は、下方から上方に向かって徐々に横断面積が減少する形状である突起を形成する第1の過程と、シールド部材に開口部を形成する第2の過程と、前記突起が上方に向かって付勢された状態で、前記突起の上部外面が前記シールド部材の前記開口部の内周に対し線接触しつつ、前記突起の先端が前記開口部から上方に突出するように、前記回路基板と前記シールド部材とを配置する第3の過程と、からなることを特徴とする高周波シールド構造の組立方法を提供する。
【0049】
【発明の実施の形態】
先ず、本発明の実施形態に係る高周波シールド構造について説明する前に、第一の参考例に係る高周波シールド構造について説明する。
【0050】
図1は、第一の参考例に係る高周波シールド構造の縦断面図であり、図2は、図1に示した高周波シールド構造の斜視図である。
【0051】
第一の参考例に係る高周波シールド構造は、電子部品が実装される回路基板10と、回路基板10を覆うように配置されているシールド部材11とからなる。
【0052】
回路基板10の表面には、導電性材料からなる円錐形状の突起12が形成されており、シールド部材11には、突起12に対応して開口部13が形成されている。
【0053】
第一の参考例に係る高周波シールド構造においては、回路基板10をシールド部材11に対して配置したときに、突起12がその斜面において開口部13の内側周囲に接触しつつ、突起12の先端が開口部13から上方に突出する。
【0054】
第一の参考例に係る高周波シールド構造によれば、突起12の外側周囲において、突起12と開口部13とが接触する。図11に示した従来のシールド構造においては、突起111とシールド部材112との間の接触は点接触にすぎなかったが、第一の参考例に係る高周波シールド構造によれば、図11に示した従来のシールド構造と比較して、突起12とシールド部材11との間の接触長さを増大させることができ、回路基板10とシールド部材11との間の接触不良を防止することができる。
【0055】
さらに、突起12とシールド部材11との間の接触長さの増大に伴い、接触抵抗値を低減させることができ、ひいては、EMI低減の効果を向上させることができる。
【0056】
例えば、図11に示した従来の高周波シールド構造における突起111とシールド部材112との間の接触抵抗値の平均値、σn-1、最大値、最小値と、図1及び2に示した第一の参考例に係る高周波シールド構造における突起12とシールド部材11との間の接触抵抗値の平均値、σn-1、最大値、最小値を比較すると、次のようになる(単位[Ω])。
【0057】
平均値 σn-1 最大値 最小値
従来(図11) 16.95 8.73 28.14 4.80
本参考例(図1,2) 1.04 0.53 0.70 0.47
この比較から明らかであるように、第一の参考例に係る高周波シールド構造においては、図11に示した従来の高周波シールド構造と比較して、顕著に接触抵抗値が低減されており、この結果、EMIを顕著に低減させることができる。
【0058】
また、突起12の先端が開口部13から上方に突出しているので、最終製品の組み立て後においても、突起12とシールド部材11との間の接触状態を容易に確認することができ、突起とシールド部材とが確実に接触しているか否かを確認するために最終製品を分解する必要はない。
【0059】
加えて、突起12とシールド部材11との間の接触抵抗値も簡単に測定することができる。
【0060】
さらに、図11に示した従来のシールド構造においては、最終製品の裏面における高さは(A+B)であったが、第一の参考例に係る高周波シールド構造によれば、シールド部材11の上面は突起12の先端よりも低位置にあるため、最終製品の裏面における高さは突起12の高さAに等しくなり、図11に示した従来のシールド構造と比較して、最終製品の裏面における高さをシールド部材11の厚さの分だけ低くすることができる。
【0061】
例えば、7628C−18Mの場合、最終製品の裏面における高さを0.4mm薄くすることができる。
【0062】
第一の参考例においては、突起12の形状を円錐形状としたが、突起12の形状はこれには限定されない。下方から上方に向かって徐々に横断面積が減少する形状であれば、突起12の形状を任意の形状にすることができる。
【0063】
次に、本発明の実施形態に係る高周波シールド構造について説明する。
【0064】
図3は、本発明の実施形態に係る高周波シールド構造の縦断面図であり、図4は、図3に示した高周波シールド構造の斜視図である。
【0065】
本実施形態に係る高周波シールド構造においては、第一の参考例における突起12に代えて、突起20が形成されている。突起20以外の構造は第一の参考例に係る高周波シールド構造と同様である。
【0066】
