JP3645093B2 - 磁気インピーダンス効果形渦電流センサ - Google Patents

磁気インピーダンス効果形渦電流センサ Download PDF

Info

Publication number
JP3645093B2
JP3645093B2 JP19684898A JP19684898A JP3645093B2 JP 3645093 B2 JP3645093 B2 JP 3645093B2 JP 19684898 A JP19684898 A JP 19684898A JP 19684898 A JP19684898 A JP 19684898A JP 3645093 B2 JP3645093 B2 JP 3645093B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
eddy current
current sensor
magneto
impedance effect
magnetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP19684898A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000028693A (ja
Inventor
佳年雄 毛利
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Science and Technology Agency
National Institute of Japan Science and Technology Agency
Original Assignee
Japan Science and Technology Agency
National Institute of Japan Science and Technology Agency
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Science and Technology Agency, National Institute of Japan Science and Technology Agency filed Critical Japan Science and Technology Agency
Priority to JP19684898A priority Critical patent/JP3645093B2/ja
Publication of JP2000028693A publication Critical patent/JP2000028693A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3645093B2 publication Critical patent/JP3645093B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、渦電流センサに係り、特に、パルス励磁方式の磁気インピーダンス効果形渦電流センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の渦電流センサは、ヘッドを小型化するために主として空心コイルを用い、これに交流電流を通電して金属面からの渦電流反磁界による空心コイルの磁束変化の減少をコイル電圧の減少として検出し、金属の近接検出や金属面の電磁気特性および欠陥等の検出に使用するようにしていた。
【0003】
この場合、コイルに高透磁率磁性体を磁心として設置し、感度を高めることができるが、磁性体内部のコイル軸方向の反磁界を軽減するために磁性体の長さを確保する必要があり、金属細管内部にセンサを設置する時など空間的制約がある場合は、ヘッドの小型化や薄型化が困難であり、やはり空心コイルヘッドが主体となっている。
【0004】
しかし、近年の非破壊検査の高度化の要求は厳しくなり、金属表面の微細な傷や不純物を検出するために、ヘッドの寸法を1mm以下のマイクロ寸法にしたり、金属の浅い表面の非破壊検査をするために表皮効果を顕著にする高周波技術が要求されるなど、従来のコイル法では解決できない場合が増えてきている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように、従来の渦電流センサは、空心コイルを交流励磁し、対象金属表面の渦電流による反磁界によって、コイルのインダクタンスが減少するのを検出する方法が一般的である。しかしながら、この方法では、
(1)金属表面からコイル端面までの距離(リフトオフ)の2倍以上のコイル直径が必要である。例えば、2mmのリフトオフでは4mm以上のコイルが必要であり、ヘッドの小型化が困難である。また、金属表面のピンポイント検出が困難である。
【0006】
(2)リフトオフを高くするためには、コイル磁界をコイル端面から遠方に発生させ、金属面からの反磁界を強めることが必要になり、そのためコイルの軸方向長さを長くすることになる。このためヘッドの小型化が困難となる。
(3)検出感度を上げ、信号対雑音比を上げるためには、コイルの巻数を多くする必要があり、ヘッドの小型化が困難である。
【0007】
