JP3672161B2 - フェライトの製造方法およびインダクタの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、インダクタンス素子のコア材として使用され、特に樹脂モールドタイプのチップインダクタのコア材として使用されるフェライトの製造方法と、このフェライトの製造方法を用いたインダクタの製造方法とに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、テレビ、ビデオレコーダ、移動体通信機等の分野で、急速に需要が拡大しつつある樹脂モールドタイプのチップインダクタ、固定コイル等の分野において、小型、軽量、高精度等の要求に応じるべく、これらの部品に対する狭公差化・高信頼性化への要求が大きくなっている。これらの部品におけるコア材料には、一般にフェライトが用いられているが、樹脂モールドタイプのインダクタ部品では、樹脂モールドによってコアに圧縮応力が生じ、一方、フェライトは圧縮応力の値に応じてインダクタンス値が変化するため、樹脂モールドタイプではインダクタンス公差の小さい高品質の部品を得ることが困難である。このため、外力が加わった場合のインダクタンス変化の小さい、すなわち抗応力特性の良好なフェライトが望まれている。また、インダクタ部品を利用する機器の信頼性を高くするためには、インダクタ部品自体の信頼性を高めること、具体的には、インダクタ部品に用いるフェライトの温度特性を小さくすることが重要である。
【0003】
このような要求に応じるべく、例えば、特開平1−179402号公報には、ニッケルを必須成分として含有する酸化物フェライト材料に、Bi2O3、V2O5の少なくとも1種を1.5〜5wt%含有させることにより、外部応力に変動があっても、インダクタンス変化の小さいインダクタ用磁心が記載されている。しかし、この組成のものでは十分な温度特性が得られず、外部温度の変化に対してインダクタンスが変動してしまう。
【0004】
また、特開平4−278502号公報には、Ni−Cu−Zn系フェライトにPbO:3.1〜30wt%およびタルク:3.1〜30wt%を含有させることにより、機械的強度を向上させた酸化物磁性材料が記載されている。しかし、この組成のものは、毒性の強い鉛を含有するため環境汚染が問題となる。特に、製品として市場に流通した後では鉛の回収も困難となり、広範囲に環境を汚染するおそれがある。
【0005】
特開平3−91209号公報には、25〜45mol%のFe2O3、0〜20mol%のZnO、残りがNiOとCuOであり、NiOのモル比がCuOのモル比よりも多いスピネル型組成物であって、少量成分として0.1〜5wt%のBi2O3、および0.05〜4.0wt%のSiO2を含むフェライト組成物が記載されている。ただし、実施例で示されている組成はFe2O3:38.2mol%、NiO:50.3mol%、ZnO:8.4mol%、CuO:3.1mol%の基本組成に、Bi2O3:3wt%、SiO2:0.8wt%を添加した組成のものだけである。また、同公報の実施例では、加圧によるインダクタンスの変化を測定し、その変化率を求めているが、この変化率は所定の圧力を印加したときの変化率ではなく、樹脂モールド前後のインダクタンスから算出した値である。したがって、例えば1t/cm2の加圧下でインダクタンス変化率が±5% 以内となるかは疑問である。
【0006】
特開平5−326243号公報には、Fe203:46.5〜49.5mol%、CuO:5.0〜12.0mol%、ZnO:2.0〜30.0mol%、NiO:残部、を含有するNi−Cu−Zn系フェライトに対して、Co3O4、Bi2O3、ならびにSiO2およびSnO2の混合物を、その含有率が、
Co3O4:0.05〜0.60wt%、
Bi2O3:0.50〜2.00wt%、
SiO2とSnO2との合計:0.10〜2.00wt%
となるような割合で配合したフェライト材料が記載されている。また、特開平8−325056号公報には、主成分の組成比が、酸化物換算で50.1〜56mol%のFe2O3と、30.1〜35mol%のZnOと、6mol%以下のCuOと、4mol%以下のMnOと、残部がNiOからなり、これら主成分100重量部に対して0.61〜2重量部のCoOと、0.5〜2重量部のBi2O3とを添加したフェライト材料が記載されている。これらの公報に記載されているフェライト材料にはコバルトが含有されているが、例えば酸化第二鉄が1kg当たり数十円程度であるのに対し、酸化コバルトでは1kg当たり一万円前後と非常に高価である。このため、生産コストを低減し、安価なインダクタを提供するためには、Coを含有しないかCo含有量が少なく、かつそれによる特性低下のないフェライト材料を開発する必要がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、初透磁率が高く、抗応力特性に優れ、温度特性が良好で、しかも、鉛を使用する必要がなく、かつ、安価なフェライトの製造方法を提供することである。本発明の他の目的は、このフェライトの製造方法を用いることにより、狭公差および高信頼性を実現し、しかも、環境汚染を防ぐことができる樹脂モールド型インダクタの製造方法を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、下記(1)〜(7)のいずれかの構成により達成される。