突起20は、薄いバネ性の板材料からなり、縦断面が菱形になるように形成されている。すなわち、突起20は、パンタグラフのような形状をなしている。
【0067】
突起20は、バネ性の材料からなるものであるため、最も下方に位置する頂点を起点として、上下方向に揺動可能である。
【0068】
さらに、突起20を下方に押し込んだ状態で、突起20を回路基板10とシールド部材11との間に配置することにより、突起20は、常に、上方に向かって付勢された状態となり、その結果、突起20はシールド部材11に常に接触している状態を維持する。
【0069】
これにより、最終製品のたわみなどによりシールド部材11が上下方向に変位しても、シールド部材11の変位に追従して突起20も上下方向に揺動するため、突起20とシールド部材11との間の接触状態を維持することができる。
【0070】
図5は、第二の参考例に係る高周波シールド構造の縦断面図であり、図6は、図5に示した高周波シールド構造の斜視図である。
【0071】
第二の参考例に係る高周波シールド構造は、電子部品が実装される回路基板30と、回路基板30を覆うように配置されているシールド部材31とからなる。
【0072】
回路基板30の表面には、導電性材料からなる半球形状の突起32が形成されており、シールド部材31には、突起32に対応して開口部33が形成されている。
【0073】
第二の参考例に係る高周波シールド構造においては、回路基板30をシールド部材31に対して配置したときに、突起32がその表面において開口部33の内壁の下縁に接触する。
【0074】
さらに、突起32の頂点はシールド部材31の表面とほぼ同じ高さにある。
【0075】
第二の参考例に係る高周波シールド構造によれば、突起32の外側周囲において、突起32と開口部33とが接触する。図11に示した従来のシールド構造においては、突起111とシールド部材112との間の接触は点接触にすぎなかったが、第二の参考例に係る高周波シールド構造によれば、図11に示した従来のシールド構造と比較して、突起32とシールド部材31との間の接触長さを増大させることができ、回路基板30とシールド部材31との間の接触不良を防止することができる。
【0076】
さらに、突起32とシールド部材31との間の接触長さの増大に伴い、接触抵抗値を低減させることができ、ひいては、EMI低減の効果を向上させることが可能である。
【0077】
また、突起32の先端が開口部33の中に位置しているので、最終製品の組み立て後においても、突起32とシールド部材31との間の接触状態を容易に確認することができ、突起32とシールド部材31とが確実に接触しているか否かを確認するために最終製品を分解する必要はない。
【0078】
加えて、突起32とシールド部材31との間の接触抵抗値も簡単に測定することができる。
【0079】
さらに、図11に示した従来のシールド構造においては、最終製品の裏面における高さは(A+B)であったが、第二の参考例に係る高周波シールド構造によれば、シールド部材31の上面は突起32の先端とほぼ同じ高さにあるため、最終製品の裏面における高さは突起32の高さAに等しくなり、図11に示した従来のシールド構造と比較して、最終製品の裏面における高さをシールド部材31の厚さの分だけ低くすることができる。
【0080】
図7は、第三の参考例に係る高周波シールド構造の縦断面図であり、図8は、図7に示した高周波シールド構造の斜視図である。
【0081】
第三の参考例に係る高周波シールド構造においては、第一の参考例における突起12に代えて、突起40が形成されている。突起40以外の構造は第一の参考例に係る高周波シールド構造と同様である。
【0082】
突起40は円柱形状をなしており、その直径はシールド部材11に設けられている開口部13の内径に等しい。このため、突起40は開口部13に嵌合し得る。
【0083】
さらに、突起40の高さは、突起40を開口部13に嵌合させたときに、突起40がシールド部材11の上面と同じ高さになるように、設定されている。
【0084】
第三の参考例に係る高周波シールド構造によれば、突起40の外側表面において、突起40と開口部13とが接触する。図11に示した従来のシールド構造においては、突起111とシールド部材112との間の接触は点接触にすぎなかったが、第三の参考例に係る高周波シールド構造によれば、図11に示した従来のシールド構造と比較して、突起40とシールド部材11との間の接触長さを増大させることができ、回路基板10とシールド部材11との間の接触不良を防止することができる。
【0085】
さらに、突起40とシールド部材11との間の接触長さの増大に伴い、接触抵抗値を低減させることができ、ひいては、EMI低減の効果を向上させることが可能である。
【0086】