(4)原子炉用ウランペレット管など表面が平滑仕上げされたサンプルの浅い表面の微細ひびなどを検出する場合、金属の表皮深さを浅くするために周波数を高くする必要がある(例えば、20MHz以上)が、コイルの浮遊容量による変位電流のため、検出回路(リード線)が不安定になりやすく、検出精度が得られない。
【0008】
などの問題が表面化しているが、これらの問題は現在未解決の状態である。
このように、従来の渦電流センサは、主に空心コイルを用い、これに交流電流を流し、金属面からの渦電流反磁界により発生する空心コイルにおける磁束変化の減少として検出し、金属の近接検出や金属面の電磁気特性及び欠陥等の検出に使用されている。
【0009】
さらに検出感度を高めるためには、コイルの磁心に高透磁率磁性体を使用することができるが、磁性体内部のコイル軸方向の反磁界を軽減するために磁性体の長さを確保する必要があり、ヘッドの小型化や薄膜化には困難であるため、空心コイルを用いたヘッドが一般的であった。
また、最近では、金属の浅い表面の非破壊検査のために表皮効果を顕著にする高周波技術が要求されているが、従来のコイル法では、浮遊容量の問題解決が難しく検出精度の向上は難しいものがある。
【0010】
そこで、本発明は、上記従来のコイル型渦電流センサのヘッドを改善し、本願発明者が先に見出した磁性線の磁気インピーダンス効果を利用することにより、著しくヘッドを小型化して、金属浅表面のピンポイント領域の電磁気特性の検出を実現し、ヘッドの励磁をパルス電流で行うことにより、安定で高速応答の渦電流センサを提案したものである。これは、工業的に渦電流センサが使用されている全ての技術分野に属しているものであり、顕著に高度化することができる。
【0011】
すなわち、本発明は、上記問題点を除去し、渦電流センサのヘッドの小型化、リフトオフの確保、高周波化を図ることができる磁気インピーダンス効果形渦電流センサを提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔1〕磁気インピーダンス効果形渦電流センサであって、磁性細線に表皮効果による磁気インピーダンス効果を発生させる鋭いパルス電流を印加するパルス電圧発生回路と、前記パルス電流に応じて磁性細線の長さ方向にパルス磁界を誘起する手段と、前記パルス磁界によって近接金属表面に誘起された渦電流による反磁界で減少する前記磁性細線両端間誘起パルス電圧を直流電圧に変換し増幅して出力電圧を得る回路とを具備するようにしたものである。
【0013】
〔2〕上記〔1〕記載の磁気インピーダンス効果形渦電流センサにおいて、前記磁性細線として、アモルファス磁性細線を用いるようにしたものである。
〔3〕上記〔1〕記載の磁気インピーダンス効果形渦電流センサにおいて、前記パルス電圧発生回路として、C−MOSインバータによるマルチバイブレータ回路と、微分回路およびパルス波形整形増幅用C−MOSインバータより成る発振回路を用いるようにしたものである。
【0014】
〔4〕上記〔1〕記載の磁気インピーダンス効果形渦電流センサにおいて、前記磁性細線の長さ方向にパルス磁界を発生させる手段として、磁性細線の周回に被覆導線コイルを設置するようにしたものである。
〔5〕上記〔1〕記載の磁気インピーダンス効果形渦電流センサにおいて、前記磁性細線両端間誘起パルス電圧を直流電圧に変換する回路として、ショットキーバリアダイオードとピークホールド回路より成る回路を用いるようにしたものである。
【0015】
〔6〕上記〔1〕記載の磁気インピーダンス効果形渦電流センサにおいて、前記磁性細線を1対用い、それぞれの磁性細線の誘起パルス電圧を直流電圧に変換した後、その電圧の差を出力とするようにしたものである。
なお、〔1〕の鋭いパルス電流の代わりに、表皮効果を発生させる高周波電流を用いても良いことは、磁気インピーダンス(MI)効果の観点から当然のことである。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図1は本発明にかかる磁気インピーダンス効果形渦電流センサの構成図である。
この図において、1はC−MOS・IC(74AC04)であり、2個のインバータ2,3(Q1 ,Q2 )と抵抗4(R1 :20kΩ),コンデンサ5(C1 :100pF)でマルチバイブレータを構成するとともに、波形を整形・増幅する他のインバータ6,7,8,9を有する。
【0017】
また、10は抵抗(R2 :1Ω)、11は零磁歪アモルファスワイヤ、12はショットキーバリアダイオード(SBD)、13はコンデンサ(C2 :1000pF)、14は抵抗(R3 :520kΩ)、15は抵抗(R5 :10kΩ)、16は抵抗(R7 :100kΩ)、17は可変抵抗(VR1 :3kΩ)、18は抵抗(R4 :10kΩ)、19は第1の差動増幅器(OP1 :LF356)、20は抵抗(R6 :100kΩ)、21は抵抗(R8 :10kΩ)、22は抵抗(R10:10kΩ)、23は第2の差動増幅器(OP2 :LF356)、24は抵抗(R9 :1MΩ)である。
【0018】