(1) 酸化鉄、酸化ニッケル、酸化銅及び酸化亜鉛からなる主成分と、
酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リンおよび酸化ホウ素の1種または2種以上からなる添加物と、
酸化シリコンからなる第1副成分と、
酸化マグネシウムからなる第2副成分とを含有し、
酸化鉄をFe 2 O 3 に、酸化ニッケルをNiOに、酸化銅をCuOに、酸化亜鉛をZnOに、酸化ビスマスをBi 2 O 3 に、酸化バナジウムをV 2 O 5 に、酸化リンをP 2 O 5 に、酸化ホウ素をB 2 O 3 に換算したとき、主成分に対する添加物の比率が0.5〜15wt%であり、
1t/cm 2 の圧力で加圧したときのインダクタンスの変化率が±5%以内であるフェライトを製造する方法であって、
前記第1副成分の酸化シリコンと前記第2副成分の酸化マグネシウムとを、タルク〔Mg 3 Si 4 O 10 (OH) 2 〕の形で、主成分に対し、0.5〜8wt%添加することを特徴とするフェライトの製造方法。
(2) 酸化鉄、酸化ニッケル、酸化銅及び酸化亜鉛からなり、酸化鉄をFe 2 O 3 に、酸化ニッケルをNiOに、酸化銅をCuOに、酸化亜鉛をZnOに換算したとき、Fe 2 O 3 :30〜50mol%、NiO:15〜40mol%、CuO:0.5〜15mol%、ZnO:1〜30mol%である主成分と、
酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リンおよび酸化ホウ素の1種または2種以上からなる添加物と、
酸化シリコンからなる第1副成分と、
酸化マグネシウムからなる第2副成分とを含有し、
酸化ビスマスをBi 2 O 3 に、酸化バナジウムをV 2 O 5 に、酸化リンをP 2 O 5 に、酸化ホウ素をB 2 O 3 に換算したとき、主成分に対する添加物の比率が0.5〜15wt%であるフェライトを製造する方法であって、
前記第1副成分の酸化シリコンと前記第2副成分の酸化マグネシウムとを、タルク〔Mg 3 Si 4 O 10 (OH) 2 〕の形で、主成分に対し、0.5〜8wt%添加することを特徴とするフェライトの製造方法。
(3) −20〜+60℃の温度範囲における初透磁率の相対温度係数が±10ppm以内である上記(1)または(2)に記載のフェライトの製造方法。
(4) 酸化鉄、酸化ニッケル及び酸化銅からなる主成分と、
酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リンおよび酸化ホウ素の1種または2種以上からなる添加物と、
酸化シリコンからなる第1副成分と、
酸化マグネシウムからなる第2副成分とを含有し、
酸化鉄をFe 2 O 3 に、酸化ニッケルをNiOに、酸化銅をCuOに、酸化ビスマスをBi 2 O 3 に、酸化バナジウムをV 2 O 5 に、酸化リンをP 2 O 5 に、酸化ホウ素をB 2 O 3 に換算したとき、主成分に対する添加物の比率が0.5〜15wt%であり、
0.5t/cm 2 の圧力で加圧したときのインダクタンスの変化率が±5%以内であるフェライトを製造する方法であって、
前記第1副成分の酸化シリコンと前記第2副成分の酸化マグネシウムとを、タルク〔Mg 3 Si 4 O 10 (OH) 2 〕の形で、主成分に対し、0.5〜8wt%添加することを特徴とするフェライトの製造方法。
(5) 酸化鉄、酸化ニッケル及び酸化銅からなり、酸化鉄をFe 2 O 3 に、酸化ニッケルをNiOに、酸化銅をCuOに換算したとき、Fe 2 O 3 :30〜50mol%、CuO:0.5〜10mol%、NiO:残部である主成分と、
酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リンおよび酸化ホウ素の1種または2種以上からなる添加物と、
酸化シリコンからなる第1副成分と、
酸化マグネシウムからなる第2副成分とを含有し、
酸化ビスマスをBi 2 O 3 に、酸化バナジウムをV 2 O 5 に、酸化リンをP 2 O 5 に、酸化ホウ素をB 2 O 3 に換算したとき、主成分に対する添加物の比率が0.5〜15wt%であるフェライトを製造する方法であって、
前記第1副成分の酸化シリコンと前記第2副成分の酸化マグネシウムとを、タルク〔Mg 3 Si 4 O 10 (OH) 2 〕の形で、主成分に対し、0.5〜8wt%添加することを特徴とするフェライトの製造方法。
(6) −20〜+60℃の温度範囲における初透磁率の相対温度係数が±20ppm以内である上記(4)または(5)に記載のフェライトの製造方法。
(7) フェライトからなるコアを有し、このコアが樹脂モールドされているインダクタを製造する方法であって、
