JP3635870B2 - 半導体単結晶インゴットの接着方法及びスライス方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体シリコン単結晶インゴットをスライスして単結晶ウエーハを製造する工程であって、インゴットを受け入れてからスライスするまでの半導体単結晶インゴットの接着方法およびスライス方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来から、半導体シリコン単結晶ウエーハの製造工程は、一般的には、インゴットで受け入れ、これを、結晶方位測定−当て板接着−スライス−当て板剥離洗浄する直列の各工程で加工処理され、さらに、ラップ−面取り−エッチング−鏡面研磨−洗浄−検査−品質保証−包装等の主工程を経て出荷されている。
この際、インゴットは外周研削加工およびオリエンテーションフラットまたはノッチ加工がなされ、ブロックに切断された状態で受入れられるが、その端面は必ずしも所望の面方位に正確に一致しているわけではないので、ブロックをスライスするに当たっては、そのスライス面が正確に所望の面方位に一致するように、ブロック位置を微調整する必要がある。
【0003】
ところで、近年インゴットの大口径化、長尺化に伴い、スライス装置が内周刃切断機から能率の高いマルチワイヤーソーに代わってきたため、1本のインゴットから同時に数十枚から数百枚のウエーハが切り出されるようになってきた。そこで、通常先ず、1本のインゴットからマルチワイヤーソーの切断能力長さのほぼ1/2を超え、等しいものまでを標準ブロックと言い、これを数本切り出すが、マルチワイヤーソーの切断能力長さの1/2に満たない短尺ブロックも多数発生することになる。これを製品化するために、複数本の短尺ブロックを接着して、より長尺なブロック、好ましくは、上記標準ブロックに等しい長さに仕立ててスライス工程に送るようにしていた。
【0004】
しかし、この接着方法が1枚の当て板に複数本の短尺ブロックを接着するものであったため、結晶方位測定においては、この接着ブロック体の両端の端面でしか方位を確定できず、しかも、マルチワイヤーソーに取り付ける時には、片端面の方位しか生かされないので、端面方位の確定したブロックから切り出されたウエーハは正規品として出荷できるが、他のブロックから切り出されたウエーハは方位がまちまちなため、ダミーグレードとしてしか出荷できなかった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような問題点に鑑みなされたもので、複数本の短尺ブロックを当て板に接着してスライスしても、切り出されたウエーハ全てを正規品とすることができ、インゴット及びウエーハの歩留り向上を可能とする接着方法及びスライス方法を提供することを主目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の請求項1に記載した発明は、半導体単結晶インゴットをスライスして半導体単結晶ウエーハを製造する工程であって、マルチワイヤーソーの切断能力長さに満たない短尺ブロックを複数本接着して、より長尺なブロックに仕立てる接着方法において、
(1)短尺ブロックを、オリエンテーションフラット(OF)またはノッチ位置を基準として、短尺ブロック端面に沿って互いに垂直で、芯出し治具の水平基準面に対して平行なX軸と、芯出し治具の水平基準面に対して垂直なY軸の方位をを測定する工程、
(2)短尺ブロックの所定位置に、該ブロックと同じ長さの当て板を接着剤で接着する工程、
(3)この当て板付き短尺ブロックを芯出し治具の上で、測定したX軸及びY軸が、ワイヤーによる切断面に対して所定の角度を持つように位置決めを行った後、当て板の上面が芯出し治具の水平基準面と平行になるまで研削し、研削した当て板の上面に、上面の中心を通り、ワイヤーによる切断面に対して垂直な方向に、位置決め用の溝加工を施す工程、
ただし、この溝加工は、平行な2本の溝を加工することにより、ウエーハ結晶方位精度がより向上する。
(4)この位置決め用溝を付けた当て板付き短尺ブロックの複数本を、位置決め用溝を基準にして直線状に配列し、該位置決め用溝に対応する位置決め用凸部を持ち、標準ブロックと同じ長さのワークプレートを、各短尺ブロックの当て板の位置決め用溝に合わせて接合して一体化させる工程、
の各工程を具備することを特徴とする半導体単結晶インゴットの接着方法である。
【0007】