図1に示す本発明の渦電流センサ回路の基本構成は、C−MOS・IC1内の2個のインバータ2,3のマルチバイブレータで方形波発振させ、その電源ラインに流れるパルス電流を、長さ1mm、30μm径の零磁歪アモルファスワイヤ11に通電し、零磁歪アモルファスワイヤ11に設置した30ターンのコイルに鎖交したパルス磁束を対象金属(図示なし)に印加し、金属表面の渦電流反磁界で変化したアモルファスワイヤ両端間電圧をショットキーバリアダイオード12(SBD)で検波し、ピークホールド回路で直流電圧に変換する。
【0019】
上記した直流電圧が、第1,第2の差動増幅器19,23に印加され、ヘッドが対象から十分離れた場合に、センサ出力電圧Eout が零に設定される。
ヘッド両端間のパルス電圧の代わりに、コイル両端間の電圧を検出電圧にすることもできる。
ヘッド通電のパルス電流の立ち上がり時間は2〜3nsであり、アモルファスワイヤの表皮効果による磁気インピーダンス(MI)効果の発生に関して最も高感度になる100〜200MHzの交流電流の通電と等価である。
【0020】
図2は本発明の第1実施例を示す磁気インピーダンス効果形渦電流センサ回路図(その1)であり、図1を発展させて、マルチバイブレータの方形波電圧を微分回路で微分し、インバータ37で増幅整形した後、零磁歪アモルファスワイヤ38にパルス通電している。
図3はその磁気インピーダンス効果形渦電流センサによる実験結果を示す図(その1)、図4はその渦電流センサのアモルファスワイヤの両端間電圧及びコイルの両端間電圧を示す図である。
【0021】
図2において、31,32はインバータ、33は抵抗(51kΩ)、34はコンデンサ(100pF)であり、これらによってマルチバイブレータを構成している。35はコンデンサ(100pF)、36は抵抗(200Ω)、37はインバータ、38はセンサヘッド(零磁歪アモルファスワイヤ)、39はショットキーバリアダイオード(SBD)、40はコンデンサ(1000pF)、41は抵抗(51kΩ)、42は可変抵抗(VR1 :200Ω)、43は差動増幅器(OP:AD524 100倍)、44はアルミ板(60×100×1mm)である。
【0022】
この実施例では、図2に示すように、両端を半田付けで形成された電極間1mmの30μm径アモルファスワイヤを、30ターンコイルを巻回した内径1mmのボビンに設置したセンサヘッド38を、十分広い厚さ1mmのアルミ板44に平行に距離xで近接させるようにした。
このような場合のセンサ出力電圧V out と距離xの関係を図3に示す。
【0023】
図3において、曲線aはアモルファスワイヤとコイルの中心軸とのなす角θc が10°、曲線bはそれが5°、曲線cはそれが0°、曲線dはコイルなしの場合である。
この図3に示すように、約4mmまでV out の変化が現れている。ノイズ電圧は20mVであり、距離検出分解能は約15μmである。
【0024】
アモルファスワイヤとコイル軸のなす角度θc を0°,5°,10°とした場合、距離xに対するVout の変化幅は上記角度θc が10°の場合(曲線a)が最大であった。これは、アモルファスワイヤの通電電流に対する磁束変化がワイヤ円周方向であるため、コイルの導線と磁束変化方向が角度を持たなければ鎖交磁束変化が現れないためである。
【0025】
なお、コイルを施さない場合(曲線d)は、Vout の変化幅はコイルを施した場合の1/3〜1/4であり小さいが、その変化は安定に測定できる大きさである。これは、アモルファスワイヤに電極形成時にひねり応力が入り、僅かなスパイラル磁化によりワイヤ長さにパルス磁界が発生して、金属板に僅かな磁束が侵入するためと考えられる。
【0026】
コイルの両端は短絡したが、開放の場合とほぼ同じ特性であった。これは、ワイヤパルス電流波形が急峻で、励磁周波数が100〜200MHzの高周波に相当するので、コイルの鎖交磁束変化の高周波に対して、コイル内の浮遊容量のインピーダンスが低く、コイル内でLC閉路を形成しているためと考えられる。
そして、その渦電流センサのアモルファスワイヤの両端間電圧は、図4(a)〔上段〕に、そのコイルの両端間電圧は、図4(b)〔下段〕に示すようになる。図4において、一目盛りは10nsである。
【0027】
図5は本発明の第1実施例を示す磁気インピーダンス効果形渦電流センサ回路図(その2)、図6はその磁気インピーダンス効果形渦電流センサによる実験結果を示す図(その2)であり、コイルのインダクタンスと浮遊容量によるLC振動波形が観測される。
図5において、51,52はインバータ、53は抵抗(51kΩ)、54はコンデンサ(100pF)であり、これらによってマルチバイブレータを構成している。55はコンデンサ(100pF)、56は抵抗(200Ω)、57はインバータ、58はセンサヘッド(零磁歪アモルファスワイヤ)、59はショットキーバリアダイオード(SBD)、60はコンデンサ(1000pF)、61は抵抗(51kΩ)、62は可変抵抗(VR1 :1kΩ)、63は抵抗(760Ω)、64は差動増幅器(OP:AD524 100倍)である。
【0028】
図6は零磁歪アモルファスワイヤ58のコイルを開放した場合(曲線a)とワイヤ電流をコイルに直列に通電した場合(曲線b)のV out −x特性を示す図である。
後者では、0.5mmで変化は終了し、その変化幅は前者の1/4程度である。これは、前者でのコイルは弱結合のトランスの2次側コイルとしてほぼ自由なLC振動であって、金属板の渦電流反磁界の反作用を受けやすく、後者ではコイル電流がワイヤ電流と同一で固定されていることによると考えられる。