前記フェライトを、上記(1)〜(6)に記載のいずれかの方法を用いて製造することを特徴とするインダクタの製造方法。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明により製造されるフェライトは、主成分、添加物、第1副成分および第2副成分を含有する。主成分は、少なくとも酸化鉄および酸化ニッケルを含む。添加物は、酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リンおよび酸化ホウ素の1種または2種以上からなる。第1副成分は、酸化シリコンからなる。第2副成分は、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウムおよび酸化ストロンチウムの1種または2種以上からなる。各成分の構成比は、主成分に対する添加物の比率が0.5〜15wt%、好ましくは0.5〜5wt%であり、主成分に対する第1副成分の比率が0.1〜10.0wt%であり、主成分に対する第2副成分の比率が0.1〜10wt%である。なお、これらの構成比は、酸化鉄をFe2 O3 に、酸化ニッケルをNiOに、酸化ビスマスをBi2 O3 に、酸化バナジウムをV2 O5 に、酸化リンをP2 O5 に、酸化ホウ素をB2 O3 に、酸化シリコンをSiO2 に、酸化マグネシウムをMgOに、酸化カルシウムをCaOに、酸化バリウムをBaOに、酸化ストロンチウムをSrOにそれぞれ換算したときのものである。
【0010】
各成分の構成比を上記範囲内とすることにより、環境に悪影響を与える鉛を含有することなく、初透磁率、温度特性、抗応力特性をバランスよく改善することができる。
【0011】
具体的には、上記添加物は粒界に濡れ広がるため、特に抗応力特性が改善される。また、上記添加物の含有量が多くなると、温度特性の改善効果も向上する。添加物の構成比が0.5wt%より少ないと、抗応力特性の改善効果がほとんどなくなり、温度特性も悪化する。一方、添加物の構成比が15wt%より多くなると、特性のバラツキを生じたり、焼結時に焼結体から浸みだして、他のコア材と癒着したりセッターなどの焼成用具を汚染したりする。
【0012】
また、第1副成分を含有させることにより、温度特性を改善することができる。第1副成分の構成比が0.1wt%より少ないと、温度特性の改善効果がほとんど得られない。一方、第1副成分の構成比が10wt%を超えると、初透磁率の低下が著しくなる。
【0013】
また、第1副成分に加えて第2副成分を含有させることにより、さらに温度特性や抗応力特性が改善され、酸化シリコン単独で添加した場合よりも改善効果が著しくなる。第2副成分の構成比が0.1wt%より少ないと、温度特性の改善効果がほとんど得られない。また、第2副成分の構成比が10wt%を超えると、初透磁率の低下が著しくなる。
【0014】
第1副成分の酸化シリコンと第2副成分のうち酸化マグネシウムとは、タルク〔一般にMg3Si4O10(OH)2で表される〕として同時に添加される。その場合の構成比は、主成分に対しMg3Si4O10(OH)2換算で0.5〜8wt%、好ましくは1〜5wt%とする。タルクとして添加することにより、少量で温度特性と抗応力特性とが改善できるため、初透磁率が低下しない。また、Q値も低下しない。タルクの構成比が0.5wt%より少ないと、温度特性等の改善効果がほとんど得られない。一方、タルクの添加量が8wt%を超えると、初透磁率の低下が著しくなる。
【0015】
本発明により製造されるフェライトは、鉛を含有することなく優れた抗応力特性や温度特性等を実現することができる。ただし、本発明は、鉛成分を積極的に排除するものではなく、鉛をPbO換算で0.5〜10wt%程度含有していてもよい。また、本発明により製造されるフェライトでは、上記添加物と上記各副成分とを複合添加することにより、酸化コバルトを含有することなく優れた特性が得られる。そして、逆に、酸化コバルトを添加した場合には抗応力特性や温度特性が低下してしまう。このため、酸化コバルトは添加しないことが好ましいが、必要に応じて(例えばNi−Cu系フェライトにおいて高周波域でのQを高くするためなど)添加してもよい。ただし、このような場合でも、酸化コバルトの含有量は、主成分に対しCoO換算で0.09wt%以下とすることが好ましい。
【0016】
本発明により製造されるフェライトは、主成分として少なくとも酸化鉄と酸化ニッケルとを含むものであればよいが、特に、Ni−Cu−Zn系フェライトまたはNi−Cu系フェライトであることが好ましい。Ni−Cu−Zn系フェライトである場合、主成分には、上記酸化物のほか、酸化銅および酸化亜鉛が含有される。酸化銅および酸化亜鉛をそれぞれCuOおよびZnOに換算したとき、主成分の構成比は、
Fe2 O3 :30〜50mol%、
NiO:15〜40mol%、
CuO:0.5〜15mol%、
ZnO:1〜30mol%
であることが好ましい。また、Ni−Cu系フェライトである場合、主成分の構成比は、
Fe2 O3 :30〜50mol%、
CuO:0.5〜10mol%、
NiO:残部
であることが好ましい。Ni−Cu系フェライトは、高周波においても高いQが得られる。
【0017】
本発明により製造されるフェライトでは、初透磁率μiの相対温度係数αμirを小さくできる。相対温度係数αμirは、2点の温度間での初透磁率の変化率を表す値であり、例えば、温度T1 のときの初透磁率をμi1 とし、温度T2のときの初透磁率をμi2 としたとき、温度範囲T1 〜T2 におけるαμirは、
【0018】
【数1】
【0019】