このような工程順に、短尺ブロックを接着することによって、より長尺で標準ブロックと同じか、これに近い長さ、すなわち、マルチワイヤーソーの切断能力長さとほぼ同様なブロックとすることができ、結晶方位も揃っているので、標準ブロックをスライスするのとほぼ同じ条件でスライスすることが可能となる。従って、スライスして得たウエーハも結晶方位が揃っているので全て正規品とすることができ、インゴット及びウエーハの歩留り向上が可能となる。
【0008】
本発明の請求項2に記載した発明は、半導体単結晶インゴットをスライスして半導体単結晶ウエーハを製造する工程であって、マルチワイヤーソーの切断能力長さに満たない短尺ブロックを複数本接着して、より長尺なブロックに仕立てる接着方法において、少なくとも、
(a)短尺ブロックを単結晶配向装置に載せてX線を照射して方位を測定する際に、短尺ブロックを円周方向に回転させて、X線の最大振れ角度が単結晶配向装置上で水平となるように位置決めし、当て板を接着剤で接着し、さらに、X線により、長手方向での中心軸を水平に回転させることで、切断ウエーハの方位を決定し、位置決めを行う工程、
(b)当て板の上面に、上面中心部を通り、ワイヤーによる切断面に対して垂直な方向に、位置決め用の溝加工を施す工程、
ただし、この溝加工は、平行な2本の溝を加工することにより、ウエーハ結晶方位精度がより向上する。
(c)この位置決め用溝を付けた当て板付き短尺ブロックの複数本を、位置決め用溝を基準にして直線状に配列し、該位置決め用溝に対応する位置決め用凸部を持つワークプレートを、各短尺ブロックの当て板の位置決め用溝に合わせて接合させる工程、
の各工程を具備することを特徴とする半導体単結晶インゴットの接着方法である。
【0009】
このように、単結晶配向装置を使用することによって、結晶方位測定を水平面内で行えるので、請求項1に記載の接着方法のように当て板を研削して位置決めをする必要がなく、一工程短縮できることになり、インゴット及びウエーハの歩留りを向上させることができると共に、作業能率の向上、作業の自動化を図ることが容易にできる。
【0010】
また、本発明の請求項3の発明は、上記請求項2の接着方法において、前記単結晶配向装置は、一対のガイドローラーとターンテーブルから構成され、ガイドローラー上に短尺ブロックを載せ、ガイドローラーを回して短尺ブロックの円周方向の位置決めを行い、ターンテーブルを回して軸方向の位置決めを行うものとした。
【0011】
このような単結晶配向装置を使用することによって、方位決定操作が2段階から1段階に短縮され、当て板上面研削が不要となり、工程の短縮、作業能率の向上が図れる。また、同装置にテーブル上下機構を付加すれば、位置決め後当て板を接着することも可能であり、工程の短縮、作業の自動化、作業能率の向上を一層進めることができる。
【0012】
そして、請求項4のように、ワークプレートに対する当て板付き短尺ブロックの接合を、接着剤による接着またはクランプによる挟着とすることができる。このようにすれば、ワークプレートに対する当て板付き短尺ブロックの接合は完全なものとなり、スライス時の短尺ブロックの位置ずれ防止が可能となる。
【0013】
また、請求項5に記載した発明は、長尺ブロックの長さをマルチワイヤーソーの切断能力長さに等しい標準ブロックの長さにするというもので、こうすれば、マルチワイヤーソーのスライス能力を最大限に発揮させることができ、作業能率の向上、インゴット及びウエーハの歩留り向上を図ることができる。
【0014】
さらに、請求項6に記載した発明は、前記請求項1〜請求項5記載の接着方法によって、短尺ブロックの複数本を接着して長尺ブロックとした後、マルチワイヤーソーによって切断することを特徴とする半導体単結晶インゴットのスライス方法であり、マルチワイヤーソーでは、短尺のブロックからウエーハを切り出したのでは、切断仕様能力を生かしきれず、無駄が大きく、長尺ブロックに仕立てる必要が大きいため、特に有用である。
【0015】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明者等は、従来の半導体単結晶インゴットの接着方法では、1枚の当て板に接着された複数本の短尺ブロックの片側先頭のブロックの方位に従って切断しているため、端面方位の確定したブロックから切り出されたウエーハは正規品として出荷できるが、他のブロックから切り出されたウエーハは方位がまちまちなため、ダミーグレードとしてしか出荷できなかった欠点を解決するため種々検討した。その結果、全ての短尺ブロックの端面の結晶方位を測定して修正角度を求めておき、短尺ブロックと同じ長さの当て板を接着後、当て板上面をXY二軸方向に修正研削してワークプレートに接着して一体化するか、或は単結晶配向装置を用いて短尺ブロックを位置決めし、短尺ブロックと同じ長さの当て板を接着した後、ワークプレートに接合して一体化すれば解決できることを見出し、本発明を完成したものである。