【0029】
次に、本発明の第2実施例について説明する。
図7は本発明の第2実施例を示す磁気インピーダンス効果形渦電流センサ回路図であり、図1に示した単一ヘッド型センサ回路を2個対称型に組み合わせて差動形にしたツインヘッド形渦電流センサ回路図である。
図7において、2個のインバータ71,72(Q1 ,Q2 )と抵抗73(R1 :5.1kΩ),コンデンサ74(C1 :100pF)でマルチバイブレータを構成すると共に、コンデンサ75(C2 :100pF)、抵抗76(R2 :200Ω)を設け、波形を整形・増幅する他のインバータ77,78(Q3 ,Q4 )を有する。また、79は可変抵抗(VR1 :200Ω)、80はツインヘッド、81はその第1のコイル、82はその第2のコイル、83,84はショットキーバリアダイオード(SBD)、85,86はコンデンサ(C3 ,C4 :1000pF)、87,88は抵抗(R3 ,R4 :510kΩ)、89は差動増幅器(OP:AD524 1000倍)である。
【0030】
この第2実施例による渦電流センサによれば、以下のような利点がある。
ツインヘッド80を対象金属(図示なし)表面から等距離に設定すると、金属表面の2つの微小領域の電磁気特性の差が、金属表面からの距離に依存せず検出されるので、金属表面の微細な傷や介在物の非破壊検出に適している。
また、このヘッドのインピーダンスは、金属表面の渦電流反磁界以外の地磁気などの外乱磁界によっても変化するので、このツインヘッドによって、外乱磁界の影響を相殺することができる。
【0031】
第1実施例(図1)及び第2実施例(図7)のセンサ回路では、数ns幅のパルス電流による消費電力だけであり、増幅器もC−MOSアンプで構成すれば、センサの消費電力は10mW以下であって、微小消費電力型の携帯容易な小型軽量センサとして構成することができる。
図8は本発明の第2実施例を示すツインヘッド形渦電流センサによる、アルミ板の表面100μm径ピンホールの検出波形図であり、図8(a)はリフトオフ0.2mm、図8(b)はリフトオフ0.5mmの場合である。
【0032】
ここでは、直径30μmで長さ1mmのアモルファスワイヤ2本を2mm間隔で平行に、かつ、対象アルミ板表面にもリフトオフ1mmで平行に設定した。ピンホール近傍の渦電流がピンホールで乱され、2個のアモルファスワイヤにかかる反磁界の大きさに差を生じ、ヘッドをアルミ板上で掃引させるとパルス電圧が検出されることがわかる。
【0033】
上記したように、本発明では、渦電流センサのヘッドの小型化、リフトオフの確保、高周波化などの従来のセンサ技術では解決できない課題を、零磁歪アモルファスワイヤの磁気インピーダンス効果(MI効果)形のヘッドと、パルス電子回路技術によって解決することができた。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、アモルファスワイヤにコイルを施すことなく、リード線で励磁して磁気インピーダンス(MI)効果を利用する方法など、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【0034】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、渦電流センサのヘッドの小型化、リフトオフの確保、高周波化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる磁気インピーダンス効果形渦電流センサの構成図である。
【図2】本発明の第1実施例を示す磁気インピーダンス効果形渦電流センサ回路図(その1)である。
【図3】本発明の第1実施例を示す磁気インピーダンス効果形渦電流センサによる実験結果を示す図(その1)である。
【図4】本発明の第1実施例を示す磁気インピーダンス効果形渦電流センサのアモルファスワイヤの両端間電圧及びコイルの両端間電圧を示す図である。
【図5】本発明の第1実施例を示す磁気インピーダンス効果形渦電流センサ回路図(その2)である。
【図6】本発明の第1実施例を示す磁気インピーダンス効果形渦電流センサによる実験結果を示す図(その2)である。
【図7】本発明の第2実施例を示す磁気インピーダンス効果形渦電流センサ回路図である。
【図8】本発明の第2実施例を示すツインヘッド形渦電流センサによるアルミ板の表面100μm径ピンホールの検出波形図である。
【符号の説明】
1 C−MOS・IC(74AC04)
2,3,6,7,8,9,31,32,37,51,52,57,71,72,77,78 インバータ
4,10,14,15,16,18,20,21,22,24,33,36,41,53,56,61,63,73,76,87,88 抵抗
5,13,34,35,40,54,55,60,74,75,85,86 コンデンサ
11 零磁歪アモルファスワイヤ(磁性細線)
12,39,59,83,84 ショットキーバリアダイオード(SBD)
17,42,62,79 可変抵抗(VR1
19 第1の差動増幅器
23 第2の差動増幅器
38,58 センサヘッド(零磁歪アモルファスワイヤ)
43,64,89 差動増幅器
44 アルミ板
80 ツインヘッド
81 ツインヘッドの第1のコイル
82 ツインヘッドの第2のコイル