また、突起40の先端が開口部13の中に位置しているので、最終製品の組み立て後においても、突起40とシールド部材11との間の接触状態を容易に確認することができ、突起40とシールド部材11とが確実に接触しているか否かを確認するために最終製品を分解する必要はない。
【0087】
加えて、突起40とシールド部材11との間の接触抵抗値も簡単に測定することができる。
【0088】
さらに、図11に示した従来のシールド構造においては、最終製品の裏面における高さは(A+B)であったが、第三の参考例に係る高周波シールド構造によれば、シールド部材11の上面は突起40の先端と同じ高さにあるため、最終製品の裏面における高さは突起40の高さAに等しくなり、図11に示した従来のシールド構造と比較して、最終製品の裏面における高さをシールド部材11の厚さの分だけ低くすることができる。
【0089】
第三の参考例においては、突起40は円柱形状のものとしたが、一定の横断面積を有しているものである限り、円柱形状以外の形状とすることも可能である。例えば、突起40を三角柱や六角柱などの四角柱とすることも可能である。
【0090】
また、第三の参考例においては、突起40の高さをシールド部材11の上面の高さと同じになるように設定したが、突起40の高さはこれに限定されるものではなく、突起40を開口部13に嵌合させたときに、シールド部材11よりも上方に突出しないような高さであればよい。
【0091】
図9は、第四の参考例に係る高周波シールド構造の縦断面図であり、図10は、図9に示した高周波シールド構造の斜視図である。
【0092】
第四の参考例に係る高周波シールド構造においては、第三の参考例における突起40に代えて、突起50が形成されている。突起50以外の構造は第三の参考例に係る高周波シールド構造と同様である。
【0093】
第四の参考例における突起50は、回路基板10上に形成された円柱形状の第一部分50aと、第一部分50aの上に第一部分50aと同心に形成された円柱形状の第二部分50bとからなっている。
【0094】
第二部分50bの横断面積は第一部分50aの横断面積よりも小さく設定されている。すなわち、第二部分50bの直径は第一部分50aの直径よりも小さく設定されている。
【0095】
開口部13は第二部分50bの直径に等しい内径を有している。このため、突起50の第二部分50bは開口部13に嵌合することが可能である。
【0096】
さらに、突起50の第二部分50bの高さは、突起50を開口部13に嵌合させたときに、突起50の第二部分50bがシールド部材11の上面と同じ高さになるように、設定されている。
【0097】
第四の参考例においては、回路基板10をシールド部材11に対して配置したときに、突起50の第二部分50bが開口部13に嵌合するとともに、シールド部材11は、第二部分50bの周囲において、第一部分50aの表面上に載置される。
【0098】
第四の参考例によれば、第三の参考例に係る高周波シールド構造により得られる効果に加えて、シールド部材11が第二部分50bの周囲において第一部分50aの表面上に載置されるので、シールド部材11の安定性を増すことができるとともに、突起50の第二部分50bを介して、回路基板10とシールド部材11との間の位置決めを行うことが可能になる。
【0099】
第四の参考例においては、突起50の第二部分50bは円柱形状のものとしたが、一定の横断面積を有しているものである限り、円柱形状以外の形状とすることも可能である。例えば、第二部分50bを三角柱や六角柱などの四角柱とすることも可能である。
【0100】
また、第四の参考例においては、突起50の第二部分50bの高さをシールド部材11の上面の高さと同じになるように設定したが、第二部分50bの高さはこれに限定されるものではなく、突起50を開口部13に嵌合させたときに、シールド部材11よりも上方に突出しないような高さであればよい。
【0101】
以上の実施形態並びに第一乃至第四の参考例に係る高周波シールド構造は、回路基板に搭載されている電子部品から放出される高周波を遮断するために、回路基板とシールド部材と電気的に接続する必要がある装置であれば、どのような装置にも適用することが可能である。例えば、最も好ましくは、上記の実施形態並びに第一乃至第四の参考例に係る高周波シールド構造は液晶表示装置に適用することができる。
【0102】
【発明の効果】
以上のように、本発明に係る高周波シールド構造においては、回路基板上に形成されている突起がシールド部材に設けられている開口部に係合する。このため、突起の外側周囲において、突起と開口部とが接触することになる。図11に示した従来のシールド構造においては、突起111とシールド部材112との間の接触は点接触にすぎなかったが、本高周波シールド構造によれば、図11に示した従来のシールド構造と比較して、突起とシールド部材との間の接触長さを増大させることができ、回路基板とシールド部材との間の接触不良を防止することができる。