【0016】
本発明の半導体単結晶インゴットの接着方法の第1の形態を図1に示した工程順に従って説明する。
先ず、半導体単結晶インゴットは、その外周を所望の直径近傍まで研削され、結晶方位測定を経て、オリエンテーションフラット(以下、OFと略記する)加工またはノッチ加工され、ブロックに切断された状態で受入れられる(100)。この場合、先にブロックに切断してからOFまたはノッチ加工を施す場合もある。
このブロックは2種類あって、マルチワイヤーソーの切断能力長さのほぼ1/2を超え、等しいものまでを標準ブロックと言い、マルチワイヤーソーの切断能力長さの1/2以下の短いものを短尺ブロックという。この内標準ブロックは、ブロック単体で通常の方法、すなわち、結晶方位測定、当て板接着、接着剤硬化、溝加工、ワークプレート接着、接着剤硬化等の工程を経て、マルチワイヤーソーに取り付けられ、スライス以後の加工処理がなされる。
【0017】
一方短尺ブロックは、これを有効に利用するため、その複数本を接着してより長尺なブロック、好ましくは標準ブロック長さに仕立てて、これをスライス工程に送り出すことになるが、この短尺ブロックの接着は次の工程順に実施される。
尚、短尺ブロックのみの組合せだけでなく、マルチワイヤーソーの切断能力長さに満たない標準ブロックと短尺ブロックとを組合せることも可能である。
【0018】
(1)先ず、短尺ブロックを、オリエンテーションフラット(OF)またはノッチ位置を基準として、端面のX軸、Y軸の結晶方位を測定する(101)。
【0019】
(2)次は、短尺ブロックの所定位置に、該ブロックとほぼ同じ長さの長めの当て板を接着剤で接着する工程(102)であって、当て板は、マルチワイヤーソーで該ブロックをスライスした時に、同時に形成される数十〜数百枚のウエーハがバラバラに分離、脱落しないようにまとめておくもので、材質はグラファイト、ガラス、多孔質セラミックス等が使用されている。
【0020】
また、当て板の接着剤は、硬化時間が短かく、当て板上面研削加工や位置決め用溝(凹部)加工の際に位置ずれを起こさない接着強度の高いものがよく、二液性エポキシ系接着剤、例えば、アピボンド#2410(大智化学産業(株)製商品名)等が好ましい。
【0021】
(3)次は、当て板上面を研削し、さらに当て板の当該平坦部にワークプレートの位置決めと接合のため、位置決め用溝を加工する工程(103)を行う。
【0022】
前記当て板付き短尺ブロックを例えばVブロックのような芯出し治具の上で、測定したX軸及びY軸が、ワイヤーによる切断面に対して所定の角度を持つように位置決めを行う。ここで、所定の角度とは、切断面として例えば(100)面を得る場合には、X軸及びY軸の(100)面に対するずれ角度のことを言う。
次に、当て板の上面が治具の水平基準面と平行になるまで研削加工して、所定の傾斜面を得る。その後、その研削した面の中心を通り、ワイヤーによる切断面に対して垂直な方向に、ワークプレートの位置決め用の溝加工を施す。
【0023】
図3は、この当て板の研削加工と位置決め用溝加工を施した状態を示した説明のための図面で、短尺ブロック1に接着した当て板3の上面を図の右奥の板角を基点として、二点鎖線と一点鎖線で囲まれた斜方体を研削除去し、得られた研削面の中央に位置決め用溝4加工を施したことを示している。
この位置決め用溝4の加工においても、2本平行に加工することにより、より精度の高いウエーハ方位を得ることができる。この場合、ワークプレートの位置決め用凸部も該溝4に対応して2本とする。
【0024】
(4)次は、この位置決め用溝を付けた当て板付き短尺ブロックの複数本を、位置決め用溝を基準にして直線状に配列し、該位置決め用溝に対応する位置決め用凸部を持つワークプレートを、各短尺ブロックの当て板の位置決め用溝に合わせて接合して一体化させる工程を行う(104)。
【0025】
図5は2本の短尺ブロック1、1に夫々当て板3、3を接着し、当て板上面を修正方位に研削し、位置決め用溝と位置決め用凸部(図示せず)を合せてワークプレート5に接合した状態を示している。このようにすれば、1本のワークプレートに対して結晶方位の揃った当て板付き短尺ブロックが1直線状に配列されているので、スライスして形成されたウエーハは全て結晶方位の揃った正規品とすることができる。
【0026】
この例では、当て板に位置決め用溝を、ワークプレートに位置決め用凸部を加工して、両者を嵌合させるようにしているが、逆に当て板に位置決め用凸部を、ワークプレートに位置決め用溝を加工して両者を嵌合するようにしてもよい。
【0027】
また、この例では、ワークプレートに対する当て板付き短尺ブロックの取り付け方法を接着剤による接着としたが、当て板に段差部を設けてクランプでワークプレートに取り付けてもよい。
【0028】
こうして、短尺ブロックを接着して長尺ブロックとすることができるが、その長さは、マルチワイヤーソーの切断能力仕様長さである標準ブロックと同じ長さにすれば最も効率が良いことになる。
【0029】
そして、最後にこの複数本の当て板付短尺ブロック・ワークプレート複合体をマルチワイヤーソーのワークプレートハンガーに取り付けて、該複合体の短尺ブロック側を走行しているワイヤー上に押しつけてブロックをスライスする工程を行う(105)。
【0030】
従来、スライス装置は、内周刃切断装置が主流を占めてきたが、インゴットの大口径化には追随できず、生産性の高いマルチワイヤーソーにとって代わられつつあり、本発明は、このマルチワイヤーソーの特性、能力を充分発揮させて生産性を高め、短尺ブロックによる時間と歩留りのロスをできるだけ減少させるためにインゴットブロックを長尺化する接着方法であり、そして、このブロックを長尺化させた後にスライスする方法である。
【0031】
本発明の半導体単結晶インゴットの接着方法の第2の形態を図2に示した工程順に従って説明する。
先ず、半導体単結晶インゴットは、その外周を所望の直径近傍まで研削され、結晶方位測定を経て、オリエンテーションフラット(以下、OFと略記する)加工またはノッチ加工され、ブロックに切断された状態で受入れられる(200)。この場合、先にブロックに切断してからOFまたはノッチ加工を施す場合もある。
このブロックは2種類あって、マルチワイヤーソーの切断能力長さのほぼ1/2を超え、等しいものまでを標準ブロックと言い、マルチワイヤーソーの切断能力長さの1/2以下の短いものを短尺ブロックという。この内標準ブロックは、ブロック単体で通常の方法、すなわち、結晶方位測定、当て板接着、接着剤硬化、溝加工、ワークプレート接着、接着剤硬化等の工程を経て、マルチワイヤーソーに取り付けられ、スライス以後の加工処理がなされる。
【0032】
一方短尺ブロックを有効に利用するため、その複数本を接着して長尺ブロック、好ましくは標準ブロック長さに仕立ててスライスすることになるが、本発明によるこの短尺ブロックの第2の接着方法を工程順に説明する。
【0033】
(a)先ず、短尺ブロックを単結晶配向装置に載せてX線を照射して方位を測定する際に、短尺ブロックを円周方向に回転させて、X線の最大振れ角度が単結晶配向装置上で水平となるように位置決めし、当て板を接着剤で接着し、さらに、X線により、長手方向での中心軸を水平に回転させることで、切断ウエーハの方位を決定し、位置決めする工程を行う(201)。
【0034】
ここで、図6に示したように、単結晶配向装置20は、一対のガイドローラー21とターンテーブル22から構成され、ガイドローラー21上に短尺ブロック1を載せ、該装置に付属するX線方位測定器(図示せず)で結晶方位を測定し、ガイドローラー21を回して短尺ブロック1の円周方向の位置決めを行い、次にターンテーブル上下機構23によりターンテーブル22上の当て板3を短尺ブロック1に接着した後、ターンテーブル22を回して中心軸水平方向の位置決めを行うものである。
【0035】
(b)次は、ワークプレートの位置決め接着用として、当て板の上面中心を通り、ワイヤーによる切断面と垂直な位置決め用溝加工を施す工程である(202)。
図4は、短尺ブロック1の結晶方位の位置決めを単結晶配向装置20で行い、当て板3を接着した後、当て板上面に位置決め用溝4加工を施した状態を示している。
【0036】
(c)次は、この位置決め用溝を付けた当て板付き短尺ブロックの複数本を、位置決め用溝を基準にして直線状に配列し、該位置決め用溝に対応する位置決め用凸部を持つワークプレートを、各短尺ブロックの当て板の位置決め用溝に合わせて接着剤で接着して一体化させる工程であり(203)、その作用効果は、第1の実施の形態で述べた通りである。