で表される。本発明により製造されるフェライト、特にNi−Cu−Zn系フェライトでは、−20〜+60℃におけるαμirを±10ppm以内とすることができ、±5ppm以内とすることもできる。αμirが小さいと、初透磁率が温度による影響を受けにくくなり、使用する電子機器の対使用環境性能が向上し、信頼性が向上する。一方、Ni−Cu系フェライトは、Ni−Cu−Zn系フェライトに比べαμirが大きくなるが、本発明をNi−Cu系フェライトに適用することにより、−20〜+60℃におけるαμirを±20ppm以内とすることができる。なお、初透磁率の測定周波数は、通常、100kHzとする。
【0020】
本発明により製造されるフェライト、特にNi−Cu−Zn系フェライトは、抗応力特性が良好である。すなわち、外力印加による応力発生時のインダクタンス変化が小さい。例えば、1t/cm2 の圧力で一軸加圧したときのインダクタンス変化率△L/Lを、±5%以内とすることができ、±3%以内とすることもできる。なお、Lは加圧前のインダクタンスであり、△Lは加圧によるインダクタンス変化量、すなわち、加圧時のインダクタンスから加圧前のインダクタンスを減じた値である。Ni−Cu系フェライトは、Ni−Cu−Zn系フェライトに比べ抗応力特性が悪くなるが、本発明をNi−Cu系フェライトに適用することにより、0.5t/cm2 の圧力で一軸加圧したときのインダクタンス変化率△L/Lを、±5%以内とすることができ、±3%以内とすることもできる。本発明のフェライトは、このように抗応力特性が良好なので、樹脂モールドに伴うインダクタンス変化を低減でき、高精度の電子機器を得ることができる。
【0021】
本発明により製造されるフェライトは、所定形状のコア材に成形加工され、必要な巻線が巻回された後、樹脂モールドされ、固定インダクタ、チップインダクタ等として、テレビ、ビデオレコーダ、携帯電話や自動車電話などの移動体通信機等の各種電子機器に使用される。コアの形状は特に限定されないが、例えば、外径・長さ共に2mm以下(例えば1.8mm×1.5mm)のドラム型コア等が挙げられる。
【0022】
モールド材(被覆材)として用いられる樹脂は特に限定されないが、例えば熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等であり、具体的にはポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、フェノール樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。モールド材をモールドする手段としては、ディップ、塗布、吹き付け等を用いることができ、また、射出成形、流し込み成形等を用いてもよい。
【0023】
次に、本発明により製造されるフェライトを用いたチップインダクタの、代表的構成例を図を参照しつつ説明する。
【0024】
図1は本発明により製造されるフェライトを用いたチップインダクタの構成例を示した概略構成図である。図示構成例のチップインダクタは、本発明により製造されるフェライトを用い、両端に径の大きな鍔部を有するコア1と、このコア1の胴部に巻回された巻線2と、巻線2の端部と外部電気回路とを接続し、かつ、コア1を樹脂(モールド材)内に固定するための端子電極6と、これらの外部を覆うように設けられたモールド材5とを有する。
【0025】
チップインダクタの構成は、図示例に限定されるものではなく、種々の態様をとることができ、例えばリード線をコアの円筒軸の中心部から軸方向に接続するような構成としてもよいし、箱形の樹脂ケース内に、コアに巻線、リード線等を設けたコイル素体を挿入し、開口部をモールド材で封止するような構成としてもよい。
【0026】
次に、本発明のフェライトの製造方法について説明する。
【0027】
まず、主成分原料と添加物原料とを混合する。主成分原料には、酸化鉄(α−Fe2O3)および酸化ニッケルと、必要に応じて酸化銅、酸化亜鉛等を用いる。添加物原料には、添加物として挙げた酸化物自体、または焼成により上記添加物となる各種化合物を用いるが、好ましくは酸化物、特に、構成比算出の説明において挙げた上記各酸化物を用いることが好ましい。なお、第1副成分および第2副成分の各原料は、この段階で主成分原料および添加物原料と混合してもよい。各副成分原料には、上記酸化物を用いればよい。各原料は、最終組成として前記した構成比となるように混合される。
【0028】
次いで、混合物を仮焼する。仮焼は酸化性雰囲気中、通常は空気中で行えばよく、仮焼温度は800〜1000℃、仮焼時間は1〜3時間とすることが好ましい。
【0029】
次に、得られた仮焼物をボールミル等により所定の大きさに粉砕する。なお、この粉砕の際に、第1副成分原料および第2副成分原料を添加して混合してもよい。また、副成分は、仮焼前に一部を添加し、仮焼後にその残部を添加してもよい。
【0030】
仮焼物を粉砕した後、適当なバインダー、例えばポリビニルアルコール等を適当量加えて、所望の形状に成形する。
【0031】
次いで、成形体を焼成する。焼成は酸化性雰囲気中、通常は空気中で行えばよく、焼成温度は950〜1100℃程度で、焼成時間は2〜5時間とすることが好ましい。
【0032】
【実施例】
実施例1(Ni−Cu−Zn系フェライト)
原料として、モル比でFe2O3:NiO:CuO:ZnO=48:30:4:18の割合で各成分を含む混合粉末と、Bi2O3、V2O5、P2O5、SiO2、MgO、CaO、BaOおよびタルク〔Mg3Si4O10(OH)2〕の各粉末とを用意した。これらの原料粉末を表1に示す構成比となるよう秤量し、ボールミルにて5時間混合した。なお、表1において、添加物、第1副成分、第2副成分およびタルクの各構成比は、主成分に対するものである。
【0033】
次に、得られた混合物を空気中において900℃で2時間仮焼成した後、ボールミルにて20時間混合・粉砕した。粉砕後の混合物を乾燥し、ポリビニルアルコールを1.0wt%加えた後、1t/cm2の圧力で加圧成形して、寸法が35mm×7mm×7mmの角形成形体と、外径20mm、内径10mm、高さ5mmのトロイダル状成形体とを得た。これらの成形体を、空気中において表1に示す温度で2時間焼成して、フェライトからなる角形コアサンプルおよびトロイダルコアサンプルを得た。
【0034】
角形コアサンプルの中央部にワイヤを20回巻回した後、これに一定速度で一軸圧縮力を印加し、このときのインダクタンス値をLCRメータにて連続的に測定し、得られた測定値からインダクタンス変化率を算出した。表1に、1t/cm2の一軸圧縮力を印加したときのインダクタンス変化率△L1/Lを示す。
【0035】
また、トロイダルコアサンプルにワイヤを20回巻回した後、LCRメータにてインダクタンス値等を測定し、−20〜+60℃における相対温度係数(αμir)、100kHzにおける初透磁率(μi)を求めた。また、一部のサンプルについては、ワイヤを3回巻回し、10MHzにおけるQ(Q10)を求めた。結果を表1に示す。
【0036】
【表1】
【0037】
表1から明らかなように、本発明のサンプルは、比較サンプルと比べて抗応力特性、温度特性共に優れた値を示している。
【0038】
なお、第2副成分としてSrOを1〜10wt%添加した場合でも、表1に示す本発明サンプルとほぼ同等の結果が得られた。また、添加物としてB2O3を用いた場合でも、表1に示す本発明サンプルとほぼ同等の結果が得られた。
【0039】
実施例2(Ni−Cu系フェライト)
表2に示す構成比で各成分が含有されるNi−Cu系フェライトを、実施例1と同様にして製造した。ただし、焼成は表2に示す温度で行った。なお、主成分中の各酸化物のモル比は、サンプルNo.201ではFe2O3:NiO:CuO=48.5:49.5:2とし、他のサンプルではFe2O3:NiO:CuO=49:49:2とした。
【0040】
これらのサンプルについて、実施例1と同様な測定を行った。結果を表2に示す。ただし、表2に示すインダクタンス変化率△L0.5/Lは、0.5t/cm2の一軸圧縮力を印加したときの値であり、Q100は、100MHzにおけるQである。
【0041】
【表2】
【0042】
表2から、Ni−Cu系フェライトにおいても、本発明の効果が実現することがわかる。
【0043】
【発明の効果】
本発明方法では、鉛を用いることなく、高い初透磁率、優れた抗応力特性および良好な温度特性を持つフェライトを製造することができる。また、本発明のフェライトの製造方法を用いることにより、狭公差かつ高信頼性であって、かつ環境汚染を引き起こさない樹脂モールド型インダクタを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明により製造されるフェライトを用いたチップインダクタの構成例を示した概略構成図である。
【符号の説明】
1 コア
2 巻線
5 モールド材
6 端子電極
Claims (7)
- 酸化鉄、酸化ニッケル、酸化銅及び酸化亜鉛からなる主成分と、
酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リンおよび酸化ホウ素の1種または2種以上からなる添加物と、
酸化シリコンからなる第1副成分と、
酸化マグネシウムからなる第2副成分とを含有し、
酸化鉄をFe2 O3 に、酸化ニッケルをNiOに、酸化銅をCuOに、酸化亜鉛をZnOに、酸化ビスマスをBi2 O3 に、酸化バナジウムをV2 O5 に、酸化リンをP2 O5 に、酸化ホウ素をB2 O3 に換算したとき、主成分に対する添加物の比率が0.5〜15wt%であり、
1t/cm 2 の圧力で加圧したときのインダクタンスの変化率が±5%以内であるフェライトを製造する方法であって、
前記第1副成分の酸化シリコンと前記第2副成分の酸化マグネシウムとを、タルク〔Mg3 Si4 O10(OH)2 〕の形で、主成分に対し、0.5〜8wt%添加することを特徴とするフェライトの製造方法。 - 酸化鉄、酸化ニッケル、酸化銅及び酸化亜鉛からなり、酸化鉄をFe 2 O 3 に、酸化ニッケルをNiOに、酸化銅をCuOに、酸化亜鉛をZnOに換算したとき、Fe 2 O 3 :30〜50mol%、NiO:15〜40mol%、CuO:0.5〜15mol%、ZnO:1〜30mol%である主成分と、
酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リンおよび酸化ホウ素の1種または2種以上からなる添加物と、
酸化シリコンからなる第1副成分と、
酸化マグネシウムからなる第2副成分とを含有し、
酸化ビスマスをBi 2 O 3 に、酸化バナジウムをV 2 O 5 に、酸化リンをP 2 O 5 に、酸化ホウ素をB 2 O 3 に換算したとき、主成分に対する添加物の比率が0.5〜15wt%であるフェライトを製造する方法であって、
前記第1副成分の酸化シリコンと前記第2副成分の酸化マグネシウムとを、タルク〔Mg 3 Si 4 O 10 (OH) 2 〕の形で、主成分に対し、0.5〜8wt%添加することを特徴とするフェライトの製造方法。 - −20〜+60℃の温度範囲における初透磁率の相対温度係数が±10ppm以内である請求項1または2に記載のフェライトの製造方法。
- 酸化鉄、酸化ニッケル及び酸化銅からなる主成分と、
酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リンおよび酸化ホウ素の1種または2種以上からなる添加物と、
酸化シリコンからなる第1副成分と、
酸化マグネシウムからなる第2副成分とを含有し、
酸化鉄をFe2 O3 に、酸化ニッケルをNiOに、酸化銅をCuOに、酸化ビスマスをBi2 O3 に、酸化バナジウムをV2 O5 に、酸化リンをP2 O5 に、酸化ホウ素をB2 O3 に換算したとき、主成分に対する添加物の比率が0.5〜15wt%であり、
0.5t/cm 2 の圧力で加圧したときのインダクタンスの変化率が±5%以内であるフェライトを製造する方法であって、
前記第1副成分の酸化シリコンと前記第2副成分の酸化マグネシウムとを、タルク〔Mg3 Si4 O10(OH)2 〕の形で、主成分に対し、0.5〜8wt%添加することを特徴とするフェライトの製造方法。 - 酸化鉄、酸化ニッケル及び酸化銅からなり、酸化鉄をFe 2 O 3 に、酸化ニッケルをNiOに、酸化銅をCuOに換算したとき、Fe 2 O 3 :30〜50mol%、CuO:0.5〜10mol%、NiO:残部である主成分と、
酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リンおよび酸化ホウ素の1種または2種以上からなる添加物と、
酸化シリコンからなる第1副成分と、
酸化マグネシウムからなる第2副成分とを含有し、
酸化ビスマスをBi 2 O 3 に、酸化バナジウムをV 2 O 5 に、酸化リンをP 2 O 5 に、酸化ホウ素をB 2 O 3 に換算したとき、主成分に対する添加物の比率が0.5〜15wt%であるフェライトを製造する方法であって、
前記第1副成分の酸化シリコンと前記第2副成分の酸化マグネシウムとを、タルク〔Mg 3 Si 4 O 10 (OH) 2 〕の形で、主成分に対し、0.5〜8wt%添加することを特徴とするフェライトの製造方法。 - −20〜+60℃の温度範囲における初透磁率の相対温度係数が±20ppm以内である請求項4または5に記載のフェライトの製造方法。
- フェライトからなるコアを有し、このコアが樹脂モールドされているインダクタを製造する方法であって、
前記フェライトを、請求項1〜6に記載のいずれかの方法を用いて製造することを特徴とするインダクタの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16611098A JP3672161B2 (ja) | 1997-07-16 | 1998-05-29 | フェライトの製造方法およびインダクタの製造方法 |
US09/112,055 US6033594A (en) | 1997-07-16 | 1998-07-09 | Ferrite and inductor |
EP98305650A EP0891955B1 (en) | 1997-07-16 | 1998-07-15 | Ferrite and inductor |
CNB981033946A CN1146924C (zh) | 1997-07-16 | 1998-07-15 | 铁氧体和电感器 |
DE69801552T DE69801552T2 (de) | 1997-07-16 | 1998-07-15 | Ferrit und Induktor |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20723797 | 1997-07-16 | ||
JP9-207237 | 1997-07-16 | ||
JP16611098A JP3672161B2 (ja) | 1997-07-16 | 1998-05-29 | フェライトの製造方法およびインダクタの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1187126A JPH1187126A (ja) | 1999-03-30 |
JP3672161B2 true JP3672161B2 (ja) | 2005-07-13 |
Family
ID=26490604
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16611098A Expired - Lifetime JP3672161B2 (ja) | 1997-07-16 | 1998-05-29 | フェライトの製造方法およびインダクタの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6033594A (ja) |
EP (1) | EP0891955B1 (ja) |
JP (1) | JP3672161B2 (ja) |
CN (1) | CN1146924C (ja) |
DE (1) | DE69801552T2 (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FI105294B (fi) * | 1997-12-16 | 2000-07-14 | Nokia Networks Oy | Järjestely magneettipiirin toteuttamiseksi piirilevylle |
JP3449322B2 (ja) * | 1999-10-27 | 2003-09-22 | 株式会社村田製作所 | 複合磁性材料およびインダクタ素子 |
US6292081B1 (en) * | 1999-10-28 | 2001-09-18 | Scientific-Atlanta, Inc. | Tunable surface mount toroidal inductor |
JP4255044B2 (ja) * | 2000-03-13 | 2009-04-15 | Tdk株式会社 | 酸化物磁性材料及び酸化物磁性材料の製造方法 |
EP1314697B1 (en) * | 2000-08-21 | 2007-07-25 | TDK Corporation | Ferrite material |
JP3726017B2 (ja) * | 2000-10-31 | 2005-12-14 | Tdk株式会社 | 磁性材料およびインダクタ |
JP2002246222A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Tdk Corp | 酸化物磁性材料とそれを用いたコイル部品 |
US7118728B2 (en) * | 2002-05-08 | 2006-10-10 | Steward Advanced Materials, Inc. | Method and apparatus for making ferrite material products and products produced thereby |
JP3907642B2 (ja) * | 2004-05-21 | 2007-04-18 | Tdk株式会社 | フェライト材料及びフェライト材料の製造方法 |
JP4823531B2 (ja) * | 2005-01-25 | 2011-11-24 | 太陽誘電株式会社 | 酸化物磁性材料 |
US7892446B2 (en) | 2005-09-13 | 2011-02-22 | Hitachi Metals, Ltd. | Ferrite material |
JP4858035B2 (ja) * | 2006-09-19 | 2012-01-18 | トヨタ自動車株式会社 | リアクトルのコアおよびリアクトル |
WO2009044760A1 (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | インダクタンス素子およびその製造方法 |
JP6149386B2 (ja) * | 2012-04-13 | 2017-06-21 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品 |
CN102674822B (zh) * | 2012-04-20 | 2013-08-21 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种铁氧体磁芯注射成型用的粒料及其制备方法 |
CN102982948B (zh) * | 2012-11-23 | 2016-08-24 | 天长市昭田磁电科技有限公司 | 一种含有b2o3的铁磁芯的制造方法 |
CN103337324A (zh) * | 2013-05-30 | 2013-10-02 | 绵阳武盛磁电科技有限公司 | 一种磁性材料及其制备方法 |
US10236104B2 (en) * | 2013-07-19 | 2019-03-19 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Ferrite and inductor including the same |
CN104446408B (zh) | 2013-09-25 | 2016-12-07 | 比亚迪股份有限公司 | 一种吸波材料及其制备方法 |
CN107077948A (zh) * | 2014-11-06 | 2017-08-18 | 株式会社村田制作所 | 层叠线圈部件 |
WO2018048394A1 (en) | 2016-09-07 | 2018-03-15 | South Dakota Board Of Regents | Thermally stabilized redox materials and applications thereof |
JP6142950B1 (ja) * | 2016-09-30 | 2017-06-07 | Tdk株式会社 | フェライト組成物および電子部品 |
CN108863333B (zh) * | 2018-07-05 | 2020-10-30 | 浙江大学 | 一种制备高性能NiZn铁氧体的Cu、V、Bi、Co离子联合替代方法 |
CN113603473B (zh) * | 2021-08-20 | 2022-08-16 | 安徽华林磁电科技有限公司 | 一种具有高磁导率的Mn-Zn铁氧体滤波材料 |
CN116403796B (zh) * | 2023-05-09 | 2024-02-13 | 清远市佳和磁材有限公司 | 一种高频电感及其制备方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59121806A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-14 | Hitachi Metals Ltd | 高周波磁性材料 |
JP3123605B2 (ja) * | 1988-01-07 | 2001-01-15 | ティーディーケイ株式会社 | インダクタ用磁心 |
US4966625A (en) * | 1988-03-25 | 1990-10-30 | General Electric Company | Ferrite composite containing silver metallization |
JPH0391209A (ja) * | 1989-09-01 | 1991-04-16 | Hitachi Ferrite Ltd | チップインダクタ |
JP2898772B2 (ja) * | 1991-03-06 | 1999-06-02 | ティーディーケイ株式会社 | 酸化物磁性材料 |
JP3147496B2 (ja) * | 1992-05-25 | 2001-03-19 | 株式会社村田製作所 | フェライト材料 |
US5871662A (en) * | 1993-05-11 | 1999-02-16 | U.S. Philips Corporation | Sintered transformer or inductor core of nizn ferrite material |
JP3405630B2 (ja) * | 1994-12-26 | 2003-05-12 | 京セラ株式会社 | フェライト材料 |
JP3492802B2 (ja) * | 1995-02-28 | 2004-02-03 | 京セラ株式会社 | 低損失フェライト材料 |
-
1998
- 1998-05-29 JP JP16611098A patent/JP3672161B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-09 US US09/112,055 patent/US6033594A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-07-15 EP EP98305650A patent/EP0891955B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-15 CN CNB981033946A patent/CN1146924C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-15 DE DE69801552T patent/DE69801552T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1187126A (ja) | 1999-03-30 |
EP0891955B1 (en) | 2001-09-05 |
CN1211049A (zh) | 1999-03-17 |
DE69801552T2 (de) | 2002-05-29 |
EP0891955A1 (en) | 1999-01-20 |
US6033594A (en) | 2000-03-07 |
CN1146924C (zh) | 2004-04-21 |
DE69801552D1 (de) | 2001-10-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021217 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040601 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20041012 |
|
A521 | Written amendment |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
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|
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|
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