Claims (6)

  1. 磁気インピーダンス効果形渦電流センサであって、
    (a)磁性細線に表皮効果による磁気インピーダンス効果を発生させる鋭いパルス電流を印加するパルス電圧発生回路と、
    (b)前記パルス電流に応じて磁性細線の長さ方向にパルス磁界を誘起する手段と、
    (c)前記パルス磁界によって近接金属表面に誘起された渦電流による反磁界で減少する前記磁性細線両端間誘起パルス電圧を、直流電圧に変換し増幅して出力電圧を得る回路とを具備することを特徴とする磁気インピーダンス効果形渦電流センサ。
  2. 請求項1記載の磁気インピーダンス効果形渦電流センサにおいて、前記磁性細線としてアモルファス磁性細線を用いることを特徴とする磁気インピーダンス効果形渦電流センサ。
  3. 請求項1記載の磁気インピーダンス効果形渦電流センサにおいて、前記パルス電圧発生回路としてC−MOSインバータによるマルチバイブレータ回路と微分回路およびパルス波形整形増幅用C−MOSインバータより成る発振回路を用いることを特徴とする磁気インピーダンス効果形渦電流センサ。
  4. 請求項1記載の磁気インピーダンス効果形渦電流センサにおいて、前記磁性細線の長さ方向にパルス磁界を発生させる手段として、磁性細線の周回に被覆導線コイルを設置することを特徴とする磁気インピーダンス効果形渦電流センサ。
  5. 請求項1記載の磁気インピーダンス効果形渦電流センサにおいて、前記磁性細線両端間誘起パルス電圧を直流電圧に変換する回路として、ショットキーバリアダイオードとピークホールド回路より成る回路を用いることを特徴とする磁気インピーダンス効果形渦電流センサ。
  6. 請求項1記載の磁気インピーダンス効果形渦電流センサにおいて、前記磁性細線を1対用い、それぞれの磁性細線の誘起パルス電圧を直流電圧に変換した後、その電圧の差を出力とすることを特徴とする磁気インピーダンス効果形渦電流センサ。
JP19684898A 1998-07-13 1998-07-13 磁気インピーダンス効果形渦電流センサ Expired - Fee Related JP3645093B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19684898A JP3645093B2 (ja) 1998-07-13 1998-07-13 磁気インピーダンス効果形渦電流センサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19684898A JP3645093B2 (ja) 1998-07-13 1998-07-13 磁気インピーダンス効果形渦電流センサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000028693A JP2000028693A (ja) 2000-01-28
JP3645093B2 true JP3645093B2 (ja) 2005-05-11