【0037】
以上、第2の実施の形態で述べてきた接着方法によって、短尺ブロックの複数本を接着して長尺ブロック、好ましくは標準ブロックと同じ長さとしたものは、マルチワイヤーソーによってスライスされる(204)。ここで得られたウエーハは、結晶方位が揃っており、全て正規品としてウエーハの精密仕上げ加工工程に送られることになる。
【0038】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【0039】
例えば、上記説明では半導体シリコン単結晶インゴットを接着、スライスする場合について述べてきたが、GaAs,GaP等の化合物半導体単結晶インゴットについて実施してもほぼ同一の効果を得ることができる。
【0040】
【発明の効果】
本発明によれば、複数本の短尺ブロックの結晶方位を揃えて同じ長さの当て板に接着し、ワークプレートで一体化することにより、切り出されたウエーハ全てを正規品とすることができ、インゴット及びウエーハの歩留り向上と生産性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体単結晶インゴットの接着方法の第1の例を示す流れ図である。
【図2】本発明の半導体単結晶インゴットの接着方法の第2の例を示す流れ図である。
【図3】本発明の第1の実施形態である結晶方位の位置決めを当て板上面を研削して行うことを示す説明図である。
【図4】本発明の結晶方位の位置決めを単結晶配向装置によって行った場合の当て板の位置を示す説明図である。
【図5】本発明の複数の当て板付き短尺ブロックをワークプレートに接着した状態を示す説明図である。
【図6】単結晶配向装置の縦断面説明図である。
【符号の説明】
1…短尺ブロック、
2…オリエンテーションフラット(OF)またはノッチ、
3…当て板、
4…位置決め用溝、
5…ワークプレート、
20…単結晶配向装置、
21…ガイドローラー、
22…ターンテーブル、
23…テーブル上下機構。
Claims (6)
- 半導体単結晶インゴットをスライスして半導体単結晶ウエーハを製造する工程であって、マルチワイヤーソーの切断能力長さに満たない短尺ブロックを複数本接着して、より長尺なブロックに仕立てる接着方法において、少なくとも、
(1)短尺ブロックを、オリエンテーションフラット(OF)またはノッチ位置を基準として、短尺ブロック端面に沿って互いに垂直で、芯出し治具の水平基準面に対して平行なX軸と、芯出し治具の水平基準面に対して垂直なY軸の方位を測定する工程、
(2)短尺ブロックの所定位置に、該ブロックと同じ長さの当て板を接着剤で接着する工程、
(3)この当て板付き短尺ブロックを芯出し治具の上で、測定したX軸及びY軸が、ワイヤーによる切断面に対して所定の角度を持つように位置決めを行った後、当て板の上面が芯出し治具の水平基準面と平行になるまで研削し、研削した当て板の上面に、上面の中心を通り、ワイヤーによる切断面に対して垂直な方向に、位置決め用の溝加工を施す工程、
(4)この位置決め用溝を付けた当て板付き短尺ブロックの複数本を、位置決め用溝を基準にして直線状に配列し、該位置決め用溝に対応する位置決め用凸部を持つワークプレートを、各短尺ブロックの当て板の位置決め用溝に合わせて接合して一体化させる工程、
の各工程を具備することを特徴とする半導体単結晶インゴットの接着方法。 - 半導体単結晶インゴットをスライスして半導体単結晶ウエーハを製造する工程であって、マルチワイヤーソーの切断能力長さに満たない短尺ブロックを複数本接着して、より長尺なブロックに仕立てる接着方法において、少なくとも、
(a)短尺ブロックを単結晶配向装置に載せてX線を照射して方位を測定する際に、短尺ブロックを円周方向に回転させて、X線の最大振れ角度が単結晶配向装置上で水平となるように位置決めし、当て板を接着剤で接着し、さらに、X線により、長手方向での中心軸を水平に回転させることで、切断ウエーハの方位を決定し、位置決めを行う工程、
(b)当て板の上面に、上面中心部を通り、ワイヤーによる切断面に対して垂直な方向に、位置決め用の溝加工を施す工程、
(c)この位置決め用溝を付けた当て板付き短尺ブロックの複数本を、位置決め用溝を基準にして直線状に配列し、該位置決め用溝に対応する位置決め用凸部を持つワークプレートを、各短尺ブロックの当て板の位置決め用溝に合わせて接合させる工程、
の各工程を具備することを特徴とする半導体単結晶インゴットの接着方法。 - 前記単結晶配向装置は、一対のガイドローラーとターンテーブルから構成され、ガイドローラー上に短尺ブロックを載せ、該装置に付属するX線方位測定器で結晶方位を測定し、ガイドローラーを回して短尺ブロックの円周方向の位置決めを行い、ターンテーブルを回して中心軸水平方向の位置決めを行うものである請求項2に記載した半導体単結晶インゴットの接着方法。
- 前記ワークプレートに対する当て板付き短尺ブロックの接合を、接着剤による接着またはクランプによる挟着とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載した半導体単結晶インゴットの接着方法。
- 前記長尺ブロックの長さが、マルチワイヤーソーの切断能力長さに等しい標準ブロックの長さである請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載した半導体単結晶インゴットの接着方法。
- 前記請求項1〜請求項5記載の接着方法によって、短尺ブロックの複数本を接着して長尺ブロックとした後、マルチワイヤーソーによって切断することを特徴とする半導体単結晶インゴットのスライス方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102294757A (zh) * | 2011-08-08 | 2011-12-28 | 江西金葵能源科技有限公司 | 一种使用金刚石线切割的单晶短棒拼接方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010018570B4 (de) * | 2010-04-28 | 2017-06-08 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterscheiben durch Bearbeiten eines Einkristalls |
EP2520401A1 (en) * | 2011-05-05 | 2012-11-07 | Meyer Burger AG | Method for fixing a single-crystal workpiece to be treated on a processing device |
JP5982650B2 (ja) * | 2013-12-06 | 2016-08-31 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ウエハ剥離装置 |
CN112071765B (zh) * | 2020-08-18 | 2024-07-30 | 中环领先(徐州)半导体材料有限公司 | 确定晶圆加工参数的方法和晶圆的加工方法 |
CN113787636B (zh) * | 2021-07-09 | 2022-05-27 | 麦斯克电子材料股份有限公司 | 一种用于12寸半导体晶圆的手动粘棒方法 |
CN114248358A (zh) * | 2021-12-21 | 2022-03-29 | 山东有研半导体材料有限公司 | 一种用于半导体单晶硅棒切割的粘晶定位装置 |
KR20230107999A (ko) * | 2022-01-10 | 2023-07-18 | 에스케이실트론 주식회사 | 잉곳의 y축 보정용 워크플레이트 및 이를 이용한 잉곳의 y축 보정 방법 |
CN114714526A (zh) * | 2022-04-01 | 2022-07-08 | 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 | 二维调整单晶硅棒晶向的接着方法 |
-
1997
- 1997-06-03 JP JP16041897A patent/JP3635870B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
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CN102294757A (zh) * | 2011-08-08 | 2011-12-28 | 江西金葵能源科技有限公司 | 一种使用金刚石线切割的单晶短棒拼接方法 |
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JPH10337695A (ja) | 1998-12-22 |
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