【0103】
また、突起の先端が開口部の中に位置しているので、最終製品の組み立て後においても、突起とシールド部材との間の接触状態を容易に確認することができ、突起とシールド部材とが確実に接触しているか否かを確認するために最終製品を分解する必要はもはやない。
【0104】
さらに、図11に示した従来のシールド構造においては、最終製品の裏面における高さは(A+B)であったが、本高周波シールド構造によれば、シールド部材は突起の先端よりも低位置にあるため、最終製品の裏面における高さはAとなり、図11に示した従来のシールド構造と比較して、最終製品の裏面における高さを低くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第一の参考例に係る高周波シールド構造の縦断面図である。
【図2】 本発明の第一の参考例に係る高周波シールド構造の斜視図である。
【図3】 本発明の実施形態に係る高周波シールド構造の縦断面図である。
【図4】 本発明の実施形態に係る高周波シールド構造の斜視図である。
【図5】 本発明の第二の参考例に係る高周波シールド構造の縦断面図である。
【図6】 本発明の第二の参考例に係る高周波シールド構造の斜視図である。
【図7】 本発明の第三の参考例に係る高周波シールド構造の縦断面図である。
【図8】 本発明の第三の参考例に係る高周波シールド構造の斜視図である。
【図9】 本発明の第四の参考例に係る高周波シールド構造の縦断面図である。
【図10】 本発明の第四の参考例に係る高周波シールド構造の斜視図である。
【図11】 従来の高周波シールド構造の縦断面図である。
【符号の説明】
10 回路基板
11 シールド部材
20 突起
13 開口部
Claims (7)
- 電子部品が実装される回路基板と、
前記回路基板を覆うシールド部材と、
からなり、前記回路基板と前記シールド部材とを電気的に接続する高周波シールド構造において、
前記回路基板の表面には、バネ性材料からなり、パンタグラフの形状を有する突起が形成されており、
前記突起の上部の外形形状は、下方から上方に向かって徐々に横断面積が減少する形状とされ、
前記シールド部材には、前記突起に対応して開口部が形成されており、
前記回路基板を前記シールド部材に対して配置したときに、前記突起が上方に向かって付勢された状態で、前記突起の上部外面が、前記シールド部材の前記開口部の内周に対し線接触するものであることを特徴とする高周波シールド構造。 - 電子部品が実装される回路基板と、
前記回路基板を覆うシールド部材と、
からなり、前記回路基板と前記シールド部材とを電気的に接続する高周波シールド構造において、
前記回路基板の表面には、バネ性材料からなり、パンタグラフの形状を有する突起が形成されており、
前記突起の上部の外形形状は、下方から上方に向かって徐々に横断面積が減少する形状とされ、
前記シールド部材には、前記突起に対応して開口部が形成されており、
前記回路基板を前記シールド部材に対して配置したときに、前記突起が上方に向かって付勢された状態で、前記突起の上部外面が、前記シールド部材の前記開口部の内周に対し線接触しつつ、前記突起の先端が前記開口部から上方に突出するものであることを特徴とする高周波シールド構造。 - 請求項1又は2に係る高周波シールド構造における回路基板。
- 請求項1又は2に係る高周波シールド構造におけるシールド部材。
- 請求項1又は2に係る高周波シールド構造を有する液晶表示装置。
- 回路基板の表面に、バネ性材料からなり、パンタグラフの形状を有し、上部の外形形状は、下方から上方に向かって徐々に横断面積が減少する形状である突起を形成する第1の過程と、
シールド部材に開口部を形成する第2の過程と、
前記突起が上方に向かって付勢された状態で、前記突起の上部外面が前記シールド部材の前記開口部の内周に対し線接触するように、前記回路基板と前記シールド部材とを配置する第3の過程と、
からなることを特徴とする高周波シールド構造の組立方法。 - 回路基板の表面に、バネ性材料からなり、パンタグラフの形状を有し、上部の外形形状は、下方から上方に向かって徐々に横断面積が減少する形状である突起を形成する第1の過程と、
シールド部材に開口部を形成する第2の過程と、
前記突起が上方に向かって付勢された状態で、前記突起の上部外面が前記シールド部材の前記開口部の内周に対し線接触しつつ、前記突起の先端が前記開口部から上方に突出するように、前記回路基板と前記シールド部材とを配置する第3の過程と、
からなることを特徴とする高周波シールド構造の組立方法。
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