Family

ID=16364672

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19684898A Expired - Fee Related JP3645093B2 (ja) 1998-07-13 1998-07-13 磁気インピーダンス効果形渦電流センサ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3645093B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3971952B2 (ja) * 2002-05-07 2007-09-05 新日本製鐵株式会社 鋼材の表面疵検出装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000028693A (ja) 2000-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3197414B2 (ja) 磁気インピーダンス効果素子
US4692703A (en) Magnetic field sensor having a Hall effect device with overlapping flux concentrators
JP3091398B2 (ja) 磁気−インピーダンス素子及びその製造方法
JPS61260321A (ja) 位置検出装置
JP3645116B2 (ja) 磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサ
JPS63109338A (ja) 軸におけるトルクを非接触で間接的に電気式に測定する装置
JP3076889B2 (ja) 磁気力顕微鏡
JP3161623B2 (ja) 磁場測定装置
WO1991018299A1 (fr) Dispositif detecteur de magnetisme
US5446379A (en) Method and system for searching and sensing reinforcing steel in concrete by employing an oscillator driver sensor coil
JPWO2006046358A1 (ja) 高周波コイルを備えた機器
JP4565072B2 (ja) 磁界センサ
JP4209114B2 (ja) 磁界センサ
JP3645093B2 (ja) 磁気インピーダンス効果形渦電流センサ
JPH06347489A (ja) 電流センサ
JP3651268B2 (ja) 磁気測定方法及び装置
JP6839399B1 (ja) 磁界検出素子
JPH0784021A (ja) 微弱磁気測定装置及びそれを用いた非破壊検査方法
JP2004239828A (ja) フラックスゲート磁界センサ
JP2000266785A (ja) 電流計測装置
JPH05280914A (ja) 変位量検出センサ
JPH05264508A (ja) 焼入硬化範囲の非破壊測定方法及びその装置
JP2003004830A (ja) 磁界検出装置
JPH0392782A (ja) 磁界センサ
JP2006112813A (ja) 電流センサ及びそれを用いた電流検知ユニット

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20031210

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040727

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041005

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041125

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050201

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050202

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees